TWM409534U - Temperature-oriented of enhanced intelligent thin film solar cell for infrared light transmittance - Google Patents
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Description
M409534 五、新型說明: 【新型所屬之技術領域】 本創作疋有關於一種太陽能電池,且特別是有關於一種依據目前 的溫度來罐紅外光波段的太陽光的透光度的賊太陽能電池,並依 據設计需求調整紅外光通過薄膜太陽能電池的比例。 【先前技術】 隨著環保意識抬頭,節能減碳的概念逐漸受眾人所重視,再生能 源的開發與利用成為世界各國積極投入發展的重點。再生能源當中, 由於太陽級處可得’且不像其他騎(如:^化能源、核能)—般會對 地球產生污染’因此太與可將域光轉換成魏的太陽能電池是 目前看好的明星產業。 太陽能電池若可具有大面積的照光面積,便可產生相對大量且可 ,使用的電能。因此有許?麟希驗「綠能建築」的概念融入太陽 成電池中’即在建築物曝曬太陽最多之處鋪設太陽能電池,藉以利用 太陽能電池所產生的電能來彌補建築物内所耗費的電能。 目剛,太陽能電池的關鍵問題在於其光電轉換效率的提升,而能 夠提升太陽能電池的光電轉換效率即意味著產品競爭力的提升。另 外,由於太陽能電池易於取得所需原料,因此太陽能電池的應用範圍 亦受到眾人的注目。 【新型内容】 e 本創作提供一種增強型之紅外光隨溫度自動切換之智能型薄膜太 陽能電池’其可轉魏溫絲調整紅外光的透光度/反射率,且利用 超薄導電層來調整所需的透光度/反射率。 b本創作提出一種增強型之紅外光隨溫度自動切換之智能型薄膜太 陽月b·電池’包括透光基板、上電極層、光伏層下電極層、溫度導向 光學層與超料電層。上電極層配置於透光基板上。光伏層配置於上 M409534 電極層上。下電極層g己置於絲層上。溫度導向光學層則配置於光伏 層與下電極層之間,其_紅外光的透光度隨溫度而變。當溫度導向 =學層的溫度提升至特定範騎,溫度導向光學層贩外光的透光度 降低超薄導電層配置於下電極層上,並反射通過此溫度導向光學 層的紅外光。 在本創作的-實施例中,上述超薄導電層的厚敍於等於2nm且小 於等於20nm。
在本創作的-實施例中’上述超薄導電層的材質包化過渡金屬,其中 上述過渡金屬可以是鎳、銀或鋁。 八 ^本創作的-實施例巾,上述溫度導向光學層的材質包括二氮化飢或 者乳讀與飢元素的化合物。此外,溫度導向光學層也可摻 、 銀或銅等元素。 在本創作的—實施例中,#溫度提升輯氏3g度社時,溫度導向 $層對紅外光的透光率會降低。在本創作的—實施例中,當溫度小 ;氏30度8守’溫度導向光學層對紅外光透光度會提升。 、= 本創作的—實蝴巾,上述溫度導向光學層對紅外光透光度會隨著 >jnL度的提升而降低。 在本創作的-實施例中,上述光伏層包括N型半導體層* p型半導 祖層,並依序配置於上電極層與下電極層之間。 /、 基於上述,當太陽光自透光基板侧進人細太陽能電池時,光伏 電極層之_溫度導向光學層會依據目前的溫度而調整紅外光 通過薄膜太陽能電池的透光度。此外,本實施例透過使 使二-釣步地調整紅外光通過薄膜太陽能電池的比例, 所需的紅外光透光度,藉以控制建築物的採光 …酿至的,廉度等,並可降低空調設備的使用率。 調riLi,6!實施例除了可應用於建築物的窗戶或屋頂上藉以 •至内的恤度之外,亦可以應用於f要較 或花舟產業,帅持溫室的室内溫度,有助於農作物與 5 M409534 言之,本創作實施例的智能型薄膜太陽能電池在產業利用上具有極 巨大的貢獻。 八 ”” 下文特舉實施例, 為讓本創作的上述特徵和優點能更明顯易懂, 並配合所附圖式作詳細說明如下。 【實施方式】 現將詳細參考補作_範性實_,在關中卿所述示範性 貫施例的制。糾,凡可能之處,補歧實施方式巾使用相同標 號的元件/構件/符號代表相同或類似部分。 圖1為依照本創作-實施例說明增強型之紅外光隨溫度自動切換 之智能型_太陽能電池1G的剖面示;tg。請參照圖彳,薄膜 電池10包括透光基板卿、上電極層11〇、光伏層12〇、溫度導向光 學層130 '下電極層14〇以及超薄導電層15〇。 透光基板100例如是採用玻璃基板,其中入射光線L可由此透光 基板100的-側進入薄膜太陽能電池1〇,如圖]所示。