TWI833445B

TWI833445B - 天線結構

Info

Publication number: TWI833445B
Application number: TW111143468A
Authority: TW
Inventors: 張維中; 曾上晉
Original assignee: 啓碁科技股份有限公司
Priority date: 2022-11-15
Filing date: 2022-11-15
Publication date: 2024-02-21
Also published as: US20240162618A1

Abstract

一種天線結構，包括：金屬機構件、接地元件、饋入輻射部、第一輻射部、第二輻射部、寄生輻射部、調整電路，以及非導體支撐元件。金屬機構件具有一槽孔。金屬機構件包括一第一接地部份和一第二接地部份，其中槽孔係介於第一接地部份和第二接地部份之間。饋入輻射部具有一饋入點。第一輻射部係耦接至饋入輻射部。第二輻射部係耦接至饋入輻射部，其中第二輻射部係與第一輻射部大致朝相反方向作延伸。寄生輻射部係耦接至接地元件，其中寄生輻射部係鄰近於第一輻射部和第二輻射部。調整電路係耦接於金屬機構件之第一接地部份和第二接地部份之間。

Description

天線結構

本發明係關於一種天線結構，特別係關於一種寬頻帶(Wideband)之天線結構。

隨著行動通訊技術的發達，行動裝置在近年日益普遍，常見的例如：手提式電腦、行動電話、多媒體播放器以及其他混合功能的攜帶型電子裝置。為了滿足人們的需求，行動裝置通常具有無線通訊的功能。有些涵蓋長距離的無線通訊範圍，例如：行動電話使用2G、3G、LTE(Long Term Evolution)系統及其所使用700MHz、850 MHz、900MHz、1800MHz、1900MHz、2100MHz、2300MHz以及2500MHz的頻帶進行通訊，而有些則涵蓋短距離的無線通訊範圍，例如：Wi-Fi、Bluetooth系統使用2.4GHz、5.2GHz和5.8GHz的頻帶進行通訊。

天線(Antenna)為無線通訊領域中不可缺少之元件。倘若用於接收或發射信號之天線其頻寬(Bandwidth)不足，則很容易造成行動裝置之通訊品質下降。因此，如何設計出小尺寸、寬頻帶之天線元件，對天線設計者而言是一項重要課題。

在較佳實施例中，本發明提出一種天線結構，包括：一金屬機構件，具有一槽孔，其中該金屬機構件包括一第一接地部份和一第二接地部份，而該槽孔係介於該第一接地部份和該第二接地部份之間；一接地元件；一饋入輻射部，具有一饋入點；一第一輻射部，耦接至該饋入輻射部；一第二輻射部，耦接至該饋入輻射部，其中該第二輻射部係與該第一輻射部大致朝相反方向作延伸；一寄生輻射部，耦接至該接地元件，其中該寄生輻射部係鄰近於該第一輻射部和該第二輻射部；一調整電路，耦接於該金屬機構件之該第一接地部份和該第二接地部份之間；以及一非導體支撐元件，用於承載該接地元件、該饋入輻射部、該第一輻射部、該第二輻射部、該寄生輻射部，以及該調整電路。

在一些實施例中，該金屬機構件之該槽孔係呈現一L字形。

在一些實施例中，該金屬機構件之該槽孔具有相對較寬之一開口端和相對較窄之一閉口端。

在一些實施例中，該調整電路和該槽孔之該閉口端之間距係介於3mm至7mm之間。

在一些實施例中，該第一輻射部係呈現一Z字形。

在一些實施例中，該第一輻射部更包括一末端加寬部份。

在一些實施例中，該第二輻射部係呈現一不等寬直條形。

在一些實施例中，該第二輻射部包括一較窄部份和一較寬部份，而該較寬部份係經由該較窄部份耦接至該饋入輻射部。

在一些實施例中，該寄生輻射部係呈現一L字形。

在一些實施例中，該寄生輻射部更具有一角落缺口。

在一些實施例中，該寄生輻射部和該第一輻射部之間形成一第一耦合間隙，該寄生輻射部和該第二輻射部之間形成一第二耦合間隙，而該第一耦合間隙和該第二耦合間隙之每一者之寬度皆介於0.8mm至1.2mm之間。

