TWI840305B - 電容器組件封裝結構、電容器結構封裝方法以及電子裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種電容器組件封裝結構、電容器結構封裝方法以及電子裝置。電容器組件封裝結構包括電容器組件、多個第一絕緣封裝體、第二絕緣封裝體以及電極組件。電容器組件包括多個電容器結構。電容器組件具有多個堆疊間隙。多個第一絕緣封裝體被配置以用於分別容置於電容器組件的多個堆疊間隙內。第二絕緣封裝體被配置以用於包覆多個第一絕緣封裝體以及多個電容器結構。電極組件包括電性連接於電容器組件的一第一電極結構以及一第二電極結構。每一第一絕緣封裝體的固含量小於第二絕緣封裝體的固含量，以用於降低形成於電容器組件的每一堆疊間隙內的多個氣孔的百分比，藉此以提升電容器組件封裝結構的結構穩定度。
Description
本發明涉及一種電容器，特別是涉及一種電容器組件封裝結構、一種電容器結構封裝方法以及一種使用電容器組件封裝結構的電子裝置。
電容器已廣泛地被使用於消費性家電用品、電腦主機板及其周邊、電源供應器、通訊產品、及汽車等的基本元件，其主要的作用包括濾波、旁路、整流、耦合、去耦、轉相等，以成為電子產品中不可缺少的元件之一。依照不同的材質及用途，電容器包括鋁質電解電容、鉭質電解電容、積層陶瓷電容、薄膜電容等。先前技術中，固態電解電容器具有小尺寸、大電容量、頻率特性優越等優點，而可被應用於中央處理器的電源電路的解耦合作用上。一般而言，可利用多個電容器單元的堆疊，而形成高電容量的固態電解電容器，現前技術中的堆疊式固態電解電容器包括多個電容器單元與導線架，每一電容器單元包括陽極部、陰極部與絕緣部，並且絕緣部會使陽極部與陰極部彼此電性絕緣。特別的是，電容器單元的陰極部會彼此堆疊，並且藉由在相鄰的兩個電容器單元之間設置導電體層，以使多個電容器單元之間能夠彼此電性連接。然而，現有技術中的堆疊式電容器仍然具有可改善空間。
本發明所要解決的問題在於，針對現有技術的不足提供一種電容器組件封裝結構、電容器結構封裝方法以及電子裝置，以降低形成於電容器組件的每一堆疊間隙內的多個氣孔的百分比（也就是降低由於多個氣孔所導致的結構缺損率或是結構缺損情況），藉此以提升電容器組件封裝結構的結構穩定度（例如提升電容器組件封裝結構的多個電容器結構的抗震能力，以使得本發明所提供的電容器組件封裝結構的電氣特性不容易受到震動的影響而產生降低的情況），並且可以避免過多的水氣被累積在氣孔內，藉此以降低電容器組件封裝結構在進行迴焊(reflow)時產生結構破裂(crack)的機率。
為了解決上述的問題，本發明所採用的其中一技術手段是提供一種電容器組件封裝結構，其包括：一電容器組件、多個第一絕緣封裝體、一第二絕緣封裝體以及一電極組件。電容器組件包括堆疊設置且彼此電性連接的多個電容器結構，每一電容器結構具有一正極部以及一負極部，電容器組件具有多個堆疊間隙，每一堆疊間隙相對應地形成於相鄰的兩個電容器結構之間。多個第一絕緣封裝體被配置以用於分別容置於電容器組件的多個堆疊間隙內。第二絕緣封裝體被配置以用於包覆多個第一絕緣封裝體以及多個電容器結構。電極組件包括一第一電極結構以及一第二電極結構，第一電極結構與第二絕緣封裝體相互配合且電性連接於電容器結構的正極部，第二電極結構與第二絕緣封裝體相互配合且電性連接於電容器結構的負極部。其中，每一第一絕緣封裝體的固含量小於第二絕緣封裝體的固含量；其中，多個第一絕緣封裝體的加總體積小於第二絕緣封裝體的體積；其中，每一第一絕緣封裝體以及第二絕緣封裝體具有相同或者相異的絕緣材料。
為了解決上述的問題，本發明所採用的另外一技術手段是提供一種電容器結構封裝方法，電容器結構封裝方法包括：提供一電容器組件，電容器組件包括堆疊設置且彼此電性連接的多個電容器結構，每一電容器結構具有一正極部以及一負極部，電容器組件具有多個堆疊間隙，每一堆疊間隙相對應地形成於相鄰的兩個電容器結構之間；形成多個第一絕緣封裝體，以用於分別容置於電容器組件的多個堆疊間隙內；以及，形成一第二絕緣封裝體，以用於包覆多個第一絕緣封裝體以及多個電容器結構。其中，每一第一絕緣封裝體的固含量小於第二絕緣封裝體的固含量；其中，多個第一絕緣封裝體的加總體積小於第二絕緣封裝體的體積；其中，每一第一絕緣封裝體以及第二絕緣封裝體具有相同或者相異的絕緣材料。
為了解決上述的問題，本發明所採用的另外再一技術手段是提供一種電子裝置，電子裝置使用一電容器組件封裝結構，其特徵在於，電容器組件封裝結構包括：一電容器組件、多個第一絕緣封裝體、一第二絕緣封裝體以及一電極組件。電容器組件包括堆疊設置且彼此電性連接的多個電容器結構，每一電容器結構具有一正極部以及一負極部，電容器組件具有多個堆疊間隙，每一堆疊間隙相對應地形成於相鄰的兩個電容器結構之間。多個第一絕緣封裝體被配置以用於分別容置於電容器組件的多個堆疊間隙內。第二絕緣封裝體被配置以用於包覆多個第一絕緣封裝體以及多個電容器結構。電極組件包括一第一電極結構以及一第二電極結構，第一電極結構與第二絕緣封裝體相互配合且電性連接於電容器結構的正極部，第二電極結構與第二絕緣封裝體相互配合且電性連接於電容器結構的負極部。其中，每一第一絕緣封裝體的固含量小於第二絕緣封裝體的固含量；其中，多個第一絕緣封裝體的加總體積小於第二絕緣封裝體的體積；其中，每一第一絕緣封裝體以及第二絕緣封裝體具有相同或者相異的絕緣材料。
在其中一可行的或者較佳的實施例中， 每一第一絕緣封裝體的固含量介於5%與79%之間，且第二絕緣封裝體的固含量介於80%與95%之間。
在其中一可行的或者較佳的實施例中，多個第一絕緣封裝體具有相同的絕緣材料，且多個第一絕緣封裝體具有相同的固含量。
在其中一可行的或者較佳的實施例中，每一第一絕緣封裝體包括一第一絕緣膠體以及混入第一絕緣膠體內的多個第一絕緣顆粒，且第二絕緣封裝體包括一第二絕緣膠體以及混入第二絕緣膠體內的多個第二絕緣顆粒。
