TWI834346B - 高頻高速傳輸電纜模組及其蓋體的上蓋 - Google Patents

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Abstract

一種高頻高速傳輸電纜模組的蓋體的上蓋，包括本體及散熱塊。本體的長度方向的兩端分別界定為第一端部及第二端部，第一端部開設穿孔。散熱塊嵌設於穿孔，並且暴露於第一端部的頂面。藉此，本發明能夠利用散熱塊直接將熱量傳遞給散熱鰭片，不需要間接透過本體，因此散熱效率大幅提升。

Description

高頻高速傳輸電纜模組及其蓋體的上蓋
本發明是涉及一種高頻高速傳輸電纜模組，特別是一種高散熱效率的高頻高速傳輸電纜模組及其蓋體的上蓋。
小封裝可插拔收發器(small form-factor pluggable，SFP) 、四通道小封裝可插拔收發器(Quad Small Form-factor Pluggable，QSFP)、雙密度四通道小封裝可插拔收發器(Quad Small Form Factor Pluggable-Double Density，QSFP-DD)或八通道小封裝可插拔收發器(Octal Small Form-factor Pluggable，OSFP)等皆是可熱插拔的電纜組件，用於高頻高速傳輸電纜模組。
習知的高頻高速傳輸電纜模組包括一蓋體及一控制模組，蓋體的第二端部用以供一電纜的一端設置於其中，控制模組設置於蓋體的第一端部的內部。由於高頻高速傳輸電纜模組的控制模組運作時會產生熱量，因此一散熱塊設置於蓋體的第一端部的內部，且蓋體的第一端部設置於一外殼中，控制模組運作時所產生的熱量能夠直接傳遞給散熱塊，散熱塊的熱量會傳遞給蓋體，蓋體的熱量會傳遞給外殼的複數個散熱鰭片，該等散熱鰭片會將熱量向外排出，達到散熱的效果。
然而，習知的散熱手段是利用散熱塊間接透過蓋體將熱量傳遞給外殼的該等散熱鰭片，因此散熱效率有限。高頻高速傳輸電纜模組的總數據速率包括200G、400G和800G，總數據速率愈高，控制模組運作時所產生的熱量愈高。對於總數據速率為200G或400G的高頻高速傳輸電纜模組來說，因為控制模組運作時所產生的熱量較低，所以習知的散熱手段尚且能夠將控制模組和電纜的一端維持在適當溫度，防止控制模組的IC晶片工作效率降低，誤碼率（bite error rate，BER）增加以及電纜的傳輸速率下滑。但是，對於總數據速率為800G的高頻高速傳輸電纜模組來說，因為控制模組運作時所產生的熱量較高，所以習知的散熱手段不足以將控制模組和電纜的一端維持在適當溫度，控制模組和電纜的一端的溫度容易過高，造成控制模組的IC晶片工作效率降低，誤碼率增加以及電纜的傳輸速度下滑。
本發明的主要目的在於提供一種高頻高速傳輸電纜模組及其蓋體的上蓋，能夠利用散熱塊直接將熱量傳遞給散熱鰭片，不需要間接透過本體，因此散熱效率大幅提升。
為了達成前述的目的，本發明提供一種高頻高速傳輸電纜模組的蓋體的上蓋，包括一本體以及一散熱塊。本體的長度方向的兩端分別界定為一第一端部及一第二端部，本體的第一端部開設一穿孔。散熱塊嵌設於穿孔，並且暴露於本體的第一端部的頂面。
在一些實施例中，本體的第二端部開設複數個溝槽。
在一些實施例中，本體的第二端部的頂面的高度位置高於本體的第一端部的頂面的高度位置。
在一些實施例中，本體的長度方向的兩側分別界定為一第一側及一第二側，最靠近本體的第一側的溝槽的深度與最靠近本體的第二側的溝槽的深度皆小於其餘溝槽的深度。
在一些實施例中，其餘溝槽的深度為1.5 mm。
在一些實施例中，相鄰的二溝槽之間具有一隔板，隔板具有複數個凸塊，該等凸塊分別突出於隔板的兩側。
在一些實施例中，相鄰的二隔板的複數個凸塊的位置交錯。
在一些實施例中，該等凸塊成對設置。
在一些實施例中，該等溝槽平行於本體的長度方向。
