TWI841778B

TWI841778B - 計測裝置

Info

Publication number: TWI841778B
Application number: TW109129214A
Authority: TW
Inventors: 能丸圭司
Original assignee: 日商迪思科股份有限公司
Priority date: 2019-09-11
Filing date: 2020-08-26
Publication date: 2024-05-11

Abstract

[課題]提供一種計測裝置，前述計測裝置可以在不需要對作業熟練的情形下，檢測如磨削磨石、切削刀片的加工工具與保持被加工物之保持單元的位置關係。 [解決手段]一種計測裝置，是計測工作夾台及加工工具的位置關係，前述工作夾台是保持被加工物，前述加工工具是對已保持在工作夾台之被加工物施行加工，前述計測裝置包含：寬頻帶光源；鏡子，將寬頻帶光源所發出之光反射並導向加工工具；色像差聚光透鏡，配設於寬頻帶光源與鏡子之間、或鏡子與加工工具之間；光分歧部，將在鏡子與色像差聚光透鏡中通過且已在加工工具反射之反射光分歧；及位置檢測單元，藉由對應於已被光分歧部分歧之反射光的波長之光的強度來檢測加工工具的位置。

Description

計測裝置

本發明是有關於一種計測裝置，前述計測裝置是計測工作夾台、及對已保持在該工作夾台之被加工物施行加工的加工工具的位置關係。

將IC、LSI等複數個器件以交叉之複數條分割預定線來區劃而形成於正面之晶圓，是在藉由磨削裝置磨削背面而形成所期望的厚度之後，藉由切割裝置裝置來分割成一個個的器件晶片，並將所分割出的器件晶片利用於行動電話、個人電腦等電氣機器上。

磨削裝置是由工作夾台與磨削單元所構成，且可以高精度地對晶圓進行磨削，前述工作夾台是保持晶圓，前述磨削單元以可旋轉的方式設置有磨削磨石，且前述磨削磨石對已保持在該工作夾台之晶圓進行磨削(參照例如專利文獻1)。

又，切割裝置是由工作夾台與切削單元所構成，且可以高精度地將晶圓分割成一個個的器件晶片，前述工作夾台是保持晶圓，前述切削單元以可旋轉的方式設置有切削刀片，且前述切削刀片對已保持在該工作夾台之晶圓進行切削(參照例如專利文獻2)。先前技術文獻專利文獻

專利文獻1：日本特開平07-130692號公報專利文獻2：日本特開2019-091781號公報

發明欲解決之課題

在上述之磨削裝置、切割裝置的任一個裝置中，為了確保高精度的加工，必須正確地控制各加工裝置的工作夾台的保持面(上表面)、與加工工具相對於該保持面的位置關係。在以往的磨削裝置中，會為了控制磨削單元的磨削進給而使磨削磨石的下表面接近於工作夾台的上表面並稍微接觸，來求出用於正確地特定磨削磨石的下表面位置之原點，因為要適當地實施該作業所以需要熟練而有不勝其煩之問題。

又，在切割裝置中，是設成：將檢測單元定位在配設有切削刀片的位置的附近，其中前述檢測單元是使發光元件與受光元件相向並設置間隙而構成，且將切削刀片的前端插入該檢測單元的該間隙，並藉由接收由發光元件所發出之光的受光元件的受光量的變化，來求出切削刀片的原點位置。但是，該檢測單元是與被加工物的工作夾台分開另行配設，而有因為該檢測單元的位置與工作夾台的上表面位置產生偏離、或發生切削刀片的摩耗及缺損等，因而無法檢測正確的原點之問題。

據此，本發明之目的在於提供一種計測裝置，前述計測裝置可以在不需要對作業熟練的情形下，檢測如磨削磨石、切削刀片的加工工具與保持被加工物之工作夾台的位置關係。用以解決課題之手段

