TWI846744B

TWI846744B - 顯示裝置

Info

Publication number: TWI846744B
Application number: TW108137908A
Authority: TW
Inventors: 金炫雄; 金光民; 金起旭; 金陽完; 羅志洙
Original assignee: 南韓商三星顯示器有限公司
Priority date: 2018-10-24
Filing date: 2019-10-21
Publication date: 2024-07-01
Also published as: TW202024883A; KR20200049411A

Abstract

本發明提供一種顯示裝置，包含顯示面板及設置在顯示面板上的輸入感測器，輸入感測器包含佈置在佈線區域的訊號線組，及設置在感測區域的第一感測電極及第二感測電極，第一感測電極及第二感測電極中的每一個具有電連接到對應的訊號線的端部，其中該第二感測電極具有該第一感測電極更大的長度，該訊號線組包含分別電連接到第一感測電極及第二感測電極的第一訊號線組及第二訊號線組，各第一感測電極的包含重疊第二感測電極且設置在與該第二感測電極不同的層上的第一橋接圖案，且第一感測電極或第二感測電極中的一個被配置為接收正弦訊號。

Description

顯示裝置

本發明的例示性實施例整體上關於一種顯示裝置，更具體地，關於一種包含輸入感測器的顯示裝置。

用於在多媒體裝置中的每一個種顯示裝置，例如電視機、行動電話、平板電腦、導航儀、遊戲機等正在發展中。顯示裝置的輸入裝置通常包含鍵盤、滑鼠等。此外，顯示裝置可以包含觸碰面板作為輸入裝置。

在上述背景技術部分中揭露的資訊僅用於理解發明概念的背景，因此，其可能包含不構成現有技術的資訊。

根據本發明的例示性實施例構造的顯示裝置包含具有改善的靈敏度的輸入感測器。

本發明構思的附加特徵將在下面的描述中闡述，並且部分地將藉由描述而變得顯而易見，或者可以透過本發明構思的實施來理解。

根據例示性實施例的顯示裝置包含：顯示面板；以及設置在顯示面板上的輸入感測器，輸入感測器包含感測區域及在感測區域外部的佈線區域，輸入感測器包含佈置在佈線區域中的訊號線組，以及設置在感測區域的第一感測電極及第二感測電極，第一感測電極及第二感測電極中的每一個具有電連接到該訊號線組中的對應的訊號線的一個端部，其中第二感測電極具有比第一感測電極更大的長度，訊號線組包含電連接到第一感測電極的第一訊號線組及電連接到第二感測電極的第二訊號線組，各第一感測電極包含與第二感測電極重疊的第一橋接圖案，且設置在與第二感測電極不同的層上，且第一感測電極或第二感測電極中的一個配置為接收正弦訊號。

第一感測電極及第二感測電極中的另一個可以配置為將與正弦訊號對應的感測訊號提供至感測電路。

各個第二感測電極可以具有單一主體的形狀。

顯示面板可以包含對應於感測區域的顯示區域及對應於佈線區域的非顯示區域，顯示區域可以包含發光區域及非發光區域，並且各第一感測的電極可以具有對應於發光區域的開口。

訊號線組的對應的訊號線的至少一部分可以設置在與第二感測電極相同的層上。

輸入感測器可以進一步包含設置在該第一橋接圖案及第二感測電極之間並覆蓋該感測區域的絕緣層。

第一訊號線組可以包含電連接到第一感測電極中的奇數感測電極的第一側訊號線，以及電連接到第一感測電極中的偶數感測電極的第二側訊號線，並第一訊號線與第二訊號線可以彼此隔開，並且感測區域沿第一感測電極的延伸方向設置於第一訊號線與第二訊號線之間。

輸入感測器可以進一步包含分別佈置在第一感測電極內部的第一虛擬圖案，以及分別佈置在該第二感測電極的內部的第二虛擬圖案。

輸入感測器可以進一步包含連接第一虛擬圖案的第二橋接圖案。

第一虛擬圖案中的至少一個可以包含中心部分及沿著第一感測電極的延伸方向佈置在中央部的兩側的延伸部分，並且各延伸部分可被連接到第二橋接圖案中對應的第二橋接圖案。

第一橋接圖案及第二橋接圖案可以設置在同一層上。

第二橋接圖案可以佈置為對應於第一橋接圖案，且第二橋接圖案可以具有比第一橋接圖案中的對應的第一橋接圖案的更大的長度。

輸入感測器可以進一步包含沿著第一感測電極的延伸方向連接到第一虛擬圖案中最外側的第一虛擬圖案的虛擬訊號線。

輸入感測器可以進一步包含與虛擬訊號線交叉並且與虛擬訊號線絕緣的第三橋接圖案，且第三橋接圖案可以連接第一感測電極及該第一訊號線組的訊號線。

顯示裝置可進一步包含在平面圖中向內凹陷的凹陷區域。

顯示面板可以包含基底層，設置於該基底層上的電路元件層，設置在電路元件層上的顯示元件層，以及設置在顯示元件層上的上部絕緣層，且該顯示裝置可以進一步包含訊號透射區域，其中基底層、電路元件層、顯示元件層及上部絕緣層的至少一部分被去除。

根據另一例示性實施例的顯示裝置包含顯示面板及設置在顯示面板上的輸入感測器，輸入感測器包含第一感測電極及與第一感測電極相交並且具有大於第一感測電極的長度的第二感測電極。其中第一感測電極包含設置在與第二感測電極相同的層上的感測器部分，設置在與第二感測電極不同的層上，並且與橋接圖案中的至少一個重疊的第二感測電極，並且第一感測電極或第二感測電極中的一個配置為透過其端部接收正弦訊號。

根據又一例示性實施例的顯示裝置包含顯示面板及設置在該顯示面板上的輸入感測器，輸入感測器包含絕緣層、第一感測電極以及與第一感測電極交叉、具有比第一感測電極更大的長度並且具有單一主體的形狀的第二感測電極，其中第一感測電極包含設置在絕緣層上的第一部分及設置在絕緣層下方並透過穿過絕緣層的接觸孔連接到第一部分的第二部分，並且第一感測電極或第二感測電極中的一個被配置為透過其端部接收正弦訊號。

