TWM530016U - 包含現場成形及／或３ｄ列印側壁之電磁干擾（ｅｍｉ）屏蔽 - Google Patents

包含現場成形及／或３ｄ列印側壁之電磁干擾（ｅｍｉ）屏蔽 Download PDF

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TWM530016U
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趙國鈞
林藝申
劉明岳
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Description

包含現場成形及/或3D列印側壁之電磁干擾(EMI)屏蔽
本揭示一般而言關於包括現場成形及/或3D列印側壁的EMI屏蔽和相關的方法。
本節提供關於本揭示的背景資訊，其未必是先前技藝。
電子裝置操作上的常見問題是在設備的電子電路中產生電磁輻射。此種輻射可以導致電磁干擾(electromagnetic interference，EMI)或射頻干擾(radio frequency interference，RFI)，其可以干擾在一定鄰近度裡的其他電子裝置操作。沒有適當的屏蔽，則EMI/RFI干擾可以使重要的訊號劣化或完全喪失，藉此使得電子設備沒有效率或無法操作。
改善EMI/RFI效應的常見做法是透過使用能夠將EMI能量加以吸收及/或反射及/或改向的屏蔽。這些屏蔽典型而言用於使EMI/RFI侷限在其來源，並且將鄰近於EMI/RFI來源的其他裝置加以隔絕。
如在此所用的「EMI」一詞應視為一般而言包括並且是指EMI發射和RFI發射，並且「電磁」(electromagnetic)一詞應視為一般而言包括 並且是指來自外部來源和內部來源的電磁和無線電頻率。據此，屏蔽一詞(如在此所用)廣泛的包括並且是指例如藉由將能量加以吸收、反射、阻擋及/或改向或其某種組合而緩和(或限制)EMI及/或RFI，如此則舉例而言它不再牴觸政府規範及/或干擾電子構件系統的內部功能性。
本節提供本揭示的概括綜述，並且不是其完整範圍或其所有特色的綜合揭示。
根據多樣的方面，範例性具體態樣揭示了EMI屏蔽、屏蔽組件和相關的方法。於範例性具體態樣，屏蔽組件一般而言包括一或更多個軟的及/或可撓的側壁，其分配和形成在基板上。也揭示的是關於提供屏蔽給基板上之一或更多個構件的範例性方法。於範例性具體態樣，方法一般而言包括3D列印材料及/或分配現場成形材料到基板上，藉此在基板上形成一或更多個側壁而一般配置在一或更多個構件附近。
從在此提供的敘述將明白可應用的進一步領域。【新型內容】中的敘述和特定範例打算僅為了示範，並且不打算限制本揭示的範圍。
100‧‧‧電磁干擾(EMI)屏蔽組件或設備
108‧‧‧側壁
112‧‧‧基板
116‧‧‧EMI屏蔽隔間
120‧‧‧蓋子
在此所述的圖式僅為了示範所選的具體態樣而非所有可能的實施例，並且不打算限制本揭示的範圍。
圖1是根據範例性具體態樣之EMI屏蔽的立體圖；圖2是根據範例性具體態樣之EMI屏蔽蓋子的立體圖；圖3是根據範例性具體態樣來分配屏蔽材料之現場成形過程的立體圖；以及 圖4是根據範例性具體態樣來分配屏蔽材料之3D列印過程的立體圖。
現在將參考伴隨圖式來更完整的描述範例性具體態樣。
在此揭示的是電磁(EMI)屏蔽、屏蔽設備或組件的範例性具體態樣，其包括一或更多個現場成形及/或3D列印部分。舉例而言，範例性具體態樣可以包括一或更多個側壁、內壁、圍籬、框架……(下文一般而言是指側壁)，其是由軟的及/或可撓的材料所做成，而現場形成及/或3D列印到基板上……。某些具體態樣也可以包括蓋子、頂部、遮蓋、上表面……(下文一般而言是指蓋子)。
