TWM495507U - 光譜偵測器 - Google Patents
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Description
本新型是有關於一種偵測器,且特別是有關於一種光譜偵測器。
化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,CVD)技術為目前半導體製程中相當常見之鍍膜技術。化學氣相沉積技術中之電漿增益化學氣相沉積(Plasma Enhanced CVD,PECVD)技術更是目前光電半導體產業中關鍵的鍍膜技術,可在玻璃基板上順利沉積薄膜。一般而言,電漿增益化學氣相沉積之工作原理係在密閉的反應腔體中,使製程氣體均勻流向承載玻璃基板之加熱器,並利用電漿將製程氣體分解後而在均溫之玻璃基板上形成薄膜。
在電漿增益化學氣相沉積製程中,由於製程腔體內電漿氣體成份的比例嚴重影響鍍膜品質,因此為了提升鍍膜品質,目前的做法是利用監控系統,來即時監控製程腔體內之製程氣體的比例變化,再根據所監控到的結果來進行製程氣體的調整。
然而,監控系統是外置式系統,即設置在製程腔體外來進行監控的系統時,有量測角度及位置侷限的問題。另一方面,監控系統是內置式系統,即設置在製程腔體內
來進行監控的系統時,監控系統會遭受製程氣體的汙染,導致偵測鏡頭的操穿透率下降,而造成監控系統的判讀準確性不佳。如此一來,不僅監控系統的使用時間短,耗材成本增加,且因監控的判讀準確性差,而無法維持鍍膜的品質。
因此,本新型之一態樣就是在提供一種光譜偵測器,其前端設有具許多穿孔之防鍍柱體,而可使製程腔體內進入光譜偵測器之大部分氣體附著於防鍍柱體的穿孔中。如此一來,可避免製程氣體汙染偵測鏡頭,而可改善光譜偵測器在長時間使用下光穿透率降低的問題,進而可提升監控品質。故,光譜偵測器之運用可有助於維持鍍膜品質的均勻性。
本新型之另一態樣是在提供一種光譜偵測器,其防鍍柱體與後端之偵測鏡頭之間設有透明防汙片,可阻擋通過防鍍柱體之穿孔的少部分製程氣體,而可更進一步避免製程氣體汙染偵測鏡頭。
本新型之又一態樣是在提供一種光譜偵測器,其可降低製程氣體對偵測鏡頭的汙染,因此可延長光譜偵測器之使用壽命,進而可降低耗材成本。
本新型之再一態樣是在提供一種光譜偵測器,其為內置式偵測器,因此可解決偵測器量測角度與位置受到侷限的問題。
根據本新型之上述目的,提出一種光譜偵測器。此
光譜偵測器包含中空轉接元件、防鍍柱體以及偵測鏡頭。中空轉接元件具有第一接合孔與第二接合孔,其中中空轉接元件包含透明防汙片隔設在第一接合孔與第二接合孔之間。防鍍柱體具有數個穿孔貫穿防鍍柱體之相對之第一端與第二端。防鍍柱體設置於第一接合孔中,且第一端鄰近透明防汙片。偵測鏡頭設置於第二接合孔中,並鄰近透明防汙片。
依據本新型之一實施例,上述之透明防汙片係石英片。
依據本新型之另一實施例,上述之透明防汙片係透光率等於或大於90%之透明片。
依據本新型之又一實施例,上述之防鍍柱體之長度為20mm。
依據本新型之再一實施例,上述每一穿孔之孔徑為1mm。
依據本新型之再一實施例,上述之防鍍柱體係金屬柱體。
依據本新型之再一實施例,上述之防鍍柱體係鋁柱。
依據本新型之再一實施例,上述之偵測鏡頭係光纖鏡頭。
100‧‧‧光譜偵測器
102‧‧‧中空轉接元件
104‧‧‧第一接合孔
106‧‧‧第二接合孔
108‧‧‧透明防汙片
110‧‧‧防鍍柱體
112‧‧‧穿孔
114‧‧‧第一端
116‧‧‧第二端
118‧‧‧偵測鏡頭
為讓本新型之上述和其他目的、特徵、優點與實施例
能更明顯易懂,所附圖式之說明如下:第1圖係繪示依照本新型之一實施方式的一種光譜偵測器之組裝剖面圖。
第2圖係繪示依照本新型之一實施方式的一種光譜偵測器之組裝立體圖。
第3圖係繪示依照本新型之一實施方式的一種光譜偵測器之立體示意圖。
