TWM467252U

TWM467252U - 電壓整流電路

Info

Publication number: TWM467252U
Application number: TW102210028U
Authority: TW
Inventors: Tsung-Hsueh Li; Te-Hsun Huang
Original assignee: Feature Integration Technology Inc
Priority date: 2013-05-29
Filing date: 2013-05-29
Publication date: 2013-12-01
Also published as: CN203608103U

Description

電壓整流電路

本創作係有關於一種電壓整流電路，尤指一種使用電晶體來實作的電壓整流電路。

為了解決交流轉直流或是防止元件之電源端與接地端之極性反接的問題，通常會使用如第1圖所示之橋式整流電路100來將不同的輸入電壓相位導回至固定的電壓準位。參考第1圖所示之橋式整流電路100，橋式整流電路100包含有四個二極體D1~D4，橋式整流電路100可以將輸入電壓V_IN轉換為直流的固定輸出電壓V_OUT，然而，由於二極體D1~D4本身有導通電壓的限制，因此，輸出電壓會有一定的壓降。舉例來說，輸出電壓V_OUT之正極的電壓通常比輸入電壓V_IN之正極的電壓低0.3~0.9V，而輸出電壓V_OUT之負極的電壓通常比輸入電壓V_IN之負極的電壓高0.3~0.9V，因此，實際有效的輸出電壓V_OUT比起輸入電壓V_IN會少了0.6~1.8V，這通常會造成後端元件無法獲得足夠的電壓而無法正常工作。

因此，本創作的目的之一在於提供一種電壓整流電路，其使用電晶體來實作，以解決習知技術的問題。

依據本創作一實施例，一種電壓整流電路包含：一第一電壓輸入端點以及一第二電壓輸入端點；一第一電壓輸出端點以及一第二電壓輸出端點；一第一電晶體與一第二電晶體，其中該第一電晶體的一第一電極連接到該第一電壓輸入端點，該第一電晶體的一第二電極連接到該第二電晶體的一第一電極與該第二電壓輸出端點，以及該第二電晶體的一第二電極連接到該第二電壓輸入端點；一第三電晶體以及一第四電晶體，其中該第三電晶體的一第一電極連接到該第一電壓輸入端點，該第三電晶體的一第二電極連接到該第四電晶體的一第一電極與該第一電壓輸出端點，該第四電晶體的一第二電極連接到該第二電壓輸入端點，該第三電晶體的一閘極經由一電阻連接到該第一電晶體的一閘極，該第四電晶體的一閘極經由一電阻連接到該第二電晶體的一閘極，該第一、第三電晶體的該閘極耦接至該第二電壓輸入端點，以及該第二、第四電晶體的該閘極耦接至該第一電壓輸入端點；一電壓偵側電路，用來偵測該第一電壓輸出端點與該第二電壓輸出端點的電壓準位，以產生一偵測結果；以及一控制訊號產生電路，耦接於該電壓偵側電路，用來依據該偵測結果以產生一控制訊號至該第一、第二、第三、第四電晶體中的一個電晶體的閘極。

依據本創作另一實施例，一種電壓整流電路包含：一第一電壓輸入端點以及一第二電壓輸入端點；一第一電壓輸出端點以及一第二電壓輸出端點；一第一電晶體與一第二電晶體，其中該第一電晶體的一第一電極連接到該第一電壓輸入端點，該第一電晶體的一第二電極連接到該第二電晶體的一第一電極與該第二電壓輸出端點，以及該第二電晶體的一第二電極連接到該第二電壓輸入端點；一第三電晶體以及一第四電晶體，其中該第三電晶體的一第一電極連接到該第一電壓輸入端點，該第三電晶體的一第二電極連接到該第四電晶體的一第一電極與該第一電壓輸出端點，該第四電晶體的一第二電極連接到該第二電壓輸入端點，該第三電晶體的一閘極經由一電阻連接到該第一電晶體的一閘極，該第四電晶體的一閘極經由一電阻連接到該第二電晶體的一閘極，該第一、第三電晶體的該閘極耦接至該第二電壓輸入端點，以及該第二、第四電晶體的該閘極耦接至該第一電壓輸入端點；一電流偵側電路，用來偵測該電壓整流電路的一電流，以產生一偵測結果；以及一控制訊號產生電路，耦接於該電流偵側電路，用來依據該偵測結果以產生一控制訊號至該第一、第二、第三、第四電晶體中的一個電晶體的閘極。

