TWI860086B - 電子裝置 - Google Patents
電子裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI860086B TWI860086B TW112135238A TW112135238A TWI860086B TW I860086 B TWI860086 B TW I860086B TW 112135238 A TW112135238 A TW 112135238A TW 112135238 A TW112135238 A TW 112135238A TW I860086 B TWI860086 B TW I860086B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- switching element
- voltage
- electrically connected
- terminal
- power amplifier
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000306 component Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- -1 element Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
一種電子裝置包括輸入端、功率放大器、分壓電路,和驅動電路。輸入端接收輸入訊號。功率放大器電性連接於電源電壓和接地電壓之間,且包括第一控制端。分壓電路將輸入訊號進行分壓而輸出分壓訊號。驅動電路包括第二控制端,透過第二控制端電性連接分壓電路,且電性連接功率放大器的第一控制端。驅動電路透過排線電性連接輸入端用以接收輸入訊號。驅動電路依據分壓訊號的電壓大小,輸出輸入訊號至功率放大器,用以驅動功率放大器。
Description
本申請是關於電子裝置,特別是關於臨界電壓可控的功率放大器。
目前已商品化的p型氮化鎵半導體功率器件(常關型)的臨界電壓(threshold voltage)皆在1V左右。然而,由於p型氮化鎵半導體功率器件的臨界電壓較低,常發生其閘極受到其他訊號的干擾而使得p型氮化鎵半導體功率器件被誤開啟的狀況。因此,如何將半導體功率器件的臨界電壓調整至與系統操作電壓相匹配成為一個重要課題。
為解決上述問題,本申請揭示一種電子裝置,包括輸入端、功率放大器、分壓電路,和驅動電路。輸入端接收輸入訊號。功率放大器電性連接於電源電壓和接地電壓之間,且包括第一控制端。分壓電路將輸入訊號進行分壓而輸出分壓訊號。驅動電路包括第二控制端,透過第二控制端電性連接分壓電路,且電性連接
功率放大器的第一控制端。驅動電路透過排線電性連接輸入端用以接收輸入訊號。驅動電路依據分壓訊號的電壓大小,輸出輸入訊號至功率放大器,用以驅動功率放大器。
100:電子裝置
102:功率放大器
104:分壓電路
106:驅動電路
110:排線
112:輸入訊號
114:分壓訊號
Q1,Q2,Q3,Qn+1:開關元件
D1,D2,D3,Dn+1:第一端
S1,S2,S3,Sn+1:第二端
G1,G2,G3,Gn+1:控制端
R1,R2:電阻
200,202,204,206,208:電流
A:電源電壓
B:輸入端
C:接地電壓
VD:電壓
(V):電壓
(t):時間
第1圖為本申請實施例之電子裝置100的示意圖。
第2圖為本申請實施例之第1圖電子裝置100的詳細示意圖。
現將詳細地參考本申請的示範性實施例,示範性實施例的實例說明於圖式中。只要有可能,相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
本申請通篇說明書與所附的申請專利範圍中會使用某些詞彙來指稱特定元件。本領域通常知識者應理解,電子裝置製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的組件。本文並不意在區分那些功能相同但名稱不同的組件。在下文說明書與權利要求書中,「含有」與「包含」等詞為開放式詞語,因此其應被解釋為「含有但不限定為...」之意。
本文中所提到的方向用語,例如:“上”、“下”、“前”、“後”、“左”、“右”等,僅是參考圖式的方向。因此,使用的方向用語是用來說明,而並非用來限制本申請。在圖式中,各圖式繪示的