在其中一可行的或者較佳的實施例中，每一第一絕緣封裝體的第一絕緣膠體的材料為矽膠或者環氧樹脂，且每一第一絕緣封裝體的每一第一絕緣顆粒的材料為二氧化矽或者三氧化二鋁。
在其中一可行的或者較佳的實施例中，第二絕緣封裝體的第二絕緣膠體的材料為矽膠或者環氧樹脂，且第二絕緣封裝體的每一第二絕緣顆粒的材料為二氧化矽或者三氧化二鋁。
在其中一可行的或者較佳的實施例中，每一第一絕緣封裝體的多個第一絕緣顆粒的密度小於第二絕緣封裝體的多個第二絕緣顆粒的密度。
在其中一可行的或者較佳的實施例中，每一第一絕緣封裝體的第一絕緣膠體以及第二絕緣封裝體的第二絕緣膠體具有相同的絕緣材料或者相異的絕緣材料，且每一第一絕緣封裝體的每一第一絕緣顆粒以及第二絕緣封裝體的每一第二絕緣顆粒具有相同的絕緣材料或者相異的絕緣材料。
在其中一可行的或者較佳的實施例中，多個第一絕緣封裝體被配置以用於分別填充電容器組件的多個堆疊間隙，藉此以降低形成於電容器組件的每一堆疊間隙內的多個氣孔的百分比。
在其中一可行的或者較佳的實施例中，電容器組件的每一堆疊間隙被相對應的第一絕緣封裝體所封填的封填率介於85%與95%之間。
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的一種電容器組件封裝結構，其能通過“多個第一絕緣封裝體被配置以用於分別容置於電容器組件的多個堆疊間隙內”、“第二絕緣封裝體被配置以用於包覆多個第一絕緣封裝體以及多個電容器結構” 、“每一第一絕緣封裝體的固含量小於第二絕緣封裝體的固含量”以及“多個第一絕緣封裝體的加總體積小於第二絕緣封裝體的體積”的技術方案，以降低形成於電容器組件的每一堆疊間隙內的多個氣孔的百分比（也就是降低由於多個氣孔所導致的結構缺損率或是結構缺損情況），藉此以提升電容器組件封裝結構的結構穩定度（例如提升電容器組件封裝結構的多個電容器結構的抗震能力，以使得本發明所提供的電容器組件封裝結構的電氣特性不容易受到震動的影響而產生降低的情況），並且可以避免過多的水氣被累積在氣孔內，藉此以降低電容器組件封裝結構在進行迴焊(reflow)時產生結構破裂(crack)的機率。
本發明的另外一有益效果在於，本發明所提供的一種電容器結構封裝方法，其能通過“形成多個第一絕緣封裝體，以用於分別容置於電容器組件的多個堆疊間隙內”、“形成一第二絕緣封裝體，以用於包覆多個第一絕緣封裝體以及多個電容器結構” 、“每一第一絕緣封裝體的固含量小於第二絕緣封裝體的固含量”以及“多個第一絕緣封裝體的加總體積小於第二絕緣封裝體的體積”的技術方案，以降低形成於電容器組件的每一堆疊間隙內的多個氣孔的百分比（也就是降低由於多個氣孔所導致的結構缺損率或是結構缺損情況），藉此以提升電容器組件封裝結構的結構穩定度（例如提升電容器組件封裝結構的多個電容器結構的抗震能力，以使得本發明所提供的電容器組件封裝結構的電氣特性不容易受到震動的影響而產生降低的情況），並且可以避免過多的水氣被累積在氣孔內，藉此以降低電容器組件封裝結構在進行迴焊(reflow)時產生結構破裂(crack)的機率。
本發明的另外再一有益效果在於，本發明所提供的一種使用電容器組件封裝結構的電子裝置，其能通過“多個第一絕緣封裝體被配置以用於分別容置於電容器組件的多個堆疊間隙內”、“第二絕緣封裝體被配置以用於包覆多個第一絕緣封裝體以及多個電容器結構” 、“每一第一絕緣封裝體的固含量小於第二絕緣封裝體的固含量”以及“多個第一絕緣封裝體的加總體積小於第二絕緣封裝體的體積”的技術方案，以降低形成於電容器組件的每一堆疊間隙內的多個氣孔的百分比（也就是降低由於多個氣孔所導致的結構缺損率或是結構缺損情況），藉此以提升電容器組件封裝結構的結構穩定度（例如提升電容器組件封裝結構的多個電容器結構的抗震能力，以使得本發明所提供的電容器組件封裝結構的電氣特性不容易受到震動的影響而產生降低的情況），並且可以避免過多的水氣被累積在氣孔內，藉此以降低電容器組件封裝結構在進行迴焊(reflow)時產生結構破裂(crack)的機率。
為使能進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“電容器組件封裝結構、電容器結構封裝方法以及電子裝置”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以實行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不背離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，需事先聲明的是，本發明的圖式僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
[第一實施例]
參閱圖1至圖3所示，本發明第一實施例提供一種電容器組件封裝結構S，其包括：一電容器組件1、多個第一絕緣封裝體2A、一第二絕緣封裝體2B以及一電極組件3。值得注意的是，電容器組件1包括堆疊設置且彼此電性連接的多個電容器結構10，並且每一電容器結構10具有一正極部P以及一負極部N。當多個電容器結構10堆疊設置且彼此電性連接時，電容器組件1具有多個堆疊間隙1000，並且每一堆疊間隙1000相對應地形成於相鄰的兩個電容器結構10之間。
