TWM495362U - 防止邊緣缺陷之晶片壓印裝置 - Google Patents

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TWM495362U
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zheng-zhong Hu
zhi-wen Fan
Jian-Qing Lv
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Cello Technology Co Ltd
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)

Description

防止邊緣缺陷之晶片壓印裝置
本案為一種防止邊緣缺陷之晶片壓印裝置,尤指利用設於晶片邊緣間隙之軟性彈性材料產生形變之防止邊緣缺陷之晶片壓印裝置。
習用的奈米壓印技術(Nano Imprint Lithography)是一種將具有奈米結構圖案的軟模,透過壓合等方式,令軟模的結構圖案壓印至晶片上塗佈之光阻,藉以令光阻獲得軟模奈米結構圖案之方法。由於奈米壓印技術可以達到奈米等級之效果,且壓印速度快,具備量產優勢,因此目前已廣為應用至半導體元件之奈米製程中。
參照第一圖(A)(B)(C)(D)為習用的奈米壓印技術示意圖,其中包含了軟模11、光阻12及晶片13。如圖(A)所示,首先於晶片13上塗佈光阻12,接著如圖(B)所示,透過壓印,使光阻12隨著軟模11之奈米結構圖案固化成形,最後如圖(C)及(D)所示,分離軟模11並透過蝕刻技術去除殘留光阻12,實現將軟模11之奈米結構圖案壓印至光阻12之效果。
參照第二圖為習用的奈米壓印設備示意圖,其中包含了軟膜11、光阻12、晶片13、載盤21、間隙22、凹槽23等構件。在習用的 奈米壓印設備中,晶片13側壁與載盤凹槽23側壁之間的間隙22,使得晶片在壓印時,因軟膜受壓不均,而導致邊緣光阻部份的圖樣失真,進而產生邊緣缺陷24。
習用的技術具有下列缺點:1.習用奈米壓印設備,在晶片與凹槽之間的間隙會有邊緣缺陷,造成製成良率的下降;2.習用奈米壓印設備,因軟膜受壓不均,造成軟膜的受損,製程成本上升。
因此,如何改進上述習用的缺點,防止邊緣缺陷,降低軟膜的受損,係為本案所關注者。
本案的目的在於提出一新穎且進步的防止邊緣缺陷之晶片壓印裝置,於載盤凹槽側邊與晶片側邊之間隙設置一軟性彈性材料,藉此透過軟性彈性材料於晶片壓印時產生形變,填滿晶片側邊與凹槽側邊之間隙,使軟膜平整均勻壓印在晶片上,有效防止邊緣缺陷及延長軟膜的使用壽命。
為達上述目的,本案提出一種防止邊緣缺陷之晶片壓印裝置,至少包含:一載盤,該載盤上係具至少一凹槽,該凹槽係於該載盤上定義出一晶片置放區域,藉以於該晶片置放區域中放置一晶片;一軟性彈性材料,係設於該凹槽之一側邊與該晶片之一側邊之間隙;其中,該晶片置於該凹槽內之該晶片置放區域時,該晶片之 一側邊係相鄰於該軟性彈性材料;其中,於該晶片上方之一軟模壓印於該晶片時,該軟性彈性材料因應該軟模之壓力,產生形變,進而向晶片之側邊及該凹槽之側邊延伸,並與該軟模接觸,使該軟模與該晶片在平整貼合的情況下進行壓印,以防止該晶片壓印之邊緣缺陷。
上述之防止邊緣缺陷之晶片壓印裝置,其中該軟性彈性材料係由橡膠材質所製成。
上述之防止邊緣缺陷之晶片壓印裝置,其中該晶片係包含一光阻,該軟模係具一圖樣;於壓印時,該圖樣係可壓印於該光阻上。
11‧‧‧軟模
12‧‧‧光阻
13‧‧‧晶片
21‧‧‧載盤
22‧‧‧間隙
23‧‧‧凹槽
24‧‧‧邊緣缺陷
31‧‧‧軟性彈性材料
41‧‧‧形變之軟性彈性材料
第一圖(A)(B)(C)(D)為習用的奈米壓印技術示意圖;第二圖為習用的奈米壓印設備示意圖;第三圖為本案較佳實施例之防止邊緣缺陷之奈米壓印裝置壓印前示意圖;第四圖為本案較佳實施例之防止邊緣缺陷之奈米壓印裝置壓印時示意圖。
參照第三圖為本案較佳實施例之防止邊緣缺陷之奈米壓印裝置壓印前示意圖,其中包含了軟膜11、光阻12、晶片13、載盤21、 間隙22、凹槽23及軟性彈性材料31等構件。
