TWI835352B - 可拉伸顯示面板 - Google Patents
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Abstract
一種可拉伸顯示面板，包括可拉伸膜、圖案化絕緣結構、多個發光元件、多條導線以及圖案化的硬罩幕層。可拉伸膜具有多個第一開口。圖案化絕緣結構包括多個島狀部以及多個橋接部。相鄰的島狀部經由對應的橋接部而相連。發光元件位於島狀部上方。多條導線位於橋接部中。圖案化的硬罩幕層覆蓋圖案化絕緣結構，且具有重疊於第一開口的多個第一通孔。圖案化的硬罩幕層的厚度小於或等於1000埃。
Description
本發明是有關於一種可拉伸顯示面板。
隨著顯示技術的發展，各種顯示裝置不斷推陳出新。為提升顯示裝置在市面上的競爭力，許多廠商致力於發展新穎的顯示裝置，其中可拉伸顯示裝置逐漸受到消費者重視。可拉伸顯示裝置可以依據不同的應用方式以及應用環境而具有不同的外型。舉例來說，可拉伸顯示裝置可以整合於球面上，藉此獲得球形的顯示裝置。
本發明提供一種可拉伸顯示面板，可以提升可拉伸膜之第一開口的良率。
本發明的至少一實施例提供一種可拉伸顯示面板，包括可拉伸膜、圖案化絕緣結構、多個發光元件、多條導線以及圖案化的硬罩幕層。可拉伸膜具有多個第一開口。圖案化絕緣結構包括多個島狀部以及多個橋接部。相鄰的島狀部經由對應的橋接部
而相連。發光元件位於島狀部上方。多條導線位於橋接部中。圖案化的硬罩幕層覆蓋圖案化絕緣結構，且具有重疊於第一開口的多個第一通孔。圖案化的硬罩幕層的厚度小於或等於1000埃。
本發明的至少一實施例提供一種可拉伸顯示面板的製造方法，包括以下步驟。形成圖案化絕緣結構於基板上，其中圖案化絕緣結構包括多個島狀部以及多個橋接部，且相鄰的島狀部經由對應的橋接部而相連。形成硬罩幕層於圖案化絕緣結構以及基板上。以去光阻液清洗硬罩幕層的表面。形成圖案化的光阻於硬罩幕層的表面。以圖案化的光阻為遮罩圖案化硬罩幕層，以形成圖案化的硬罩幕層。以圖案化的硬罩幕層為遮罩圖案化基板，以形成可拉伸膜。
10,20:拉伸顯示面板
100:可拉伸膜
100m:基板
210:第一絕緣層
220:第二絕緣層
230:第三絕緣層
310:第一緩衝層
320:第二緩衝層
330:第三緩衝層
340:第四緩衝層
410:第一導電層
411:第一源極/汲極
412,422,432:導線
414:第二源極/汲極
420:第二導電層
430:第三導電層
500:圖案化的硬罩幕層
500m:硬罩幕層
610:發光元件
612:導電連接結構
710:緩衝層
720:閘絕緣層
730:層間介電層
800:半導體層
a-a’,b-b’:線
AE:主動元件
C:載板
DV:去光阻液
EC:蝕刻劑
E1:第一方向
E2:第二方向
HW:水平寬度
L1,L2:距離
O1:第一開口
O2:第二開口
OP1,OP2:開口
P:接墊
PIS:圖案化絕緣結構
PL:電漿
PR:光阻層
PR’:圖案化的光阻
T1,T2:厚度
TP1:第一島狀部
TP2:第二島狀部
TH1:第一通孔
TH2:第二通孔
W1,W2,W3,W4:寬度
WP1:第一橋接部
WP2:第二橋接部
圖1A與圖1B是依照本發明的一實施例的一種可拉伸顯示面板的局部上視示意圖。
圖2是沿著圖1A的線a-a’、b-b’的剖面示意圖。
圖3A至圖3F是圖2的可拉伸顯示面板的製造方法的剖面示意圖。
圖4是依照本發明的一實施例的一種可拉伸顯示面板的剖面示意圖。
圖1A與圖1B是依照本發明的一實施例的一種可拉伸顯示面板的局部上視示意圖，其中圖1B是圖1A之可拉伸顯示面板沿著箭頭F的方向拉伸後的狀態。圖2是沿著圖1A的線a-a’、b-b’的剖面示意圖。圖1A與圖1B繪示了可拉伸膜100、圖案化絕緣結構PIS、以及發光元件610，並省略繪示其他構件。
請參考圖1A、圖1B、圖2A以及圖2B，可拉伸顯示面板10包括可拉伸膜100、圖案化絕緣結構PIS、多個發光元件610、多條導線412、422、432以及圖案化的硬罩幕層500。在本實施例中，可拉伸顯示面板10還包括接墊P。
