TWM518406U - 具增加散熱效能的引線框架結構 - Google Patents
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Description
本創作係關於一種引線框架結構；特別關於一種具增加散熱效能的引線框架結構者。
按，引線框架是製造半導體分離式元件的基本部件，例如應用在組合成各式的二極體、電晶體等電子元件。而當中引線框架主要是作為晶片載體，是一種實現晶片內部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關鍵結構件，也因為是作為晶片載體，因此引線框架必須具備有良好的散熱性，晶片在使用時，總會產生熱量，尤其是功耗較大的電路，產生的熱量就更大，因此在工作時要求主要結構材料引線框架能有很好的散熱性，否則在工作狀態會由於熱量不能及時散去而"燒壞"晶片，然而，目前業界為了增加引線框架散熱效能，普遍在引線框架上加裝散熱片，或者塗上散熱膏，這樣不僅需要額外安裝工序及增加料材，而且無形中會造成生產成本的增加，因此，如何在現有引線框架結構上有效的增加散熱效能為目前業界急需解決之問題。
有鑒於此，現有引線框架結構存在的缺失與不便，是以，本創作人秉持著研究創作、精益求精的精神，利用專業知識，研究出一種具增加散熱效能的引線框架結構，主要在該載片部的相對面上設有一散熱部，該散熱部具有呈凹凸狀間隔設置且平行排列一散熱結構，該散熱結構可擴大該本體散熱表面積，進而增加散熱效能，如此，不僅可以有效增加引線框架散熱效能，而且不需要額外安裝工序及增加料材，而且不會造成生產成本的增加。
為達上述目的，本創作所述具增加散熱效能的引線框架結構，主要係為一晶片的載體，並具有導電性，包括：一本體，具有用以與該晶片粘接之一載片部、自本體向外延伸之一第一接腳部、以及一第二接腳部，與第一接腳部並列，並能與外部電路進行電性連接；一散熱部，係設於該載片部的相對面上，該散熱部具有呈凹凸狀間隔設置且平行排列一散熱結構，該散熱結構可擴大該本體散熱表面積，進而增加散熱效能。
本創作所提出之一種具增加散熱效能的引線框架結構，其中，該第二接腳部上更具有一彎折部。
本創作所提出之一種具增加散熱效能的引線框架結構，其中，該散熱結構係為一鋸齒狀結構。
本創作所提出之一種具增加散熱效能的引線框架結構，其中，該散熱結構係為一波浪狀結構。
本創作所提出之一種具增加散熱效能的引線框架結構，其中，該引線框架結構更具有一跨接部，將該晶片與該第二接腳部連接，藉而將晶片的電路訊號與外部電路進行電性連接。
由於，本創作利用在該載片部的相對面上設有一散熱部，該散熱部具有呈凹凸狀間隔設置且平行排列一散熱結構，該散熱結構擴大了該本體散熱表面積，進而增加散熱效能，如此，不僅可以有效增加引線框架散熱效能，而且不需要額外安裝工序及增加料材，而且不會造成生產成本的增加。
1‧‧‧本體
11‧‧‧載片部
12‧‧‧第一接腳部
13‧‧‧第二接腳部
131‧‧‧彎折部
2‧‧‧散熱部
21‧‧‧散熱結構
3‧‧‧跨接部
10‧‧‧引線框架
20‧‧‧晶片
30‧‧‧封料膠體
第1圖係為本創作之引線框架結構之正面示意圖。
第2圖係為本創作之引線框架結構之背面示意圖。
第3圖係為本創作之引線框架結構封裝後之側面示意圖。
第4圖係為本創作之引線框架結構封裝後之立體示意圖。
第5圖係為本創作之散熱結構為一波浪狀結構之側面示意圖。
由於本創作係揭露一種引線框架結構，其所利用其所利用引線框架結構與晶片之相關原理已為相關技術領域具有通常知識者所能明瞭，故以下文中之說明，不再作完整描述。同時，
以下文中所對照之圖式，係表達與本創作特徵有關之結構示意，並未亦不需要依據實際尺寸完整繪製，合先敘明。
煩請參考第1圖至第2圖所示，係為根據本創作之引線框架結構之一較佳實施例，該引線框架10結構主要係為一晶片20的載體，並具有導電性，例如已知銅或銅合金金屬類型的引線框架，該引線框架10結構包括：一本體1，具有用以與該晶片20粘接之一載片部11、自本體1向外延伸之一第一接腳部12，該第一接腳部12用於將晶片內部電路引出與外部電路進行電性連接，以及一第二接腳部13，與該第一接腳部12並列，並能與外部電路進行電性連接，在本實施例中該第二接腳部13具有一對，當然也亦可以視情況所須設為一支或多支接腳部；一跨接部3，將該晶片20與該第二接腳部13連接，藉而將晶片20的電路訊號與外部電路進行電性連接；一散熱部2，係設於該載片部11的相對面上，該散熱部2具有呈凹凸狀間隔設置且平行排列一散熱結構21，在本實施例中該散熱結構係為一鋸齒狀結構，當然該散熱結構亦可以視情況所須為一波浪狀結構，如第5圖所示，而且因為該散熱結構21擴大了該本體1散熱表面積，進而增加該本體1散熱效能。