於範例性具體態樣，EMI屏蔽包括一或更多個軟的及/或可撓的現場成形(form-in-place，FIP)側壁。附帶或替代而言，EMI屏蔽可以包括由3D列印所製造的一或更多個軟的及/或可撓的側壁。可以做出軟的及/或可撓的側壁之材料包括但未必限於聚矽氧、彈性體材料、塑性材料、導電填料(譬如銀、鎳、銅、石墨、鋁……)、其組合……。蓋子可以包括例如金屬箔、含錫聚醯亞胺(PI)膜、其他的EMI屏蔽膜、導電織物(譬如鍍覆金屬的布……)……的材料。於某些範例性具體態樣，蓋子可以由可焊接的膜所做成，譬如鍍覆錫/銅的聚醯亞胺膜、鍍覆其他金屬的膜、其他可焊接的導電膜……。於某些具體態樣，當側壁安裝到第二基板上時，譬如安裝到印刷電路板(printed circuit board，PCB)……上，則上面分配了側壁的基板可以作為蓋子。
參考圖式，圖1示範根據本揭示諸多方面之EMI屏蔽組件或設備100的範例性具體態樣。EMI屏蔽組件100包括從基板112延伸(譬 如附接於基板、整合連接於基板、安裝在基板上……)的側壁108。基板112可以譬如是印刷電路板(PCB)或其他結構。附帶或替代而言，基板112可以是或包括導電織物及/或其他(多種)材料。
於基板112是PCB的範例性具體態樣，屏蔽組件100建構成在側壁108所合作界定的一或更多個內部或屏蔽包封裡來屏蔽可以提供在PCB基板112上的一或更多個構件。PCB基板112上的構件可以定位於不同的隔間中，使得構件藉由EMI屏蔽隔間116而提供有EMI屏蔽，該等EMI屏蔽隔間116抑制EMI進出每個EMI屏蔽隔間116。於其他範例性具體態樣，EMI屏蔽可以不包括或可以沒有內部側壁、分割物或隔牆，使得EMI屏蔽的側壁和蓋子一般而言界定單一內部空間或隔間。
於某些範例性具體態樣，側壁可以由現場成形(FIP)材料所做成，例如填充了銀/鎳的聚矽氧彈性體現場成形材料、填充了鎳/石墨的聚矽氧彈性體現場成形材料、填充了銀/鋁的聚矽氧彈性體現場成形材料、填充了銀/銅的聚矽氧彈性體現場成形材料……。於範例性具體態樣，側壁是由填充了銀/鎳的聚矽氧彈性體現場成形(FIP)材料所做成。於此範例，填充了銀/鎳的聚矽氧彈性體FIP側壁具有以下物理性質：約60的蕭氏A硬度(ASTM D2240)、約110%的拉伸率(ASTM D412)、每平方英吋約192英鎊(psi)的拉伸強度(ASTM D412)、約15%的壓縮固結(ASTM D395)、在20%壓縮為每英吋約1.7英鎊並且在40%壓縮為每英吋約6.4英鎊的壓縮偏折(珠尺寸為約0.62毫米的高度和約0.7毫米的寬度)、每平方公分約180牛頓(N/cm2)的黏著強度(Al)、從約-50℃到約125℃的操作溫度範圍、UL額定為V0。繼續此範例，填充了銀/鎳的聚矽氧彈性體FIP側壁具有約0.005 歐姆-公分的體積電阻率以及對於200百萬赫茲(MHz)和10十億赫茲(GHz)之間的頻率有大於100分貝(dB)的屏蔽功效。填充了銀/鎳的聚矽氧彈性體FIP側壁之固化條件為15℃到40℃、在50%相對溼度。在22℃和50%相對溼度，操持前的時間是約1小時，並且完全或完成固化的時間是約24小時。替代性具體態樣可以做不同的建構，使得FIP側壁具有不同於上述的物理性質、電性質及/或固化條件。