請參照第1圖、第2圖與第3圖,其係分別繪示依照本新型之一實施方式的一種光譜偵測器之組裝剖面圖、組裝立體圖與立體圖。在本實施方式中,光譜偵測器100可應用於電漿增益化學氣相沉積設備之製程腔室中,以在製程期間偵測與監控製程腔室內之電漿氣體的成分比例,以利維持鍍膜品質的均勻性。因此,光譜偵測器100可為裝設在製程腔式之內置式偵測器,而可克服光譜量測角度與量測位置受限的問題,進而可用使用者更方便進行各電漿區域之電漿製程的量測與監控。此外,光譜偵測器100具有防鍍設計,可有效降低製程氣體對鏡頭的汙染,進而可維持光譜偵測器100之偵測準確度。
在一些實施例中,光譜偵測器100主要包含中空轉接元件102、防鍍柱體110以及偵測鏡頭118。如第1圖所示,中空轉接元件102可為中空柱體,且此中空柱體之內部空間可大致區分成第一接合孔104與第二接合孔106,以分別供防鍍柱體110與偵測鏡頭118設置,藉此達到結合
防鍍柱體110與偵測鏡頭118的目的。中空轉接元件102之柱體的材料可為金屬,例如價格便宜且加工方便的金屬鋁。中空轉接元件102包含透明防汙片108,此透明防汙片108設置在中空轉接元件102之內部空間中,並隔開第一接合孔104與第二接合孔106。在一些例子中,透明防汙片108係透光率等於或大於90%的透明片,以降低對偵測鏡頭118之收光效率的影響。透明防汙片108較佳係可耐熱1000℃以上。在一些示範例子中,透明防汙片108係石英片。
如第1圖,防鍍柱體110具有相對之第一端114與第二端116,其中防鍍柱體110具有數個穿孔112,這些穿孔112貫穿防鍍柱體110而連通第一端114與第二端116。請同時參照第1圖與第3圖,在光譜偵測器100中,防鍍柱體110設置在中空轉接元件102之第一接合孔104中,且防鍍柱體110之第一端114鄰近中空轉接元件102內部之透明防汙片108。防鍍柱體110可為金屬柱體。由於鋁金屬的價格便宜,且加工方便,因此防鍍柱體110可採用鋁柱。
由於製程氣體進入到光譜偵測器110時,這些製程氣體的大部分會先附著在防鍍柱體110之穿孔112的內側面上,如此可大大地減少進入光譜偵測器110之後端的氣體數量,進而可大幅降低製程氣體對於光譜偵測器110之後端的偵測鏡頭118的汙染。而通過防鍍柱體110之穿孔112來到防鍍柱體110之第一端114附近的少部分製程氣體,透明防汙片108可阻擋這些製程氣體,因此可避免製
程氣體汙染到後端之偵測鏡頭118,提供偵測鏡頭118更進一步的保護。
在本實施方式中,防鍍柱體110的長度愈長,對於製程氣體進入光譜偵測器110後端的阻擋能力愈佳,但會使得光譜偵測器110之收光效率變差。因此,防鍍柱體110的長度可經適當設計,以獲得較佳效果。在一些例子中,防鍍柱體110的長度為實質20mm。
另一方面,防鍍柱體110之穿孔112的孔徑愈小,且排列的密度愈大,對於製程氣體進入光譜偵測器110後端的阻擋能力愈佳,但穿孔112的孔徑愈小會使得光譜偵測器110之收光效率變差。因此,防鍍柱體110之穿孔112的孔徑可經適當設計,以獲得較佳效果。在一些例子中,防鍍柱體110之穿孔112的孔徑為實質1mm。穿孔112之形狀可為圓形、橢圓形、三角形、方形、多邊形、或不規則形狀。
請再次參照第1圖至第3圖,偵測鏡頭118設置在中空轉接元件102之第二接合孔106中,且鄰近中空轉接元件102內部之透明防汙片108。偵測鏡頭118與防鍍柱體110分別位於透明防汙片108之相對二側。在一些例子中,偵測鏡頭118係光纖鏡頭。在一示範例子中,偵測鏡頭118之可調焦距範圍為實質5mm。
在光譜偵測器100中,防鍍柱體110以及偵測鏡頭118之形狀係分別與中空轉接元件之第一接合孔104以及第二接合孔106之形狀相對應。在一些例子中,防鍍柱體
110與偵測鏡頭118可為圓柱、橢圓柱、方柱或多邊形柱,而第一接合孔104以及第二接合孔106可對應為圓孔、橢圓孔、方孔或多邊形孔。在一示範例子中防鍍柱體110與偵測鏡頭118均可為圓柱,而第一接合孔104以及第二接合孔106均為圓孔。
由上述之實施方式可知,本新型之一優點就是因為本新型之光譜偵測器的前端設有具許多穿孔之防鍍柱體,而可使製程腔體內進入光譜偵測器之大部分氣體附著於防鍍柱體的穿孔中。如此一來,可避免製程氣體汙染偵測鏡頭,而可改善光譜偵測器在長時間使用下光穿透率降低的問題,進而可提升監控品質。因此,光譜偵測器之運用可有助於維持鍍膜品質的均勻性。