第二感測電極可被設置在絕緣層上。

第二感測電極的第一端部可以連接到訊號線，且第二感測電極的第二端部被電隔離。

應當理解的是，下文中的一般描述及後續的詳細描述皆為例示性及說明性的，並且旨在提供對所要求保護的本發明的進一步說明。

10:第一無機膜

20:第二無機膜

210:驅動電路

220:感測電路

222:感測通道

224:類比數位轉換器

226:處理器

30:有機膜

ADC:類比數位轉換器

AE,CE:電極

AMP1:放大器

BFL:緩衝層

BL,WP-BS:基底層

BP,BP-S,CP1:橋接圖案

C-E1,C-L1,C-E2,C-L2,C-L3,C-E21,C-E22:寄生電容

CC:電容器

CH1~CH5:通孔

CNT-I:接觸孔

CNT-A1~CNT-A4:連接區域

CP1,CP2:連接部分

CPL:覆蓋層

Cse:參考電容

CSL:控制訊號線

DR1~DR3:方向

DD:顯示裝置

DD-DA:圖像區域

DD-IS:顯示表面

DD-NDA:邊框區域

DE1,DE2:第一輸入電極

DL:資料線

DM:顯示模組

DP:顯示面板

DP-CL:電路元件層

DP-DA:顯示區域

DP-NDA:非顯示區域

DP-OLED:顯示元件層

DP-PD:訊號焊墊

ECL:電子控制層

EG1,EG2:電極組

EML:發光層

ES:封裝基板

FP1,FP2:虛擬圖案

GDC:驅動電路

GE1,GE2:控制電極

GL:掃描線

GP:間隙

GP1,GP2:曲線圖

GSL:虛擬訊號線

HA:訊號透射區域

HCL:電洞控制層

IE1-1~IE1-10,IE2-1~IE2-8:電極

IOL1,IOL2:無機層

IM:圖像

IN1,IN2:輸入端子

IS:輸入感測器

ISL:輸入感測層

IS-IL1,IS-IL2,IS-IL3:絕緣層

IS-CL1,IS-CL2:導電層

IS-DA:感測區域

IS-NDA:佈線區域

MPU:處理器

NPXA:非發光區域

NTA:凹陷區域

OCA:黏合劑

OL:有機層

OLED:有機發光二極體

OP,OP-MG,OP-MR,OP-MB,OP-G,OP-R,OP-B:開口

OSP1,OSP2:半導體圖案

OUT1:輸出端子

PA1,PA2:焊墊區域

PD,PD1,PD2:焊墊單元

PDL:像素定義層

PL:電源線

PX:像素

PXA,PXA-B,PXA-R,PXA-G:發光區域

R-L1,R-E1,R-L2,R-E2,R-E21,R-E22,R-L3:電阻器

RPP:抗反射面板

RPL:抗反射層

Sdr:驅動訊號

SE1,SE2:輸出電極

SG1,SG2,SG3:訊號線組

SG1-1,SG1-2:側訊號線組

SGL,SG1-11,SG1-12,SG1-14,SG1-15:訊號線

SM:密封劑

SP1,SP2:感測器部分

Sse:感測訊號

SU:感測單元

SW:復位開關

T1,T2:電晶體

TFL:上部絕緣層

WL:窗口層

WP:窗口面板

WP-BZ:遮光圖案

所附圖式被包含以提供對本發明的進一步理解，並且被併入且構成本說明書的一部分，說明本發明的例示性實施例，並與說明書一起用於解釋本發明構思。

第1圖係根據本發明構思的例示性實施例的顯示裝置的透視圖。

第2A圖、第2B圖、第2C圖及第2D圖係根據本發明構思的例示性實施例的顯示裝置的截面圖。

第3A圖及第3B圖係根據本發明構思的例示性實施例的顯示面板的截面圖。

第4圖係根據本發明構思的例示性實施例的顯示面板的平面圖。

第5A圖係根據本發明構思的例示性實施例的第3A圖的顯示面板的顯示面板的放大截面圖。

第5B圖係根據本發明構思的例示性實施例的上部絕緣層的放大截面圖。

第6A圖係根據本發明構思的例示性實施例的輸入感測層的截面圖。

第6B圖係根據本發明構思的例示性實施例的輸入感測層的平面圖。

第6C圖及第6D圖係根據本發明構思的例示性實施例的輸入感測層的部分截面圖。

第6E圖係第6B圖的區域AA的放大平面圖。

第7A圖係根據本發明構思的例示性實施例的感測單元的平面圖。

第7B圖係根據本發明構思的例示性實施例的感測單元的交叉區域的放大平面圖。

第7C圖係根據本發明構思的例示性實施例的輸入感測器的等效電路圖。

第7D圖係繪示根據本發明構思的例示性實施例的驅動訊號的波形的圖。

第7E圖係繪示由於輸入感測器的結構而導致的1分貝頻寬特性的曲線圖。

第8A圖係根據本發明構思的例示性實施例的輸入感測器的平面圖。

第8B圖係根據本發明構思的例示性實施例的輸入感測器的部分平面圖。

第8C圖係根據本發明構思的例示性實施例的輸入感測器的交叉區域的放大平面圖。

第8D圖係根據本發明構思的例示性實施例的輸入感測器的平面圖。

第9A圖係根據本發明構思的例示性實施例的輸入感測器的平面圖。

第9B圖係根據本發明構思的例示性實施例的輸入感測器的部分截面圖。

第9C圖係根據本發明構思的例示性實施例的輸入感測器的等效電路圖。

第10A圖係根據本發明構思的例示性實施例的顯示模組的透視圖。

第10B圖係根據本發明構思的例示性實施例的輸入感測層的平面圖。

第11A圖係根據本發明構思的例示性實施例的顯示模組的透視圖。

第11B圖係根據本發明構思的例示性實施例的輸入感測層的平面圖。

在以下描述中，出於解釋的目的，闡述了許多具體細節，以便提供對本發明的各種例示性實施例或實施方式的透徹理解。如本文所使用，「實施例(embodiments)」及「實施方式(implementations)」是可互換的詞，其是採用本文所揭露的一個或多個發明構思的裝置或方法的非限制性示例。然而，顯而易見的是，可以在沒有這些具體細節或具有一個或多個等效佈置的情況下實踐各種例示性實施例。在其他實例中，以方塊圖式示出了習知的結構及裝置，以避免不必要地混淆各種例示性實施例。此外，各種例示性實施例可以是不同的，但是不必是排他的。例如，在不脫離本發明構思的情況下，可以在另一例示性實施例中使用或實現例示性實施例的特定形狀、配置及特徵。

除非另有說明，否則所說明的示範性實施例應理解為提供一些可以在實踐中實現本發明構思的方式的細節變化的例示性特徵。因此，除非另有規定，各種實施例的特徵、組件、模組、層、膜、面板、區域及/或態樣等(下文中單獨地或共同地稱為「元素」)可以以其它方式組合、分離、互換及/或重新佈置，而不脫離發明構思。

通常在圖式中使用交叉陰影線及/或陰影來闡明相鄰元素之間的邊界。因此，無論是否存在交叉影線或陰影都不能傳達或表明對特定材料、材料特性、尺寸、比例，所示元素之間的共性及/或任何其他特性、屬性、特性等的偏愛或要求。中，元件的，除非另外指定。此外，在圖式中，為了清楚及/或描述性目的，可能誇大了元件的尺寸及相對尺寸。當例示性實施例可以不同地實現時，可以與所描述的順序不同地執行特定處理順序。例如，兩個連續描述的過程可以實質上同時執行或以與所描述的順序相反的順序執行。同樣，相同的元件符號表示相同的元件。

當諸如層之類的元件被稱為在另一元件或層「上(on)」、「連接到(connected to)」或「耦合至(coupled to)」另一元件或層時，其可以直接在另一元件或層之上，連接到或耦合至另一元件或層，或可以存在中間元件或層。然而，當元件或層被稱為「直接在」另一元件或層「上」(directly on)、「直接連接到(directly connected to)」或「直接耦合至(directly coupled to)」另一元件或層時，則不存在中間元件或層。為此，術語「連接(connected)」可以指具有或不具有中間元件的物理、電氣及/或流體連接。此外，DR1軸、DR2軸及DR3軸不限於直角坐標系的三個軸，例如x軸、y軸及z軸，並且可以是從廣義上解釋。例如， DR1軸、DR2軸及DR3軸可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。為了本揭露的目的，「X，Y及Z中的至少一個」及「選自由X，Y及Z組成的組中的至少一個」可以被解釋為僅X、僅Y、僅Z、或X、Y及Z中兩個或多個的任意組合，例如XYZ、XYY、YZ及ZZ。如本文所使用的，術語「及/或(and/or)」包含一個或多個相關聯列出的項目的任何及所有組合。

儘管術語「第一」、「第二」等在本文中可用於描述各種類型的元件，但是這些元件不應受這些術語的限制。這些術語用於將一個元素與另一個元素區分開。因此，在不脫離本揭露的教導的情況下，下面討論的第一元件可以被稱為第二元件。

空間相對術語，例如「下方(beneath)」、「下方(below)」、「下方(under)」、「下方(lower)」、「上方(above)」、「上方(upper)」、「上方(over)」、「上方(higher)」、「側(side)」(例如，如「側」等在本文中可用於描述性目的，從而描述一個元件與另一元件的關係，如圖中所示。空間相對術語旨在涵蓋除圖式中描繪的方位以外的裝置在使用、操作及/或製造中的不同方位。例如，如果圖式中的裝置被翻轉，則被描述為在其他元件或特徵「下方(below)」或「之下(beneath)」的元件將被定向為在其他元件或特徵「上方」。因此，例示性術語「下方」可以包含上方及下方兩個方位。此外，該裝置可以以其他方式定向(例如，旋轉90度或以其他定向)，並且因此，本文中所使用的空間相對描述語被相應地解釋。

這裡使用的術語是出於描述特定實施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，單數形式「一(a)」、「一(an)」及「該(the)」也旨在包含複數形式，除非上下文另外明確指出。此外，當在本說明書中使用時，術語「包含(comprises)」、「包含(comprising)」、「包含(include)」及/或「包含(including)」指定存在該特徵、整體、步驟、操作、元素、組件及/或組，但不排除一個或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元素、組件及/或其組的存在或添加。還應注意，如本文所使用的，術語「實質上(substantially)」、「大約(about)」及其他類似術語被用作近似術語而不是程度術語，並且因此被用於解釋本領域之具有通常知識者所能認知的在計算、測量及/或所提供的值的固有偏差。

這裡參考截面圖及/或分解圖描述了各種例示性實施例，這些圖是理想化的例示性實施例及/或中間結構的示意圖。因此，例如由於製造技術及/或公差導致的圖示形狀的變化是可以預期的。因此，本文揭露的例示性實施例不必一定被解釋為限於區域的特定示出的形狀，而是包含由例如製造引起的形狀偏差。以這種方式，圖式中示出的區域本質上可以是示意性的，並且這些區域的形狀可以不反映裝置的區域的實際形狀，因此，這不一定是限制性的。

