TWI844857B

TWI844857B - 烷烴和烷基芳族烴之脫氫方法

Info

Publication number: TWI844857B
Application number: TW111120257A
Authority: TW
Inventors: 筱穎鮑
Original assignee: 美商艾克頌美孚化學專利股份有限公司
Priority date: 2021-06-17
Filing date: 2022-05-31
Publication date: 2024-06-11

Abstract

本發明關於將烷轉化為烯之方法。在一些具體實例中，該方法可包括使含烴進料與可包括Pt的第一觸媒或可包括Cr的第二觸媒在轉化區內接觸以引發至少一部分的該含烴進料之脫氫，從而產生可包括一或多種脫氫烴類及分子氫的流出物。該方法也可包括使該流出物與配置於轉化區內之固體氧載體接觸以引發至少一部分的該分子氫的燃燒，從而產生可包括一或多種脫氫烴類及水之轉化產物。在一些具體實例中，使該進料與該第一或第二觸媒的接觸可發生於第一轉化區中，及使該流出物與該固體氧載體的接觸可發生於第二轉化區中。

Description

烷烴和烷基芳族烴之脫氫方法

相關申請案之相互參照

本案請求申請日為2021年6月17日的美國臨時申請案第63/202,590號的優先權及權益，其揭示內容在此以引用的方式將其全文併入本文。

本揭示內容關於將烷烴及/或烷基芳烴脫氫之方法。更特別地，本揭示內容關於在第一觸媒或第二觸媒存在下將烷烴及/或烷基芳烴脫氫以產生包括脫氫產物及分子氫的流出物並在固體氧載體(solid oxygen carrier)存在下燃燒分子氫以產生包括脫氫烴類及水的轉化產物之方法。

脫氫為吸熱且受平衡限制的工業上重要之化學轉化方法。烷烴(例如，C ₂-C ₁₂烷烴)及/或烷基芳烴(例如，乙苯)的脫氫可通過各種不同觸媒系統如Pt系、Cr系、Ga系、V系、Zr系、In系、W系、Mo系、Zn系、Fe系系統進行。為了提高平衡轉化率，經常採用降低操作壓力、烴進料稀釋及/或提高操作溫度，這些會引入額外的操作成本，促進不希望的副反應及/或導致觸媒去活化。

將化學平衡偏移至期望之脫氫產物的替代方案為混合脫氫方法中使用之觸媒與在相關反應條件下具有多個氧化還原態的金屬氧化物(“固體氧載體”或“SOC”)。在該方法中產生之分子氫可接著經由固體氧載體中的晶格氧(lattice oxygen)燃燒。然而，分子氫燃燒會產生水，這可能導致脫氫觸媒過早去活化。再者，使用含氧氣體補充固體氧載體中之晶格氧的觸媒系統的經常性再生要求脫氫觸媒對此氧化再生是穩定的。除此之外，理想的是脫氫觸媒在沒有預還原步驟(pre-reduction step)的情況下具有活性，例如在充分條件下與分子氫接觸，以避免從固體氧載體中剝離晶格氧。

因此，需要改良之烷烴及/或烷基芳的烴脫氫方法。本揭示內容滿足各個不同需求。

本發明提供烷烴及/或烷基芳烴之脫氫方法。在一些具體實例中，該方法可包括(I)將包括一或多種C ₂-C ₁₆直鏈或支鏈烷烴、一或多種C ₄-C ₁₆環狀烷烴、一或多種C ₈-C ₁₆烷基芳烴或其混合物之含烴進料供入轉化區(conversion zone)。該方法也可包括(II)使含烴進料與配置於第一載體上之包括Pt的第一觸媒或配置於第二載體上之包括Cr的第二觸媒於轉化區內接觸，以引發至少一部分的含烴進料之脫氫，從而產生包含一或多種脫氫烴類及分子氫之流出物。若存在的話，第一觸媒可包括以第一載體之總重量為基準計0.025重量%至6重量%的Pt。第一載體可包括下列中之至少一者：(i)至少一種可包括至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬之化合物及至少一種可包括至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之化合物，及(ii)至少一種可包括至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬和至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之化合物。該至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬與該至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之莫耳比可為至少0.03：1。該至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬與Pt之莫耳比可為至少30：1。若存在的話，第二觸媒可包括以第二載體之總重量為基準計0.025重量%至50重量%的Cr。第二載體可包括SiO ₂、ZrO ₂、TiO ₂或其混合物。該方法也可包括(III)使流出物與配置於轉化區內之固體氧載體接觸以引發至少一部分的分子氫的燃燒，從而產生可包括一或多種脫氫烴類及水之轉化產物。

在其他具體實例中，烴之脫氫方法可包括(I)將包括一或多種C ₂-C ₁₆直鏈或支鏈烷烴、一或多種C ₄-C ₁₆環狀烷烴、一或多種C ₈-C ₁₆烷基芳烴或其混合物之含烴進料供入第一轉化區。該方法也可包括(II)使含烴進料與配置於第一載體上之包括Pt的第一觸媒或配置於第二載體上之包括Cr的第二觸媒於第一轉化區內接觸，以引發至少一部分的含烴進料之脫氫，從而產生包括一或多種脫氫烴類及分子氫之流出物。若存在的話，第一觸媒可包括以第一載體之總重量為基準計0.025重量%至6重量%的Pt。第一載體可包括下列中之至少一者：(i)至少一種可包括至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬之化合物及至少一種可包括至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之化合物，及(ii)至少一種可包括至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬和至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之化合物。該至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬與該至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之莫耳比可為至少0.03：1。該至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬與Pt之莫耳比可為至少30：1。若存在的話，第二觸媒可包括以第二載體之總重量為基準計0.025重量%至50重量%的Cr。第二載體可包括SiO ₂、ZrO ₂、TiO ₂或其混合物。該方法也可包括(III)將流出物供入第二轉化區。該方法也可包括(IV)使流出物與配置於第二轉化區內之固體氧載體接觸以引發至少一部分的分子氫的燃燒，從而產生包含一或多種脫氫烴類及水之轉化產物。

現在將描述本發明之各種特定具體實例、版本及實施例，包括為了理解請求保護的發明而於本文中採用之較佳具體實例及定義。儘管下列詳細描述提供特定的較佳具體實例，但是本領域之習知技藝者將明白這些具體實例僅是例示性的，且本發明可以其他方式實施。為了確定侵權的目的，本發明之範疇表示包括其等效例之任何一或多項後附請求項及與所列舉的那些等同的元素或限制。對“發明”的任何提及可表示請求項所限定之發明中的一或多者，但是不一定是全部。

在本揭示內容中，所描述之方法包含至少一個“步驟”。咸應理解每個步驟為可於該方法中以連續或不連續方式執行一次或多次的動作或操作。除非另行指明或上下文另行明確指明，否則方法中之多個步驟可按所列順序依次進行，與一或多個其他步驟重疊或不重疊，或以任何其他順序，視情況而定。除此之外，對於同一批或不同批材料，一或多個甚至所有步驟可同時進行。例如，在連續方法中，當方法之第一步驟為針對剛供入製程開端的原料進行時，第二步驟可同時針對由處理在第一步驟中較早供入製程之原材料產生的中間材料進行。較佳地，這些步驟以所述的順序進行。

除非另行指明，否則本揭示內容中所有表示數量之數字在所有情況下皆應被理解為由措辭“約”修飾。也應理解說明書及申請專利範圍中使用之精確數值構成特定具體實例。頃努力確保實施例中數據之準確性。然而，咸應理解由於用於獲取測量之技術及/或裝備的限制，任何測量數據固有地含有一定程度的誤差。

本文使用一組數字上限及一組數字下限來描述某些具體實例及特徵。咸應明白除非另行指明，否則預期範圍包括任何兩個值之組合，例如，任何下限值與任何上限值的組合、任何兩個下限值的組合及/或任何兩個上限值的組合。

除非另行指明或上下文另行明確說明，如本文所用，不定冠詞“一個”意指“至少一個”。因此，使用“反應器”或“轉化區”之具體實例包括使用一個、兩個或更多個反應器或轉化區的具體實例，除非另行指明或上下文清楚地表明僅使用一個反應器或轉化區。

措辭“烴”意指(i)由氫及碳原子組成之任何化合物或(ii)在(i)中之兩種或更多種化合物之任何混合物。措辭“Cn烴”，其中n為正整數，意指(i)任何在其分子中包含總數n個碳原子之烴化合物，或(ii)在(i)中之兩種或更多種烴化合物之任何混合物。因此，C2烴可為乙烷、乙烯、乙炔或這些化合物中之至少二者之以任何比例的混合物。“Cm至Cn烴”或“Cm-Cn烴”，其中m及n為正整數且m＜n，意指Cm、Cm+1、Cm+2、...、Cn-1、Cn烴中之任何一者，或其二者或更多者之任何混合物。因此，“C2至C3烴”或“C2-C3烴”可為乙烷、乙烯、乙炔、丙烷、丙烯、丙炔、丙二烯、環丙烷中之任何一者，及其二者或更多者之任何組分間的比例之的任何混合物。“飽和C2-C3烴”可為乙烷、丙烷、環丙烷或其二者或更多者之任何比例之任何混合物。“Cn+烴”意指(i)在其分子中包含總數至少n個碳原子之任何烴化合物，或(ii)在(i)中之二或更多種烴化合物之任何混合物。“Cn-烴”意指(i)在其分子中包含總數最多n個碳原子之任何烴化合物，或(ii)在(i)中之二或更多種烴化合物之任何混合物。“Cm烴流”意指基本上由Cm烴(類)組成之烴流。“Cm-Cn烴流”意指基本上由Cm-Cn烴(類)組成之烴流。

為了達成本揭示內容之目的，元素之命名是根據Hawley's Condensed Chemical Dictionary, 16 ^thEd., John Wiley & Sons, Inc.(2016), Appendix V中提供的元素週期表版本(以新符號表示)。例如，第8族元素包括Fe，第9族元素包括Co，且第10族元素包括Ni。如本文所用，措辭“類金屬”表示下列元素：B、Si、Ge、As、Sb、Te及At。在本揭示內容中，除非另行指明或上下文另行明確指示，否則當特定元素被指為存在時，其可以元素狀態或以其任何化合物之方式存在。

措辭“烷烴”意指飽和烴。措辭“環狀烷烴”意指在其分子結構中包含環狀碳環之飽和烴。烷烴可為直鏈、支鏈或環狀的。

措辭“芳族”應根據其本領域公認之範疇來理解，其包括經烷基取代及未經烷基取代的單環及多環化合物(polynuclear compound)。

當用在如“富含X”之短語中時，措辭“富含”意指相對於從裝置例如轉化區獲得的流出流，該流包含的材料X的濃度高於被供至產生該流之同一裝置的進料中的材料X。當用在如“貧X”之短語中時，措辭“貧”意指相對於從裝置例如轉化區獲得的流出流，該流包含的材料X的濃度低於被供至產生該流之同一裝置的進料中的材料X。

