TWI839970B - 電子裝置 - Google Patents

Abstract

一種電子裝置包括電路基板、電子元件、平坦層、第一透明導電層及第二透明導電層。電子元件與平坦層設置在電路基板上，平坦層包括頂面及第一通孔。第一透明導電層設置在第一通孔中，且電性連接電路基板。第二透明導電層設置在頂面，且延伸至第一通孔中電性連接第一透明導電層。電子元件電性連接第二透明導電層，第一透明導電層的材料不同於第二透明導電層的材料。一種電子裝置的製造方法亦被提出。

Description

電子裝置

本發明是有關於一種電子裝置，且特別是有關於一種具有混合接觸結構的電子裝置。

在薄膜電晶體(TFT)或是電子元件與線路跨層連接過程中，採用平坦層能夠平整電子元件的基板上因各種不同層圖案所造成的面內段差。

然而，當平坦層的所需厚度過厚時，容易使跨越平坦層的導電層需要延伸過長的坡度而容易斷線，影響電子元件的電性連接。而當電子元件的導電層需有高透光度的要求時(例如光學感測裝置、指紋辨識裝置或顯示裝置等)，由於金屬材料容易遮光不適用之外，採用透明導電材料(例如氧化錫銦)也容易因過厚的平坦層導致透明導電材料需延伸過長的坡度，造成透明導電材料沉積不易且容易斷線。如何解決上述問題已成為相關廠商重要課題。

本發明提供一種電子裝置，增加導電層電性連接的可靠 性。

本發明提供一種電子裝置的製造方法，可降低導電層在平坦層的坡度上的設置難度。

本發明的電子裝置包括電路基板、電子元件、平坦層、第一透明導電層及第二透明導電層。電子元件與平坦層設置在電路基板上，平坦層包括頂面及第一通孔。第一透明導電層設置在第一通孔中，且電性連接電路基板。第二透明導電層設置在頂面，且延伸至第一通孔中電性連接第一透明導電層。電子元件電性連接第二透明導電層，第一透明導電層的材料不同於第二透明導電層的材料。

本發明還提供一種電子裝置的製造方法，包括提供電路基板，設置電子元件於電路基板上。設置平坦層於電路基板上，形成第一通孔於平坦層中。設置第一透明導電層於第一通孔中，且電性連接電路基板。設置第二透明導電層於平坦層的頂面。第二透明導電層電性連接電子元件且延伸至第一通孔中電性連接第一透明導電層。其中第一透明導電層的材料不同於第二透明導電層的材料。

基於上述，本發明的電子裝置利用第一透明導電層的材料不同於第二透明導電層的材料。在電子裝置需要高透光度的導電層以及高厚度的平坦層時，由於第一透明導電層及第二透明導電層具高透光性，對電子裝置的光學性質影響較小。不但如此，由於第一透明導電層可選用較易設置的材料，並且第二透明導電 層延伸至平坦層的第一通孔中電性連接第一透明導電層，使得第二透明導電層不需要磊晶過厚的高度，減少第二透明導電層爬坡的高度，降低導電層的設置難度以及斷線風險，增加了電子裝置的良率。本發明亦提供一種電子裝置的製造方法，利用第一透明導電層的材料不同於第二透明導電層，可降低第二透明導電層的設置難度。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

1A、1B、1C:電子裝置

100:電路基板

101:驅動層

102:第一絕緣層

1021:第一電路層

103:第二絕緣層

1031:第二電路層

104:第三絕緣層

1041:第三電路層

105:黏著層

106:保護層

110:電子元件

110S:電子元件的側壁

111:電極

111A:接面

112:另一電極

112A:接面

120:平坦層

120T:頂面

130:第一透明導電層

140:第二透明導電層

G:間隙

H1:第一通孔

H2:第二通孔

H2S:第二通孔的側壁

OP:開口

S:間隔

SW:開關元件

T1:第一轉接孔

T2:第二轉接孔

T3:第三轉接孔

Th1:第一透明導電層的厚度

Th2:平坦層的厚度

UC:底切

圖1是本發明第一實施例的電子裝置的剖視示意圖。

圖2是本發明第二實施例的電子裝置的剖視示意圖。

圖3A至圖3E是本發明第一實施例的電子裝置的製造流程示意圖。

圖4A至圖4E是本發明第二實施例的電子裝置的製造流程示意圖。

圖5是本發明第三實施例的電子裝置的俯視示意圖。

本文使用的「約」、「近似」、「本質上」、或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差 範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即，測量系統的限制)。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或例如±30%、±20%、±15%、±10%、±5%內。再者，本文使用的「約」、「近似」、「本質上」、或「實質上」可依量測性質、切割性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。