除非另有定義，否則本文中使用的所有術語(包含技術術語及科學術語)具有與本揭露內容所屬於的本領域具有通常知識者理解的相同含義。術語，例如在常用詞典中定義的術語，應解釋為具有與相關領域中它們的含義一致的含義，並且不應以理想化或過於正式的意義來解釋，除非在此明確定義。

如第1圖，顯示裝置DD可以透過顯示表面DD-IS顯示圖像IM。顯示表面DD-IS實質上平行於由第一方向軸DR1及第二方向軸DR2定義的平面。顯示表面DD-IS的法線方向，例如顯示裝置DD的厚度方向，由第三方向軸DR3指示。

下面描述的各構件或單元的前表面(或頂表面)及後表面(或底表面)由第三方向軸DR3定義。然而，第一方向軸DR1至第三方向軸DR3僅是例示性的，並且在一些例示性實施例中可以改變。在下文中，由第一方向軸DR1至第三方向軸DR3表示的第一方向至第三方向由相同的元件符號表示。

在一個例示性實施例中，顯示裝置DD被繪示為具有平坦的顯示表面，但是本發明構思不限於此。例如，顯示裝置DD可以包含彎曲的顯示表面或三維顯示表面。三維顯示表面可以包含指示不同方向的多個顯示區域，並且可以包含例如多邊形柱型顯示表面。

顯示裝置可以是剛性顯示裝置。然而，本發明構思不限於此，並且在一些例示性實施例中，顯示裝置DD可以是可撓性顯示裝置DD。可撓性顯示裝置DD可以包含可折疊顯示裝置或部分彎曲的可彎曲顯示裝置。

顯示裝置DD根據圖示的例示性實施例被繪示為適用於例如，行動電話。儘管未示出，但是可以將安裝在主板上的電子模組、照相機模組、電源模組等與顯示裝置DD一起佈置在支架/殼體等中以提供行動電話。此外，顯示裝置DD在一些例示性實施例可以應用於大尺寸的電子裝置，諸如電視、螢幕或其類似物，或一個小型或中型電子裝置，諸如平板電腦、車輛導航器、遊戲機、智慧手錶或其類似物。

如第1圖中，顯示表面DD-IS包含圖像區域DD-DA，其中顯示圖像IM，以及鄰近於該圖像區域DD-DA的邊框區域DD-NDA。邊框區域DD-NDA中未顯示圖像。第1圖示出了圖標圖像作為圖像IM的示例。

如第1圖中，圖像區域DD-DA可以是實質上矩形。如本文所用，術語「實質上矩形(substantially rectangular)」是指一個幾何矩形形狀以及一個矩形形狀在其頂點區域(或角部區域)具有彎曲的邊界。

邊框區域DD-NDA可以包圍圖像區域DD-DA。然而，本發明構思不限於此，並且可以相對地設計圖像區域DD-DA的形狀及邊框區域DD-NDA的形狀。

第2A圖至第2D圖是根據本發明構思的例示性實施方式的顯示裝置DD的截面圖。第2A圖至2D示出了由第二方向軸DR2及第三方向軸DR3所定義的截面圖。第2A圖至第2D圖例示性示出了截面部分，以示出包含在根據本發明的例示性實施例的顯示裝置DD的功能構件的層疊結構。

根據本發明構思的例示性實施例的顯示裝置DD可以包含顯示面板、輸入感測器，抗反射器及窗口。顯示面板、輸入感測器、抗反射器及窗口的至少一些元件可以透過連續過程形成，或者可以使用黏合構件彼此耦合。第2A圖至第2D圖例示性地示出了作為黏合構件的光學透明黏合劑OCA。黏合構件可以包含典型的黏合劑或可去除的黏合劑。在示出的本發明構思的例示性實施例中，抗反射器及窗戶可以用其他元件代替或可以省略。

關於第2A圖至第2D圖，輸入感測器、抗反射器以及窗口中透過一個連續的製程形成的任一個元件與另一個元件被稱為「層」。輸入感測器、抗反射器以及窗口中透過黏合元件耦合到另一個元件的任何一個元件被稱為「面板」。面板包含提供基底表面的基底層，例如，合成樹脂膜、複合材料膜、玻璃基板或其類似物，但是「層」可以不具有基底層。被稱為「層」的單元被佈置在由另一單元所提供的基底表面上。

輸入感測器、抗反射器及窗口可以被稱為輸入感測面板ISP、抗反射面板RPP及窗口面板WP，或者輸入感測層ISL、抗反射面板層RPL及窗口層WL。

如第2A圖所示，顯示裝置DD可以包含顯示面板DP、輸入感測層ISL、抗反射面板RPP及窗口面板WP。輸入感測層ISL可以直接設置在顯示面板DP上。如本文所用，術語為元件B「直接設置在」元件A上時，可能意味著元件A及元件B間不設置附加的黏合層/黏合構件，例如，電子元件B可以在元件A形成後透過連續的製程形成在由元件A提供的基底表面上。

顯示面板DP及直接設置在其上的輸入感測層ISL可以被定義為顯示模組DM。光學透明的黏合劑OCA設置在顯示模組DM與抗反射面板RPP之間以及抗反射面板RPP與窗口面板WP之間。

顯示面板DP生成圖像，並且輸入感測層ISL取得外部輸入(例如，觸碰事件)的坐標資訊。根據本發明構思的例示性實施例的顯示模組DM還可以包含設置在顯示面板DP下方的保護構件。保護構件及顯示面板DP可以透過黏合構件黏合。以下描述並且在第2B圖至第2D圖中示出的顯示裝置DD也可以包含保護構件。

根據本發明構思的例示性實施例的顯示面板DP可以是發光顯示面板，但是本發明構思不限於此。例如，顯示面板DP可以是有機發光顯示面板或量子點發光顯示面板。有機發光顯示面板的發光層可以包含有機發光材料。量子點發光顯示面板的發光層可以包含量子點(quantum dot)、量子棒(quantum rod)等。在下文中，將顯示面板DP描述為有機發光顯示面板。

抗反射面板RPP減小了入射在窗口面板WP上方的外部光的反射率。根據本發明構思的例示性實施例的抗反射面板RPP可以包含相位延遲器及偏光器。該相位延遲可以是薄膜型或液晶塗覆型，並且可以包含一個λ/2相位延遲及/或λ/4相位延遲。偏光器可以是薄膜型或液晶塗覆型。薄膜型可以包含拉伸的合成樹脂膜，並且液晶塗覆型可以包含以預定形式佈置的液晶。相位延遲器及偏光器可以進一步包含保護膜。相位延遲器及偏光器，或者那些包含保護膜的可以作為抗反射面板RPP的基底層而作用。

根據本發明構思的例示性實施例的抗反射面板RPP可以包含濾色器。濾色器可以具有預定的佈置方式。可以考慮從顯示面板DP中包含的像素發射的光的顏色來確定濾色器的佈置方式。抗反射面板RPP可以進一步包含與濾色器相鄰的黑矩陣。

根據本發明構思的例示性實施例的抗反射面板RPP可以包含相消干涉結構(destructive interference structure)。例如，相消干涉結構可以包含佈置在不同層上的第一反射層及第二反射層。從第一反射層及第二反射層反射的第一反射光及第二反射光可能彼此相消地干涉，從而降低了外部光的反射率。

根據本發明構思的例示性實施例的窗口面板WP包含基底層WP-BS及遮光圖案WP-BZ。基底層WP-BS可以包含玻璃基板及/或合成樹脂膜。基底層WP-BS不限於單層。例如，基底層WP-BS可包含透過黏合構件黏合的兩層或更多層膜。

遮光圖案WP-BZ與基底層WP-BS部分重疊。遮光圖案WP-BZ可以設置在基底層WP-BS的後表面上，並且可以實質上定義顯示裝置DD的邊框區域DD-NDA。不設置有遮光圖案WP-BZ的區域可定義顯示裝置DD的圖像區域DD-DA。在窗口面板WP，設置有遮光圖案WP-BZ的區域可以被定義為窗口面板WP的遮光區域，及沒有設置遮光圖案WP-BZ的區域可以被定義為窗口面板WP的透射區域。

