TWM396973U - Transflective display device - Google Patents

Description

^^96973 五、新型說明： 【新型所屬之技術領域】 本創作侧於一種半穿透半反射式顯示裝置，尤指可使同一個 晝素區操作讀顏式、半穿透半反射模式、與反射模式中的任一 模式下的一種半穿透半反射式顯示裝置。 【先前技術】 液晶顯示面板依其光源的利用及陣列基板的差異，可分為穿透 =反射式、縣輯半域式等三種。隨絲晶齡如及可攜 2子產品的普及化，液晶顯和必需兼顧在戶外強光環境與室内 ^兄’甚至是在暗處時的顯示品質，而半穿透半反射式液晶顯示面 板即為在上述魏中皆可提供_清晰之顯示效果的—較佳選擇。 然而，爲知技術中的半穿透半反射式液晶顯示面板，每一畫素 區^穿透區與反舰之面積比例制定不變，無法隨環境的差異做 適當比例的婦。這樣的關造絲晶齡面板無法隨魏不同， 而心取最適當的顯示赋(穿透式、反減、或半穿解反射式)以 逹到較佳的顯示品質。 【新型内容】 本創作之目的之—在於提供—種半穿透半反射麵稀置，以 解決習知技術中所面臨的問題。 本創作之-較佳實施例提供一種半穿透半反射式顯示裝置，其 杯糾一Γ歧且電，錢置、以及—液晶面板。背光模組係用以 *射-背絲’而魏裝設置於背細組上 :Γ基板、一第二基板、一電泳層、-集極、 ._透明電極。第—基板具有至少―畫素區，且晝素區定義有- -疋件區與―顯示區。第二基板係與第—基板相對設置，而電泳層係 設置於第一基板與第二基板之間，並且電泳、泰 ’、 •數個/ 有一透明流體與複 不透月4粒子。集極、閘極、與複數個透明電極係設置在第 7 土板與第二基板之間，其帽極觸極係設置於元件區内，而複 個透明電極係設置於顯示區内。此外，液晶面板係設置於電泳裝 本創作之半穿透半反射式顯示裝置，利用於電泳裝置中設置集 極、閘極、與複數個透明電極，來改變不透明帶電粒子的分布，進 而可依照雜狀D目畫倾操作料透 賴式、與觸料中的任-料下， 【實施方式】 —在說明書及後續的申請專利範圍當中使用了某些詞彙來指稱特 疋的轉。所屬領域巾具有通常知識者射轉 不同的名财射同樣的元件。本說明# 2用 不，差異來作為區別元件的方式，而==: M396973 異來作為區別的基準^在通篇說明書及後續的申請專概圍當中所 提及的「包括」係為—開放式的用語，故應解釋成「包括但不限定 於」。此外，需>主意的是圖式僅以說明為目的，並未依照原尺寸作圖。 、* '考第1圖，第1圖繪示了本創作第一較佳實施例之半穿透 半反射式顯示裝置的示意圖。如第1圖所示，半穿透半反 裝置刚&括-背光模組10、一電泳裝置20、以及一液晶面板；； 背光模組10係用以發射一背光源，而電泳裝置20係設置於背光模 j 1〇上。再者，電泳裝置2G包括—第一基板21、-第二基板22、 電夂s 23集極24、一閘極25、以及複數個透明電極26。第 一基板21具有至少—晝素區P，且晝素區P定義有-元件區C與-顯不區D。為簡化朗，在本文中僅以—個畫素區p來進行說明， :=::不以此為限，而可以具有複數個晝素區p。第二基板22 =▲板21相對設置，而電泳層23係設置於第一基板21與第 之間，並且電泳層23具有一透明流體231與複數個不透 射，刪帶餘子232觸可以為一正電 創！!並不以此為限。例如，不透明帶電粒子232之電荷亦 [其杯—。集極％、閘極&、與複數個透明電極26係設置在 ==與第:Μ 22之間，其中集極24與閉極㈣設置於 或是透明導^Γ極24與間極25可由不透明導電材料例如金屬， 在本=Γ，超輪26_轉娜所構成。 實她例中’集極24、閉極25、與複數個透明電極26係設 M396973 置在第一基板21面向第二基板22的一面上，但不以此為限。