根據本發明，可提供一種計測裝置，是計測工作夾台及加工工具的位置關係，前述工作夾台是保持被加工物，前述加工工具是對已保持在該工作夾台之被加工物施行加工，所構成之計測裝置具備有：寬頻帶光源；鏡子，將該寬頻帶光源所發出之光反射並導向加工工具；色像差聚光透鏡，配設於該寬頻帶光源與該鏡子之間、或該鏡子與該加工工具之間；光分歧部，將沿著該鏡子與該色像差聚光透鏡中返回且已在該加工工具反射之反射光分歧；及位置檢測單元，藉由對應於已被該分歧部分歧之反射光的波長之光的強度來檢測加工工具的位置。

較佳的是，更具備光束分離器，前述光束分離器是配設在該寬頻帶光源與該鏡子之間，且將該寬頻帶光源所發出之光分歧為朝向該鏡子的第一光路與正交於該第一光路的第二光路，該色像差聚光透鏡是配設在該寬頻帶光源與該光束分離器之間，且該寬頻帶光源所發出之光被導向該鏡子與該工作夾台。發明效果

根據本發明，可以藉由將加工工具定位到可形成對應於由色像差聚光透鏡所形成的複數個光之波長的複數個聚光點的區域，而正確地檢測工作夾台的上表面與加工工具的下表面之距離，而在不需要作業的熟練的情形下求出控制加工工具時的原點。此外，可解決如下之問題：檢測加工工具的位置之檢測單元的位置與工作夾台的上表面位置產生偏離，而無法正確地檢測工作夾台的上表面與加工工具的下表面之距離。

用以實施發明之形態

以下，針對本發明實施形態之計測裝置，一邊參照附加圖式一邊詳細地進行說明。

圖1中所顯示的是適用了本實施形態的計測裝置30的切割裝置1的立體圖。如圖1所示，切割裝置1具備有大致長方體形狀之殼體1A，並具備有：可載置於殼體1A的片匣載置區域4的片匣4A、從片匣4A將被加工物即晶圓搬出至暫置工作台5的搬出入機構3、將已搬出至暫置工作台5之該晶圓搬送至保持單元7之具有旋繞臂的搬送機構6、拍攝已保持在保持單元7之晶圓的拍攝單元11、具備有作為對該晶圓施行切削加工之加工工具而配設之環狀的切削刀片12a的切削單元12、用於將已施行切削加工的晶圓從保持單元7搬送至洗淨位置的搬送機構13、及用於讓作業人員設定加工條件等的操作面板14。

於切割裝置1之殼體1A的內部容置有未圖示的驅動機構，前述驅動機構用於使構成保持單元7之工作夾台20相對於切削單元12在圖中於以箭頭X表示之X軸方向上相對移動。又，在切削單元12配設有未圖示的驅動機構，前述驅動機構使構成切削單元12的切削刀片12a朝作為分度進給方向之以箭頭Y表示的Y軸方向、及作為切削方向之以箭頭Z表示的Z軸方向移動。此外，在支撐工作夾台20的圓筒構件25的內部容置有未圖示的旋轉驅動機構，而構成為可使工作夾台20於圓周方向上旋轉任意的角度。

本實施形態之計測裝置30是藉由光的強度來檢測保持單元、與加工工具即切削單元12的切削刀片12a的位置關係之裝置，且如圖1所示，將構成計測裝置30之光學系統容置罩殼34配置於工作夾台20上來使用。在圖1所示之實施形態中，具備用於使光學系統容置罩殼34吸引保持在工作夾台20的支撐基板40，且是隔著支撐基板40被工作夾台20吸引保持。關於此計測裝置30，除了圖1以外還一邊參照圖2，一邊在以下詳細地說明。