是特定實施例中所使用的方法、結構及/或材料的通常性特徵。然而,這些圖式不應被解釋為界定或限制由這些實施例所涵蓋的範圍或性質。舉例來說,為了清楚起見,各膜層、區域及/或結構的相對尺寸、厚度及位置可能縮小或放大。
本申請中所敘述之一結構(或層別、組件、基材)位於另一結構(或層別、元件、基材)之上/上方,可以指二結構相鄰且直接連接,或是可以指二結構相鄰而非直接連接。非直接連接是指二結構之間具有至少一仲介結構(或仲介層別、仲介組件、仲介基材、仲介間隔),一結構的下側表面相鄰或直接連接於仲介結構的上側表面,另一結構的上側表面相鄰或直接連接於仲介結構的下側表面。而仲介結構可以是單層或多層的實體結構或非實體結構所組成,並無限制。在本申請中,當某結構設置在其它結構「上」時,有可能是指某結構「直接」在其它結構上,或指某結構「間接」在其它結構上,即某結構和其它結構間還夾設有至少一結構。
術語「大約」、「等於」、「相等」或「相同」、「實質上」或「大致上」一般解釋為在所給定的值或範圍的20%以內,或解釋為在所給定的值或範圍的10%、5%、3%、2%、1%或0.5%以內。
說明書與申請專利範圍中所使用的序數例如「第一」、「第二」等之用詞用以修飾元件,其本身並不意含及代表該(或該些)元件有任何之前的序數,也不代表某一元件與另一元件
的順序、或是製造方法上的順序,該些序數的使用僅用來使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚區分。申請專利範圍與說明書中可不使用相同用詞,據此,說明書中的第一構件在申請專利範圍中可能為第二構件。
本申請中所敘述之電性連接或耦接,皆可以指直接連接或間接連接,於直接連接的情況下,兩電路上元件的端點直接連接或以一導體線段互相連接,而於間接連接的情況下,兩電路上元件的端點之間具有開關、二極體、電容、電感、電阻、其他適合的元件、或上述元件的組合,但不限於此。
在本申請中,厚度、長度與寬度的量測方式可以是採用光學顯微鏡量測而得,厚度或寬度則可以由電子顯微鏡中的剖面影像量測而得,但不以此為限。另外,任兩個用來比較的數值或方向,可存在著一定的誤差。另外,本申請中所提到的術語“等於”、“相等”、“相同”、“實質上”或“大致上”通常代表落在給定數值或範圍的10%範圍內。此外,用語“給定範圍為第一數值至第二數值”、“給定範圍落在第一數值至第二數值的範圍內”表示所述給定範圍包括第一數值、第二數值以及它們之間的其它數值。若第一方向垂直於第二方向,則第一方向與第二方向之間的角度可介於80度至100度之間;若第一方向平行於第二方向,則第一方向與第二方向之間的角度可介於0度至10度之間。
須知悉的是,以下所舉實施例可以在不脫離本申請
的精神下,可將數個不同實施例中的特徵進行替換、重組、混合以完成其他實施例。各實施例間特徵只要不違背申請精神或相衝突,均可任意混合搭配使用。
除非另外定義,在此使用的全部用語(包含技術及科學用語)具有與本申請所屬技術領域的技術人員通常理解的相同涵義。能理解的是,這些用語例如在通常使用的字典中定義用語,應被解讀成具有與相關技術及本申請的背景或上下文一致的意思,而不應以一理想化或過度正式的方式解讀,除非在本申請實施例有特別定義。
第1圖為本申請實施例之電子裝置100的示意圖。如第1圖所示,電子裝置100包括一輸入端B、一功率放大器102、一分壓電路104,以及一驅動電路106。在一些實施例中,輸入端B接收一輸入訊號112。在一些實施例中,輸入訊號112可例如來自於一無線電收發器(未圖式),但本申請不限於此。換句話說,輸入端B可例如電性連接至無線電收發器,但本申請不限於此。在一些實施例中,功率放大器102電性連接於一電源電壓(例如第2圖的電源電壓A)和一接地電壓(例如為第2圖的接地電壓C)。功率放大器102包括一控制端,用以接收來自驅動電路106的輸入訊號112,且將輸入訊號112放大,產生一輸出訊號(未圖式)。在一些實施例中,功率放大器102更包括一輸出端,用以將輸出訊號傳送至下一階的電路元件。在一些實施例中,下一階的電路元件可例如為一天線或一濾波器,
但本申請不限於此。
