TWI833147B - 電子裝置以及其檢測方法 - Google Patents
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Abstract
本揭露公開一種電子裝置，包括導電層、第一介電層以及第二介電層，第二介電層設置於第一介電層上，其中導電層設置於第一介電層與第二介電層之間，第一介電層對一光線具有一第一穿透率，第二介電層對光線具有一第二穿透率，且第一穿透率不同於第二穿透率。
Description
本揭露涉及一種電子裝置及其製作方法與檢測方法，特別是用於提升檢測影像清晰度的電子裝置及其製作方法與檢測方法。
近年來，隨著電子裝置變得越來越小，同時需要將更多元件整合至電子裝置中，元件間的金屬走線設計與品質將影響電子裝置的可靠度。因此提供一個能提升檢測影像清晰度的電子裝置的製作方法，進而降低檢測時間或提升瑕疵檢出能力，為亟需考慮的課題。
根據本揭露的一實施例，公開了一種電子裝置，其包括連接件。連接件包括導電層、第一介電層以及第二介電層，且第二介電層設置於第一介電層上，其中導電層設置於第一介電層與第二介電層之間，第一介電層對一光線具有一第一穿透率，第二介電層對光線具有一第二穿透率，且第一穿透率不同於第二穿透率。
根據本揭露的另一實施例，公開了一種電子裝置的製作方法。首先提供載板，然後於載板上形成連接件，其中連接件包括第一介電層以及第二介
電層，第一介電層設置於載板上，且第二介電層設置於第一介電層上。第一介電層對一光線具有一第一穿透率，第二介電層對光線具有一第二穿透率，且第一穿透率不同於第二穿透率。
根據本揭露的另一實施例，公開了一種電子裝置的檢測方法。首先提供載板，然後於載板上形成連接件，其中連接件包括第一介電層以及第二介電層，第一介電層設置於載板上，且第二介電層設置於第一介電層上。接著，提供一光源檢測連接件。
1,2,3,4,5,6:電子裝置
12,48:載板
14,50:離型層
16:絕緣層
18:第一導電層
18a:下接墊
18b:虛設接墊
20,220,320,420:第一介電層
20a,26a,30a,34a:穿孔
22:檢測裝置
24:第二導電層
24a,28a,32a:導電區塊
24b:虛設區塊
26,226,326,426:第二介電層
28:第三導電層
30,230,330,430:第三介電層
32:第四導電層
34,234,334,434:第四介電層
36:第五導電層
36a:上接墊
38:連接件
40:外掛元件
42:導電凸塊
44:封膠結構
46:導電膠
A,B,C,D,E,F:曲線
L1,L2,L3,L4,L1’,L2’,L3’,L4’:光線
MB:金屬區塊
P1,P2,P3:穿透率
R1,R2,R3,R4:波長範圍
S12,S14,S16,S18,S110,S112,S114:步驟
SB:晶種區塊
TD:俯視方向
W1,W2,W3:波長
圖1到圖5所示為本揭露一實施例的電子裝置的製作方法示意圖。
圖6所示為本揭露一實施例的介電層的穿透光譜的示意圖。
圖7所示為本揭露另一實施例的電子裝置的剖視示意圖。
圖8所示為本揭露另一實施例的電子裝置的剖視示意圖。
圖9所示為本揭露另一實施例的電子裝置的剖視示意圖。
圖10所示為本揭露另一實施例的電子裝置的剖視示意圖。
圖11所示為本揭露另一實施例的電子裝置的剖視示意圖。
以下針對本揭露實施例的電子裝置作詳細說明。應了解的是，以下提供許多不同的實施例用以實施不同態樣。以下特定元件及排列方式僅為簡單清楚描述一些實施例。當然，這些僅用以舉例而非限定。此外，在不同實施例中可能使用類似及/或對應的標號標示類似的元件，以清楚描述。然而，這些類
似的標號僅為了簡單清楚地敘述一些實施例，不代表所討論之不同實施例及/或結構之間具有任何關連性。
當述及一第一層位於一第二層上或之上時，包括第一層與第二層直接接觸之情形，或者其間亦可能間隔一或更多其它層，在此情形中，第一層與第二層之間可能不直接接觸。
下文結合具體實施例和附圖對本揭露的內容進行詳細描述，為了使內容更加清楚和易懂，下文各附圖為可能為簡化的示意圖，且其中的元件可能並非按比例繪製。附圖中的各元件的數量與尺寸僅為示意，並非用於限制本揭露的範圍。
本揭露通篇說明書與所附的申請專利範圍中會使用某些詞彙來指稱
特定元件。本領域技術人員應理解，電子設備製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的元件，且本文並未意圖區分那些功能相同但名稱不同的元件。在下文說明書與申請專利範圍中，「含有」與「包括」等詞均為開放式詞語，因此應被解釋為「含有但不限定為...」之意。還應當理解，當一元件被稱作"耦接"到另一元件(或其變型)時，它可以直接連接到另一元件或通過一或多個元件間接地連接(例如，電性連接)到另一元件。
說明書與申請專利範圍中所使用的序數例如“第一”、“第二”等之用詞，以修飾申請專利範圍之元件，其本身並不意含及代表該要求元件有任何之前的序數，也不代表某一要求元件與另一要求元件的順序、或是製造方法上的順序，該些序數的使用僅用來使具有某命名的一要求元件得以和另一具有相同
命名的要求元件能作出清楚區分。
當相應的構件(例如膜層或區域)被稱為「在另一個構件上」時，它可以直接在另一個構件上，或者兩者之間可存在有其他構件。另一方面，當構件被稱為「直接在另一個構件上」時，則兩者之間不存在任何構件。另外，當一構件被稱為「在另一個構件上」時，兩者在俯視方向上有上下關係，而此構件可在另一個構件的上方或下方，而此上下關係取決於裝置的取向(orientation)。
於文中，「約」、「實質上」、「大致」之用語通常表示在一給定值或範圍的10%內，或5%內、或3%之內、或2%之內、或1%之內、或0.5%之內。在此給定的數量為大約的數量，亦即在沒有特定說明「約」、「實質上」、「大致」的情況下，仍可隱含「約」、「實質上」、「大致」之含義。此外，用語「範圍介於第一數值及第二數值之間」表示所述範圍包含第一數值、第二數值以及它們之間的其它數值。
應理解的是，以下所舉實施例可以在不脫離本揭露的精神下，可將數個不同實施例中的特徵進行替換、重組、混合以完成其他實施例。各實施例間特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意混合搭配使用。