100‧‧‧橋式整流電路

200、300、400、500、600、700、800‧‧‧電壓整流電路

310、410、510‧‧‧電壓偵側電路

320、420、520、 620、720、820‧‧‧控制訊號產生電路

610、710、810‧‧‧電流偵側電路

D1~D4‧‧‧二極體

M1~M4‧‧‧電晶體

A、B‧‧‧電壓輸入端點

C、D‧‧‧電壓輸出端點

R‧‧‧電阻

SW1、SW2‧‧‧開關

第1圖所示為習知橋式整流電路的示意圖。

第2圖為依據本創作一第一實施例之電壓整流電路的示意圖。

第3圖為依據本創作一第二實施例之電壓整流電路的示意圖。

第4圖為依據本創作一第三實施例之電壓整流電路的示意圖。

第5圖為依據本創作一第四實施例之電壓整流電路的示意圖。

第6圖為依據本創作一第五實施例之電壓整流電路的示意圖。

第7圖為依據本創作一第六實施例之電壓整流電路的示意圖。

第8圖為依據本創作一第七實施例之電壓整流電路的示意圖。

請參考第2圖，第2圖為依據本創作一第一實施例之電壓整流電路200的示意圖。如第2圖所示，電壓整流電路200包含有兩個電壓輸入端點A、B、兩個電壓輸出端點C、D、以及四個電晶體M1~M4，其中M1與M2為N型金氧半導體電晶體(NMOS)，而M3與M4為P型金氧半導體電晶體(PMOS)。電壓整流電路200係用來在端點A、B接收一輸入電壓V_IN，並在端點C、D產生一輸出電壓V_OUT。此外，於本實施例中，電壓整流電路200應用於車用發光二極體模組中，用來將汽車所提供的一直流輸入電源轉換為一直流輸出電源給發光二極體模組使用，但本創作不以此為限。

在電晶體M1~M4的連接上，電晶體M1的汲極連接到端點A，電晶體M1的源極連接到電晶體M2的汲極與端點D，電晶體M2的源極連接到端點B；電晶體M3的源極連接到端點A，電晶體M3的汲極連接到電晶體M4的源極與端點C，電晶體M4的汲極連接到端點B，電晶體M3的閘極連接到電晶體M1的閘極，電晶體M4的閘極連接到電晶體M2的閘極，電晶體M1、M3的閘極連接至端點B，以及電晶體M2、M4的閘極連接至端點A。

在電壓整流電路200的操作上，當輸入電壓V_IN的極性正確時(亦即電壓整流電路200連接到電源上時沒有反接，端點A為高電壓、端點B為低電壓)，電晶體M2與M3會導通，而電晶體M1及M4則不會導通，因此，端點C的電壓會與端點A相同，而端點D的電壓則會與端點B相同，亦即輸出電壓V_OUT會很接近輸入電壓V_IN，而不會有習知技術中的壓降問題。

另外，當輸入電壓V_IN的極性不正確(相反)時(亦即電壓整流電路200連接到電源上時極性接反了，端點A為低電壓、端點B為高電壓)，電晶體M1與M4會導通，而電晶體M2及M3則不會導通，因此，端點C的電壓會與端點B相同，而端點D的電壓則會與端點A相同，亦即輸出電壓V_OUT的極性仍然是正確的(端點C為高電壓、端點D為低電壓)，且其電壓會很接近輸入電壓V_IN，不會有習知技術中的壓降問題。