上電極層彻 配置於透光基板1〇〇上,其_本實施例所指的上電極層携為^近入 ,光線L方向的電極層’且上電極層11Q的材料可以是採用透光導電 氧化物。在本實施例中,透光導電氧化物可以是銦錫氧化物(刚⑴伽 oxide,丨TO)、氧化鋁辞(A| d〇ped Zn〇,AZ〇)、銦鋅氧化物__加 oxide ’ IZO)、氧化鋅(Zri〇)或其他透光導電材料。 請繼續參考圖1,光伏層120配置於上電極層11〇上。於本實施 例中鳴膜太陽能電池10的光伏層12〇若為單接面(sj_細⑶⑽ 的形態時,光伏層120可包括N型半導體層123與p型半導體層125, ”中N里半導體層123與p型半導體層125可依序配置於上電極層 110 =下電極層14〇之間。詳細而言,N型半導體層123的材料可採 用^晶梦或微_,而N型半導體層123中所_的材料例如是選自 VA族元素的群組,可為氮(N)、碟(P)、珅(AS)、錄(Sb) s ’、1讀。另外,P型半導體層125的材料例如為非晶石夕或微晶 M409534 矽’而P型半導體層125中所摻雜的材料例如是選自元素週期表中丨丨丨A 族元素的群組,可為硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(丨n)或鉈(τ丨)等元素。 上述僅為舉例說明,本創作不限於此。在其他可能的實施例中, 4膜太陽能電池1〇的光伏層120也可採用雙接面(double junction)或 二接面(triple junction)的光伏結構。換言之,本實施例的薄膜太陽能電 池10也可以是非晶矽薄膜太陽能電池、微晶矽薄膜太陽能電池、堆疊 式(tandem)薄膜太陽能電池或三層式(trip|e)矽薄膜太陽能電池。值得 ' 一提的是,在圖1中的光伏層120亦可包括有高溫非晶矽本質層 (intrinsic layer),其中高溫非晶矽本質層(未繪示)可配置於N型半導體 • 層123與P型半導體層125之間,以增強此薄膜太陽能電池1〇的光 電轉換效率,如圖1所示。 請繼續參考圖1,下電極層14〇配置於光伏層12〇上。在本實施 例中,下電極層140的材料可採透光導電氧化物(例如銦錫氧化物、氧 化鋁辞、銦鋅氧化物或其他透光導電材料)。另外,溫度導向光學層13〇 配置於光伏層120與下電極層14〇之間,且紅外光通過此溫度導向光 學層的透光度可隨目前環境的溫度τ而改變。也就是說,當溫度導向 光學層130的溫度τ提升至特定範圍時,溫度導向光學層13〇^紅外 '光的透光度便會自動降低。另外,超薄導電層150配置於下電極層14〇 • 上,用以反射通過溫度導向光學層160的部分紅外光。 詳細而言,本創作所指的『智能型』薄膜太陽能電池1〇,係因通 過此薄膜太陽能電池1〇的紅外光的透光度可隨著目前環 動變更。舉例來說,當溫度過糾,通過薄膜太陽能電池ς紅外光 透光度便會降低,藉以可阻擔紅外光通過薄膜太陽能電池1〇的比例。 如此一來’若溫室的建材採用本實施例的薄膜太陽能電池10時,便可 在外部環境為南溫時而避免溫室内的溫度過高。 反之,當外部環境的溫度較低時,通過薄膜太陽能電池10的紅外 光的比例將會提升,如此可讓較多的人射光線L的紅外光得以穿透, 如此一來,若溫室的建材採用本實施例的薄膜太陽能電池時,便可 7 M409534 溫室内部的環境溫度較容易提升。 為了更詳述本創作實施例的精神,以下將詳細說明溫度導向光學 層130隨溫度的透光度變化,如圖2所示,其中圖2為依照本創作一 實施例說明溫度導向光學層130的紅外光透光度示意圖,且橫軸為入 射光線L的光波長’縱軸則為入射光線的透光度,最高為1〇〇〇/0(亦 即光線幾乎可全數通過),最低為0%(以及光線幾乎被完全阻檔)。此 外’溫度導向光學層13〇的材質於本實施例中為二氮化釩。 在本實施例中’曲線L1為溫度導向光學層130的溫度T小於等 於攝氏20度(T$20°C)時’溫度導向光學層130對於入射光線(_的透 光度’而曲線L2則為溫度τ大於等於攝氏30度(丁230。〇時,溫度 ,向光學層130對於入射光線L的透光度。由圖2中可知,當溫度丁 提升至攝氏30度或者溫度T大於攝氏3〇度時(亦即上述溫度導向光學 層130的特疋範圍,請見曲線L2),溫度導向光學層便會降低紅 外光的透光度,如圖2繪示的紅外光|R波段的透光度。換言之,入射 光線L中大部分紅外光便可被阻擋或是被反射。 在本貫施例中,溫度導向光學層13〇對於紅外光的透光度若約略 :10/。’ #狐度於攝氏3〇度以上時入射光線L中約略·的紅外 過此m度導向光學層13() ’其餘的紅外光則可被反射回透光基 板100、适 另外, 、或藉由光伏層120再次》而轉換為電能。 外,甚疮 T ffiSL At ~ i