除非另外定義，在此使用的全部用語(包含技術及科學用語)具有與本揭露所屬技術領域的技術人員通常理解的相同涵義。能理解的是，這些用語例如在通常使用的字典中定義用語，應被解讀成具有與相關技術及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不應以一理想化或過度正式的方式解讀，除非在本揭露實施例有特別定義。
本揭露的電子裝置可包括封裝元件、顯示裝置、天線裝置、觸控顯示裝置(touch display)、曲面顯示裝置(curved display)或非矩形顯示裝置(free shape display)，但不以此為限。電子裝置可為可彎折或可撓式電子裝置。電子裝置可例如包括發光二極體、液晶(liquid crystal)、螢光(fluorescence)、磷光(phosphor)、其它合適的顯示介質或前述之組合，但不以此為限。發光二極體可例如包括有機發光二極體(organic light-emitting diode，OLED)、無機發光二極體(inorganic light-emitting diode，LED)、次毫米發光二極體(mini-light-emitting diode，mini LED)、微發光二極體(micro-light-emitting diode，micro-LED)、量子點(quantum dots，QDs)發光二極體(可例如為QLED、QDLED)、其他適合之材料或上述的任意排列組合，但不以此為限。顯示裝置可例如包括拼接顯示裝置，但不以此為限。本揭露的概念或原理也可應用在非自發光式的液晶顯示器(liquid crystal display，LCD)，但不以此為限。
天線裝置可例如是液晶天線或其他種類的天線類型，但不以此為限。天線裝置可例如包括拼接天線裝置，但不以此為限。需注意的是，電子裝置可為前述之任意排列組合，但不以此為限。此外，電子裝置的外型可為矩形、圓形、多邊形、具有彎曲邊緣的形狀或其他適合的形狀。電子裝置可以具有驅動系統、控制系統、光源系統、層架系統...等週邊系統以支援顯示裝置、天線裝置或拼接裝置。本揭露的電子裝置可例如是顯示裝置，但不以此為限。
圖1到圖5所示為本揭露一實施例的電子裝置的製作方法(或檢測方法)示意圖，其中圖1、圖3到圖5繪示本揭露一實施例在製作電子裝置的不同步驟中的剖視結構示意圖，圖2所示為本揭露一實施例的檢測程序的流程示意圖，且
圖5所示為本揭露一實施例的電子裝置的剖視示意圖。為清楚示意，圖1、圖3到圖5顯示在不同步驟中的部分剖視結構，但不以此為限。如圖1所示，首先，提供載板12，用以承載後續所形成的連接件，其中連接件可具有多層介電層與多層金屬層的堆疊，例如圖4所示的連接件38。載板12可例如為硬質基板，舉例來說，硬質基板可例如包括玻璃、晶圓、外掛元件、圍繞有封膠結構(例如圖5所示的封膠結構44)的外掛元件或其他適合承載連接件38的基板，其中封膠結構可例如包括聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚醯亞胺(polyimide，PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、樹脂、環氧樹脂、有機矽化合物前述的組合，但不以此為限。在一些實施例中，載板12也可包括軟性基材並設置於硬質載體上，軟性基材可例如包括聚醯亞胺(polyimide,PI)或聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)，但不限於此。然後，於載板12上形成離型層14。離型層14包括具有離型能力的離型材料，用以在完成後續步驟之後將載板12與所形成的裝置分離，例如可透過熱離型將載板12與所形成的裝置分離或透過光離型將載板12與所形成的裝置分離，但不以此為限。本揭露所述離型層14可例如包括聚乙烯(polyethylene,PE)離型膜、PET離型膜、定向拉伸聚丙烯(Oriented polypropylene,OPP)離型膜、複合離型膜(即基材是有二種或二種以上的材質複合而成的)等，但不限於此。
在一些實施例中，如圖1所示，在形成離型層14之前，可先於載板12上形成絕緣層16，使得絕緣層16可設置於載板12與離型層14之間。本揭露所指絕緣層可例如為應力層，舉例而言，可用以緩和後續製作的連接件中所產生的應力，進一步改善電子裝置的翹曲，但不以此為限。舉例來說，絕緣層16可包括氮化矽或其他合適的材料。所述絕緣層16的厚度可大於或等於0.5微米(μm)且小於或等於5微米(μm)(0.5μm≦所述絕緣層16的厚度≦5μm)，但不以此為限。
如圖1所示，在形成離型層14之後，於離型層14上形成第一導電層18。第一導電層18可包括至少一個下接墊18a。在圖1的實施例中，下接墊18a的數量可為多個，但不限於此。在一些實施例中，形成第一導電層18的方式可包括先於離型層14上形成晶種層(seed layer)(未繪示)，然後於晶種層上形成光阻圖案，其中光阻圖案具有至少一開口，曝露出晶種層對應下接墊18a的部分。隨後，於曝露出的晶種層上形成金屬層，金屬層可包括至少一個金屬區塊MB，設置於對應的開口中。在一些實施例中，形成金屬層的方式可選擇性透過電鍍製程、化學電鍍製程、物理氣相沉積製程或其他合適的製程。在形成金屬層之後移除光阻圖案，以曝露出位於光阻圖案下的晶種層，並透過蝕刻製程，移除未被金屬層所覆蓋的晶種層，以形成至少一個晶種區塊SB，設置於對應的金屬區塊MB下。換言之，下接墊18a可包括依序堆疊的晶種區塊SB與金屬區塊MB。在一些實施例中，如圖1所示，下接墊18a的剖視形狀可例如為倒T形狀，但不以此為限。
如圖1所示，然後於第一導電層18與載板12上形成第一介電層20，並於第一介電層20中形成至少一個穿孔20a，以曝露出對應的下接墊18a。在圖1的實施例中，穿孔20a的數量可為多個，但不限於此。第一介電層20的形成方式可例如包括塗佈製程並搭配微影製程或曝光與顯影製程，但不以此為限。在一些實施例中，第一介電層20可例如包括PI、感光型PI(photosensitive polyimide，PSPI)或其他合適的介電材料，但不限於此。