在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」可為二元件間存在其它元件。

現將詳細地參考本發明的示範性實施方式，示範性實施方式的實例說明於所附圖式中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。

圖1是本發明第一實施例的電子裝置的剖視示意圖。請參照圖1，本實施例的電子裝置1A包括電路基板100、電子元件110、平坦層120、第一透明導電層130及第二透明導電層140。電子元件110與平坦層120設置在電路基板100上，平坦層120包括頂面120T及第一通孔H1。第一透明導電層130設置在第一通孔H1中，且第一透明導電層130電性連接電路基板100。第二 透明導電層140設置在頂面120T上，並延伸至第一通孔H1中電性連接第一透明導電層130。電子元件110電性連接第二透明導電層140。

詳細來說，電路基板100可以包括驅動電路層、多層電路層以及多層絕緣層。例如本實施例的電路基板100包括驅動層101、第一絕緣層102、第二絕緣層103、第三絕緣層104、第一電路層1021、第二電路層1031以及第三電路層1041。第一絕緣層102、第二絕緣層103、第三絕緣層104的材料可以是氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁等絕緣材料，也可以是環氧樹脂或酚醛樹脂等有機絕緣材料。第一電路層1021、第二電路層1031以及第三電路層1041的材料可以是銅、鋁、銀、金、合金、或其他合適的材料、或是金屬材料與其他導電材料的堆疊層等。驅動層101可以包括開關元件SW或者畫素電路結構(未示出)電性連接至其他構件。所謂的畫素電路結構可包括主動元件、電容、電源線、訊號線(例如資料線、掃描線)等等。當然，本發明並不限於絕緣層的數量或是電路層的數量與材料種類。

第一電路層1021、第二電路層1031以及第三電路層1041彼此之間可以經由第二絕緣層103和第三絕緣層104達成分層設置，並經由貫穿第二絕緣層103的第二轉接孔T2以及貫穿第三絕緣層104的第三轉接孔T3實現電性連接。舉例來說，開關元件SW可控制電訊號的通過，使電訊號可經由與開關元件SW電性連接的第一轉接孔T1、第二電路層1031的第二轉接孔T2、第三電 路層1041的第三轉接孔T3、第一透明導電層130、第二透明導電層140依序傳遞至電子元件110。

須說明的是，實施例的圖示僅示意性地繪示出開關元件SW的結構簡圖，以說明其與各電路層之間的電性連接關係。本領域中具有通常知識者當可根據實際的電路需求來形成合適的開關元件SW結構。

此外，第一絕緣層102及第二絕緣層103之間、以及第二絕緣層103與第三絕緣層104之間還可以包括黏著層105。舉例來說，黏著層105可以設置在第一電路層1021與第一絕緣層102之間，或者設置在第二電路層1031與第二絕緣層103之間，藉此增加第一電路層1021和第一絕緣層102之間的接合強度，或者增加第二電路層1031和第二絕緣層103之間的接合強度。此外電路基板100也可以包括保護層106，設置在第二電路層1031之上，以及設置在第三電路層1041的各導電圖案之間(例如圖1中第三轉接孔T3與第三電路層1041之間)，藉此保護層106可以防止第二電路層1031以及第三電路層1041的腐蝕或氧化，確保各電路層的導電性不受影響。

電子元件110可以包括電極111以及另一電極112，電極111的接面111A可直接接觸第二透明導電層140，以實現電極111與第二透明導電層140的電性連接。並且另一電極112的接面112A可以電性連接第三電路層1041，以實現另一電極112與電路基板100的電性連接。據此，電子元件110可以實現電極111與另一電 極112分別接收不同的電訊號(例如不同電位)，使電子元件110得以運作。電極111和另一電極112可以為金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)鍺金(GeAu)或其它適合與第二透明導電層140、P型半導體及N型半導體產生產生歐姆接觸(ohmic contact)的金屬或合金，以及適合與電路基板100的第三電路層1041以及焊接金屬(未示出)產生連接的材料，本發明並不限於此。