100%,亦即溫度於攝氏20度以下時 光均可通過此溫度導向光學層13〇,
為20度時對於紅外光的透光度約略為 下時,入射光線L中幾乎所有的紅外 13〇,若溫室的建材採用本實施例的薄 M409534 光的透光度達成室内溫度的控制,並且降低室内空調的依賴程度,節 省空調所消耗的電能。 上述入射光線L的透光度仰賴於溫度導向光學層的材質,因 此上述透光度均為實驗數據’當溫度導向光學層13〇的材質有些許變 更時’圖2的透光度轉亦有不同,因此本創作不細此為限。於其 他實施例巾,溫度導向光學層㈣的材料亦可以是氧元素她元素的 化合物。 * 值得一提的是’本實施例可透過超薄導電層以更進-步地調整紅 *外光通過薄膜太陽能電池的比例,使本實施例可依據設計者所需的红 春外光的透光度來控制建築物的採光與溫室的溫度等,在此詳細說明超 薄導電層150與溫度導向光學層13〇對於紅外光透級/反射率的相互 關係。於本實施例中,超薄導電層15〇的厚度約略大於等於編且小 於等於20nm(於本實施例中的厚度為5nm),且其材質包括過渡金屬, 而此處的過渡金屬可以為鎳、銀雜制時賊反射紅外光與加強導 電性的金屬。 由上述可知’本創作實施例可依據設計者需求將超薄導電層15〇 .的厚度與其紅外光透光度作適度調整,以進一步地調整紅外光通過薄 膜太陽能電池的比例。此外,超薄導電層15〇亦可提升下電極層14〇 #的導電性。舉例而言’若設計者希冀當溫度丁高於攝氏3〇度時,薄膜 太陽能電池1G可將人射猶L内95%的紅外紐射換句話說,入 射光線L經過舰太電池彳㈣紅外絲光度僅需5%。但由於溫 度導向光學層13Q於攝氏3〇度的紅外光透光度約略為職,因此便 可將超薄導電層150的紅外光反射率設計為5%,使得入射光線匕穿 透薄膜太陽能電池1〇的紅外光透光度變為5%(1〇% 5%)。因此當 溫度T低於攝氏20度’並且薄膜太陽能電池1〇増加超薄導電層15〇 之後’入射光線L經過薄膜太陽能電池iQ的紅外光透光度由原先圖2 所不的約略1〇〇〇/0變為約略95%⑽%減去超薄導電層15〇提供的5% 紅外線反射率)。於本實施例中,薄膜太陽能電池1()可進—步包括有 9 M409534 透光基板160,其配置於超薄導電層ι5〇上,用以接合與保護薄膜太 陽能電池10。於其他實細巾,透光基板16G亦可配置於下電極層 140與超薄導電層15〇之間,本創作不應以此為限。 綜上所述,當太陽光自透光基板側進入薄膜太陽能電池時,光伏 層與下電極層之_溫度導向光學層會依據目前的溫度_整紅外光 波段的太陽光通過薄膜太陽能電池的透光度。此外,本實施例透過使 用超薄導電相更進—步地調整紅外光通過細太陽能電池的比例, 使其更能夠依據設計者所需敝外光的透光度,藉以控制建築物的採 光與溫室的溫度等,並可降低空調設備的使用率。 外,本創作的實施例除了可應用於建築物的窗戶或屋頂上藉以 調即室内的溫度之外,亦可以應用於需要較多綠光或藍綠混光的農業 f花卉產業’轉持溫㈣室内溫度,有祕農作物與花卉培養。換 5之’本_的實施繼智㈣薄膜太陽能電池在產業洲上具有極 為巨大的貢獻。 雖然本創作已以實關揭露如上,然其麟用以限林創作任 何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本創作的精神和範圍 内’當可作些較動躺飾,故本創作倾細當碰狀巾請 範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 圖1 =依,本創作—實施例增強型之紅外光隨溫度自動切換之智 月b型溥臈太陽能電池的剖面示意圖。 圖賴本翁—實施舰明溫度導向林層的紅外級光度示音 圖0 〜 【主要元件符號說明】 1〇 :薄膜太陽能電池 100、160 ·•透光基板 11〇:上電極層 M409534 120 光伏層 123 N型半導體層 125 P型半導體層 130 溫度導向光學層 140 下電極層 150 超薄導電層
L :入射光線 L1 :溫度低於攝氏20度時的曲線 L2 :溫度高於攝氏30度時的曲線 IR :紅外光的光線頻率 T:溫度導向光學層的溫度 11