在一些實施例中，穿孔的內側壁凸設一支撐部，支撐部將穿孔分隔成一第一通道及一第二通道，第一通道貫穿本體的第一端部的頂面，第二通道貫穿本體的第一端部的底面，支撐部開設一連通道，連通道連通於第一通道與第二通道之間；以及其中，散熱塊包括一頂部、一中間部及一底部，散熱塊的頂部位於第一通道中，散熱塊的頂部的頂面暴露於本體的第一端部的頂面，散熱塊的頂部的底面外側抵靠於支撐部的頂面，散熱塊的中間部設置於散熱塊的頂部的底面並且位於連通道中，散熱塊的底部設置於散熱塊的中間部的底面並且位於第二通道中，散熱塊的頂部的直徑大於散熱塊的中間部的直徑，散熱塊的中間部的直徑大於散熱塊的底部的直徑。
為了達成前述的目的，本發明提供一種高頻高速傳輸電纜模組，包括一蓋體以及一控制模組。蓋體包括一上蓋及一下蓋，上蓋包括一本體及一散熱塊，本體的長度方向的兩端分別界定為一第一端部及一第二端部，下蓋的長度方向的兩端分別界定為一第一端部及一第二端部，本體的第一端部與下蓋的第一端部共同組成為蓋體的一第一端部，本體的第二端部與下蓋的第二端部共同組成為蓋體的一第二端部，蓋體的第二端部用以供一電纜的一端設置於其中，本體的第一端部開設一穿孔，散熱塊嵌設於穿孔，並且暴露於本體的第一端部的頂面。控制模組設置於蓋體的第一端部的內部，並且位於散熱塊的下方。
在一些實施例中，本體的第二端部開設複數個溝槽。
在一些實施例中，本體的第二端部的頂面的高度位置高於本體的第一端部的頂面的高度位置。
在一些實施例中，本體的長度方向的兩側分別界定為一第一側及一第二側，最靠近本體的第一側的溝槽的深度與最靠近本體的第二側的溝槽的深度皆小於其餘溝槽的深度。
在一些實施例中，其餘溝槽的深度為1.5 mm。
在一些實施例中，相鄰的二溝槽之間具有一隔板，隔板具有複數個凸塊，該等凸塊分別突出於隔板的兩側。
在一些實施例中，相鄰的二隔板的複數個凸塊的位置交錯。
在一些實施例中，該等凸塊成對設置。
在一些實施例中，穿孔的內側壁凸設一支撐部，支撐部將穿孔分隔成一第一通道及一第二通道，第一通道貫穿本體的第一端部的頂面，第二通道貫穿本體的第一端部的底面，支撐部開設一連通道，連通道連通於第一通道與第二通道之間；其中，散熱塊包括一頂部、一中間部及一底部，散熱塊的頂部位於第一通道中，散熱塊的頂部的頂面暴露於本體的第一端部的頂面，散熱塊的頂部的底面外側抵靠於支撐部的頂面，散熱塊的中間部設置於散熱塊的頂部的底面並且位於連通道中，散熱塊的底部設置於散熱塊的中間部的底面並且位於第二通道中，散熱塊的頂部的直徑大於散熱塊的中間部的直徑，散熱塊的中間部的直徑大於散熱塊的底部的直徑；以及其中，控制模組位於散熱塊的底部的下方。
本發明的功效在於，本發明能夠利用散熱塊直接將熱量傳遞給散熱鰭片，不需要間接透過本體，因此散熱效率大幅提升。
以下配合圖式及元件符號對本發明的實施方式做更詳細的說明，俾使熟習該項技藝者在研讀本說明書後能據以實施。
圖1至圖3分別是本發明的高頻高速傳輸電纜模組的立體圖、分解圖及剖面圖。如圖1至圖3所示，本發明提供一種高頻高速傳輸電纜模組，包括一蓋體2以及一控制模組3。蓋體2包括一上蓋10及一下蓋20，上蓋10包括一本體11及一散熱塊12，本體11的長度方向的兩端分別界定一第一端部111及一第二端部112，下蓋20的長度方向的兩端分別界定為一第一端部21及一第二端部22，本體11的第一端部111與下蓋20的第一端部21共同組成為蓋體2的一第一端部201，本體11的第二端部112與下蓋20的第二端部22共同組成為蓋體2的一第二端部202。蓋體2的第二端部202用以供一電纜(圖未示)的一端設置於其中。本體11的第一端部111開設一穿孔113，散熱塊12嵌設於穿孔113，並且暴露於本體11的第一端部111的頂面。控制模組3設置於蓋體2的第一端部201的內部，並且位於散熱塊12的下方。
如圖1至圖3所示，在實際使用時，蓋體2的第一端部201設置於一外殼1中，使得散熱塊12接觸外殼1的複數個散熱鰭片101。
