TWM548066U - 工作件加工設備 - Google Patents

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TWM548066U
TWM548066U TW106207631U TW106207631U TWM548066U TW M548066 U TWM548066 U TW M548066U TW 106207631 U TW106207631 U TW 106207631U TW 106207631 U TW106207631 U TW 106207631U TW M548066 U TWM548066 U TW M548066U
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Taiwan
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TW106207631U
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English (en)
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郭俊良
蘇致豪
侯建旭
路國明
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和碩聯合科技股份有限公司
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工作件加工設備
本新型創作是有關於一種工作件加工設備,且特別是有關於一種適於進行工作件加工的工作件加工設備。
隨著電腦輔助製造(Computer Aided Manufacturing, CAM)技術的成熟,結合電腦數值控制(Computer Numerical Control, CNC)機械加工與三維計算機輔助設計(Computer Aided Design, CAD)等技術,積層製造技術將零件生產導入更高精密度與快速成型的領域。在現有的積層製造技術中,雷射金屬積層製造技術是以金屬為積層製造基礎的核心,並採用聚焦雷射能量熔合細微的金屬粉末,以形成精密的零件。從零件的機械特性、長時間的穩定性、生產性等各方面來看,雷射金屬積層製造技術適合應用於客製化小型量產製造,也是現今多種積層製造技術中最為蓬勃發展的一種。
然而,現有的積層製造技術仍舊缺乏對零件的缺陷或損毀進行加工的機制。更具體而言,以電子產品為例,當零件存在缺陷或發生損壞時,一般的處理方式是直接拆卸並更換此零件。然而,若此零件的造價較高,將提高維修成本,並造成材料的浪費。
本新型創作提供一種工作件加工設備,適於藉由積層製造技術對工作件進行加工,例如修補缺陷,以重複零件使用,節省材料耗用,並可提供具高自由度的維修效能。
本新型創作的一種工作件加工設備包括工作平台、供料單元、噴射裝置、主機以及掃描裝置。工作平台適於承載工作件。供料單元適於提供建構材料,且建構材料包括金屬粉末以及黏著體。噴射裝置設置於工作平台上方,且噴射裝置包括雷射光源。供料單元連接噴射裝置。當供料單元透過噴射裝置噴覆建構材料至工作件上的一加工位置,同時噴射裝置使雷射光源提供一雷射光至一加工位置,以成形建構材料並與工作件結合。主機耦接工作平台與噴射裝置,並用以控制噴射裝置相對於工作平台移動,且主機包括資料庫,用以儲存對應工作件之原始件模型資料。掃描裝置耦接主機,用以掃描工作件的外觀,以建立工作件模型資料。主機適於接收工作件模型資料,並且比較原始件模型資料與工作件模型資料,以取得比較結果,並依據比較結果產生加工資料。主機適於依據加工資料控制噴射裝置,使噴射裝置移動至工作件上的加工位置。
在本新型創作的一實施例中,上述掃描裝置包括攝像元件,用以擷取工作件的影像,以產生工作件模型資料。
在本新型創作的一實施例中,上述比較結果包括三維計算機輔助設計(Computer Aided Design, CAD)圖檔。
