TWM500388U - 一種過壓保護電路 - Google Patents

Description

一種過壓保護電路

本創作係有關於一種電子電路，尤指一種為較低耐壓電路提供過壓保護的過壓保護電路。

目前電子產品的主要直流供電方式分為兩種：第一種是變壓器外置，其首先將220V~50Hz交流電在外置變壓器中直接轉為直流電，隨後再接入電子產品，如，筆記本的電源，變壓器外設置於筆記本的外部；第二種是變壓器內置，與變壓器外置類似，其也是將220V~50Hz的交流電直接轉為直流電，隨後再接入電子產品，但不同的是，變壓器設置於電子產品的內部，如臺式機供電，只需要通過外部的電纜線為其提供交流電即可。

對於第一種供電方式而言，目前市場上常見的外置變壓器輸出電壓分為19V，12V，以及5V附近。在這種情況下，對於一些不熟悉電子產品特性的人來說，很容易誤將錯誤的直流電源接入自己的設備，導致設備工作異常甚至燒壞。雖然大多數電子產品會在產品說明中標註“請使用專用電源”，但是產品的電源介面並沒有提供電源誤接時的保護電路，大大增加了由於誤插電源而導致燒壞電子設備的風險。

當然，目前也有些電子設備廠商會設計特殊的專用電源介面 為電子產品進行供電，以防止其他電源接入，但是這些專用設備的成本往往都很高，且設備的通用性不高；與此同時，也很難避免市面上會有其他類似電源可以接入設備，導致電子設備異常或燒毀。

針對上述問題，本創作提供了一種過壓保護電路，其從電子硬體層面解決了直流電源誤插的問題，無需外界的配合，如軟體或機械結構等，電路結構簡單，通用性高，且不會給使用者帶來任何風險。

本創作提供了一種過壓保護電路，其內容包括：一種過壓保護電路，分別與外部電源單元及供電單元連接，包括電壓檢測單元和開關單元，所述電壓檢測單元的輸入端與所述外部電源單元連接，所述電壓檢測單元的輸出端與所述開關單元的輸入端連接，所述開關單元的輸出端與所述供電單元連接，所述外部電源單元同時為所述開關單元供電；所述電壓檢測單元包括一與所述外部電源單元連接且由所述外部電源單元控制導通和關閉的壓控元件，所述壓控元件的輸出端與所述開關單元連接，控制所述開關單元的導通和關閉；當所述電壓檢測單元檢測到所述外部電源單元的輸出電壓達到所述壓控元件的閾值電壓時，則所述壓控元件導通，所述電壓檢測單元輸出相應地控制電平至所述開關單元，關閉所述開關單元以保護所述供電單元。

在本實施例中，通過電壓檢測單元來檢測外部電源單元的電壓值，當外部電壓過大時，電壓檢測電源控制開關單元關閉；當外部電壓 小於壓控元件的閾值電壓時，則開關單元為供電單元供電，有效地解決了當用戶誤接地電源介面時帶來的電子設備異常或燒毀等，保障了電子設備的安全。

供電單元可以等價為電阻和電容的並聯。

優選地，所述電壓檢測單元包括所述壓控元件，鉗位二極體，第一分壓電阻，以及第二分壓電阻；所述鉗位二極體的負極與所述外部電源單元連接，正極分別與所述壓控元件的第一端及所述第一分壓電阻的第一端連接；所述第一分壓電阻的第二端及所述壓控元件的第二端分別接地；所述第二分壓電阻的第一端與所述外部電源單元連接，第二端及所述壓控元件的第三端分別與所述開關單元連接。

優選地，所述壓控元件為一NMOS電晶體，且所述壓控元件的第一端，第二端以及第三端分別對應所述NMOS電晶體的閘極，源極以及汲極。

優選地，所述電壓檢測單元包括壓控元件，鉗位二極體，第一分壓電阻，以及第二分壓電阻；所述第一分壓電阻的第一端與所述外部電源單元連接，所述第一分壓電阻的第二端及所述鉗位二極體的負極分別與所述壓控元件的第一端連接，所述鉗位二極體的正極接地；所述壓控元件的第二端與所述第二分壓電阻的第二端連接，所述第二分壓電阻的第一端與所述外部電源單元連接，所述壓控元件的第三端與所述開關單元連接。