可拉伸膜100具有多個第一開口O1。在本實施例中，可拉伸膜100包括多個第一島狀部TP1以及多個第一橋接部WP1。相鄰的第一島狀部TP1經由對應的第一橋接部WP1而相連。各第一橋接部WP1的寬度W1小於各第一島狀部TP1的寬度W2。第一島狀部TP1沿著第一方向E1以及第二方向E2排成陣列。至少部分第一橋接部WP1的兩端分別連接至對應的兩個的第一島狀部TP1。第一島狀部TP1中之至少兩個被第一開口O1隔開。在本實施例中，每個第一開口O1被第一島狀部TP1中對應的四個以及第一橋接部WP1中對應的四個所環繞。在本實施例中，可拉伸膜100的第一開口O1為啞鈴狀，部分第一開口O1沿著第一方向E1延伸，且另一部分第一開口O1沿著第二方向E2延伸。沿著第一方向E1延伸的部分第一開口O1以及沿著第二方向E2延伸的另一
部分第一開口O1交替排列，藉此提升可拉伸顯示面板10的可伸縮性。在圖1A中，以虛線表示第一橋接部WP1與第一島狀部TP1的連接位置以及第二橋接部WP2與第二島狀部TP2的連接位置。
在一些實施例中，可拉伸膜100的材質包括聚醯亞胺(polyimide；PI)、聚萘二甲酸乙醇酯(polyethylene naphthalate；PEN)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚碳酸酯(polycarbonates；PC)、聚醚碸(polyether sulfone；PES)或聚芳基酸酯(polyarylate)或其組合或其他合適的材料。在一些實施例中，可拉伸膜100選用可以承受薄膜電晶體製程的溫度的材料。在一些實施例中，可拉伸膜100的厚度T1為1微米至10微米。
圖案化絕緣結構PIS位於可拉伸膜100上。在本實施例中，圖案化絕緣結構PIS包括第一絕緣層210、第二絕緣層220以及第三絕緣層230，且選擇性地包括第一緩衝層310、第二緩衝層320以及第三緩衝層330。
第一絕緣層210位於可拉伸膜100上方。在一些實施例中，第一絕緣層210與可拉伸膜100之間選擇性地包括第一緩衝層310。
第二絕緣層220位於第一絕緣層210上方。在一些實施例中，第二絕緣層220與第一絕緣層210之間選擇性地包括第二緩衝層320。
第三絕緣層230位於第二絕緣層220上方。在一些實施
例中，第三絕緣層230與第二絕緣層220之間選擇性地包括第三緩衝層330。
在一些實施例中，圖案化絕緣結構PIS包括有機及無機絕緣材料，形成圖案化絕緣結構PIS的方法包括微影製程及蝕刻製程。舉例來說，第一絕緣層210、第二絕緣層220以及第三絕緣層230皆包括固化後的光阻材料，第一緩衝層310、第二緩衝層320以及第三緩衝層330包括經蝕刻以圖案化的無機材料。換句話說，圖案化絕緣結構PIS包括多層固化後的光阻層以及多層無機層的堆疊。
在本實施例中，圖案化絕緣結構PIS包括多個第二島狀部TP2以及多個第二橋接部WP2。相鄰的第二島狀部TP2經由對應的第二橋接部WP2而相連。各第二橋接部WP2的寬度W3小於各第二島狀部TP2的寬度W4。第二島狀部TP2沿著第一方向E1以及第二方向E2排成陣列。至少部分第二橋接部WP2的兩端分別連接至對應的兩個的第二島狀部TP2。第二島狀部TP2中之至少兩個被第二開口O2隔開。在本實施例中，每個第二開口O2被第二島狀部TP2中對應的四個以及第二橋接部WP2中對應的四個所環繞。在本實施例中，圖案化絕緣結構PIS的第二開口O2為啞鈴狀，部分第二開口O2沿著第一方向E1延伸，且另一部分第二開口O2沿著第二方向E2延伸。沿著第一方向E1延伸的部分第二開口O2以及沿著第二方向E2延伸的另一部分第二開口O2交替排列，藉此提升可拉伸顯示面板10的可伸縮性。在本實施例中，
圖案化絕緣結構PIS的第二開口O2重疊於可拉伸膜100的第一開口O1，而圖案化絕緣結構PIS的第二開口O2的尺寸大於可拉伸膜100的第一開口O1的尺寸。換句話說，圖案化絕緣結構PIS的垂直投影的面積小於可拉伸膜100的垂直投影的面積。