分壓電路104電性連接輸入端B,將來自輸入端B的輸入訊號112進行分壓而輸出一分壓訊號114至驅動電路106。在一些實施例中,分壓訊號114的電壓是用以啟動功率放大器102的電壓,但本申請不限於此。在一些實施例中,驅動電路106包括一控制端。驅動電路106透過其控制端電性連接分壓電路104。驅動電路106電性連接功率放大器102的控制端。在一些實施中,驅動電路106透過一排線110電性連接輸入端B用以接收輸入訊號112。在一些實施例中,排線110包括至少一條連接線。排線110所包括連接線的數量相等於驅動電路106中所包括開關元件的數量。在一些實施例中,驅動電路106依據分壓訊號114的電壓大小,輸出輸入訊號112至功率放大器102,用以驅動功率放大器102,使得輸入訊號112被放大。在一些實施例中,電子裝置100可例如為一行動裝置中的射頻前端電路,但本申請不限於此。
第2圖為本申請實施例之第1圖電子裝置100的詳細示意圖。同時參考第1圖和第2圖。如第2圖所示,功率放大器102包括一開關元件Q1。開關元件Q1包括一第一端D1、一第二端S1,和一控制端G1。在一些實施例中,第一端D1可例如為開關元件Q1的汲極,第二端S1可例如為開關元件Q1的源極,控制端G1可例如為開關元件Q1的閘極。開關元件Q1的第一端D1電性連接電源電壓A,開關元件Q1的第二端S1電性連接接地電壓C。開關元件Q1的控制端
G1電性連接驅動電路106所包括開關元件Q2的第二端S2。在一些實施例中,分壓電路104包括一電阻R1和一電阻R2。電阻R1電性連接於輸入端B和電阻R2之間。電阻R2電性連接於電阻R1和接地電壓C之間。根據分壓定理,輸入訊號112和分壓訊號114符合以下關係。
其中,上述算式中的R1為電阻R1的電阻值,R2為電阻R2的電阻值。
在一些實施例中,開關元件Q1具有一臨界電壓(threshold voltage:Vth)。分壓訊號114的電壓(例如為電壓VD,第2圖揭露分壓訊號114的波形,橫軸(t)為時間,縱軸(V)為電壓)會高於開關元件Q1的臨界電壓。在一些實施例中,開關元件Q1可例如為一增強型金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect Transistor:MOSFET),但本申請不限於此。
在第2圖的實施例中,驅動電路106包括n個開關元件,例如為開關元件Q2、開關元件Q3、...、開關元件Qn+1,且n為正整數。換句話說,驅動電路106包括至少一開關元件。至少一開關元件彼此串接,至少一開關元件的第一者(例如為開關元件Q2)電性連接開關元件Q1(即功率放大器102),至少一開關元件的最後者(例如為開關元件Qn+1)電性連接電阻R1和電阻R2之間(即分壓電路104)。在一些實施例中,開關元件Qn+1包括一第一端Dn+1、一第二
端Sn+1,和一控制端Gn+1。
詳細來說,在第2圖的實施例中,當n=1,驅動電路106包括開關元件Q2。開關元件Q2包括一第一端D2、一第二端S2,和一控制端G2。在一些實施例中,第一端D2可例如為開關元件Q2的汲極,第二端S2可例如為開關元件Q2的源極,控制端G2可例如為開關元件Q2的閘極。開關元件Q2第一端D2電性連接輸入端B。開關元件Q2的第二端S2電性連接開關元件Q1的控制端G1。開關元件Q2的控制端G2電性連接於電阻R1和電阻R2之間。在一些實施例中,開關元件Q2具有一臨界電壓。
在一些實施例中,輸入端B接收輸入訊號112,輸入訊號112經過電阻R1而被分壓產生分壓訊號114。若分壓訊號114的電壓並未高於開關元件Q2的臨界電壓,開關元件Q2為關閉狀態,輸入訊號112無法被傳送至開關元件Q1的控制端G1。因此,開關元件Q1也為關閉狀態。若分壓訊號114的電壓(例如為電壓VD)高於開關元件Q2的臨界電壓,一電流202從電阻R1流至開關元件Q2的控制端G2,使得開關元件Q2的控制端G2所累積的電量大於等於開關元件Q2的一總閘極電荷(Qg)。此時,開關元件Q2變為導通狀態。當開關元件Q2為導通狀態,輸入訊號112可經過開關元件Q2的第一端D2和第二端S2而傳輸至開關元件Q1的控制端G1。
在輸入訊號112傳送至開關元件Q1的控制端G1的同時,一電流208從輸入端B流至開關元件Q1的控制端G1,使得開
關元件Q1的控制端G1所累積的電量大於等於開關元件Q1的一總閘極電荷(Qg)。此時,開關元件Q1變為導通狀態,一電流200從電源電壓A流經開關元件Q1的第一端D1和第二端S1,最後流至接地電壓C,使得輸入訊號112被開關元件Q1所放大。