在本新型創作的一實施例中,上述供料單元包括配置於噴射裝置內且連接噴射裝置之開口端的供料管道。供料單元藉由供料管道以朝向噴射裝置的開口端提供建構材料。雷射光源配置於噴射裝置內,並且朝向噴射裝置的該開口端發射雷射光。
在本新型創作的一實施例中,上述噴射裝置更具有氣體管道,其連接噴射裝置的開口端,用以提供惰性氣體或是氮氣至加工位置。
在本新型創作的一實施例中,上述加工位置位於惰性氣體環境或是氮氣環境中。
在本新型創作的一實施例中,上述工作件加工設備更包括阻隔件,圍繞噴射裝置與加工位置,以形成惰性氣體環境或是氮氣環境。
在本新型創作的一實施例中,上述供料單元包括第一供料單元以及第二供料單元,用以分別提供不同的建構材料至加工位置。
本新型創作提供一種工作件加工設備,適於藉由積層製造技術對工作件進行加工,以重複零件使用,節省材料耗用,並可提供具高自由度的維修效能。
本新型創作另提供一種工作件加工設備,適於藉由積層製造技術在工作平台上直接形成完整的工作件,不須間接形成於上述工作件上,可提供高精密度與高自由度的生產效能。
本新型創作的工作件加工設備,包括工作平台、供料單元以及噴射裝置。供料單元適於提供建構材料,且建構材料包括金屬粉末以及黏著體。噴射裝置設置於工作平台上方。噴射裝置雷射光源。供料單元連接噴射裝置。當供料單元透過噴射裝置噴覆建構材料至工作平台上的加工位置,同時噴射裝置使雷射光源提供雷射光至加工位置,以成形建構材料。
在本新型創作的一實施例中,上述工作件加工設備更包括主機,耦接工作平台與噴射裝置,並用以控制噴射裝置相對於工作平台移動。主機包括資料庫,用以儲存零件模型資料,且主機適於依據零件模型資料來控制噴射裝置,使噴射裝置移動至工作平台上的加工位置。
在本新型創作的一實施例中,供料單元包括配置於噴射裝置內且連接噴射裝置之開口端的供料管道。供料單元藉由供料管道並朝向噴射裝置的開口端提供建構材料。雷射光源配置於噴射裝置內,並且朝向噴射裝置的開口端發射雷射光。
在本新型創作的一實施例中,上述噴射裝置更具有氣體管道,其連接噴射裝置的開口端,用以提供惰性氣體或是氮氣至加工位置。
在本新型創作的一實施例中,上述加工位置位於惰性氣體環境或是氮氣環境中。
在本新型創作的一實施例中,上述工作件加工設備更包括阻隔件,圍繞噴射裝置與加工位置,以形成惰性氣體環境或是氮氣環境。
在本新型創作的一實施例中,上述供料單元包括第一供料單元以及第二供料單元,用以分別提供不同的建構材料至加工位置。
為讓本新型創作的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1繪示依照本新型創作之一實施例的工作件加工設備100,其包括工作平台110、噴射裝置120、供料單元130、主機140以及掃描裝置160等。在本實施例中,例如是應用電腦數值控制(CNC)機械加工技術來實現工作平台110、噴射裝置120以及主機140之間的半自動或自動化操作。更具體而言,主機140例如是電腦主機或電腦數值控制(CNC)機械加工系統,其耦接工作平台110與噴射裝置120,以傳輸控制訊號至工作平台110與噴射裝置120,控制噴射裝置120相對於工作平台110在X-Y-Z三維軸向上移動。
工作平台110適於承載工作件210,其例如是結構上具有缺陷212或局部損壞的零件。噴射裝置120設置於工作平台110上方,且噴射裝置120包括雷射光源122。
本實施例的工作件加工設備100例如是利用金屬積層製造技術搭配雷射燒結技術來對工作件210進行加工。供料單元130連接噴射裝置120,並且適於提供建構材料150。本實施例的建構材料150例如是包含有金屬粉末與黏著體的混合物。在此,使用的金屬粉末例如是鋁、鈦或其他適用的材質。本實施例可以選擇與工作件210相同的金屬材料,或是強度更高,或是可滿足其他使用需求的材料。黏著體例如是樹脂或其他適用的高分子聚合物等。此外,供料單元130適於透過噴射裝置120噴覆建構材料150至工作件210上的加工位置212(即前述的缺陷212),同時,雷射光源122可提供雷射光L至加工位置212,以成形建構材料150並與工作件210結合。實際上,本實施例可採用適用於金屬積層製造技術的各種積層材料與雷射燒結技術的反應光源,於此不逐一贅述。