於另一範例性具體態樣，側壁是由填充了鎳/石墨的聚矽氧彈性體現場成形(FIP)材料所做成。於此範例，填充了鎳/石墨的聚矽氧彈性體FIP側壁具有以下物理性質：約70的蕭氏A硬度(ASTM D2240)、約15%的壓縮固結(ASTM D395)、在20%壓縮為每英吋約3.2英鎊並且在40%壓縮為每英吋約11.5英鎊的壓縮偏折(珠尺寸為約0.6毫米的高度和約0.7毫米的寬度)、每平方公分大於約180牛頓(N/cm2)的黏著強度(Al)、從約-50℃到約150℃的操作溫度範圍、UL額定為V0。繼續此範例，填充了鎳/石墨的聚矽氧彈性體FIP側壁具有約0.030歐姆-公分的體積電阻率以及對於200百萬赫茲(MHz)和10十億赫茲(GHz)之間的頻率有大於90分貝(dB)的屏蔽功效。填充了鎳/石墨的聚矽氧彈性體FIP側壁之固化條件為120℃的最小溫度和在125℃的1小時固化時間。替代性具體態樣可以做不同的建構，使得FIP側壁具有不同於上述的物理性質、電性質及/或固化條件。
於另一範例性具體態樣，側壁是由填充了銀/鎳的聚矽氧彈性體FIP材料所做成，其具有以下物理性質：約65的蕭氏A硬度(ASTM D2240)、約10%的壓縮固結(ASTM D395)、每平方公分約200牛頓(N/cm2)的黏著強度(Al)、從約-50℃到約125℃的操作溫度範圍、UL額定為V0。繼 續此範例、填充了銀/鎳的聚矽氧彈性體FIP側壁具有約0.005歐姆-公分的體積電阻率以及對於200百萬赫茲(MHz)和10十億赫茲(GHz)之間的頻率有大於100分貝(dB)的屏蔽功效。填充了銀/鎳的聚矽氧彈性體FIP側壁之固化條件為120℃的最小溫度和在125℃的1.5小時固化時間。替代性具體態樣可以做不同的建構，使得FIP側壁具有不同於上述的物理性質、電性質及/或固化條件。
於額外的範例性具體態樣，側壁是由填充了鎳/石墨的聚矽氧彈性體現場成形(FIP)材料所做成。於此範例，填充了鎳/石墨的聚矽氧彈性體FIP側壁具有以下物理性質：約70的蕭氏A硬度(ASTM D2240)、約50%的拉伸率(ASTM D412)、每平方英吋約180英鎊(psi)的拉伸強度(ASTM D412)、約15%的壓縮固結(ASTM D395)、在20%壓縮為每英吋約1.5英鎊並且在40%壓縮為每英吋約7.9英鎊的壓縮偏折(珠尺寸為約0.62毫米的高度和約0.7毫米的寬度)、每平方公分約150牛頓(N/cm2)的黏著強度(Al)、從約-50℃到約125℃的操作溫度範圍、UL額定為V0。繼續此範例，填充了鎳/石墨的聚矽氧彈性體FIP側壁具有約0.030歐姆-公分的體積電阻率以及對於200百萬赫茲(MHz)和10十億赫茲(GHz)之間的頻率有大於100分貝(dB)的屏蔽功效。填充了鎳/石墨的聚矽氧彈性體FIP側壁之固化條件為15℃到40℃、在50%相對溼度。在22℃和50%相對溼度，操持前的時間是約1小時，並且完全或完成固化的時間是約24小時。替代性具體態樣可以做不同的建構，使得FIP側壁具有不同於上述的物理性質、電性質及/或固化條件。
於進一步範例性具體態樣，側壁是由填充了銀/鋁的聚矽氧 彈性體現場成形(FIP)材料所做成。於此範例，填充了銀/鋁的聚矽氧彈性體FIP側壁具有以下物理性質：約70的蕭氏A硬度(ASTM D2240)、約1600千帕(kPa)的拉伸強度(ASTM D412)、約100%的拉伸率(ASTM D412)、約10%的壓縮固結(ASTM D395)、在20%壓縮為每英吋約2.3英鎊並且在40%壓縮為每英吋約10.5英鎊的壓縮偏折(珠尺寸為約0.6毫米的高度和約0.7毫米的寬度)、每平方公分約200牛頓(N/cm2)的黏著強度(Al)、從約-50℃到約125℃的操作溫度範圍、UL額定為V0。繼續此範例，填充了銀/鋁的聚矽氧彈性體FIP側壁具有約0.005歐姆-公分的體積電阻率以及對於200百萬赫茲(MHz)和10十億赫茲(GHz)之間的頻率有大於90分貝(dB)的屏蔽功效。填充了銀/鋁的聚矽氧彈性體FIP側壁之固化條件為120℃的最小溫度和在125℃的1小時固化時間。替代性具體態樣可以做不同的建構，使得FIP側壁具有不同於上述的物理性質、電性質及/或固化條件。
