M313312 八、新型說明： 【新型所屬之技術領域】 /創作係有||於-種能夠增加發光效率之發光二極體 封裝結構，尤指-種將發光二極體之發光表面設置於榮光 膠體上’以無阻礙的方式使該發光二極體之光源直接投射 出該螢光膠體之發光二極體封裝結構。 【先前技術】 制。月^閱弟一圖所不’其係為習知以打線（wire-bonding )衣程i作之發光二極體封裝結構之剖面示意圖。由圖中 可知，習知之發光二極體封裝結構係包括：一基底結構工 a、:數個設置於該基底結構h上端之發光二極體2 21、複數條導線3 a、及複數個螢光膠體4 a。 其中，每-個發光二極體2 a係以其出光表面2 〇 & 为向该基底結構1 a而設置於該基底結構1 a上，並且每 -個:务光二極體2 3上端之正、負電極區域Η a a係4由兩&導線3 a以電性連接於該 對正、負電極區域lla、12a。再者，每—=目 ：係覆蓋於該相對應之發光二極體2 a及兩條： 矣、3上~ ’以保護該相對應之發光二極體2 a。 ;而：由於该兩個導線3 a之一端皆設置於該發 端之ΐ負電極區域21a、22a，因此當ί 1广一圣體2 3猎由該出光表面2 0 a進行光線投射日士、 該兩條導線3 a將造成投射陰影，而降倾發光二極^ 6 M313312 a之發光品質。 因此，為了解決上述問題，習知係提出一種決解方法， 請參閱第二圖所示，其係為習知以覆晶封裝（FU]>chip)製 矛壬▲作之發光一極體封裝結構之剖面示意圖。由圖中可 知，習知利用覆晶封裝（Flip_chip)製程，首先將兩個錫球 (solder ball) 3 b (或是金球（gold bump))分別設置於 每一個發光二極體2 b之出光表面2 0 b的另一端之正、 負電極區域2 1b、2 2 b上；然後，再將該等發光二極 體2 b翻轉過來，使得相對應之出光表面2 〇 b朝上，並 且藉由相對應之兩個錫球3b (或是金球（goldbump))， 使得遠等發光二極體2 b之正、負電極區域2 1 b、2 2 b分別電性連接於一基底結構i b之正、負電極區域工工 b、1 2 b。藉此，當該發光二極體2 ]3藉由該出光表面 2 0 b進行光線投射時，將不會造成任何之投射陰影，而 能保持原有之發光二極體2 b的發光品質。 然而，上述習知之覆晶封裝（Flip_chip)製程仍有下例 幾項之缺失： 1、 必須添購覆晶封裝（Flip-chip )製程所需之專用 機，因此將增加原有製程之成本； 2、 覆晶封裝（Flip-chip)製程之生產速度較習知打線 製程慢，因此將降低原有製程之生產效率； 3、 覆晶封裝（Flip-chip)製程尚有發光二極體2 b定 位不易的問題；以及 4、 該發光二極體2 b的下端將造成因折射光的震盪 M313312 所產生的光消耗，而降低該發光二極體2 b發光 效率。 是以，由上可知，目前習知之發光二極體封裝結構， 顯然具有不便與缺失存在，而待加以改善者。 緣是，本創作人有感上述缺失之可改善，且依據多年 來從事此方面之相關經驗，悉心觀察且研究之，並配合學 理之運用，而提出一種設計合理且有效改善上述缺失之本 創作。 【新型内容】 本創作所要解決的技術問題，在於提供一種能夠增加 發光效率之發光二極體封裝結構，其係以傳統壓模（die mold )、印刷（printing )或射出成型（injection molding ) 方法、及打線（wire-bonding)製程，即可將發光二極體之 發光表面設置於螢光膠體上，以無阻礙的方式使該發光二 極體之光源直接投射出該螢光膠體，以改善習知因導線所 造成的投射陰影、以及習知使用覆晶封裝（Flip-chip)製程 所造成之缺失。 