舉例來說，如圖1所示，電容器結構10包括一金屬箔片100、一絕緣限位層101（或者是絕緣環繞層）、一導電高分子層102、一碳膠層103以及一銀膠層104（例如透過固化而成形的銀膠層，或者經燒結而成形的奈米銀層，奈米銀層的平均厚度可以小於或者等於1 µm）。更進一步來說，絕緣限位層101被配置以環繞地設置在金屬箔片100的第一部分100A上，但是透過絕緣限位層101的阻隔而不會接觸到金屬箔片100的第二部分100B。導電高分子層102被配置以用於包覆金屬箔片100的第一部分100A且接觸絕緣限位層101，但是透過絕緣限位層101的阻隔而不會接觸到金屬箔片100的第二部分100B。碳膠層103被配置以用於包覆導電高分子層102且接觸絕緣限位層101，但是透過絕緣限位層101的阻隔而不會接觸到金屬箔片100的第二部分100B。銀膠層104被配置以用於包覆碳膠層103且接觸絕緣限位層101，但是透過絕緣限位層101的阻隔而不會接觸到金屬箔片100的第二部分100B。再者，金屬箔片100可以是鋁箔、銅箔或者任何種類的導電箔片，並且金屬箔片100的表面具有腐蝕層以及形成在腐蝕層上的氧化層。此外，每一電容器結構10的金屬箔片100的一第二部分100B未被絕緣限位層101所覆蓋，並且多個電容器結構10的多個金屬箔片100的多個第二部分100B可以堆疊設置。另外，絕緣限位層101可以是矽膠(silicone)、環氧樹脂(epoxy)或者任何種類的絕緣材料，並且導電高分子層102可以是聚乙炔(PA)、polypyrrole (PPy)、polythiophene (PT)、polyaniline (PANI)、poly(p-phenylene) (PPP)、poly(phenylene vinylene) (PPV)，或者導電高分子層102可以是聚苯硫醚、聚吡咯、聚噻吩、聚苯、聚噻唑等。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
此外，配合圖2與圖3所示，多個第一絕緣封裝體2A可以被配置以用於分別容置於電容器組件1的多個堆疊間隙1000內，並且第二絕緣封裝體2B可以被配置以用於包覆多個第一絕緣封裝體2A以及多個電容器結構10。舉例來說，在其中一可行的或者較佳的實施例中，每一第一絕緣封裝體2A可以包括一第一絕緣膠體21A以及混入第一絕緣膠體21A內的多個第一絕緣顆粒22A（如圖2所示），並且第二絕緣封裝體2B可以包括一第二絕緣膠體21B以及混入第二絕緣膠體21B內的多個第二絕緣顆粒22B（如圖3所示）。值得注意的是，多個第一絕緣封裝體2A的加總體積會小於第二絕緣封裝體2B的體積。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
舉例來說，配合圖2與圖3所示，在其中一可行的或者較佳的實施例中，每一第一絕緣封裝體2A的固含量（也就是材料烘乾後或者固化後第一絕緣封裝體2A的固體顆粒的含量）可以小於第二絕緣封裝體2B的固含量（也就是材料烘乾後或者固化後第二絕緣封裝體2B的固體顆粒的含量）。更進一步來說，每一第一絕緣封裝體2A的固含量可以大約介於5%與79%之間（也就是說，在每一第一絕緣封裝體2A中，多個第一絕緣顆粒22A的含量比例或者重量百分比可以是介於5%與79%之間的任意整數百分比），並且第二絕緣封裝體2B的固含量可以大約介於80%與95%之間（也就是說，在每一第二絕緣封裝體2B中，多個第二絕緣顆粒22B的含量比例或者重量百分比可以是介於80%與95%之間的任意整數百分比）。或者是說，每一第一絕緣封裝體2A的多個第一絕緣顆粒22A的密度（也就是說，在每一第一絕緣封裝體2A中，多個第一絕緣顆粒22A所佔據的質量）可以小於第二絕緣封裝體2B的多個第二絕緣顆粒22B的密度（也就是說，在每一第二絕緣封裝體2B中，多個第二絕緣顆粒22B所佔據的質量）。值得注意的是，多個第一絕緣封裝體2A可以具有相同或者相異的固含量。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
舉例來說，配合圖2與圖3所示，在其中一可行的或者較佳的實施例中，每一第一絕緣封裝體2A以及第二絕緣封裝體2B可以具有相同或者相異的絕緣材料，並且多個第一絕緣封裝體2A可以具有相同或者相異的絕緣材料。另外，每一第一絕緣封裝體2A的第一絕緣膠體21A以及第二絕緣封裝體2B的第二絕緣膠體21B可以具有相同的絕緣材料或者相異的絕緣材料，並且每一第一絕緣封裝體2A的每一第一絕緣顆粒22A以及第二絕緣封裝體2B的每一第二絕緣顆粒22B可以具有相同的絕緣材料或者相異的絕緣材料。更進一步來說， 每一第一絕緣封裝體2A的第一絕緣膠體21A的材料可以是矽膠(silicone)、環氧樹脂(epoxy)或者任何種類的絕緣材料，並且每一第一絕緣封裝體2A的每一第一絕緣顆粒22A的材料可以是二氧化矽(SiO
2)、三氧化二鋁(Al
2O
3)或者任何種類的氧化物。另外，第二絕緣封裝體2B的第二絕緣膠體21B的材料可以是矽膠、環氧樹脂或者任何種類的絕緣材料，並且第二絕緣封裝體2B的每一第二絕緣顆粒22B的材料可以是二氧化矽、三氧化二鋁或者任何種類的氧化物。值得注意的是，如圖2所示，當電容器組件1的多個電容器結構10預先被堆疊設置在尚未被彎折的電極組件3上時，多個電容器結構10的多個金屬箔片100的多個第二部分100B被彎折且堆疊設置在尚未被彎折的電極組件3上。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
另外，如圖3所示，電極組件3包括一第一電極結構31以及一第二電極結構32，第一電極結構31可以與第二絕緣封裝體2B相互配合且電性連接於電容器結構10的正極部P，並且第二電極結構32可以與第二絕緣封裝體2B相互配合且電性連接於電容器結構10的負極部N。舉例來說，在其中一可行的或者較佳的實施例中，電極組件3可以是一導電引腳組件(lead frame assembly)。更進一步來說，當電極組件3為導電引腳組件時，電極組件3的第一電極結構31包括被第二絕緣封裝體2B所包覆的一第一內埋部311以及連接於第一內埋部311且裸露在第二絕緣封裝體2B外部的一第一外露部312，第一電極結構31的第一內埋部311（可以透過導電材料）電性連接於電容器結構10的正極部P，並且第一電極結構31的第一外露部312沿著第二絕緣封裝體2B的外表面延伸。另外，當電極組件3為導電引腳組件時，電極組件3的第二電極結構32包括被第二絕緣封裝體2B所包覆的一第二內埋部321以及連接於第二內埋部321且裸露在第二絕緣封裝體2B外部的一第二外露部322，第二電極結構32的第二內埋部321（可以透過導電材料）電性連接於電容器結構10的負極部N，並且第二電極結構32的第二外露部322沿著第二絕緣封裝體2B的外表面延伸。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
