TWM561973U - 揚聲器結構 - Google Patents

Abstract

一種揚聲器結構，包含一座體；設於該座體之一振膜，該振膜係具有一環形懸邊部及設於該環形懸邊部內之一中央凸起部或一中央凹陷部；設於該座體之一磁迴構件，該磁迴構件係具有一環形溝槽；以及浮動設於該磁迴構件之環形溝槽且結合於該振膜之一音圈；其中，該揚聲器結構之長寬比係介於1.5至2.5之間，該揚聲器結構之厚度係小於或等於4mm，該揚聲器結構之最低共振頻率係小於或等於400Hz。藉此，本創作除可使揚聲器結構符合薄型化要求之外，更可由磁迴構件之環形溝槽增加振膜之振幅，且不會觸碰磁迴構件，而達到兼具最低共振頻率輸出之功效。

Description

揚聲器結構

本創作係提供一種揚聲器結構，尤指一種可符合薄型化要求並兼具最低共振頻率輸出之揚聲器結構。

按，於消費性電子產品不斷挑戰薄型化的情況下，一般習用之薄型小尺寸揚聲器結構，例如：長24mm×寬12mm尺寸之揚聲器結構而言，當其總體厚度小於4mm以下時，會因結構設計之諸多限制，而使其最低共振頻率難以低於400Hz，無法同時實現薄型化與降低最低共振頻率之效果。

因此，如何創作出一種揚聲器結構，以使其除可符合薄型化要求之外，更可兼具最低共振頻率輸出的目的，將是本創作所欲積極揭露之處。

有鑑於上述習知技術之缺憾，創作人有感其未臻於完善，遂竭其心智悉心研究克服，進而研發出一種揚聲器結構，以期達到除可符合薄型化要求之外，更可兼具最低共振頻率輸出的目的。

為達上述目的及其他目的，本創作係提供一種揚聲器結構，其包含：一座體；設於該座體之一振膜，該振膜係具有一環形懸邊部及設於該環形懸邊部內之一中央凸起部或一中央凹陷部；設於該座體之一磁迴構件，該磁迴構件係具有一環形溝槽；以及浮動設於該磁迴構件之環形溝槽且結合於該振膜之一音圈；其中，該揚聲器結構之長寬比係介於1.5至2.5之間，該揚聲器結構之厚度係小於或等於4mm，該揚聲器結構之最低共振頻率係小於或等於400Hz。

上述的揚聲器結構中，該揚聲器結構之長度較佳為24mm，寬度較佳為12mm。

上述的揚聲器結構中，該環形懸邊部之寬幅較佳為2.4mm。

上述的揚聲器結構中，該振膜係為長橢圓形，該環形懸邊部係具有多數下凹式花紋部，該中央凸起部係具有多數下凹式加強肋。

上述的揚聲器結構中，該磁迴構件係具有一下導磁單元、結合於該下導磁單元上之一磁鐵及結合於該磁鐵上之一上導磁板，該環形溝槽係設於該下導磁單元且圍繞於該磁鐵及該上導磁板外。

上述的揚聲器結構中，該環形溝槽之寬度係大於或等於該上導磁板及該磁鐵至該下導磁單元之外側壁之寬度。

上述的揚聲器結構中，該環形溝槽底面至該音圈底面之高度係大於或等於該中央凸起部或該中央凹陷部之底面至該上導磁板之高度。

上述的揚聲器結構中，該上導磁板具有一中空部以對應該中央凹陷部。

上述的揚聲器結構中，該下導磁單元具有一凸台以結合該磁鐵。

上述的揚聲器結構中，該音圈係設有二錦絲線，該等錦絲線係位於該環形懸邊部之下方，該等錦絲線係對稱於該音圈之中心且由該座體相異方向露出。

藉此，本創作除可使揚聲器結構符合薄型化要求之外，更可由磁迴構件之環形溝槽增加振膜之振幅，且不會觸碰磁迴構件，而達到兼具最低共振頻率輸出的目的。

為充分瞭解本創作之目的、特徵及功效，茲藉由下述具體之實施例，並配合所附之圖式，對本創作做一詳細說明，說明如後：

請參考圖1至圖5，如圖所示，本創作係提供一種揚聲器結構1，其包含一座體11、一振膜12、一磁迴構件13以及一音圈14所構成。

該座體11係可呈矩型。

該振膜12係可設於該座體11之頂部，該振膜12係具有一環形懸邊部121及設於該環形懸邊部121內之一中央凸起部122或一中央凹陷部123(如圖4所示)，該環形懸邊部121之外圍係可連接於該座體11之頂部。

該磁迴構件13係設於該座體11內，該磁迴構件13係具有一環形溝槽131。

該音圈14係浮動設於該磁迴構件13之環形溝槽131且該音圈14之頂部可結合於該振膜12之環形懸邊部121與中央凸起部122或中央凹陷部123之間。

另外，該磁迴構件13係可具有一下導磁單元132、結合於該下導磁單元132上之一磁鐵135及結合於該磁鐵135上之一上導磁板133，該環形溝槽131係設於該下導磁單元132且圍繞於該磁鐵135及該上導磁板133外，而該環形溝槽131之寬度A係可大於或等於該上導磁板133至該下導磁單元132之外側壁134之寬度，且該環形溝槽131底面至該音圈14底面之高度B係可大於或等於該中央凸起部122或該中央凹陷部123之底面至該上導磁板133之高度。另外，該下導磁單元132可具有一凸台1321以結合該磁鐵135。