詳細來說,在第2圖的實施例中,當n=2,驅動電路106包括開關元件Q2和開關元件Q3。開關元件Q2包括第一端D2、第二端S2,和控制端G2。開關元件Q3包括一第一端D3、一第二端S3,和一控制端G3。在一些實施例中,第一端D2可例如為開關元件Q2的汲極,第二端S2可例如為開關元件Q2的源極,控制端G2可例如為開關元件Q2的閘極。第一端D3可例如為開關元件Q3的汲極,第二端S3可例如為開關元件Q3的源極,控制端G3可例如為開關元件Q3的閘極。開關元件Q2第一端D2電性連接輸入端B。開關元件Q2的第二端S2電性連接開關元件Q1的控制端G1。開關元件Q2的控制端G2電性連接開關元件Q3的第二端S3。開關元件Q3的第一端D3電性連接輸入端B。開關元件Q3的控制端G3電性連接於電阻R1和電阻R2之間。在一些實施例中,開關元件Q2、Q3分別具有一臨界電壓。
在一些實施例中,輸入端B接收輸入訊號112,輸入訊號112經過電阻R1而被分壓產生分壓訊號114。若分壓訊號114的電壓並未高於開關元件Q3的臨界電壓,開關元件Q3為關閉狀態,輸入訊號112無法被傳送至開關元件Q2的控制端G2。因此,開關元件
Q2為關閉狀態。輸入訊號112也無法被傳送至開關元件Q1的控制端G1。因此,開關元件Q1也為關閉狀態。
若分壓訊號114的電壓(例如為電壓VD)高於開關元件Q3的臨界電壓,電流202從電阻R1流至開關元件Q3的控制端G3,使得開關元件Q3的控制端G3所累積的電量大於等於開關元件Q3的一總閘極電荷(Qg)。此時,開關元件Q3變為導通狀態。當開關元件Q3為導通狀態,輸入訊號112可經過開關元件Q3的第一端D3和第二端S3而傳輸至開關元件Q2的控制端G2。在輸入訊號112傳送至開關元件Q2的控制端G2的同時,一電流206從輸入端B流至開關元件Q2的控制端G2,使得開關元件Q2的控制端G2所累積的電量大於等於開關元件Q2的總閘極電荷(Qg)。此時,開關元件Q2變為導通狀態。當開關元件Q2為導通狀態,輸入訊號112可經過開關元件Q2的第一端D2和第二端S2而傳輸至開關元件Q1的控制端G1。
在輸入訊號112傳送至開關元件Q1的控制端G1的同時,電流208從輸入端B流至開關元件Q1的控制端G1,使得開關元件Q1的控制端G1所累積的電量大於等於開關元件Q1的總閘極電荷(Qg)。此時,開關元件Q1變為導通狀態,電流200從電源電壓A流經開關元件Q1的第一端D1和第二端S1,最後流至接地電壓C,使得輸入訊號112被開關元件Q1所放大。
詳細來說,在第2圖的實施例中,當n=3,驅動電路106包括開關元件Q2、開關元件Q3,和開關元件Q4。開關元件Q2
包括第一端D2、第二端S2,和控制端G2。開關元件Q3包括第一端D3、第二端S3,和控制端G3。開關元件Q4包括一第一端D4、一第二端S4,和一控制端G4。在一些實施例中,第一端D2可例如為開關元件Q2的汲極,第二端S2可例如為開關元件Q2的源極,控制端G2可例如為開關元件Q2的閘極。第一端D3可例如為開關元件Q3的汲極,第二端S3可例如為開關元件Q3的源極,控制端G3可例如為開關元件Q3的閘極。第一端D4可例如為開關元件Q4的汲極,第二端S4可例如為開關元件Q4的源極,控制端G4可例如為開關元件Q4的閘極。
開關元件Q2第一端D2電性連接輸入端B。開關元件Q2的第二端S2電性連接開關元件Q1的控制端G1。開關元件Q2的控制端G2電性連接開關元件Q3的第二端S3。開關元件Q3的第一端D3電性連接輸入端B。開關元件Q3的控制端G3電性連接開關元件Q4的第二端S4。開關元件Q4的第一端D4電性連接輸入端B。開關元件Q4的控制端G4電性連接於電阻R1和電阻R2之間。在一些實施例中,開關元件Q2、Q3、Q4分別具有一臨界電壓。
在一些實施例中,輸入端B接收輸入訊號112,輸入訊號112經過電阻R1而被分壓產生分壓訊號114。若分壓訊號114的電壓並未高於開關元件Q4的臨界電壓,開關元件Q4為關閉狀態,輸入訊號112無法被傳送至開關元件Q3的控制端G3。因此,開關元件Q3為關閉狀態。當開關元件Q3為關閉狀態,輸入訊號112也無法被
傳送至開關元件Q2的控制端G2。因此,開關元件Q2為關閉狀態。當開關元件Q2為關閉狀態,輸入訊號112無法被傳送至開關元件Q1的控制端G1。因此,開關元件Q1也為關閉狀態。