藉此，由於多個第一絕緣封裝體2A可以被配置以用於分別填充電容器組件1的多個堆疊間隙1000，所以本發明所提供的電容器組件封裝結構S可以用於降低形成於電容器組件1的每一堆疊間隙1000內的多個氣孔V或者空洞(void)的百分比。舉例來說，在其中一可行的或者較佳的實施例中，電容器組件1的每一堆疊間隙1000被相對應的第一絕緣封裝體2A所封填的封填率可以大約介於85%與95%之間（例如可以是大約介於85%與95%之間的任意整數）。也就是說，形成於電容器組件1的每一堆疊間隙1000內的多個氣孔V的百分比可以被降低至大約5%與15%之間（例如多個氣孔V的百分比可以被降低至大約5%與15%之間的任意整數，或者多個氣孔V的百分比也可以被降低至少於5%，例如可以大約介於0%與5%之間的任意整數）。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
[第二實施例]
參閱圖4與圖5所示，本發明第二實施例提供一種電容器組件封裝結構S，其包括：一電容器組件1、多個第一絕緣封裝體2A、一第二絕緣封裝體2B以及一電極組件3。由圖4與圖2的比較，以及圖5與圖3的比較可知，本發明第二實施例與第一實施例最主要的差異在於：在第二實施例中，電極組件3可以是一側端電極組件(lateral terminal assembly)，並且多個電容器結構10的多個金屬箔片100的多個第二部分100B會彼此分離。
更進一步來說，當電極組件3為側端電極組件時，電極組件3的第一電極結構31包括被配置以用於覆蓋第二絕緣封裝體2B的一第一側端部201B且電性連接於電容器結構10的正極部P的一第一內部導電層313、被配置以用於覆蓋第一內部導電層313的一第一中間導電層314以及被配置以用於覆蓋第一中間導電層314的一第一外部導電層315。此外，當電極組件3為側端電極組件時，電極組件3的第二電極結構32包括被配置以用於覆蓋第二絕緣封裝體2B的一第二側端部202B且電性連接於電容器結構10的負極部N的一第二內部導電層323、被配置以用於覆蓋第二內部導電層323的一第二中間導電層324以及被配置以用於覆蓋第二中間導電層324的一第二外部導電層325。舉例來說，第一內部導電層313可以是Ag層與Cu層兩者其中之一，第一中間導電層314可以是Ni層，並且第一外部導電層315可以是Sn層。另外，第二內部導電層323可以是Ag層與Cu層兩者其中之一，第二中間導電層324可以是Ni層，並且第二外部導電層325可以是Sn層。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
[第三實施例]
參閱圖6與圖7所示，本發明第三實施例提供一種電容器組件封裝結構S，其包括：一電容器組件1、多個第一絕緣封裝體2A、一第二絕緣封裝體2B以及一電極組件3。由圖6與圖4的比較，以及圖7與圖5的比較可知，本發明第三實施例與第二實施例最主要的差異在於：在第三實施例中，當電極組件3可以是一側端電極組件時，多個電容器結構10可以預先被一導電承載基板33所承載，並且電容器結構10的負極部N可以透過導電承載基板33以電性連接於電極組件3的第二電極結構32。
[第四實施例]
參閱圖8所示，本發明第四實施例提供一種電容器結構封裝方法，電容器結構封裝方法包括：首先，配合圖1、圖2（或者圖4，或者圖6）與圖8所示，提供一電容器組件1，電容器組件1包括堆疊設置且彼此電性連接的多個電容器結構10，每一電容器結構10具有一正極部P以及一負極部N，電容器組件1具有多個堆疊間隙1000，每一堆疊間隙1000相對應地形成於相鄰的兩個電容器結構10之間（步驟S100）；接著，配合圖2（或者圖4，或者圖6）與圖8所示，形成多個第一絕緣封裝體2A，以用於分別容置於電容器組件1的多個堆疊間隙1000內（步驟S102）；然後，配合圖3（或者圖5，或者圖7）與圖8所示，形成一第二絕緣封裝體2B，以用於包覆多個第一絕緣封裝體2A以及多個電容器結構10（步驟S104）。值得注意的是，每一第一絕緣封裝體2A的固含量會小於第二絕緣封裝體2B的固含量。
舉例來說，配合圖2與圖3所示，在提供電容器組件1的步驟S100中，多個電容器結構10可以預先被堆疊設置在一電極組件3上，但是圖4所顯示的電極組件3尚未彎折成圖5所顯示的電極組件3。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
舉例來說，配合圖4與圖5所示，在形成第二絕緣封裝體2B的步驟S104後，一電極組件3（包括第一電極結構31與第二電極結構32）與第二絕緣封裝體2B可以相互配合，以電性連接於電容器組件1。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
舉例來說，配合圖6與圖7所示，在提供電容器組件1的步驟S100中，多個電容器結構10可以預先被一導電承載基板33所承載，並且電容器結構10的負極部N可以透過導電承載基板33以電性連接於電極組件3的第二電極結構32。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