如圖2所示，本實施形態的計測裝置30具備有：寬頻帶光源31，發出寬頻帶之光L0；光纖FB，傳播寬頻帶光源31所發出之光L0；光分歧部32，使寬頻帶光源31所發出之光L0直進並且使已在切削刀片12a上反射而返回的反射光L1分歧；光導入部33，將光L0導入在圖中以截面表示之光學系統容置罩殼34；準直儀透鏡35，配設在光學系統容置罩殼34內且將從該光導入部33導入之光L0設為平行光；色像差聚光透鏡36，引導已藉由準直儀透鏡35而被設為平行光之光L0；鏡子37，將自色像差聚光透鏡36所引導之光L0反射並透過光學系統容置罩殼34的開口部34a引導到定位於上方之切削刀片12a；及位置檢測單元38，藉由對應於已在該切削刀片12a反射之反射光L1沿著上述之鏡子37、色像差聚光透鏡36、光纖FB返回而被光分歧部32所分歧之反射光L1的波長之光的強度(光強度)來檢測切削刀片12a的位置。再者，本發明並不一定限定於上述之實施形態，亦可設成例如將色像差聚光透鏡36配設於鏡子37與切削刀片12a之間。

藉由寬頻帶光源31所產生的寬頻帶之光L0，可以設為例如很均衡地包含150nm~850nm之範圍的波長之光的白色光。構成寬頻帶光源31的燈具可以採用例如鹵素光源、氙氣燈、電漿光源等。構成從寬頻帶光源31所發出的寬頻帶之光L0的光的波長範圍，並不限定於上述之範圍(150nm~850nm)，可以設為更狹窄的範圍、或更廣的範圍，針對波長的範圍並未特別限定。

已藉由寬頻帶光源31所產生之光L0，是在光纖FB上的光分歧部32直進並透過光導入部33而被導入至光學系統容置罩殼34。已被導入至光學系統容置罩殼34之光L0是從光導入部33照射於準直儀透鏡35而形成為平行光，並導向色像差聚光透鏡36。色像差聚光透鏡36是將已被引導的寬頻帶之光L0聚光之透鏡，且是以下之透鏡：因應於構成於色像差聚光透鏡36通過之光L0的各波長的長度而涵蓋光軸上之預定區段來形成聚光點。

在本實施形態中，於色像差聚光透鏡36通過之光L0是在鏡子37上反射而將其光路朝90度上方變更，且從開口部34a朝向上方照射之光L0是藉由色像差聚光透鏡36的作用，而涵蓋離工作夾台20的表面30mm上方中的預定範圍，在每個波長的不同的位置形成聚光點。

更具體而言，包含於光L0之500nm波長之光的聚光點P0是形成在離工作夾台20的表面剛好30mm的位置，且比500nm更短的波長之光的聚光點形成在比形成有500nm波長之光的聚光點P0的位置更下方側，例如，200nm波長之光的聚光點P1是相對於聚光點P0的位置而形成在15μm下方。又，在比形成有聚光點P0的位置更上方側形成有比500nm更長的波長之光的聚光點，例如800nm波長之光的聚光點P2是相對於聚光點P0的位置而形成在15μm上方。亦即，藉由寬頻帶光源31所產生之光L0的聚光點是成為：藉由色像差聚光透鏡36的作用，而相對於將工作夾台20的上表面的位置作為基準之30mm的高度位置，形成在大致-15μm~+15μm的範圍。再者，藉由計測裝置30所形成的聚光點(P0、P1、P2)的高度位置，可以事先藉由實驗等而求出。

如圖2所示，當將切削單元12的切削刀片12a的前端定位在形成光L0的聚光點P1、P0、P2的區域時，在切削刀片12a的前端部所定位的位置形成有聚光點之預定的波長之光會在切削刀片12a上反射而生成反射光L1。反射光L1並非寬頻帶之光，而是如上述，主要包含在切削刀片12a的前端部所定位的位置形成有聚光點之預定的波長之光。

在切削刀片12a的前端部反射的反射光L1是沿著從寬頻帶光源31照射之光L0所行進而來的光路返回，且經過鏡子37、色像差聚光透鏡36、準直儀透鏡35、光導入部33、光纖FB等而到達光分歧部32，並如圖2所示，可藉由光分歧部32分歧為和連接於寬頻帶光源31的光路不同的光路，而導入到位置檢測單元38。光分歧部32是使通過光纖FB之光分歧之構成，且可以採用例如習知之光循環器(optical circulator)。