例如， 在另一較佳實施例中，集極24可以設置在第二基板22面向第一基 板21的一面上，而閘極25與複數個透明電極26則設置在第一基板 21面向第二基板22的一面上。換言之，集極24、閘極25、與複數 個透明電極26只需設置於第一基板21與第二基板22之間，而並不 限定要設置第-基板21或第二基板22 ’並且不限定集極24、閉極 25、與複數個透明電極26等元件要設置在同一基板上。 如第1圖所示，液晶面板30係設置於電泳裝置2〇上。液晶面 板30包括一陣列基板3卜一第三基板32、一液晶層％、以及一彩 色濾光片34。在本較佳實施例中，電泳裴置2〇之第二基板22與液 晶面板30之陣列基板31係為同一個基板，但不以此為限。陣列基 板31與第三基板32相對設置，而液晶層33係設置於陣列基板31 與第三基板32之間，並且彩色濾光片34係設置於第三基板32上。 考量於半？透枝賴灯，她於背域組1()峨供的背光源， 反射光會通過液晶面板犯兩次而在彩色濾光片％上有較大的損 耗’因此衫色據光片34可具有至少-透明區域(幫⑽御，用以 減少反射光之損耗。再者，一遮光層342可設置於第三基板％上， 大體上對應於第-基板21之元龍c，用以增加對比度。如第！圖 所不，-畫素電極35係設置於陣列基板31上，而一共通電極允 係。又置於第二基板32上。據此’透過於晝素電極％與共通電極％ 之間提供-電壓差，可絲控制液晶層33内的複數個液晶分子，以 達到畫面顯示的效果。 M396973 再者，半穿透半反射式顯示裝置100可另外包括一第一偏光板 41、一第二偏光板42、一第一波板43、以及一第二波板44。在本 較佳實施例中，第一偏光板41與第一波板43係設置於第一基板21 面向背光模組10的一側’而第二偏光板42與第二波板44係設置於 第二基板32的一側。值得注意的是，本較佳實施例的液晶層33係 為一混合扭曲向列(mixed-mode twisted nematic，MTN)型的液晶層。 對應於此混合扭曲向列型的液晶層33，本較佳實施例的第一偏光板-41與第二偏光板42係具有相同的偏振方向，並且第一波板43與第_ 二波板44皆為四分之一波板，亦即光線通過本較佳實施例的第一波 板43與第二波板44的相位差大體上等於四分之一波長。相較於一 般的扭曲向列型的液晶層，本創作之混合扭曲向列型的液晶層不但 可提供較高#亮度(brightness) ’且可避免一般反射式顯示器所具有 的視差(parallax)問題。然而’第一較佳實施例的液晶層％並不限於 混合扭曲向列型的液晶層，而可為其它各種型式之液晶層。例如， 於另-實施態樣中，第i财的液晶層33可以為一垂直配向⑽㈣籲

Alig_nt，VA)型的液晶層。對應於此垂直配向型的液晶層33，第· -偏光板41與第二偏光板42可以互健直或互相平行，依所設計 的相位差值不同，且不侷限於特定的角度，而第一波板43與第二波 板44可經由偏振態的計算來決定擺放的角度。 為使熟習本創作所屬技術領域之一般技藝者能更進一步了解本 創作’下文列舉本創作之數個實施態樣，利用第一較佳實施例之半 穿透半反射式顯示裝置100操作 射式等模式下的示意圖，並配、透^半穿透半反射式、與反 複數個透明電極26分別所接受至1不2灯集極24、閉極25、與 内容及所欲if A 電堃值’詳細說明本創作的構成 令叹所钬達成之功效。值得 與不透明帶電粒子232的差異而2 由碰值依照流體231 明為目、麵不同，故下文之賴值僅以說 子232 |^ 值之_形成的電縣㈣不義帶電粒 于232。