如圖1所示，在形成穿孔20a之後，可透過光學檢測系統對第一介電層20與第一導電層18的相對關係及/或第一介電層20的外觀進行檢測程序。例如，確認所形成的穿孔20a在俯視方向TD上是否對準對應的下接墊18a。光學檢
測系統可例如包括自動光學檢測(Auto Optical Inspection,AOI)系統或其他合適的檢測系統。在圖1的實施例中，光學檢測系統可例如包括檢測裝置22，其中可包括用以產生光線L1的光源以及用以接收從第一介電層20與第一導電層18反射的光線L2的影像感測器，但不限於此。在一些實施例中，光學檢測系統還可包括其他元件，例如分析影像的元件或控制檢測程序的元件，且不以此為限。本文中的“俯視方向TD”可例如為與未對應穿孔20a的第一導電層18的部分和設置於第一導電層18的所述部分上的第一介電層20的堆疊方向相反的方向或是與本文連接件38中介電層和導電層的交替堆疊方向相反的方向，但不以此為限。
請進一步參考圖2，且一併參考圖1。圖2所示為本揭露一實施例的第一檢測程序流程圖。第一檢測程序可包括步驟S12到步驟S114。首先進行步驟S12，以透過光學檢測系統檢查已形成的介電層(例如第一介電層20)以及欲形成的介電層(例如後續形成的介電層)的材料或外觀，但不以此為限。舉例來說，已形成與欲形成的介電層的材料資訊可儲存或設定於光學檢測系統中，並透過光學檢測系統確認各介電層的材料。在一些實施例，可透過光學檢測系統檢測已形成的介電層是否有缺陷，例如孔洞或微裂，但不以此為限。然後，進行步驟S14，依據各介電層(例如第一介電層20以及下述的第二介電層26、第三介電層30以及第四介電層34)的顏色或材料選擇檢測裝置22中適合的光源用以檢測。適合的光源可例如為能夠產生具有一波長範圍的光線L1。在圖1的實施例中，光源的光線L1的波長範圍可例如從380納米(nm)到780nm。舉例來說，光線L1可為白光，但不限於此。在一些實施例中，光線L1的波長範圍可例如從440nm到485nm、從550nm到565nm或從625nm到740nm，但不以此為限。或者，光線L1的顏色可例如為藍色、綠色或紅色，但不以此為限。需說明的是，本文的“波長範圍”是指從一波長到另一波長的分布範圍，但不以此為限。本文中光線的“顏色”可例如指
在對應的波長範圍中具有一最大的峰值。舉例來說，在可見光的光譜中，紅色光線可在620nm到750nm的波長範圍中具有最大的峰值，同樣地綠色光線可在500nm到565nm的波長範圍中具有最大的峰值，或藍色光線可在485nm到500nm的波長範圍中具有最大的峰值，但不以此為限。一些實施例中，光線L1可不限具有單一波長範圍，也可具有至少兩個波長範圍。
如圖1與圖2所示，接著進行步驟S16，利用選擇出的光源進行檢測，也就是將光源的光線L1實質上沿著俯視方向TD射向已形成的第一介電層20及圖案化的下接墊18a。舉例來說，至少部分光線L1可穿透第一介電層20射向第一導電層18的下接墊18a。由於第一介電層20對於光源的光線L1可具有第一穿透率(Transmittance(%))，因此光線L1進入第一介電層20之後，部分被第一介電層20吸收且部分穿透第一介電層20而成為光線L2。光線L2會進一步被第一導電層18的下接墊18a反射，並穿過第一介電層20，而從第一介電層20的上表面射出成為光線L2’。因此，檢測裝置22可接收到第一介電層20上表面射出的光線L2’，以獲得檢測影像。然後，進行步驟S18，以透過光學檢測系統分析檢測影像，並於步驟S110中，判斷檢測影像是否足夠清晰，以確認是否需要演算法補償。在圖1的實施例中，由於第一導電層18與載板12之間沒有其他的導電層，因此光學檢測系統可檢測到足夠清晰的檢測影像，故可透過檢測影像判斷出第一導電層18的下接墊18a圖形是否符合產品規範，例如可判斷在俯視方向TD上，與第一介電層20重疊的第一導電層18的下接墊18a圖形是否完整，藉此判斷是否影響產品電性或產品可靠度，有助於快速提出解決方式或提升生產效率，但不以此為限。在一些實施例中，光源的光線L1實質上沿著俯視方向TD射向穿孔20a曝露出的下接墊18a，光線L1被曝露出的下接墊18a反射而成為光線L1’。因此，檢測裝置22可接收光線L1’以獲得檢測影像。由於光學檢測系統可檢測到足夠清晰的檢測影
像，故可透過檢測影像判斷出第一介電層20的穿孔20a與第一導電層18的下接墊18a的邊緣相對關係，例如可判斷出穿孔20a在俯視方向TD上是否曝露出對應的下接墊18a，藉此判斷是否影響後續製程，有助於快速提出解決方式或提升生產效率，但不以此為限。因此，進行步驟S112，結束第一檢測程序。當檢測影像不夠清晰，而不符合產品規範時，光學檢測系統會判斷需要演算法補償，因此進一步進行步驟S114，以開啟演算法程式，並回到步驟S16，再次利用選擇出的光源對第一介電層20與第一導電層18進行檢測，以獲得另一檢測影像。直到檢測影像足夠清晰時，才結束第一檢測程序。在一些實施例中，由於第一導電層18與載板12之間沒有其他的導電層，使得光學檢測系統可檢測到足夠清晰的檢測影像，因此第一檢測程序可不需進行步驟S110以及步驟S114。本揭露所指介電層對光線的穿透率(Transmittance(%))為穿過樣品的光線佔所有入射光線的百分比，可例如為介電層對該光線的最大穿透率，其中，穿透率可將介電層透過適合的光學量測儀器進行測試而得。舉例而言，可利用掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope，SEM)與聚焦離子束(Dual-beam FIB)分析介電層的厚度，並根據膜厚資訊使用鑽孔技術，可例如是雷射鑽孔技術製作出適合光學量測儀器測試的樣品尺寸。透過光學儀器量測上述介電層樣品，即可得介電層的穿透光譜或介電層對應特定波段的穿透率。本揭露所指光學量測儀器可例如是輝度計、穿透率量測儀、光學顯微鏡、上述結合或其他合適的儀器，但不以此為限。