位置檢測單元38是由例如繞射光柵382與線型感測器384所構成，前述繞射光柵382使所導入之反射光L1按每個波長分離並分散，前述線型感測器384接收已被繞射光柵382分散之光L2並對因應於該接收之位置的每個波長的光強度進行檢測。線型感測器384是將CCD等複數個光接收元件在預定的方向上排列成一排而構成的感測器，而可藉由各光接收元件來檢測光強度。藉由線型感測器384所檢測出的訊號會發送至控制單元100，並且根據藉由此位置檢測單元38所檢測出的訊號，來檢測反射光L1的波長及光強度。

本實施形態的計測裝置30、及適用計測裝置30的切割裝置1大致具備有如上述的構成，而使用計測裝置30來計測上述之切割裝置1的保持單元7的工作夾台20的上表面、與作為加工工具而使用之切削單元12的切削刀片12a的前端部12b的位置關係之方法是如以下所述。

首先，如依據圖1所說明地，將構成計測裝置30的光學系統容置罩殼34固定在圓盤狀的支撐基板40，而隔著支撐基板40被構成切割裝置1的保持單元7的工作夾台20所吸引保持。此時，以讓光學系統容置罩殼34的開口部34a的中心成為工作夾台20的中心位置的方式來固定。

若將光學系統容置罩殼34吸引保持在工作夾台20上之後，即可藉由作動未圖示的驅動機構，使工作夾台20在X軸方向上移動，而將光學系統容置罩殼34的開口部34a的中心位置定位到拍攝單元11的正下方，並檢測從開口部34a朝向上方照射之光L0的中心位置座標(校準)。

若如上述地實施了校準之後，即可進一步使工作夾台20在X軸方向上移動，並且在Y軸方向上移動切削單元12，而將切削刀片12a定位在光學系統容置罩殼34的開口部34a的中心位置座標的正上方。接著，如圖2所示，控制成使切削刀片12a朝以箭頭R1表示之方向下降，並成為離工作夾台20的上表面30mm的高度位置。此時，切削刀片12a的前端部的位置會起因於切削單元12所具有的控制誤差、或切削刀片12a的形狀偏差等，而不一定正確地成為離工作夾台20的上表面30mm的高度，而具有預定的誤差。

如上述，在已將切削刀片12a的前端部的位置控制在離工作夾台20的上表面30mm的位置的情況下，在本實施形態的切割裝置1中，是設想為其誤差落在±15μm，亦即30μm的範圍。在此，作動計測裝置30的寬頻帶光源31，照射白色光即光L0。如上述，從寬頻帶光源31所照射之光L0是經過由光纖FB、光分歧部32、光導入部33、準直儀透鏡35、色像差聚光透鏡36以及鏡子37所形成的光路，而在切削刀片12a的前端部12b存在的區域形成聚光點。此光L0是藉由透過色像差聚光透鏡36，而在包含有離工作夾台20之上表面30mm的位置之預定的範圍，因應於構成光L0之各波長的長度而涵蓋光軸上之預定區段在不同的位置形成聚光點。假設如圖2所示，在切削刀片12a的前端部存在的位置為P2的情況下，會成為以下構成：在以P2表示的位置形成聚光點的波長(800nm)之光最強烈地反射，而該波長以外的波長之光的反射會較弱。

已在上述之以P2表示的位置上反射之反射光L1會在鏡子37、色像差聚光透鏡36、準直儀透鏡35、光導入部33、光纖FB中回溯，而被導向光分歧部32。在光分歧部32中，並非將反射光L1分歧至寬頻帶光源31側，而是分歧至位置檢測單元38側。已分歧至位置檢測單元38側的反射光L1會被導向位置檢測單元38的繞射光柵382。繞射光柵382是如上述，具備有將入射之光按每個波長來使其分離並分散的功能，且藉由讓在切削刀片12a的前端部反射之反射光L1經過繞射光柵382，而成為因應於波長的長度而分散的分散光L2，並照射到線型感測器384。在此，由於在已將上述之分散光L2導入至位置檢測單元38的情況下，分散光L2並非寬頻帶之光，而是已在上述之以P2表示的位置形成有聚光點的波長(800nm)之光強烈地反射之光，所以可以將照射到線型感測器384的分散光L2的光強度訊號發送至控制單元100，而得到如圖2的右下所示之例如在(a)表示的波形(以實線表示)。