在本實施例中，圖案化絕緣結構PIS的第一絕緣層210、第一緩衝層310、第二絕緣層220、第二緩衝層320、第三絕緣層230以及第三緩衝層330位於第二島狀部TP2，且第一絕緣層210、第一緩衝層310、第二絕緣層220、第二緩衝層320、第三絕緣層230以及第三緩衝層330選擇性地延伸進第二橋接部WP2。在一些實施例中，第一緩衝層310、第二緩衝層320以及第三緩衝層330不延伸進第二橋接部WP2(即第二橋接部WP2中不包括無機絕緣材料)，藉此改善第二橋接部WP2在拉伸後出現斷裂的問題。在其他實施例中，第二橋接部WP2的厚度小於第二島狀部TP2的厚度。舉例來說，第二島狀部TP2包括比第二橋接部WP2更多層的絕緣層及/或更多層的緩衝層，但本發明不以為限。
在一些實施例中，各第二橋接部WP2位於第一橋接部WP1的對應的一個上，且各第二橋接部WP2的側面偏離於第一橋接部WP1的對應的一個的側面。具體地說，第二橋接部WP2與第一橋接部WP1的其中一個側面之間的距離L1大於第二橋接部WP2與第一橋接部WP1的另一個側面之間的距離L2。藉由將第二橋接部WP2偏移地設置於第一橋接部WP1上方，可以避免應力集中造成第二橋接部WP2中之導線412、422、432斷裂的問題。
雖然在本實施例中，第二橋接部WP2偏移地設置於第一橋接部WP1上方，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第二橋接部WP2對準第一橋接部WP1的中間設置，換句話說，距離L1選擇性地可以等於距離L2。
第一導電層410、第二導電層420以及第三導電層430位於圖案化絕緣結構PIS中。在本實施例中，第一導電層410位於可拉伸膜100上方以及選擇性地位於第一緩衝層310上方。第二導電層420位於第一絕緣層210上方以及選擇性地位於第二緩衝層320上方，且第二導電層420選擇性地電性連接至第一導電層410。舉例來說，部分第二導電層420透過第一絕緣層210中的導通孔而電性連接至第一導電層410。第三導電層430位於第二絕緣層220上方以及選擇性地位於第三緩衝層330上方，且第三導電層430選擇性地電性連接至第二導電層420。舉例來說，部分第三導電層430透過第二絕緣層220中的導通孔而電性連接至第二導電層420。
在本實施例中，第一導電層410、第二導電層420以及第三導電層430分別包括導線412、導線422以及導線432。導線412、422、432位於可拉伸膜100的第一橋接部WP1上方，且位於圖案化絕緣結構PIS的第二橋接部WP2中。在一些實施例中，部分或全部的導線412、422、432自圖案化絕緣結構PIS的第二橋接部WP2延伸進第二島狀部TP2。換句話說，導線412、422、432自第一橋接部WP1上方延伸進第一島狀部TP1上方。
在一些實施例中，第一導電層410、第二導電層420以及第三導電層430各自為單層或多層的導電結構，舉例來說，第一導電層410、第二導電層420以及第三導電層430各自為鈦/鋁/鈦的堆疊層，但本發明不以此為限。第一導電層410、第二導電層420以及第三導電層430可以包括鉻、金、銀、銅、錫、鉛、鉿、鎢、鉬、釹、鈦、鉭、鋁、鋅、鎳等金屬、上述金屬的合金或其他合適的導電材料。
接墊P設置於第二島狀部TP2的表面。在本實施例中，接墊P選擇性地位於部分第三導電層430上。在一些實施例中，接墊P包括導電氧化物，舉例來說，銦錫氧化物。
圖案化的硬罩幕層500覆蓋圖案化絕緣結構PIS。硬罩幕層500從圖案化絕緣結構PIS的頂面延伸進圖案化絕緣結構PIS的第二開口O2中，並覆蓋第二島狀部TP2以及第二橋接部WP2的側壁。圖案化的硬罩幕層500具有重疊於第一開口O1的多個第一通孔TH1以及重疊於接墊P的多個第二通孔TH2。在本實施例中，第一開口O1的寬度略大於第一通孔TH1的寬度，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一開口O1的寬度等於第一通孔TH1的寬度。