措辭“選擇性”表示以催化反應產生特定化合物(碳莫耳基準(carbon mole basis))。作為實例，短語“烷烴轉化反應對烯烴具有100%之選擇性”意指在反應中100%之被轉化的烷烴(碳莫耳基準)轉化為該烯烴。當與指定之反應物結合使用時，措辭“轉化率”意指在反應中消耗的反應物之量。例如，當指定反應物為丙烷時，100%轉化率意指100%之丙烷在反應中被消耗掉。在另一個實例中，當指定反應物為丙烷時，若一莫耳丙烷轉化為一莫耳甲烷及一莫耳乙烯，則對甲烷之選擇性為33.3%，且對乙烯之選擇性為66.7%。產率(碳莫耳基準)為轉化率乘以選擇性(conversion times selectivity)。概述

在一些具體實例中，包括一或多種烷烴例如C ₂-C ₁₆直鏈或支鏈烷烴及/或C ₄-C ₁₆環狀烷烴及/或一或多種烷基芳烴例如C ₈-C ₁₆烷基芳烴之含烴進料可被供至轉化區並可與包括配置於第一載體上的Pt之第一觸媒或包括配置於第二載體上的Cr之第二觸媒接觸，以引發至少一部分的含烴進料之脫氫，從而產生可包括一或多種脫氫烴類及分子氫的流出物。流出物可於轉化區中與固體氧載體接觸，以引發至少一部分分子氫之燃燒，從而產生可包括一或多種脫氫烴類及水的轉化產物。

在其他具體實例中，含烴進料可與第一觸媒或第二觸媒於第一轉化區內接觸，以引發至少一部分的含烴進料之脫氫，從而產生可包括一或多種脫氫烴類及分子氫的脫氫流出物。脫氫流出物可與固體氧載體於第二轉化區內接觸，以引發至少一部分的分子氫之燃燒，從而產生可包括一或多種脫氫烴類及水的轉化產物。

使流出物與固體氧載體於轉化區或第二轉化區內接觸可將固體氧載體從第一態還原成第二態。在一些具體實例中，可停止將含烴進料供入轉化區或將流出物供入第二轉化區，並可將氧化劑進料供入轉化區或第二轉化區。固體氧載體可與至少一部分氧化劑進料反應以將固體氧載體從第二態氧化成高於第二態之第三態。可停止將氧化劑進料引入轉化區或第二轉化區，並可將含烴進料重新引入其中。第一觸媒

第一觸媒可包括負載於第一載體上之Pt。在一些具體實例中，第一觸媒可包括以第一載體之總重量為基準計0.025重量%、0.1重量%、0.2重量%、0.5重量%或1重量%至2重量%、3重量%、4重量%、5重量%或6重量%的Pt。第一載體可為或可包括下列中之至少一者：(i)至少一種包括至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬之化合物及至少一種包括至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之化合物，及(ii)至少一種包括至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬和至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之化合物。在一些具體實例中，至少一種原子序為21、39或57至71的金屬可為或可包括但不限於下列中之至少一者：鈰、釔、鑭、鈧、鐠、釹、釤、鑥、鐿、其化合物、或其混合物。在一些具體實例中，第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬可為或可包括但不限於下列中之至少一者：鋯、鈦、釩、鉻、鉬、鋅、鋁、矽、銻、碲、其化合物、或其混合物。

如上所述，本文揭示之第一觸媒在許多脫氫及再生循環後可保持足夠的活性及穩定性。相反地，頃發現：在包括相同組分但具有不同莫耳比之對比觸媒(至少一種原子序為21、39或57至71的金屬與至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之莫耳比小於0.03：1或超過2.7：1及/或至少一種原子序為21、39或57至71的金屬與Pt之莫耳比小於30：1，)中，在20次脫氫及再生循環後，該對比觸媒為不穩定、穩定但活性不高、及/或不穩定且活性不高。不受理論束縛，據信第一載體之組成藉由在氧化步驟期間重新分散聚結的鉑粒子(agglomerated platinum particle)而有助於第一觸媒的穩定性。

包括至少一種原子序為21、39或57至71的金屬之化合物、包括至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之化合物及/或包括至少一種原子序為21、39或57至71的金屬及至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之化合物可以氧化物、磷酸鹽、鹵化物、鹵酸鹽、硫酸鹽、硫化物、硼酸鹽、氮化物、碳化物、鋁酸鹽、鋁矽酸鹽、矽酸鹽、碳酸鹽、偏磷酸鹽、硒化物、鎢酸鹽、鉬酸鹽、亞鉻酸鹽(chromite)、鉻酸鹽(chromate)、重鉻酸鹽(dichromate)或矽化物的形式存在。在一些具體實例中，包括至少一種原子序為21、39或57至71的金屬之化合物、包括至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族的金屬或類金屬之化合物及/或包括至少一種原子序為21、39或57至71的金屬及至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族的金屬或類金屬之化合物可為氧化物。在一些具體實例中，包括至少一種原子序為21、39或57至71的金屬及至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬的化合物可為單晶相(single crystalline phase)。

在一些具體實例中，當第一載體包括含至少一種原子序為21、39或57至71的金屬之化合物及包括至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之化合物時，第一載體可為或可包括但不限於下列中的至少一者：CeO ₂、Y ₂O ₃、La ₂O ₃、Sc ₂O ₃、Pr ₆O ₁₁和CePO ₄及下列中的至少一者：Al ₂O ₃、SiO ₂、ZrO ₂及TiO ₂。在一些具體實例中，當第一載體包括含至少一種原子序為21、39或57至71的金屬及至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族的金屬或類金屬之化合物時，第一載體可為或可包括但不限於下列中的至少一種：CeZrO ₂、CeAlO ₃、BaCeO ₃及CePO ₄。

第一載體之至少一種原子序為21、39或57至71的金屬與至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族的金屬或類金屬之莫耳比可為0.03：1、0.07：1、0.1：1、0.15：1、0.3：1、0.5：1、0.7：1、1：1或1.3：1至1.5：1、1.7：1、2：1、2.2：1、2.4：1、2.5：1、2.6：1或2.7：1。咸應理解的是當第一載體包括二或更多種原子序為21、39或57至71的金屬及/或二或更多種第4、5、6、12、13、14、15或16族的金屬及/或類金屬，原子序為21、39或57至71的金屬與第4、5、6、12、13、14、15或16族的金屬或類金屬之莫耳比表示所有原子序為21、39或57至71的金屬之總量與所有第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬及/或類金屬之總量的莫耳比。

第一觸媒之至少一種原子序為21、39或57至71的金屬與Pt之莫耳比可為至少30：1、至少40：1、至少60：1、至少100：1、至少200：1、至少400：1、至少800：1、至少1,200：1、至少1,600：1或至少2,000：1。在一些具體實例中，第一觸媒之至少一種原子序為21、39或57至71的金屬與Pt的莫耳比可為≥30：1、≥40：1、≥60：1、≥100：1、≥200：1、≥400：1、≥800：1、≥1,200：1、≥1,600：1、≥2,000：1至≤2,400：1、≤2,000：1、≤1,600：1、≤1,200：1、≤800：1、≤400：1、≤200：1、≤100：1、≤60：1、≤40：1或≤35：1。咸應理解的是若第一觸媒包括二或更多種原子序為21、39或57至71的金屬，則至少一種原子序為21、39或57至71的金屬與Pt之莫耳比表示所有原子序為21、39、57至71的金屬之總量與Pt的莫耳比。

咸應理解，在一些具體實例中，一或多種元素如Sn、Ga、Zn、Ge、In、其組合、其混合物及/或其化合物可存在於第一觸媒中且這些元素可以被稱作為Pt的“促進劑”。若存在的話，促進劑可改善第一觸媒對特定升級烴之選擇性/活性/壽命。在一些具體實例中，當含烴進料包括丙烷時，促進劑之加入可改善第一觸媒對丙烯的選擇性。第一觸媒可包括以載體的重量為基礎計0.01重量%、0.05重量%、0.1重量%、0.2重量%、0.3重量%、0.4重量%、0.5重量%、0.6重量%、0.7重量%、0.8重量%、0.9重量%、或1重量%至3重量%、5重量%、7重量%或10重量%的量之促進劑。

在一些具體實例中，第一觸媒也可包括配置於其上之一或多種鹼金屬元素。若存在的話，鹼金屬元素可為或可包括但不限於Li、Na、K、Rb、Cs、其化合物、或其混合物。在至少一些具體實例中，鹼金屬元素可為或可包括K及/或Cs。若存在的話，鹼金屬元素可改善第一觸媒對特定的升級烴之選擇性。第一觸媒可包含以第一載體的重量為基礎計0.01重量%、0.1重量%、0.2重量%、0.3重量%、0.4重量%、0.5重量%、0.6重量%、0.7重量%、0.8重量%、0.9重量%、或1重量%至2重量%、3重量%、4重量%或5重量%之量的鹼金屬元素。

第一觸媒可包括粒子及/或整體結構形式之第一載體，該第一載體具有配置於其上(例如，經由薄塗膜(wash coat))的Pt及，若存在的話，另外的組分例如促進劑及/或鹼金屬。第一觸媒可為珠、球、環、環面形狀、不規則形狀、棒、圓柱、薄片、膜、立方體、多邊形幾何形狀、片、纖維、線圈、螺旋、網、燒結多孔塊、粒子、丸粒料、錠劑、粉末、微粒、擠出物、布或網狀材料(web form material)、蜂巢基質塊(honeycomb matrix monolith)、複合物(第一觸媒及固體氧載體及/或第一載體材料)的形式，包括粉碎或壓碎的形式。

在一些具體實例中，包括至少一種原子序為21、39或57至71的金屬之化合物、包括至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之化合物、及/或包括至少一種原子序為21、39或57至71的金屬和至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族的金屬或類金屬之化合物之各者的主要非聚結粒徑可具有0.2 nm、1 nm、5 nm、10 nm、25 m、50 nm、100 nm、250 nm、500 nm、750 nm、1,000 nm、1.5μm、3μm、5μm、7μm、10μm至20μm、35μm或50μm至65μm、80μm、90μm、100μm、150μm、200μm、300μm、或400μm的平均粒度。

在其他具體實例中，至少一種包括原子序為21、39或57至71的金屬之化合物、包含至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族的金屬或類金屬之化合物、及/或至少一種包含原子序為21、39或57至71的金屬和至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族的金屬或類金屬之化合物可被擠出或以其他方式形成為任何所需的整體結構，並可將Pt配置於其上。合適的整體結構可為或可包括但不限於具有多個實質上平行的內部通道之結構例如呈陶瓷蜂窩形式者。第二觸媒

第二觸媒可包括配置於第二載體上之Cr。在一些具體實例中，第二觸媒可包括以第二載體之總重量為基準計0.025重量%、0.05重量%、0.1重量%、0.5重量%、1重量%、3重量%、5重量%、10重量%或15重量%至20重量%、25重量%、30重量%、35重量%、40重量%、45重量%、或50重量%的Cr。在一些具體實例中，Cr可為Cr ₂O ₃的形式。在一些具體實例中，第二載體可為或可包括但不限於SiO ₂、ZrO ₂、TiO ₂或其混合物。