遮光圖案WP-BZ可以具有多層結構。多層結構可以包含著色層及黑色遮光層。有色層及黑色遮光層可以透過沉積、印刷或塗覆製程來形成。窗口面板WP還可以包含設置在基底層WP-BS的前表面上的功能塗層。功能塗層可以包含抗指紋層、抗反射層、硬塗層及其類似物。在第2B圖至第2D圖中，簡單地示出了窗口面板WP及窗口層WL，而沒有對基底層WP-BS及遮光圖案WP-BZ做出區分。

如第2B圖及第2C圖所示，顯示裝置DD可以包含顯示面板DP、輸入感測面板ISP、抗反射面板RPP及窗口面板WP。在一些例示性實施例中，可以改變輸入感測面板ISP及抗反射面板RPP的堆疊順序。

如第2D圖所示，顯示裝置DD可以包含顯示面板DP、輸入感測層ISL、抗反射層RPL及窗口層WL。相比於第2A圖的顯示裝置DD，根據示出的例示性實施例中顯示裝置DD未設置有黏合構件，並且輸入感測層ISL、抗反射層RPL及窗口層WL可以透過連續製程形成在提供給顯示面板DP的底面上。在一些例示性實施例中，可以改變輸入感測層ISL及抗反射層RPL的堆疊順序。

如第3A圖所示，在根據例示性實施例的顯示面板DP中包含基底層BL、電路元件層DP-CL、顯示元件層DP-OLED以及設置在基底層BL上的上部絕緣層TFL。可以在顯示面板DP中定義與第1圖所示的圖像區域DD-DA及邊框區域DD-NDA相對應的顯示區域DP-DA及非顯示區域DP-NDA。如本文所使用的，當一個區域被稱為對應於另一個區域時，這些區域彼此重疊，但是不必具有相同的面積/形狀。

基底層BL可以包含至少一個塑膠膜。基底層BL可以包含塑膠基板、玻璃基板、金屬基板、有機/無機複合材料基板等。

電路元件層DP-CL包含至少一個絕緣層及電路元件。絕緣層可以包含至少一層無機膜及至少一層有機膜。電路元件包含訊號線、像素驅動電路等，這將在下面更詳細地描述。

顯示元件層DP-OLED可以包含至少一個或多個有機發光二極體。顯示元件層DP-OLED可以進一步包含有機膜，例如像素定義膜。

上部絕緣層TFL包含複數個薄膜。一部分的薄膜係設置以改善光學效率，並且另一部分的薄膜係設置以保護有機發光二極體。上部絕緣層TFL將在下面更詳細地描述。

如第3B圖所示，根據例示性實施例的顯示面板DP包含：基底層BL、電路元件層DP-CL、顯示元件層DP-OLED，及佈置在基底層BL上的封裝基板ES，密封劑SM用於將基底層BL及封裝基板ES接合。封裝基板ES可以與顯示元件層DP-OLED間隔開，在它們之間設置有預定間隙GP。基底層BL及封裝基板ES可以包含塑膠基板、玻璃基板、金屬基板、有機/無機複合材料基板等。密封劑SM可以包含有機黏合構件、玻璃材或其類似物。密封劑SM可以與電路元件層DP-CL接觸。然而，本發明構思不限於此。例如，在電路元件層DP-CL可以被移除一部分，並且密封劑SM可以與基底層BL接觸。

第4圖係根據本發明構思的例示性實施例的顯示面板的平面圖。第5A圖係根據本發明構思的例示性實施例的第3A圖的顯示面板的顯示面板的放大截面圖。第5B圖係根據本發明構思的例示性實施例的上部絕緣層的放大截面圖。

如第4圖所示，顯示面板DP可包含驅動電路GDC、複數個訊號線SGL的(以下簡稱為「訊號線」)、複數個訊號焊墊DP-PD(在下文中稱為「訊號焊墊」)及複數個像素PX(以下稱為「像素」)。

顯示區域DP-DA可以被定義為其中設置了像素PX的區域。各像素PX可以包含有機發光二極體及與其連接的像素驅動電路。驅動電路GDC、訊號線SGL、訊號焊墊DP-PD及像素驅動電路可以包含在第3A圖及第3B圖所示的電路元件層DP-CL中。

驅動電路GDC可以包含掃描驅動電路。掃描驅動電路生成複數個掃描訊號(以下稱為「掃描訊號」)，並且依序將掃描訊號輸出多條掃描線GL(以下稱為「掃描線」)，其將在下面進行詳細描述。掃描驅動電路可以進一步將另一控制訊號輸出到像素PX的驅動電路。

掃描驅動電路可以包含複數個薄膜電晶體，其可以透過用於形成像素PX的驅動電路的實質上相同的製程形成，例如，低溫多晶矽(LTPS)製程或低溫多晶氧化物(LTPO)製程。

訊號線SGL包含掃描線GL、資料線DL、電源線PL及控制訊號線CSL。掃描線GL分別連接到對應的像素PX，並且資料線DL分別連接到對應的像素PX。電源線PL連接到像素PX。控制訊號線CSL可以將控制訊號提供給掃描驅動電路。

訊號線SGL與顯示區域DP-DA及非顯示區域DP-NDA重疊。訊號線SGL可以包含焊墊單元及線路單元。線路單元與顯示區域DP-DA及非顯示區域DP-NDA重疊。焊墊單元設置在線路單元的端部。焊墊單元設置在非顯示區域DP-NDA中，並且與訊號焊墊DP-PD之中對應的訊號焊墊重疊。可以將其中佈置有訊號焊墊DP-PD的非顯示區域DP-NDA的一部分定義為焊墊區域DP-PA。電路基板可以連接到焊墊區域DP-PA。

實質上連接到像素PX的線路單元可以形成訊號線SGL的較大部分。線路單元被連接到像素PX的電晶體T1及電晶體T2(參見第5A圖)。線路單元可以具有單層或多層結構，並且可以具有單一主體或至少兩個部分。至少兩個部分可以佈置在不同的層上，並且可以經由穿透設置在至少兩個部分之間的絕緣層的接觸孔而彼此連接。

第5A圖是顯示面板DP對應於電晶體T1及電晶體T2以及有機發光二極體OLED的部分截面圖。設置在基底層BL上的電路元件層DP-CL包含至少一個絕緣層及電路元件。電路元件包含訊號線、像素驅動電路等。電路元件層DP-CL可以透過塗覆、沉積等形成絕緣層、半導體層及導電層的製程，以及透過光刻以圖案化絕緣層、半導體層及導電層的製程形成。

根據例示性實施例的電路元件層DP-CL可以包含緩衝層BFL、第一無機膜10、第二無機膜20及有機膜30。緩衝層BFL可以包含複數個層壓無機薄膜。第5A圖示出第一半導體圖案OSP1、第二半導體圖案OSP2、第一控制電極GE1、第二控制電極GE2、第一輸入電極DE1、第一輸出電極SE1、第二輸入電極DE2及第二輸出電極SE2的例示性配置方式，其形成開關電晶體T1及驅動電晶體T2。第一通孔CH1至第四通孔CH4也被例示性地示出。

顯示元件層DP-OLED可以包含有機發光二極體OLED。顯示元件層DP-OLED包含像素定義膜PDL。例如，像素定義膜PDL可以是有機層。

第一電極AE設置在有機膜30上。第一電極AE經由穿透有機膜30的第五通孔CH5連接到第二輸出電極SE2。在像素定義膜中定義開口OP。像素定義膜PDL的開口OP暴露第一電極AE的至少一部分。像素定義膜PDL的開口OP被稱為「發光開口」，以便將開口OP與其他開口區分開。

如第5A圖所示，顯示區域DP-DA可以包含一個發光區域PXA及與其相鄰的非發光區域NPXA。非發光區域NPXA可以圍繞發光區域PXA。在示出的本發明構思的例示性實施例中，發光區域PXA被定義為對應於第一電極AE的由發光開口OP暴露的部分區域。

電洞控制層HCL可共同設置在發光區域PXA及非發光區域NPXA中。電洞控制層HCL可以包含電洞傳輸層，並且可以進一步包含電洞注入層。發光層EML設置在電洞控制層HCL上。發光層EML可以設置在與發光開口OP對應的區域中。更具體地，發光層EML可以在各像素中分別形成。發光層EML可以包含有機材料及/或無機材料。發光層EML可以產生預定顏色的光。

電子控制層ECL設置在發光層EML上。電子控制層ECL可以包含電子傳輸層，並且可以進一步包含電子注入層。電洞控制層HCL及電子控制層ECL可以使用開放掩模(open mask)在複數個像素中共同形成。第二電極CE設置在電子控制層ECL上。第二電極CE具有單一主體，並且共同設置在複數個像素中。

