TWM422770U - Electronic apparatus - Google Patents

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TWM422770U
TWM422770U TW100218176U TW100218176U TWM422770U TW M422770 U TWM422770 U TW M422770U TW 100218176 U TW100218176 U TW 100218176U TW 100218176 U TW100218176 U TW 100218176U TW M422770 U TWM422770 U TW M422770U
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Taiwan
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plating layer
upper case
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conductive plating
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TW100218176U
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Hsueh-Ching Yang
Chun-Ta Wu
Tung-Yi Chen
xing-gang Yang
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Wistron Neweb Corp
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M422770 五、新型說明: 【新型所屬之技術領域】 本新型是有關於-種電子裝置,特別是有關於 提昇其内的天線彈片的接觸穩定性的電子裝置。' 【先前技術】 近年來,消費者對於行動電子產品的需求著重於 ,、薄、短、小等特性,再加上高度整合的特性要求以 達到小型化、多功能的操作目的。因所訴求之薄型, 產品在内部電子結構上也是趨於微小化的發展。為=配人 在微型結構⑽電路訊號傳輸,目前產業發展上多使用ς 性電路板(flexible printed circuit board,FPC)來達到元件與 元件間傳遞電性訊號的功能。由於無線通訊技術的=展了 電子產品越來越重視訊號的接收與傳送的品質要求]但因 軟性電路板排線走向設計與表面大量鍍銅之故,會造成天 線本身的輻射效率增加及造成傳輸訊號的干擾,因此促使 了 1C設計及電路設計朝向立體3D設計的方向進展。藉由 電路元件設計的立體化,可以在有限體積的電路元件上形 成複雜的電路’讓電子產品在不影響其功能下,可以縮小 外觀體積。換句話說’立體化的電路元件設計,促使電子 產品在微小的體積下’也能保有複雜的電路,因此電路元 件的立體化設計’確實具有讓電子產品微小化、輕量化及 多功能化的潛力,並被廣泛的應用在各種層面上,如手機、 汽車電路、提款機及助聽器等電子產品。 目前,用於製作立體電路元件的方式有模制互連元件 3 M422770 (Molded Interconnect Device, MID)雙料射出製程。此方法 是藉由雙料射出方式,先以非導電性材料射出成型形成元 件載體,再以另一材料經由射出成型形成電路圖樣於元件 載體上,最後使用化學鍍方式在電路圖樣上生成金屬導電 線路。此外,製作立體電路元件的方式尚有模制互連元件-. 雷射直接成型法(Molded Interconnect Device-Laser Direct Structuring,MID-LDS)。此方式是將含有觸媒的非導電性塑 料經由射出成型形成元件載體,再以雷射激光活化載體上 φ 的觸媒,使觸媒轉變為觸媒核,藉由觸媒核和預鍍金屬離 子進行化學鍵反應,而形成金屬導電線路。 然而’對於必須應用天線的電子產品來說,傳統的天 線彈片與雷射直接成型區域上的天線的接觸方式並無法滿 足目前結構上空間需求以及射出成型需求。趨於微小化的 發展使得電子產品中的雷射直接成型區域在不可縮水的前 提下,天線必須與天線彈片傾斜地接觸。