如圖3所示，在完成上述第一檢測程序之後，可於第一介電層20上形成第二導電層24，其中第二導電層24可包括至少一個導電區塊24a，且導電區塊24a可從第一介電層20上延伸到第一介電層20的穿孔20a中，以與對應的下接墊18a電連接。形成第二導電層24的方式可例如與形成第一導電層18的方式類似或
相同，因此在此不再贅述。導電區塊24a也可例如包括依序堆疊的晶種區塊SB以及金屬區塊MB，但不限於此。在圖3的實施例中，第二導電層24可包括多個彼此分隔開的導電區塊24a，且導電區塊24a可分別與對應的下接墊18a電連接，但不以此為限。導電區塊24a可例如為走線、電極、電路或其他用途的區塊，不以此為限。
如圖3所示，然後於第一介電層20與第二導電層24上形成第二介電層26，其中第二介電層26較第一介電層20遠離第一導電層18，第二導電層24設置於第一介電層20與第二介電層26之間，且第二介電層26可具有至少一穿孔26a，曝露出對應的導電區塊24a。第二介電層26的形成方式可例如包括塗佈製程並搭配微影製程與蝕刻製程或搭配曝光與顯影製程，但不以此為限。第二介電層26可例如包括PI或感光型PI，但不限於此。在一些實施例中，第二導電層24中的至少一個導電區塊24a可不被穿孔26a曝露出，但不限於此。在形成第二導電層24與第二介電層26之後，可透過光學檢測系統對第二介電層26與第二導電層24的相對關係及/或第二導電層24的導電區塊24a的圖形進行第二檢測程序。在一實施例中，第二檢測程序可與上述第一檢測程序類似或相同，因此也可包括步驟S12到步驟S114。
需說明的是，如圖3所示，在進行第二檢測程序的步驟S16中，光源的光線L1可實質上沿著俯視方向TD射向已形成的第二介電層26以及圖案化的導電區塊24a。部分光線L1可透過穿孔26a射向導電區塊24a，且光線L1可被曝露出的導電區塊24a反射而成為光線L1’。由於第二介電層26對於光線L1可具有第二穿透率，因此進入第二介電層26的光線L1部分會被第二介電層26吸收，且部分會穿透第二介電層26成為光線L3，並射向導電區塊24a以及第二介電層26與第
一介電層20之間的介面。部分光線L3在穿過第二介電層26可被導電區塊24a反射形成光線L3’，因此從第二介電層26上表面射出的光線L3’可具有導電區塊24a的圖案信息。還有一部分的光線L3會進入第一介電層20，由於第一介電層20對於光線L3可具有第三穿透率，因此進入第一介電層20的光線L3部分會被第一介電層20吸收，且部分會穿透第一介電層20成為光線L4。光線L4可穿過第一介電層20被下接墊18a反射而形成光線L4’。由於光線L4’是光線L1經由第二介電層26與第一介電層20吸收形成，因此在經過反射之後可進入第二介電層26並從第二介電層26的上表面射出，其中光線L4’可具有下接墊18a的圖案信息。透過上述方法，設置於第二介電層26上方的檢測裝置22例如可接收從穿孔26a射出的光線L1’以及從第二介電層26上表面射出的光線L3’以及光線L4’，以獲得檢測影像，藉此可提升檢測能力，且可於製程中即時修正並改善電子裝置的可靠度，但不以此為限。第二介電層26的第二穿透光譜可不同於第一介電層20的第一穿透光譜，因此，第一介電層20對於光線L1可具有第一穿透率，第二介電層26對於光線L1可具有第二穿透率，其中，第一穿透率可不同於第二穿透率。第二介電層26對於光線L1可具有第二穿透率，故光線L1穿透第二介電層26形成光線L3，因此第二介電層26對於光線L3的穿透率可不同於第一介電層20對於光線L3的穿透率，例如第二介電層26對於光線L3的穿透率與第一介電層20對於光線L3的第三穿透率的差值大於或等於10%，或第二介電層26對於光線L3的穿透率與第一介電層20對於光線L3的第三穿透率的差值大於或等於30%，或第二介電層26對於光線L3的穿透率與第一介電層20對於光線L3的第三穿透率的差值大於或等於50%，或第二介電層26對於光線L3的穿透率與第一介電層20對於光線L3的第三穿透率的差值大於或等於70%，最佳為第一介電層20完全吸收光線L3。透過上述設置，可在檢測程序時降低導電區塊24a與下接墊18a的圖案信息相互干擾，進而提升判斷速度，但不以此為限。另外，光線L3在經過第一介電層20的吸收之後所形成
的光線L4的強度會小於或大幅小於光線L3的強度，或者第一介電層20實質上吸收光線L3，因此幾乎沒有光線L4’反射。因此，檢測裝置22可接收到清楚的導電區塊24a的圖案信息，以及模糊甚至不清楚的下接墊18a的圖案信息，使得光學檢測系統可輕易地從檢測影像中區別出第二介電層26的穿孔26a與第二導電層24的圖案，例如不需額外進行演算法程式即可分辨出。如此，可提升第二介電層26與第二導電層24的瑕疵檢出率，或縮短檢測第二介電層26與第二導電層24的時間。由於第二檢測程序的其他步驟可與第一檢測程序類似或相同，因此在此不多贅述。
如圖3所示，需說明的是，第一介電層20與第二介電層26還可分別包括具有特定顏色的染料(化合物)，使得第一介電層20與第二介電層26可具有不同的顏色(color)，本揭露所指的顏色可例如是觀察者對物品視覺上的色彩。進一步而言，當第一介電層20與第二介電層26分別包括具有特定顏色的染料，使得第一介電層20對光線L1可具有第一穿透率，且第二介電層26對光線L1可具有第二穿透率。在本文中，單一介電層的穿透光譜是針對對應的單層介電層所量測出的波長與穿透率的關係。下文將進一步描述光線被第一介電層20與第二介電層26吸收或穿過的方式。在圖3的實施例中，第一介電層20的第一穿透光譜可不同於第二介電層26的第二穿透光譜，使得第一介電層20與第二介電層26可分別用以過濾掉具有不同波長範圍的光線。具體地，第二穿透光譜在380nm到780nm的範圍中具有一穿透率以及對應穿透率的一波長，且第二穿透光譜的所述穿透率不同於第一穿透光譜於所述波長的穿透率。舉例來說，第一介電層20與第二介電層26中的一個可包括綠色濾光材料、黃色濾光材料、藍色濾光材料與紅色濾光材料中的一個，且第一介電層20與第二介電層26中的另一個可包括綠色濾光材料、黃色濾光材料、藍色濾光材料與紅色濾光材料中的另一個。