在一些實施例中，圖案化的硬罩幕層500包括金屬氧化物，例如氧化銦錫鋅或氧化銦鎵鋅。在一些實施例中，由於圖案化的硬罩幕層500為絕緣材料，因此，即使圖案化的硬罩幕層500接觸接墊P，也不會導致接墊P彼此短路。
在一些實施例中，第一通孔TH1包括陡峭的傾斜側壁，舉例來說，第一通孔TH1的傾斜側壁與圖案化的硬罩幕層500的底面之間的夾角例如為40°~60°。由於第一通孔TH1包括陡峭的傾斜側壁，可以避免第一通孔TH1的側壁於形成可拉伸膜100之第一開口O1的時候損壞，使第一開口O1的側壁更接近垂直面(即與側壁與底面之間的夾角接近90°)。在一些實施例中，圖案化的硬罩幕層500的厚度T2小於或等於1000埃。在一些實施例中，第一通孔TH1的傾斜側壁的水平寬度HW小於0.5微米(例如0.15微米)。由於圖案化的硬罩幕層500具有厚度薄的優點，因此，圖案化的硬罩幕層500對可拉伸顯示面板10的整體厚度影響不大，可以於製程中省去移除圖案化的硬罩幕層500的製程，使可拉伸顯示面板10保留圖案化的硬罩幕層500。
此外，在一些實施例中，圖案化的硬罩幕層500的表面可能會包含裂紋(未繪出)。一般而言，在拉伸可拉伸顯示面板10時，圖案化的硬罩幕層500的裂紋容易產生於第二橋接部WP2上，且前述裂紋的延伸方向通常會垂直於第二橋接部WP2的延伸方向，而不會從第二橋接部WP2延伸到第二島狀部TP2。在一些實施例中，由於圖案化的硬罩幕層500分離於導電層以及無機層，因此，圖案化的硬罩幕層500的裂紋對訊號傳遞不會造成影響。
發光元件610位於第一島狀部TP1上方。在本實施例中，發光元件610位於第二島狀部TP2上方，且透過導電連接結構612而電性連接至接墊P。在一些實施例中，導電連接結構612例如包
括銦、錫、鉍、導電膠、上述材料的組合或其他合適的材料。在一些實施例中，藉由巨量轉移製程將發光元件610放置於接墊P上。發光元件610透過接墊P而電性連接至第三導電層430，並進一步電性連接至第三導電層430、第二導電層420及/或第一導電層410位於第二橋接部WP2中的導線432、422、412。在一些實施例中，發光元件610包括有機發光二極體、微型發光二極體或其他發光元件。發光元件610例如透過共晶接合、導電膠接合、焊接或其他類似的方式電性連接至接墊P。在本實施例中，每個第二島狀部TP2上方設置有不同顏色的發光元件610，以構成一個彩色畫素。舉例來說，每個第二島狀部TP2上方設置有紅色顯示元件、綠色顯示元件以及藍色顯示元件。
圖3A至圖3F是圖2的可拉伸顯示面板10的製造方法的剖面示意圖。請先參考圖3A，提供載板C。載板C例如包括玻璃或其他合適的載板。形成基板100m於載板C上。形成圖案化絕緣結構PIS、第一導電層410、第二導電層420、第三導電層430以及接墊P於基板100m上。
形成硬罩幕層500m於圖案化絕緣結構PIS以及基板100m上。硬罩幕層500m整面地覆蓋圖案化絕緣結構PIS以及基板100m。
請參考圖3B，以去光阻液DV清洗硬罩幕層500m的表面。在一些實施例中，去光阻液DV包括單乙醇胺以及二甲基亞碸的組合。舉例來說，去光阻液DV包括70wt%的單乙醇胺以及
30wt%的二甲基亞碸。
請參考圖3C至圖3D，形成圖案化的光阻PR’於硬罩幕層500m的表面。具體地說，先形成光阻層PR於硬罩幕層500m的表面，如圖3C所示。形成光阻層PR的方法例如包括旋轉塗佈或其他合適的製程。在一些實施例中，光阻層PR的厚度為1微米~5微米。
接著，對光阻層PR進行曝光製程以及顯影製程，以形成圖案化的光阻PR’，如圖3D所示。圖案化的光阻PR’包括開口OP1以及開口OP2。開口OP1以及開口OP2分別對應於欲形成第一通孔TH1的開口OP1以及第二通孔TH2(請參考圖2)的位置。
請參考圖3E，以圖案化的光阻PR’為遮罩圖案化硬罩幕層500m，以形成圖案化的硬罩幕層500。所形成之圖案化的硬罩幕層500具有第一通孔TH1以及第二通孔TH2。在一些實施例中，圖案化硬罩幕層500m的方法包括透過蝕刻劑EC進行濕蝕刻。在一些實施例中，在形成圖案化的硬罩幕層500之後，可選地執行一移除製程，以移除殘留的圖案化的光阻PR’。
