TWM505055U - 用於化學機械研磨製程之拘束環 - Google Patents
用於化學機械研磨製程之拘束環 Download PDFInfo
- Publication number
- TWM505055U TWM505055U TW104204122U TW104204122U TWM505055U TW M505055 U TWM505055 U TW M505055U TW 104204122 U TW104204122 U TW 104204122U TW 104204122 U TW104204122 U TW 104204122U TW M505055 U TWM505055 U TW M505055U
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- carrier
- chemical mechanical
- ring
- mechanical polishing
- polishing process
- Prior art date
Links
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
本創作與化學機械研磨製程有關，特別是指一種用於化學機械研磨製程之拘束環。
就化學機械研磨製程(Chemical Mechanical Polishing，CMP)來說，如第1圖所示，首先利用載具1將晶圓2固定住，然後將晶圓2的表面抵壓在鋪設有拋光墊3的旋轉平台4上，接著使載具1與旋轉平台4順著相同的方向旋轉，在旋轉過程中，研磨液5會持續供應至拋光墊3，讓晶圓2的表面在機械研磨過程中能夠同時進行化學反應，如此即能對晶圓2達到表面平坦化的效果。此外，為了防止晶圓2在旋轉過程中產生橫向移動，載具1的內部會安裝一拘束環6對晶圓2提供定位效果，使晶圓2在製程中能夠維持良好的穩定性。
然而在整個製程中，晶圓2的磨屑、拋光墊3的切屑，以及研磨液5所凝結成之硬質層會附著在拋光墊3之表面而影響拋光墊3的壽命及產品的良率，為了去除這些雜質，在製程中必須另外藉由一具有粗糙面之修整器7(Conditioner)修整拋光墊3之表面，但是因為修整器7是獨立設置的一個配備，並未跟載具1或其他裝置整合在一起，所以勢必會造成結構上的複雜及成本上的增加。
本創作之主要目的在於提供一種用於化學機械研磨製程之拘束環，其具有簡化結構及降低成本的特色。
為了達成上述目的，本創作之拘束環包含有一環體與多數修整器。該環體具有一內環面、一外環面、一垂直銜接該內、外環面之研磨面，以及多數設於該研磨面之凹槽；各該修整器具有一承載體與多數研磨件，該承載體設於該環體之凹槽內，各該研磨件設於該承載體且具有多數支撐柱與多數研磨顆粒，該多數支撐柱之間相互聚集成束，各該研磨顆粒設於一該支撐柱之一端且突出於環體之研磨面，各該研磨顆粒的莫氏硬度(Mohs Scale of Hardness)大於6。藉此，本創作之拘束環一方面可以利用該環體對晶圓提供定位效果，另一方面可以利用各該研磨件對拋光墊之表面進行修整，在如此的整合之下即能達到簡化結構及降低成本的目的。
請先參閱第2圖，圖中所示之載具12主要是利用真空吸附的方式將一晶圓14給固定住，並且將晶圓14抵壓於一拋光墊16，此一拋光墊16固定於一旋轉平台18，藉此，晶圓14即可被載具12所帶動而跟著旋轉平台18順著相同的方向轉動。請再參閱第2及3圖，本創作之拘束環10安裝於載具12內且包含有一環體20與多數修整器30。
環體20可以由聚苯硫醚(Polyphenylene sulfide，PPS)或聚醚醚酮(Polyetheretherketone，PEEK)所製成，在此並不特別對材質加以限定。如第2及3圖所示，環體20固定於載具12內且環繞於晶圓14之周圍，主要是用來防止晶圓14產生橫向移動，此外，環體20在結構上具有一內環面21、一外環面22、一垂直銜接內、外環面21、22之研磨面23，以及多數以等間隔方式設於研磨面23之凹槽24。
再如第3至5圖所示，修整器30具有一承載體31與多數研磨件34，承載體31固定於環體20之凹槽24內且在本實施例中具有一基材32與一設於基材32之結合層33，各研磨件34在本實施例中為莫氏硬度(Mohs Scale of Hardness)大於6的研磨顆粒，例如鑽石顆粒，在結構上可以根據實際需要採用規則或不規則的排列方式固設於承載體31之結合層33，而且，各研磨件34在固設之後會突出於環體20之研磨面23，用以修整拋光墊16之表面。