為了解決上述技術問題，根據本創作之其中一種方 案，提供一種能夠增加發光效率之發光二極體封裝結構， 其包括：一基材單元、複數個螢光膠體單元、複數個發光 二極體單元、複數個導電單元、及複數個不透光單元。其 中，該基材單元係具有一本體、及複數個穿透該本體之穿 孔；每一個螢光膠體單元係容置於該等相對應之穿孔内， M313312 並且每一個螢光膠體單元係具有一安裝表面；每一個發光 二極體單元係具有一發光表面，並且每一個發光二極體單 元孫以其發光表面面向相對應之安裝表面而設置於該相對 應之螢光膠體單元上；每一個導電單元係分別電性連接於 每一個發光二極體單元與該本體兩者間之具相同極性之電 極區域；以及，每一個不透光單元係設置於該本體上，以 包覆相對應之螢光膠體單元之安裝表面、發光二極體單 元、及導電單元。 再者，本創作之能夠增加發光效率之發光二極體封裝 結構，更進一步包括：複數個與該等發光二極體單元相對 應之聚光單元，其中每一個聚光單元係具有二個不透光塊 體，其分別設置於相對應之發光二極體單元的相對面之本 體的二侧面，以聚集該相對應發光二極體單元從該相對應 螢光膠體單元所射出之光源。 另外，該本體係具有複數對導角部（Lead angle)，並 且每一對導角部（Lead angle)係設置於相對應之發光二極 體單元的相對面之本體的兩側緣，以聚集該相對應發光二 極體單元從該相對應螢光膠體單元所射出之光源。 此外，本創作之能夠增加發光效率之發光二極體封裝 結構，更進一步包括··複數個防靜電單元，其中每一個防 靜電單元係設置於該相對應發光二極體單元的其中一侧邊 之本體上，並且每一個防靜電單元之正、負電極區域係分 別藉由該等導電單元中之兩個導電單元與該本體之兩相對 應負、正電極區域產生電性連接，其中該本體之兩相對應 M313312 ΐ兩tr區域係設置於該相對應發光二極體單元的兩旁 技術=:=;=預_ 附圖，相信本創作之目的、特f本創作之詳細說明與 人且具體之瞭解，然而所二由此得一深 非用來對本創作加以限制者。編、茶考興說明用，並 【實施方式】 二圖所示，其係、為本創作能 =二，I结構之第-實施例之剖面示意圖 二：：=供一_增加發光效率之發光= 9衣…構，其包括：—基材單元1、複數個螢光鮮單 几2、複數個發光二極體單元3、複數個 : 數個不透光單元5。 早兀及i 該基材單元1係具有一本體] 體1 0之穿孔1 4，其中該等穿孔】:ζ固該本 (etchmg)、沖壓（punch)或任何可形成孔洞的方式，以 穿透賴於該本體i 〇内部。再者，每一個螢光膠體單元 2,容置於該等相對應之穿孔工4内，並且每—個螢光膠 體早兀2係具有-安裝表面2 〇 ’其中該等螢光膠體單元 2係可以壓模（dle mold)、印刷（prmtmg)、射出成型 (mjecdon mddrng)或任何合適的方式容置於該等相對應 之穿孔1 4内。 〜 10 M313312 此外，每-個發光二極體單元3係具有一發光表面3 二，亚且每-個發光二極體單元3係以其發光表面3 〇面 =目對應之安裝表面2 Q而設置於該相對應之營光 兀2上。 于 另外’每-個導電單元係分別電性連接於每—鄉光 ;極:巧與該本體10兩者間之具相同極性之電極區 Τ，Π，母一個發光二極體單元3之正、負電極區域3 係分別藉由該等導電單元中之兩導電單元4工、 與5亥本體1 〇之兩相對應正、負電極區域工工 =性其中該本體1〇之兩相對應正、負電極： 之第—2”设置於該相對應發光二極體單元3的兩旁 俜非用、、1 1上。惟，上述該正、負電極區域之界定