如第5A圖及第5B圖所示，上部絕緣層TFL被設置在第二電極CE。上部絕緣層TFL可以包含複數個薄膜。根據例示性實施例的上部絕緣層TFL可以包含覆蓋層CPL及薄膜封裝層TFE。薄膜封裝層TFE可以包含第一無機層IOL1、有機層OL及第二無機層IOL2。

覆蓋層CPL設置在第二電極CE上並與第二電極CE接觸。覆蓋層CPL可以包含有機材料。第一無機層IOL1設置在覆蓋層CPL上並與覆蓋層CPL接觸。有機層OL設置在第一無機層IOL1上並與第一無機層IOL1接觸。第二無機層IOL2設置在有機層OL上並與有機層OL接觸。

覆蓋層CPL保護第二電極CE免於後續製程(例如濺射製程)的影響，並改善有機發光二極體OLED的發光效率。覆蓋層CPL可以具有比第一無機層IOL1更大的折射率。

第一無機層IOL1及第二無機層IOL2保護顯示元件層DP-OLED免受濕氣/氧氣影響，有機層OL保護顯示元件層DP-OLED免受外來異物(如灰塵顆粒)影響。第一無機層IOL1及第二無機層IOL2可以是氮化矽層、氧氮化矽層及氧化矽層中的任何一種。在示出的本發明構思的例示性實施例中，第一無機層IOL1及第二無機層IOL2可以進一步包含氧化鈦層、氧化鋁層或其類似物。有機層OL可以包含丙烯酸類有機層，但不限於此。

在例示性實施例中，可以進一步在覆蓋層CPL及第一無機層IOL1之間設置無機層(例如LiF層)。LiF層可以改善發光元件OLED的發光效率。

第6A圖根據本發明構思的例示性實施例的輸入感測層的截面圖。第6B圖根據本發明構思的例示性實施例的輸入感測層的平面圖。第6C圖及6D根據本發明構思的例示性實施例的輸入感測層的部分截面圖。第6E圖係第6B 圖的區域AA的放大平面圖。第6A圖至第6E圖例示性地示出了作為輸入感測器的輸入感測層ISL。

如第6A圖中，輸入感測層ISL可以包含第一絕緣層IS-IL1、第一導電層IS-CL1、第二絕緣層IS-IL2、第二導電層IS-CL2以及第三絕緣層IS-IL3。第一絕緣層IS-IL1可以直接設置在上部絕緣層TFL上。在示出的本發明構思的例示性實施例中，可以省略第一絕緣層IS-IL1。

第一導電層IS-CL1及第二導電層IS-CL2中的每一個可以具有單層結構，或者可以具有沿著第三方向軸DR3層疊的多層結構。多層導電層可以包含透明導電層及金屬層中的至少兩個。多層導電層可以包含具有不同金屬的金屬層。透明導電層可以包含銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)、銦錫鋅氧化物(ITZO)、PEDOT、金屬奈米線及石墨烯。金屬層可以包含鉬、銀、鈦、鋁及其合金。例如，第一導電層IS-CL1及第二導電層IS-CL2中的每一個可以具有金屬三層結構，例如，鈦/鋁/鈦的三層結構。

第一導電層IS-CL1及第二導電層IS-CL2中的每一個均包含複數個導電圖案。在下文中，將第一導電層IS-CL1描述為包含第一導電圖案，並且將第二導電層IS-CL2描述為包含第二導電圖案。第一導電圖案及第二導電圖案中的每一個可以包含感測電極及連接到其的訊號線。

第一絕緣層IS-IL1至第三絕緣層IS-IL3中的每一個可以包含無機材料或有機材料。在示出的本發明構思的例示性實施例中，第一絕緣層IS-IL1及第二絕緣層IS-IL2可以是包含無機材料的無機膜。無機膜可以包含氧化鋁、氧化鈦、氧化矽、氧氮化矽、氧化鋯或氧化鉿中的至少一種。第三絕緣層IS-IL3可以包含有機膜。有機膜可以包含丙烯酸類樹脂、甲基丙烯酸樹脂(methacrylic resin)、聚異戊二烯(polyisoprene)、乙烯類樹脂(vinyl-based resin)、環氧類樹脂(epoxy-based resin)、胺甲酸乙酯類樹脂(urethane-based resin)、纖維素類樹脂 (cellulose-based resin)、矽氧烷類樹脂(siloxane-based resin)、聚醯亞胺類樹脂(polyimide-based resin)、聚醯胺類樹脂(polyamide-based resin)與苝類樹脂(perylene-based resin)中的至少其一。

在示出的本發明構思的例示性實施例中，第二絕緣層IS-IL2可以覆蓋感測區域IS-DA，這將在後面詳細描述。具體地，第二絕緣層IS-IL2可以實質上與感測區域IS-DA重疊。在一些例示性實施例中，第二絕緣層IS-IL2可包含複數個絕緣圖案。複數個絕緣圖案可以佈置在感測單元SU的各交叉區域處，以使第一感測電極IE1-1至IE1-10與第二感測電極IE2-1至IE2-8絕緣。

如第6B圖所示，輸入感測層ISL可包含分別對應於顯示區域DP-DA及非顯示區域的顯示面板DP的DP-NDA的感測區域IS-DA以及佈線區域IS-NDA。感測區域IS-DA可以被定義為其中佈置有第一電極組EG1及第二電極組EG2的區域。

輸入感測層ISL包含第一電極組EG1、第二電極組EG2以及連接到第一電極組EG1及第二電極組EG2的訊號線組。第6B圖示出了根據例示性實施例的包含兩個訊號線組SG1及SG2的輸入感測層ISL。第一訊號線組SG1及第二訊號線組SG2佈置在佈線區域IS-NDA中。

在示出的本發明構思的例示性實施例中，輸入感測層ISL可以是電容式觸碰感測器。第一電極組EG1及第二電極組EG2中的一個可以接收驅動訊號，而另一個可以輸出在第一電極組及EG1第二電極組EG2之間的電容變化作為感測訊號。

第一電極組EG1包含複數個第一感測電極IE1-1至IE1-10。第6B圖示出第一電極組EG1包含10個第一感測電極IE1-1至IE1-10為例。第一感測電極IE1-1至IE1-10具有實質上沿第二方向DR2延伸的形狀。第一感測電極IE1-1至IE1-10在第一方向DR1上沿遠離焊墊區域PA1及PA2的方向佈置。

第二電極組EG2包含複數個第二感測電極IE2-1至IE2-8。第6B圖示出第二電極組EG2包含8個感測電極IE2-1至IE2-8為例。第二感測電極IE2-1至IE2-8具有實質上沿第一方向DR1延伸的形狀。第二感測電極IE2-1至IE2-8可以具有比該第一感測電極IE1-1至IE1-10更大的長度。

第一訊號線組SG1可以包含與第一感測電極IE1-1至IE1-10的數量相同數量的第一訊號線。第一訊號線可以僅連接到第一感測電極IE1-1至IE1-10的兩端部中的一個。而另一個端部可以被電隔離而不連接到另一導電結構。因此，當輸入感測層ISL作用時，可能不會形成從第一感測電極IE1-1至IE1-10的一端部流到另一端部的電流路徑。訊號線及感測電極之間的這種連接關係在下文中被稱為「單路由結構(single routing structure)」。

第二訊號線組SG2可以包含與第二感測電極IE2-1至IE2-8的數量相同數量的第二訊號線。第二訊號線可以僅連接到第二感測電極IE2-1至IE2-8的兩端部中的一個。第二訊號線組SG2與第二感測電極IE2-1至IE2-8可以具有單路由結構。第6B圖示出了第二訊號線組SG2的8條訊號線分別連接到第二感測電極IE2-1至IE2-8的下端部。

在示出的本發明構思的例示性實施例中，第一訊號線可以被分為兩組。可以將這些組中的一個定義為一側訊號線組SG1-1，並且可以將另一組定義為另一側訊號線組SG1-2。一側訊號線組SG1-1被連接到第一感測電極IE1-1至IE1-10的一部分，另一側訊號線組SG1-2被連接到第一感測電極IE1-1至IE1-10的另一部分。一側訊號線組SG1-1與另一側訊號線組SG1-2之間以設置在第二方向DR2的感測區域IS-DA隔開。由於第一訊號線分開地佈置在兩側，所以可以減小佈線區域IS-NDA的寬度。

例如，一側訊號線組SG1-1可以電連接到第一感測電極IE1-1至IE1-10中的奇數感測電極或偶數感測電極。另一側訊號線組SG1-2可以連接到未連接一側訊號線組SG1-1的感測電極。在示出的本發明構思的例示性實施例中，一側訊號線組SG1-1的5條訊號線被繪示為分別連接到偶數第一感測電極的右端部。