然而，雖然第2圖所示的電壓整流電路200可以產生與輸入電壓V_IN類似的輸出電壓V_OUT，但由於在某些情況下，輸入電壓V_IN的振幅可能會突然增加，因此會造成輸出電壓V_OUT也跟著變動而影響到後端電路的操作，為了解決此一問題，本創作提出了以下實施例以提供一個穩定的輸出電壓V_OUT至後端電路。

請參考第3圖，第3圖為依據本創作一第二實施例之電壓整流電路300的示意圖。如第3圖所示，電壓整流電路300包含有兩個電壓輸入端點A、B、兩個電壓輸出端點C、D、四個電晶體M1~M4、兩個電阻R、一電壓偵側電路310、一控制訊號產生電路320、以及兩個開關SW1、SW2，其中M1與M2為N型金氧半導體電晶體(NMOS)，而M3與M4為P型金氧半導體電晶體(PMOS)。電壓整流電路300係用來在端點A、B接收一輸入電壓V_IN，並在端點C、D產生一輸出電壓V_OUT。此外，於本實施例中，開關SW1、SW2係使用N型金氧半導體電晶體來實作，但本創作不以此為限。

在電壓整流電路300中，電壓偵側電路310與控制訊號產生電路320是以輸出電壓V_OUT來作為供應電壓，且電壓偵側電路310會偵測輸出電壓V_OUT的電壓準位是否高於一臨界值以產生一偵測結果，若是高於臨界值，則控制訊號產生電路320會根據該偵測結果來產生一控制訊號以調整電晶體M3或是M4的電阻值，以降低輸出電壓V_OUT的準位。

更具體來說，當輸入電壓V_IN的極性正確時(亦即電壓整流電路300連接到電源上時沒有反接，端點A為高電壓、端點B為低電壓)，電晶體M2與M3會導通，而電晶體M1及M4則不會導通，開關SW1是導通狀態，而開關SW2則是未導通狀態。此時，若是輸出電壓V_OUT的電壓準位正常(未高於臨界值)，則控制訊號產生電路320會產生一低準位的控制電壓(例如0V或是端點B的電壓準位)至電晶體M3以導通電晶體M3，此時電壓整流電路300的操作基本上與第2圖所示的電壓整流電路200相同。然而，若是輸出電壓V_OUT的電壓準位高於臨界值，則控制訊號產生電路320會產生一控制電壓至電晶體M3以增加電晶體M3的電阻值，使得端點C的電壓準位低於端點A的電壓準位(因為電晶體M3有較大的壓降)，如此一來，輸出電壓V_OUT便可以有效的降低以維持一穩定的數值。

另一方面，當輸入電壓V_IN的極性不正確(相反)時(亦即電壓整流電路300連接到電源上時極性接反了，端點A為低電壓、端點B為高電壓)，電晶體M1與M4會導通，而電晶體M2及M3則不會導通，開關SW2是導通狀態，而開關SW1則是未導通狀態。此時，若是輸出電壓V_OUT的電壓準位正常(未高於臨界值)，則控制訊號產生電路320會產生一低準位的控制電壓(例如0V或是端點B的電壓準位)至電晶體M4以導通電晶體M4，此時電壓整流電路300的操作基本上與第2圖所示的電壓整流電路200相同。然而，若是輸出電壓V_OUT的電壓準位高於臨界值，則控制訊號產生電路320會產生一控制電壓至電晶體M4以增加電晶體M4的電阻值，使得端點C的電壓準位低於端點B的電壓準位(因為電晶體M4有較大的壓降)，如此一來，輸出電壓V_OUT便可以有效的降低以維持一穩定的數值。