優選地，所述壓控元件為一PMOS電晶體，且所述壓控元件的第一端，第二端以及第三端分別對應所述PMOS電晶體的閘極，源極以及汲極。

優選地，所述鉗位二極體為穩壓二極體或TVS二極體。

在本實施例中，鉗位二極體的使用有效地將供電單元接收到的電壓控制一定範圍內，當外部電源單元的電壓超過了鉗位元二極體的擊穿電壓時，電壓檢測單元會輸出控制信號控制開關元件關閉，當外部電源單元的電壓在鉗位元二極體的擊穿電壓範圍之內時，開關單元才會導通為供電單元進行供電。在本創作中，通過鉗位二極體和電晶體的配合使用，以價格低廉的元器件，達到了為電子設備提供過壓保護的目的；且如果過壓保護電路需要適用於不同輸入電壓的設備，只需要相應的調整鉗位二極體的型號和第一分壓電阻的阻值即可實現，整個電路設計靈活。

優選地，所述開關單元中包括相互連接的第一電晶體和第二電晶體，其中，所述第一電晶體的閘極與電壓檢測單元連接，且源極接地，汲極與所述第二電晶體的閘極連接；所述第二電晶體的源極與所述外部電源單元連接，汲極與所述供電單元連接。

優選地，所述開關單元中還包括一RC延時電路，具體包括：第三分壓電阻，第四分壓電阻，以及一電容；所述第三分壓電阻與所述電容並聯連接，其連接的第一端及所述第二電晶體的源極分別與所述外部電源單元連接，其連接的第二端分別與所述第四分壓電阻的第一及所述第二電晶體的閘極連接；所述第四分壓電阻的第二端與所述第一電晶體的汲極連接。

在本實施例中，在第一電晶體和第二電晶體之間添加了一個RC延時電路，有效地避免了當第二電晶體導通速度過快時，負載中等效的電容迅速充電而在第二電晶體的汲極和源極之間產生的尖峰電流而帶來的甚至燒壞第二電晶體的嚴重後果。RC延時電路的使用，通過調整第三分壓電阻和第四分壓電阻的阻值以及電容的容值來調整延時的時間，從而減慢第二電晶體的導通速度，實現保護第二電晶體不被燒毀的同時，延長了本創作過壓保護電路的使用壽命。

優選地，所述第一電晶體為一NMOS電晶體；所述第二電晶體為一PMOS電晶體。

綜上所述，本創作提供的過壓保護電路，其有益效果在於：

1.在本創作中，在電壓檢測單元中通過鉗位元二極體、第一分壓電阻，以及壓控元件的配合使用，以價格低廉的元器件，達到了為電子設備提供過壓保護的目的；即當外部電源單元的輸入電壓超過了鉗位元二極體的擊穿電壓，電壓檢測單元輸出控制信號控制開關元件關閉，致使外部電源單元不給供電單元進行供電；相應地，當外部電源單元的電壓小於鉗位元二極體的擊穿電壓範圍，開關單元才會導通為供電單元進行供電。有效地解決了當用戶誤接地電源介面時帶來的電子設備異常或燒毀等情況，從而保障了電子設備的安全。

2.在本創作中，只需要鉗位二極體、第一分壓電阻，以及壓控元件三者的配合，即能實現過壓保護的目的，因而如果過壓保護電路需要適用於不同輸入電壓的設備，只需要根據需求相應的調整鉗位二極體的型號以調整其擊穿電壓，同時對第一分壓電阻的阻值進行相應的調整即可 實現。整個電路設計靈活，且只需進行小範圍的電子元件即可使用不同電壓輸入的電子設備，在實際應用中易於實現。

3.在本創作中，從電子硬體層面解決了直流電源誤插的問題，而不需要外界，包括軟體或機械機構的配合，且不同的電子產品可以使用通用電源介面，而不必擔心誤插電源，大大的提高了外置電源介面的通用性，有利於進一步降低成本，同時保障了用戶的安全。