再者，為簡化說明，第2 电下 僅繪示第1圖中半穿透丰反 、第6圖、與第8圖 24、閘極25 _置卿的第—基板2卜集極 具有二二Γ及ΓΓ透明電極26 ’並且不透明帶電粒子_、以 電粒子232ϋ^^二，作並Μ此祕，抑卩不透明帶 、有負電何的’僅需改變電場的方向即可。 :參考第2圖與第3圖，第2圖與第3圖繪示了本創作第一較 貫化例之半穿透半反射式顯示裝置励於一穿透模式下的示意 私第2圖所不’集極24、閘極％、與複數個透明電極26於初 ^日、之電壓為Q伏特，而不透明帶電粒子Μ?可以任意分布於第一 二板21上。接著’維持集極24之電壓為〇伏特，提供6伏特給閘 。25 ’而提供9伏特給最靠近閘極25的透明電極26，且提供15 伏特給最遠離閘極25的透明電極26。據此，本創作可利用最遠離 間極25的透明電極26與閘極25之間的電磨差卿成的電場，且利 用閘極25與集極24之間的電壓差所形成的電場，將不透明帶電粒 子232驅動至絲24上。值得注意的是，驅動的方式不以上述方式 為限’於另-實施例中’也可僅最遠離閘極25之透明電極％ M396973 2、集極24兩者之間的電壓差卿如電場來驅動*透明帶電粒子 =2至集極24上。之後’使閘極25之電壓為9伏特，並使其餘的 、明電極26與集極24之電壓為〇伏特，藉此將不透明帶電粒子232 、凑寺於木極24上。據此’如第3圖所示，於穿透模式下，複數個不 =明帶電粒子232會設置在集極24上，而背光源li係通過複數個 =明電極26以提供給液晶面板3G。換言之，背光模組1()所提供的 身光源L1可通過電泳裝置2G，使顯示區d為—穿透區。 請參考第4圖與第5圖，第4圖與第5圖繪示了本創作第一較 施例之半穿透半反射式顯示裝置则於一反射模式下的示意 ^ ”中第4圖主要用以說明本創作第_較佳實施例之半穿透半反 2顯示裝置刚轉換到一反射模式的過程。值得注意的是，於轉 2射模式前，可先進行-重置(_)步驟，大體上相同於第 圖的方式，將不透明帶電粒子232移動至集極24上，以利後續步 仃，第4圖所示，初始時集極24與複數個透明電極％之 伏特，而閘極25之電壓為9伏特，將不透明帶電粒子攻 供夺，極24上。接著，使集極24朗極25為g伏特並分別提 中特、-9伏特、_12伏特、與_15伏特給四個透明電極％，1 :閘極25的透明電極26具有較高的電壓，而較遠離間㈣ 明26具有較低_。據此，本創作可_極24與透 =極26之間的電壓差所形成的電場，將不透明帶電粒子232由华 ^敏透明電極26上。再者，本_可__兩個的透明 26之間的電壓差所形成的電場，協助將不透明帶電粒子攻 M396973 獅t布於四個透明電極％上。之後，使閘極25之電壓為9伏特， :餘的透明電極26與集極24之電壓為Q伏特，藉此將不透明 模^子攻維持於透明電極26上。據此，如第5圖所示，於反射 反抑^數個不透明帶電极子232會設置在透明電極％上，用以 區。岭切L2。換言之，於此實施態樣中，顯示區d為一反射 佳參考第6圖與第7圖，第6圖與第7圖繪示了本創作第-較 ==之反射式顯示農置100於一半穿透半反射模式下 二==其以6圖主要㈣朗本創作苐—較 斜=顯示裝請由穿透模式轉換到半穿透半一 ’初始時輪24與複數個透明電極26之電壓為 〇隹=’而閘極25之電壓為9伏特，將不透明帶電粒子232維2 =上。接著，如第8圖所示，使集極24 伏特，並分別提供_6伏特、] 龟撕 明電極26。換言之，1 υ 伏特、與-6伏特給四個透 26且有¥低^厂、固透明電極26相較於其他的透明電極 ^、乂 -、電堅。據此，本創作可利用集極％與透明電極％之 = 明帶電粒子232 上。再者，本創作可利用具有較低的電壓 粒子232咖物峨極％上(如 電 個透=26上）。