在一些具體實例中，第二觸媒也可包括配置於其上之一或多種鹼金屬元素。若存在的話，鹼金屬元素可為或可包括但不限於Li、Na、K、Rb、Cs、其化合物、或其混合物。在至少一些具體實例中，鹼金屬元素可為或可包括K及/或Cs。若存在的話，鹼金屬元素可改善第二觸媒對特定升級烴之選擇性。第二觸媒可包括以第二載體的重量為基礎計0.01重量%、0.1重量%、0.2重量%、0.3重量%、0.4重量%、0.5重量%、0.6重量%、0.7重量%、0.8重量%、0.9重量%、或1重量%至2重量%、3重量%、4重量%或5重量%的量之鹼金屬元素。

在一些具體實例中，第二載體也可包括至少一種包括至少一種第5、6、12、13、15或16族金屬或類金屬之化合物。若第二載體包括至少一種包括至少一種第5、6、12、13、15或16族金屬或類金屬之化合物，此化合物可以氧化物、磷酸鹽、鹵化物、鹵酸鹽、硫酸鹽、硫化物、硼酸鹽、氮化物、碳化物、鋁酸鹽、鋁矽酸鹽、矽酸鹽、碳酸鹽、偏磷酸鹽、硒化物、鎢酸鹽、鉬酸鹽、亞鉻酸鹽、鉻酸鹽、重鉻酸鹽或矽化物的形式存在。固體氧載體

固體氧載體可為或可包括任何一或多種能夠藉由選擇性氫燃燒(selective hydrogen combustion)(SHC)而去除脫氫反應中所產生之分子氫的材料。在燃燒期間，來自固體氧載體之氧與來自脫氫的分子氫反應生成水。固體氧載體可於分子氫燃燒期間釋出晶格氧。

在一些具體實例中，固體氧載體可為多孔材料，其孔徑大到足以接納分子氫，但是小到足以排除相對大的烷烴、烷基芳烴及脫氫烴(例如烯烴)分子。於脫氫開始時，固體氧載體處於標識為“SO _xC”之狀態，表示氧可自固體氧載體中移出。於脫氫期間，由該反應產生之分子氫可進入固體氧載體的孔中，分子氫可在該孔中與來自固體氧載體之氧一起燃燒。由於脫氫反應中產生之分子氫比烷烴、烷基芳烴及脫氫烴更容易遷移至固體氧載體的孔中，因此脫氫反應之平衡偏移至脫氫烴的產量增加之方向並遠離脫氫烴的氫化、烷烴氧化、烷基芳烴氧化及脫氫烴的氧化之方向。

一旦固體氧載體中可用於燃燒之氧耗盡，固體氧載體將處於概念上標識為“SO _yC”的還原態，其中x為正數，y為正數，及y＜x。可停止包括烷烴及/或烷基芳烴(類)之烴進料，可將固體氧載體從SO _yC再氧化成概念上稱為“SO _zC”的氧化態，其中z為正數並˃y，並重複該程序。在一些具體實例中，z可等於或實質上等於x。SOC之還原及氧化在概念上由下列方程式舉例說明：H ₂+SO _xC→H ₂O+SO _yC(還原)；及O ₂+2SO _yC→2SO _zC(氧化)。

在一些具體實例中，固體氧載體可為或可包括金屬氧化物，例如過渡金屬氧化物，其於升高之溫度下對氧化劑具有可逆吸附親和力(reversible sorptive affinity)。在本文中，措辭“升高之溫度”意指400℃至1,000℃的溫度，且措辭“高吸附能力”意指當固體氧載體與氧於800℃的溫度下接觸時，每莫耳固體氧載體有至少40毫莫耳氧之儲氧能力。此材料包括以吸附方式去除並釋出氧化劑之材料，及在可逆氧化劑儲存期間進行化學及/或物理變化之材料。固體氧載體可為以分子形式(例如分子氧)儲存氧化劑之材料，但是這並非必需。在一些具體實例中，固體氧載體可具有儲存並釋出原子或離子形式(例如以氧原子及/或氧離子形式)之氧化劑的能力。在一些具體實例中，固體氧載體可基於離子遷移(ionic transport)實現氧之大量分離及純化，其中固體氧載體保持於高溫以暫時儲存氧。與固體氧載體之表面接觸的氧可於材料之表面上分解並結合到材料之晶格中。在400℃至1,000℃的溫度範圍內特別有利於氧之儲存。

在一些具體實例中，當氧化劑接觸固體氧載體時，氧化劑(通常為分子氧，但不限於此)藉著電荷轉移作用吸附並解離以引起氧化劑滲透通量(penetrative flux)進入固體氧載體。可使用化學勢驅動力(chemical potential driving force)引發氧化劑離子遷移到固體氧載體中。

固體氧載體可具有適合於氧化劑儲存及分子氫燃燒之任何合適的尺寸、形狀及立體結構。例如，該材料可為細碎形式，例如珠、球、環、環面形狀、不規則形狀、棒、圓柱、薄片、膜、立方體、多邊形幾何形狀、片、纖維、線圈、螺旋、網、燒結多孔塊、粒子、丸粒料、錠劑、粉末、微粒、擠出物、布或網狀材料、蜂窩狀基質整料、複合物(具有固體氧載體與烴轉化觸媒及/或載體材料)，包括粉碎或壓碎的形式。固體氧載體可與載體或基材混合或塗佈於載體或基材上。固體氧載體可為細碎材料之形式，為熱載體的一部分或為熱載體基材上之一或多個塗層，以提供具有儲氧功能的材料。例如，固體氧載體可以塗層方式被包括於固體氧載體中，或可為與固體氧載體所包括之實質惰性的基材或、與該固體氧載體結合的混合物或其他。

在一些具體實例中，固體氧載體可藉由金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)使用固體氧載體之相應金屬組分的合適前驅物形成於合適之載體或基材上。使用MOCVD可達成對化學計量及均勻性覆蓋之相對嚴格控制。MOCVD可用以沉積多組分固體氧載體之膜，該膜具有約0.1%等級的組成重現性及優於5%的厚度均勻性。

在其他具體實例中，固體氧載體可藉由各種製造技術形成為散裝物品，例如粒子。此技術包括粉末冶金(powder metallurgy)、粉漿冶金(slurry metallurgy)、注漿成形(slip casting)、薄帶成形(tape casting)等等)及共擠出。在又其他具體實例中，固體氧載體可經由溶膠凝膠技術形成。當固體氧載體沉積於包含多孔二氧化矽、氧化鋁、矽藻土等之惰性基材上時，此技術可能是有利的。溶膠凝膠技術可用以製造固體氧載體之前驅物成分的溶膠並將溶液噴塗、浸塗、浸泡、輥塗或以其他方式施於基材上。含前驅物材料之塗覆基材可經受高溫，例如煅燒，以產生所需的固體氧載體。

過渡金屬氧化物可特別有利於作為固體氧載體。在一個具體實例中，固體氧載體可為或可包括含有至少一種原子序為21至30、39至48或57至71之金屬的氧化物。換句話說，合適之過渡金屬可包括至少一種第3至12族金屬及/或鑭系金屬的氧化物。在其他具體實例中，固體氧載體可為或可包括至少一種由下列構成的金屬基組分：一或多種來自第1、2及3族之元素；一或多種來自第4至15族之元素；及氧和硫中之至少一者。

鈣鈦礦及相關材料例如類鈣鈦礦材料及燒綠石，也可作為固體氧載體。鈣鈦礦通常為含高溫O ^2-空位之具有晶體結構ABO ₃的含氧化合物。根據通式ABO _3-δ，此結構也可用符號δ表示。“A”位陽離子可為第3族元素、第2族元素、第1族元素、及大型陽離子例如Pb ²⁺、Bi ³⁺。“B”位陽離子可為3d、4d或5d過渡金屬陽離子，例如原子序為21至30、39至48或72至80之金屬的陽離子。多重陽離子型填充(multiple cation-type occupation)皆有可能。骨架位點“A”及“B”可分別為十二面體及八面體，參見L. G. Tejuca及J. L. Fierro, Properties and Applications of Perovskite-type Oxides, Marcel Dekker, New York, 1993。

習用鈣鈦礦對於δ在一定範圍內的變化保持穩定及可逆。於升高溫度及低氧分壓下，δ值可高達0.25，例如，δ可為0.05至0.25(儘管已報導過更高之值)，即δ為溫度及氧分壓的函數。鈣鈦礦穩定性可藉由晶格金屬於各種價態中之陽離子半徑控制，將這些陽離子半徑結合成被稱為“容差因子(tolerance factor)”的參數“t”，參見Z. Shao等人， Sep. Purif Technol., 25(2001) 419-42。鈣鈦礦結構可於0.75至1之t範圍內形成。

通常，鈣鈦礦具有通式(1) A _xB _yO _3-δ，(2) A _xA' _x'B _yB ^' _y'O _3-δ，及(3) A _xA' _x'A" _x _"B _yB' _y'B" _y _"O _3-δ及其組合。在這些通式中，A、A'及A"可獨立地選自原子序為57至71(含端值)之原子的離子、釔的陽離子、第1族原子的離子、第2族原子的離子及二或多種的組合，其中第1族及第2族參考元素週期表。B、B'及B"獨立地選自：Mn、Cr、Fe、Co、Ni及Cu。x、x'、x"、y、y'及y"之值皆為介於0至1的實數，x+x'+x"=0.8-1.0；y+y'+y"=1；δ為0.05至0.30。

鈣鈦礦的同構造化合物(“類鈣鈦礦化合物”)也是合適的固體氧載體並可包括具有通式(4) A ₂BO _4-δ、(5) A ₂B ₂O _5-δ、(6) AO(ABO _3-δ) _n、(7) AM ₂Cu ₃O _7-δ、(8) Bi ₄V _2(1-x)Me _2xO _11-3x及(9) A"B"O ₃的化合物。在這些通式中，A係獨立地選自原子序介於57至71(含端值)之原子的離子、釔的陽離子、第1族原子的離子、第2族原子的離子及二或更多種的組合，其中第1族及第2族參考元素週期表。B係獨立地選自d區過渡金屬離子。A"係Na或Li之離子，B"係W或Mo之離子。M係選自元素週期表第2族原子之陽離子的金屬陽離子。Me係選自Cu、Bi及Co原子之陽離子的金屬陽離子。x之值可為0.01至1.0，n可為1至約10；δ可為0.05至約0.30。

燒綠石(Pyrochlore)也是合適的固體氧載體。合適的燒綠石可包括具有通式(10)A ₂B ₂O _7-δ的化合物。在此式中，A係獨立地選自原子序為57至71(含端值)之原子的離子、釔的陽離子、第1族原子的離子、第2族原子的離子及二或更多種的組合，其中第1族及第2族參考元素週期表。B係獨立地選自d區過渡金屬離子；δ為0.05至0.30。