控制模組3運作時所產生的熱量會傳遞給散熱塊12，散熱塊12的熱量會傳遞給該等散熱鰭片101，該等散熱鰭片101會將熱量向外排出，達到散熱的效果。相較於習知技術，本發明能夠利用散熱塊12直接將熱量傳遞給該等散熱鰭片101，不需要間接透過本體11，因此散熱效率大幅提升。無論是總數據速率為200G、400G或800G的高頻高速傳輸電纜模組，本發明的散熱手段足以將控制模組3和電纜的一端維持在適當溫度，防止控制模組3的IC晶片工作效率降低，誤碼率增加以及電纜的傳輸速率下滑。
圖4至圖7分別是本發明的高頻高速傳輸電纜模組的蓋體的上蓋10的立體圖、分解圖、俯視圖和側視圖。如圖3及圖5所示，在較佳實施例中，穿孔113的內側壁凸設一支撐部114，支撐部114將穿孔113分隔成一第一通道1131及一第二通道1132，第一通道1131貫穿本體11的第一端部111的頂面，第二通道1132貫穿本體11的第一端部111的底面，支撐部114開設一連通道1141，連通道1141連通於第一通道1131與第二通道1132之間。如圖3、圖4及圖5所示，散熱塊12包括一頂部121、一中間部122及一底部123，散熱塊12的頂部121位於第一通道1131中，散熱塊12的頂部121的頂面暴露於本體11的第一端部111的頂面，散熱塊12的頂部121的底面外側抵靠於支撐部114的頂面，散熱塊12的中間部122設置於散熱塊12的頂部121的底面並且位於連通道1141中，散熱塊12的底部123設置於散熱塊12的中間部122的底面並且位於第二通道1132中，散熱塊12的頂部121的直徑大於散熱塊12的中間部122的直徑，散熱塊12的中間部122的直徑大於散熱塊12的底部123的直徑。如圖3所示，控制模組3位於散熱塊12的底部123的下方，散熱塊12的頂部121的頂面接觸該等散熱鰭片101。藉此，支撐部114能夠支撐散熱塊12的頂部121，使得散熱塊12易於安裝於穿孔113中。再者，散熱塊12的底部123對準控制模組3且其直徑比散熱塊12的頂部121和中間部122小，從而能夠快速地吸收控制模組3運作時所產生的熱量，提升散熱效率。此外，散熱塊12的整體結構呈現倒階梯狀，使得熱量能夠從散熱塊12的底部123通過散熱塊12的中間部122均勻地擴散至散熱塊12的頂部121，提升散熱效率。又，散熱塊12的頂部121的頂面具有較大的接觸面積，因而能夠均勻地且快速地將熱量傳遞給該等散熱鰭片101，提升散熱效率。
如圖4至圖7所示，在較佳實施例中，本體11的第二端部112開設複數個溝槽115。控制模組3運作時所產生的熱量也會被本體11的第一端部111吸收，本體11的第一端部111會將熱量傳遞給本體11的第二端部112。該等溝槽115提供較大的散熱面積，使得通過該等溝槽115的氣流能夠攜帶較多的熱量，提升散熱效率。
如圖4所示，在較佳實施例中，本體11的第二端部112的頂面的高度位置高於本體11的第一端部111的頂面的高度位置。因此，本體11的第二端部112具有足夠的厚度形成該等溝槽115，且本體11的第二端部112能夠提供充足的內部空間容納電纜的一端。
如圖4及圖7所示，在較佳實施例中，本體11的長度方向的兩側分別界定為一第一側1101及一第二側1102，最靠近本體11的第一側1101的溝槽1151的深度D1與最靠近本體11的第二側1102的溝槽1151的深度D1皆小於其餘溝槽1152的深度D2。更清楚地說，最靠近本體11的第一側1101的溝槽1151的深度D1與最靠近本體11的第二側1102的溝槽1151的深度D1不能太深，否則本體11的第一側1101和第二側1102的厚度將不足以分別與下蓋20的第一側和第二側結合，因此最靠近本體11的第一側1101的溝槽1151的深度D1與最靠近本體11的第二側1102的溝槽1151的深度D1需要製作得較淺，使得本體11的第一側1101和第二側1102具有足夠的厚度分別與下蓋20的第一側和第二側結合。