在一些實施例中，該非導體支撐元件具有一第一表面、一第二表面，以及一第三表面，該第一表面係介於該第二表面和該第三表面之間，而該第二表面和該第三表面皆大致垂直於該第一表面。

在一些實施例中，該第一輻射部和該寄生輻射部皆由該非導體支撐元件之該第一表面上延伸至該第二表面上。

在一些實施例中，該第二輻射部係設置於該非導體支撐元件之該第一表面上，而該接地元件係設置於該非導體支撐元件之該第三表面上。

在一些實施例中，該天線結構涵蓋一第一頻帶、一第二頻帶、一第三頻帶，以及一第四頻帶，該第一頻帶係介於617MHz至960MHz之間，該第二頻帶係介於1710MHz至2690MHz之間，該第三頻帶係介於3300MHz至5000MHz之間，而該第四頻帶係介於5150MHz至5925MHz之間。

在一些實施例中，該槽孔之長度係大致等於該第一頻帶之0.25倍波長。

在一些實施例中，該饋入輻射部和該第一輻射部之總長度係大致等於該第二頻帶之0.25倍波長。

在一些實施例中，該饋入輻射部和該第二輻射部之總長度係大致等於該第三頻帶之0.25倍波長。

在一些實施例中，該寄生輻射部之長度係大致等於該第二頻帶之0.25倍波長。

在一些實施例中，該調整電路包括：一第一電感元件；一第二電感元件；一電容元件；一斷路元件；以及一選擇電路，根據一控制信號來選擇該第一電感元件、該第二電感元件、該電容元件，以及該斷路元件之一者作為一目標元件，其中該目標元件將會耦接於該金屬機構件之該第一接地部份和該第二接地部份之間。

為讓本發明之目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉出本發明之具體實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

在說明書及申請專利範圍當中使用了某些詞彙來指稱特定的元件。本領域技術人員應可理解，硬體製造商可能會用不同的名詞來稱呼同一個元件。本說明書及申請專利範圍並不以名稱的差異來作為區分元件的方式，而是以元件在功能上的差異來作為區分的準則。在通篇說明書及申請專利範圍當中所提及的「包含」及「包括」一詞為開放式的用語，故應解釋成「包含但不僅限定於」。「大致」一詞則是指在可接受的誤差範圍內，本領域技術人員能夠在一定誤差範圍內解決所述技術問題，達到所述基本之技術效果。此外，「耦接」一詞在本說明書中包含任何直接及間接的電性連接手段。因此，若文中描述一第一裝置耦接至一第二裝置，則代表該第一裝置可直接電性連接至該第二裝置，或經由其它裝置或連接手段而間接地電性連接至該第二裝置。

以下的揭露內容提供許多不同的實施例或範例以實施本案的不同特徵。以下的揭露內容敘述各個構件及其排列方式的特定範例，以簡化說明。當然，這些特定的範例並非用以限定。例如，若是本揭露書敘述了一第一特徵形成於一第二特徵之上或上方，即表示其可能包含上述第一特徵與上述第二特徵是直接接觸的實施例，亦可能包含了有附加特徵形成於上述第一特徵與上述第二特徵之間，而使上述第一特徵與第二特徵可能未直接接觸的實施例。另外，以下揭露書不同範例可能重複使用相同的參考符號或(且)標記。這些重複係為了簡化與清晰的目的，並非用以限定所討論的不同實施例或(且)結構之間有特定的關係。

此外，其與空間相關用詞。例如「在…下方」、「下方」、「較低的」、「上方」、「較高的」及類似的用詞，係為了便於描述圖示中一個元件或特徵與另一個(些)元件或特徵之間的關係。除了在圖式中繪示的方位外，這些空間相關用詞意欲包含使用中或操作中的裝置之不同方位。裝置可能被轉向不同方位(旋轉90度或其他方位)，則在此使用的空間相關詞也可依此相同解釋。