係非用以限定本創作，因A 正、負電極區域相互對調。此5又§十者可以依貫際情況將該 之本個不透光單元5射設置於該基材單元1 用以包覆相對應之螢光膠體單元2銜 另:，:極體單元3、及導電翠元4 W2 封ft結構更二之能::增加發光效率之發光二極體 相對應之聚光單元6，其等5光二極體單元3 不透光塊體6 0，1分別％f固承光早兀6係具有二個 3的相對面之本體;〇的:個二極f單元 相對應發光二極體單元？…兮 、° 2以聚集該 出之光源。 早兀3攸该相對應螢光膠體單元2所射 M313312 請爹閱第四圖所示，其係為本創作能夠增加 之發光二極體封裝結構之第二實施例之剖面示音圖= 中可知1二實施例與第一實施例最大的不同^ 體1 0係具有複數對導角部（Leadangle)工5 : 對導角部15係設置於相對應之發光二極3= 面之本體10的兩侧緣1〇3， 的相封 肢早;㈣騎切體單元2所射出之光源 五m所* ’其係為本創作能夠增加發光效去 中可知，第三實·。 步包括.、」 率之發光二極體封裝結構更進- 少包括.¾數個防靜電單 甘士― 文進 係設置於兮相斟虛八 7，/、甲母一個防靜電單元7 的第-側面10 “、，> 3的，、中—側邊之本體 電極[ϊϋ 7 1 ，亚且母一個防靜電單元7之正、負 孤域7 1、7 2係 之正負 電單元41>、」◦>t 寻¥电早兀中之兩個導 極區域11'1145亥本體10之兩相對應負、正電 二極體單元3遭受=電性連接’肋防止該等發光 #rb &又到静電的影響或破壞。 一中’該防靜電單元7 皆設置於每—個防私十印 、負笔極區域71、7 2 體1 〇之兩相對庫^早凡7之上端面701，並且該本 於該相對應發二電係設置 上。 極體…的兩旁之第-側面101 其係為本創作能夠增加發光效率 凊參閱第六圖所示 12 M313312 之發光二極體封裝纟士爐 中可知，筮~ 、σ冓罘四實施例之剖面示意圖。由圖 ττ知，弗四實施例與 每 田口 靜電單元I之正 ·7_束大的不同在於：該防 置於每—個防靜電單域71 >、72^系分別設 ◦ 2'以二 之下、上兩端面7〇1'7 正電極區域71二：早凡7之下端面701>的 r直接本體1()之相對應負電極區域1 „〇 屯性連接，而該負電極區域7 2 >传料由導
電早兀4 2 >盥該太邮1n 乙加孝曰由V 生電性連接H al Q之相對應正電極區域1 2 ^產 土私Γ生連接，用以防止〜 的影響或破壞。 …受、一極肢單元3遭受到靜電 惟，上述該防靜電單元7、7 > ^ 正、^ lb m °又置的位置、及吕亥 、^ G或之界定係非用以限定本創作，因此一 可以依實際愔、、〜+別作因此叹叶者 及將該I 電單元7、1所在的位置， 、/ 負迅極區域相互對調。 為本乐七圖、及第Μ11至第八D圖所示，其分別 …、^旎夠增加發光效率之發光二極體封f 方法之第一命# η ^ 肛版封衣結構的封裝 實施例之心 程圖、及四個立體示意圖。由第- 本創作俜^ ♦二圖與該等立體示意圖之比對可知， 構的:增加發光效率之發光二極體封裳結 ,彳/、〇括·如第七圖配合第三圖及第八Ad 所不，首先提供一其鉍留-!廿丄 汉乐八A0 一本I# j n : 兀，/、中該基材單元1係具有 k 〇、及複數個穿透該本體1 0之穿孔1 4 別/置〇)3接著，如第七圖配合第三圖及第八B圖所示，分 別…數個營光膠體單元2於該相對應該等穿孔14 13 M313312 中每—個螢光膠體單元2係具有-安裝表面2 〇 其中該等穿孔i 4係可藉由_ (etdiing)、沖單 i 或形成孔洞的方式，以穿透形成於該本體 Μ. #者以#光膠體單元2係可以壓模（die :::刷一^ 壬了口適的方式容置於該等相對應之穿孔工4内。