第一訊號線組SG1的訊號線(以下稱為「第一訊號線」)及第二訊號線組SG2的訊號線(以下稱為「第二訊號線」)可以包含焊墊單元PD及線路單元LP。設置在焊墊區域PA1及PA2中的焊墊單元PD是連接到電路板的部分。連接到焊墊區域PA1及PA2的電路板可以安裝有感測電路，或者可以連接到安裝有感測電路的電路板。

第一感測電極IE1-1至IE1-10及第二感測電極IE2-1至IE2-8可以在彼此絕緣的同時彼此相交。橋接圖案(以下稱為「第一橋接圖案」)佈置在交叉區域中。在示出的本發明構思的例示性實施例中，第一橋接圖案可以形成第一感測電極IE1-1至IE1-10的具有相對短的長度的一部分。由於在第一感測電極IE1-1至IE1-10中形成第一橋接圖案，所以可以減小輸入感測層ISL的等效電阻，從而改善感測靈敏度。稍後將提供相關的詳細描述。

各第一感測電極IE1-1至IE1-10可以包含複數個第一感測器部分SP1及複數個第一連接部分CP1。第一感測器部分SP1實質上沿著第二方向DR2佈置。各第一連接部分CP1連接第一感測器部分SP1中的兩個相鄰的第一感測器部分。

各第二感測電極IE2-1至IE2-8包含複數個第二感測器部分SP2及複數個第二連接部分CP2。第二感測器部分SP2大致沿著第一方向DR1佈置。各第二連接部分CP2連接第二感測器部分SP2中的兩個相鄰的第二感測器部分。

第6B圖示出了根據例示性實施例的第一連接部分CP1與第二連接部分CP2相交。在所示的本發明構思的例示性實施例中，第一連接部分CP1可以對應於第一橋接圖案。

如第6C圖所示，複數個第一連接部件CP1可以由第一導電層IS-CL1、複數個第一感測器部分SP1以及複數個第二感測器部分SP2形成，並且複數個第二連接部分CP2可以由第二導電層IS-CL2形成。第一感測器部分SP1及第一連接部分CP1可以透過穿透第二絕緣層IS-IL2的接觸孔CNT-I連接。

根據所示出的例示性實施例，複數個第一連接部CP1及複數個第二連接部CP2被繪示為彼此交叉；然而，本發明構思不限於此。例如，各第一連接部分CP1可以具有彎曲的形狀，例如「

」及/或「

」，以便不與第二連接部分CP2重疊。在這種情況下，在平面圖中，具有彎曲形狀的第一連接部CP1可以與第二感測器部SP2重疊。

重新參考第6B圖所示，感測區域IS-DA可以區分成複數個感測單元SU。

複數個感測單元SU可以具有相同的面積。複數個感測單元SU中的每一個包含在第一感測電極IE1-1至IE1-10與第二感測電極IE2-1至IE2-8之間的交叉區域之中的對應交叉區域。交叉區域是其中佈置有第一橋接圖案的區域。第6B圖例示性地示出了以8×10矩陣劃分為感測單元SU的感測區域IS-DA。

第6D圖示出了第一訊號線組SG1的兩條訊號線SG1-14及SG1-15。第一訊號線組SG1及第二訊號線組SG2的訊號線包含佈置在與第二感測電極IE2-1至IE2-8相同的層上的至少一部分。第一訊號線組SG1及第二訊號線組SG2的訊號線可以由第二導電層IS-CL2形成(參見第6A圖)。

在一些例示性實施方式，第一訊號線組SG1及第二訊號線組SG2中的訊號線可進一步包含由第一導電層IS-CL1形成的部分(參見第6A圖)。由第二導電層IS-CL2形成的部分及由第一導電層IS-CL1形成的部分可以透過穿透第二絕緣層IS-IL2的接觸孔彼此連接。雙層訊號線可以具有低電阻。

第一感測電極IE1-1至IE1-10及第二感測電極IE2-1至IE2-8可以具有網格形狀。第6E圖例示性的示出了具有網格形狀的第一感測器部分SP1。

在第一感測器部分SP1中定義了三種類型的開口OP-MG、OP-MR及OP-MB。三種類型的開口OP-MG、OP-MR及OP-MB可以對應於三種類型的發光開口OP-G、OP-R及OP-B。三種類型的發光開口OP-G、OP-R及OP-B以與第5A圖所示的像素定義膜PDL的發光開口OP相同的方式定義。

三種類型的發光開口OP-G、OP-R及OP-B可以由它們的開口的尺寸定義，並且第一類型開口OP-G、第二類型開口OP-R及第三類型開口OP-B的面積與對應像素的發光區域成比例。

第7A圖是根據本發明構思的例示性實施例的感測單元SU的放大平面圖。第7B圖是根據本發明構思的例示性實施例的感測單元SU的交叉區域的放大平面圖。第7C圖是根據本發明構思的例示性實施例的輸入感測器的等效電路圖。第7D圖係繪示根據本發明構思的例示性實施例的驅動訊號的波形的圖。第7E圖係繪示由於輸入感測器的結構導致的1分貝(dB)頻寬特性的曲線圖。為了避免冗餘，將省略與上面參照第1圖至第6E圖描述的實質上相同的配置及元件的重複描述。

第7A圖的感測單元SU可以對應於第6B圖所示的感測單元SU。感測單元SU包含第一感測器部分SP1以及另一第一感測器部分SP1，其間設置有第一連接部分CP1。感測單元SU包含第二感測器部分SP2以及另一第二感測器部分SP2，其間設置有第二連接部分CP2。如第7A圖所示，可以佈置兩個第一連接部件CP1。兩個連接部分CP1中的每一個可以是第一橋接圖案。

參照第7B圖，兩個第一連接部分CP1連接兩個分離的第一感測器部分SP1。在兩個第一連接部CP1與兩個第一感測器部SP1之間形成有第一連接區域CNT-A1至第四連接區域CNT-A4。

四個接觸孔CNT-I可以分別形成在第一連接區域CNT-A1至第四連接區域CNT-A4中。第一連接區域CNT-A1及第二連接區域CNT-A2可以形成在第二發光區域PXA-B周圍，並且第三連接區域CNT-A3及第四連接區域CNT-A4可以形成在第一發光區域PXA-B周圍。

第一連接部分CP1與第二感測器部分SP2的網格線相交。第一連接部分CP1可以在交叉區域中部分替代第二感測器部分SP2的網格線。除了相交點之外，第一連接部分CP1的網格線及第二感測器部分SP2的網格線可以彼此不重疊。第一連接部分CP1的網格線及第二感測器部分SP2的網格線可以定義代替第一開口OP-MR、第二開口OP-MB及第三開口OP-MG的開口。

第7C圖示出了根據例示性實施例的在驅動電路210及感測電路220之間的輸入感測器的等效電路。第7C圖示出了基於在第一感測電極及第二感測電極之間的交叉區域中形成的參考電容Cse的等效電路。此外，在示出的本發明構思的例示性實施例中，驅動訊號Sdr透過第二訊號線施加到第二感測電極。在第7C圖中例示性地示出了第二訊號線的焊墊單元PD2及第一訊號線的焊墊單元PD1。

驅動電路210可以將驅動訊號Sdr依序提供給第二感測電極IE2-1至IE2-8(參見第6B圖)。通過參考電容Cse的對應於驅動訊號Sdr的感測訊號Sse藉由第一感測電極IE1-1至IE1-10輸出。感測訊號Sse輸入到感測電路220。

感測電路220根據放大、轉換及訊號處理的結果來放大、轉換及處理感測訊號Sse，並檢測外部輸入。感測電路220可以包含感測通道222、類比數位轉換器(ADC)224及處理器(或MPU)226。感測通道222可以針對各第一感測電極IE1-1至IE1-10形成。複數個感測通道222可以連接到相同的ADC224。

在示出的本發明構思的例示性實施例中，感測通道222可以包含放大器AMP1，如運算放大器。放大器AMP1的第一輸入端子IN1(例如，運算放大器的反相輸入端子)可以接收感測訊號Sse。此外，放大器AMP1的第二輸入端子IN2(例如，運算放大器的非反相輸入端子)是參考電位端子，並且可以接收參考電壓，例如接地(GND)電壓。電容器CC及復位開關SW可以並聯連接在放大器AMP1的第一輸入端子IN1及輸出端子OUT1之間。