若分壓訊號114的電壓(例如為電壓VD)高於開關元件Q4的臨界電壓,電流202從電阻R1流至開關元件Q4的控制端G4,使得開關元件Q4的控制端G4所累積的電量大於等於開關元件Q4的一總閘極電荷(Qg)。此時,開關元件Q4變為導通狀態。當開關元件Q4為導通狀態,輸入訊號112可經過開關元件Q4的第一端D4和第二端S4而傳輸至開關元件Q3的控制端G3。在輸入訊號112傳送至開關元件Q3的控制端G3的同時,一電流204從輸入端B流至開關元件Q3的控制端G3,使得開關元件Q3的控制端G3所累積的電量大於等於開關元件Q3的總閘極電荷(Qg)。此時,開關元件Q3變為導通狀態。當開關元件Q3為導通狀態,輸入訊號112可經過開關元件Q3的第一端D3和第二端S3而傳輸至開關元件Q2的控制端G2。
在輸入訊號112傳送至開關元件Q2的控制端G2的同時,電流206從輸入端B流至開關元件Q2的控制端G2,使得開關元件Q2的控制端G2所累積的電量大於等於開關元件Q2的總閘極電荷(Qg)。此時,開關元件Q2變為導通狀態。當開關元件Q2為導通狀態,輸入訊號112可經過開關元件Q2的第一端D2和第二端S2而傳輸至開關元件Q1的控制端G1。在輸入訊號112傳送至開關元件Q1的控制端G1的同時,電流208從輸入端B流至開關元件Q1的控制端
G1,使得開關元件Q1的控制端G1所累積的電量大於等於開關元件Q1的總閘極電荷(Qg)。此時,開關元件Q1變為導通狀態,電流200從電源電壓A流經開關元件Q1的第一端D1和第二端S1,最後流至接地電壓C,使得輸入訊號112被開關元件Q1所放大。
在一些實施例中,開關元件Q2、開關元件Q3、開關元件Q4、...、開關元件Qn+1為增強型金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET),但本申請不限於此。在一些實施例中,開關元件Q1、開關元件Q2、開關元件Q3、...、開關元件Qn+1可為任何材料之常開型開關元件,例如矽、碳化矽、氮化鎵...等等。開關元件Q1為主要切換之開關元件(即第1圖的功率放大器102),其餘開關元件Q2、開關元件Q3、...、開關元件Qn+1為本申請之次要元件(即第1圖的驅動電路106)。在一些實施例中,電阻R1和電阻R2的電阻值可自訂任意值或0。
分壓訊號114的電壓(例如為電壓VD)輸入於開關元件Qn+1的閘極,用以啟動開關元件Qn+1。於開關元件Qn+1啟動後,依序啟動開關元件Qn、開關元件Qn-1、....、開關元件Q2、開關元件Q1,使得最終電壓VD可被視為用於啟動開關元件Q1的電壓。因此,本申請等效上改變(例如為提升)了開關元件Q1的臨界電壓,降低了因為雜訊造成元件誤觸而啟動的機會。
雖然本申請的實施例如上述所描述,我們應該明白上述所呈現的只是範例,而不是限制。根據本實施例上述示範實施例的
許多改變是可以在沒有違反揭露精神及範圍下被執行。因此,本申請的廣度及範圍不該被上述所描述的實施例所限制。更確切地說,本申請的範圍應該要以以下的申請專利範圍及其相等物來定義。儘管上述揭露已被一或多個相關的執行來圖例說明及描繪,等效的變更及修改將被根據上述規格及附圖且熟悉這領域的其他人所想到。此外,儘管本申請的一特別特徵已被相關的多個執行之一所示範,上述特徵可能由一或多個其他特徵所結合,以致於可能有需求及有助於任何已知或特別的應用。
本說明書所使用的專業術語只是為了描述特別實施例的目的,並不打算用來作為本申請的限制。除非上下文有明確指出不同,如本處所使用的單數型,一、該及上述的意思係也包含複數型。再者,用詞「包括」,「包含」,「(具、備)有」,「設有」,或其變化型不是被用來作為詳細敘述,就是作為申請專利範圍。而上述用詞意思是包含,且在某種程度上意思是等同於用詞「包括」。除非有不同的定義,所有本文所使用的用詞(包含技術或科學用詞)是可以被屬於上述揭露的技術中擁有一般技術的人士做一般地了解。我們應該更加了解到上述用詞,如被定義在眾所使用的字典內的用詞,在相關技術的上下文中應該被解釋為相同的意思。除非有明確地在本文中定義,上述用詞並不會被解釋成理想化或過度正式的意思。
100:電子裝置
112:輸入訊號
114:分壓訊號
Q1,Q2,Q3,Qn+1:開關元件
D
1,D
2,D
3,D
n+1:第一端
S
1,S
2,S
3,S
n+1:第二端
G
1,G
2,G
3,G
n+1:控制端
R1,R2:電阻
200,202,204,206,208:電流
A:電源電壓
B:輸入端
C:接地電壓
V
D:電壓
(V):電壓
(t):時間
Claims (9)