於上述實施例中，控制訊號產生電路320所產生的控制訊號是一直流電壓，然而，於本創作之其他實施例中，控制訊號可以是一脈衝寬度調變(Pulse Width Modulation，PWM)訊號，亦即藉由控制脈衝寬度調變訊號的工作週期(duty cycle)來達到控制電晶體M3或是M4之電阻值(壓降)的目的。

請參考第4圖，第4圖為依據本創作一第三實施例之電壓整流電路400的示意圖。如第4圖所示，電壓整流電路400包含有兩個電壓輸入端點A、B、兩個電壓輸出端點C、D、四個電晶體M1~M4、兩個電阻R、一電壓偵側電路410、一控制訊號產生電路420、以及兩個開關SW1、SW2，其中M1與M2為N型金氧半導體電晶體(NMOS)，而M3與M4為P型金氧半導體電晶體(PMOS)。電壓整流電路400係用來在端點A、B接收一輸入電壓V_IN，並在端點C、D產生一輸出電壓V_OUT。此外，於本實施例中，開關SW1、SW2係使用N型金氧半導體電晶體來實作，但本創作不以此為限。

在電壓整流電路400中，電壓偵側電路410與控制訊號產生電路420是以輸出電壓V_OUT來作為供應電壓，且電壓偵側電路410會偵測輸出電壓V_OUT的電壓準位是否高於一臨界值以產生一偵測結果，若是高於臨界值，則控制訊號產生電路420會根據該偵測結果來產生一控制訊號以調整電晶體M1或是M2的電阻值，以降低輸出電壓V_OUT的準位。

更具體來說，當輸入電壓V_IN的極性正確時(亦即電壓整流電路400連接到電源上時沒有反接，端點A為高電壓、端點B為低電壓)，電晶體M2與M3會導通，而電晶體M1及M4則不會導通，開關SW1是導通狀態，而開關SW2則是未導通狀態。此時，若是輸出電壓V_OUT的電壓準位正常(未高於臨界值)，則控制訊號產生電路420會產生一高準位的控制電壓(例如類似端點A的電壓準位)至電晶體M2以導通電晶體M2，此時電壓整流電路400的操作基本上與第2圖所示的電壓整流電路200相同。然而，若是輸出電壓V_OUT的電壓準位高於臨界值，則控制訊號產生電路420會產生一控制電壓至電晶體M2以增加電晶體M2的電阻值，使得端點D的電壓準位高於端點B的電壓準位(因為電晶體M2有較大的壓降)，如此一來，輸出電壓V_OUT便可以有效的降低以維持一穩定的數值。

另一方面，當輸入電壓V_IN的極性不正確(相反)時(亦即電壓整流電路400連接到電源上時極性接反了，端點A為低電壓、端點B為高電壓)，電晶體M1與M4會導通，而電晶體M2及M3則不會導通，開關SW2是導通狀態，而開關SW1則是未導通狀態。此時，若是輸出電壓V_OUT的電壓準位正常(未高於臨界值)，則控制訊號產生電路420會產生一高準位的控制電壓(例端點B的電壓準位)至電晶體M1以導通電晶體M1，此時電壓整流電路400的操作基本上與第2圖所示的電壓整流電路200相同。然而，若是輸出電壓V_OUT的電壓準位高於臨界值，則控制訊號產生電路420會產生一控制電壓至電晶體M1以增加電晶體M1的電阻值，使得端點D的電壓準位高於端點A的電壓準位(因為電晶體M1有較大的壓降)，如此一來，輸出電壓V_OUT便可以有效的降低以維持一穩定的數值。

於上述實施例中，控制訊號產生電路420所產生的控制訊號是一直流電壓，然而，於本創作之其他實施例中，控制訊號可以是一脈衝寬度調變(Pulse Width Modulation，PWM)訊號，亦即藉由控制脈衝寬度調變訊號的工作週期(duty cycle)來達到控制電晶體M1或是M2之電阻值(壓降)的目的。