於再一範例性具體態樣，側壁是由填充了銀/鋁的聚矽氧彈性體現場成形(FIP)材料。於此範例，填充了銀/鋁的聚矽氧彈性體FIP側壁具有以下物理性質：約60的蕭氏A硬度(ASTM D2240)、約850千帕(kPa)的拉伸強度(ASTM D412)、約140%的拉伸率(ASTM D412)、約10%的壓縮固結(ASTM D395)、在20%壓縮為每英吋約1.9英鎊並且在40%壓縮為每英吋約8.3英鎊的壓縮偏折(珠尺寸為約0.6毫米的高度和約0.75毫米的寬度)、每平方公分約140牛頓(N/cm2)的黏著強度(Al)、從約-50℃到約125℃的操作溫度範圍、UL額定為V0。繼續此範例，填充了銀/鋁的聚矽氧彈性體FIP側壁具有約0.003歐姆-公分的體積電阻率以及對於200百萬赫茲(MHz)和10十億赫茲(GHz)之間的頻率有大於90分貝(dB)的屏蔽功效。填充了銀 /鋁的聚矽氧彈性體FIP側壁之固化條件為15℃到40℃、在50%相對溼度。在22℃和50%相對溼度，操持前的時間是約1小時，並且完全或完成固化的時間是約24小時。替代性具體態樣可以做不同的建構，使得FIP側壁具有不同於上述的物理性質、電性質及/或固化條件。
於再另一範例性具體態樣，側壁是由填充了銀/銅的聚矽氧彈性體現場成形(FIP)材料所做成。於此範例，填充了銀/銅的聚矽氧彈性體FIP側壁具有以下物理性質：約55的蕭氏A硬度(ASTM D2240)、約1300千帕(kPa)的拉伸強度(ASTM D412)、約300%的拉伸率(ASTM D412)、約10%的壓縮固結(ASTM D395)、在20%壓縮為每英吋約1.2英鎊並且在40%壓縮為每英吋約5.2英鎊的壓縮偏折(珠尺寸為約0.6毫米的高度和約0.7毫米的寬度)、每平方公分約200牛頓(N/cm2)的黏著強度(Al)、從約-50℃到約125℃的操作溫度範圍、UL額定為V0。繼續此範例，填充了銀/銅的聚矽氧彈性體FIP側壁具有約0.002歐姆-公分的體積電阻率以及對於200百萬赫茲(MHz)和10十億赫茲(GHz)之間的頻率有大於90分貝(dB)的屏蔽功效。填充了銀/銅的聚矽氧彈性體FIP側壁之固化條件為15℃到40℃、在50%相對溼度。在22℃和50%相對溼度，操持前的時間是約1小時，並且完全或完成固化的時間是約24小時。替代性具體態樣可以做不同的建構，使得FIP側壁具有不同於上述的物理性質、電性質及/或固化條件。
於某些具體態樣，(多個)側壁可以藉由三維列印而直接分配到基板上，並且一或更多個現場成形襯墊可以分配到(多個)側壁的頂表面上。於多樣的具體態樣，側壁可以具有0.6毫米或更小的厚度(譬如0.5毫米、0.4毫米、0.3毫米、小於0.3毫米……)。於某些具體態樣，軟的及/或可撓 的屏蔽可以提供在軟的及/或可撓的PCB上。
圖2顯示蓋子120的範例性具體態樣，其可以附接於側壁108上。蓋子120可以由金屬箔、導電織物(譬如鍍覆金屬的布……)、可焊接的膜、含錫聚醯亞胺(PI)膜(譬如鍍覆錫/銅的聚醯亞胺膜……)、其他的EMI屏蔽膜、鍍覆其他金屬的膜……所做成。於多樣的具體態樣，蓋子120直接附著於側壁108。舉例而言，在側壁108是由固化之前有黏性或附著性之材料所做成的情形，側壁材料本身可以使用作為黏著劑以將蓋子附接於側壁108。於其他具體態樣，可以使用別的或額外的黏著劑來將蓋子附接於側壁108。
於基板112是由適合提供蓋子之導電織物及/或其他(多種)材料所做成的範例性具體態樣，基板112和附接的側壁108可以翻轉過來，並且作為屏蔽而安裝到第二基板(未顯示)上，該第二基板可以是PCB。於此種具體態樣，基板112作為用於屏蔽組件100的蓋子。