如上述，若已藉由分散光L2檢測到在對應於波長800nm的位置形成有峰值之情形後，即參照已事先儲存在控制單元100之圖3所示的Z座標表單120。Z座標表單120是記錄有藉由線型感測器384所檢測到的波形的峰值所顯現的波長、與對應該波長的Z座標值之表單。亦即，當峰值所顯現的波長為800nm時，根據Z座標表單120，Z座標值為「+15.0μm」。據此，切削刀片12a的高度位置(Z座標)若以工作夾台20的上表面作為基準時，可檢測為：Z=30mm+15.0μm。

假設，如圖2所示，在切削刀片的前端部位於12a”(以2點鏈線表示)之位置的情況下，會在以P1表示之位置上反射光L0。因為在以P1表示之位置上，是波長200nm之光形成聚光點，所以會成為以下情形：以線型感測器382檢測在以P1表示之位置上反射的反射光L1之分散光L2，且於圖2在以(c)表示之波長為200nm的位置上顯現峰值(以虛線表示)。藉由依據以此(c)表示的波形，並參照圖3所示的Z座標表單120，可理解以下情形：Z座標值為「-15.0μm」。據此，切削刀片12a的高度位置(Z座標)若以工作夾台20的上表面作為基準時，可檢測為：Z=30mm-15.0μm。

此外，如圖2所示，在處於切削刀片12a’(以2點鏈線表示)的位置的情況下，會在以P0表示之位置上反射光L0。因為在以P0表示之位置上，是波長500nm之光形成聚光點，所以會成為以下情形：以線型感測器382檢測在以P0表示之位置上反射的反射光L1之分散光L2，且於圖2中在以(b)表示之波長為500nm的位置上顯現峰值(以虛線表示)。藉由依據以此(b)表示的波形，並參照圖3所示的Z座標表單120，可理解以下情形：Z座標值為「0.0μm」。據此，切削刀片12a的高度位置(Z座標)若以工作夾台20的上表面作為基準時，可檢測為：Z=30mm(+0.0μm)。

如以上地進行，可以藉由對應於從光分歧部32分歧之反射光L1的波長之光的強度(峰值)，來正確地檢測切削單元12的位置。再者，圖3所示之本實施形態的Z座標表單120是將波長按每50nm且以2.5μm單位來儲存Z座標而形成的，但本發明並非限定於此，也可以藉由適當選擇繞射光柵382及線型感測器384，而將檢測Z座標值時的解析度進一步設得更精細，並進一步設成以較高的精度來檢測Z座標。又，在上述之實施形態中，雖然是設成藉由Z座標表單120檢測Z座標值，並加上切削刀片12a在控制後所定位的高度位置(30mm)，來檢測切削刀片12a的前端部之作為正確的位置的Z座標位置，但是亦可設成預先將30mm加到Z座標表單120，而直接儲存Z座標位置(亦即高度位置)。

如上述，可以藉由正確地檢測切削單元12所具備的切削刀片12a相對於工作夾台20的上表面的位置，而正確地掌握控制切削刀片12a時的原點位置，且變得可在施行切削加工之時，將切削刀片12a相對於被加工物正確地定位。

根據本發明，並不限定於上述之實施形態，而可提供各種的變形例。一邊參照圖4一邊說明其他實施形態。再者，圖4所示之其他實施形態為將本發明的計測裝置50適用於磨削單元60(僅顯示一部分)的例子，以下依據檢測磨削輪62的磨削磨石64的下表面位置的例子來說明，其中前述磨削磨石64的下表面位置是將圖中僅顯示截面的圓形的工作夾台20的上表面作為基準之位置。針對與先前所說明的實施形態相同的構成會附加相同的編號，並適當地省略詳細之說明。