第1圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構100之前視圖。第2圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構100之部份立體圖。第3圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構100之分解圖。請一併參考第1、2、3圖。天線結構100可以應用於一行動裝置(Mobile Device)當中，例如：一智慧型手機(Smart Phone)、一平板電腦(Tablet Computer)，或是一筆記型電腦(Notebook Computer)。在第1、2、3圖之實施例中，天線結構100包括：一金屬機構件(Metal Mechanism Element)110、一接地元件(Ground Element)130、一饋入輻射部(Feeding Radiation Element)140、一第一輻射部150、一第二輻射部160、一寄生輻射部(Parasitic Radiation Element)170、一調整電路(Tuning Circuit)180，以及一非導體支撐元件(Nonconductive Support Element)190，其中接地元件130、饋入輻射部140、第一輻射部150、第二輻射部160，以及寄生輻射部170皆可用金屬材質所製成，例如：銅、銀、鋁、鐵，或是其合金。

金屬機構件110之形狀和種類於本發明中不並特別作限制。例如，若天線結構100應用於一筆記型電腦當中，則金屬機構件110可為此筆記型電腦之一金屬背蓋(Metal Back Cover)，但亦不僅限於此。金屬機構件110具有一槽孔(Slot)120，其中金屬機構件110之槽孔120可大致呈現一L字形。詳細而言，槽孔120可為一開口槽孔(Open Slot)，並可具有相對較寬之一開口端121和相對較窄之一閉口端122。

另外，金屬機構件110更包括一第一接地部份(Grounding portion)GP1和一第二接地部份GP2，其中槽孔120係介於第一接地部份GP1和第二接地部份GP2之間。例如，第一接地部份GP1和第二接地部份GP2可各自藉由與金屬機構件110之本體互相耦接之一金屬延伸元件(Metal Extension Element)來實施，但亦不僅限於此。在一些實施例中，天線結構100還可包括一非導體材質(未顯示)，其可填充於金屬機構件110之槽孔120中，以達成防水或防塵之功能。

例如，非導體支撐元件190可由塑膠材質所製成。非導體支撐元件190可用於承載接地元件130、饋入輻射部140、第一輻射部150、第二輻射部160、寄生輻射部170，以及調整電路180。非導體支撐元件190可具有彼此相對之一第一表面E1和一第四表面E4，更可具有與之相鄰之一第二表面E2和一第三表面E3，其中第一表面E1係介於第二表面E2和第三表面E3之間，而第二表面E2和第三表面E3皆大致垂直於第一表面E1。

詳細而言，第一輻射部150和寄生輻射部170皆可由非導體支撐元件190之第一表面E1上延伸至第二表面E2上。饋入輻射部140、第二輻射部160，以及調整電路180皆可設置於非導體支撐元件190之第一表面E1上。接地元件130可設置於非導體支撐元件190之第三表面E3上。另外，非導體支撐元件190之第四表面E4則可鄰近於金屬機構件110之槽孔120。必須注意的是，本說明書中所謂「鄰近」或「相鄰」一詞可指對應之二元件間距小於一既定距離(例如：10mm或更短)，亦可包括對應之二元件彼此直接接觸之情況(亦即，前述間距縮短至0)。在一些實施例中，非導體支撐元件190之第四表面E4係與金屬機構件110直接互相貼合，使得非導體支撐元件190可至少部份覆蓋住金屬機構件110之槽孔120。

在一些實施例中，金屬機構件110之第一接地部份GP1可延伸至非導體支撐元件190之第二表面E2上，而金屬機構件110之第二接地部份GP2則可延伸至非導體支撐元件190之第三表面E3上，但亦不僅限於此。在另一些實施例中，接地元件130、饋入輻射部140、第一輻射部150、第二輻射部160、寄生輻射部170，以及調整電路180亦可皆僅設置於非導體支撐元件190之同一表面上，例如：第一表面E1、第二表面E2、第三表面E3，以及第四表面E4之任一者。