具有式A _xA' _x'B _yB ^' _y'O _3-δ的合適化合物可為或可包括但不限於La _0.6Sr _0.4Co _0.8Fe _0.2O _3-δ、 Sr _0.9Ce _0.1Fe _0.8Co _0.2O _3-δ、La _0.2Sr _0.8Co _0.6Fe _0.2O _3- _δ、 Ba _0.5Sr _0.5Co _0.8Fe _0.2O _3- _δ、Ca _0.5Sr _0.5Mn _0.8Fe _0.2O _3-δ、 Ca _0.45Sr _0.45Mn _0.8Fe _0.2O _3-δ、La _0.8Sr _0.2Ni _0.4Co _0.4Fe _0.2O _3-δ、 La _0.6Sr _0.4Cr _0.2Fe _0.8O _3-δ或其混合物。具有式A ₂BO _4-δ的合適化合物可為或可包括但不限於La ₂CoO _4-δ、La ₂MnO _4-δ、La ₂FeO _4-δ、Sr ₂CuO _4-δ、Sr ₂MnO _4-δ或其混合物。具有式A ₂B ₂O _5-δ的合適化合物可為或可包括但不限於La ₂Co ₂O _5-δ、La ₂Mn ₂O _5-δ、Sr ₂Cr ₂O _5-δ、Ce ₂Mn ₂O _5-δ或其混合物。具有式AO(ABO _3-δ) _n的合適化合物可為或可包括但不限於LaO(LaCuO _3-δ) ₅、SrO(LaCrO _3-δ) ₆、GdO(SrFeO _3-δ) ₅、CeO(LaNiO _3-δ) ₆、YO(YMnO _3-δ) _n、CeO(CeMnO _3-δ) _n或其混合物。具有式AM ₂Cu ₃O _7-δ的合適化合物可為或可包括但不限於KBa ₂Cu ₃O _7-δ、NaBa ₂Cu ₃O _7-δ、LaBa ₂Cu ₃O _7-δ、MgBa ₂Cu ₃O _7-δ、SrBa ₂Cu ₃O _7-δ、Y _0.5La _0.5BaCaCu ₃O _7-δ、Y _0.8La _0.2Ba _0.8Sr _1.2Cu ₃O _7-δ、Y _0.7La _0.3Ba _0.8Sr _1.2Cu ₃O _7-δ、Y _0.9La _0.1Ba _0.6Ca _0.6Sr _0.8Cu ₃O _7-δ或其混合物。具有式 Bi ₄V _2(1-x)Me _2xO _11-3x的合適化合物可為或可包括但不限於Bi ₄VCuO _9.5、Bi ₄V _0.6Co _1.4O _8.9、Bi ₄V _1.4Bi _0.6O _10.1、Bi ₄V _1.6Cu _0.4O _10.4或其混合物。具有式A"B"O ₃的合適化合物可為或可包括但不限於LaFeO ₃、SrCoO ₃、SrFeO ₃或其混合物。合適的燒綠石可為或可包括但不限於Mg ₂Fe ₂O _7-δ、Mg ₂Co ₂O _7-δ、Sr ₂Mo ₂O _7-δ或其混合物。合適的鈣鈦礦、類鈣鈦礦及燒綠石化合物之實例可包括美國專利第7,338,549號中揭示者。

固體氧載體也可為或包括但不限於含鈰及含鐠之金屬氧化物，包括CeO ₂、Pr ₆O ₁₁、CeO ₂-ZrO ₂、CuO-CeO ₂、FeO _x-CeO ₂(1≤x≤1.5)、MnO _x-CeO ₂(1≤x≤3.5)及Pr ₆O ₁₁-CeO ₂中的一或多者。其他合適的固體氧載體可為或可包括至少一種金屬基組分，其包括來自元素週期表第1、2及3族之一或多種元素；來自第4至15族之一或多種元素；及氧和硫中之至少一者。此固體氧載體之實例可包括美國專利第7,122,492號；第7,122,493號；第7,122,495號；及第7,125,817號中描述者。

其他合適的固體氧載體可為或可包括10重量%或更多之至少一種具有多個氧化還原態的第一行過渡金屬(第3至12族金屬)及一或多種包括金屬氧化物和鹼金屬鹵化物中之至少一者的鹼金屬鹽，該固體氧載體中之至少一種第3族金屬與鹼金屬的莫耳比為0.5至100，且其中該固體氧載體之儲氧容量為0.5重量%或更多。在一些具體實例中，第一行過渡金屬可為或可包括Mn、Fe、Co、Ni、Cu及/或另一個具有多個氧化還原態之第一行過渡金屬。具有此組成之合適的固體氧載體可包括WO公開案WO2021/025938中描述者。

在一些具體實例中，固體氧載體可包括負載於載體上之氧化物形式的金屬，其中該金屬可為或可包括但不限於鹼金屬、鹼土金屬、銅、鉻、鉬、釩、鈰、釔、鈧、鎢、錳、鐵、鈷、鎳、銀、鉍或其組合。在一些具體實例中，該載體可為或可包括但不限於氧化鋁、氫氧化鋁、三氫氧化鋁、水鋁石、假薄水鋁石、三水鋁石、α-三羥鋁石、過渡氧化鋁、α-氧化鋁、γ-氧化鋁、二氧化矽/氧化鋁、二氧化矽、矽酸鹽、鋁酸鹽、鋁酸鈣、六鋁酸鋇、煅燒水滑石、沸石、氧化鋅、氧化鉻、氧化鎂、氧化鋯及其組合。活性材料複合物

觸媒及固體氧化劑載體之彼此相對的配置或分佈並非關鍵。然而，在一些具體實例中，觸媒及固體氧載體彼此位於附近可能是有益的，例如，以活性材料複合物之形式。例如，在一些具體實例中，固體氧載體可配置於第一觸媒之表面上或第二觸媒之表面上。然而，在其他具體實例中，觸媒及固體氧載體彼此分開放置可能是有益的，例如分別位於第一及第二轉化區中。在又其他具體實例中，觸媒及固體氧載體相對接近可能是有益的，但是不必像活性材料複合物那樣緊密結合或混合。例如，觸媒和固體氧載體可配置於彼此交替的床或層中。

在一些具體實例中，第一觸媒或第二觸媒與固體氧載體可分別為複數粒子的形式，及第一觸媒或第二觸媒與固體氧載體可相互混合。在其他具體實例中，第一觸媒或第二觸媒與固體氧載體可分別為複數粒子的形式，及第一觸媒或第二觸媒與固體氧載體可以交替層的方式配置。在其他具體實例中，第一觸媒或第二觸媒與固體氧載體可分別為複數粒子的形式，及第一觸媒或第二觸媒與固體氧載體可以相對於彼此為分階床的方式配置。合適的活性材料複合物可經由眾所周知之方法製備，如於美國專利申請公開案第2016/0318828號中揭示者。烴之脫氫方法

轉化區可位於反應器內，例如管式反應器。反應器可包括一或多個配置於其中的轉化區。在一些具體實例中，可使用多個反應器。多個反應器可串聯、並聯或串並聯排列。在一些具體實例中，轉化區可包括一或多個含有相同或不同觸媒之固定床反應器、移動床反應器、流體化床反應器或其組合。

在一些具體實例中，轉化區在該方法期間可為實質上等溫的。在其他具體實例中，轉化區在該方法期間可為非等溫的。在其他具體實例中，轉化區在該方法開始時可為非等溫的，並可在方法過程中建立等溫條件。反應器可於脫氫模式與再生模式之間循環。脫氫模式可運行第一時間間隔，在此期間可將第一進料流例如含烷烴進料引入轉化區。第一進料中之至少一部分烷烴可在催化有效量的本文揭示之觸媒存在的情形下脫氫。Pt及視需要地其他催化活性金屬之量可以足以在指定製程條件下提供催化脫氫功能之量存在。固體氧載體可以足以在指定條件下提供氧化劑儲存及選擇性氫燃燒功能之量存在。

在脫氫模式期間，可藉由對轉化區組分、進料或其組分及/或流出物或其組分添加或去除熱以使轉化區保持於所需之脫氫溫度。在一些具體實例中，轉化區可被加熱至400℃、450℃或475℃至500℃、600℃或700℃之溫度。

脫氫產物中之至少一部分的分子氫可在與固體氧載體結合之氧化劑存在下在反應區中燃燒。分子氫與和固體氧載體結合之氧化劑的燃燒在轉化產物中產生水，該水可自反應產物中分離，例如在轉化區的下游，例如藉由分餾、萃取、重力沉降(gravitational settling)等等中之一或多種方法。

在脫氫模式期間，轉化區可維持或控制於有效進行脫氫及分子氫燃燒反應之壓力下。在某些具體實例中，轉化區內之壓力可為≥0 kPa絕對壓力且≤3,500 kPa絕對壓力。在一些具體實例中，轉化區內之壓力可為30 kPa絕對壓力、70 kPa絕對壓力、100 kPa絕對壓力或125 kPa絕對壓力至350 kPa絕對壓力、750 kPa絕對壓力、1,000 kPa絕對壓力或2,500 kPa絕對壓力。使烴進料流入轉化區達成足以有效進行脫氫方法之重時空速度(WHSV)。在某些具體實例中，WHSV可為0.1 hr ^- ¹、0.5 hr ^- ¹、1 hr ^- ¹或10 hr ^- ¹至30 hr ^- ¹、50 hr ^- ¹、75 hr ^- ¹或100 hr ^- ¹。

在脫氫模式期間，固體氧載體可自氧化態(SO _xC)還原為還原態SO _yC，其中x及y為正實數且x＞y。脫氫模式可進行到(i)烷烴及/或烷基芳烴轉化率(由反應產物中未反應之烷烴的增量表示)為脫氫模式開始時之轉化率的≤90%，例如≤85%，或≤80%；及/或(ii)對所需之脫氫產物例如烯烴的選擇性(由反應產物中所欲之烯烴的量表示)為脫氫模式開始時之選擇性的≤90%，例如≤85%，或≤80%。通常，當這種情況發生時，可減少或停止通過反應區之第一進料流，以便可進行再生模式。在一些具體實例中，第一時間間隔可為≥1秒、≥100秒、≥10 ³秒、≥10 ⁴秒、≥10 ⁵秒或≥10 ⁶秒。

再生模式可包括將至少一部分之氧化劑補充到於脫氫模式期間消耗的固體氧載體中，並去除可能已經積聚於固體氧載體上之任何焦炭的至少一部分及/或可能積聚於觸媒上之任何焦炭的至少一部分。固體氧載體中的氧“空位”可藉由在再生條件下在合適之氧化劑，例如分子氧，存在的情形下再生觸媒而更新。再生可藉由使固體氧載體於400℃至1,000℃之再生溫度下暴露於含氧進料(例如空氣)進行。

再生模式可於第二時間間隔內執行。第二時間間隔可為足以達成下列結果之時間段：(i)補充固體氧載體的原始氧化劑儲存容量之≥50重量%、≥75重量%或≥90重量%，及/或(ii)去除任何累積於觸媒上的焦炭之≥50重量%、≥75重量%或≥90重量%。在一些具體實例中，再生模式之持續時間可為脫氫模式持續時間的≤50%、≤25%或≤10%。在一些具體實例中，再生模式之持續時間可為≤5x10 ⁴秒、≤1x10 ³秒、≤100秒或≤10秒。

固體氧載體可於再生模式期間氧化(或再氧化)自SO _yC狀態至SO _zC狀態，其中z為正實數且z＞y。一旦氧化成SO _zC狀態，固體氧載體可再次作為用於分子氫之選擇性燃燒的氧化劑源，這也可於轉化區中進行。儘管z可具有與x實質上相同之值，但是這並非必需。