雖然圖1示範屏蔽組件100具有特殊的形狀，但是其他範例性具體態樣可以包括具有不同組態的屏蔽和屏蔽組件，譬如矩形、圓形、彎曲形、三角形、不規則形狀、其他非矩形的形狀……。於多樣的具體態樣，屏蔽組件100、蓋子120、側壁108的外部整體高度小於一毫米(mm)高，雖然其他的具體態樣可能有其他的尺寸。本段落和本案其他地方所提供的尺度僅為了示範，因為其他的範例性具體態樣可以具有不同的組態，例如不同的尺寸(譬如更大或更小)及/或不同的形狀(譬如非矩形……)……。
也揭示的是關於製作EMI屏蔽及/或屏蔽組件之方法的範例性具體態樣。於範例性具體態樣，方法一般而言包括分配現場成形及/ 或3D列印材料到基板上以形成側壁，其建構成容納在基板上或下的一或更多個構件。現場成形分配示範於圖3，而3D列印分配則示範於圖4。方法包括使用一或更多種材料來分配側壁，該等材料例如聚矽氧、彈性體材料、塑性材料、導電填料(譬如銀、鎳、銅、石墨、鋁……)……。於某些具體態樣，方法包括將側壁分配在作為基板的PCB或其他結構上。此種方法也包括建構側壁以在基板上容納一或更多個構件。在已經分配側壁之後，蓋子可以直接附接於側壁上。此種方法譬如包括當形成側壁的材料仍在固化時來附接蓋子。於其他實施例，可以使用別的或額外的黏著劑以將蓋子附接於側壁。
於多樣的具體態樣，方法包括將側壁分配在可以使用作為用於屏蔽之蓋子的材料上。舉例而言，側壁可以分配到金屬箔、導電織物(譬如鍍覆金屬的布……)、可焊接的膜、含錫聚醯亞胺(PI)膜(譬如鍍覆錫/銅的聚醯亞胺膜……)、其他的EMI屏蔽膜、鍍覆其他金屬的膜……上。方法也可以包括將側壁和蓋子安裝到第二基板上，其譬如是支持蓋子下之構件的PCB。
於範例性具體態樣，方法一般而言包括分配現場成形及/或3D列印材料到基板上以形成側壁，其建構成在基板上或下容納一或更多個構件。舉例而言，軟的及/或可撓的導電材料可以直接3D列印到導電織物上，藉此在導電織物上現場形成側壁。或者舉例而言，軟的及/或可撓的導電現場成形材料可以直接分配到導電織物上，藉此在導電織物上現場形成側壁。於此二個範例，上面分配有現場成形或3D列印側壁的導電織物可以用來提供EMI屏蔽給PCB或其他基板上的一或更多個構件。
也揭示的是關於提供屏蔽給基板上的一或更多個構件之方法的範例性具體態樣。於範例性具體態樣，方法一般而言包括將屏蔽安裝到基板，使得一或更多個構件配置在屏蔽下，其中屏蔽包括一或更多個軟的及/或可撓的側壁，其由現場成形材料及/或3D列印材料所做成。安裝屏蔽可以包括將蓋子附接於側壁。於某些其他具體態樣，屏蔽具有蓋子，側壁則依附之並且建構成一般而言安裝在基板上的構件附近。
於範例性具體態樣，EMI屏蔽包括蓋子、頂部或上表面和一或更多個側壁。一或更多個側壁可以包括單一側壁、可以包括彼此分開或離散的多個側壁、以及/或者可以包括彼此連接的多個側壁……。
在此揭示的範例性具體態樣可以提供以下優於某些既有的板層次EMI屏蔽之一或更多個(但未必是任何或所有的)優點。舉例而言，相較於由例如金屬之剛性材料所做的習用屏蔽，在此揭示的範例性具體態樣可以是可撓的及/或軟的。相較於標準製造的屏蔽，某些範例性具體態樣可以在屏蔽下提供類似的或更大的構件淨空。範例性具體態樣可以比傳統的屏蔽重量更少並且高度更低。相較於提供習用之板層次屏蔽的成本，範例性具體態樣可以在較低的工具成本下來提供。多樣的實施例則有可能輕易生成高度小於一毫米的複雜側壁組態。視所用的材料而定，在此揭示之屏蔽側壁的範例性具體態樣也可以是防水及/或抗溼氣的。用於生成在此揭示之EMI屏蔽的過程可以提供特色以及/或者允許有規模和經濟以匹配大量的電子器材製造。範例性具體態樣可以具有約相同於習用金屬板層次屏蔽(board level shield，BLS)的屏蔽功效表現。範例性具體態樣可以能夠承受或通過焊料重熔條件。