接地元件130可與金屬機構件110互相耦接。接地元件130之形狀在本發明中並不特別作限制。例如，接地元件130可藉由一接地銅箔(Ground Copper Foil)來實施。在一些實施例中，接地元件130更可由非導體支撐元件190之第三表面E3上延伸至金屬機構件110上。

饋入輻射部140可以大致呈現一矩形。詳細而言，饋入輻射部140具有一第一端141和一第二端142，其中一饋入點(Feeding Point)FP係位於饋入輻射部140之第一端141處，而饋入點FP更可耦接至一信號源199。例如，信號源199可以是一射頻(Radio Frequency，RF)模組，其可用於激發天線結構100。在一些實施例中，饋入輻射部140於金屬機構件110上具有一第一垂直投影(Vertical Projection)，其中此第一垂直投影可與金屬機構件110之槽孔120至少部份重疊。

第一輻射部150可以大致呈現一Z字形。詳細而言，第一輻射部150具有一第一端151和一第二端152，其中第一輻射部150之第一端151係耦接至饋入輻射部140之第二端142，而第一輻射部150之第二端152為一開路端(Open End)。在一些實施例中，第一輻射部150更可包括一末端加寬部份(Terminal Widening Portion)158，其可位於第一輻射部150之第二端152處。在一些實施例中，第一輻射部150於金屬機構件110上具有一第二垂直投影，其中此第二垂直投影可與金屬機構件110之槽孔120至少部份重疊。

第二輻射部160可以大致呈現一不等寬直條形。詳細而言，第二輻射部160具有一第一端161和一第二端162，其中第二輻射部160之第一端161係耦接至饋入輻射部140之第二端142，而第二輻射部160之第二端162為一開路端。例如，第二輻射部160之第二端162和第一輻射部150之第二端152兩者可大致朝相反且互相遠離之方向作延伸。在一些實施例中，第二輻射部160包括鄰近於第一端161之一較窄部份(Narrow Portion)164和鄰近於第二端162之一較寬部份(Wide Portion)165，其中較寬部份165可經由較窄部份164耦接至饋入輻射部140。在一些實施例中，第二輻射部160於金屬機構件110上具有一第三垂直投影，其中此第三垂直投影可與金屬機構件110之槽孔120至少部份重疊。

寄生輻射部170可以大致呈現一L字形。詳細而言，寄生輻射部170具有一第一端171和一第二端172，其中寄生輻射部170之第一端171係耦接至接地元件130，而寄生輻射部170之第二端172為一開路端。例如，寄生輻射部170之第二端172和第一輻射部150之第二端152兩者可大致朝相同方向作延伸。另外，寄生輻射部170係鄰近於第一輻射部150和第二輻射部160，其中寄生輻射部170和第一輻射部150之間可形成一第一耦合間隙(Coupling Gap)GC1，而寄生輻射部170和第二輻射部160之間可形成一第二耦合間隙GC2。在一些實施例中，寄生輻射部170更具有一角落缺口(Corner Notch)178，其可位於寄生輻射部170之第二端172處。例如，前述之角落缺口178可大致呈現一矩形或一正方形。在一些實施例中，寄生輻射部170於金屬機構件110上具有一第四垂直投影，其中此第四垂直投影可與金屬機構件110之槽孔120至少部份重疊。

調整電路180係耦接於金屬機構件110之第一接地部份GP1和第二接地部份GP2之間。調整電路180之內部結構於本發明中並不特別作限制。例如，調整電路180可包括一切換電路(Switch Circuit)、一或複數個電感器(Inductor)、一或複數個電容器(Capacitor)，或(且)一或複數個電阻器(Resistor)，但亦不僅限於此。在一些實施例中，調整電路180於金屬機構件110上具有一第五垂直投影，其中此第五垂直投影可與金屬機構件110之槽孔120至少部份重疊。