— Mf接:f ’如第七圖配合第三圖及第八C圖所示，分別 1稷數個發光二極群元3於該相對應料螢光膠體單 =、，,其Γ每—個發^極體單元3係具有—發光表面 0，亚且母一個發光二極體單元3係以其 面向相對應之安裝表面2◦而設置於該相對應 ^ 單元2上伽4);織，藉由複數辦鲜元分別電性= 接於每-個發光二極體單元3及該本體工〇兩者間之呈相 同極性之電極區域，亦即每一個發光二極體單元3之^、 =¾極區域3 1、3 2係分別藉由該等導電單元中之兩導 琶單元4 1 4 2與该本體1 ◦之兩相對應正、負柄p 域1 1、1 2產生電性連接，其中該本體丄〇之兩相對^ ^負電極區域1 ii 2係設置於該相對應發光二極體 單元3的兩旁之第一侧面1 〇 1上（si〇6)。 接續，如第七圖配合第三圖及第八D圖所示，設置、包 數個不透光單it 5於該本體1 Q上，以分別包覆相二應= 蚩光.體單元2之安裝表面2 0、發光二極體單元3、 導電單元4 1、4 2 (S108)。 及 14 M313312 最後，提供複數個與該等發光二極體單元3相對應之 聚光單元6，其中每一個聚光單元6係具有二個不透光塊 體6 0，其分別設置於相對應之發光二極體單元3的相對 面之本體1 0的兩個第二侧面1 0 2 (S110)，以聚集該相 對應發光二極體單元3從該相對應螢光膠體單元2所射出 之光源。 請參閱第九圖所示，其係為本創作能夠增加發光效率 之發光二極體封裝結構的封裝方法之第二實施例之流程 圖。由流程圖中可知，第二實施例之步驟S202至S210係 分別依序與第一實施例之步驟S102至S110相同。 然而，第二實施例與第一實施例最大的不同在於：在 第一實施例之步驟S100中，更進一步包括：該本體1 ◦係 具有複數對導角部（Lead angle) 1 5，並且每一對導角部 15係設置於相對應之發光二極體單元3的相對面之本體 1 0的兩側緣1 0 3 (S200)，以聚集該相對應發光二極體 單元3從該相對應螢光膠體單元2所射出之光源。 請參閱第十圖所示，其係為本創作能夠增加發光效率 之發光二極體封裝結構的封裝方法之第三實施例之流程 圖。由流程圖中可知，第三實施例之步驟S300至S306及 步驟S310、S312係分別依序與第二實施例之相對應步驟 S200至S210相同。 然而，第三實施例與第二實施例最大的不同在於：第 三實施例之能夠增加發光效率之發光二極體封裝結構的封 裝方法更進一步包括：提供複數個防靜電單元7.，其中每 15 M313312 —個防靜電單开7 其中—侧、I:: 置於該相對應發光二極體單元3的 /、甲侧邊之本體的第一伽而τ n , 平兀d的 電單元T7之正、負+ 、、 1上，並且每一個防靜 電單元中之油Γ 域71、72係分別藉由該等導 早兀中之兩個導電單元4 传 兩相對應負、正電極_Ί彳.42 /與財體10之 用以防止全亥等f # °° 1 2產生電性連接， 壞。 早 3化叉到者電的影響或破 皆Μ置方Ά °亥防砰電早兀7之正、負電極區域7 1、7 2 白5又置於母一個防靜電單元 72 體10之兩相對庫倉 之上鳊面7〇1，並且該本 於該相對應發光二極體#71 ^ 1 1 2係設置 (S308)。 …3的兩旁之第-侧面1〇工上 率4=二圖姻腦夠增加發光效 圖。由流程圖中可ΓΓ 法之第四實施例之流程 步弓f 、弟四貫施例之步驟S400至S406及 33〇Γ _至S306及步驟S31〇、S3i2相同。 然而’第四實施例盥第二麻曰 防靜電單元7飞正的不同在於：該 — 負電極區域71 ' 7 2 /係分別 设置於每一個防靜電單元了/ 、 平兀（之下、上兩端面701^、 ^ ’以使每—個防靜電單元7、下端面70 ! / r:極區域M，與該本體1〇之相對應負電極區域1 〇接產生€性連接，而該負電㈣域72 —係藉由導 电早兀42與該本體1〇之相對應正電極區域12>產 16 M313312