圖6所示為本揭露一實施例的介電層的穿透光譜的示意圖。如圖6所示，曲線A代表紅色濾光材料的穿透光譜，曲線B代表綠色濾光材料的穿透光譜，曲線C代表藍色濾光材料的穿透光譜，曲線D代表青色(cyan)濾光材料的穿透光譜，曲線E代表洋紅色(magenta)濾光材料的穿透光譜，且曲線F代表黃色濾光材料的穿透光譜。在本文中，濾光材料的顏色可例如指以白色光線穿過對應的濾光材料之後所具有的顏色。圖6中不同顏色濾光材料的穿透光譜為示例，本揭露的介電層的顏色與穿透光譜不以此為限。舉例而言，在圖3與圖6的實施例中，當光源的光線L1的波長介於380-780nm(380nm≦光線L1的波長≦780nm)時，第二介電層26的第二穿透光譜可例如為紅色濾光材料對於光源的光線L1的穿透光譜(例如圖6的曲線A)，且第一介電層20的第一穿透光譜可例如為綠色濾光材料對於光源的光線L1的穿透光譜(例如圖6的曲線B)，其中第一介電層20對於光線L1可具有第一穿透率P3，第二介電層26對於光線L1可具有第二穿透率P1，其中，第一穿透率P3可不同於第二穿透率P1。由圖6曲線A得知，第二介電層26對於波長範圍R4內的光線波長具有較大的穿透率P1，詳細而言，第二介電層26對於光線波長介於650-780nm(650nm≦波長≦780nm)時具有較大的穿透率P1，例如穿透率P1大於或等於70%，也就代表光線波長介於650-780nm可穿透第二介電層26而形成光線L3。請繼續參考圖6，由圖6曲線B得知，第一介電層20對於光線波長介於650-780nm具有較低的穿透率，例如具有小於或等於10%或等於0%的穿透率，在此情況下，光線L3幾乎被第一介電層20吸收或僅有少部分穿透第一介電層20並反射形成光線L4’。透過上述設計將有效降低光線L3’受到光線L4’的干擾，進而提升瑕疵檢出率。在一些實施例，第二介電層26可例如是藍色濾光材料(穿透光譜例如圖6的曲線C)，第一介電層20可例如是黃色濾光材料(穿透光譜例如圖6的曲線E)。由圖6曲線C得知，光線波長介於380-480nm(380nm≦波長≦
480nm)可穿透第二介電層形成光線L3，第二介電層26對於光線波長介於380-480nm的穿透率P2大約為80%，由圖6曲線E得知而第一介電層20對於光線波長介於380-480nm具有較大的穿透率P4大約為70%，可同時搭配檢測儀器的對比等功能，降低光線L3’受到光線L4’的干擾，進而提升瑕疵檢出率。也就是說，第二介電層26對於光線波長介於380-480nm具有較大的穿透率P2與第一介電層20對於光線波長介於380-480nm的穿透率P4差值至少大於或等於10%，可提升瑕疵檢出率，但不以此為限。在一些實施例中，依據第一介電層20與第二介電層26的顏色，光學檢測系統可選擇光源的光線L1具有從380nm到780nm的波長範圍(例如在圖2所示的步驟S14中)。當光線L1具有所述波長範圍時，進入第二介電層26的光線L3的波長範圍可例如從600nm到700nm(600nm≦波長≦700nm)，然而第一穿透光譜具有較高穿透率的波長範圍例如從500nm到600nm(500nm≦波長≦600nm)，因此光線L3的強度在經過第一介電層20的吸收之後會明顯的降低，使得所形成的光線L4的強度會明顯小於光線L3的強度。如此一來，儘管導電區塊24a在俯視方向TD上可與第一導電層18的下接墊18a重疊，但在第二檢測程序中，由於同時穿過第二介電層26與第一介電層20的光線L4’強度會小於穿過第二介電層26的光線L3’的強度，因此在第二檢測程序所檢測到的檢測影像中，第二介電層26的穿孔26a與第二導電層24的導電區塊24a的清晰度會明顯高於第一介電層20的穿孔20a與第一導電層18的下接墊18a的清晰度，進而可容易從檢測影像中區別出第二介電層26的穿孔26a與第二導電層24的圖案。因此，可提升第二介電層26與第二導電層24的瑕疵檢出率，或縮短檢測第二介電層26與第二導電層24的時間。本揭露的第一介電層20的第一穿透光譜與第二介電層26的第二穿透光譜不以上述為限。在一些實施例中，第一介電層20的第一穿透光譜與第二介電層26的第二穿透光譜中的一個可為曲線A、曲線B、曲線C、曲線E與曲線F中的一個，且第一介電層20的第一穿透光譜與第二介電層26的第二穿透光譜中的
另一個可為曲線A、曲線B、曲線C、曲線E與曲線F中的另一個。在一些實施例中，當光源的光線L1的波長範圍可從380nm到780nm時，第二穿透光譜的穿透率P1也可小於或等於第一穿透光譜於對應穿透率P1的波長W1的穿透率，在此情況下，第二穿透光譜可具有一波長範圍R1，對應大於10%以上的穿透率，且第二穿透光譜的穿透率在所述波長範圍R1的積分可大於第一穿透光譜的穿透率在所述波長範圍R1的積分。
如圖4所示，在完成第二檢測程序之後，可於第二介電層26與第二導電層24上形成第三導電層28，其中第三導電層28可包括至少一個導電區塊28a，且導電區塊28a可從第二介電層26上延伸到第二介電層26的穿孔26a中，以與對應的導電區塊28a電連接。形成第三導電層28的方式可例如與形成第二導電層24的方式類似或相同，因此在此不再贅述。在圖4的實施例中，導電區塊28a在俯視方向TD上可例如與第二導電層24的導電區塊24a或第一導電層18的下接墊18a重疊，但不以此為限。在一些實施例中，第三導電層28可包括多個彼此分隔開的導電區塊28a，但不以此為限。
如圖4所示，在形成第三導電層28之後，於第二介電層26與第三導電層28上形成第三介電層30，其中第三介電層30具有至少一穿孔30a，曝露出對應的導電區塊28a。第三介電層30的形成方式可例如與第二介電層26的形成方式類似或相同，但不以此為限。第三介電層30可例如包括PI或感光型PI，但不限於此。需說明的是，第三介電層30還可包括具有特定顏色的染料(化合物)，使得第三介電層30可具有第三穿透光譜。當光源所產生的光線L1的波長範圍從380nm到780nm時，第三穿透光譜可不同於第二穿透光譜，或者第三介電層30的顏色不同於第二介電層26的顏色。第三介電層30可例如包括綠色濾光材料、黃色濾光材
料、藍色濾光材料與紅色濾光材料中不同於第二介電層26的一個。