Cload‧‧‧電容

C1‧‧‧電容

D1‧‧‧鉗位二極體

Q2‧‧‧NMOS電晶體

Q2‧‧‧PMOS電晶體

Q3‧‧‧第一電晶體

Q4‧‧‧第二電晶體

Q5‧‧‧第三電晶體

R1‧‧‧第一分壓電阻

R2‧‧‧第二分壓電阻

R3‧‧‧第三分壓電阻

R4‧‧‧第四分壓電阻

R5‧‧‧電阻

Rload‧‧‧電阻

第1圖係本創作的結構框圖之示意圖。

第2圖係本創作中電壓檢測單元第一種實施方式之電路圖。

第3圖係本創作中電壓檢測單元第二種實施方式之電路圖。

第4圖係本創作中開關單元之電路圖。

第5圖係本創作第一實施例之電路圖。

第6圖係本創作第二實施例之電路圖。

第7圖係本創作第三實施例之電路圖。

第8圖係本創作第四實施例之電路圖。

第9圖係本創作第五實施例之電路圖。

第10圖係本創作第六實施例之電路圖。

為了更清楚地說明本創作實施例或現有技術中的技術方 案，下面結合附圖和實施例對本創作進行具體的描述。下面描述中的附圖僅僅是本創作的一些實施例。對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

如第1圖所示，係本創作的結構框圖之示意圖，提供了一種過壓保護電路，分別與外部電源單元及供電單元連接，過壓保護電路具體包括：電壓檢測單元和開關單元，其中，電壓檢測單元的輸入端與外部電源單元連接，電壓檢測單元的輸出端與開關單元的輸入端連接，開關單元的輸出端與供電單元連接，外部電源單元同時為開關單元供電。在實際應用中，上述外部電源單元即電子設備的接入電源，供電單元即電子設備，本創作即在外部接入電源和電子設備之間設計了一種用於保護電子設備誤接外部電源的保護電路，且外部電源除了接入電壓檢測單元供其檢測外，還與開關電源連接，為其供電。

具體地，電壓檢測單元包括一與外部電源單元連接且由外部電源單元控制導通和關閉的壓控元件，壓控元件的輸出端與開關單元連接，控制開關單元的導通和關閉；且當電壓檢測單元檢測到外部電源單元的輸出電壓達到壓控元件的閾值電壓時，則壓控元件導通，輸出相應地控制電平至開關單元，關閉開關單元以保護供電單元。上述的壓控元件為一受電壓控制的元件，如MOS(Metal Oxid Semiconductor，場效應)電晶體等，電壓信號從MOS電晶體的閘極輸入，汲極輸出電流信號，且閘極輸入電壓的大小(閾值電壓)決定了電晶體的導通或關閉。特別地，在另一個實施例中，本創作中壓控元件可以用三極管代替，且在三極管基極需串聯限流電阻即可實現，三極管是一種通過控制基極的輸入電流從而控制三極 管導通的半導體器件，功能與MOS電晶體類似，都可以用來實現本創作的目的。

如第2圖所示，係本創作中電壓檢測單元第一種實施方式之電路圖，電壓檢測單元包括壓控元件，鉗位二極體D1，第一分壓電阻R1，以及第二分壓電阻R2；鉗位元二極體D1的負極與外部電源單元連接，正極分別與壓控元件的第一端及第一分壓電阻R1的第一端連接；第一分壓電阻R1的第二端及壓控元件的第二端分別接地；第二分壓電阻R2的第一端與外部電源單元連接，第二端及壓控元件的第三端分別與開關單元連接。具體地，上述壓控元件為一NMOS電晶體Q1，且壓控元件的第一端，第二端以及第三端分別對應NMOS電晶體Q1的閘極，源極以及汲極，特別地，在本創作中NMOS電晶體的型號為2N7002，當然了，本創作中對NMOS電晶體的具體型號不作限定，只要其能實現本創作的目的，都包括在本創作的內容中。

如第3圖所示，係本創作中電壓檢測單元第二種實施方式之電路圖，電壓檢測單元包括壓控元件，鉗位二極體D1，第一分壓電阻R1，以及第二分壓電阻R2；其中，第一分壓電阻R1的第一端與外部電源單元連接，第一分壓電阻R1的第二端及鉗位二極體D1的負極分別與壓控元件的第一端連接，鉗位二極體的正極接地；壓控元件的第二端與第二分壓電阻的第二端連接，第二分壓電阻的第一端與外部電源單元連接，壓控元件的第三端與開關單元連接。具體地，在本創作中，上述壓控元件為一PMOS電晶體Q2，且壓控元件的第一端，第二端以及第三端分別對應PMOS電晶體Q2的閘極，源極以及汲極。特別地，在本創作中，PMOS電晶體的型號為 P5103EMG，本創作中對PMOS電晶體的具體型號不作限定，只要其能實現本創作的目的，都包括在本創作的內容中。