第4圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構100之電壓駐波比(Voltage Standing Wave Ratio，VSWR)圖，其中橫軸代表操作頻率(MHz)，而縱軸代表電壓駐波比。根據第4圖之量測結果，天線結構100可涵蓋一第一頻帶(Frequency Band)FB1、一第二頻帶FB2、一第三頻帶FB3，以及一第四頻帶FB4。例如，第一頻帶FB1可介於617MHz至960MHz之間，第二頻帶FB2可介於1710MHz至2690MHz之間，第三頻帶FB3可介於3300MHz至5000MHz之間，而第四頻帶FB4可介於5150MHz至5925MHz之間。因此，天線結構100將至少可支援新世代5G通訊系統(5th Generation Wireless System)之sub-6GHz寬頻操作。

在一些實施例中，天線結構100之操作原理可如下列所述。金屬機構件110之槽孔120可激發前述之第一頻帶FB1。饋入輻射部140和第一輻射部150可共同激發產生前述之第二頻帶FB2。饋入輻射部140和第二輻射部160可共同激發產生一基頻共振模態(Fundamental Resonant Mode)，以形成前述之第三頻帶FB3。饋入輻射部140和第二輻射部160更可共同激發產生一高階共振模態(Higher-Order Resonant Mode)，以形成前述之第四頻帶FB4。寄生輻射部170可由第一輻射部150和第二輻射部160所耦合激發，以增加前述之第二頻帶FB2、第三頻帶FB3，以及第四頻帶FB4之操作頻寬(Operational Bandwidth)。根據實際量測結果，第一輻射部150之末端加寬部份158可用於微調前述之第二頻帶FB2之阻抗匹配(Impedance Matching)。第二輻射部160之不等寬設計可用於微調前述之第三頻帶FB3之阻抗匹配。另外，寄生輻射部170之角落缺口178亦可用於微調前述之第二頻帶FB2之阻抗匹配。

在一些實施例中，天線結構100之元件尺寸可如下列所述。金屬機構件110之槽孔120之長度LS可大致等於天線結構100之第一頻帶FB1之0.25倍波長(λ/4)。槽孔120之開口端121之寬度WS1可介於4mm至6mm之間。槽孔120之閉口端122之寬度WS2可介於2mm至4mm之間。饋入輻射部140和第一輻射部150之總長度L1可大致等於天線結構100之第二頻帶FB2之0.25倍波長(λ/4)。饋入輻射部140和第二輻射部160之總長度L2可大致等於天線結構100之第三頻帶FB3之0.25倍波長(λ/4)。寄生輻射部170之長度L3可大致等於天線結構100之第二頻帶FB2之0.25倍波長(λ/4)。第一耦合間隙GC1之寬度可介於0.8mm至1.2mm之間。第二耦合間隙GC2之寬度可介於0.8mm至1.2mm之間。調整電路180和槽孔120之閉口端122之間距D1可介於3mm至7mm之間。調整電路180和寄生輻射部170之間距D2可介於3mm至7mm之間。以上尺寸範圍係根據多次實驗結果而求出，其有助於最佳化天線結構100之操作頻寬和阻抗匹配。

第5圖係顯示根據本發明一實施例所述之調整電路180之示意圖。在第5圖之實施例中，調整電路180包括一第一電感元件(Inductive Element)181、一第二電感元件182、一電容元件(Capacitive Element)183、一斷路元件(Open-Circuited Element)184，以及一選擇電路(Selection Circuit)185，其中第一電感元件181之電感值(Inductance)係大於第二電感元件182之電感值。

詳細而言，選擇電路185之一端係耦接至第一接地部份GP1，而選擇電路185之另一端則可根據一切換信號SC於第一電感元件181、第二電感元件182、電容元件183，以及斷路元件184之間作切換。另外，第一電感元件181、第二電感元件182、電容元件183，以及斷路元件184則可分別耦接至第二接地部份GP2。