圖4所示之計測裝置50是和先前所說明的實施形態同樣地具備有：寬頻帶光源31，發出寬頻帶之光L0；光纖FB，傳播寬頻帶光源31所發出之光L0；及光分歧部32，使寬頻帶光源31所發出之光L0直進並且使反射光L1分歧，且具備有：光導入部53，使光L0導入光學系統容置罩殼54；準直儀透鏡55，將已從容置於光學系統容置罩殼54的光導入部53導入之光L0設為平行光；色像差聚光透鏡56，引導已藉由準直儀透鏡55而被設為平行光之光L0；及鏡子57，將自色像差聚光透鏡56所引導之光L0反射並引導至磨削磨石64側，並且在寬頻帶光源31與鏡子57之間具備有光束分離器58，前述光束分離器58會分歧出朝向鏡子57的第一光路L3與正交於第一光路L3的第二光路L4。

光束分離器58是藉由2個直角的稜鏡所構成，並形成有作為光束分離器而發揮功能的斜面58a，前述斜面58a是將該2個稜鏡的斜面彼此透過適當的光學薄膜來接合而形成。藉此，可將從寬頻帶光源31所照射之光L0藉由光束分離器58的斜面58a來分割為2，而分歧為於直接直進的第一光路L3中前進之光、與在斜面58a上反射而在正交於第一光路L3的第二光路L4中前進之光。如從圖4可理解地，色像差聚光透鏡56是配設於寬頻帶光源31與光束分離器58之間。

於光學系統容置罩殼54配設有第一光閘54c與第二光閘54d。第一光閘54c是藉由在以箭頭R2表示的方向上進退，而將第一光路L3通過的第一開口部54a開放或封鎖。又，第二光閘54d是藉由在以箭頭R3表示的方向上進退，而將第二光路L4通過的第二開口部54b開放或封鎖。在本實施形態中，在將第一開口部54a開放的情況下，是將第二開口部54b封鎖。相反地，在將第二開口部54b開放的情況下，是將第一開口部54a封鎖。光學系統容置罩殼54是藉由未圖示之固定治具而定位到工作夾台20的中心的正上方。以下，一邊參照圖4一邊說明使用此計測裝置50來檢測磨削磨石(加工工具)64的下表面位置的順序。

若已藉由上述之固定治具將光學系統容置罩殼54定位到工作夾台20上之後，即可移動工作夾台20，而將光學系統容置罩殼54之包含第一開口部54a的中心位置之區域定位到磨削單元60的磨削磨石64的正下方。

接著，控制成使磨削輪62朝以箭頭R4表示之方向下降，而如圖所示地成為離工作夾台20的上表面50mm的高度位置。此時，磨削磨石64的下表面位置會起因於磨削單元60所具有的控制誤差、或磨削磨石64的形狀偏差等，而不一定正確地成為離工作夾台20的上表面50mm的高度，並具有預定的誤差。

在此，在已藉由第一光閘54c將計測裝置50的光學系統容置罩殼54的第一開口部54a封鎖，且已藉由第二光閘54d將第二開口部54b開放的狀態下，作動計測裝置50的寬頻帶光源31，而照射寬頻帶之光L0。如上述，從寬頻帶光源31所照射之光L0是經過光纖FB、光分歧部32、光導入部53、準直儀透鏡55、色像差聚光透鏡56而照射至光束分離器58的斜面58a，且通過在斜面58a上反射而形成的第二光路L4而照射至工作夾台20的上表面側。在此狀態下，當使光學系統容置罩殼54朝以箭頭R5表示之方向稍微下降，而到達預定的位置時，可將於第二光路L4中通過之光的聚光點P1’定位在工作夾台20的表面並反射而形成反射光L5。反射光L5會在光L0所行進而來的光路中回溯，而被光分歧部32分歧，且被位置檢測單元38的繞射光柵382分散而形成分散光L6，並藉由線型感測器384檢測分散光L6，藉此如圖4的右下的(d)所示地顯現例如700nm波長之光的峰值波形(以虛線表示)。在本實施形態中，由於是設定成將500nm波長之光的聚光點P0’形成在離於光學系統容置罩殼54內朝右方行進的光軸之中心的距離為35mm的位置，所以可進一步直接使光學系統容置罩殼54一點一點地逐漸下降。藉此，可以使藉由位置檢測單元38來檢測之波形移動到(e)所示之波長500nm的位置(以實線表示)，並且可以將從在光學系統容置罩殼54內行進之光軸的中心觀看到工作夾台20的上表面為止之距離正確地設為35mm。