提供範例性具體態樣而使得本揭示將是徹底的，並且將完整傳達範圍給熟於此技藝者。列出了許多特定的細節，例如特定構件、裝置和方法的範例，以提供對本揭示之具體態樣的徹底理解。熟於此技藝者將明白不須採用特定的細節、範例性具體態樣可以採取許多不同的形式來具體化、其不應解讀成限制本揭示的範圍。於某些範例性具體態樣，沒有詳述熟知的過程、熟知的裝置結構、熟知的科技。附帶而言，僅為了示範而提供本揭示之一或更多個範例性具體態樣所可以達成的，並且其不限制本揭示的範圍，因為在此揭示的範例性具體態樣可以提供上述全部的優點和改良或全無上述的優點和改良而仍落於本揭示的範圍裡。
在此揭示的特定尺度、特定材料及/或特定形狀在本質上是範例，並且不限制本揭示的範圍。在此針對給定參數所揭示的特殊數值和特殊數值範圍不排除有其他的數值和數值範圍而可以用於在此揭示的一或更多個範例。再者，設想到對於在此所述之特定參數的任何二個特殊數值可以界定可以適合給定參數之數值範圍的終點，亦即對於給定參數所揭示的第一數值和第二數值可以解讀成揭示了在第一和第二數值之間的任何數值也或可用於給定的參數。舉例而言，如果參數X在此舉例為具有數值A並且也舉例為具有數值Z，則設想到參數X可以具有從約A到約Z的數值範圍。類似而言，設想到針對參數所揭示的二或更多個數值範圍(不論此種範圍是套疊、重疊或明確區分)納入了可能使用揭示範圍終點來主張之數值範圍的所有可能組合。舉例而言，如果參數X在此舉例為具有1~10或2~9或3~8的數值範圍，則也設想到參數X可以具有其他數值範圍，包括1~9、1~8、1~3、1~2、2~10、2~8、2~3、3~10、3~9。
在此使用的辭彙僅為了描述特殊的範例性具體態樣，並且不打算是限制性的。如在此所用，單數形式「一」和「該」可以打算也包括複數形式，除非上下文另有明確所指。「包括」、「包含」、「含有」、「具有」等詞是涵括性的，因此指定存在了所述的特色、事物、步驟、操作、元件及/或構件，但不排除存在或添加了一或更多個其他的特色、事物、步驟、操作、元件、構件及/或其群組。在此所述的方法步驟、過程和操作不是要解讀成必然須要以所討論或示範的特殊次序來進行，除非特定識別為進行的次序。也要了解可以採用額外的或替代的步驟。
當一元件或層是指在另一元件或層「上」或「接合於」、「連接於」或「耦合於」另一元件或層時，它可以直接在另一元件或層上或直接接合、連接或耦合於另一元件或層，或者可以存在著中介元件或層。相對而言，當一元件是指「直接在另一元件或層上」或「直接接合於」、「直接連接於」或「直接耦合於」另一元件或層時，可以不存在中介元件或層。用於描述元件之間關係的其他文字應以類似方式來解讀，譬如「在……之間」對「直接在……之間」、「相鄰於」對「直接相鄰於」……。如在此所用，「及/或」一詞包括所列關聯項目中之一或更多者的任何和所有的組合。
「約」一詞當應用於數值時指出計算或測量允許數值有一些輕微的不精確(而有些接近精確的數值；差不多或合理的靠近數值；幾乎)。如果因為某些原因使得「約」所提供的不精確不是在此技藝中以其普通的意義來另外理解，則如在此所用的「約」指出可以起因於測量或使用此種參數之普通方法的至少變化。舉例而言，「一般而言」、「約」、「實質上」等詞可以在此用於意謂是在製造容限裡。不論是否由「約」一詞所修飾，申請專利 範圍包括數量的等同者。
雖然第一、第二、第三……等詞可以在此用於描述多樣的元件、構件、區域、層及/或區段，但是這些元件、構件、區域、層及/或區段不應受限於這些詞。這些詞可以僅用於區分某一元件、構件、區域、層或區段與另一區域、層或區段。例如「第一」、「第二」和其他數詞當在此使用時不暗示順序或次序，除非上下文明確所指。因此，以下討論的第一元件、構件、區域、層或區段或可稱為第二元件、構件、區域、層或區段，而不偏離範例性具體態樣的教導。