Claims (1)
- M409534 六、申請專利範圍: 1· 一種增強型之紅外光隨溫度自動切換之智能型薄膜太陽能電池,包 括: 透光基板; 上電極層,配置於該透光基板上; 光伏層,配置於該上電極層上; 下電極層,配置於該光伏層上; 溫度導向光學層,配置於該光伏層與該下電極層之間,該溫度導向 光學層對紅外光的透光度隨溫度而變,其中當該溫度導向光學層 的該溫度提升至特定範圍時,該溫度導向光學層對該紅外光的透 光度會降低;以及 超薄導電層,配置於該下電極層上並反射通過該溫度導向光學層的 該紅外光。 2·如申請專利範圍第1項所述的增強型之紅外光隨溫度自動切換之 智能型薄膜太陽能電池,其中該超薄導電層的厚度大於等於2nm 且小於等於20nm。 3.如申請專利範圍第2項所述的增強型之紅外光隨溫度自動切換之 智能型薄膜太陽能電池,其中該超薄導電層的材質包括過渡金屬。 4·如申請專利範圍第3項所述的增強型之紅外光隨溫度自動切換之 智能型薄膜太陽能電池,其中該過渡金屬包括鎳、銀或鋁。 5. 如申請專利範圍第1項所述的增強型之紅外光隨溫度自動切換之 智能型薄膜太陽能電池,其中該溫度導向光學層的材質包括二氮化 銳或者氧元素與釩元素的化合物。 6. 如申凊專利範圍第1項所述的增強型之紅外光隨溫度自動切換之 智能型_太陽能電池,其中該溫度導向光學層摻雜有鈦、銀或鋼。 7. 如申請專利範圍第1項所述的增強型之紅外舰溫度自動切換之 智能型薄膜太陽能電池,其中當該溫度提升至攝氏加度以上時, 12 M409534 該温度導向光學層對該紅外光的透光率會降低。 8.如申請f利範圍第7項所述的增強型之紅外光隨 導向光學層對雜料,該溫度 9·如申請^範,第1項所述的增強型之紅外光隨溫度自動切換之 智能㈣膜太陽能電池,其巾該溫度導向光學層對該紅外光的透 度隨該溫度的提升而降低。 10.如申請專利範圍第1項所述的增龍之紅外光隨溫度自動切換之 智能裂薄膜太陽能電池’其中該光伏層包括Ν型半導體層與ρ型 半導體層,依序配置於該上電極層與該下電極層之間。0/、 13
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|---|---|---|---|
| TW100203832U TWM409534U (en) | 2011-03-04 | 2011-03-04 | Temperature-oriented of enhanced intelligent thin film solar cell for infrared light transmittance |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW100203832U TWM409534U (en) | 2011-03-04 | 2011-03-04 | Temperature-oriented of enhanced intelligent thin film solar cell for infrared light transmittance |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWM409534U true TWM409534U (en) | 2011-08-11 |
Family
ID=45085361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW100203832U TWM409534U (en) | 2011-03-04 | 2011-03-04 | Temperature-oriented of enhanced intelligent thin film solar cell for infrared light transmittance |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWM409534U (zh) |
-
2011
- 2011-03-04 TW TW100203832U patent/TWM409534U/zh not_active IP Right Cessation
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