如上述，若將從於光學系統容置罩殼54內行進之光軸起算到工作夾台20的上表面為止的距離設為剛好35mm後，則接著將第二光閘54d封鎖，並將第一光閘54c開放。如此一來，可讓在光學系統容置罩殼54內行進之第一光路L3中行進之光，在鏡子57上反射並透過第一開口部54a而朝向已定位於上方的磨削磨石64。如上述，通過準直儀透鏡55且被引導至色像差聚光透鏡56之光L0的聚光點是被設定成形成在自光束分離器58的斜面58a起35mm處的位置。在本實施形態中，由於是將從斜面58a到鏡子57的距離設定為20mm，所以可將在斜面58a分歧且經過鏡子57而被導向磨削磨石64側之於第一光路L3中通過之光的聚光點形成在離鏡子57的中心位置15mm上方的位置(亦即在離工作夾台20的上表面50mm附近之在光軸涵蓋預定的範圍且因應於波長之不同的位置)。如圖4所示，當磨削磨石64的下端存在的位置為P2的情況下，會成為以下之構成：在以P2表示的位置形成有聚光點的波長之光最強烈地反射，而該波長以外的波長之光的反射會較弱。

已在上述之以P2表示的位置上反射之反射光L5會通過鏡子57、光束分離器58，並在色像差聚光透鏡56、準直儀透鏡55、光導入部53、光纖FB中回溯，而被引導至光分歧部32。在光分歧部32中，並非將反射光L5分歧至寬頻帶光源31側，而是分歧至位置檢測單元38側。已分歧至位置檢測單元38側的反射光L5會被導向位置檢測單元38的繞射光柵382。繞射光柵382是如上述，具備有按每個波長來使其分離並分散的功能，且藉由讓在切削刀片12a的前端部反射之反射光L5經過繞射光柵382，而成為因應於波長的長度而分散的分散光L6，並照射到線型感測器384。可以藉由將已照射到線型感測器384的分散光L6的光強度訊號發送至控制單元100，而獲得為顯示如例如先前所說明的實施形態的圖2的右下所示之每個波長的峰值之結果。在此，可以將在上述之在P2的位置上反射之反射光L5導向位置檢測單元38的情況下，得到在(a)表示之波形(以實線表示)。亦即，可理解以下情形：依據使在P2的位置上反射之反射光L5分散的分散光L6，而在對應於波長800nm的位置形成有峰值。

如上述，若已藉由分散光L6而檢測到在對應於波長800nm的位置形成有峰值之情形後，即可藉由參照已事先儲存到控制單元100之如例如圖3所示的Z座標表單120，而判明Z座標值是「+15.0μm」之情形。據此，切削刀片12a的高度位置若以工作夾台20的上表面作為基準時，可檢測為：Z=50mm+15.0μm。

假設，在磨削磨石64的下端位於64”(以2點鏈線表示)的位置的情況下，會在以P1表示之位置上讓已於第一光路L3中通過之光反射。在以P1表示的位置上，因為波長200nm之光會形成聚光點，所以已將在以P1表示之位置上反射而形成的反射光L5導向位置檢測單元38並以線型感測器382檢測到分散光L6的情況下，會於圖2以(c)表示的位置上顯現峰值。藉由依據以此(c)表示的波形，參照圖3所示的Z座標表單120，可判明以下情形：Z座標值是「-15.0μm」。據此，磨削磨石64”的高度位置若以工作夾台20的上表面為基準時，即為：Z=50mm-15.0μm。