ADC224將從感測通道222輸出的類比訊號轉換為數位訊號。處理器226處理來自ADC224的轉換後的訊號(數位訊號)，並且根據訊號處理的結果來檢測觸碰輸入。例如，處理器226可以全面地分析經由複數個感測電極中的每一個的感測通道222及ADC224輸入的訊號(放大及轉換的感測訊號Sse)，以檢測外部輸入的發生及其位置。在例示性實施例中，處理器226可以被實現為微處理器MPU。在這種情況下，感測電路220可以進一步包含驅動處理器226所需的儲存器。在示出的本發明構思的例示性實施例中，處理器226可以被實現為微控制器。

儘管驅動電路210及感測電路220被繪示為分離的，但是本發明構思不限於此。例如，驅動電路210及感測電路220可以被集成到單個晶片中。

參照第7C圖、第一電阻器R-L2及第二電阻器R-E2串聯連接在第二訊號線的焊墊單元PD2及參考電容Cse之間。第一電阻器R-L2具有第二訊號線的等效電阻，第二電阻器R-E2具有第二感測電極的等效電阻。第一寄生電容C-L2及第二寄生電容C-E2連接在第二訊號線的焊墊單元PD2及參考電容Cse之間。第一寄生電容C-L2是第二訊號線與第二電極CE之間的電容(參見第5A圖)，並且第二寄生電容C-E2是第二感測電極與第二電極CE之間的電容。

此外，第三電阻器R-L1及第四電阻器R-E1串聯連接在第一訊號線的焊墊單元PD1及參考電容Cse之間。第三電阻器R-L1具有第一訊號線的等效電阻，並且第四電阻器R-E1具有第一感測電極的等效電阻。第三寄生電容C-L1及第四寄生電容C-E1連接在第一訊號線的焊墊單元PD1及參考電容Cse之間。第三寄生電容C-L1是第一訊號線與第二電極CE之間的電容，第四寄生電容C-E1是第一感測電極與第二電極CE之間的電容(參見第5A圖)。

當發生觸碰事件時，對應位置的參考電容Cse可以改變。由於觸碰事件的發生，產生了與參考電容Cse並聯的觸碰電容。處理器226可以測量來自感測訊號Sse的觸碰事件發生後的電容變化ΔCm。電容變化ΔCm可以透過感測在感測訊號Sse的電流的變化來測量。

第7D圖示出了作為驅動訊號的正弦訊號的波形。在第7E圖中，第一曲線圖GP1表示根據例示性實施例的輸入感測器的1分貝頻寬特性，而第二曲線圖GP2表示根據比較實施例的輸入感測器的1分貝頻寬特性。第7E圖示出了與第7D圖中示出的驅動訊號相對應的感測訊號所測量到的1分貝頻寬特性。第7E圖的x軸以對數尺度示出。

在具有佈置在感測單元列中的8個感測單元SU(參見第6B圖)及佈置在感測單元行中的17個感測單元的輸入感測器上測量1分貝頻寬特性。根據所示的本發明構思的例示性實施例，第二感測電極具有單一主體的形狀，並且第一橋接圖案佈置在第一感測電極中，如第6B圖至第7B圖所示。根據比較實施例，第一感測電極具有單一主體的形狀，並且第一橋接圖案佈置在第二感測電極中。

基於第7C圖中的等效電路，所示的例示性實施例包含8個第一橋接圖案，以及比較實施例中包含17個第一橋接圖案。根據示出的例示性實施例的第二電阻器R-E2及第四電阻器R-E1的總電阻被測量為大約649歐姆，並且根據比較實施例的第二電阻器R-E2及第四電阻器R-E1的總電阻被測量為大約692歐姆。在所示的例示性實施例相比於比較實施例具有相對較低的總電阻，因為其具有的第一橋接圖案較少，且第一橋接圖案具有高的接觸電阻。在所示的例示性實施例及比較實施例中，第一電阻器R-L2、第三電阻器R-L1與第一寄生電容C-L2、第二寄生電容C-E2、第三寄生電容C-L1及第四寄生電容C-E1實質上相同。

第一圖案GP1的1分貝頻寬被測量為大約340k，並且第二圖案GP2的1分貝頻寬被測量為大約290k。與比較實施例相比，所示的本發明構思的例示性實施例具有相對較低的總電阻，因此具有優異的1分貝頻寬特性及較寬的交流訊號頻寬。較寬的交流訊號頻寬可以改善使用正弦訊號作為驅動訊號的輸入感測器的靈敏度。

第8A圖係根據本發明構思的例示性實施例的輸入感測器的平面圖。第8B圖係根據本發明構思的例示性實施例的輸入感測器的部分平面圖。第8C圖係根據本發明構思的例示性實施例的輸入感測器的交叉區域的放大平面圖。第8D圖係根據本發明構思的例示性實施例的輸入感測器的平面圖。為了避免冗餘，將省略與以上參考第6A圖至第7E圖中實質上相同的配置及元件的重複描述。

如第8A圖中，輸入感測器IS還可以包含佈置在第一感測器部分SP1內部並且與第一感測器部分SP1絕緣的第一虛擬圖案FP1，以及佈置在第二感測器部分SP2內部並且與第二感測器部分SP2絕緣的第二虛擬圖案FP2。第一虛擬圖案FP1及第二虛擬圖案FP2可以減小輸入感測器IS及顯示面板之間的寄生電容(例如，參見第6A圖)，例如，第7C圖的第二寄生電容C-E2及第四寄生電容C-E1。以這種方式，由於減小的寄生電容，可以改善輸入感測器IS的靈敏度。

輸入感測器IS還可以包含連接第一虛擬圖案FP1的橋接圖案BP(以下稱為「第二橋接圖案」)。第二橋接圖案BP可以由第6A圖所示的第一導電層IS-CL1形成。第二橋接圖案BP與交叉區域相對應地佈置。第二橋接圖案BP可以與第二感測器部分SP2重疊。第二橋接圖案BP可以被佈置在與第一橋接圖案CP1相同的層上(參照第7B圖)。

如第8A圖中，輸入感測器IS可以進一步包含虛擬訊號線GSL。虛擬訊號線GSL可以接收預定的偏置電壓，例如接地電壓。虛擬訊號線GSL可以連接到第一虛擬圖案FP1。虛擬訊號線GSL可以由第6A圖所示的第二導電層IS-CL2形成。

在示出的本發明構思的例示性實施例中，虛擬訊號線GSL可以連接到感測電路220(參見第7C圖)。虛擬訊號線GSL可電連接到放大器AMP1的第二輸入端子IN2(參見第7C圖)。在這種情況下，第一虛擬圖案FP1可以具有雜訊檢測功能。這樣，感測訊號Sse可以被處理以反映影響第一虛擬圖案FP1的雜訊。

第8B圖示出了根據例示性實施例的四個第一感測電極IE1-2至IE1-5及最右邊的第二感測電極IE2-8的一部分的放大圖。虛擬訊號線GSL可以電連接到佈置在奇數個的第一感測電極IE1-3及IE1-5內部的第一虛擬圖案FP1。虛擬訊號線GSL可以在實質上第二方向DR2上直接連接到第一虛擬圖案FP1中的最外面的第一虛擬圖案FP1。在示出的本發明構思的例示性實施例中，虛擬訊號線GSL可以透過橋接圖案連接到第一虛擬圖案FP1。

如第8B圖所示，第一虛擬圖案FP1中的至少一個可以包含佈置在中央部FP1-10實質上第二方向DR2的兩側的延伸部分FP1-20及FP1-30。延伸部分FP1-20及FP1-30中的每一個連接到對應的第二橋接圖案BP。佈置在第二方向DR2的兩端部上的一些第一虛擬圖案FP1可以具有與其他第一虛擬圖案FP1的形狀不同的形狀。例如，佈置在兩端部上的第一虛擬圖案FP1可以包含中央部分及設置在中央部分的一側上的一個延伸部分。

如第8B圖所示，感測器輸入IS還可以包含橋接圖案BP-S(在下文中「第三橋接圖案」)，其可以與虛擬訊號線GSL相交並且與虛擬訊號線GSL絕緣。第三橋接圖案BP-S可以連接第一感測電極IE1-2及IE1-4以及訊號線SG1-11及SG1-12。第三橋接圖案BP-S可以由第6A圖所示的第一導電層IS-CL1形成。

第8C圖是根據本發明構思的例示性實施例的交叉區域的放大圖。所示的區域第8C圖對應於第7B圖中中示出的區域。與第8A圖及第8B圖不同，第8C圖示出了根據例示性實施例的佈置在交叉區域中的兩個橋接圖案BP。第二橋接圖案BP可以佈置為對應第一橋接圖案CP1。