第 第 三 第 生電性連接（S408)，用以防止該等發光二極體單元3遭受 到靜電的影響或破壞。 綜上所述，本創作之能夠增加發光效率之發光二極體 封裝結構，係藉由傳統壓模（die mold )、印刷（printing ) 或射出成型（injection molding )方法、及打線（wire-bonding ) 製程’即可將發光二極體之發光表面設置於螢光膠體上， 以無阻礙的方式使該發光二極體之光源直接投射出該榮光 膠體’以改善習知因導線所造成的投射陰影、以及習知使 用覆晶封裝（Flip-chip)製程所造成之缺失。 惟，以上所述，僅為本創作最佳之一的具體實施例之 詳細說明與圖式，惟本創作之特徵並不侷限於此，並非用 以限制本創作，本創作之所有範圍應以下述之申請專利範 圍$準，凡合於本創作申請專利範圍之精神與其類似變化 ^施例’皆應包含於本創作之齡中，任何熟悉該項技 ΐ者在本創作之領域内，可輕m之變化或修飾皆可涵 盍在以下本案之專利範圍。 圖 式簡單說明】 圖係為習知以打線（wil^bQnding)製程製作之能夠增 每光放平之發光二極體封裝結構之剖面示意圖； 圖係^知以覆晶封裝（Flip·咖P)製程製作之能夠增 加I光效率之發光二極體封裝結構之剖面示意圖； 圖係為，創作能夠增加發光效率之發光二極體封褒結 構之第一實施例之剖面示意圖； 17 M313312 •極體封裝結 一-極體封裝結 •極體封裝結 -極體封裝結 第四圖係為本創作能夠增加發光效率之發先 構之第二實施例之剖面示意圖·， 第五圖係為糊作_增加發級率之發先： 構之第二實施例之剖面示意圖； 第六圖係為本創作能夠增加發光效率之發光 狄構之第四實施例之剖面示意圖； 弟七圖係為本創作能夠增加發光效率之發 第八aTI:::法之第—實施例之流程圖; 物加發_之 體示意圖；構的封裝方法之第-實施例之立 第九圖係為本創作能夠择 第 構的封效率之發光二極體封裝結 圖係為本創作二實施例之流程圖； 第 構的封裝方法：以效率之發光二極體祕 —圖係為本創作能夠:广例之流程圖；以及 結構的封事方本發光效率之發光二極體封裝 封衣方法之第四實施例之流程圖。 【主要元件符號說明】 [習知j 基底結構 1 正電極區域 11a 發光二極體 9 負電極區域i2a 發光表面20 a 正電極區域 21a 18 M313312 負電極區域 2 2a 正電極區域 11b 負電極區域 12b 發光表面 2 0b 正電極區域 2 1b 負電極區域 2 2b
導線 3 a 螢光膠體 4a 基底結構 lb 發光二極體 2 b 錫球 3 b [本創作] 基材單元 1 螢光膠體單元 2 發光二極體單元 3 本體 10 第一侧面 101 第二側面 102 侧緣 10 3 正電極區域 11 負電極區域 1 2 穿孔 14 導角部 15 負電極區域 1 1 正電極區域 12 安裝表面 20 發光表面 30 正電極區域 31 負電極區域 32 19 M313312 導電單元 4 1 、4 2、4 r、 4 2 不透光單元 5 聚光單元 6 不透光塊體 6 0 防靜電單元 .7 正電極區域 7 1 負電極區域 7 2 上端面 7 0 防靜電單元 7 ^ 正電極區域 7 1 負電極區域 7 2 上端面 7 0 下端面 7 0 20