TWM448795U - 邊緣設有直流電極的靜電吸盤 - Google Patents

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TWM448795U
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Taiwan
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electrode
electrostatic chuck
edge
wafer
annular
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TW101205293U
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zhi-lin Huang
Di Wu
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Advanced Micro Fab Equip Inc
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Description

邊緣設有直流電極的靜電吸盤
本創作涉及一種靜電吸盤,特別涉及一種邊緣設有直流電極的靜電吸盤。
習知技術中,如圖1所示,在等離子蝕刻室的靜電吸盤中放置平板電極1’,從而施加靜電力以吸住晶片,該靜電力基於電極和晶片的距離,並且總是均勻地穿過晶片。實驗資料表明,靜電吸盤的中心和邊緣表面褪化程度不同,因此對氦氣的冷卻密封,能夠保證氦氣在晶片背面給晶片降溫,從而保證靜電吸盤經受不間斷的生產迴圈。但是密封件的降解會導致高氦氣洩漏率,所以氦氣在靜電吸盤邊緣對晶片的冷卻效率就降低,靜電吸盤中心到邊緣將會出現多種不同的溫度,從而造成靜電吸盤的失效。
本創作的目的是提供一種邊緣設有直流電極的靜電吸盤,能夠保證靜電吸盤的吸力不隨晶片表面的變化而減弱,可補償靜電吸盤邊緣對晶片的吸力的損耗,從而能夠保證氦氣不洩露,確保靜電吸盤的有效性,增加靜電吸盤的壽命。
為了實現以上目的,本創作是通過以下技術手段實現的:一種邊緣設有直流電極的靜電吸盤,在靜電吸盤的中心設置有平板直流電極,包含環形直流電極,所述的 環形直流電極設置在靜電吸盤的邊緣。
所述的環形直流電極到晶片的距離小於平板直流電極到晶片的距離。
所述的環形直流電極距離靜電吸盤的上表面的距離小於1mm。
所述的環形直流電極與平板直流電極電氣相連。
本創作與習知技術相比,具有以下優點:1、保證靜電吸盤的吸力不隨晶片表面的變化而減弱;2、補償靜電吸盤邊緣對晶片的吸力的損耗,保證靜電吸盤的有效性;3、增加靜電吸盤的壽命。
以下結合附圖,通過詳細說明一個較佳的具體實施例,對本創作做進一步闡述。
如圖2和圖3所示,一種邊緣設有直流電極的靜電吸盤,在靜電吸盤的中心設置有平板直流電極1,靜電吸盤的邊緣設有環形直流電極2,該環形直流電極2到晶片的距離小於平板直流電極1到晶片的距離,環形直流電極2距離靜電吸盤的上表面的距離小於1 mm。
實施例之一:
如圖2所示,在本實施例中,環形直流電極2距離靜電吸盤上表面的距離為0.3 mm,且環形直流電極2與平板直流電極1之間電氣不相連。在靜電吸盤工作時,環形直流電極2和平板直流電極1分別連接兩個電壓源,兩個電壓源所提供的電壓可以相同,也可以不 同,以實現對環形直流電極2和平板直流電極1中通入的電壓分別單獨控制。當環形直流電極2和平板直流電極1中通入的電壓相同,環形直流電極2所提供的對晶片的吸力也會由於距離小而大於平板直流電極1所提供的吸力;當環形直流電極2和平板直流電極1中通入的電壓不同時,可以補償由於靜電吸盤壽命的變化而引起的吸力損失。比如連接到環形直流電極2的電壓大於連接到直流電極1的電壓時邊緣區域的靜電吸力會遠大於中心區域的吸力。因此,靜電吸盤的吸力不會對晶片表面的變化過於敏感,不會造成靜電吸盤的邊緣和中心對晶片的吸力不同,從而能夠保證氦氣不洩露,從而能夠保證靜電吸盤的有效性,增加了靜電吸盤的壽命。
實施例之二:
如圖3所示,在本實施例中,環形直流電極2距離靜電吸盤上表面的距離為0.3 mm,且環形直流電極2與平板直流電極1電氣相連。在靜電吸盤工作時,環形直流電極2與平板直流電極1中通入的電壓相同,環形直流電極2所提供的對晶片的吸力由於距離小而大於平板直流電極1所提供的吸力,因此,靜電吸盤的吸力不會對晶片表面的變化過於敏感,不會造成靜電吸盤的邊緣和中心對晶片的吸力不同,從而能夠保證氦氣不洩露,確保靜電吸盤的有效性,增加了靜電吸盤的壽命。
綜上所述,本創作所提供的一種邊緣設有直流電極的靜電吸盤,能夠保證靜電吸盤的吸力不隨晶片表面的變化而減弱,可補償靜電吸盤邊緣對晶片的吸力的損耗,從而能夠保證氦氣不洩露,確保靜電吸盤的有效 性,增加靜電吸盤的壽命。
儘管本創作的內容已經通過上述較佳實施例作了詳細介紹,但應當認識到上述的描述不應被認為是對本創作的限制。在本領域技術人員閱讀了上述內容後,對於本創作的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此,本創作的保護範圍應由所附的申請專利範圍來限定。
1’‧‧‧平板電極
1‧‧‧平板直流電極
2‧‧‧環形直流電極
圖1為習知技術的靜電吸盤中心放置平板電極的結構示意圖;圖2為本創作的一種邊緣設有直流電極的靜電吸盤的實施例之一的結構示意圖;圖3為本創作的一種邊緣設有直流電極的靜電吸盤的實施例之二的結構示意圖。
1‧‧‧平板直流電極
2‧‧‧環形直流電極

Claims (6)

  1. 一種邊緣設有直流電極的靜電吸盤,在該靜電吸盤的中心設置有平板直流電極,其中該靜電吸盤包含環形直流電極,該環形直流電極設置在該靜電吸盤的邊緣。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之邊緣設有直流電極的靜電吸盤,其中該環形直流電極到晶片的距離小於該平板直流電極到該晶片的距離。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之邊緣設有直流電極的靜電吸盤,其中該環形直流電極距離該靜電吸盤的上表面的距離小於1 mm。
  4. 如申請專利範圍第2或3項所述之邊緣設有直流電極的靜電吸盤,其中該環形直流電極與該平板直流電極電氣相連。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之邊緣設有直流電極的靜電吸盤,其中連接到該環形直流電極和該平板直流電極的電壓不同。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之邊緣設有直流電極的靜電吸盤,其中連接到該環形直流電極的電壓大於連接到該平板直流電極的電壓。
TW101205293U 2011-12-23 2012-03-23 邊緣設有直流電極的靜電吸盤 TWM448795U (zh)

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CN201120544025XU CN202423248U (zh) 2011-12-23 2011-12-23 一种边缘设有直流电极的静电吸盘

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