更進一步來說，電子裝置1A可以是顯示裝置，電子元件110例如是微型發光二極體(Micro Light Emitting Diode,μLED)、次毫米發光二極體(mini light emitting diode，mini-LED)或是發光二極體(light emitting diode，mini-LED)，其結構例如是垂直型發光二極體，由於垂直型發光二極體佔位面積小及可承載較高電流，可進一步提高電子元件110的設置密度，亦即提高發光二極體的設置密度，提高顯示裝置的解析度。在一些實施例中，電子元件110也可以是其他功能元件，以提供需要的功能。舉例而言，功能元件可包括顯示元件、觸控元件、感測元件等。於驅動層101的畫素電路結構可用於驅動功能元件，使電子元件110提供顯示功能、觸控功能、感測功能或其組合。換言之，電子裝置1A可以為發光裝置、顯示裝置、觸控裝置、感測裝置或是多重功能的裝置。

平坦層120的材料可以是光阻液，例如採用正光阻，可有利於在平坦層120上形成高解析度的圖案。或是採用負光阻，有利於降低平坦層120的設置成本。並將光阻液塗布於電路基板 100後，利用曝光、烘烤、乾燥後形成平坦層120。當然，本發明不限於此。

需特別說明的是，本發明的第二透明導電層140可直接接觸第一透明導電層130，並且第一透明導電層130和第二透明導電層140的材料不同。

詳細來說，第一透明導電層130的材料為摻雜導電材料的透明有機材料，其中導電材料包括二氧化錫、石墨稀以及氧化銻中的其中一者。透明有機材料例如包括3，4-乙烯二氧噻吩單體的聚合物(PEDOT)以及聚苯乙烯磺酸鹽(PSS)。具體來說，第一透明導電層130可以是摻雜氧化錫(Antimony Tin Oxide,ATO)或是全有機複合材料(All-organic Composites,AOC)。第二透明導電層140的材料包括金屬氧化物，例如：氧化錫銦(Indium Tin Oxide,ITO)、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少兩者之堆疊層。換句話說，本實施例的第一透明導電層130和第二透明導電層140為一種混合接觸型電極。

由於現行的透明導電材料氧化錫銦(ITO)，多是採用濺鍍等物理氣相沉積方式來製備。而在需沉積厚度較厚的ITO薄膜時(例如圖1中第一通孔H1有較高的高度)，造成ITO也需爬升過高的高度而容易導致斷線、過厚的ITO薄膜也易使ITO發生結晶而導致ITO膜厚不均而難以掌控，影響ITO之光學特性及導電性。

而承上所述，由於第一透明導電層130以及第二透明導電層140的材料不同，故第一透明導電層130可以採用不同於第 二透明導電層140的製造方法，例如將第一透明導電層130配置成溶液後採用噴灑塗布法。這可以降低第二透明導電層140的濺鍍製程時間，降低第二透明導電層140材料的用量。

不但如此，由於第一透明導電層130位於電路基板100及第二透明導電層140之間。經由第一透明導電層130先填入第一通孔H1中，使得第二透明導電層140填入第一通孔H1時不再須要磊晶過高的厚度或者爬升過高的坡度，大大減少第二透明導電層140發生斷線的機會。此外第二透明導電層140的厚度降低也有利於第二透明導電層140的透光性以及厚度均勻性，得以穩定電子元件110的電性連接。

值得一提的是，其中平坦層120還可以具有第二通孔H2，電子元件110設置在第二通孔H2中，電子元件110的另一電極112電性連接電路基板100，電子元件110的電極111則是電性連接第二透明導電層140。

具體來說，本實施例的電子元件110還可以進一步設置在平坦層120中並接觸第二通孔H2，並利用平坦層120加強電子元件110於種植區(例如另一電極112與第三電路層1041的接合處)的穩固。

然而本發明不限於此。在其他未示出的實施例中，若電子裝置1A所需厚度較高的平坦層120、且電子元件必需設置在平坦層120的頂面120T上之應用，也可以利用第一透明導電層130分別填入第一通孔H1接觸第三轉接孔T3，以及填入第二通孔H2 接觸第三電路層1041。並利用第二透明導電層140分別設置在第一透明導電層130之上，再將電子元件位於同一接觸方向的兩電極(例如覆晶式發光二極體)分別接合第二透明導電層140，以實現電子元件的電性連接。也可以減少第二透明導電層140在過厚的平坦層120中所需爬升的高度。

以下將列舉另一些實施例以詳細說明本發明，其中相同的構件將標示相同的符號，並且省略相同技術內容的說明，省略部分請參考前述實施例，以下不再贅述。

圖2是本發明第二實施例的電子裝置的剖視示意圖。請參照圖2，本實施例的電子裝置1B與電子裝置1A相似，其差異在於：本實施例的電子元件110的另一電極112是接觸第二透明導電層140，而電極111是接觸第三電路層1041。此外第二通孔H2的側壁H2S與電子元件110的側壁110S間具有間隙G，並且第一透明導電層130還進一步填入間隙G中。