之後，使集極24與靠近閉=的兩 %之電壓為叫並使_25咖_ == M396973 藉此維持不透明帶電粒子232的分布。據此，如第7 _ 分的透明=6反賴式T，複數個不透明帶電粒子232覆蓋於部 不透明反射魏杨U，耐絲U係通過未被 232 26以提供給液晶面板％。換 、此實施態樣中，顯示區D同時具有—反射區與—穿透區。 8 _第9 κ ’第8 _第9圖繪示了本創作第一較 另例^穿透半反射式顯示裝置卿於半穿透半反射模式下的 其中第8圖主要用以說明本創作第—較佳實施例之 的裝置1㈤由反射模式轉換到半穿透半反射模式 壓為二=::::=透一之電 明雷搞％ u — 巧仇特，將不透明帶電粒子232維持在透 電和26上。接者，如第8圖所示，使集極 =透明電極26。據此，本創作可利用具有較高酬透:二 26與集極24之間的電壓差+ 電和 子232驅動至_電場，將部份的不透明帶電粒 ，並且_具錄冑賴的義f極26血 1餘=翻電極26之_電壓差所形成的電場，將部份的不透= 〜立232驅動至其餘的透明電極26上。再者，本創作 =透明電極26之間的電壓差所形成的電場，協助將不透= 粒子232均句分布於三個透 / ▼電 =使其餘的透明電極與集極為。伏特=== 子232的分布。據此，如第9 命電拉 第9圖所不，於半穿透半反射模式下，複 12 M396973 數個不透明帶電粒子232覆蓋於部分的透明電極26上用以反射一環 境光源L2，而背光源L1係通過未被不透明帶電粒子232覆蓋之透 明電極26以提供給液晶面板3〇。換言之，於此實施態樣中，顯示 區D同時具有一反射區與一穿透區。值得注意的是，第9圖與第7 圖的兩個實施態樣皆屬於半穿透半反射模式，但兩者之顯示區D中 的反射區與穿透區之面積比例可以不同，亦即可以依照操作環境的 差異來調整顯示區D中的反射區與穿透區之面積比例。 本創作的半穿透半反射式顯示裝置並不以上述之第一較佳實施 例為限’而可具有其它不同的實施樣態。為了簡化說明並易於比較， 在下文之第二較佳實施例中，對於相同元件沿用相同的符號來表 不，並且主要針對相異處進行說明，相㈤處不㈣述。請參考第1〇 圖’第1G圖繪了本創作第二較佳實施例之半穿透半反射式顯示裝 置200的示意圖。如第U)圖所示，第二較佳實施例與第—較佳實施 例的其中-個差異在於，第二較佳實施例的液晶層33係為一扭曲向 列㈣ted_atlc，TN)型的液晶層。對應於此扭曲向列型的液晶層 33 ’本較佳實施例可不需要設置四分之—雜，且第—偏光板41 會設置於具有反射功能的不透明帶電粒子说的上方。更明確地 說，本較佳實施例的第-偏光板Μ係設置於第二基板η面向第一 基板21的側再者第一較佳實施例與第一較佳實施例的另一個 差異在於，第二齡實施例中電料置2G之第—基板21與液晶面 板30之陣列絲31係為同—個基板^換言之，集極％、閘極^、 與複數個透明電極26係設置於#近液晶面板3㈣—側。據此，第 M396973 I乂佳實施例同樣可藉由集極24、卩祕25、與複數個透明電極％ 所提供j電場分布，來改變不透明帶電粒子说的設置位置，進而 可依照％㈣差異使同—個晝素區操作於穿透模式、半穿透半反射 (式。反射模式㈣任_模式下，以達到較佳的顯示效果。 综上所述’本創作之半穿透半反射式顯示裝置，於顯示面板盘 背光模組⑽設置電賴置，且於躲打中設置不透明帶電粒 子、集極1極、以及複數個透明電極4者，本創作可利用集極、 開極、與複數個透明電極所提供的電場分布，來改變不透明帶電粒 子的設置位置。據此，本解可依崎_差異朗_個畫素區操 作於穿透模式、半穿透半反賴式、與反概式巾的任-模式下， 以達到較佳的顯示效果。此外，於半穿透半反射模式下，同一晝素 區的反射區與穿透區之面積比例，亦可以利用集極、祕、與複數 個透明電極所提供的電場分布來進行調整，以適應不同的操作環境。 以上所述僅為本創作之較佳實施例，凡依本創作申請專利範圍 所做之均等變化與修飾，皆應屬本創作之涵蓋範圍。 【圖式簡單說明】 第1圖繪示了本創作第-較佳實施例之半穿透半反射式顯示裝置的 示意圖。 第2圖與第3 _示了本創作第—較佳實施例之半穿透半反射式顯 示裴置於一穿透模式下的示意圖。 M396973