由上述結構可知，當載具12帶動晶圓14跟著旋轉平台18同步轉動時，本創作之拘束環10亦會隨著載具12轉動，在拘束環10轉動的過程中，一方面會藉由環體20防止晶圓14產生橫向移動，使晶圓14在製程中維持良好的穩定性，另一方面會再藉由修整器30之研磨件34對拋光墊16之表面進行修整，藉以去除附著於拋光墊16表面之雜質，同時讓研磨液40能夠順暢地流動，使拋光墊16的使用壽命及晶圓14的生產良率都可以有效提升。
另一方面，為了進一步提升研磨件的結構強度，在本創作之第2實施例之拘束環50中，如第6及7圖所示，修整器60之承載體61的外側面(亦即朝環體20之研磨面23的一側面)具有多數盲孔62，這些盲孔62之間可以根據實際需要採用規則或不規則的排列方式，研磨件63嵌設於承載體61之盲孔62內且具有多數支撐柱64與多數研磨顆粒65，這些支撐柱64之間以相互平行的方式聚集成束，而且，每一根支撐柱之一端固定一顆莫氏硬度(Mohs Scale of Hardness)大於6之研磨顆粒65，研磨顆粒65突出於環體20之研磨面23。藉此，當拘束環50隨著載具12轉動時，除了利用環體20對晶圓14提供定位效果之外，同時也會利用各研磨件63之多數研磨顆粒65達到對拋光墊16之表面進行修整的功效。
綜上所陳，本創作之拘束環10、50將用來定位晶圓14之環體20與用來修整拋光墊16之修整器30結合在一起，使得本創作之拘束環10、50可以兼顧兩種不同的功能，如此與習用技術相比之下，本創作確實可以達到簡化結構及降低成本的目的。
「第1實施例」
10‧‧‧拘束環
12‧‧‧載具
14‧‧‧晶圓
16‧‧‧拋光墊
18‧‧‧旋轉平台
20‧‧‧環體
21‧‧‧內環面
22‧‧‧外環面
23‧‧‧研磨面
24‧‧‧凹槽
30‧‧‧修整器
31‧‧‧承載體
32‧‧‧基材
33‧‧‧結合層
34‧‧‧研磨件
40‧‧‧研磨液
「第2實施例」
50‧‧‧拘束環
60‧‧‧修整器
61‧‧‧承載體
62‧‧‧盲孔
63‧‧‧研磨件
64‧‧‧支撐柱
65‧‧‧研磨顆粒
10‧‧‧拘束環
12‧‧‧載具
14‧‧‧晶圓
16‧‧‧拋光墊
18‧‧‧旋轉平台
20‧‧‧環體
21‧‧‧內環面
22‧‧‧外環面
23‧‧‧研磨面
24‧‧‧凹槽
30‧‧‧修整器
31‧‧‧承載體
32‧‧‧基材
33‧‧‧結合層
34‧‧‧研磨件
40‧‧‧研磨液
「第2實施例」
50‧‧‧拘束環
60‧‧‧修整器
61‧‧‧承載體
62‧‧‧盲孔
63‧‧‧研磨件
64‧‧‧支撐柱
65‧‧‧研磨顆粒
第1圖為習用化學機械研磨裝置之結構示意圖。 第2圖使用本創作之化學機械研磨裝置的結構示意圖。 第3圖為本創作第1實施例之底視圖。 第4圖為本創作第1實施例之局部放大圖。 第5圖為本創作第1實施例之局部剖視圖。 第6圖為本創作第2實施例之底視圖。 第7圖為本創作第2實施例之局部剖視圖。
50‧‧‧拘束環
20‧‧‧環體
23‧‧‧研磨面
60‧‧‧修整器
61‧‧‧承載體
62‧‧‧盲孔
63‧‧‧研磨件
Claims (4)
- 一種用於化學機械研磨製程之拘束環，包含有： 一環體，具有一內環面、一外環面、一垂直銜接該內、外環面之研磨面，以及多數設於該研磨面之凹槽；以及 多數修整器，分別具有一承載體與多數研磨件，該承載體設於該環體之凹槽，各該研磨件設於該承載體且具有多數支撐柱與多數研磨顆粒，該多數支撐柱之間相互聚集成束，各該研磨顆粒設於一該支撐柱之一端且突出於環體之研磨面，各該研磨顆粒的莫氏硬度(Mohs Scale of Hardness)大於6。
- 如請求項1所述之用於化學機械研磨製程之拘束環，其中該承載體具有多數盲孔，各該研磨件設於一該盲孔內。
- 如請求項2所述之用於化學機械研磨製程之拘束環，其中該多數研磨件之間呈規則排列。
- 如請求項2所述之用於化學機械研磨製程之拘束環，其中該多數研磨件之間呈不規則排列。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW104204122U TWM505055U (zh) | 2015-03-19 | 2015-03-19 | 用於化學機械研磨製程之拘束環 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW104204122U TWM505055U (zh) | 2015-03-19 | 2015-03-19 | 用於化學機械研磨製程之拘束環 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWM505055U true TWM505055U (zh) | 2015-07-11 |