在替代具體實例中，不執行再生模式。在此情況下，用過之觸媒及/或固體氧載體可自轉化區移出並用新鮮或再生材料置換。置換可以連續方式(例如，利用習用流體化觸媒或漿料觸媒技術)、以批次法及/或其組合進行。

在另一個具體實例中，第一轉化區可包括配置於其中之觸媒，及第二轉化區可包括配置於其中之固體氧載體。第一轉化區中產生之流出物可被引入第二轉化區，其中固體氧載體可選擇性地燃燒至少一部分之分子氫。

在一些具體實例中，轉化區於第二時間間隔期間可為實質上等溫的，但是這並非必需。在一些具體實例中，來自第二進料之至少一部分的氧化劑，例如分子氧，可於再生模式完成時由固體氧載體儲存。在一些具體實例中，第二進料中之至少一部分的氧化劑可用以自觸媒及/或固體氧載體去除焦炭沉積物，這可實質上恢復觸媒之脫氫活性。一旦發生足夠之再氧化，即儲存足夠之氧化劑以於脫氫模式期間進行分子氫燃燒，便可減少或停止通過反應區的第二進料之流，並可重新建立烴進料之流動。

在一些具體實例中，第二進料中之氧化劑含量，例如分子氧含量，可為≥1莫耳%，例如10莫耳%至35莫耳%。這樣做提供超過補充固體氧載體中氧化劑所需之氧化劑。過量之氧化劑可提高自觸媒及/或固體氧載體去除焦炭的速率，使得去除焦炭所需的時間及氧化劑更新所需的時間可足夠相似，這可減少第二時間間隔之持續時間，並導致於指定時間段內所產生的脫氫產物之產率提高。在一些具體實例中，再生模式可進行足夠長之時間以(i)補充固體氧載體的原始氧化劑儲存容量之≥50重量%、≥75重量%或≥90重量%，及/或(ii)去除觸媒及/或固體氧載體上的累積焦炭之≥50重量%、≥75重量%或≥90重量%。

在一些具體實例中，再生模式也可包括將還原進料引入轉化區，該還原進料可包括分子氫、一氧化碳、水蒸汽或其混合物。

使第一及第二進料流交替，例如使第一及第二時間間隔交替，其可連續或半連續地重複進行。於第一及第二進料流之間可使用一或多種其他進料，例如，一或多種清掃流體，例如以自反應器去除不想要的材料，例如包括煙灰之不可燃微粒。所述之其他進料在為第一及第二時間間隔指定之條件下可為惰性的。

第一及第二進料可以向上、向下或徑向流動方式中之一或多者的方式與觸媒及固體氧載體接觸。自轉化區移出之第一和第二進料及轉化產物可為液相、混合的液相和氣相、或氣相。在一些具體實例中，可使用固定床反應器，例如，具有觸媒及固體氧載體中之一或多者的多個床之反應器。當轉化區包括多個床時，各床皆可具有相同或不同組成。

可通過使用一或多種固體氧載體及/或藉由將固體氧載體分佈於轉化區中進行選擇性氫燃燒反應之適當熱調節以達成期望之溫度分佈。若需要，額外的反應熱調節可經由轉化區之溫度分佈的熱慢化(thermal moderation)進行。可藉由下列方式建立並維持期望之溫度分佈：(i)選擇合適類型及數量的固體氧載體，(ii)固體氧載體於轉化區內的適當分佈，及/或(iii)利用轉化區的額外熱慢化達成期望之溫度分佈。

在一些具體實例中，固體氧載體之類型及數量可經選擇以於特定脫氫條件下為分子氫之燃燒提供足夠的解吸的氧化劑，但是除了燃燒分子氫所需之氧化劑外，幾乎沒有額外的氧化劑。由於吸附通常是放熱的且解吸通常是吸熱的，因此額外氧化劑之解吸將不欲地與吸熱脫氫反應競爭燃燒產生的熱。因此，也可能希望固體氧載體為解吸熱比烴進料之脫氫所需的熱小之載體。

在一些具體實例中，包括鈣鈦礦、鈣鈦礦的同構造材料、燒綠石及/或燒綠石的同構造材料在內的固體氧載體可能特別合適，尤其是具有適合於選擇性分子氫燃燒的孔徑者。此外，在一些具體實例中，由於當觸媒之脫氫位點附近發生解吸的氧化劑的燃燒時，轉化區內的溫度可更輕易地保持於期望溫度，因此可能需要觸媒包括經浸漬到觸媒中及/或觸媒上之固體氧載體及/或反之亦然。在一些具體實例中，可將固體氧載體浸漬到觸媒上或反之亦然，以提供關於觸媒或固體氧載體之實質上均勻的濃度。

若需要，轉化區內之溫度的額外熱慢化可藉由自轉化區內之一或多個位置移除熱或對其添加熱進行。在一些具體實例中，可運用對及/或自配置於轉化區內之一或多個床進行外部及/或內部熱傳遞。可配置成如此之反應器的實例可包括具有配置於床內之熱傳管的徑向流動觸媒床反應器。熱傳管可配置成包括垂直、水平及/或螺旋管排列之多種配置。在一些具體實例中，轉化區可包括至少一個材料床，例如觸媒、固體氧載體或兩者，及床內之多個螺旋管。於脫氫模式期間，熱傳流體可通過管輸送，調節熱傳流體之溫度以供應或去除熱，以便將床保持於期望之等溫分佈。床可軸向及/或徑向配置於反應區內，靠近熱傳管。在一些具體實例中，具有合適轉化區之反應器可包括德國專利申請案第DE-A-3 318 098號及美國專利第4,339,413號及第4,636,365號所述者。在一些具體實例中，較佳地，轉化區中之至少50%的熱傳管可被配置為使得其於脫氫模式期間各自暴露於實質上相同之熱負荷。例如，當藉由包含液態水之熱傳流體自轉化區除去額外的熱時，至少50%之管產生相同量的水蒸汽(管內水及水蒸汽之均勻分佈)。此轉化區可包括美國專利第6,958,135號揭示者。在一些具體實例中，流出物中之≥25莫耳%、≥50莫耳%、≥75莫耳%或≥90莫耳%的分子氫可能於使用自固體氧載體釋放之氧的脫氫模式期間消耗掉。

替代地或除了使用熱傳管之外，第一進料可在其引入轉化區之前或期間被加熱以提供額外之熱慢化。整個脫氫模式中皆可施以預熱，或更典型地，在第一間隔開始時之初始階段，以引發烴進料的脫氫。在此初始階段之後，藉由於脫氫期間產生之分子氫的燃燒於轉化區中釋出的熱可取代第一進料預熱之至少一部分，以使脫氫模式的其餘部分保持所確立之等溫溫度分佈。

本文所揭示之脫氫方法可提供優異的總體脫氫性質，包括與習用方法相比，對期望之脫氫產物例如烯烴的高選擇性、烴例如烷烴的高轉化率及觸媒的低去活化速率中之一或多者。對期望之烯烴的選擇性以莫耳計可為例如≥60%、≥70%、≥80%、≥90%或≥95%。特別地，當烴進料包括丙烷時，該方法對丙烯具有高選擇性。在一些具體實例中，烷烴轉化率，例如丙烷轉化率，可為≥10%、≥20%、≥40%、≥60%或≥80%。

藉由所述方法產生的烯烴化合物可為環狀或非環狀，意指烯烴之雙鍵可位於碳原子之間，形成環狀的一部分(閉環)或開鏈基團的一部分，但是烯烴通常為非環狀。烯烴可具有多於一個雙鍵，但是通常烯烴僅具有一個雙鍵。該方法特別有效地將低級烷烴例如特定之C ₃-C ₅烷烴轉化為具有相同碳數之相應的低級烯烴例如特定之C ₃-C ₅烯烴。進料組合物

該方法於脫氫模式期間使用可包括烷烴及/或烷基芳烴之第一進料或烴進料，以及於視需要的再生模式期間視需要地使用可包括氧化劑之第二進料。

當存在於烴進料中時，烷烴可為具有n個碳原子之烷烴化合物，其中n為≥2的整數。烷烴及由其產生之烯烴可為相同的數量級，即具有相同的n值。在一些具體實例中，烷烴可選自C ₂至C ₂₀烷烴、C ₂至C ₁₈烷烴、C ₃至C ₁₂烷烴或C ₃至C ₅烷烴。在一些具體實例中，烷烴可為或可包括但不限於乙烷、丙烷、正丁烷、異丁烷、正戊烷、異戊烷、正己烷、2-甲基戊烷、3-甲基戊烷、2,2-二甲基丁烷、正庚烷、2-甲基己烷、2,2,3-三甲基丁烷、環戊烷、環己烷、甲基環戊烷、乙基環戊烷、正丙基環戊烷、1,3-二甲基環己烷或其混合物。例如，烴進料可包括可脫氫產生丙烯之丙烷及/或可脫氫產生異丁烯之異丁烷。在一些具體實例中，烴進料中之實質上所有烷烴可為單一種烷烴或“指定的”烷烴，例如丙烷。在一些具體實例中，第一進料可包括以烴進料中所有烴之總重量為基準計≥50莫耳%、≥75莫耳%、≥95莫耳%、≥98莫耳%或≥99莫耳%的丙烷。

除了指定的烷烴之外，烴進料也可包括一或多種額外的烴例如額外的烷烴。當烴進料包括指定的烷烴及額外的烴時，烴進料可包括以烴進料中烴之總重量為基準計≥50重量%、≥60重量%、≥70重量%、≥80重量%、≥90重量%、≥95重量%或≥99重量%的指定烷烴。

當存在於烴進料中時，烷基芳烴可包括任何一或多種烷基芳烴。在一些具體實例中，烷基芳烴可選自C ₇至C ₂₀烷基芳烴、C ₇至C ₁₈烷基芳烴、C ₇至C ₁₂烷基芳烴或C ₇至C ₁₀烷基芳烴。在一些具體實例中，烷基芳烴可為或可包括一或多種經乙基取代之苯、一或多種乙基甲苯或其混合物。在一些具體實例中，經乙基取代之苯可為或可包括但不限於乙苯，其可脫氫產生苯乙烯。在一些具體實例中，乙基甲苯可為或可包括但不限於對-乙基甲苯，其可脫氫產生對-甲基苯乙烯。

在一些具體實例中，第一進料可例如用一或多種稀釋劑例如一或多種實質上惰性之材料稀釋。例如，第一進料可用基本上惰性之流體例如分子氮稀釋。在本文中實質上惰性意指存在於烴進料中之該材料的≤0.1重量%在脫氫反應條件下與烷烴、烷基芳烴、分子氫及/或脫氫烴反應。在一些具體實例中，烴進料可包括以烴進料之總重量為基準計1重量%、5重量%、10重量%至20重量%、30重量%或40重量%的稀釋劑。