在本實施例中，由於在形成圖案化的光阻PR’之前有利用去光阻液DV清洗硬罩幕層500m的表面。因此，圖案化的硬罩幕層500之第一通孔TH1具有陡峭的側壁。
請參考圖3F，以圖案化的硬罩幕層500為遮罩圖案化基板100m，以形成可拉伸膜100。在本實施例中，由於第一通孔TH1具有陡峭的側壁，因此，即使圖案化的硬罩幕層500的厚度很薄，
第一通孔TH1的側壁也不會在圖案化基板100m的時候損壞，並使第一開口O1的側壁更接近垂直面(即與側壁與底面之間的夾角接近90°)。
在一些實施例中，圖案化基板100m的方法包括乾蝕刻。前述乾蝕刻製程例如為灰化製程。在一些實施例中，利用電漿PL進行灰化製程，且電漿所使用的氣體包括O2、Ar、CF4、SF6或其他合適的氣體。在一些實施例中，由於灰化製程僅會移除有機材料，因此灰化製程僅會移除第一通孔TH1下方之部分基板100m，而不會移除圖案化的硬罩幕層500以及第二通孔TH2下方的接墊P。
接著，回到圖2，將發光元件610接合至接墊P。最後，移除載板C。在一些實施例中，藉由雷射舉離(Laser lift off)製程就移除載板C移除，但本發明不以此為限。
圖4是依照本發明的一實施例的一種可拉伸顯示面板20的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖4的實施例沿用圖2的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖4的可拉伸顯示面板20與圖2的可拉伸顯示面板10的差異在於：可拉伸顯示面板20更包括多個主動元件AE。
請參考圖4，在本實施例中，圖案化絕緣結構PIS更包括緩衝層710、閘絕緣層720、層間介電層730以及第四緩衝層340。
緩衝層710位於可拉伸膜100之上。半導體層800位於緩衝層710之上。半導體層800為單層或多層結構，其包含非晶矽、多晶矽、微晶矽、單晶矽、有機半導體材料、氧化物半導體材料(例如：銦鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物或是其他合適的材料、或上述材料之組合)或其他合適的材料或上述材料之組合。
閘絕緣層720位於緩衝層710以及半導體層800之上。閘極400位於閘絕緣層720之上，且重疊於半導體層800。層間介電層730位於閘絕緣層720以及閘極400之上。第一導電層410位於層間介電層730之上，且包括第一源極/汲極411以及第二源極/汲極414。第一源極/汲極411以及第二源極/汲極414電性連接至半導體層800。在本實施例中，主動元件AE包括閘極400、半導體層800、第一源極/汲極411以及第二源極/汲極414，且主動元件AE設置於圖案化絕緣結構PIS的第二島狀部TP2(請參考圖1A與圖1B)中。
第一緩衝層310位於第一導電層410上。第一絕緣層210位於第一緩衝層310上。第二緩衝層320位於第一絕緣層210上。第二導電層420位於第二緩衝層320上，且至少部分第二導電層420電性連接至第二源極/汲極414。第二絕緣層220位於第二導電層420以及第二緩衝層320上。第三緩衝層330位於第二絕緣層220上。第三導電層430位於第三緩衝層330上，且至少部分第三導電層430電性連接至第二導電層420。第三絕緣層230位於第三緩衝層330以及第三導電層430上。第四緩衝層340位於第三絕
緣層230上。接墊P位於第四緩衝層340上，且至少部分接墊P電性連接至第三導電層430。
圖案化的硬罩幕層500覆蓋圖案化絕緣結構PIS。硬罩幕層500從圖案化絕緣結構PIS的頂面延伸進圖案化絕緣結構PIS的第二開口O2中，並覆蓋第二島狀部TP2(請參考圖1A)以及第二橋接部WP2(請參考圖1A)的側壁。圖案化的硬罩幕層500具有重疊於第一開口O1(請參考圖2)的多個第一通孔TH1以及重疊於接墊P的多個第二通孔TH2。