Family
ID=54152881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW104204122U TWM505055U (zh) | 2015-03-19 | 2015-03-19 | 用於化學機械研磨製程之拘束環 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWM505055U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI733705B (zh) * | 2015-10-30 | 2021-07-21 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 化學機械拋光系統 |
-
2015
- 2015-03-19 TW TW104204122U patent/TWM505055U/zh unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI733705B (zh) * | 2015-10-30 | 2021-07-21 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 化學機械拋光系統 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6401319B2 (ja) | 研磨装置 | |
| KR101928221B1 (ko) | 폴리싱 패드의 드레싱 방법 | |
| JP6360750B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| JP5179158B2 (ja) | ドレッサボード | |
| US8579679B2 (en) | Conditioning method and conditioning apparatus for polishing pad for use in double side polishing device | |
| TWM459065U (zh) | 硏磨墊以及硏磨系統 | |
| WO2023112345A1 (ja) | 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法 | |
| US20150165587A1 (en) | Carrier head having abrasive structure on retainer ring | |
| CN112476227A (zh) | 化学机械研磨装置 | |
| JP2007030157A (ja) | 研磨装置及び研磨方法 | |
| JPH11207632A (ja) | ポリシャ及びその製造方法並びに研磨工具 | |
| TWI759401B (zh) | 研磨輪 | |
| TWM505055U (zh) | 用於化學機械研磨製程之拘束環 | |
| CN102806517B (zh) | 板状体的研磨装置及板状体的研磨方法 | |
| CN101116953A (zh) | 化学机械研磨的研磨修整装置 | |
| TW201634184A (zh) | 用於化學機械研磨製程之拘束環 | |
| KR20090070302A (ko) | 휠 링이 교체가능한 웨이퍼 에지 연삭 휠 | |
| TWI469207B (zh) | Chemical mechanical grinding dresser | |
| CN103522167A (zh) | 研磨头及研磨装置 | |
| JP6231334B2 (ja) | 薄板基板の研削加工方法およびそれに用いる研削加工装置 | |
| KR200466233Y1 (ko) | 다이아몬드 연마구 | |
| KR20100000165U (ko) | 다이아몬드 연마구 | |
| US20070270087A1 (en) | Polishing device and method | |
| JPH11320424A (ja) | 基板研磨用砥石及び研磨装置 | |
| KR20100000167U (ko) | 다이아몬드 연마구 |