本創作之揚聲器結構1之厚度係小於或等於4mm，長寬比係可介於1.5至2.5之間，而較佳之長寬比為2，且該揚聲器結構1之長度較佳為24mm，寬度較佳為12mm，該環形懸邊部之寬幅較佳為2.4mm，藉以構成一薄型揚聲器。當該揚聲器結構1於使用時，係以該磁迴構件13配合該音圈14共同推動該振膜12，而當作動時，除可藉由該振膜12之中央凸起部122避免因低頻增加使振幅變大而不當碰觸該磁迴構件13之上導磁板133造成低頻失真之外，更可藉由加深該下導磁單元132之環型溝槽131而形成該凸台1321以避免因低頻增加使該音圈14因振幅變大而不當碰觸該下導磁單元132造成低頻失真，進而可提升該揚聲器結構1之低頻輸出表現，使該揚聲器結構1之最低共振頻率可低於400Hz。另外，該上導磁板133可具有一中空部1331以對應該中央凹陷部123，以避免該中央凹陷部123不當碰觸該上導磁板133造成低頻失真。

於本創作之較佳具體實施例中，該振膜12係可為長橢圓形，且增加該環型懸邊部121的寬幅 C可使該振膜12順性增加，以展現更大的振動行程，提升低頻的表現；又該環形懸邊部121係可具有多數下凹式花紋部1211，該中央凸起部122係可具有多數下凹式加強肋1221，本創作係以設置三條平行之下凹式加強肋1221為實施例，其中位於中央的加強肋1221之長度可較長；藉由該等下凹式花紋部1211可增加低頻的承受功率，抑制低頻失真的發生，而該等下凹式加強肋1221可增加該振膜12之中央凸起部122中心部的剛性，延伸中高頻的表現。

於本創作之較佳具體實施例中，該音圈14係設有二錦絲線141，該等錦絲線141係可位於該環形懸邊部121之下方，該等錦絲線141係可對稱於該音圈14之中心且可由該座體11相異方向露出，藉此可於低頻大振幅時，用以平衡該音圈14之作動，以減少低頻失真的情況發生。

本創作在上文中已以較佳實施例揭露，然熟習本項技術者應理解的是，該實施例僅用於描繪本創作，而不應解讀為限制本創作之範圍。應注意的是，舉凡與該實施例等效之變化與置換，均應設為涵蓋於本創作之範疇內。因此，本創作之保護範圍當以申請專利範圍所界定者為準。

1‧‧‧揚聲器結構
11‧‧‧座體
12‧‧‧振膜
121‧‧‧環形懸邊部
1211‧‧‧下凹式花紋部
122‧‧‧中央凸起部
1221‧‧‧加強肋
123‧‧‧中央凹陷部
13‧‧‧磁迴構件
131‧‧‧環形溝槽
132‧‧‧下導磁單元
1321‧‧‧凸台
133‧‧‧上導磁板
1331‧‧‧中空部
134‧‧‧外側壁
135‧‧‧磁鐵
14‧‧‧音圈
141‧‧‧錦絲線
A‧‧‧寬度
B‧‧‧高度
C‧‧‧寬幅

[圖1]係本創作較佳具體實施例之外觀示意圖。 [圖2]係本創作較佳具體實施例之分解示意圖。 [圖3]係本創作較佳具體實施例之剖面狀態示意圖一。 [圖4]係本創作較佳具體實施例之剖面狀態示意圖二。 [圖5]係本創作較佳具體實施例不含振膜之外觀示意圖。

Claims (10)

1. 一種揚聲器結構，其包含： 一座體； 一振膜，其設於該座體，該振膜係具有一環形懸邊部及設於該環形懸邊部內之一中央凸起部或一中央凹陷部； 一磁迴構件，其設於該座體，該磁迴構件係具有一環形溝槽；以及 一音圈，其係浮動設於該磁迴構件之環形溝槽且結合於該振膜； 其中，該揚聲器結構之長寬比係介於1.5至2.5之間，該揚聲器結構之厚度係小於或等於4mm，該揚聲器結構之最低共振頻率係小於或等於400Hz。
2. 如請求項1所述之揚聲器結構，其中該揚聲器結構之長度較佳為24mm，寬度較佳為12mm。
3. 如請求項2所述之揚聲器結構，其中該環形懸邊部之寬幅較佳為2.4mm。
4. 如請求項1所述之揚聲器結構，其中該振膜係為長橢圓形，該環形懸邊部係具有多數下凹式花紋部，該中央凸起部係具有多數下凹式加強肋。
5. 如請求項1所述之揚聲器結構，其中該磁迴構件係具有一下導磁單元、結合於該下導磁單元上之一磁鐵及結合於該磁鐵上之一上導磁板，該環形溝槽係設於該下導磁單元且圍繞於該磁鐵及該上導磁板外。
6. 如請求項5所述之揚聲器結構，其中該環形溝槽之寬度係大於或等於該上導磁板及該磁鐵至該下導磁單元之外側壁之寬度。
7. 如請求項5所述之揚聲器結構，其中該環形溝槽底面至該音圈底面之高度係大於或等於該中央凸起部或該中央凹陷部之底面至該上導磁板之高度。
8. 如請求項5所述之揚聲器結構，其中該上導磁板具有一中空部以對應該中央凹陷部。
9. 如請求項5所述之揚聲器結構，其中該下導磁單元具有一凸台以結合該磁鐵。
10. 如請求項1所述之揚聲器結構，其中該音圈係設有二錦絲線，該等錦絲線係位於該環形懸邊部之下方，該等錦絲線係對稱於該音圈之中心且由該座體相異方向露出。