藉此，如圖3、圖5或者圖7所示，由於多個第一絕緣封裝體2A可以被配置以用於分別填充電容器組件1的多個堆疊間隙1000，所以本發明所提供的電容器組件封裝結構S可以用於降低形成於電容器組件1的每一堆疊間隙1000內的多個氣孔V或者空洞(void)的百分比。舉例來說，在其中一可行的或者較佳的實施例中，電容器組件1的每一堆疊間隙1000被相對應的第一絕緣封裝體2A所封填的封填率可以大約介於85%與95%之間（例如可以是大約介於85%與95%之間的任意整數）。也就是說，形成於電容器組件1的每一堆疊間隙1000內的多個氣孔V的百分比可以被降低至大約5%與15%之間（例如多個氣孔V的百分比可以被降低至大約5%與15%之間的任意整數，或者多個氣孔V的百分比也可以被降低至少於5%，例如可以大約介於0%與5%之間的任意整數）。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
[第五實施例]
參閱圖9所示，本發明第五實施例提供一種電子裝置E，電子裝置E可以使用如第一實施例至第三實施例中的任一種電容器組件封裝結構S（如圖3、圖5或者圖7所示）。舉例來說，電子裝置E可以是可攜式電子裝置（例如桌上型電腦、筆記型電腦或者平板電腦）或者可移動裝置（例如車子、船、飛機等任何的交通工具）。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的一種電容器組件封裝結構S，其能通過“多個第一絕緣封裝體2A被配置以用於分別容置於電容器組件1的多個堆疊間隙1000內”、“第二絕緣封裝體2B被配置以用於包覆多個第一絕緣封裝體2A以及多個電容器結構10” 、“每一第一絕緣封裝體2A的固含量小於第二絕緣封裝體2B的固含量”以及“多個第一絕緣封裝體2A的加總體積小於第二絕緣封裝體2B的體積”的技術方案，以降低形成於電容器組件1的每一堆疊間隙1000內的多個氣孔V的百分比（也就是降低由於多個氣孔V所導致的結構缺損率或是結構缺損情況），藉此以提升電容器組件封裝結構S的結構穩定度（例如提升電容器組件封裝結構S的多個電容器結構10抗震能力，以使得本發明所提供的電容器組件封裝結構S的電氣特性不容易受到震動的影響而產生降低的情況），並且可以避免過多的水氣被累積在氣孔V內，藉此以降低電容器組件封裝結構S在進行迴焊(reflow)時產生結構破裂(crack)的機率。
本發明的另外一有益效果在於，本發明所提供的一種電容器結構封裝方法，其能通過“形成多個第一絕緣封裝體2A，以用於分別容置於電容器組件1的多個堆疊間隙1000內”、“形成一第二絕緣封裝體2B，以用於包覆多個第一絕緣封裝體2A以及多個電容器結構10” 、“每一第一絕緣封裝體2A的固含量小於第二絕緣封裝體2B的固含量”以及“多個第一絕緣封裝體2A的加總體積小於第二絕緣封裝體2B的體積”的技術方案，以降低形成於電容器組件1的每一堆疊間隙1000內的多個氣孔V的百分比（也就是降低由於多個氣孔V所導致的結構缺損率或是結構缺損情況），藉此以提升電容器組件封裝結構S的結構穩定度（例如提升電容器組件封裝結構S的多個電容器結構10抗震能力，以使得本發明所提供的電容器組件封裝結構S的電氣特性不容易受到震動的影響而產生降低的情況），並且可以避免過多的水氣被累積在氣孔V內，藉此以降低電容器組件封裝結構S在進行迴焊(reflow)時產生結構破裂(crack)的機率。
本發明的另外再一有益效果在於，本發明所提供的一種使用電容器組件封裝結構S的電子裝置，其能通過“多個第一絕緣封裝體2A被配置以用於分別容置於電容器組件1的多個堆疊間隙1000內”、“第二絕緣封裝體2B被配置以用於包覆多個第一絕緣封裝體2A以及多個電容器結構10” 、“每一第一絕緣封裝體2A的固含量小於第二絕緣封裝體2B的固含量”以及“多個第一絕緣封裝體2A的加總體積小於第二絕緣封裝體2B的體積”的技術方案，以降低形成於電容器組件1的每一堆疊間隙1000內的多個氣孔V的百分比（也就是降低由於多個氣孔V所導致的結構缺損率或是結構缺損情況），藉此以提升電容器組件封裝結構S的結構穩定度（例如提升電容器組件封裝結構S的多個電容器結構10抗震能力，以使得本發明所提供的電容器組件封裝結構S的電氣特性不容易受到震動的影響而產生降低的情況），並且可以避免過多的水氣被累積在氣孔V內，藉此以降低電容器組件封裝結構S在進行迴焊(reflow)時產生結構破裂(crack)的機率。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。
E:電子裝置
S:電容器組件封裝結構
1:電容器組件
10:電容器結構
1000:堆疊間隙
P:正極部
N:負極部
100:金屬箔片
100A:第一部分
100B:第二部分
101:絕緣限位層
102:導電高分子層
103:碳膠層
104:銀膠層
2A:第一絕緣封裝體
21A:第一絕緣膠體
22A:第一絕緣顆粒
2B:第二絕緣封裝體
201B:第一側端部
202B:第二側端部
21B:第二絕緣膠體
22B:第二絕緣顆粒
3:電極組件
31:第一電極結構
311:第一內埋部
312:第一外露部
313:第一內部導電層
314:第一中間導電層
315:第一外部導電層
32:第二電極結構
321:第二內埋部
322:第二外露部
323:第二內部導電層
324:第二中間導電層
325:第二外部導電層
33:導電承載基板
V:氣孔
圖1為本發明所提供的電容器結構的剖面示意圖。
圖2為本發明第一實施例所提供的多個第一絕緣封裝體分別容置於電容器組件的多個堆疊間隙內的剖面示意圖。
圖3為本發明第一實施例所提供的電容器組件封裝結構的剖面示意圖。
圖4為本發明第二實施例所提供的多個第一絕緣封裝體分別容置於電容器組件的多個堆疊間隙內的剖面示意圖。
圖5為本發明第二實施例所提供的電容器組件封裝結構的剖面示意圖。
圖6為本發明第三實施例所提供的多個第一絕緣封裝體分別容置於電容器組件的多個堆疊間隙內的剖面示意圖。
圖7為本發明第三實施例所提供的電容器組件封裝結構的剖面示意圖。