綜上所述，本發明在形成圖案化的光阻於硬罩幕層上之前，有利用去光阻液清洗硬罩幕層的表面。因此，圖案化的硬罩幕層之第一通孔具有陡峭的側壁。由於第一通孔具有陡峭的側壁，因此，可以避免圖案化的硬罩幕層在圖案化基板的時候損壞，並使可拉伸膜的第一開口的側壁更接近垂直面。
10:拉伸顯示面板
100:可拉伸膜
210:第一絕緣層
220:第二絕緣層
230:第三絕緣層
310:第一緩衝層
320:第二緩衝層
330:第三緩衝層
410:第一導電層
412,422,432:導線
420:第二導電層
430:第三導電層
500:圖案化的硬罩幕層
610:發光元件
612:導電連接結構
a-a’,b-b’:線
HW:水平寬度
O1:第一開口
O2:第二開口
P:接墊
PIS:圖案化絕緣結構
T1,T2:厚度
TP1:第一島狀部
TP2:第二島狀部
TH1:第一通孔
TH2:第二通孔
WP1:第一橋接部
WP2:第二橋接部
Claims (10)
- 一種可拉伸顯示面板，包括： 一可拉伸膜，具有多個第一開口； 一圖案化絕緣結構，包括： 多個島狀部；以及 多個橋接部，其中相鄰的該些島狀部經由對應的該些橋接部而相連； 多個發光元件，位於該些島狀部上方； 多條導線，位於該些橋接部中；以及 一圖案化的硬罩幕層，覆蓋該圖案化絕緣結構，且具有重疊於該些第一開口的多個第一通孔，其中該圖案化的硬罩幕層的厚度小於或等於1000埃。
- 如請求項1所述的可拉伸顯示面板，其中各該第一通孔包括傾斜側壁，且該傾斜側壁的水平寬度小於0.5微米。
- 如請求項1所述的可拉伸顯示面板，更包括： 多個主動元件，設置於該些島狀部中。
- 如請求項1所述的可拉伸顯示面板，更包括： 多個接墊，設置於該些島狀部的表面，且該圖案化的硬罩幕層更包括重疊於該些接墊的多個第二通孔。
- 如請求項4所述的可拉伸顯示面板，其中該圖案化的硬罩幕層接觸該些接墊。
- 如請求項1所述的可拉伸顯示面板，其中該圖案化的硬罩幕層的材料包括金屬氧化物。
- 如請求項1所述的可拉伸顯示面板，其中該圖案化的硬罩幕層覆蓋該些島狀部的側壁。
- 一種可拉伸顯示面板的製造方法，包括： 形成一圖案化絕緣結構於一基板上，其中該圖案化絕緣結構包括多個島狀部以及多個橋接部，且相鄰的該些島狀部經由對應的該些橋接部而相連； 形成硬罩幕層於該圖案化絕緣結構以及該基板上； 以去光阻液清洗該硬罩幕層的表面； 形成圖案化的光阻於該硬罩幕層的表面； 以該圖案化的光阻為遮罩圖案化該硬罩幕層，以形成圖案化的硬罩幕層；以及 以該圖案化的硬罩幕層為遮罩圖案化該基板，以形成一可拉伸膜。
- 如請求項8所述的可拉伸顯示面板的製造方法，其中該去光阻液包括單乙醇胺以及二甲基亞碸的組合。
- 如請求項8所述的可拉伸顯示面板的製造方法，其中以該圖案化的光阻為遮罩圖案化該硬罩幕層的方法包括濕蝕刻，且以該圖案化的硬罩幕層為遮罩圖案化該基板的方法包括乾蝕刻。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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|---|---|---|---|---|
| WO2022151583A1 (zh) | 2021-01-12 | 2022-07-21 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 可拉伸显示面板及显示装置 |
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022151583A1 (zh) | 2021-01-12 | 2022-07-21 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 可拉伸显示面板及显示装置 |
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