在圖4的實施例中，第三介電層30可例如包括具有第三穿透光譜的藍色濾光材料。第三穿透光譜可例如為圖6所示的曲線C(藍色濾光材料的穿透光譜)。以圖6的曲線C為例，光線波長介於380-480nm(380nm≦波長≦480nm)可穿透第三介電層30，表示第三介電層30對於光線波長介於380-480nm的穿透率大約為80%，而由圖6的曲線A得知，第二介電層26對於波長介於380-480nm(380nm≦波長≦480nm)的穿透率小於等於10%，也就是說，第三穿透光譜可具有穿透率P2以及對應穿透率P2的波長W2，且第三穿透光譜的穿透率P2可大於第二穿透光譜(例如圖6的曲線A)於波長W2的穿透率。舉例來說，第三穿透光譜的穿透率P2與第二穿透光譜於波長W2的穿透率的差值可大於或等於10%。藉由上述設置，可以提升瑕疵檢出率，但不以此為限。
在一些實施例中，如圖4與圖6所示，在形成第三導電層28與第三介電層30之後，可透過光學檢測系統對第三介電層30的穿孔30a與第三導電層28的導電區塊28a的相對關係及/或第三導電層28的導電區塊28a的圖形進行第三檢測程序。儘管導電區塊28a在俯視方向TD上可與第二導電層24的導電區塊24a及/或第一導電層18的下接墊18a重疊，但在第三檢測程序中，由於第三穿透光譜(例如圖6的曲線C)的穿透率P2可大於第二穿透光譜(例如圖6的曲線A)於波長W2的穿透率，因此同時穿過第三介電層30與第二介電層26的光線強度會小於穿過第三介電層30的光線強度，進而提升第三介電層30與第三導電層28的檢測影像清晰度以及檢測精確度。在一實施例中，第三檢測程序可類似或相同於圖2所示的第一檢測程序，而可包括步驟S12到步驟S114，因此在此不多贅述。
如圖4所示，在第三檢測程序之後，還可於第三導電層28與第三介電層30上形成第四導電層32以及第四介電層34。由於形成第四導電層32與第四介電層34的方式可類似或相同於形成第三導電層28與第三介電層30的方式，因此在此不多贅述。第四導電層32可包括導電區塊32a，設置於第三介電層30上並延伸到穿孔30a中，以與對應的導電區塊28a電性連接。第四介電層34可具有至少一穿孔34a，曝露出對應的導電區塊32a。然後，可對第四導電層32與第四介電層34進行第四檢測程序，第四檢測程序可類似或相同於圖2所示的第一檢測程序，因此在此不多贅述。第四介電層34可例如包括PI或感光型PI，但不限於此。需說明的是，第四介電層34還可包括具有特定顏色的染料(化合物)，使得第四介電層34可具有第四穿透光譜。當光源所產生的光線L1的波長範圍從380nm到780nm時，第四穿透光譜可不同於第三穿透光譜，或者第四介電層34的顏色不同於第三介電層30的顏色。第四介電層34可例如包括綠色濾光材料、黃色濾光材料、藍色濾光材料與紅色濾光材料中不同於第三介電層30的一個。
在圖4的實施例中，第四介電層34可例如包括綠色濾光材料。第四穿透光譜可例如為圖6所示的曲線B(綠色濾光材料的穿透光譜)。以圖6的曲線B為例，第四穿透光譜可具有穿透率P3以及對應穿透率P3的波長W3，且第四穿透光譜的穿透率P3可大於第三穿透光譜(例如為圖6所示的曲線C)於波長W3的穿透率。儘管導電區塊32a在俯視方向TD上可與第三導電層28的導電區塊28a、第二導電層24的導電區塊24a及/或第一導電層18的下接墊18a重疊，但在第四檢測程序中，由於第四穿透光譜的穿透率P3可大於第三穿透光譜於波長W3的穿透率，因此可提升第四介電層34與第四導電層32的檢測影像清晰度以及檢測精確度。
如圖4所示，在第四檢測程序之後，可於第四介電層34上形成第五導
電層36，進而於載板12上形成連接件38。第五導電層36可包括至少一個上接墊36a，從第四介電層34上延伸到第四介電層34的穿孔34a，以與導電區塊32a電性連接。形成第五導電層36的方式可類似或相同於形成第四導電層32的方式，因此不多贅述。導電區塊28a、導電區塊32a與上接墊36a也可分別例如包括依序堆疊的晶種區塊SB以及金屬區塊MB，但不限於此。在一些實施例中，上述金屬區塊MB可例如包括單層或多層結構。下接墊18a、導電區塊24a、導電區塊28a、導電區塊32a與上接墊36a可例如包括銅、鈦、鋁、鉬、鎳、上述金屬的合金、上述組合或其他適合的金屬，但不以此為限。
如圖5所示，在形成第五導電層36之後，可移除離型層14以及其下方的絕緣層16與載板12，進而形成電子裝置1。舉例來說，透過雷射、加熱或其他合適的方法將連接件38從離型層14上移除，進而移除其下方的絕緣層16與載板12。電子裝置1可例如透過重佈線層先製(RDL first)製程所形成，但不限於此。在一些實施例中，載板12上可形成多個電子裝置1，因此在移除載板12之前或之後可進行切割製程，以將多個電子裝置1分離，但不限於此。在一些實施例中，可在移除載板12之前或之後或進行切割製程之後，於上接墊36a上設置外掛元件40。例如可透過焊接設置外掛元件40，其中，本揭露所指外掛元件40可例如是電路板、晶片(IC)、電阻、電容、電感、二極體、印刷電路板(Printed Circuit Board，PCB)上述組合或其它合適的元件。或者，也可不進行設置外掛元件的步驟。在一些實施例中，外掛元件40可例如包括半導體晶片，透過導電凸塊42或其他合適的導電元件設置於上接墊36a上，並與連接件38電性連接，但不以此為限。在一些實施例中，可選擇性於外掛元件40以及連接件38上形成封膠結構44，用以保護外掛元件40。在一些實施例中，下接墊18a的下表面上可選擇性設置有導電膠46，用以與其他電子元件電連接。導電膠46可例如包括錫球或其他合適的元
件。在一些實施例中，連接件38可例如為應用在封裝元件的扇出(fan-out)電路結構，例如可用於達成高密度積體電路(integrated circuit，IC)的重佈線路(redistribution circuit)，但不以此為限。