圖2A為噴射裝置120在工作件210的加工位置212上所進行的燒結反應的局部示意圖。如圖2A所示,供料單元130包括配置於噴射裝置120內且連接噴射裝置120之開口端120a的供料管道132。雷射光源122配置於噴射裝置120內,並且朝向噴射裝置120的開口端120a發射雷射光L。在噴射裝置120沿著燒結方向D相對於工作平台110移動的過程中,供料單元130藉由供料管道132以朝向噴射裝置120的開口端120a提供建構材料150,同時噴射裝置120使雷射光源122朝向噴射裝置120的開口端120a發射雷射光L。聚焦於加工位置212的雷射光L會將建構材料150加熱至高溫熔融狀態。此時,建構材料150內含的黏著體會因高溫揮發,而留下熔融狀態的金屬粉末所形成的熔化池270。其後,隨著噴射裝置120的來回移動,在移動路徑後方的熔融狀態的金屬粉末會逐漸冷卻、固化,而依序形成對應相疊的至少一金屬層222~228。
另外,在圖2A所示的噴射裝置120內可另外設置氣體管道126,其連接噴射裝置120的開口端120a,用以提供惰性氣體(或是氮氣)190至加工位置212,使得加工位置212位於惰性氣體環境(或是氮氣環境)192中。此處的惰性氣體(Inert Gas)例如是氬氣(Ar)、氦氣(He)或其他適用的惰性氣體,亦或是氮氣,以避免加工位置212的建構材料150因熱產生氧化或加工過程中材料噴濺等問題。
當然,在本新型創作的其他實施例中,也可以選擇不在噴射裝置120中設置氣體管道126,而改以獨立的氣體噴頭(未繪示)來提供惰性氣體,或是將工作件加工設備100設置於具有惰性氣體的環境中,來提供類似的惰性氣體環境。
圖2B繪示依據本新型創作另一實施例之噴射裝置120與工作件210的示意圖。本實施例與圖2A之實施例類似,主要差異為:在噴射裝置120外圍設置阻隔件195,使其圍繞噴射裝置120與加工位置210。阻隔件195內可以提供惰性氣體或是氮氣,以形成惰性氣體環境(或是氮氣環境)192。相關元件可參考圖2A之實施例的說明,於此不再贅述。
基於前述的反應機制,本實施例的工作件加工設備100可實現對工作件210的加工。圖3為應用本實施例的工作件加工設備100所進行的工作件加工方法的流程圖。請同時參考圖1與3,主機140包括一資料庫142,用以儲存對應工作件210之原始件模型資料180。在此,原始件模型資料180所指為完整無損的零件模型資料。此外,掃描裝置160可選擇性地配置於工作平台110上。
首先,承載工作件210於工作平台110(步驟S310)。當工作件210被放置於工作平台110上之後,掃描裝置160用以掃描工作件210的一外觀,以建立工作件模型資料280(步驟S320),並將工作件模型資料280傳送至主機140。在本實施例中,工作件模型資料280所指為包含缺陷(對應於缺陷212)的零件模型資料。本實施例的掃描裝置160例如是具有電荷耦合元件(Charge-coupled Device, CCD)的攝像元件、3D掃描器或影像辨識元件,其同樣可整合於電腦數值控制(CNC)機械加工系統,而藉由例如三維模型掃描的方式來擷取工作件的影像,以建立工作件模型資料280。
接著,如步驟S330所示,主機140接收工作件模型資料280,並比較原始件模型資料180與工作件模型資料280,以取得比較結果,並依據比較結果產生加工資料。在此步驟中,例如是藉由主機140對原始件模型資料180與工作件模型資料280進行減法運算,以建立對應於缺陷的三維計算機輔助設計(Computer Aided Design, CAD)圖檔290。
接著,更可進行如圖4所示的步驟來將對應於缺陷的三維計算機輔助設計圖檔290轉換為加工資料。首先,如步驟S332所示,將三維計算機輔助設計圖檔290轉換為適用於電腦輔助製造(Computer Aided Manufacturing, CAM)的點矩陣檔。接著,如步驟S334所示,依據點矩陣檔來規劃加工路徑。之後,再如步驟S336所示,將加工路徑轉換為數值控制資料,以依據數值控制資料來控制噴射裝置120相對於工作件210的移動。