圖8為本發明第四實施例所提供的電容器結構封裝方法的流程圖。
圖9為本發明第五實施例所提供的電子裝置的功能方塊圖。
S:電容器組件封裝結構
1:電容器組件
10:電容器結構
1000:堆疊間隙
P:正極部
N:負極部
100B:第二部分
2A:第一絕緣封裝體
21A:第一絕緣膠體
22A:第一絕緣顆粒
2B:第二絕緣封裝體
21B:第二絕緣膠體
22B:第二絕緣顆粒
3:電極組件
31:第一電極結構
311:第一內埋部
312:第一外露部
32:第二電極結構
321:第二內埋部
322:第二外露部
V:氣孔
Claims (10)
- 一種電容器組件封裝結構，所述電容器組件封裝結構包括： 一電容器組件，所述電容器組件包括堆疊設置且彼此電性連接的多個電容器結構，每一所述電容器結構具有一正極部以及一負極部，所述電容器組件具有多個堆疊間隙，每一所述堆疊間隙相對應地形成於相鄰的兩個所述電容器結構之間； 多個第一絕緣封裝體，多個所述第一絕緣封裝體被配置以用於分別容置於所述電容器組件的多個所述堆疊間隙內； 一第二絕緣封裝體，所述第二絕緣封裝體被配置以用於包覆多個所述第一絕緣封裝體以及多個所述電容器結構；以及 一電極組件，所述電極組件包括一第一電極結構以及一第二電極結構，所述第一電極結構與所述第二絕緣封裝體相互配合且電性連接於所述電容器結構的所述正極部，所述第二電極結構與所述第二絕緣封裝體相互配合且電性連接於所述電容器結構的所述負極部； 其中，每一所述第一絕緣封裝體的固含量小於所述第二絕緣封裝體的固含量； 其中，多個所述第一絕緣封裝體的加總體積小於所述第二絕緣封裝體的體積； 其中，每一所述第一絕緣封裝體以及所述第二絕緣封裝體具有相同或者相異的絕緣材料。
- 如請求項1所述的電容器組件封裝結構， 其中，每一所述電容器結構包括一金屬箔片、環繞地設置在所述金屬箔片的一第一部分上的一絕緣限位層、用於包覆所述金屬箔片的所述第一部分且接觸所述絕緣限位層的一導電高分子層、用於包覆所述導電高分子層且接觸所述絕緣限位層的一碳膠層以及用於包覆所述碳膠層且接觸所述絕緣限位層的銀膠層； 其中，每一所述電容器結構的所述金屬箔片的一第二部分未被所述絕緣限位層所覆蓋，且多個所述電容器結構的多個所述金屬箔片的多個所述第二部分堆疊設置或者彼此分離； 其中，每一所述第一絕緣封裝體的固含量介於5%與79%之間，且所述第二絕緣封裝體的固含量介於80%與95%之間； 其中，多個所述第一絕緣封裝體具有相同的絕緣材料，且多個所述第一絕緣封裝體具有相同的固含量； 其中，每一所述第一絕緣封裝體包括一第一絕緣膠體以及混入所述第一絕緣膠體內的多個第一絕緣顆粒，且所述第二絕緣封裝體包括一第二絕緣膠體以及混入所述第二絕緣膠體內的多個第二絕緣顆粒； 其中，每一所述第一絕緣封裝體的所述第一絕緣膠體的材料為矽膠或者環氧樹脂，且每一所述第一絕緣封裝體的每一所述第一絕緣顆粒的材料為二氧化矽或者三氧化二鋁； 其中，所述第二絕緣封裝體的所述第二絕緣膠體的材料為矽膠或者環氧樹脂，且所述第二絕緣封裝體的每一所述第二絕緣顆粒的材料為二氧化矽或者三氧化二鋁； 其中，每一所述第一絕緣封裝體的多個所述第一絕緣顆粒的密度小於所述第二絕緣封裝體的多個所述第二絕緣顆粒的密度； 其中，每一所述第一絕緣封裝體的所述第一絕緣膠體以及所述第二絕緣封裝體的所述第二絕緣膠體具有相同的絕緣材料或者相異的絕緣材料，且每一所述第一絕緣封裝體的每一所述第一絕緣顆粒以及所述第二絕緣封裝體的每一所述第二絕緣顆粒具有相同的絕緣材料或者相異的絕緣材料； 其中，多個所述第一絕緣封裝體被配置以用於分別填充所述電容器組件的多個所述堆疊間隙，藉此以降低形成於所述電容器組件的每一所述堆疊間隙內的多個氣孔的百分比； 其中，所述電容器組件的每一所述堆疊間隙被相對應的所述第一絕緣封裝體所封填的封填率介於85%與95%之間。
- 如請求項1所述的電容器組件封裝結構， 其中，所述電極組件為一導電引腳組件或者一側端電極組件； 其中，當所述電極組件為所述導電引腳組件時，所述電極組件的所述第一電極結構包括被所述第二絕緣封裝體所包覆的一第一內埋部以及連接於所述第一內埋部且裸露在所述第二絕緣封裝體外部的一第一外露部，所述第一電極結構的所述第一內埋部電性連接於所述電容器結構的所述正極部，且所述第一電極結構的所述第一外露部沿著所述第二絕緣封裝體的外表面延伸； 其中，當所述電極組件為所述導電引腳組件時，所述電極組件的所述第二電極結構包括被所述第二絕緣封裝體所包覆的一第二內埋部以及連接於所述第二內埋部且裸露在所述第二絕緣封裝體外部的一第二外露部，所述第二電極結構的所述第二內埋部電性連接於所述電容器結構的所述負極部，且所述第二電極結構的所述第二外露部沿著所述第二絕緣封裝體的外表面延伸； 其中，當所述電極組件為所述側端電極組件時，所述電極組件的所述第一電極結構包括被配置以用於覆蓋所述第二絕緣封裝體的一第一側端部且電性連接於所述電容器結構的所述正極部的一第一內部導電層、被配置以用於覆蓋所述第一內部導電層的一第一中間導電層以及被配置以用於覆蓋所述第一中間導電層的一第一外部導電層，所述第一內部導電層為Ag層與Cu層兩者其中之一，所述第一中間導電層為Ni層，且所述第一外部導電層為Sn層； 其中，當所述電極組件為所述側端電極組件時，所述電極組件的所述第二電極結構包括被配置以用於覆蓋所述第二絕緣封裝體的一第二側端部且電性連接於所述電容器結構的所述負極部的一第二內部導電層、被配置以用於覆蓋所述第二內部導電層的一第二中間導電層以及被配置以用於覆蓋所述第二中間導電層的一第二外部導電層，所述第二內部導電層為Ag層與Cu層兩者其中之一，所述第二中間導電層為Ni層，且所述第二外部導電層為Sn層； 其中，當所述電極組件為所述側端電極組件時，多個所述電容器結構被一導電承載基板所承載，且所述電容器結構的所述負極部透過所述導電承載基板以電性連接於所述電極組件的所述第二電極結構。