由上述之實施方式可知,本新型之另一優點就是因為本新型之光譜偵測器的防鍍柱體與後端之偵測鏡頭之間設有透明防汙片,可阻擋通過防鍍柱體之穿孔的少部分製程氣體,因此可更進一步避免製程氣體汙染偵測鏡頭。
由上述之實施方式可知,本新型之又一優點就是因為本新型之光譜偵測器可降低製程氣體對偵測鏡頭的汙染,因此可延長光譜偵測器之使用壽命,進而可降低耗材成本。
由上述之實施方式可知,本新型之再一優點就是因為本新型之光譜偵測器為內置式偵測器,因此可解決偵測器量測角度與位置受到侷限的問題。
雖然本新型已以實施例揭露如上,然其並非用以限
定本新型,任何在此技術領域中具有通常知識者,在不脫離本新型之精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾,因此本新型之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧光譜偵測器
102‧‧‧中空轉接元件
104‧‧‧第一接合孔
106‧‧‧第二接合孔
108‧‧‧透明防汙片
110‧‧‧防鍍柱體
112‧‧‧穿孔
114‧‧‧第一端
116‧‧‧第二端
118‧‧‧偵測鏡頭
Claims (8)
- 一種光譜偵測器,包含:一中空轉接元件,具有一第一接合孔與一第二接合孔,其中該中空轉接元件包含一透明防汙片隔設在該第一接合孔與該第二接合孔之間;一防鍍柱體,具有複數個穿孔貫穿該防鍍柱體之相對之一第一端與一第二端,其中該防鍍柱體設置於該第一接合孔中,且該第一端鄰近該透明防汙片;以及一偵測鏡頭,設置於該第二接合孔中,並鄰近該透明防汙片。
- 如請求項1所述之光譜偵測器,其中該透明防汙片係一石英片。
- 如請求項1所述之光譜偵測器,其中該透明防汙片係透光率等於或大於90%之一透明片。
- 如請求項1所述之光譜偵測器,其中該防鍍柱體之長度為20mm。
- 如請求項1所述之光譜偵測器,其中每一該些穿孔之孔徑為1mm。
- 如請求項1所述之光譜偵測器,其中該防鍍柱體係一金屬柱體。
- 如請求項1所述之光譜偵測器,其中該防鍍柱體係一鋁柱。
- 如請求項1所述之光譜偵測器,其中該偵測鏡頭係一光纖鏡頭。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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TW103218361U TWM495507U (zh) | 2014-10-16 | 2014-10-16 | 光譜偵測器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW103218361U TWM495507U (zh) | 2014-10-16 | 2014-10-16 | 光譜偵測器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWM495507U true TWM495507U (zh) | 2015-02-11 |
Family
ID=53017791
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW103218361U TWM495507U (zh) | 2014-10-16 | 2014-10-16 | 光譜偵測器 |
Country Status (1)
Country | Link |
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TW (1) | TWM495507U (zh) |
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2014
- 2014-10-16 TW TW103218361U patent/TWM495507U/zh not_active IP Right Cessation
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