兩個第二橋接圖案BP可以佈置在兩個第一橋接圖案CP1的外部。第二橋接圖案BP可以具有比第一橋接圖案CP1更大的長度。可以在兩個第二橋接圖案BP及兩個第一虛擬圖案FP1之間形成四個連接區域。四個接觸孔CNT-1可以分別佈置在四個連接區域中。

如第8D圖所示，可以提供複數個虛擬訊號線GSL。在示出的例示性實施例中，可以佈置與第一感測電極IE1-1至IE1-10相同數量的虛擬訊號線GSL。各虛擬訊號線GSL可以連接到與對應的第一感測電極相鄰的第一虛擬圖案FP1。虛擬訊號線GSL可以連接到與第一感測電極IE1-1至IE1-10及放大器AMP1的第二輸入端子IN2相對應的感測通道222。

第9A圖係根據本發明構思的例示性實施例的輸入感測層ISL的平面圖。第9B圖係根據本發明構思的例示性實施例的輸入感測層ISL的部分截面圖。第9C圖係根據本發明構思的例示性實施例的輸入感測層ISL的等效電路圖。為了避免冗餘，將省略與以上參照第1圖至第8D圖描述的實質上相同的配置及元件的重複描述。

相較於根據第6B圖的輸入感測層ISL，所示出的依據本發明構思的實施例的輸入感測層ISL進一步包含第三訊號線組SG3。此外，相較於第6B圖所示的輸入感測層ISL的佈置，根據所示出的實施本發明構思的實施例中的輸入感測層ISL中，具有與第一電極組EG1及第二電極組EG2與第一訊號線組SG1及第二訊號線組SG2之間不同的連接關係。

更具體地，第一感測電極IE1-1至IE1-10的一個右端部連接到第一訊號線組SG1的訊號線。第二感測電極IE2-1至IE2-8的一個下端部連接到第二訊號線組SG2的訊號線。第二感測電極IE2-1至IE2-8的上端部連接到第三訊號線組 SG3的訊號線。這樣，根據例示性實施例，第二感測電極IE2-1至IE2-8的兩端部連接到訊號線。訊號線及感測電極之間的這種連接關係被稱為雙路由結構。

此外，根據本發明構思的例示性實施例中，第一橋接圖案被施加到具有較大長度的第二感測電極IE2-1至IE2-8。具體地，第二連接部分CP2可以對應於第一橋接圖案。第一感測電極IE1-1至IE1-10中的每一個可以具有單一主體的形狀。

如第9B圖所示，第一感測器部分SP1及第一連接部分CP1可以被佈置在同一層上，並且可以具有單一主體。第一感測器部分SP1及第一連接部分CP1可以透過與第6A圖的第二導電層IS-CL2實質上相同的製程形成。第二連接部分CP2可以透過貫通第二絕緣層IS-IL2的接觸孔CNT-I連接第二感測器部分SP2。

參照第9C圖的等效電路，驅動訊號Sdr藉由第二訊號線及第三訊號線組SG3的訊號線(以下稱為「第三訊號線」)提供至第二感測電極的兩端部。

第二電阻器R-E21的雙重路由結構比第7C圖的第二電阻器R-E2具有較低的電阻。這是因為第二電阻器R-E21對應於第二感測電極的一部分。然而，雙路由結構進一步包含與第一電阻器R-L2及第二電阻器R-E21並聯連接的第五電阻器R-L3及第六電阻器R-E22。第五電阻器R-L3具有第三訊號線的等效電阻。第六電阻器R-E22對應於第二感測電極的一部分，並且第二電阻器R-E21及第六電阻器R-E22的總電阻對應於第7C圖的第二電阻器R-E2。

如第9C圖所示，第五寄生電容C-L3是第三訊號線與第二電極CE之間的電容(參見第5A圖)，第六寄生電容C-E22是第二感測電極的一部分與第二電極CE之間的電容。第二寄生電容C-E21是第二感測電極的另一部分與第二電極CE之間的電容，因此小於第7C圖的第二寄生電容C-E2。

如第9C圖所示，可能期望第二電阻器R-E21及第六電阻器R-E22具有相對較大的值，使得第二訊號線的焊墊單元PD2與參考電容Cse之間的總電阻具有較低的值。如第9A圖及第9B圖所示，第二電阻器R-E21及第六電阻R-E22的值可透過施加第一橋接圖案到第二連接部分CP2被相對地增大。此外，由於第一感測電極具有單一主體的形狀，所以可以減小第四電阻器R-E1的值。這樣，透過整體減小總電阻，可以改善具有雙路由結構的輸入感測層ISL的頻寬特性。

第10A圖是根據本發明構思的例示性實施例的顯示模組DM的透視圖。第10B圖係根據本發明構思的例示性實施例的輸入感測層ISL的平面圖。第11A圖係根據本發明構思的例示性實施例的顯示模組DM的透視圖。第11B圖係根據本發明構思的例示性實施例的輸入感測層ISL的平面圖。為了避免冗餘，將省略與以上參照第1圖至第9C圖描述的實質上相同的配置及元件的重複描述。

參考第10A圖，顯示模組DM可以包含在平面圖中向其內側凹陷的凹陷區域NTA。可以在顯示面板DP及輸入感測層ISL的每一個中定義凹陷區域NTA，但是凹陷區域NTA可以相同或者可以不相同。凹陷區域NTA可以在中央區域中被定義在第二方向DR2上。在一些例示性實施例中，凹陷區域NTA可以不精確地設置在的中心區域中。

如第10B圖所示，第一電極組及EG1第二電極組的EG2形狀可能由於凹陷區域NTA而改變。第一訊號線組SG1及第二訊號線組SG2的位置及佈置可以與第6B圖的輸入感測層ISL實質上相同。

如第10B圖所示，第十電極IE1-10可以藉由凹陷區域NTA被劃分成兩個部分。這兩個部分可以透過虛擬連接線DSL連接。第二電極組EG2的第四電極IE2-4至第六電極IE2-6可具有比其他電極短的長度。

如第11A圖所示，在平面圖中，根據例示性實施例的顯示模組DM可以包含訊號透射區域HA。可以透過部分或完全去除顯示面板DP及輸入感測層 ISL的部分區域來定義訊號透射區域HA。訊號透射區域HA可以被分成具有第一透射率的區域及具有比第一透射率低的第二透射率的另一個區域。例如，可以在具有第二透射率的區域中去除顯示面板DP或輸入感測層ISL，並且也可以在具有第一透射率的區域中去除顯示面板DP及輸入感測層ISL。例如，顯示面板DP的發光元件可以在具有第二透射率的區域中被部分地去除，並且可以在具有第一透射率的區域中被完全地去除。

顯示面板DP的訊號透射區域HA及輸入感測層ISL的訊號透射區域HA可以相同或可以不相同。訊號透射區域HA可以是光訊號的傳輸通道。可以在顯示模組DM中定義複數個訊號透射區域HA。

透過去除基底層BL、電路元件層DP-CL、顯示元件層DP-OLED及設置在基底層BL的上部絕緣層TFL的至少一部分來形成顯示面板DP的訊號透射區域HA。感測器部分SP1及SP2可以從輸入感測層ISL的訊號透射區域HA去除。

如第11B圖所示，第一電極組EG1與第二電極組EG2的形狀可由於訊號透射區域HA而改變。第一訊號線組SG1及第二訊號線組SG2的位置及配置可以與第6B圖的輸入感測層ISL實質上相同。

輸入感測層ISL的訊號透射區域HA可以設置在第一電極組EG1及第二電極組EG2之間的交叉區域中。在此，可以在輸入感測層ISL的訊號透射區域HA周圍設置虛擬連接線。例如，虛擬連接線可以圍繞訊號透射區域以連接第一電極組EG1及第二電極組EG2的分離的電極。

根據本發明構思的例示性實施例，根據訊號線及感測電極的連接結構來改變連接部分(或橋接圖案)相對於感測器部分的位置。具體地，根據訊號線及感測電極的連接結構，在第一感測電極或第二感測電極中均設置有橋接圖案。

根據本發明構思的例示性實施例，由於輸入感測器的電阻降低時，AC頻寬特性可以得到改善。由於感測訊號的頻寬增加，所以可以改善感測靈敏度。

儘管這裡已經描述了某些例示性實施例及實現方式，但是根據這些描述，其他實施例及修改將是顯而易見的。因此，本發明的概念並不限於這些實施例，所附申請專利範圍的更廣泛的範圍及各種明顯的修改及等效配置將對本領域具有通常知識者而言是顯而易見的。