詳細而言，本實施例的電子元件110例如為倒裝型電子元件(例如倒裝型微型發光二極體)，經由另一電極112的接面112A大於電極111的接面111A，可以增加接面112A與第二透明導電層140的接觸面積，增加電性連接效果。需注意的是，在圖2中第二透明導電層140是部分覆蓋接面112A，然而本發明不限於此。在其他實施例中，第二透明導電層140也可以是全面覆蓋接面112A。

而另一方面，由於倒裝型電子元件的設計，使得塗布平 坦層120可能會因平坦層120的材料流動性不足，使得平坦層120未完全接觸電子元件110的側壁110S以形成間隙G。或者，當平坦層120所需厚度過厚、於乾燥或烘烤去除光阻液中的溶劑形成平坦層120時，容易造成平坦層120的底部溶劑去除不佳，而易造成平坦層120的底切UC(undercut)結構問題。底切UC會造成電子元件110於電子裝置1B的種植區(例如圖2中第三導電層1041與接面111A的接合處)接合結構不穩，影響電子元件110的電性連接。

而由於本實施例的第一透明導電層130可進一步填入間隙G中，這使得第一透明導電層130可以減少底切UC結構造成的電子元件110結構不穩的問題，增加了電子元件110連接的可靠性，增進電子裝置1B的產品良率。而電子元件110為微型發光二極體、電子裝置1B為顯示裝置或發光裝置時，也可以降低微型發光二極體接合不良的風險、降低畫素壞點發生的機率。

值得一提的是，於第二通孔H2中，第一透明導電層130的厚度Th2約為平坦層120的厚度Th1的二分之一倍至三分之二倍。經由上述設計，可以避免第一透明導電層130填滿間隙G，使第一透明導電層130與另一電極112之間保持一適當距離，避免第一透明導電層130與另一電極112直接接觸而使電子元件110發生短路。

此外，平坦層120頂面120T與電子元件110的上部電極(例如圖2中的另一電極112)之間具有一水平方向的間隔S。間隔 S可例如是塗布平坦層120時，因平坦層120的材料流動性不佳而未能填滿電子元件110的周圍，造成後續製程(例如曝光、顯影製程等)使電子元件110的另一電極112露出平坦層120時容易產生間隔S。藉此，第一透明導電層130的材料可經由間隔S填入間隙G中，而完成第一透明導電層130的設置。需特別說明的是，圖2是為了容易理解而將間隔S標示於剖示圖上電子元件110的右側，然而本發明並不限制間隔S的位置，實際上間隔S可能出現在電子元件110的周圍任何位置。

圖3A至圖3E是本發明第一實施例的電子裝置的製造流程示意圖。請同時參照圖3A及圖3B，首先如圖3A所示，提供電路基板100。其中電路基板100的內部元件如絕緣層、轉接孔及電路層等等的相關內容可參照前述，此不贅述。接著如圖3B所示，設置電子元件110於電路基板100上。舉例來說，可利用表面接合技術將電子元件110的另一電極112接觸第三電路層1041。當電子元件110為微型化結構、例如微型發光二極體時，可以採用靜電轉移技術或是微轉印技術，將多個電子元件110轉移設置在電路基板100上。本發明並不以此為限。

請參照圖3C，接著設置平坦層120於電路基板100上，以及形成第一通孔H1於平坦層120中。詳細而言，設置平坦層120的方法可以是狹縫塗布法或者旋轉塗布法，將光阻液塗布在電路基板100上。並利用曝光和顯影製程，形成暴露第三轉接孔T3的第一通孔H1，以及利用烘烤、乾燥以及灰化除渣後形成平坦層 120，並使得電子元件110設置在平坦層120中。

請參照圖3D，接著設置第一透明導電層130於第一通孔H1中，且第一透明導電層130電性連接電路基板100。具體來說，設置第一透明導電層130的方法例如是噴墨塗布法，例如以噴嘴no噴灑含有第一透明導電層130材料的油墨，並使第一透明導電層130在第一通孔H1中接觸第三轉接孔T3。以達成第一透明導電層130與電路基板100的電連接。