烴進料可實質上不含或不含分子氧。在一些具體實例中，烴進料可包括≤5莫耳%、≤3莫耳%或≤1莫耳%之分子氧(O ₂)。據信提供實質上不含分子氧之烴進料實質上防止了氧化性偶合反應，否則氧化性偶合反應將消耗烴進料中的至少一部分烷烴及/或烷基芳烴。

含氧化劑之進料或再生進料可包括一或多種氧化劑及視需要的一或多種稀釋劑。氧化劑可為或可包括但不限於分子氧、臭氧及產生氧之氣體例如N ₂O。也可使用於環境條件下可為液體或固體之氧化劑，先決條件為可將此氧化劑引入轉化區。含氧化劑之進料可包括足敷儲存於固體氧載體中的氧化劑。例如，含氧化劑之進料可包括以含氧進料的總量為基準計≥0.1莫耳%、≥0.5莫耳%、≥5莫耳%、≥10莫耳%、20莫耳%、≥25莫耳%或≥30莫耳%的氧化劑。例如，含氧進料中氧化劑之量可為約0.1莫耳%、約0.3莫耳%或約0.5莫耳%至1莫耳%、25莫耳%或99.9莫耳%。含氧化劑之進料的其餘部分或其至少一部分可為稀釋劑，例如在用於補充固體氧載體中之氧的條件下與氧化劑實質上不反應(或僅輕微反應)之材料。

在一些具體實例中，含氧化劑之進料可包括分子氧。例如，含氧化劑之進料可包括以含氧進料中的氧化劑總量為基準計≥90莫耳%、≥95莫耳%、≥98莫耳%、≥99莫耳%或≥99.5莫耳%的分子氧。分子氧可為空氣中之分子氧或例如藉由分離而自空氣中獲得或衍生的分子氧。自空氣中獲得或衍生的分子氮可用作稀釋劑。在一些具體實例中，氧化劑可包括空氣中之分子氧，且稀釋劑包括空氣中之分子氮。例如，第二進料可為或可包括空氣。

若使用，還原進料可為或可包括但不限於分子氫、一氧化碳、水蒸汽或其混合物。在一些具體實例中，還原進料可包括稀釋劑例如分子氮。還原進料可在含氧化劑進料之後及在烴進料重新引入之前引入，以還原觸媒中的活性金屬(Pt)。還原進料也可與任何殘留之氧化劑例如分子氧反應以自轉化區去除至少一部分殘留之氧化劑。轉化產物之回收及使用

轉化產物可包括至少一種期望之烯烴及/或至少一種期望之脫氫的烷基芳烴、水、未反應之烴、其他未反應之第一進料組分、未反應之分子氫等等。當存在時，未反應之烷烴的量可為低量，例如≤10莫耳%、≤5莫耳%或≤1莫耳%。當存在時，未反應之分子氫的量也可為低量，例如，≤1莫耳%或≤0.1莫耳%。烯烴可藉由任何方便之方法自反應產物中移出，例如藉由一或多種常規的方法。一種這樣的方法可包括將轉化產物冷卻使可能存在之任何水及任何重質烴的至少一部分冷凝，使烯烴及任何未反應之烷烴或烷基芳烴主要處於氣相。烯烴及未反應之烷烴或烷基芳烴可接著以一或多個分離器裝置自反應產物中移出。例如，一或多個分離器及/或蒸餾塔可用以將脫氫產物與未反應之烴進料分離。

在一些具體實例中，回收之烯烴例如丙烯可用於產生聚合物，例如，回收之丙烯可經聚合以產生具有衍生自回收之丙烯的鏈段或單元之聚合物，例如聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物等等。回收之異丁烯可用於例如產生下列中之一或多者：含氧化合物例如甲基第三丁基醚、燃料添加物例如二異丁烯、合成彈性體聚合物例如丁基橡膠等等。實施例

前述討論內容可參考下列非限制性實施例進一步描述。實施例1

在本實施例中，觸媒為PtSn/CeO ₂/Al ₂O ₃，固體氧載體為Fe ₂O ₃/Li ₂O/K ₂O。該觸媒包括0.8重量%的Pt、2.4重量%的SnO ₂及30重量%的CeO ₂。Fe：Li：K之莫耳比為3：0.75：0.75。觸媒及固體氧載體以如下疊床方式填充於石英反應管中：0.15 g之觸媒/0.5 g之固體氧載體/0.15 g之觸媒/0.5 g之固體氧載體/0.15 g之觸媒/0.5 g之固體氧載體/0.15 g之觸媒。石英絨用作為每兩個相鄰層之間的物理屏障。少量SiC用作觸媒層中之稀釋劑。反應管內之溫度為540℃，反應管內之壓力為環境壓力。進料含有90體積%的C ₃H ₈及10體積%的Ar。

執行下列製程步驟。 1. 在氦(He)氣氛下將反應器加熱至540℃之溫度。 2. He以10 sccm之速率通過反應器10分鐘。 3. 使進料(C ₃H ₈/Ar)以11 sccm之速率通過反應器旁路10分鐘以建立氣相色譜儀基線並減少瞬態響應。於此期間，觸媒及固體氧載體處於He氣氛中。 4. 將進料以11 sccm之速率引入並通過反應器10分鐘。 5. 將He引入反應器中以10 sccm之速率吹掃反應器10分鐘。 6. 氧化劑(10% O ₂/He)以10 sccm之速率引入反應器旁路10分鐘以建立氣相色譜基線並減少瞬態響應。於此期間，觸媒及固體氧載體處於He氣氛中。 7. 將氧化劑(10% O ₂/He)以2 sccm之速率引入並通過反應器10分鐘至30分鐘、5 sccm 10分鐘至30分鐘及10 sccm 10分鐘至60分鐘。 8. 返回步驟2。

應當理解，可在步驟1及步驟2之間插入包括引入H ₂及/或CO及/或其他還原氣體的視需要之步驟。還原氣體的短暫引入可改善觸媒之選擇性/活性而不會造成SOC的過度減少。

第1圖顯示C ₃H ₆之產率。在第1圖中，x軸係以小時為單位的時間，y軸係C ₃H ₆之產率(碳莫耳%)。於測試條件下，不去除H ₂的脫氫之丙烷脫氫的平衡產率為約28.6%。將觸媒及固體氧載體結合於反應器內之堆疊床配置中，C ₃H ₆的產率明顯提升至高於28.6%。在最後一個循環中，於步驟2與步驟3之間(在引入C ₃H ₈/Ar氣體之前)插入使用10 sccm的10% H ₂和90% Ar將H ₂短暫還原60秒之步驟。觀察到C ₃H ₆產率獲得一些改善。實施例2

在本實施例中，觸媒為經浸漬於商業二氧化矽Davisil 923上之Cr ₂O ₃。固體氧載體為Fe ₂O ₃/Li ₂O/K ₂O。該觸媒包括2.5重量%的Cr ₂O ₃。Fe：Li：K之莫耳比為3：0.75：0.75。將Cr ₂O ₃觸媒(0.75 g)及作為稀釋劑之少量SiC裝入反應器中而沒有任何固體氧載體，並進行測試以建立C ₃H ₆產率的基線。接著將Cr ₂O ₃觸媒(0.75 g)與1.5 g之固體氧載體和作為稀釋劑之少量SiC混合，裝入反應器中。反應之溫度和壓力分別為540℃和環境壓力。進料為12 sccm之90%/10% C ₃H ₈/Ar。

執行下列製程步驟。 1. 在He氣氛下將反應器加熱至540℃之溫度。 2. He以10 sccm之速率通過反應器10分鐘。 3. 使進料(C ₃H ₈/Ar)以12 sccm之速率通過反應器旁路10分鐘以建立氣相色譜儀基線並減少瞬態響應。於此期間，觸媒及固體氧載體處於He氣氛中。 4. 將進料以12 sccm之速率引入並通過反應器25分鐘。 5. 將He引入反應器中以10 sccm之速率吹掃反應器10分鐘。

第2圖顯示C ₃H ₆單獨之產率(♦)、及C ₃H ₆與固體氧載體混合之產率(●)。在第2圖中，x軸係以分鐘為單位的時間。y軸係C ₃H ₆之產率。如第2圖所示，當與固體氧載體混合時，觀察到C ₃H ₆產率提高。具體實例列表

本揭示內容可另包括下列非限定具體實例。

A1. 一種烴之脫氫方法，其包含：(I) 將包含一或多種C ₂-C ₁₆直鏈或支鏈烷烴、一或多種C ₄-C ₁₆環狀烷烴、一或多種C ₈-C ₁₆烷基芳烴或其混合物之含烴進料供入轉化區；(II) 使該含烴進料與配置於第一載體上之包含Pt的第一觸媒或配置於第二載體上之包含Cr的第二觸媒於該轉化區內接觸，以引發至少一部分的該含烴進料之脫氫，從而產生包含一或多種脫氫烴類及分子氫之流出物，(i) 其中：該第一觸媒包含以該第一載體之總重量為基準計0.025重量%至6重量%的Pt，該第一載體包含下列中之至少一者：(i) 至少一種包含至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬之化合物及至少一種包含至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之化合物，及(ii) 至少一種包含至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬和至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之化合物，該至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬與該至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之莫耳比為至少0.03：1，及該至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬與Pt之莫耳比為至少30：1，或(ii) 其中：該第二觸媒包含以該第二載體之總重量為基準計0.025重量%至50重量%的Cr，及該第二載體包含SiO ₂、ZrO ₂、TiO ₂或其混合物；及(III) 使該流出物與配置於該轉化區內之固體氧載體接觸以引發至少一部分的該分子氫的燃燒，從而產生包含該一或多種脫氫烴類及水之轉化產物。

A2. 如A1之方法，其中存在有該第一觸媒，及其中該第一觸媒另外包含配置於該第一載體上之鹼金屬元素。

A3. 如A2之方法，其中該鹼金屬元素包含Li、Na、K、Rb、Cs、其化合物、或其混合物。

A4. 如A2或A3之方法，其中該第一觸媒包含以該第一載體之總重量為基準計至多5重量%的該鹼金屬。

A5. 如A1至A4中任一項之方法，其中存在有該第一觸媒，及其中該至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬與該至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之莫耳比為至少0.03：1至2.7：1。

A6. 如A1至A5中任一項之方法，其中存在有該第一觸媒，及其中該至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬與Pt之莫耳比為至少30至5000。

A7. 如A1至A6中任一項之方法，其中存在有該第一觸媒，及其中該至少一種包含該至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬之化合物或該至少一種包含該至少一原子序為21、39、或57至71的金屬及該至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之化合物為氧化物、磷酸鹽、鹵化物、鹵酸鹽、硫酸鹽、硫化物、硼酸鹽、氮化物、碳化物、鋁酸鹽、鋁矽酸鹽、矽酸鹽、碳酸鹽、偏磷酸鹽、硒化物、鎢酸鹽、鉬酸鹽、亞鉻酸鹽(chromite)、鉻酸鹽(chromate)、重鉻酸鹽(dichromate)或矽化物。

A8. 如A1至A7中任一項之方法，其中存在有該第一觸媒，及其中該至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬包含Ce、Y、La、Sc及Pr中的至少一者。

A9. 如A1至A8中任一項之方法，其中存在有該第一觸媒，及其中該至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬包含Zr、Al、Ti及Si中的至少一者。