可以為了方便描述而在此使用例如「內」、「外」、「下方」、「之下」、「下」、「之上」、「上」和類似的空間關係詞，以描述圖中所示範之某一元件或特色對於別的(多個)元件或(多個)特色的關係。除了圖中所示的指向以外，空間關係等詞可以打算涵蓋裝置在使用或操作中的不同指向。舉例而言，如果圖中的裝置翻轉過來，則描述成在其他元件或特色「下方」或「之下」的元件則會指向成在其他元件或特色「之上」。因此，「之下」範例性用語可以涵括之上和之下二個指向。裝置可以做別的指向(旋轉90度或在其他指向)，並且據此解讀在此使用的空間關係用語。
已經為了示例和敘述而提供了具體態樣的前面敘述。它不打算是窮盡的或限制本揭示。特殊具體態樣的個別元件、打算或陳述的用途或特色一般而言不限於該特殊具體態樣，而在可適用的情形下是可互換的並且可以用於所選的具體態樣，即使未特定顯示或描述亦然。它們也可以採取許多方式來變化。此種變化不是要視為偏離本揭示，並且所有此種修改打算包括在本揭示的範圍裡。
100‧‧‧電磁干擾(EMI)屏蔽組件或設備
108‧‧‧側壁
112‧‧‧基板
116‧‧‧EMI屏蔽隔間

Claims (13)

  1. 一種屏蔽組件，其適合用於提供電磁干擾(EMI)屏蔽給基板上的一或更多個構件，該屏蔽組件包括一或更多個軟的及/或可撓的側壁，其分配和形成在該基板上。
  2. 如申請專利範圍第1項的屏蔽組件，其中該一或更多個軟的及/或可撓的側壁以現場成形材料及/或藉由三維列印在該基板上而分配在該基板上。
  3. 如申請專利範圍第1項的屏蔽組件，其中：該一或更多個軟的及/或可撓的側壁藉由三維列印而分配在該基板上；並且一或更多個現場成形襯墊被分配在該一或更多個軟的及/或可撓的側壁上。
  4. 如申請專利範圍第1項的屏蔽組件，其中該基板包括用於該一或更多個軟的及/或可撓的側壁之蓋子。
  5. 如申請專利範圍第1項的屏蔽組件，其進一步包括：蓋子，其安裝在該一或更多個軟的及/或可撓的側壁上，使得該基板上的該一或更多個構件是在該蓋子和該一或更多個軟的及/或可撓的側壁所界定的內部裡。
  6. 如申請專利範圍第5項的屏蔽組件，其中該蓋子包括導電織物、屏蔽膜、金屬箔及/或含錫聚醯亞胺膜中的一或更多者。
  7. 如申請專利範圍第5項的屏蔽組件，其中該蓋子直接附著於該一或更多個軟的及/或可撓的側壁。
  8. 如申請專利範圍第1到7項中任一項的屏蔽組件，其中該一或更多 個軟的及/或可撓的側壁包括在聚矽氧、彈性體材料及/或塑性材料裡的導電填料。
  9. 如申請專利範圍第1到7項中任一項的屏蔽組件，其中該一或更多個軟的及/或可撓的側壁包括聚矽氧和導電填料，該導電填料包括銀、石墨、銅、鋁及/或鎳中的一或更多者。
  10. 如申請專利範圍第1到7項中任一項的屏蔽組件，其中該一或更多個軟的及/或可撓的側壁包括填充了銀/鎳的聚矽氧彈性體現場成形材料、填充了鎳/石墨的聚矽氧材料、填充了銀/鋁的聚矽氧彈性體現場成形材料及/或填充了銀/銅的聚矽氧彈性體現場成形材料中的一或更多者。
  11. 如申請專利範圍第1到7項中任一項的屏蔽組件，其中該一或更多個側壁具有範圍從約55到70的蕭氏A硬度及/或至少約110%的拉伸率。
  12. 如申請專利範圍第1到7項中任一項的屏蔽組件，其中該一或更多個側壁具有小於1.0毫米的高度和小於0.6毫米的厚度。
  13. 如申請專利範圍第1到7項中任一項的屏蔽組件，其中該屏蔽組件具有小於1.0毫米的整體高度。
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