請參照圖3E，接著設置不同材料的第二透明導電層140於平坦層120的頂面120T，其中第二透明導電層140電性連接電子元件110，且第二透明導電層140延伸至第一通孔H1中電性連接第一透明導電層130。更進一步來說，可以採用濺鍍法、真空蒸鍍法、或是脈衝雷射沉積法形成第二透明導電層140於平坦層120的頂面120T之後，再圖案化第二透明導電層140。並且第二透明導電層140的一端接觸電極111，而第二透明導電層140的另一部分填入第一通孔H1中接觸第一透明導電層130。於此完成電子裝置1A的製作。

圖4A至圖4E是本發明第二實施例的電子裝置的製造流程示意圖。請同時參照圖4A及圖4B，首先如圖4A所示，提供電路基板100。而設置電子元件110於電路基板100上的接合方式可參照前述段落，此不贅述。值得一提的是，如圖4B所示，此處可以是以電子元件110中具有較小的接面111A的電極111接觸第三電路層1041(亦即電極111接觸並電性連接電路基板100)，而具有 較大的接面112A的另一電極112相對而設。換句話說，電子元件110為倒裝型配置。

請參照圖4C，接著設置平坦層120於電路基板100上，以及形成第一通孔H1於平坦層120中。設置平坦層120以及第一通孔H1的方式可以參照前述段落，此不贅述。值得一提的是，由平坦層120所需厚度可能較厚，或者電子元件110為倒裝型配置，平坦層120可能因流動性不佳等問題，使得電子元件110設置於平坦層120中時，電子元件110與平坦層120之間具有間隙G，且電子元件110的另一電極112與平坦層120的頂面120T具有一水平方向的間隔S。

請參照圖4D，圖4D的製造流程與前述的圖3D製造流程相似，其差異在於：第一透明導電層130還設置於間隙G中。具體來說，可以如同前述利用噴墨塗布法，以噴嘴no噴灑含有第一透明導電層130材料的油墨，並使第一透明導電層130經油墨流入間隔S以填入間隙G中。由於可以經由噴墨塗布法借助油墨的流動性，第一透明導電層130可有效填入間隙G中，可以確保電子元件110的電極111電性連接電路基板100，以及增加電子元件110整體的穩固性。

如同前述，須注意的是噴墨塗布第一透明導電層130時，第一透明導電層130的厚度為平坦層120厚度的二分之一倍至三分之二倍，以免第一透明導電層130與另一電極112直接接觸而使電子元件110發生短路。

請參照圖4E，圖4E的製造流程與前述的圖3E製造流程相似，其差異在於：第二透明導電層140電性連接電子元件110的另一電極112。具體來說，由於圖4D的電子元件110是倒裝型配置，故具有較大接面112A的另一電極112可以和第二透明導電層140具有較大的接觸面積，可以增加電子元件110與第二透明導電層140的電性連接可靠性，據此，不論是電子元件110的電極111還是另一電極112，皆能夠確保其電性連接的可靠性，進一步提升了電子裝置1B的良率。於此完成電子裝置1B的製作。

圖5是本發明第三實施例的電子裝置的俯視示意圖。請參照圖5，本實施例的電子裝置1C與電子裝置1B相似，其差異在於：本實施例的平坦層120於頂面120T處，還包括連接第二通孔H2的開口OP。須注意的是，為了方便呈現，於圖5中省略了第二透明導電層140的繪示以及其餘元件的相對位置，省略部分請參考前述實施例，以下不再贅述。

具體而言，開口OP的設置方法可以是在圖4C於製作第一通孔H1時，一同利用曝光及顯影等製程製作而成。經由開口OP的設置，使得噴灑含有第一透明導電層130材料的油墨時，第一透明導電層130更容易流入間隙G中。不但如此，也由於開口OP增加了間隙G的容量，可進一步限制第一透明導電層130的厚度Th1，降低第一透明導電層130於間隙G中直接接觸另一電極112或直接接觸第二透明導電層140而發生短路的風險。

須注意的是，在圖5電子裝置1C的俯視圖中，開口OP 於平坦層120的投影與第二透明導電層140於平坦層120的投影錯開，意即開口OP與第二透明導電層140不重疊設置。例如開口OP可設置在圖5中另一電極112的右側，並且開口OP的孔徑朝著另一電極112的右側延伸。而第二透明導電層140的延伸方向例如可往另一電極112的左側延伸。當然本發明並不限於此。藉由上述配置，可避免第二透明導電層140填入開口OP而設置於間隙G中，增進電子元件110的電性連接可靠性。