如第3圖至第4圖所示，此外，該第二接腳部13上進一步具有一彎折部131，該彎折部131使第二接腳部13能更貼
合平面，而能增加與電路結合力。當完成該晶片20粘接到本體1之載片部11時，該晶片20透過該跨接部3與第二接腳部13連接，然後以封料膠體30以壓模方式，於該晶片20及引線框架10周圍填充封裝，以完成一半導體分離式元件成品，如第4圖所示。
藉由前述結構，可知本創作由於利用在該載片部11的相對面上設有一散熱部2，該散熱部2具有呈凹凸狀間隔設置且平行排列一散熱結構21，該散熱結構21擴大了該本體1散熱表面積，因此可有效的增加散熱效能，而且本創作之散熱結構不僅不用加裝散熱片，也不用塗上散熱膏等，因此不需要額外安裝工序及增加料材，而且不會造成生產成本的增加。
以上所述僅為本創作之較佳實施例，並非用以限定本創作之申請專利權利；同時以上的描述，對於熟知本技術領域之專門人士應可明瞭及實施，因此其他未脫離本創作所揭示之精神下所完成的等效改變或修飾，均應包括在申請專利範圍中。
1‧‧‧本體
12‧‧‧第一接腳部
13‧‧‧第二接腳部
2‧‧‧散熱部
21‧‧‧散熱結構
10‧‧‧引線框架
Claims (5)
- 一種具增加散熱效能的引線框架結構，該引線框架結構主要為一晶片的載體，並具有導電性，包括：一本體，具有用以與該晶片粘接之一載片部、自本體向外延伸之一第一接腳部、以及一第二接腳部，與第一接腳部並列，並能與外部電路進行電性連接；一散熱部，係設於該載片部的相對面上，該散熱部具有呈凹凸狀間隔設置且平行排列一散熱結構，該散熱結構可擴大該本體散熱表面積，進而增加散熱效能。
- 如申請專利範圍第1項所述之具增加散熱效能的引線框架結構，其中該第二接腳部上更具有一彎折部。
- 如申請專利範圍第1項所述之具增加散熱效能的引線框架結構，其中該散熱結構係為一鋸齒狀結構。
- 如申請專利範圍第1項所述之具增加散熱效能的引線框架結構，其中該散熱結構係為一波浪狀結構。
- 如申請專利範圍第1項所述之具增加散熱效能的引線框架結構，其中該引線框架結構更具有一跨接部，用以將該晶片與該第二接腳部連接，藉而將晶片的電路訊號與外部電路進行電性連接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW104212511U TWM518406U (zh) | 2015-08-04 | 2015-08-04 | 具增加散熱效能的引線框架結構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW104212511U TWM518406U (zh) | 2015-08-04 | 2015-08-04 | 具增加散熱效能的引線框架結構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWM518406U true TWM518406U (zh) | 2016-03-01 |
Family
ID=56085934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW104212511U TWM518406U (zh) | 2015-08-04 | 2015-08-04 | 具增加散熱效能的引線框架結構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWM518406U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI774164B (zh) * | 2016-04-20 | 2022-08-11 | 美商艾馬克科技公司 | 形成具有導電的互連框的半導體封裝之方法及結構 |
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2015
- 2015-08-04 TW TW104212511U patent/TWM518406U/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI774164B (zh) * | 2016-04-20 | 2022-08-11 | 美商艾馬克科技公司 | 形成具有導電的互連框的半導體封裝之方法及結構 |
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