A10. 如A1至A9中任一項之方法，其中存在有該第一觸媒，及其中該第一載體包含至少一種包含CeO ₂、Y ₂O ₃、La ₂O ₃、Sc ₂O ₃、Pr ₆O ₁₁及CePO ₄之化合物及至少一種包含Al ₂O ₃、SiO ₂、ZrO ₂及TiO ₂之化合物的混合物。

A11. 如A1至A10中任一項之方法，其中存在有該第一觸媒，及其中該第一載體包含CeZrO ₂、CeAlO ₃、BaCeO ₃、CePO ₄或其混合物。

A12. 如A1之方法，其中存在有該第二觸媒，及其中該第二觸媒另外包含配置於該第二載體上之鹼金屬元素。

A13. 如A12之方法，其中該鹼金屬元素包含Li、Na、K、Rb、Cs、其化合物、或其混合物。

A14. 如A1、A12或A13中任一項之方法，其中存在有該第二觸媒，及該第二載體另外包含至少一種包含至少一種第5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬的化合物。

A15. 如A14之方法，其中該至少一種包含至少一種第5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之化合物為氧化物、磷酸鹽、鹵化物、鹵酸鹽、硫酸鹽、硫化物、硼酸鹽、氮化物、碳化物、鋁酸鹽、鋁矽酸鹽、矽酸鹽、碳酸鹽、偏磷酸鹽、硒化物、鎢酸鹽、鉬酸鹽、亞鉻酸鹽、鉻酸鹽、重鉻酸鹽或矽化物。

A16. 如A1至A15中任一項之方法，其中固體氧載體於該分子氫燃燒期間釋出晶格氧。

A17. 如A1至A16中任一項之方法，其中在步驟(III)期間，該固體氧載體從第一態SO _xC被還原成第二態SO _yC，其中x為正數，y為正數，及y＜x，該方法另外包含：(IV) 停止將該含烴進料供入該轉化區；(V) 將氧化劑進料供入該轉化區；(VI) 使該固體氧載體與第一部分的該氧化劑反應以將該固體氧載體從該第二態氧化成第三態SO _zC，其中z為正數，及其中z＞y；(VII) 停止將該氧化劑供入該轉化區；及(VIII) 重複步驟(I)至(III)。

A18. 如A17之方法，其中在步驟(VII)之後和步驟(VIII)之前，該方法另外包含下列步驟：(VIIb) 將包含分子氫、一氧化碳、水蒸汽或其混合物之還原氣體供入該轉化區；及(VIIc) 使該觸媒與該還原氣體接觸以將至少一部分Pt從氧化態還原成金屬態。

A19. 如A17或A18之方法，其中於步驟(II)中，於該觸媒表面上形成焦炭，及其中於步驟(VI)中，第二部分的該氧化劑燃燒於該觸媒表面上之至少一部分的該焦炭。

A20. 如A1至A19中任一項之方法，其中該含烴進料包含C ₂至C ₁₈烷烴。

A21. 如A1至A20中任一項之方法，其中該含烴進料包含乙烷、丙烷、丁烷、戊烷、己烷、庚烷、辛烷或其混合物。

A22. 如A1至A21中任一項之方法，其中該含烴進料包含乙苯、乙基甲苯、異丙苯、二乙苯或其混合物。

A23. 如A1至A22中任一項之方法，其中該含烴進料與該第一觸媒或該第二觸媒在該轉化區中於0.01 hr ^-1至300 hr ^-1的重時空速度、300℃至750℃的溫度及10 kPa至1,000 kPa的絕對壓力下接觸。

A24. 如A1至A23中任一項之方法，其中該流出物與該固體氧載體在該轉化區中於0.01 hr ^-1至300 hr ^-1的重時空速度、300℃至750℃的溫度及10 kPa至1,000 kPa的絕對壓力下接觸。

A25. 如A1至A24中任一項之方法，其中該第一觸媒或該第二觸媒及該固體氧載體分別為複數粒子的形式，及其中該第一觸媒或該第二觸媒及該固體氧載體於該轉化區內相互混合。

A26. 如A1至A25中任一項之方法，其中該第一觸媒或該第二觸媒及該固體氧載體分別為複數粒子的形式，及其中該第一觸媒或該第二觸媒及該固體氧載體以交替層的方式配置於該轉化區內。

A27. 如A1至A26中任一項之方法，其中該第一觸媒或該第二觸媒及該固體氧載體分別為複數粒子的形式，及其中該第一觸媒或該第二觸媒及該固體氧載體以彼此相互為分階床的方式配置於該轉化區內。

A28. 如A1至A27中任一項之方法，其中該固體氧載體包含負載於載體上之氧化物形式的金屬，其中該金屬係選自由下列所組成之群組：鹼金屬、鹼土金屬、銅、鉻、鉬、釩、鈰、釔、鈧、鎢、錳、鐵、鈷、鎳、銀、鉍及其組合。

A29. 如A28之方法，其中該載體係選自由下列所組成之群組：氧化鋁、氫氧化鋁、三氫氧化鋁、水鋁石、假薄水鋁石、三水鋁石、α-三羥鋁石、過渡氧化鋁、α-氧化鋁、γ-氧化鋁、二氧化矽/氧化鋁、二氧化矽、矽酸鹽、鋁酸鹽、鋁酸鈣、六鋁酸鋇、煅燒水滑石、沸石、氧化鋅、氧化鉻、氧化鎂、氧化鋯及其組合。

A30. 如A1至A29中任一項之方法，其中該固體氧載體係配置於該第一觸媒之表面上或該第二觸媒之表面上。

B1. 一種烴之脫氫方法，其包含：(I) 將包含一或多種C ₂-C ₁₆直鏈或支鏈烷烴、一或多種C ₄-C ₁₆環狀烷烴、一或多種C ₈-C ₁₆烷基芳烴或其混合物之含烴進料供入第一轉化區；(II) 使該含烴進料與配置於第一載體上之包含Pt的第一觸媒或配置於第二載體上之包含Cr的第二觸媒於該第一轉化區內接觸，以引發至少一部分的該含烴進料之脫氫，從而產生包含一或多種脫氫烴類及分子氫之流出物，(i) 其中：該第一觸媒包含以該第一載體之總重量為基準計0.025重量%至6重量%的Pt，該第一載體包含下列中之至少一者：(i) 至少一種包含至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬之化合物及至少一種包含至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之化合物，及(ii) 至少一種包含至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬和至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之化合物，該至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬與該至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之莫耳比為至少0.03：1，及該至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬與Pt之莫耳比為至少30：1，或(ii) 其中：該第二觸媒包含以該第二載體之總重量為基準計0.025重量%至50重量%的Cr，及該第二載體包含SiO ₂、ZrO ₂、TiO ₂或其混合物；及(III) 將該流出物供入第二轉化區；及(IV) 使該流出物與配置於該第二轉化區內之固體氧載體接觸以引發至少一部分的該分子氫的燃燒，從而產生包含該一或多種脫氫烴類及水之轉化產物。

B2. 如B1之方法，其中存在有該第一觸媒，及其中該第一觸媒另外包含配置於該第一載體上之鹼金屬元素。

B3. 如B2之方法，其中該鹼金屬元素包含Li、Na、K、Rb、Cs、其化合物、或其混合物。

B4. 如B2或B3之方法，其中該第一觸媒包含以該第一載體之總重量為基準計至多5重量%的該鹼金屬。

B5. 如B1至B4中任一項之方法，其中存在有該第一觸媒，及其中該至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬與該至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之莫耳比為至少0.03：1至2.7：1。

B6. 如B1至B5中任一項之方法，其中存在有該第一觸媒，及其中該至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬與Pt之莫耳比為至少30至5000。

B7. 如B1至B6中任一項之方法，其中存在有該第一觸媒，及其中該至少一種包含該至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬之化合物或該至少一種包含至少一原子序為21、39、或57至71的金屬及該至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之化合物為氧化物、磷酸鹽、鹵化物、鹵酸鹽、硫酸鹽、硫化物、硼酸鹽、氮化物、碳化物、鋁酸鹽、鋁矽酸鹽、矽酸鹽、碳酸鹽、偏磷酸鹽、硒化物、鎢酸鹽、鉬酸鹽、亞鉻酸鹽、鉻酸鹽、重鉻酸鹽或矽化物。

B8. 如B1至B7中任一項之方法，其中存在有該第一觸媒，及其中該至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬包含Ce、Y、La、Sc及Pr中的至少一者。

B9. 如B1至B8中任一項之方法，其中存在有該第一觸媒，及其中該至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬包含Zr、Al、Ti及Si中的至少一者。

B10. 如B1至B9中任一項之方法，其中存在有該第一觸媒，及其中該第一載體包含至少一種包含CeO ₂、Y ₂O ₃、La ₂O ₃、Sc ₂O ₃、Pr ₆O ₁₁及CePO ₄之化合物及至少一種包含Al ₂O ₃、SiO ₂、ZrO ₂及TiO ₂之化合物的混合物。

B11. 如B1至B10中任一項之方法，其中存在有該第一觸媒，及其中該第一載體包含CeZrO ₂、CeAlO ₃、BaCeO ₃、CePO ₄或其混合物。

B12. 如B1之方法，其中存在有該第二觸媒，及其中該第二觸媒另外包含配置於該第二載體上之鹼金屬元素。

B13. 如B12之方法，其中該鹼金屬元素包含Li、Na、K、Rb、Cs、其化合物、或其混合物。

B14. 如B1、B12或B13之方法，其中存在有該第二觸媒，及該第二載體另外包含至少一種包含至少一種第5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬的化合物。

B15. 如B14之方法，其中該至少一種包含該至少一種第5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之化合物為氧化物、磷酸鹽、鹵化物、鹵酸鹽、硫酸鹽、硫化物、硼酸鹽、氮化物、碳化物、鋁酸鹽、鋁矽酸鹽、矽酸鹽、碳酸鹽、偏磷酸鹽、硒化物、鎢酸鹽、鉬酸鹽、亞鉻酸鹽、鉻酸鹽、重鉻酸鹽或矽化物。

B16. 如B1至B15中任一項之方法，其中固體氧載體於該分子氫燃燒期間釋出晶格氧。

B17. 如B1至B16中任一項之方法，其中在步驟(IV)期間，該固體氧載體從第一態SO _xC被還原成第二態SO _yC，其中x為正數，y為正數，及y＜x，該方法另外包含：(V) 停止將該流出物供入該第二轉化區；(VI) 將氧化劑進料供入該第二轉化區；(VII) 使該固體氧載體與第一部分的該氧化劑反應以將該固體氧載體從該第二態氧化成第三態SO _zC，其中z為正數，及其中z＞y；(VIII) 停止將該氧化劑供入該轉化區；及(XI) 重複步驟(III)至(V)。

B18. 如B17之方法，其中在步驟(VIII)之後和步驟(XI)之前，該方法另外包含下列步驟：(VIIIb) 將包含分子氫、一氧化碳、水蒸汽或其混合物之還原氣體供入該第二轉化區；及(VIIIc) 使該觸媒與該還原氣體接觸以將至少一部分Pt從氧化態還原成金屬態。