在將對應於缺陷的三維計算機輔助設計圖檔290轉換為加工資料之後,可如圖3的步驟S340所示,主機140依據加工資料(即步驟S326所獲得的數值控制資料)來控制噴射裝置120,使噴射裝置120移動至對應加工資料的工作件210上的加工位置212。供料單元130透過噴射裝置120噴覆建構材料150至工作件210上的加工位置212,同時噴射裝置120使雷射光源122提供雷射光L至加工位置212,以成形建構材料150並與工作件210結合,其中建構材料150如前述包括金屬粉末以及黏著體。
最終,如圖5所示,噴射裝置120應用前述的積層製造技術在工作件210的缺陷212內形成填滿缺陷212的加工結構214,使工作件210回復到完整無缺陷的狀態(即回復到完整無缺陷的工作件210的工作件模型資料與原始件模型資料180是完全相同),而使得回復到完整無缺陷的工作件210可以再次被使用。
在前述實施例中,建構材料150並不限於僅包含單一種類的金屬粉末。換言之,建構材料150可能包含兩種以上的金屬粉末。此外,本新型創作也可以選擇以不同的管道來提供不同種類的建構材料150,來滿足可能的製作需求。
具體而言,圖6繪示了依照本新型創作另一實施例的工作件加工設備600。如圖6所示,工作件加工設備600與前述實施例的工作件加工設備100的差異包括:供料單元包括配置於噴射裝置620內且連接噴射裝置620之開口端620a的第一供料單元632以及同樣配置於噴射裝置620內且連接噴射裝置620之開口端620a的第二供料單元634,第一供料單元632以及第二供料單元634藉由第一供料管道632a與第二供料管道634a分別噴覆第一建構材料652與第二建構材料654至加工位置612(即工作件610的缺陷612),同時噴射裝置620使雷射光源622朝向開口端620a發射雷射光L,以固化位於加工位置612的第一建構材料652及/或第二建構材料654,其中雷射光源622配置於噴射裝置620內。在本實施例中,主機640可以控制噴射裝置620進而決定使第一供料單元632以及第二供料單元634同時或依序提供第一建構材料652與第二建構材料654至加工位置612。換言之,本實施例可以依據需求在加工位置612上形成由單一建構材料構成的結構,或是兩種以上的建構材料所構成的結構。
另一方面,本新型創作所提出的工作件加工設備並不限於對工作件上的缺陷進行加工。舉例而言,本新型創作所提出的工作件加工設備也可直接在工作平台上進行積層製造,以直接形成所需的工作件或結構件。
圖7A繪示依照本新型創作又一實施例的工作件加工設備700。本實施例的工作件加工設備700與前述實施例的工作件加工設備600的主要差異在於省略了進行缺陷加工所需的掃描裝置。主機730耦接工作平台710與噴射裝置720,並用以控制噴射裝置720相對於工作平台710移動。主機770包括資料庫772,用以儲存對應工作件760之零件模型資料780,且主機770適於依據零件模型資料780來控制噴射裝置720在加工位置742上進行積層製造。在此,主機730、工作平台710與噴射裝置720之間的作動可參考圖3、4所示的電腦數值控制方法,於此不再贅述。
又如圖7A所示,本實施例的噴射裝置720例如是設置於工作平台710上方,其包括雷射光源722配置於噴射裝置720內,並且朝向噴射裝置720的開口端720a發射雷射光L。第一供料單元732以及第二供料單元734分別連接噴射裝置720之開口端720a的第一供料管道732a以及第二供料管道734a,以藉由第一供料管道732a以及第二供料管道734a朝向噴射裝置720的開口端720a提供不同的第一建構材料752以及第二建構材料754,同時噴射裝置720使雷射光源722提供雷射光L至工作平台710上的加工位置742,燒結第一建構材料752及/或第二建構材料754。所述第一建構材料752或第二建構材料754可為包含有金屬粉末與黏著體的混合物。在此,使用的金屬粉末例如是鋁、鈦或其他適用的材質。黏著體例如是樹脂或其他適用的高分子聚合物等。