由於其餘溝槽1152的深度D2會影響到散熱效率以及本體11的第二端部112的內部空間，因此發明人對此進行一番測試，其測試結果說明如下。
測試條件一：其餘溝槽1152的深度D2小於1.5 mm。優點：此深度D2能夠讓本體11的第二端部112的內部空間具有足夠的高度，不會造成內部干涉，也不會過度壓迫到電纜的一端。缺點：此深度D2會造成散熱面積不足，降低散熱效率，增加控制模組3的IC晶片工作效率降低，誤碼率增加與電纜的傳輸速率下滑等風險。
測試條件二：其餘溝槽1152的深度D2大於1.5 mm。優點：此深度D2能夠增加散熱面積，提升散熱效率。缺點：此深度D2會壓縮本體11的第二端部112的內部空間高度，造成內部干涉，甚至過度壓迫到電纜的一端。
測試條件三：其餘溝槽1152的深度D2為1.5 mm。優點一：此深度D2能夠讓本體11的第二端部112的內部空間具有足夠的高度，不會造成內部干涉，也不會過度壓迫到電纜的一端。優點二：此深度D2能夠增加散熱面積，提升散熱效率。換句話說，測試條件三能夠同時擁有測試條件一和測試條件二的優點，且沒有測試條件一和測試條件二的缺點，功效較為出色。
如圖4及圖6所示，在較佳實施例中，相鄰的二溝槽115之間具有一隔板116，隔板116具有複數個凸塊1161，該等凸塊1161分別突出於隔板116的兩側。藉此，該等凸塊1161能夠增加隔板116的散熱面積，提升散熱效率。較佳地，相鄰的二隔板116的複數個凸塊1161的位置交錯，以防止相鄰的二隔板116的複數個凸塊1161太過靠近而妨礙氣流的流動，進而影響到散熱效率。較佳地，該等凸塊1161成對設置，具有易於製作的優點。
如圖1所示，在較佳實施例中，該等溝槽115平行於本體11的長度方向與該等散熱鰭片101的長度方向。據此，氣流能夠順著該等溝槽115和該等散熱鰭片101的複數個流道1011流動，提升散熱效率。
在較佳實施例中，散熱塊12的材質為銅。然而不以此為限，散熱塊的材質可以是任何具有高導熱係數的材料。
圖中顯示的高頻高速傳輸電纜模組為雙密度四通道小封裝可插拔收發器(Quad Small Form Factor Pluggable-Double Density，QSFP-DD)。然而不以此為限，在一些實施例中，高頻高速傳輸電纜模組也可以是小封裝可插拔收發器(small form-factor pluggable，SFP)、四通道小封裝可插拔收發器(Quad Small Form-factor Pluggable，QSFP)或八通道小封裝可插拔收發器(Octal Small Form-factor Pluggable，OSFP)。上述高頻高速傳輸電纜模組皆是可熱插入的高頻高速傳輸電纜模組。
圖8是本發明與習知技術在環境溫度為25 且風扇轉速為20RPM的條件下的測試結果比較圖。Tj1是習知技術的高頻高速傳輸電纜模組的控制模組的IC晶片的核心溫度，Tj2是本發明的高頻高速傳輸電纜模組的控制模組3的IC晶片的核心溫度，Tb1是本發明的高頻高速傳輸電纜模組的上蓋的散熱塊的量測點P1的溫度，Tb2是習知技術的高頻高速傳輸電纜模組的上蓋的本體的第一端部的量測點的溫度，Tb3是本發明的高頻高速傳輸電纜模組的上蓋的本體的第一端部的量測點P2的溫度。如圖8所示， ，且 。由上述結果可知，在環境溫度為25 且風扇轉速為20RPM的條件下，本發明的散熱效率明顯優於習知技術的散熱效率。
更明確地說，如圖8所示，在啟動期間（即，2分53秒以前），由於控制模組運作時所產生的熱量尚在累積中，因此IC晶片的核心溫度仍持續上升中。此時， ，Tb1與Tb2的差異較大，且Tb2與Tb3的差異較小。如圖8所示，在平衡期間（即，14分24秒以後），由於控制模組運作時所產生的熱量達到平衡狀態，因此IC晶片的核心溫度不會再上升。此時， ，Tb1與Tb2的差異較小（ ），Tb2與Tb3的差異較大。