- 一種電容器結構封裝方法，所述電容器結構封裝方法包括： 提供一電容器組件，所述電容器組件包括堆疊設置且彼此電性連接的多個電容器結構，每一所述電容器結構具有一正極部以及一負極部，所述電容器組件具有多個堆疊間隙，每一所述堆疊間隙相對應地形成於相鄰的兩個所述電容器結構之間； 形成多個第一絕緣封裝體，以用於分別容置於所述電容器組件的多個所述堆疊間隙內；以及 形成一第二絕緣封裝體，以用於包覆多個所述第一絕緣封裝體以及多個所述電容器結構； 其中，每一所述第一絕緣封裝體的固含量小於所述第二絕緣封裝體的固含量； 其中，多個所述第一絕緣封裝體的加總體積小於所述第二絕緣封裝體的體積； 其中，每一所述第一絕緣封裝體以及所述第二絕緣封裝體具有相同或者相異的絕緣材料。
- 如請求項4所述的電容器結構封裝方法， 其中，在提供所述電容器組件的步驟中，多個所述電容器結構堆疊設置在一電極組件上； 其中，所述電極組件包括一第一電極結構以及一第二電極結構，所述第一電極結構與所述第二絕緣封裝體相互配合且電性連接於所述電容器結構的所述正極部，所述第二電極結構與所述第二絕緣封裝體相互配合且電性連接於所述電容器結構的所述負極部； 其中，所述電極組件的所述第一電極結構包括被所述第二絕緣封裝體所包覆的一第一內埋部以及連接於所述第一內埋部且裸露在所述第二絕緣封裝體外部的一第一外露部，所述第一電極結構的所述第一內埋部電性連接於所述電容器結構的所述正極部，且所述第一電極結構的所述第一外露部沿著所述第二絕緣封裝體的外表面延伸； 其中，所述電極組件的所述第二電極結構包括被所述第二絕緣封裝體所包覆的一第二內埋部以及連接於所述第二內埋部且裸露在所述第二絕緣封裝體外部的一第二外露部，所述第二電極結構的所述第二內埋部電性連接於所述電容器結構的所述負極部，且所述第二電極結構的所述第二外露部沿著所述第二絕緣封裝體的外表面延伸。
- 如請求項4所述的電容器結構封裝方法， 其中，在形成所述第二絕緣封裝體的步驟後，一電極組件與所述第二絕緣封裝體相互配合，以電性連接於所述電容器組件； 其中，所述電極組件包括一第一電極結構以及一第二電極結構，所述第一電極結構與所述第二絕緣封裝體相互配合且電性連接於所述電容器結構的所述正極部，所述第二電極結構與所述第二絕緣封裝體相互配合且電性連接於所述電容器結構的所述負極部； 其中，所述電極組件的所述第一電極結構包括被配置以用於覆蓋所述第二絕緣封裝體的一第一側端部且電性連接於所述電容器結構的所述正極部的一第一內部導電層、被配置以用於覆蓋所述第一內部導電層的一第一中間導電層以及被配置以用於覆蓋所述第一中間導電層的一第一外部導電層，所述第一內部導電層為Ag層與Cu層兩者其中之一，所述第一中間導電層為Ni層，且所述第一外部導電層為Sn層； 其中，所述電極組件的所述第二電極結構包括被配置以用於覆蓋所述第二絕緣封裝體的一第二側端部且電性連接於所述電容器結構的所述負極部的一第二內部導電層、被配置以用於覆蓋所述第二內部導電層的一第二中間導電層以及被配置以用於覆蓋所述第二中間導電層的一第二外部導電層，所述第二內部導電層為Ag層與Cu層兩者其中之一，所述第二中間導電層為Ni層，且所述第二外部導電層為Sn層； 其中，在提供所述電容器組件的步驟中，多個所述電容器結構被一導電承載基板所承載，且所述電容器結構的所述負極部透過所述導電承載基板以電性連接於所述電極組件的所述第二電極結構。
- 如請求項4所述的電容器結構封裝方法， 其中，每一所述電容器結構包括一金屬箔片、環繞地設置在所述金屬箔片的一第一部分上的一絕緣限位層、用於包覆所述金屬箔片的所述第一部分且接觸所述絕緣限位層的一導電高分子層、用於包覆所述導電高分子層且接觸所述絕緣限位層的一碳膠層以及用於包覆所述碳膠層且接觸所述絕緣限位層的銀膠層； 其中，每一所述電容器結構的所述金屬箔片的一第二部分未被所述絕緣限位層所覆蓋，且多個所述電容器結構的多個所述金屬箔片的多個所述第二部分堆疊設置或者彼此分離； 其中，每一所述第一絕緣封裝體的固含量介於5%與79%之間，且所述第二絕緣封裝體的固含量介於80%與95%之間； 其中，多個所述第一絕緣封裝體具有相同的絕緣材料，且多個所述第一絕緣封裝體具有相同的固含量； 其中，每一所述第一絕緣封裝體包括一第一絕緣膠體以及混入所述第一絕緣膠體內的多個第一絕緣顆粒，且所述第二絕緣封裝體包括一第二絕緣膠體以及混入所述第二絕緣膠體內的多個第二絕緣顆粒； 其中，每一所述第一絕緣封裝體的所述第一絕緣膠體的材料為矽膠或者環氧樹脂，且每一所述第一絕緣封裝體的每一所述第一絕緣顆粒的材料為二氧化矽或者三氧化二鋁； 其中，所述第二絕緣封裝體的所述第二絕緣膠體的材料為矽膠或者環氧樹脂，且所述第二絕緣封裝體的每一所述第二絕緣顆粒的材料為二氧化矽或者三氧化二鋁； 其中，每一所述第一絕緣封裝體的多個所述第一絕緣顆粒的密度小於所述第二絕緣封裝體的多個所述第二絕緣顆粒的密度； 其中，每一所述第一絕緣封裝體的所述第一絕緣膠體以及所述第二絕緣封裝體的所述第二絕緣膠體具有相同的絕緣材料或者相異的絕緣材料，且每一所述第一絕緣封裝體的每一所述第一絕緣顆粒以及所述第二絕緣封裝體的每一所述第二絕緣顆粒具有相同的絕緣材料或者相異的絕緣材料； 其中，多個所述第一絕緣封裝體被配置以用於分別填充所述電容器組件的多個所述堆疊間隙，藉此以降低形成於所述電容器組件的每一所述堆疊間隙內的多個氣孔的百分比； 其中，所述電容器組件的每一所述堆疊間隙被相對應的所述第一絕緣封裝體所封填的封填率介於85%與95%之間。