在本實施例中,主機770可以控制噴射裝置720進而決定使第一供料單元732以及第二供料單元734同時或依序提供第一建構材料752與第二建構材料754至加工位置742。如圖7A所示即為先在工作平台710上提供第一建構材料752,同時噴射裝置720使雷射光源722提供雷射光L至工作平台710上的加工位置742,以形成第一結構體762之後,再於第一結構體762上提供第二建構材料754,同時噴射裝置720使雷射光源722提供雷射光L至第一結構體762上的加工位置,而於第一結構體762上形成第二結構體764,最終形成所需的工作件760。藉由此方式,可以在工作件760的不同部位形成不同強度的結構體。
圖7B繪示依照本新型創作又一實施例的工作件加工設備700的另一種製作方式。本實施例與前述實施例的差異在於:本實施例的主機770控制噴射裝置720進而決定使第一供料單元732以及第二供料單元734藉由第一供料管道732a以及第二供料管道734a同時提供第一建構材料752與第二建構材料754至工作平台710上的加工位置742。因此,所形成的工作件760即混合了第一建構材料752與第二建構材料754。
然於其他實施例中,第一建構材料752以及第二建構材料754亦可為相同混合物,用以形成所需的工作件760。更具體而言,圖7C繪示依照本新型創作又一實施例的工作件加工設備700。本實施例與前述實施例的差異在於:本實施例的第一供料單元732以及第二供料單元734藉由第一供料管道732a以及第二供料管道734a提供相同的建構材料750至加工位置742。因此,所形成的工作件760是由單一建構材料750所形成。當然,本實施例也可以選擇由單一個供料單元來提供相同的建構材料750至第一供料管道732a以及第二供料管道734a。
另外,圖8A繪示依據本新型創作一實施例之噴射裝置720與工作平台710的局部示意圖。相關元件可參考圖7A之實施例的說明,於此不再贅述。本實施例如圖8A所示在噴射裝置720內設置氣體管道728,其連接噴射裝置720的開口端720a,用以提供惰性氣體(或是氮氣(N 2))790至加工位置742,使得加工位置742位於惰性氣體環境792中。此處的惰性氣體(Inert Gas)例如是氬氣(Ar)、氦氣(He)或其他適用的惰性氣體,亦或是氮氣(N 2),以避免加工位置742的第一建構材料752或第二建構材料754因熱產生氧化或加工過程中材料噴濺等問題。當然,本實施例也可以選擇不在噴射裝置720中設置氣體管道728,而改以獨立的氣體噴頭(未繪示)來提供惰性氣體或是氮氣,或是將工作件加工設備700設置於具有惰性氣體或是氮氣的腔室中,來提供類似的惰性氣體環境或是氮氣環境。
圖8B繪示依據本新型創作另一實施例之噴射裝置720與工作平台710的局部示意圖。本實施例與圖8A之實施例類似,主要差異為:在噴射裝置720外圍設置阻隔件795,使其圍繞噴射裝置720與工作件760。阻隔件795內可以提供惰性氣體(或是氮氣),以形成惰性氣體環境(或是氮氣環境)792。相關元件可參考圖7A之實施例的說明,於此不再贅述。
綜上所述,本新型創作提出的工作件加工設備與方法可藉由積層製造技術來對工作件進行加工,例如修補缺陷,以重複零件使用,節省材料耗用,並可提供具高自由度的維修效能。此外,本新型創作亦可選擇直接在工作平台上以單一建構材料或是混合不同的建構材料來形成局部強化或整體的工作件,以實現高精密度與高自由度的生產效能。
雖然本新型創作已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本新型創作,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本新型創作的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本新型創作的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧電子裝置