參考以上第3圖以及第4圖的實施例，電壓整流電路300中的電壓偵側電路310與控制訊號產生電路320可以在輸出電壓V_OUT過高時，藉由控制電晶體M3以及M4的電阻值來降低端點C的電壓準位，而達到降低輸出電壓V_OUT的目的；而電壓整流電路400中的電壓偵側電路410與控制訊號產生電路420可以在輸出電壓V_OUT過高時，藉由控制電晶體M1以及M2的電阻值來提高端點D的電壓準位，因而達到降低輸出電壓V_OUT的目的。於本創作之下一實施例中，可以藉由結合第3圖以及第4圖的範例，來降低端點C的電壓準位，並同時提升端點D的電壓準位，以達到降低輸出電壓V_OUT的目的。具體來說，請參考第5圖，第5圖為依據本創作一第四實施例之電壓整流電路500的示意圖。如第5圖所示，電壓整流電路500包含有兩個電壓輸入端點A、B、兩個電壓輸出端點C、D、四個電晶體M1~M4、四個電阻R、一電壓偵側電路510、一控制訊號產生電路520、以及兩個開關SW1、SW2，其中M1與M2為N型金氧半導體電晶體(NMOS)，而M3與M4為P型金氧半導體電晶體(PMOS)。電壓整流電路500係用來在端點A、B接收一輸入電壓V_IN，並在端點C、D產生一輸出電壓V_OUT。此外，於本實施例中，開關SW1、SW2係使用N型金氧半導體電晶體來實作，但本創作不以此為限。

在電壓整流電路500的操作上，控制訊號產生電路520會產生兩個控制訊號，並藉由調整電晶體M2與M3，或是電晶體M1與M4來達到降低端點C的電壓準位，並同時提升端點D的電壓準位的目的，由於電壓整流電路500的操作是由第3、4圖的實施例結合而成，且本領域中具有通常知識者應可在閱讀過上述有關於第3、4圖的實施例後清楚地了解電壓整流電路500的詳細操作，故細節在此不予贅述。

請參考第6圖，第6圖為依據本創作一第五實施例之電壓整流電路600的示意圖。如第6圖所示，電壓整流電路600包含有兩個電壓輸入端點A、B、兩個電壓輸出端點C、D、四個電晶體M1~M4、兩個電阻R、一電流偵側電路610、一控制訊號產生電路320、以及兩個開關SW1、SW2，其中M1與M2為N型金氧半導體電晶體(NMOS)，而M3與M4為P型金氧半導體電晶體(PMOS)。電壓整流電路600係用來在端點A、B接收一輸入電壓V_IN，並在端點C、D產生一輸出電壓V_OUT。此外，於本實施例中，開關SW1、SW2係使用N型金氧半導體電晶體來實作，但本創作不以此為限。

在電壓整流電路600中，電流偵側電路610與控制訊號產生電路620是以輸出電壓V_OUT來作為供應電壓，且電流偵側電路610會偵測輸出電流(例如流經電晶體M3的電流)是否高於一臨界值以產生一偵測結果，若是高於臨界值，則控制訊號產生電路620會根據該偵測結果來產生一控制訊號以調整電晶體M3或是M4的電阻值，以降低輸出電壓V_OUT的準位。

電壓整流電路600與第3圖所示的電壓整流電路300十分類似，所差異僅僅在於電壓整流電路600是將第3圖的電壓偵側電路310替換為電流偵側電路610，由於本領域中具有通常知識者應可在閱讀過上述有關於第3圖的實施例後清楚地了解電壓整流電路600的詳細操作，故細節在此不予贅述。

請參考第7圖，第7圖為依據本創作一第六實施例之電壓整流電路700的示意圖。如第7圖所示，電壓整流電路700包含有兩個電壓輸入端點A、B、兩個電壓輸出端點C、D、四個電晶體M1~M4、兩個電阻R、一電流偵側電路710、一控制訊號產生電路720、以及兩個開關SW1、SW2，其中M1與M2為N型金氧半導體電晶體(NMOS)，而M3與M4為P型金氧半導體電晶體(PMOS)。電壓整流電路700係用來在端點A、B接收一輸入電壓V_IN，並在端點C、D產生一輸出電壓V_OUT。此外，於本實施例中，開關SW1、SW2係使用N型金氧半導體電晶體來實作，但本創作不以此為限。