載盤21上係具一凹槽23,該凹槽23係於該載盤21上定義出一晶片置放區域,藉以於該晶片置放區域中放置一晶片13。軟性彈性材料31係設於該凹槽23之內側與晶片之外側之間隙。間隙底部有下凹,可固定軟性彈性材料31。
參照第四圖為本案較佳實施例之防止邊緣缺陷之奈米壓印裝置壓印時示意圖,其中包含了軟膜11、光阻12、晶片13、載盤21、間隙22、凹槽23及形變之軟性彈性材料41等構件。
晶片13係置於該凹槽23內,而該凹槽23之內側與該晶片13之外側之間有一間隙22。當晶片13上方之軟模11壓印於晶片13時,軟性彈性材料31(第三圖)可產生形變,形成形變之軟性彈性材料41,形變之軟性彈性材料41上方約略為T形狀,可向該間隙41延伸而出,並與該軟模11接觸,頂住軟模11,使該軟模11與該晶片13在平整貼合的情況下進行壓印,由於晶片邊緣的地方有形變之軟性彈性材料41補平,故可防止該晶片壓印之邊緣缺陷24(第二圖)。
晶片13係設置在載盤21之凹槽23內,且在晶片13的表面上塗佈了一層光阻12。晶片13的光阻12上方有軟模11,且在軟模11朝向光阻12的表面上具有奈米結構圖案。當施加一壓力,可使軟膜11的奈米結構圖案壓印在光阻12上。
為了防止邊緣缺陷產生,形變之軟性材料41會填滿整個間隙22(晶片邊緣),使軟膜11在平整貼合的情況下,對晶片13上的光阻12進行壓印。如此一來,即可有效防止習用之邊緣缺陷的產生。
軟性彈性材料可為橡膠或各式具延展功能的軟性材料,藉以在軟性彈性材料受到擠壓後,填滿軟膜11、晶片13與凹槽23之間的間隙22,使軟膜均勻受力,將奈米結結構的圖樣壓印在光阻12上方。另外,形變之軟性彈性材料41亦可提供一緩衝效果,有效增加壓印的良率。
本案具有下列優點:
1.本案所提出的防止邊緣缺陷之奈米壓印裝置,透過軟性彈性材料之形變,填補晶片邊緣的間隙,可有效防止邊緣缺陷產生,進而增加晶片壓印之良率;
2.本案所提出的防止邊緣缺陷之奈米壓印裝置,有效避免邊緣缺陷,有效增加軟膜之使用時間,進而降低製程的成本。
3.本案所提出的防止邊緣缺陷之奈米壓印裝置,晶片邊緣設有軟性彈性材料,提供一緩衝效果,可有效增加壓印的良率。
綜上所述,本案所提之防止邊緣缺陷之奈米壓印裝置,有效避免晶片邊緣缺陷之問題,進步新穎且實用,如其變更設計,例如應用至各式晶片之防止邊緣缺陷之奈米壓印裝置、採用各種形狀材質之軟性彈性材料或是採用各種形狀之凹槽等,只要是在奈米壓印裝置之載盤凹槽內側與晶片外側之間隙設有軟性彈性材料者,皆為本案所欲揭露及保護者。
本案所揭露之技術,得由熟習本技術人士據以實施,而其前所未有之作法亦具備專利性,爰依法提出專利之申請。惟上述之實施例尚不足以涵蓋本案所欲保護之專利範圍,因此,提出申請專利 範圍如附。
11‧‧‧軟模
12‧‧‧光阻
13‧‧‧晶片
21‧‧‧載盤
22‧‧‧間隙
23‧‧‧凹槽
24‧‧‧邊緣缺陷
31‧‧‧軟性彈性材料

Claims (4)

  1. 一種防止邊緣缺陷之晶片壓印裝置,至少包含:一載盤,該載盤上係具至少一凹槽,該凹槽係於該載盤上定義出一晶片置放區域,藉以於該晶片置放區域中放置一晶片;一軟性彈性材料,係設於該凹槽之一側邊與該晶片之一側邊之間隙;其中,該晶片置於該凹槽內之該晶片置放區域時,該晶片之一側邊係相鄰於該軟性彈性材料;其中,於該晶片上方之一軟模壓印於該晶片時,該軟性彈性材料因應該軟模之壓力,產生形變,進而向晶片之側邊及該凹槽之側邊延伸,並與該軟模接觸,使該軟模與該晶片在平整貼合的情況下進行壓印,以防止該晶片壓印之邊緣缺陷。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之防止邊緣缺陷之晶片壓印裝置,其中該軟性彈性材料係由橡膠材質所製成。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之防止邊緣缺陷之晶片壓印裝置,其中該晶片係包含一光阻,該軟模係具一圖樣;於壓印時,該圖樣係可壓印於該光阻上。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之防止邊緣缺陷之晶片壓印裝置,其中該圖樣係為一奈米結構圖樣。
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