100‧‧‧工作件加工設備
110‧‧‧工作平台
120‧‧‧噴射裝置
120a‧‧‧噴射裝置之開口端
122‧‧‧雷射光源
126‧‧‧氣體管道
130‧‧‧供料單元
132‧‧‧供料管道
140‧‧‧主機
142‧‧‧資料庫
150‧‧‧建構材料
160‧‧‧掃描裝置
180‧‧‧原始件模型資料
190‧‧‧惰性氣體
192‧‧‧惰性氣體環境
195‧‧‧阻隔件
210‧‧‧工作件
212‧‧‧缺陷(加工位置)
214‧‧‧加工結構
222~228‧‧‧金屬層
270‧‧‧熔化池
280‧‧‧加工零件模型資料
290‧‧‧三維計算機輔助設計圖檔
D‧‧‧燒結方向
L‧‧‧雷射光
S310~S340‧‧‧步驟
S332~S336‧‧‧步驟
600‧‧‧工作件加工設備
610‧‧‧工作件
612‧‧‧缺陷(加工位置)
620‧‧‧噴射裝置
620a‧‧‧噴射裝置的開口端
622‧‧‧雷射光源
632‧‧‧第一供料單元
632a‧‧‧第一供料管道
634‧‧‧第二供料單元
634a‧‧‧第二供料管道
652‧‧‧第一建構材料
654‧‧‧第二建構材料
700‧‧‧工作件加工設備
710‧‧‧工作平台
720‧‧‧噴射裝置
720a‧‧‧噴射裝置之開口端
722‧‧‧雷射光源
732‧‧‧第一供料單元
732a‧‧‧第一供料管道
734‧‧‧第二供料單元
734a‧‧‧第二供料管道
728‧‧‧氣體管道
742‧‧‧加工位置
750‧‧‧建構材料
752‧‧‧第一建構材料
754‧‧‧第二建構材料
760‧‧‧工作件
762‧‧‧第一結構體
764‧‧‧第二結構體
770‧‧‧主機
772‧‧‧資料庫
780‧‧‧零件模型資料
790‧‧‧惰性氣體
792‧‧‧惰性氣體環境
795‧‧‧阻隔件
圖1繪示依照本新型創作之一實施例的工作件加工設備。 圖2A為噴射裝置在工作件的加工位置上所進行的燒結反應的局部示意圖。 圖2B繪示依據本新型創作另一實施例之噴射裝置與工作件的示意圖。 圖3為應用本實施例的工作件加工設備所進行的工作件加工方法的流程圖。 圖4繪示將對應於缺陷的三維計算機輔助設計圖檔轉換為加工資料的流程。 圖5為應用本實施例的工作件加工設備完成工作件加工後的示意圖。 圖6繪示依照本新型創作另一實施例的工作件加工設備。 圖7A~7C繪示依照本新型創作不同實施例的工作件加工設備。 圖8A繪示依據本新型創作一實施例之噴射裝置與工作平台的局部示意圖。 圖8B繪示依據本新型創作另一實施例之噴射裝置與工作平台的局部示意圖。
100‧‧‧工作件加工設備
110‧‧‧工作平台
120‧‧‧噴射裝置
122‧‧‧雷射光源
130‧‧‧供料單元
140‧‧‧主機
142‧‧‧資料庫
150‧‧‧建構材料
160‧‧‧掃描裝置
180‧‧‧原始件模型資料
210‧‧‧工作件
212‧‧‧缺陷(加工位置)
280‧‧‧加工零件模型資料
290‧‧‧三維計算機輔助設計圖檔
L‧‧‧雷射光

Claims (15)

  1. 一種工作件加工設備,包括: 一工作平台,適於承載一工作件; 一供料單元,適於提供一建構材料,該建構材料包括一金屬粉末以及一黏著體; 一噴射裝置,設置於該工作平台上方,該噴射裝置包括一雷射光源,該供料單元連接該噴射裝置,當該供料單元透過該噴射裝置噴覆該建構材料至該工作件上的一加工位置,同時該噴射裝置使該雷射光源提供一雷射光至該加工位置,以成形該建構材料並與該工作件結合; 一主機,耦接該工作平台與該噴射裝置,並用以控制該噴射裝置能夠相對於該工作平台移動,且該主機包括一資料庫,用以儲存對應該工作件之一原始件模型資料;以及 一掃描裝置,耦接該主機,該掃描裝置用以掃描該工作件的一外觀,以建立一工作件模型資料,其中該主機適於接收該工作件模型資料,並且比較該原始件模型資料與該工作件模型資料,以取得一比較結果,並依據該比較結果產生一加工資料,且該主機適於依據該加工資料控制該噴射裝置,使該噴射裝置移動至該工作件上的該加工位置。