進一步地，鉗位二極體D1為穩壓二極體或TVS二極體。

具體地，穩壓二極體和TVS二極體的原理相似，在這裏鉗位二極體D1以穩壓二極體為例做出具體說明，在實施過程中，當穩壓二級管反向電壓小於鉗位電壓(V_Z )時，穩壓二極體的阻值較大，即相當於斷路，穩壓二極體兩端壓差即為輸入電壓；當穩壓二級管反向電壓超過V_Z 時，穩壓二極體會將其兩端電壓限制在某一固定值，此時若反向電壓繼續增大，穩壓二級管的反向擊穿電流會迅速增加，但二極體兩端電壓幾乎不變。根據穩壓二級管的上述特性和過壓保護電路的具體需求，可以選擇不同V_Z 的穩壓二極體和第一分壓電阻R1的阻值，其中：

對於穩壓二極體的選擇：在本創作中主要對是V_Z 的值的選擇，V_Z 要高於過壓保護電路所保護的電路的工作電壓而小於電路所能承受的最高電壓，V_Z 的值加上壓控元件導通電壓值即是過壓保護電路能生效的最小過壓值，此最小過壓值需儘量接近被保護電路所能承受的最高電壓。如：若過壓保護電路工作電壓為12V，電路能承受最高電壓為13.5V，則選擇型號為MMSZ5242B(V_Z =12V)的穩壓二極體即可實現本創作的目的。

對於第一分壓電阻R1的選擇：一般與穩壓二極體特性有關，其阻值既要保證發生過壓時穩壓二極體能反向擊穿工作，將電壓鉗位到V_Z ，又要保證穩壓二極體不因過流而損壞。

假設此實施例中供電單元的過壓範圍為V=13.5V~19V，MMSZ5242B穩壓二極體的V_Z =12V，鉗位電流I_Z(MIN) =1mA,I_Z(MAX) =40mA(穩壓管的最大功耗為500mW)，則R1阻值範圍計算方法如下：

當電源單元的輸出V=19V，穩壓二極體的鉗位電流I_Z =I_Z(MAX) =40mA時，可以得到第一分壓電阻R1的最小阻值：R1_(MIN) =(V-V_Z )/I_Z(MAX) =(19V-12V)/40mA=175ohm

當電源的輸出V=13.5V，穩壓二極體的鉗位電流I_Z =I_Z(MIN) =1mA時，可以得到第一分壓電阻R1的最大阻值：R1_(MAX) =(V-V_Z )/I_Z(MIN) =(13.5V-12V)/1mA=1.5K ohm.

在實際應用中，可以根據上述方法根據不同的需求選擇不同型號的穩壓二極體，和不同阻值的第一分壓電阻R1，在本創作中，第二分壓電阻R2的阻值固定選為4.7K。由於TVS二極體的原理與穩壓二極體相似，故選擇TVS二極體時，二極體的選型以及R1的阻值的選擇不作贅述。

如第4圖所示，係本創作中開關單元之電路圖，具體包括相互連接的第一電晶體Q3和第二電晶體Q4，其中，第一電晶體Q3的閘極與電壓檢測單元連接，且源極接地，汲極與第二電晶體Q4的閘極連接；第二電晶體Q4的源極與外部電源單元連接，汲極與供電單元連接。更進一步地，在本實施例中，第一電晶體Q3為一NMOS電晶體，第二電晶體Q4為一PMOS電晶體。特別是，在本創作中，第一電晶體Q3(NMOS電晶體)的型號為2N7002，第二電晶體Q4(PMOS電晶體)的型號為FDS6679AZ，本創作對NMOS電晶體和PMOS電晶體的具體型號不作限定，只要其能實現本創作的目的，都包括在本創作的內容中。

作為一個完整的實施例，如第5圖所示，係本創作第一實施例之電路圖，以鉗位二極體D1為穩壓二極體，壓控元件為一NMOS電晶體 Q1，第一電晶體Q3為一NMOS電晶體，第二電晶體Q4為一PMOS電晶體為例，對於本創作中過壓保護電路的流程作出如下描述：