此接觸方式由於 是滑動接觸,因此容易造成天線彈片與雷射直接成型區域 • 上的天線之間產生偏移的不穩定現象,使得組裝完成的成 品良率不佳。雖然可藉由使雷射直接成型區域增加厚度並 於後方局部挖空而避免塑料表面縮水,但局部挖空的動作 卻又谷易受限於空間設計而無法進行。因此,發展出可使 天線彈片與雷射直接成型區域上的天線不在斜面上接觸, 並可解決雷射直接成型區域厚度過厚而造成塑料表面縮水 的問題,是此業界必須刻不容緩投入探討與研究的課題。 【新型内容】 M422770 為解決習知技術之問題,本創作之一技術樣態是一種 電子裝置,其主要是改良其内的天線彈片與雷射直接成型 區域的接觸方式’使得電子裝置能夠同時滿足結構上空間 需求以及射出成型需求。本創作的電子裝置藉由於殼體内 設置凸起結構’可使得天線彈片與雷射直接成型區域的接 觸面不再處於斜面上’進而有效解決天線彈片與雷射直接 •成型區域之間產生偏移的不穩定現象(例如,彈片翹曲而與 雷射直接成型區域接觸不完全),並可提升電子裝置組裝完 • 成的成品良率。並且,藉由於電子裝置的殼體内設置凸起 結構取代單純地增加雷射直接成型區域厚度的作法,可解 決雷射直接成型區域厚度過厚而造成塑料表面縮水的問 題0 根據本創作一實施例,一種電子裝置包含殼體、電路 板以及彈片。殼體包含上殼、凸起結構以及導電鍵層。凸 起結構位於上殼的内侧。導電鍍層形成於凸起結構上。電 路板設置於殼體内。上殼相對電路板呈傾斜。彈片設置於 _ 電路板上,並與導電鍍層電性連接。 於本創作之一實施例中,上述的導電鍍層由凸起結構 沿上殼的内側延伸形成至上殼的外侧。 於本創作之一實施例中,上述的導電鍍層為天線。 於本創作之一實施例中,上述的上殼為射出成塑件。 ' 於未創作之一實施例中,上述的上殼與天線為雷射直 接成型(Laser Direct Structuring, LDS)件。 於本創作之一實施例中,上述的彈片進一步包含平台 部。平台部平行電路板,並且彈片以平台部電性連接導電 5 M422770 鍍層。 於本創作之一實施例中,上述的凸起結構進一步包含 凸點。凸點位於凸起結構的頂端,致使導電鍍層形成朝向 彈片突出之突出部。彈片以平台部電性連接突出部。 於本創作之一實施例中,上述的凸起結構為肋牆。 於本創作之一實施例中,上述的肋牆設置於上殼内側 的走向大體上垂直導電鍍層設置於上殼内側的走向。 於本創作之一實施例中,上述的彈片呈z型。 【實施方式】 以下將以圖式揭露本創作之複數個實施方式,為明確 說明起見’許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。 然而,應瞭解到,這些實務上的細節不應用以限制本創作。 也就是說’在本創作部分實施方式中,這些實務上的細節 是非必要的。此外,為簡化圖式起見,一些習知慣用的結 構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。 本創作之一技術態樣是一種電子裝置。更具體地說, 其主要是改良其内的天線彈片與雷射直接成型區域的接觸 方式’使得電子裝置能夠同時滿足結構上空間需求以及射 出成型需求。本創作的電子裝置藉由於殼體内設置凸起結 構’可使得天線彈片與雷射直接成型區域的接觸面不再處 於斜面上’進而有效解決天線彈片與雷射直接成型區域之 間產生偏移的不穩定現象,並可提升電子裝置組裝完成的 成品良率。並且,藉由於電子裝置的殼體内設置凸起結構 取代單純地增加雷射直接成型區域厚度的作法,可解決雷 6 M422770 射直接成型區域厚度過厚而造成塑料表面縮水的問題。 請參照第1圖。第1圖為繪示依照本創作一實施方式 之電子裝置的部份剖視圖。 如第1圖所示,本創作的電子裝置1可以是可攜式電 腦裝置(例如’筆記型電腦、平板電腦…等)或是手持式電子 裝置(例如’ PDA、衛星導航系統、智慧蜜手機...等),但並 不以此為限。換言之,本創作的電子裝置1可以是任何具 有天線以進行無線訊號傳輸的電子產品,只要在其組裝後 • 對於其内的天線彈片與雷射直接成型區域的接觸穩定性有 較高的需求,皆可應用本創作之概念對電子產品的上殼與 其内的天線彈片進行改良。 如第1圖所示,於本實施例中,電子裝置1包含殼體、 電路板12以及彈片14。