在圖5的實施例中，連接件38可包括第一導電層18、第一介電層20、第二導電層24、第二介電層26、第三導電層28、第三介電層30、第四導電層32、第四介電層34以及第五導電層36。本揭露的連接件38中的介電層與導電層的數量不限如圖5所示。在一些實施例中，連接件38中的介電層的數量可例如有至少兩層，而導電層的數量可例如有至少三層，但不限於此。外掛元件可透過本揭露所述電子裝置1的連接件38彼此電性連接，舉例來說，本揭露所指電子裝置1可例如為封裝元件，而連接件38可例如為封裝元件的重佈線層，但不以此為限。詳細而言，在封裝技術中，透過在載板12上進行重佈線層(redistribution layer)製程，可同時製作出多個封裝元件。在製作重佈線層的過程中，會依序形成導電層以及介電層，並透過介電層的穿孔將不同導電層的走線電性連接。在一些實施例中，本揭露連接件38中的導電區塊24a、導電區塊28a與導電區塊32a可例如為走線、電極、電路或其他用途的區塊。上接墊36a可透過對應的導電區塊32a、導電區塊28a與導電區塊24a電性連接到對應的下接墊18a，但不以此為限。值得說明的是，透過第一介電層20、第二介電層26、第三介電層30以及第四介電層34中的任兩相鄰介電層的穿透光譜對應相同光線具有不同的穿透率，可提升檢測時最上層的介電層與導電層的圖案與其他的介電層與導電層的圖案的對比度，進而提升瑕疵檢出率，或縮短檢測時間。另外，當第一介電層20、第二介電層26、第三介電層30及/或第四介電層34包括PI或感光型PI時，可具有良好的介電係數，或者可降低連接件38中的應力，或降低連接件38的翹曲。
如圖5所示，在一些實施例中，電子裝置1的第一導電層18還可包括虛設接墊18b，其中外掛元件40可與虛設接墊18b重疊，虛設接墊18b例如用於散熱、測試連接件38中的電容、導電區塊或其他元件或其他用途。虛設接墊18b可例如與下接墊18a電性絕緣。在此情況下，連接件38中的至少一層導電層可例如包括虛設區塊，與導電區塊電性絕緣，例如第二導電層24可包括虛設區塊24b，與導電區塊24a電性絕緣並分隔開，但不限於此。
電子裝置及其製作方法並不以上述實施例為限，可具有不同的實施例。為簡化說明，下文中不同的實施例將使用與上述實施例相同標號標註相同元件。為清楚說明不同的實施例，下文將針對不同的實施例之間的差異描述，且不再對重覆部分作贅述。
圖7所示為本揭露另一實施例的電子裝置的剖視示意圖。為清楚示意，圖7顯示部分剖視結構，但不以此為限。如圖7所示，本實施例的電子裝置2與圖5所示的電子裝置1的差異在於，本實施例的第一介電層220的第一穿透光譜與第二介電層226的第二穿透光譜在波長範圍R2的穿透率可小於20%，使得具有所述波長範圍R2的光線不易穿透第一介電層220與第二介電層226，或者穿過第一介電層220與第二介電層226的光線強度可明顯的下降。因此，在本實施例的電子裝置2的製作方法中，第二檢測程序的步驟S14可依據第一介電層220與第二介電層226的顏色或穿透光譜選擇能夠產生具有所述波長範圍R2或波長位於所述波長範圍R2中的光線的光源。第一介電層220與第二介電層226可包括黃色濾光材料、綠色濾光材料、紅色濾光材料或黑色濾光材料。由於電子裝置2的其他部分類似或相同於圖5所示的電子裝置1，且電子裝置2的製作方法類似或相同於圖1到圖5所示的電子裝置1的製作方法，因此在此不多贅述。在一些實施例中，
電子裝置2可選擇性包括圖5所示的外掛元件40、封膠結構44及/或導電膠46。在一些實施例中，電子裝置2可選擇性包括虛設接墊18b以及虛設區塊，但不限於此。
如圖6與圖7所示，舉例來說，第一介電層220可包括紅色濾光材料，且第二介電層226可包括綠色濾光材料，因此第一穿透光譜可例如為圖6所示的曲線A，第二穿透光譜可例如為圖6所示的曲線B。上述波長範圍R2可例如從440nm到485nm，但不限於此。由於曲線A與曲線B在波長範圍R2中的穿透率皆小於10%，因此具有所述波長範圍R2或波長位於所述波長範圍R2中的光線在經過第一介電層220及/或第二介電層226之後強度會明顯降低。因此，在第二檢測程序的步驟S16中，經過第二介電層226的穿孔26a並受到第二導電層24反射的光線強度可明顯高於從第二介電層226射出的光線強度，進而可提升第二介電層226的穿孔26a與第二導電層24的導電區塊24a的清晰度，而不受到其他介電層與導電層的圖案干擾。
在圖7的實施例中，第三介電層230的第三穿透光譜以及第四介電層234在波長範圍R2的穿透率也可小於20%。第三介電層230與第四介電層234可例如包括黃色濾光材料、綠色濾光材料、紅色濾光材料或黑色濾光材料。如圖6與圖7所示，以第三介電層230包括黃色濾光材料(例如對應曲線F)以及第四介電層234包括黑色濾光材料為例，具有波長範圍R2的光線的強度在經過第三介電層230與第四介電層234之後可明顯降低，因此可提升檢測第三介電層230的穿孔30a與第三導電層28的導電區塊28a的清晰度以及檢測第四介電層234的穿孔34a與第四導電層32的導電區塊32a的清晰度。
圖8所示為本揭露另一實施例的電子裝置的剖視示意圖。為清楚示意，圖8顯示部分剖視結構，但不以此為限。如圖8所示，本實施例的電子裝置3與圖7所示的電子裝置2的差異在於，本實施例的第一介電層320的第一穿透光譜與第二介電層326的第二穿透光譜具有穿透率小於20%的波長範圍R3可例如從500nm到565nm。舉例來說，第一介電層320與第二介電層326可包括藍色濾光材料、紅色濾光材料、洋紅色濾光材料或黑色濾光材料。在本實施例的電子裝置3的製作方法中，第二檢測程序的步驟S14可依據第一介電層320與第二介電層326的顏色或穿透光譜選擇能夠產生具有所述波長範圍R3或波長位於所述波長範圍R3中的光線的光源。由於電子裝置3的其他部分類似或相同於圖5所示的電子裝置1，且電子裝置3的製作方法類似或相同於圖1到圖5所示的電子裝置1的製作方法，因此在此不多贅述。在一些實施例中，電子裝置3可選擇性包括圖5所示的外掛元件40、封膠結構44及/或導電膠46。在一些實施例中，電子裝置3可選擇性包括虛設接墊18b以及虛設區塊，但不限於此。
如圖6與圖8所示，舉例來說，第一介電層320可包括藍色濾光材料，且第二介電層326可包括紅色濾光材料，因此第一穿透光譜可例如為圖6所示的曲線C，第二穿透光譜可例如為圖6所示的曲線A。上述波長範圍R3可例如從500nm到565nm，但不限於此。由於曲線A在波長範圍R3中的穿透率小於10%，且曲線C在波長範圍R3中的穿透率小於20%，因此具有所述波長範圍R3或波長位於所述波長範圍R3中的光線在經過第一介電層320及/或第二介電層326之後強度會明顯降低。因此，在第二檢測程序的步驟S16中，經過第二介電層326的穿孔26a並受到第二導電層24反射的光線強度可明顯高於從第二介電層326射出的光線強度，進而可提升第二介電層326的穿孔26a與第二導電層24的導電區塊24a的清晰度，而不受到其他介電層與導電層的圖案干擾。