大致來說，選擇電路185可根據控制信號SC來選擇第一電感元件181、第二電感元件182、電容元件183，以及斷路元件184之一者作為一目標元件(Target Element)，其中前述之目標元件將會耦接於金屬機構件110之第一接地部份GP1和第二接地部份GP2之間。例如，切換信號SC可藉由一處理器(Processor)(未顯示)根據一使用者輸入而產生，但亦不僅限於此。在一些實施例中，第一電感元件181之電感值可介於8nH至12nH之間，第二電感元件182之電感值可介於0.1nH至2nH之間，而電容元件183之電容值(Capacitance)可介於1pF至5pF之間，但亦不僅限於此。

第6圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構100之輻射效率(Radiation Efficiency)圖，其中橫軸代表操作頻率(MHz)，而縱軸代表輻射效率(%)。如第6圖所示，一第一曲線CC1代表選擇電路185選擇電容元件183時天線結構100之操作特性，一第二曲線CC2代表選擇電路185選擇斷路元件184時天線結構100之操作特性，一第三曲線CC3代表選擇電路185選擇第一電感元件181時天線結構100之操作特性，而一第四曲線CC4代表選擇電路185選擇第二電感元件182時天線結構100之操作特性。根據第6圖之量測結果，調整電路180之加入將有助於大幅提升天線結構100之第一頻帶FB1之操作頻寬。必須理解的是，調整電路180之以上設計方式僅為舉例。在其他實施例中，調整電路180之內部結構亦可根據不同需求而進行調整。

本發明提出一種新穎之天線結構，其可與一金屬機構件互相整合。由於金屬機構件可以視為天線結構之一延伸部份，其將不會對天線結構之輻射性能造成負面影響。相較於傳統設計，本發明至少具有小尺寸、寬頻帶、低製造成本，以及美化裝置外觀等優勢，故其很適合應用於各種各式之行動通訊裝置當中(特別是窄邊框之行動裝置)。

值得注意的是，以上所述之元件尺寸、元件形狀、元件參數，以及頻率範圍皆非為本發明之限制條件。天線設計者可以根據不同需要調整這些設定值。本發明之天線結構並不僅限於第1-6圖所圖示之狀態。本發明可以僅包括第1-6圖之任何一或複數個實施例之任何一或複數項特徵。換言之，並非所有圖示之特徵均須同時實施於本發明之天線結構當中。

在本說明書以及申請專利範圍中的序數，例如「第一」、「第二」、「第三」等等，彼此之間並沒有順序上的先後關係，其僅用於標示區分兩個具有相同名字之不同元件。

本發明雖以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明的範圍，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許的更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100:天線結構

110:金屬機構件

120:槽孔

121:槽孔之開口端

122:槽孔之閉口端

130:接地元件

140:饋入輻射部

141:饋入輻射部之第一端

142:饋入輻射部之第二端

150:第一輻射部

151:第一輻射部之第一端

152:第一輻射部之第二端

158:第一輻射部之末端加寬部份

160:第二輻射部

161:第二輻射部之第一端

162:第二輻射部之第二端

164:第二輻射部之較窄部份

165:第二輻射部之較寬部份

170:寄生輻射部

171:寄生輻射部之第一端

172:寄生輻射部之第二端

178:寄生輻射部之角落缺口

180:調整電路

181:第一電感元件

182:第二電感元件

183:電容元件

184:斷路元件

185:選擇電路

190:非導體支撐元件

199:信號源

CC1:第一曲線

CC2:第二曲線

CC3:第三曲線

CC4:第四曲線

D1,D2:間距

E1:非導體支撐元件之第一表面

E2:非導體支撐元件之第二表面

E3:非導體支撐元件之第三表面

E4:非導體支撐元件之第四表面

FB1:第一頻帶

FB2:第二頻帶

FB3:第三頻帶

FB4:第四頻帶

GC1:第一耦合間隙

GC2:第二耦合間隙

GP1:第一接地部份

GP2:第二接地部份

L1,L2,L3,LS:長度

SC:控制信號

WS1,WS2:寬度

第1圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之前視圖。第2圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之部份立體圖。第3圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之分解圖。第4圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之電壓駐波比圖。第5圖係顯示根據本發明一實施例所述之調整電路之示意圖。第6圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之輻射效率圖。