B19. 如B17或B18之方法，其中於步驟(II)中，於該觸媒表面上形成焦炭，及其中於步驟(VII)中，第二部分的該氧化劑燃燒於該觸媒表面上之至少一部分的該焦炭。

B20. 如B1至B19中任一項之方法，其中該含烴進料包含C ₂至C ₁₈烷烴。

B21. 如B1至B20中任一項之方法，其中該含烴進料包含乙烷、丙烷、丁烷、戊烷、己烷、庚烷、辛烷或其混合物。

B22. 如B1至B21中任一項之方法，其中該含烴進料包含乙苯、乙基甲苯、異丙苯、二乙苯或其混合物。

B23. 如B1至B22中任一項之方法，其中該含烴進料與該第一觸媒或該第二觸媒在該第一轉化區中於0.01 hr ^-1至300 hr ^-1的重時空速度、300℃至750℃的溫度及10 kPa至1,000 kPa的絕對壓力下接觸。

B24. 如B1至B23中任一項之方法，其中該流出物與該固體氧載體在該第二轉化區中於0.01 hr ^-1至300 hr ^-1的重時空速度、300℃至750℃的溫度及10 kPa至1,000 kPa的絕對壓力下接觸。

B25. 如B1至B24中任一項之方法，其中該第一觸媒或該第二觸媒及該固體氧載體分別為複數粒子的形式。

B26. 如B1至B25中任一項之方法，其中該固體氧載體包含負載於載體上之氧化物形式的金屬，其中該金屬係選自由下列所組成之群組：鹼金屬、鹼土金屬、銅、鉻、鉬、釩、鈰、釔、鈧、鎢、錳、鐵、鈷、鎳、銀、鉍及其組合。

B27. 如B26之方法，其中該載體係選自由下列所組成之群組：氧化鋁、氫氧化鋁、三氫氧化鋁、水鋁石、假薄水鋁石、三水鋁石、α-三羥鋁石、過渡氧化鋁、α-氧化鋁、γ-氧化鋁、二氧化矽/氧化鋁、二氧化矽、矽酸鹽、鋁酸鹽、鋁酸鈣、六鋁酸鋇、煅燒水滑石、沸石、氧化鋅、氧化鉻、氧化鎂、氧化鋯及其組合。

上文已經界定各個不同措辭。若請求項中使用之措辭未於上文中界定，則應給予如至少一份印刷出版物或已發布的專利中反映之相關領域人員給予該措辭的最廣泛定義。再者，本案中引用之所有專利、測試程序及其他文件皆在此揭示內容與本案及允許此併入之所有司法管轄區不矛盾的範圍內以引用的方式完全併入。

儘管上述是針對本發明之具體實例，但是也可在不悖離其基本範疇的情形下設計出本發明之其他及另外的具體實例，且其範疇由下列申請專利範圍確定。

[第1圖]描繪根據所描述的一或多個具體實例之包括配置於載體上之Pt的第一觸媒隨時間產生之C ₃H ₆的產率。

[第2圖]描繪根據所描述的一或多個具體實例之包括配置於載體上之Cr的第二觸媒隨時間產生之C ₃H ₆的產率。

Claims

一種烴之脫氫方法，其包含：(I)將包含一或多種C₂-C₁₆直鏈或支鏈烷烴、一或多種C₄-C₁₆環狀烷烴、一或多種C₈-C₁₆烷基芳烴或其混合物之含烴進料供入轉化區；(II)使該含烴進料與配置於第一載體上之包含Pt的第一觸媒或配置於第二載體上之包含Cr的第二觸媒於該轉化區內接觸，以引發至少一部分的該含烴進料之脫氫，從而產生包含一或多種脫氫烴類及分子氫之流出物，(i)其中：該第一觸媒包含以該第一載體之總重量為基準計0.025重量%至6重量%的Pt，該第一載體包含下列中之至少一者：(i)至少一種包含至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬之化合物及至少一種包含至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之化合物，及(ii)至少一種包含至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬和至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之化合物，該至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬與該至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之莫耳比為至少0.03：1，及該至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬與Pt之莫耳比為至少30：1，或(ii)其中：該第二觸媒包含以該第二載體之總重量為基準計0.025重量%至50重量%的Cr，及該第二載體包含SiO₂、ZrO₂、TiO₂或其混合物；及(III)使該流出物與配置於該轉化區內之固體氧載體接觸以引發至少一部分的該分子氫的燃燒，從而產生包含該一或多種脫氫烴類及水之轉化產物，及任意地，將包括分子氫、一氧化碳、水蒸汽或其混合物之還原進料引入該轉化區。
如請求項1之方法，其中存在有該第一觸媒，及其中該第一觸媒另外包含配置於該第一載體上之鹼金屬元素，及其中該鹼金屬元素包含Li、Na、K、Rb、Cs、其組合、或其混合物，及其中該第一觸媒包含以該第一載體之總重量為基準計至多5重量%的該鹼金屬。
如請求項1或2之方法，其中存在有該第一觸媒，及其中該至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬與該至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之莫耳比為至少0.03：1至2.7：1。
如請求項1或2之方法，其中存在有該第一觸媒，及其中該至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬與Pt之莫耳比為至少30至5000。
如請求項1或2之方法，其中存在有該第一觸媒，及其中該至少一種包含至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬之化合物或該至少一種包含至少一原子序為21、39、或57至71的金屬及該至少一種第4、5、 6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之化合物為氧化物、磷酸鹽、鹵化物、鹵酸鹽、硫酸鹽、硫化物、硼酸鹽、氮化物、碳化物、鋁酸鹽、鋁矽酸鹽、矽酸鹽、碳酸鹽、偏磷酸鹽、硒化物、鎢酸鹽、鉬酸鹽、亞鉻酸鹽(chromite)、鉻酸鹽(chromate)、重鉻酸鹽(dichromate)或矽化物。
如請求項1或2之方法，其中存在有該第一觸媒，及其中該至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬包含Ce、Y、La、Sc及Pr中的至少一者。
如請求項1或2之方法，其中存在有該第一觸媒，及其中該至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬包含Zr、Al、Ti及Si中的至少一者。
如請求項1或2之方法，其中存在有該第一觸媒，及其中該第一載體包含至少一種包含CeO₂、Y₂O₃、La₂O₃、Sc₂O₃、Pr₆O₁₁及CePO₄之化合物、及至少一種包含Al₂O₃、SiO₂、ZrO₂及TiO₂之化合物的混合物。
如請求項1或2之方法，其中存在有該第一觸媒，及其中該第一載體包含CeZrO₂、CeAlO₃、BaCeO₃、CePO₄或其混合物。
如請求項1之方法，其中存在有該第二觸媒，及其中該第二觸媒另外包含配置於該第二載體上之鹼金屬元素，及其中該鹼金屬元素包含Li、Na、K、Rb、Cs、其化合物、或其混合物。
如請求項1或10之方法，其中存在有該第二觸媒，及其中該第二載體另外包含至少一種包含至少一種第5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬的化合物。
如請求項11之方法，其中該至少一種包含至少一種第5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之化合物為氧化物、磷酸鹽、鹵化物、鹵酸鹽、硫酸鹽、硫化物、硼酸鹽、氮化物、碳化物、鋁酸鹽、鋁矽酸鹽、矽酸鹽、碳酸鹽、偏磷酸鹽、硒化物、鎢酸鹽、鉬酸鹽、亞鉻酸鹽、鉻酸鹽、重鉻酸鹽或矽化物。
如請求項1之方法，其中在步驟(III)期間，該固體氧載體從第一態SO_xC被還原成第二態SO_yC，其中x為正數，y為正數，及y<x，該方法另外包含：(IV)停止將該含烴進料供入該轉化區；(V)將氧化劑進料供入該轉化區；(VI)使該固體氧載體與第一部分的該氧化劑反應以將該固體氧載體從該第二態氧化成第三態SO_zC，其中z為正數，及其中z>y；(VII)停止將該氧化劑供入該轉化區；及(VIII)重複步驟(I)至(III)，及在步驟(VII)之後和步驟(VIII)之前，該方法另外包含下列步驟：(VIIb)將包含分子氫、一氧化碳、水蒸汽或其混合物之還原氣體供入該轉化區；及(VIIc)使該觸媒與該還原氣體接觸以將至少一部分Pt 從氧化態還原成金屬態。
如請求項12或13之方法，其中於步驟(II)中，於該觸媒表面上形成焦炭，及其中於步驟(VI)中，第二部分的該氧化劑燃燒於該觸媒表面上之至少一部分的該焦炭。
如請求項1之方法，其中該含烴進料與該第一觸媒或該第二觸媒在該轉化區中於0.01hr^-1至300hr^-1的重時空速度、300℃至750℃的溫度及10kPa至1,000kPa的絕對壓力下接觸，及其中該流出物與該固體氧載體在該轉化區中於0.01hr^-1至300hr^-1的重時空速度、300℃至750℃的溫度及10kPa至1,000kPa的絕對壓力下接觸。
如請求項1之方法，其中該第一觸媒或該第二觸媒及該固體氧載體分別為複數粒子的形式，及其中該第一觸媒或該第二觸媒及該固體氧載體於該轉化區內相互混合。
如請求項1之方法，其中該第一觸媒或該第二觸媒及該固體氧載體分別為複數粒子的形式，及其中該第一觸媒或該第二觸媒及該固體氧載體以交替層的方式配置於該轉化區內。
如請求項1之方法，其中該第一觸媒或該第二觸媒及該固體氧載體分別為複數粒子的形式，及其中該第一觸媒或該第二觸媒及該固體氧載體以彼此相互為分階床的方式配置於該轉化區內。
一種烴之脫氫方法，其包含： (I)將包含一或多種C₂-C₁₆直鏈或支鏈烷烴、一或多種C₄-C₁₆環狀烷烴、一或多種C₈-C₁₆烷基芳烴或其混合物之含烴進料供入第一轉化區；(II)使該含烴進料與配置於第一載體上之包含Pt的第一觸媒或配置於第二載體上之包含Cr的第二觸媒於該第一轉化區內接觸，以引發至少一部分的該含烴進料之脫氫，從而產生包含一或多種脫氫烴類及分子氫之流出物，(i)其中：該第一觸媒包含以該第一載體之總重量為基準計0.025重量%至6重量%的Pt，該第一載體包含下列中之至少一者：(i)至少一種包含至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬之化合物及至少一種包含至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之化合物，及(ii)至少一種包含至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬和至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之化合物，該至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬與該至少一種第4、5、6、12、13、14、15或16族金屬或類金屬之莫耳比為至少0.03：1，及該至少一種原子序為21、39、或57至71的金屬與Pt之莫耳比為至少30：1，或(ii)其中：該第二觸媒包含以該第二載體之總重量為基準計0.025重量%至50重量%的Cr，及該第二載體包含SiO₂、ZrO₂、TiO₂或其混合物；及(III)將該流出物供入第二轉化區；及(IV)使該流出物與配置於該第二轉化區內之固體氧載體接觸以引發至少一部分的該分子氫的燃燒，從而產生包含該一或多種脫氫烴類及水之轉化產物。