電子裝置1的殼體包含上殼1〇〇 與下殼(圖未示)。電子裝置1的設置於殼體内,並可固定 於殼體的下殼。電子裝置1的彈片14設置於電路板12上,. 並可與電路板12上的電子零件(舉例來說,無線傳送/接收 • 模組)電性連接。另外,電子裝置1的殼體還包含凸起結構 102以及導電鍍層104。殼體的凸起結構102位於上殼100 的内側。殼體的導電鍍層形成於凸起結構1〇2上。在 電子裝置1的上殼與下殼完整組裝之後,設置於電路 板12上彈片14即可與覆蓋於凸起結構102上的導電鍍層 104電性連接。 於本實施例中’由於電子裝置1為了符合微小化的趨 勢,在不影響電子裝置1内部主要電子零件的佈局(Layout) 的前提下,殼體的上殼1〇0不免會與電路板12呈傾斜。換 7 M422770 言之,若電子裝置1的殼體不包含凸起結構102,則電路 板12上的彈片14與形成於上殼1〇〇的導電鍍層1〇4之間 勢必會呈傾斜且滑動的接觸方式,因此容易造成彈片14與 導電鍍層104之間產生偏移的不穩定現象(例如,彈片14 翹曲而與導電鍍層104接觸不完全)。本創作藉由將導電鍍 層104形成於凸起結構102上,使得彈片14與導電鍍層 104之間的接觸方式由傾斜的面接觸改變成線接觸或點接 觸,因此彈片14不會因為翹曲而與導電鍍層104接觸不 φ 良,進而可大大地增加彈片14與導電鍍層1〇4之間的接觸 穩定性。並且,藉由凸起結構102的設計,本創作的彈片 14的高度即可以不必如習知的彈片拉伸得過高。 如第1圖所示,於本實施例中,殻體的導電鍍層104 由凸起結構102沿上殼100的内側延伸形成至上殼100的 外侧。因此,電子裝置1内的電路板12藉由彈片14與導 電鍍層104電性連接,即可將導電鍍層104作為電子裝置 1的天線使用。於本實施例中,殼體的上殼1〇〇為射出成 φ 型件,因此若為了使彈片14與導電鍍層104之間採用的水 平接觸方式而直接將上殼100的厚度增加,會造成射出成 型之後的上殼100容易發生塑料内縮的問題。若採用本創 作於上殼100内侧形成凸起結構102,並使導電鍍層104, 形成於該凸起結構102上的作法,即可同時避免上殼100 發生塑料内縮的問題,又可達到使彈片14與導電鍍層104 呈水平接觸而提高接觸穩定性的目的。 同樣示於第1圖中’於本實施例中,電子裝置1的彈 片14進一步包含平台部140。彈片14的平台部140平行 M422770 電路板12 ’並且彈片14以平台部140電性連接導電鍍層 104。因此’當電子裝置1的上殼1〇〇與下殼進行組裝時, 其組裝方向大體上垂直彈片14的平台部140。換言之,彈 片14的平台部140與導電鍍層1〇4為正向接觸而非滑動接 觸’因此並不會產生偏移的不穩定現象。 請參照第2圖。第2圖為繪示第1圖中的上殼1〇〇的 部份立體圖。 如第1圖與第2圖所示,於本實施例中,殼體的凸起 • 結構102進一步包含凸點102a。凸起結構102的凸點l〇2a 位於凸起結構102的頂端,致使導電鍍層1〇4形成朝向彈 片14突出之突出部l〇4a。因此,當電子裝置1的上殼1〇〇 與下殼進行組裝時,電子裝置1的彈月14即可以平台部 140電性連接導電鍍層1〇4的突出部104a。導電鍍層1〇4 藉由凸起結構102的凸點i〇2a所形成的突出部i〇4a在與 彈片14接觸時’可產生尖端放電(p〇int Discharge)的效果。 如第2圖所示,於本實施例中,殼體的凸起結構1〇2 φ 可為肋牆(Rib)。因此,呈肋牆形式的凸起結構102除了達 到可使彈片14與導電鍍層104呈水平接觸的目的之外,同 時更可作為改良電子裝置1内部的結構設計的手段以增加 殼體的整體結構強度。 於一實施例中,呈肋牆形式的凸起結構102設置於上 殼100内側的走向大體上垂直導電鍍層104設置於上殼1〇〇 内侧的走向,如第2圖所示,但並不以此為限。於實際應 用中,呈肋牆形式的凸起結構102設置於上殼100内側的 …走向相對於導電鍍層104設查於上殼1〇〇内侧的走向,可 9 M422770 在不影響天線(亦即,導電鍍;I 1〇4)的表現的前提下作彈性 的調整。 於一實施例中,電子裝置1的上殼1〇0與導電鍍層104 所形成的天線可以是雷射直接成型(Laser Direct Structuring, LDS)件’但並不限於此。