第4圖與第5 _示了本創作第-較佳實施例之半穿透半反 示裝置於一反射模式下的示意圖。

第6圖與第7圖繪示了本創作第一較佳 示裝置於一半穿透半反射模式下的 第8圖與第9圖繪示了本創作第一較佳 示裝置於半穿透半反射模式下的另 實施例之半穿透半反射式顯示裝 第10圖緣示了本創作第二較佳 的不意圖。 實施例之半穿透半反射式顯 示意圖。 實施例之半穿透半反射式顯 一個示意圖。

【主要元件符號說明】 100 20 200半穿透半反射式顯示裝置 電泳裝置 10 21 第一基板 30 23 電泳層 22 232 231 25 不透明帶電粒子 間極 24 P 畫素區 26 D 顯示區 C 32 第三基板 31 34 %色濾光片 33 342 遞光層 341 36 共通電極 35 41 背光模組 液晶面板 第二基板 透明流體 集極 透明電極 元件區 陣列基板 液晶層 透明區域 晝素電極 第一偏光板 15 M396973 42 第二偏光板 43 第一波板 44 第二波板 L1 背光源 L2 環境光源

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Claims (1)

1. M396973 六、申請專利範圍： 1. 一種半穿透半反射式顯示裝置，包括： 一背光模組，用以發射一背光源； 一電泳裝置，設置於該背光模組上，該電泳裝置包括： 一第一基板’該第一基板具有至少一畫素區，且該晝素區定 義有一元件區與一顯示區； 一第二基板，與該第一基板相對設置； 一電泳層’設置於該第一基板與該第二基板之間，該電泳層 具有一透明流體與複數個不透明帶電粒子；以及 一集極、一閘極、與複數個透明電極，設置在該第一基板與 該第二基板之間，其中該集極與該閘極係設置於該元件 區内，而該等透明電極係設置於該顯示區内；以及 一液晶面板，設置於該電泳裝置上。 2.如請求们所狀半穿料反射趣稀置，其巾於-穿透模式 ::不翻帶餘子設置在該集極上，而該背光源係通過該 專透明電極以提供給該液晶面板。 如。月求項1所述之半穿透半反射式顯示裝置射於 下，該等不透明帶電粒子覆蓋於該等透明雷極^， 境光源。 寻边月電極上，用以反射-環 M396973 4. 如請求項1所述之半穿透半反射林置，其中於—半穿透半 反射模式下，該等不透明帶電粒子於部分的該等透明=極上 =祕:環境光源，而該背光義制未_料透明帶電粒 子覆盍之5亥等透明電極以提供給該液晶面板。 5. 所述之半穿料反料紛裝置，其中該集極、該閉 ’透明電極係設置在該第_基板面向該第二基板的一面 月长項1所述之半穿透半反射式顯示裝置，其巾該液晶面板包 枯· 一第三基板； 一彩色濾光片，設置於該第三基板上； 陣列基板’與該第三基板相對設置； -液晶層，設置於該第三基板與該陣列基板之間。 8. 所述之半穿透半反射式顯示裝置，另包括-遮光層設 亥第三基板上’大體上對應於該第-基板之該元件區。 h求項6所述之半穿透半反射式_裝置，其中該電泳裝置之 M396973 該第二基板與該液晶面板之該陣列基板係為同一個基板。 10.如請求項6所述之半穿透半反射式顯示裝置，其中該電泳裝置之 該第一基板與該液晶面板之該陣列基板係為同一個基板。 七、圖式： 19