- 一種電子裝置，所述電子裝置使用一電容器組件封裝結構，其特徵在於，所述電容器組件封裝結構包括： 一電容器組件，所述電容器組件包括堆疊設置且彼此電性連接的多個電容器結構，每一所述電容器結構具有一正極部以及一負極部，所述電容器組件具有多個堆疊間隙，每一所述堆疊間隙相對應地形成於相鄰的兩個所述電容器結構之間； 多個第一絕緣封裝體，多個所述第一絕緣封裝體被配置以用於分別容置於所述電容器組件的多個所述堆疊間隙內； 一第二絕緣封裝體，所述第二絕緣封裝體被配置以用於包覆多個所述第一絕緣封裝體以及多個所述電容器結構；以及 一電極組件，所述電極組件包括一第一電極結構以及一第二電極結構，所述第一電極結構與所述第二絕緣封裝體相互配合且電性連接於所述電容器結構的所述正極部，所述第二電極結構與所述第二絕緣封裝體相互配合且電性連接於所述電容器結構的所述負極部； 其中，每一所述第一絕緣封裝體的固含量小於所述第二絕緣封裝體的固含量； 其中，多個所述第一絕緣封裝體的加總體積小於所述第二絕緣封裝體的體積； 其中，每一所述第一絕緣封裝體以及所述第二絕緣封裝體具有相同或者相異的絕緣材料。
- 如請求項8所述的電子裝置， 其中，每一所述電容器結構包括一金屬箔片、環繞地設置在所述金屬箔片的一第一部分上的一絕緣限位層、用於包覆所述金屬箔片的所述第一部分且接觸所述絕緣限位層的一導電高分子層、用於包覆所述導電高分子層且接觸所述絕緣限位層的一碳膠層以及用於包覆所述碳膠層且接觸所述絕緣限位層的銀膠層； 其中，每一所述電容器結構的所述金屬箔片的一第二部分未被所述絕緣限位層所覆蓋，且多個所述電容器結構的多個所述金屬箔片的多個所述第二部分堆疊設置或者彼此分離； 其中，每一所述第一絕緣封裝體的固含量介於5%與79%之間，且所述第二絕緣封裝體的固含量介於80%與95%之間； 其中，多個所述第一絕緣封裝體具有相同的絕緣材料，且多個所述第一絕緣封裝體具有相同的固含量； 其中，每一所述第一絕緣封裝體包括一第一絕緣膠體以及混入所述第一絕緣膠體內的多個第一絕緣顆粒，且所述第二絕緣封裝體包括一第二絕緣膠體以及混入所述第二絕緣膠體內的多個第二絕緣顆粒； 其中，每一所述第一絕緣封裝體的所述第一絕緣膠體的材料為矽膠或者環氧樹脂，且每一所述第一絕緣封裝體的每一所述第一絕緣顆粒的材料為二氧化矽或者三氧化二鋁； 其中，所述第二絕緣封裝體的所述第二絕緣膠體的材料為矽膠或者環氧樹脂，且所述第二絕緣封裝體的每一所述第二絕緣顆粒的材料為二氧化矽或者三氧化二鋁； 其中，每一所述第一絕緣封裝體的多個所述第一絕緣顆粒的密度小於所述第二絕緣封裝體的多個所述第二絕緣顆粒的密度； 其中，每一所述第一絕緣封裝體的所述第一絕緣膠體以及所述第二絕緣封裝體的所述第二絕緣膠體具有相同的絕緣材料或者相異的絕緣材料，且每一所述第一絕緣封裝體的每一所述第一絕緣顆粒以及所述第二絕緣封裝體的每一所述第二絕緣顆粒具有相同的絕緣材料或者相異的絕緣材料； 其中，多個所述第一絕緣封裝體被配置以用於分別填充所述電容器組件的多個所述堆疊間隙，藉此以降低形成於所述電容器組件的每一所述堆疊間隙內的多個氣孔的百分比； 其中，所述電容器組件的每一所述堆疊間隙被相對應的所述第一絕緣封裝體所封填的封填率介於85%與95%之間。
- 如請求項8所述的電子裝置， 其中，所述電極組件為一導電引腳組件或者一側端電極組件； 其中，當所述電極組件為所述導電引腳組件時，所述電極組件的所述第一電極結構包括被所述第二絕緣封裝體所包覆的一第一內埋部以及連接於所述第一內埋部且裸露在所述第二絕緣封裝體外部的一第一外露部，所述第一電極結構的所述第一內埋部電性連接於所述電容器結構的所述正極部，且所述第一電極結構的所述第一外露部沿著所述第二絕緣封裝體的外表面延伸； 其中，當所述電極組件為所述導電引腳組件時，所述電極組件的所述第二電極結構包括被所述第二絕緣封裝體所包覆的一第二內埋部以及連接於所述第二內埋部且裸露在所述第二絕緣封裝體外部的一第二外露部，所述第二電極結構的所述第二內埋部電性連接於所述電容器結構的所述負極部，且所述第二電極結構的所述第二外露部沿著所述第二絕緣封裝體的外表面延伸； 其中，當所述電極組件為所述側端電極組件時，所述電極組件的所述第一電極結構包括被配置以用於覆蓋所述第二絕緣封裝體的一第一側端部且電性連接於所述電容器結構的所述正極部的一第一內部導電層、被配置以用於覆蓋所述第一內部導電層的一第一中間導電層以及被配置以用於覆蓋所述第一中間導電層的一第一外部導電層，所述第一內部導電層為Ag層與Cu層兩者其中之一，所述第一中間導電層為Ni層，且所述第一外部導電層為Sn層； 其中，當所述電極組件為所述側端電極組件時，所述電極組件的所述第二電極結構包括被配置以用於覆蓋所述第二絕緣封裝體的一第二側端部且電性連接於所述電容器結構的所述負極部的一第二內部導電層、被配置以用於覆蓋所述第二內部導電層的一第二中間導電層以及被配置以用於覆蓋所述第二中間導電層的一第二外部導電層，所述第二內部導電層為Ag層與Cu層兩者其中之一，所述第二中間導電層為Ni層，且所述第二外部導電層為Sn層； 其中，當所述電極組件為所述側端電極組件時，多個所述電容器結構被一導電承載基板所承載，且所述電容器結構的所述負極部透過所述導電承載基板以電性連接於所述電極組件的所述第二電極結構。
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI840305B true TWI840305B (zh) | 2024-04-21 |
Family
ID=
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106158395A (zh) | 2016-08-12 | 2016-11-23 | 深圳博磊达新能源科技有限公司 | 一种正极复合材料，正极极片及超级电容器 |
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106158395A (zh) | 2016-08-12 | 2016-11-23 | 深圳博磊达新能源科技有限公司 | 一种正极复合材料，正极极片及超级电容器 |
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