綜上所述，本發明的電子裝置利用第一透明導電層的材料不同於第二透明導電層的材料。在電子裝置需要高透光度的導電層以及高厚度的平坦層時，由於第一透明導電層及第二透明導電層具高透光性對電子裝置的光學性質影響較小。不但如此，由於第一透明導電層可選用較易設置的材料，並且第二透明導電層延伸至平坦層的第一通孔中電性連接第一透明導電層，使得第二透明導電層不需要成長過多厚度，減少第二透明導電層爬坡的高度，降低導電層的設置難度以及斷線風險，增加了電子裝置的良率。本發明亦提供一種電子裝置的製造方法，利用第一透明導電層的材料不同於第二透明導電層，可降低第二透明導電層的設置難度。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

1B:電子裝置

100:電路基板

1041:第三電路層

110:電子元件

110S:電子元件的側壁

111:電極

111A:接面

112:另一電極

112A:接面

120:平坦層

120T:頂面

130:第一透明電極

140:第二透明電極

G:間隙

H1:第一通孔

H2:第二通孔

H2S:第二通孔的側壁

S:間隔

T3:第三轉接孔

Th1:第一透明導電層的厚度

Th2:平坦層的厚度

UC:底切

Claims (14)

1. 一種電子裝置，包括： 電路基板； 電子元件，設置在該電路基板上； 平坦層，設置在該電路基板上，該平坦層包括頂面及第一通孔； 第一透明導電層，設置在該第一通孔中且電性連接該電路基板；以及 第二透明導電層，設置在該頂面且延伸至該第一通孔中電性連接該第一透明導電層， 其中該電子元件電性連接該第二透明導電層，該第一透明導電層與該第二透明導電層材料不同。
2. 如請求項1所述的電子裝置，其中該平坦層具有第二通孔，該電子元件在該第二通孔中，該電子元件的一電極電性連接該電路基板，該電子元件的另一電極電性連接該第二透明導電層。
3. 如請求項2所述的電子裝置，其中該第一透明導電層的厚度為該平坦層的厚度的二分之一倍至三分之二倍。
4. 如請求項3所述的電子裝置，其中該第二通孔的側壁與該電子元件的側壁之間具有間隙，該第一透明導電層還進一步填入該間隙中。
5. 如請求項4所述的電子裝置，其中該平坦層還包括開口，該開口連接該第二通孔，且該開口不重疊於該第二透明導電層。
6. 如請求項1所述的電子裝置，其中該電子元件為垂直型微型發光二極體。
7. 如請求項1所述的電子裝置，其中該第一透明導電層的材料為摻雜導電材料的透明有機材料，該導電材料包括二氧化錫、石墨稀以及氧化銻中的其中一者，該第二透明導電材料包括氧化錫銦。
8. 一種電子裝置的製造方法，包括： 提供電路基板； 設置電子元件於該電路基板上； 設置平坦層於該電路基板上； 形成第一通孔於該平坦層中； 設置第一透明導電層於該第一通孔中且電性連接該電路基板； 設置第二透明導電層於該平坦層的頂面，且該第二透明導電層電性連接該電子元件，且該第二透明導電層延伸至該第一通孔中電性連接該第一透明導電層， 其中該第一透明導電層與該第二透明導電層材料不同。
9. 如請求項8所述的電子裝置的製造方法，更包括： 該電子元件設置在該平坦層中，該電子元件與該平坦層之間具有間隙，該第一透明導電層設置於該間隙中。
10. 如請求項9所述的電子裝置的製造方法，其中設置該第一透明導電層於該第一通孔及該間隙中的步驟更包括： 於該平坦層上設置開口，該開口連接該間隙且不重疊於該第二透明導電層。
11. 如請求項10所述的電子裝置的製造方法，其中設置該第一透明導電層於該第一通孔及該間隙中的步驟更包括： 噴墨塗布該第一透明導電層，且該第一透明導電層的厚度為該平坦層厚度的二分之一倍至三分之二倍。
12. 如請求項8所述的電子裝置的製造方法，其中該第一透明導電層的材料為摻雜導電材料的透明有機材料，該導電材料包括二氧化錫、石墨稀以及氧化銻其中一者，該第二透明導電材料包括氧化錫銦。
13. 如請求項8所述的電子裝置的製造方法，其中設置該電子元件於該電路基板上的步驟，包括該電子元件的一電極電性連接該電路基板，其中設置該第二透明導電層的步驟，還包括該第二透明導電層電性連接該電子元件的另一電極。
14. 如請求項8所述的電子裝置的製造方法，其中設置第二透明導電層於該平坦層的頂面的步驟，還包括濺鍍並圖案化該第二透明導電層。