在電壓整流電路700中，電流偵側電路710與控制訊號產生電路720是以輸出電壓V_OUT來作為供應電壓，且電流偵側電路710會偵測輸出電流(例如流經電晶體M3的電流)是否高於一臨界值以產生一偵測結果，若是高於臨界值，則控制訊號產生電路720會根據該偵測結果來產生一控制訊號以調整電晶體M1或是M2的電阻值，以降低輸出電壓V_OUT的準位。

電壓整流電路700與第4圖所示的電壓整流電路400十分類似，所差異僅僅在於電壓整流電路700是將第4圖的電壓偵側電路410替換為電流偵側電路710，由於本領域中具有通常知識者應可在閱讀過上述有關於第4圖的實施例後清楚地了解電壓整流電路700的詳細操作，故細節在此不予贅述。

請參考第8圖，第8圖為依據本創作一第七實施例之電壓整流電路800的示意圖。如第8圖所示，電壓整流電路800包含有兩個電壓輸入端點A、B、兩個電壓輸出端點C、D、四個電晶體M1~M4、四個電阻R、一電流偵側電路810、一控制訊號產生電路820、以及兩個開關SW1、SW2，其中M1與M2為N型金氧半導體電晶體(NMOS)，而M3與M4為P型金氧半導體電晶體(PMOS)。電壓整流電路800係用來在端點A、B接收一輸入電壓V_IN，並在端點C、D產生一輸出電壓V_OUT。此外，於本實施例中，開關SW1、SW2係使用N型金氧半導體電晶體來實作，但本創作不以此為限。

電壓整流電路800與第5圖所示的電壓整流電路500十分類似，所差異僅僅在於電壓整流電路800是將第5圖的電壓偵側電路510替換為電流偵側電路810，由於本領域中具有通常知識者應可在閱讀過上述有關於第5圖的實施例後清楚地了解電壓整流電路800的詳細操作，故細節在此不予贅述。

簡要歸納本創作，於本創作之電壓整流電路，其可以產生與輸入電壓類似的輸出電壓，且當輸出電壓過高時，可以藉由控制電晶體的電阻值來降低輸出電壓，以維持一穩定的輸出電壓。