圖9是本發明與習知技術在環境溫度為55 且風扇轉速為20RPM的條件下的測試結果比較圖。Tj1是習知技術的高頻高速傳輸電纜模組的控制模組的IC晶片的核心溫度，Tj2是本發明的高頻高速傳輸電纜模組的控制模組3的IC晶片的核心溫度，Tb1是本發明的高頻高速傳輸電纜模組的上蓋的散熱塊的量測點P1的溫度，Tb2是習知技術的高頻高速傳輸電纜模組的上蓋的本體的第一端部的量測點的溫度，Tb3是本發明的高頻高速傳輸電纜模組的上蓋的本體的第一端部的量測點P2的溫度。如圖9所示， ，且 。由上述結果可知，在環境溫度為55 且風扇轉速為20RPM的條件下，本發明的散熱效率明顯優於習知技術的散熱效率。
更明確地說，如圖9所示，在啟動期間（即，7分12秒以前），由於控制模組運作時所產生的熱量尚在累積中，因此IC晶片的核心溫度仍持續上升中。此時， ，Tb1與Tb2的差異較大，且Tb2與Tb3的差異較小。如圖9所示，在平衡期間（即，21分36秒以後），由於控制模組運作時所產生的熱量達到平衡狀態，因此IC晶片的核心溫度不會再上升。此時， ，Tb1與Tb2的差異較小（ ），Tb2與Tb3的差異較大。
另外，在Tb2固定於70 且風扇轉速為24RPM的條件下，Tj1為98 ；在Tb1固定於70 且風扇轉速為30RPM的條件下，Tj2為92 。此時， 。由上述結果可知，在上述量測點的溫度固定於70 的條件下，本發明的散熱效率明顯優於習知技術的散熱效率。
以上所述者僅為用以解釋本發明的較佳實施例，並非企圖據以對本發明做任何形式上的限制，是以，凡有在相同的發明精神下所作有關本發明的任何修飾或變更，皆仍應包括在本發明意圖保護的範疇。
1:外殼 101:散熱鰭片 1011:流道 2:蓋體 201:第一端部 202:第二端部 3:控制模組 10:上蓋 11:本體 1101:第一側 1102:第二側 111:第一端部 112:第二端部 113:穿孔 1131:第一通道 1132:第二通道 114:支撐部 1141:連通道 115,1151,1152:溝槽 116:隔板 1161:凸塊 12:散熱塊 121:頂部 122:中間部 123:底部 20:下蓋 21:第一端部 22:第二端部 D1,D2:深度 P1,P2:量測點
圖1是本發明的高頻高速傳輸電纜模組的立體圖。 圖2是本發明的高頻高速傳輸電纜模組的分解圖。 圖3是本發明的高頻高速傳輸電纜模組的剖面圖。 圖4是本發明的高頻高速傳輸電纜模組的蓋體的上蓋的立體圖。 圖5是本發明的高頻高速傳輸電纜模組的蓋體的上蓋的分解圖。 圖6是本發明的高頻高速傳輸電纜模組的蓋體的上蓋的俯視圖。 圖7是本發明的高頻高速傳輸電纜模組的蓋體的上蓋的側視圖。 圖8是本發明與習知技術在環境溫度為25 且風扇轉速為20RPM的條件下的測試結果比較圖。 圖9是本發明與習知技術在環境溫度為55 且風扇轉速為20RPM的條件下的測試結果比較圖。
10:上蓋
11:本體
1101:第一側
1102:第二側
111:第一端部
112:第二端部
113:穿孔
1131:第一通道
115,1151,1152:溝槽
116:隔板
1161:凸塊
12:散熱塊
121:頂部

Claims (18)

  1. 一種高頻高速傳輸電纜模組的蓋體的上蓋，包括：一本體，其長度方向的兩端分別界定為一第一端部及一第二端部，該本體的該第一端部開設一穿孔，該穿孔的內側壁凸設一支撐部，該支撐部將該穿孔分隔成一第一通道及一第二通道，該第一通道貫穿該本體的該第一端部的頂面，該第二通道貫穿該本體的該第一端部的底面，該支撐部開設一連通道，該連通道連通於該第一通道與該第二通道之間；以及一散熱塊，包括一頂部、一中間部及一底部，該散熱塊的該頂部位於該第一通道中，該散熱塊的該頂部的頂面暴露於該本體的該第一端部的頂面，該散熱塊的該頂部的底面外側抵靠於該支撐部的頂面，該散熱塊的該中間部設置於該散熱塊的該頂部的底面並且位於該連通道中，該散熱塊的該底部設置於該散熱塊的該中間部的底面並且位於該第二通道中，該散熱塊的該頂部的直徑大於該散熱塊的該中間部的直徑，該散熱塊的該中間部的直徑大於該散熱塊的該底部的直徑。