又，在磨削磨石64的下端位於以磨削磨石64’(以2點鏈線表示)表示的位置的情況下，會在以P0表示之位置上讓已於第一光路L3中通過之光反射。在以P0表示之位置上，因為波長500nm之光會形成聚光點，所以藉由於圖2在以(b)表示之位置顯現峰值，並參照圖3所示之Z座標表單120，可判明Z座標值為「0.0μm」之情形，而可檢測以下情形：磨削磨石64’的高度位置以工作夾台20上表面為基準為Z=50mm(+0.0μm)。

如以上，即使是其他的實施形態，也可正確地計測保持被加工物的保持單元、及對已保持在該保持單元之被加工物施行加工的加工工具的位置關係。又，即使在將本發明適用於磨削裝置之磨削單元60的情況下，也可以檢測構成保持單元之工作夾台與加工工具的位置關係。

1:切割裝置 1A:殼體 4:片匣載置區域 4A:片匣 5:暫置工作台 6,13:搬送機構 7:保持單元 11:拍攝單元 12:切削單元(加工工具) 12a,12a’,12a”:切削刀片 14:操作面板 20:工作夾台 25:圓筒構件 30,50:計測裝置 31:寬頻帶光源 32:光分歧部 33,53:光導入部 34,54:光學系統容置罩殼 34a:開口部 35,55:準直儀透鏡 36,56:色像差聚光透鏡 37,57:鏡子 38:位置檢測單元 382:繞射光柵 384:線型感測器 40:支撐基板 54a:第一開口部 54b:第二開口部 54c:第一光閘 54d:第二光閘 58:光束分離器 58a:斜面 60:磨削單元(加工工具) 62:磨削輪 64,64’,64”:磨削磨石 100:控制單元 120:Z座標表單 FB:光纖 L0:光 L1,L5:反射光 L2,L6:分散光 L3:第一光路 L4:第二光路 P0,P1,P2, P0’,P1’,P2’:聚光點 R1,R2,R3,R4,R5,X,Y,Z:箭頭

圖1是適用了本實施形態之計測裝置的切割裝置的立體圖。圖2是顯示構成圖1所示之計測裝置的光學系統容置罩殼的截面圖、以及計測裝置的構成的方塊圖。圖3是儲存於控制單元的Z座標表單。圖4是顯示計測裝置的其他實施形態中的光學系統容置罩殼的截面圖、以及計測裝置的構成的方塊圖。

12:切削單元(加工工具)

12a,12a’,12a”:切削刀片

20:工作夾台

30:計測裝置

31:寬頻帶光源

32:光分歧部

33:光導入部

34:光學系統容置罩殼

34a:開口部

35:準直儀透鏡

36:色像差聚光透鏡

37:鏡子

38:位置檢測單元

382:繞射光柵

384:線型感測器

40:支撐基板

100:控制單元

FB:光纖

L0:光

L1:反射光

L2:分散光

P0,P1,P2:聚光點

R1:箭頭

Claims

一種計測裝置，是計測工作夾台及加工工具的位置關係，前述工作夾台是保持被加工物，前述加工工具是對已保持在該工作夾台之被加工物施行加工，前述計測裝置具備有：寬頻帶光源；鏡子，將該寬頻帶光源所發出之光反射而導向加工工具；色像差聚光透鏡，配設於該寬頻帶光源與該鏡子之間、或該鏡子與該加工工具之間；光分歧部，將沿著該鏡子與該色像差聚光透鏡返回且已在該加工工具反射之反射光分歧；及位置檢測單元，藉由對應於已被該光分歧部分歧之反射光的波長之光的強度來檢測加工工具的位置。
如請求項1之計測裝置，其更具備光束分離器，前述光束分離器是配設在該寬頻帶光源與該鏡子之間，且將該寬頻帶光源所發出之光分歧為朝向該鏡子的第一光路與正交於該第一光路的第二光路，該色像差聚光透鏡是配設在該寬頻帶光源與該光束分離器之間，且該寬頻帶光源所發出之光被導向該鏡子與該工作夾台。