200‧‧‧電壓整流電路

M1~M4‧‧‧電晶體

A、B‧‧‧電壓輸入端點

C、D‧‧‧電壓輸出端點

Claims

一種電壓整流電路，包含有：一第一電壓輸入端點以及一第二電壓輸入端點；一第一電壓輸出端點以及一第二電壓輸出端點；一第一電晶體與一第二電晶體，其中該第一電晶體的一第一電極連接到該第一電壓輸入端點，該第一電晶體的一第二電極連接到該第二電晶體的一第一電極與該第二電壓輸出端點，以及該第二電晶體的一第二電極連接到該第二電壓輸入端點；一第三電晶體以及一第四電晶體，其中該第三電晶體的一第一電極連接到該第一電壓輸入端點，該第三電晶體的一第二電極連接到該第四電晶體的一第一電極與該第一電壓輸出端點，該第四電晶體的一第二電極連接到該第二電壓輸入端點，該第三電晶體的一閘極經由一電阻連接到該第一電晶體的一閘極，該第四電晶體的一閘極經由一電阻連接到該第二電晶體的一閘極，該第一、第三電晶體的該閘極耦接至該第二電壓輸入端點，以及該第二、第四電晶體的該閘極耦接至該第一電壓輸入端點；一電壓偵側電路，用來偵測該第一電壓輸出端點與該第二電壓輸出端點的電壓準位，以產生一偵測結果；以及一控制訊號產生電路，耦接於該電壓偵側電路，用來依據該偵測結果以產生一控制訊號至該第一、第二、第三、第四電晶體中的一個電晶體的閘極。
如申請專利範圍第1項所述之電壓整流電路，另包含有：一第一開關，用以選擇性地將該控制訊號傳送到該第三電晶體的該閘極；以及一第二開關，用以選擇性地將該控制訊號傳送到該第四電晶體的該閘極。
如申請專利範圍第1項所述之電壓整流電路，另包含有：一第一開關，用以選擇性地將該控制訊號傳送到該第一電晶體的該閘極；以及一第二開關，用以選擇性地將該控制訊號傳送到該第二電晶體的該閘極。
如申請專利範圍第1項所述之電壓整流電路，其中該控制訊號產生電路依據該偵測結果以分別產生兩個控制訊號至該第二電晶體與該第三電晶體的閘極，或是依據該偵測結果以分別產生兩個控制訊號至該第一電晶體與該第四電晶體的閘極。
如申請專利範圍第4項所述之電壓整流電路，另包含有：一第一開關，用以選擇性地將該兩個控制訊號傳送到第二電晶體與該第三電晶體的閘極；以及一第二開關，用以選擇性地將該兩個控制訊號傳送到第一電晶體與該第四電晶體的閘極。
一種電壓整流電路，包含有：一第一電壓輸入端點以及一第二電壓輸入端點；一第一電壓輸出端點以及一第二電壓輸出端點；一第一電晶體與一第二電晶體，其中該第一電晶體的一第一電極連接到該第一電壓輸入端點，該第一電晶體的一第二電極連接到該第二電晶體的一第一電極與該第二電壓輸出端點，以及該第二電晶體的一第二電極連接到該第二電壓輸入端點；一第三電晶體以及一第四電晶體，其中該第三電晶體的一第一電極連接到該第一電壓輸入端點，該第三電晶體的一第二電極連接到該第四電晶體的一第一電極與該第一電壓輸出端點，該第四電晶體的一第二電極連接到該第二電壓輸入端點，該第三電晶體的一閘極經由一電阻連接到該第一電晶體的一閘極，該第四電晶體的一閘極經由一電阻連接到該第二電晶體的一閘極，該第一、第三電晶體的該閘極耦接至該第二電壓輸入端點，以及該第二、第四電晶體的該閘極耦接至該第一電壓輸入端點；一電流偵側電路，用來偵測該電壓整流電路的一電流，以產生一偵測結果；以及一控制訊號產生電路，耦接於該電流偵側電路，用來依據該偵測結果以產生一控制訊號至該第一、第二、第三、第四電晶體中的一個電晶體的閘極。
如申請專利範圍第6項所述之電壓整流電路，另包含有：一第一開關，用以選擇性地將該控制訊號傳送到該第三電晶體的該閘極；以及一第二開關，用以選擇性地將該控制訊號傳送到該第四電晶體的該閘極。
如申請專利範圍第6項所述之電壓整流電路，另包含有：一第一開關，用以選擇性地將該控制訊號傳送到該第一電晶體的該閘極；以及一第二開關，用以選擇性地將該控制訊號傳送到該第二電晶體的該閘極。
如申請專利範圍第6項所述之電壓整流電路，其中該控制訊號產生電路依據該偵測結果以分別產生兩個控制訊號至該第二電晶體與該第三電晶體的閘極，或是依據該偵測結果以分別產生兩個控制訊號至該第一電晶體與該第四電晶體的閘極。
如申請專利範圍第9項所述之電壓整流電路，另包含有：一第一開關，用以選擇性地將該兩個控制訊號傳送到第二電晶體與該第三電晶體的閘極；以及一第二開關，用以選擇性地將該兩個控制訊號傳送到第一電晶體與該第四電晶體的閘極。