  2. 如請求項1所述的高頻高速傳輸電纜模組的蓋體的上蓋，其中，該本體的該第二端部開設複數個溝槽。
  3. 如請求項2所述的高頻高速傳輸電纜模組的蓋體的上蓋，其中，該本體的該第二端部的頂面的高度位置高於該本體的該第一端部的頂面的高度位置。
  4. 如請求項3所述的高頻高速傳輸電纜模組的蓋體的上蓋，其中，該本體的長度方向的兩側分別界定為一第一側及一第二側， 最靠近該本體的該第一側的溝槽的深度與最靠近該本體的該第二側的溝槽的深度皆小於其餘溝槽的深度。
  5. 如請求項4所述的高頻高速傳輸電纜模組的蓋體的上蓋，其中，其餘溝槽的深度為1.5mm。
  6. 如請求項2所述的高頻高速傳輸電纜模組的蓋體的上蓋，其中，相鄰的二溝槽之間具有一隔板，該隔板具有複數個凸塊，該等凸塊分別突出於該隔板的兩側。
  7. 如請求項6所述的高頻高速傳輸電纜模組的蓋體的上蓋，其中，相鄰的二隔板的複數個凸塊的位置交錯。
  8. 如請求項6所述的高頻高速傳輸電纜模組的蓋體的上蓋，其中，該等凸塊成對設置。
  9. 如請求項2所述的高頻高速傳輸電纜模組的蓋體的上蓋，其中，該等溝槽平行於該本體的長度方向。
  10. 一種高頻高速傳輸電纜模組，包括：一蓋體，包括一上蓋及一下蓋，該上蓋包括一本體及一散熱塊，該本體的長度方向的兩端分別界定為一第一端部及一第二端部，該下蓋的長度方向的兩端分別界定為一第一端部及一第二端部，該本體的該第一端部與該下蓋的該第一端部共同組成為該蓋體的一第一端部，該本體的該第二端部與該下蓋的該第二端部共同組成為該蓋體的一第二端部，該蓋體的該第二端部用以供一電纜的一端設置於其中，該本體的該第一端部開設一穿孔，該散熱塊嵌設於該穿孔，並且暴露於該本體的該第一端部的頂面；以及 一控制模組，設置於該蓋體的該第一端部的內部，並且位於該散熱塊的下方。
  11. 如請求項10所述的高頻高速傳輸電纜模組，其中，該本體的該第二端部開設複數個溝槽。
  12. 如請求項11所述的高頻高速傳輸電纜模組，其中，該本體的該第二端部的頂面的高度位置高於該本體的該第一端部的頂面的高度位置。
  13. 如請求項12所述的高頻高速傳輸電纜模組，其中，該本體的長度方向的兩側分別界定為一第一側及一第二側，最靠近該本體的該第一側的溝槽的深度與最靠近該本體的該第二側的溝槽的深度皆小於其餘溝槽的深度。
  14. 如請求項13所述的高頻高速傳輸電纜模組，其中，其餘溝槽的深度為1.5mm。
  15. 如請求項11所述的高頻高速傳輸電纜模組，其中，相鄰的二溝槽之間具有一隔板，該隔板具有複數個凸塊，該等凸塊分別突出於該隔板的兩側。
  16. 如請求項15所述的高頻高速傳輸電纜模組，其中，相鄰的二隔板的複數個凸塊的位置交錯。
  17. 如請求項15所述的高頻高速傳輸電纜模組，其中，該等凸塊成對設置。
  18. 如請求項10所述的高頻高速傳輸電纜模組，其中，該穿孔的內側壁凸設一支撐部，該支撐部將該穿孔分隔成一第一通道及一第 二通道，該第一通道貫穿該本體的該第一端部的頂面，該第二通道貫穿該本體的該第一端部的底面，該支撐部開設一連通道，該連通道連通於該第一通道與該第二通道之間；其中，該散熱塊包括一頂部、一中間部及一底部，該散熱塊的該頂部位於該第一通道中，該散熱塊的該頂部的頂面暴露於該本體的該第一端部的頂面，該散熱塊的該頂部的底面外側抵靠於該支撐部的頂面，該散熱塊的該中間部設置於該散熱塊的該頂部的底面並且位於該連通道中，該散熱塊的該底部設置於該散熱塊的該中間部的底面並且位於該第二通道中，該散熱塊的該頂部的直徑大於該散熱塊的該中間部的直徑，該散熱塊的該中間部的直徑大於該散熱塊的該底部的直徑；以及其中，該控制模組位於該散熱塊的該底部的下方。
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