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的工作件加工設備,其中該掃描裝置包括一攝像元件,用以擷取該工作件的影像,以產生該工作件模型資料。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的工作件加工設備,其中該比較結果包括一三維計算機輔助設計(Computer Aided Design, CAD)圖檔。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的工作件加工設備,其中該供料單元包括配置於該噴射裝置內且連接該噴射裝置之一開口端的一供料管道,該供料單元藉由該供料管道以朝向該噴射裝置的該開口端提供該建構材料,該雷射光源配置於該噴射裝置內,並且朝向該噴射裝置的該開口端發射該雷射光。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的工作件加工設備,其中該噴射裝置更具有一氣體管道,該氣體管道連接該噴射裝置的該開口端,用以提供一惰性氣體或是氮氣至該加工位置。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的工作件加工設備,其中該加工位置位於一惰性氣體環境或是一氮氣環境中。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的工作件加工設備,更包括一阻隔件,圍繞該噴射裝置與該加工位置,以形成該惰性氣體環境或是該氮氣環境。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的工作件加工設備,其中該供料單元包括一第一供料單元以及一第二供料單元,用以分別提供不同的建構材料至該加工位置。
  9. 一種工作件加工設備,包括: 一工作平台; 一供料單元,適於提供一建構材料,該建構材料包括一金屬粉末以及一黏著體;以及 一噴射裝置,設置於該工作平台上方,該噴射裝置包括一雷射光源,該供料單元連接該噴射裝置,當該供料單元透過該噴射裝置噴覆該建構材料至該工作平台上的一加工位置,同時該噴射裝置使該雷射光源提供一雷射光至該加工位置,以成形該建構材料。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的工作件加工設備,更包括一主機,耦接該工作平台與該噴射裝置,並用以控制該噴射裝置能夠相對於該工作平台移動,其中該主機包括一資料庫,用以儲存一零件模型資料,且該主機適於依據該零件模型資料以控制該噴射裝置,使該噴射裝置移動至該工作平台上的該加工位置。
  11. 如申請專利範圍第9項所述的工作件加工設備,其中該供料單元包括配置於該噴射裝置內且連接該噴射裝置之一開口端的一供料管道,該供料單元藉由該供料管道並朝向該噴射裝置的該開口端提供該建構材料,該雷射光源配置於該噴射裝置內,並且朝向該噴射裝置的該開口端發射該雷射光。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的工作件加工設備,其中該噴射裝置更具有一氣體管道,該氣體管道連接該噴射裝置的該開口端,用以提供一惰性氣體或是氮氣至該加工位置。
  13. 如申請專利範圍第9項所述的工作件加工設備,其中該加工位置位於一惰性氣體環境或是一氮氣環境中。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的工作件加工設備,更包括一阻隔件,圍繞該噴射裝置與該加工位置,以形成該惰性氣體環境或是該氮氣環境。
  15. 如申請專利範圍第9項所述的工作件加工設備,其中該供料單元包括一第一供料單元以及一第二供料單元,用以分別提供不同的建構材料至該加工位置。
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