- 一種電子裝置,包括:一輸入端,接收一輸入訊號;一功率放大器,電性連接於一電源電壓和一接地電壓之間,包括一第一控制端;一分壓電路,將該輸入訊號進行分壓而輸出一分壓訊號;以及一驅動電路,包括一第二控制端,透過該第二控制端電性連接該分壓電路,且電性連接該功率放大器的該第一控制端;其中,該驅動電路透過一排線電性連接該輸入端用以接收該輸入訊號;其中,該驅動電路依據該分壓訊號的電壓大小,輸出該輸入訊號至該功率放大器,用以驅動該功率放大器;其中,該分壓電路包括一第一電阻和一第二電阻;該第一電阻電性連接於該第二電阻和該輸入端之間;該第二電阻電性連接於該第一電阻和該接地電壓之間。
- 如請求項1之電子裝置,其中,該驅動電路包括一第一開關元件;該第一開關元件包括一第一端、一第二端,和一控制端;該第一端電性連接該輸入端,該第二端電性連接該功率放大器的該第一控制端,以及該控制端電性連接於該第一電阻和該第二電阻之間。
- 如請求項1之電子裝置,其中,該驅動電路包括一第一開關元件和一第二開關元件;該第一開關元件包括一第一端、 一第二端,和一控制端;該第二開關元件包括一第一端、一第二端,和一控制端。
- 如請求項3之電子裝置,其中,該第一開關元件的該第一端電性連接該輸入端,該第一開關元件的該第二端電性連接該第二開關元件的該控制端,以及該第一開關元件的該控制端電性連接於該第一電阻和該第二電阻之間。
- 如請求項4之電子裝置,其中,該第二開關元件的該第一端電性連接該輸入端,以及該第二開關元件的該第二端電性連接該功率放大器的該第一控制端。
- 如請求項2之電子裝置,其中,當該分壓訊號的電壓高於該第一開關元件的一臨界電壓,該第一開關元件透過其第二端輸出該輸入訊號至該功率放大器。
- 如請求項3之電子裝置,其中,當該分壓訊號的電壓高於該第一開關元件的一臨界電壓,該第一開關元件透過其第二端輸出該輸入訊號至該第二開關元件,使得該第二開關元件透過其第二端輸出該輸入訊號至該功率放大器。
- 如請求項1之電子裝置,其中,該功率放大器包括一開關元件;該開關元件具有一臨界電壓;該分壓訊號的電壓高於該臨界電壓。
- 如請求項1之電子裝置,其中,該驅動電路包括至少一開關元件;該至少一開關元件彼此串接,該至少一開關元件的 第一者電性連接該功率放大器,該至少一開關元件的最後者電性連接該分壓電路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US18/594,481 US20240305253A1 (en) | 2023-03-06 | 2024-03-04 | Electronic device |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202363488539P | 2023-03-06 | 2023-03-06 | |
US63/488,539 | 2023-03-06 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202437078A TW202437078A (zh) | 2024-09-16 |
TWI860086B true TWI860086B (zh) | 2024-10-21 |
Family
ID=93609503
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW112135238A TWI860086B (zh) | 2023-03-06 | 2023-09-15 | 電子裝置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
TW (1) | TWI860086B (zh) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070268074A1 (en) * | 2004-02-17 | 2007-11-22 | Hamid Vejzovic | Dynamically Biased Amplifier |
TW201223133A (en) * | 2010-05-26 | 2012-06-01 | Triquint Semiconductor Inc | Protection circuit for radio frequency power amplifier |
US20180294787A1 (en) * | 2017-01-22 | 2018-10-11 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Audio output circuit and audio device |