假設穩壓二極體的鉗位電壓為12V，此時若外部電源單元接入的電壓為19V，則穩壓二極體D兩端電壓穩定在12V，因而在第一分壓電阻R1上的電壓為剩下的5V，因而壓控元件的第一端(NMOS電晶體Q1的閘極)為高電平，達到NMOS電晶體Q1的導通電壓，從而NMOS電晶體Q1導通，此時壓控元件的第三端(NMOS電晶體Q1的汲極)為低電平輸出；即開關單元中的第一電晶體Q3的閘極為低電平輸入，沒到達到第一電晶體Q3的導通條件，從而第一電晶體Q3不導通；此時，第二電晶體Q4的閘極為高電平輸入，即第二電晶體Q4未達到導通條件從而不導通，開關電路關閉，不為後續的供電單元供電。

類似的，假設外部電源接入的電壓為12V或5V，則此時穩壓二極體相當於斷開，因而壓控元件的第一端(NMOS電晶體Q1的閘極)為低電平，從而NMOS電晶體Q1不導通，壓控元件的第三端(NMOS電晶體Q1的汲極)高電平輸出，即第一電晶體Q3閘極為高電平輸入(第一電晶體Q3達到導通條件導通)，汲極為低電平輸出，此時第二電晶體Q4閘極為低電平輸入(達到第二電晶體Q4的導通條件)，第二電晶體Q4導通，開關單元導通，為後續供電單元供電。

如第6圖所示，係本創作第二實施例之電路圖，壓控單元為PMOS電晶體Q2時其工作流程與上述NMOS電晶體類似，在此不做贅述。

進一步地，在實際應用中，供電單元可以等價為電阻Rload和電容Cload並聯，此時，如果開關單元中的第二電晶體Q4打開速度過快， 則供電單元中的等價電容Cload會迅速充電導致一個較大的尖峰電流在第二電晶體Q4的汲極和源極之間出現，甚至可能燒壞第二電晶體Q4，如果電流更大，甚至燒壞外置變壓器及電源輸入介面。因此，對上述本創作第一實施例和第二實施例進行進一步改進為第三實施例和第四實施例，在第二電晶體Q4之前設計了一個RC延時電路，如第7~8圖所示，具體包括：第三分壓電阻R3，第四分壓電阻R4，以及一電容C1；其中，第三分壓電阻R3與電容C1並聯連接，其連接的第一端及第二電晶體Q4的源極分別與外部電源單元連接，其連接的第二端分別與第四分壓電阻R4的第一端及第二電晶體Q4的閘極連接；第四分壓電阻R4的第二端與第一電晶體Q3的汲極連接。具體地，在本創作中，通過控制第三分壓電阻R3及第四分壓電阻R4的阻值以及電容C1的取值來降低第二電晶體Q4的導通速度，進而降低尖峰電流的峰值，其中，第一分壓電阻R1及第二分壓電阻R2的關係能夠保證第二電晶體Q4完全導通即可，如，第一分壓電阻R1大於10倍的第二分壓電阻R2。特別地，在本創作中，為保證第二電晶體Q4打開足夠緩慢，一般第三分壓電阻R3選取大於100K級的阻值；在本創作中，RC延時電路中電容的容量為1U，且其兩端最大承受電壓為25V。工作時，在開關單元中，當電信號從第一電晶體Q3中輸出之後，在電信號輸入第二電晶體Q4之前，電信號先經過上述RC延時電路，以達到保護第二電晶體Q4和整個過壓保護電路的作用。

如第9圖所示，係本創作第五實施例之電路圖，即當所述壓控單元為NMOS電晶體Q1時，將開關單元中包括的第一電晶體Q3改進為第三電晶體Q5，其中，第三電晶體Q5的閘極與電壓檢測單元(NMOS電晶體Q1的汲極)連接，源極與外部電源單元連接，汲極與第二電晶體Q4的閘極(第 二分壓電阻R2的第一端)連接；第二電晶體Q4的源極與外部電源單元連接，汲極與供電單元連接；同時，在第三電晶體Q5的源極與外部電源單元之間還設置了一阻值為4.7K的電阻R5。更進一步地，在本實施例中，第二電晶體Q4和第三電晶體Q5都為一PMOS電晶體。特別是，在本創作中，第二電晶體Q4的型號為FDS6679AZ，第三電晶體Q5(PMOS電晶體)的型號為P5103EMG，本創作對NMOS電晶體和PMOS電晶體的具體型號不作限定，只要其能實現本創作的目的，都包括在本創作的內容中，其工作流程在此不做贅述，與開關單元中包括第一電晶體Q3和第二電晶體Q4時類似。