上殼1〇〇與導電鍍層 104的製作流程為:(1)射出成型上殼1〇〇,其中上殼 係利用一次射出成型將熱塑性材料加以固化成型;(2)以雷 射於上殼1〇〇上形成活化區域,該活化區域會具有金屬化 • 的活化核心’亦即,該活化區域的活化核心會催化物理或 化學反應;(3)利用一金屬化製程,將金屬形成於上述之活 化區域’以形成導電鍍層104。因此,雷射直接成型可有 效的簡化在上殼100上形成導電鍍層104之製程,取代複 雜的外加電路裝置。 於一實施例中,電子裝置1的彈片14呈Z型,但並不 限於此。舉例來說,電子裝置1的彈片14亦可呈傾倒的U 型、傾倒的Μ型…等形狀。 鲁 於一實施例中,電子裝置1的電路板12為印刷電路板 (Printed Circuit Board,PCB),但並不限於此。 由以上對於本創作之具體實施例之詳述,可以明顯地 看出,本創作之電子裝置主要是改良其内的天線彈片與雷 射直接成型區域的接觸方式,使得電子裝置能夠同時滿足 結構上空間需求以及射出成型需求。本創作的電子裝置藉 由於殼體内設置凸起結構,可使得天線彈片與雷射直接成 型區域的接觸面不再處於斜面上,進而有效解決天線彈片 與雷射直接成型區域之間產生偏移的不穩定現象,並可提 M422770 升電子裝置組裝完成的成品良率。並且,藉由於電子裝置 的殼體内設置凸起結構取代單純地增加雷射直接成型區域 厚度的作法,可解決雷射直接成型區域厚度過厚而造成塑 料表面縮水的問題。 雖然本創作已以實施方式揭露如上,然其並非用以限 定本創作,任何熟習此技藝者,在不脫離本創作之精神和 範圍内,當可作各種之更動與潤飾,因此本創作之保護範 圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 第1圖為繪示依照本創作一實施方式之電子裝置的部 份剖視圖。 第2圖為繪示第1圖中的上殼的部份立體圖。 100 :上殼 102a :凸點 104a :突出部 14 :彈片 【主要元件符號說明】 1 :電子裝置 籲102:凸起結構 104 :導電鍍層 12 :電路板 140 :平台部 11

Claims (1)

  1. M422770 六、申請專利範圍: 1. 一種電子裝置,包含: 一殼體,包含: 一上殼; 一凸起結構,位於該上殼的内側;以及 一導電鍍層,形成於該凸起結構上; 一電路板,設置於該殼體内,其中該上殼相對該電路 板呈傾斜;以及 一彈片,設置於該電路板上,並與該導電鍍層電性連 接。 2. 如請求項1所述之電子裝置,其中該導電鍍層由 該凸起結構沿該上殼的内側延伸形成至該上殼的外側。 3. 如請求項2所述之電子裝置,其中該導電鍍層為 一天線。 4. 如請求項3所述之電子裝置,其中該上殼為一射 出成型件。 5. 如請求項4所述之電子裝置,其中該上殼與該天 線為一雷射直接成型(Laser Direct Structuring, LDS)件。 6. 如請求項1所述之電子裝置,其中該彈片進一步 12 M422770 包含一平台部,該平台部平行該電路板,並且該彈片以該 平台部電性連接該導電鍍層。 7. 如請求項6所述之電子裝置,其中該凸起結構進 一步包含一凸點,位於該凸起結構的頂端,致使該導電鍍 層形成朝向該彈片突出之一突出部,並且該彈片以該平台 部電性連接該突出部。 8. 如請求項1所述之電子裝置,其中該凸起結構為 一肋踏。 9. 如請求項8所述之電子裝置,其中該肋牆設置於 該上殼内側的走向大體上垂直該導電鍍層設置於該上殼内 侧的走向。 10. 如請求項1所述之電子裝置,其中該彈片呈Z型。 13
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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TWI549370B (zh) * 2014-12-30 2016-09-11 和碩聯合科技股份有限公司 天線結構

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TWI549370B (zh) * 2014-12-30 2016-09-11 和碩聯合科技股份有限公司 天線結構

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