-
2023
- 2023-09-15 TW TW112135238A patent/TWI860086B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070268074A1 (en) * | 2004-02-17 | 2007-11-22 | Hamid Vejzovic | Dynamically Biased Amplifier |
TW201223133A (en) * | 2010-05-26 | 2012-06-01 | Triquint Semiconductor Inc | Protection circuit for radio frequency power amplifier |
US20180294787A1 (en) * | 2017-01-22 | 2018-10-11 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Audio output circuit and audio device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202437078A (zh) | 2024-09-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10090339B2 (en) | Radio frequency (RF) switch | |
CN106847195B (zh) | 栅极线驱动电路 | |
JP2022070959A (ja) | 保護回路 | |
WO2006078299A3 (en) | Integrated nanotube and field effect switching device | |
TWI727102B (zh) | 放大器 | |
US9209800B2 (en) | High freuency semiconductor switch and wireless device | |
US20170133514A1 (en) | Thin film transistor and operating method thereof | |
CN115735242A (zh) | 驱动电路、显示基板和显示装置 | |
WO2015070647A1 (zh) | 与非门电路、显示器背板、显示器和电子设备 | |
TWI860086B (zh) | 電子裝置 | |
US7675382B2 (en) | Transistor single-pole-single-throw circuit device | |
CN104283407B (zh) | 对电力供应变动具有低敏感性的阻抗元件 | |
US20230223933A1 (en) | Paralleled transistor cells of power semiconductor devices | |
US10790367B2 (en) | High-voltage metal-oxide-semiconductor field effect transistor | |
CN1731678B (zh) | 信号电位转换电路 | |
CN1856880A (zh) | 场效应半导体器件中电容元件的动态控制 | |
US10312913B2 (en) | Level shifter | |
US9692410B2 (en) | Semiconductor switch | |
US20170154949A1 (en) | Diffused resistor | |
CN112689959A (zh) | 一种传输门电路、矩阵开关以及电子设备 | |
TWI865045B (zh) | 電子裝置 | |
US20140264578A1 (en) | Switch circuit using ldmos device | |
CN104269130A (zh) | 驱动电路 | |
CN101833911B (zh) | 碳纳米管显示器驱动电路及调整显示器的输出亮度的方法 | |
KR101053539B1 (ko) | 출력 드라이버를 구비한 데이터 출력 회로 |