如第10圖所示，係本創作第六實施例之電路圖，即當所述壓控單元為PMOS電晶體Q2時，所述開關單元中只包括第二電晶體Q4，其中，所述PMOS電晶體Q2的汲極與第二分壓電阻R4的第一端連接。

以上對創作的具體實施例進行了詳細描述，但本創作並不限制於以上描述的具體實施例，其只是作為範例。對於本領域技術人員而言，任何對該系統進行的等同修改和替代也都在本創作的範疇之中。因此，在不脫離創作的精神和範圍下所作出的均等變換和修改，都應涵蓋在本創作的範圍內。

Claims (9)

1. 一種過壓保護電路，分別與外部電源單元及供電單元連接，其特徵在於：包括電壓檢測單元和開關單元，所述電壓檢測單元的輸入端與所述外部電源單元連接，所述電壓檢測單元的輸出端與所述開關單元的輸入端連接，所述開關單元的輸出端與所述供電單元連接，所述外部電源單元同時為所述開關單元供電；所述電壓檢測單元包括一與所述外部電源單元連接且由所述外部電源單元控制導通和關閉的壓控元件，所述壓控元件的輸出端與所述開關單元連接，控制所述開關單元的導通和關閉；當所述電壓檢測單元檢測到所述外部電源單元的輸出電壓達到所述壓控元件的閾值電壓時，則所述壓控元件導通，輸出相應地控制電平至所述開關單元，關閉所述開關單元以保護所述供電單元。
2. 如請求項1之過壓保護電路，其特徵在於：所述電壓檢測單元包括所述壓控元件，鉗位二極體，第一分壓電阻，以及第二分壓電阻；所述鉗位二極體的負極與所述外部電源單元連接，正極分別與所述壓控元件的第一端及所述第一分壓電阻的第一端連接； 所述第一分壓電阻的第二端及所述壓控元件的第二端分別接地；所述第二分壓電阻的第一端與所述外部電源單元連接，第二端及所述壓控元件的第三端分別與所述開關單元連接。
3. 如請求項2之過壓保護電路，其特徵在於：所述壓控元件為一NMOS電晶體，且所述壓控元件的第一端，第二端以及第三端分別對應所述NMOS電晶體的閘極，源極以及汲極。
4. 如請求項1之過壓保護電路，其特徵在於：所述電壓檢測單元包括壓控元件，鉗位二極體，第一分壓電阻，以及第二分壓電阻；所述第一分壓電阻的第一端與所述外部電源單元連接，所述第一分壓電阻的第二端及所述鉗位二極體的負極分別與所述壓控元件的第一端連接，所述鉗位二極體的正極接地；所述壓控元件的第二端與所述第二分壓電阻的第二端連接，所述第二分壓電阻的第一端與所述外部電源單元連接，所述壓控元件的第三端與所述開關單元連接。
5. 如請求項4之過壓保護電路，其特徵在於：所述壓控元件為一PMOS電晶體，且所述壓控元件的第一端，第二端以及第三端分別對應所述PMOS電晶體的閘極，源極以及汲極。
6. 如請求項2~5中任一項之過壓保護電路，其特徵在於：所述鉗位二極體為穩壓二極體或TVS二極體。
7. 如請求項6之過壓保護電路，其特徵在於：所述開關單元中包括相互連接的第一電晶體和第二電晶體，其中，所述第一電晶體的閘極與電壓檢測單元連接，且源極接地，汲極與所述第二電晶體的閘極連接；所述第二電晶體的源極與所述外部電源單元連接，汲極與所述供電單元連接。
8. 如請求項7之過壓保護電路，其特徵在於，所述開關單元中還包括一RC延時電路，具體包括：第三分壓電阻，第四分壓電阻，以及一電容；所述第三分壓電阻與所述電容並聯連接，其連接的第一端及所述第二電晶體的源極分別與所述外部電源單元連接，其連接的第二端分別與所述第四分壓電阻的第一及所述第二電晶體的閘極連接；所述第四分壓電阻的第二端與所述第一電晶體的汲極連接。
9. 如請求項7之過壓保護電路，其特徵在於：所述第一電晶體為一NMOS電晶體；所述第二電晶體為一PMOS電晶體。