在圖8的實施例中，第三介電層330的第三穿透光譜以及第四介電層334在波長範圍R3的穿透率也可小於20%。舉例來說，第三介電層330與第四介電層334可包括藍色濾光材料、紅色濾光材料、洋紅色濾光材料或黑色濾光材料。如圖6與圖8所示，以第三介電層330包括黑色濾光材料以及第四介電層334包括洋紅色濾光材料(例如對應曲線E)為例，具有波長範圍R3的光線的強度在經過第三介電層330與第四介電層334之後可明顯降低，因此可提升檢測第三介電層330的穿孔30a與第三導電層28的導電區塊28a的清晰度以及檢測第四介電層334的穿孔34a與第四導電層32的導電區塊32a的清晰度。
圖9所示為本揭露另一實施例的電子裝置的剖視示意圖。為清楚示意，圖9顯示部分剖視結構，但不以此為限。如圖9所示，本實施例的電子裝置4與圖7所示的電子裝置2的差異在於，本實施例的第一介電層420的第一穿透光譜與第二介電層426的第二穿透光譜具有穿透率小於20%的波長範圍R4可例如從625nm到740nm。舉例來說，第一介電層420與第二介電層426可包括青色濾光材料、藍色濾光材料、綠色濾光材料或黑色濾光材料。在本實施例的電子裝置4的製作方法中，第二檢測程序的步驟S14可依據第一介電層420與第二介電層426的顏色或穿透光譜選擇能夠產生具有所述波長範圍R4或波長位於所述波長範圍R4中的光線的光源。由於電子裝置4的其他部分類似或相同於圖5所示的電子裝置1，且電子裝置4的製作方法類似或相同於圖1到圖5所示的電子裝置1的製作方法，因此在此不多贅述。在一些實施例中，電子裝置4可選擇性包括圖5所示的外掛元件40、封膠結構44及/或導電膠46。在一些實施例中，電子裝置4可選擇性包括虛設接墊18b以及虛設區塊，但不限於此。
如圖6與圖9所示，舉例來說，第一介電層420可包括黑色濾光材料，且第二介電層426可包括藍色濾光材料，其中第二穿透光譜可例如為圖6所示的曲線C。由於曲線C在波長範圍R4中的穿透率小於10%，黑色濾光材料在波長範圍R4中的穿透率也小於10%，因此具有所述波長範圍R4或波長位於所述波長範圍R4中的光線在經過第一介電層420及/或第二介電層426之後強度會明顯降低。在第二檢測程序的步驟S16中，經過第二介電層426的穿孔26a並受到第二導電層24反射的光線強度可明顯高於從第二介電層426射出的光線強度，進而可提升第二介電層426的穿孔26a與第二導電層24的導電區塊24a的清晰度，而不受到其他介電層與導電層的圖案干擾。
在圖9的實施例中，第三介電層430的第三穿透光譜以及第四介電層434在波長範圍R4的穿透率也可小於20%。舉例來說，第三介電層430與第四介電層434可包括青色濾光材料、藍色濾光材料、綠色濾光材料或黑色濾光材料。如圖6所示，以第三介電層430包括綠色濾光材料以及第四介電層434包括青色濾光材料為例，具有波長範圍R4的光線的強度在經過第三介電層430與第四介電層434之後可明顯降低，因此可提升檢測第三介電層430的穿孔30a與第三導電層28的導電區塊28a的清晰度以及檢測第四介電層434的穿孔34a與第四導電層32的導電區塊32a的清晰度。根據本揭露的一些實施例，第一介電層420與第三介電層430可具有相同濾光材料，例如紅色濾光材料，第二介電層426與第四介電層434可具有相同濾光材料，例如綠色濾光材料，但不以此為限。
圖10所示為本揭露另一實施例的電子裝置的剖視示意圖。如圖10所示，本實施例的電子裝置5與圖5所示的電子裝置1的差異在於，連接件38可設置於載板12上，且載板12可包含在電子裝置5中。換言之，在製作電子裝置5的方
法中，連接件38可形成於載板12上，且載板12不需在形成連接件38之後被移除。連接件38可例如透過晶片先製(chip first)製程所形成，但不限於此。載板12可例如包括晶圓、外掛元件40、圍繞有封膠結構44的外掛元件40或其他適合承載連接件38且不從連接件38上移除的元件。外掛元件40可例如包括晶片，但不限於此。在圖10的實施例中，載板12可包括外掛元件40以及封膠結構44，其中連接件38可設置於外掛元件40上，且封膠結構44至少圍繞外掛元件40的側邊，但不限於此。在一些實施例中，封膠結構44可設置於外掛元件40相對於連接件38的表面上，或者外掛元件40相對於連接件38的表面可露出，以助於散熱。雖圖未示，外掛元件40可具有多個接墊，且連接件38可例如與對應的接墊電連接，但不限於此。在一些實施例中，連接件38也可不包括下接墊，而是於外掛元件40的接墊上直接形成連接件38，使得第二導電層24的導電區塊24a可電連接接墊，但本揭露不以此為限。在一些實施例，連接件38也可例如採用上述任一實施例的連接件，且連接件38的下接墊設置於外掛元件40對應的接墊上。由於圖10的連接件38的其他部分可與圖5、圖7到圖9所示的連接件38中的任一個相同，因此在此不多贅述。
在圖10的電子裝置5的製作方法中，外掛元件40可以晶片先製製程且具有接墊的表面朝下(face down)的方式設置於另一載板(圖未示)上，並進行封膠製程，以於外掛元件40上形成封膠結構44。接著，移除所述另一載板，並將外掛元件40與封膠結構44上下翻轉，以將具有接墊的表面朝上。然後，於外掛元件40與封膠結構44上形成連接件38，但本揭露不以此為限。在完成連接件38或後續其他的製程之後，可對連接件38進行切割製程，以形成包含有外掛元件40的電子裝置5。在一些實施例中，可選擇性於連接件38的上接墊36a上設置導電膠46或導電凸塊，以助於與其他電子元件電性連接，但不限於此。
圖11所示為本揭露另一實施例的電子裝置的剖視示意圖。如圖11所示，本實施例的製作電子裝置6的方法與圖10所示製作電子裝置5的方法的差異在於，外掛元件40是以晶片先製製程且具有接墊的表面朝上(face up)的方式設置於另一載板48上，並進行封膠製程，以於外掛元件40上以及側邊形成封膠結構44。在一些實施例中，載板48與外掛元件40之間可例如設置有離型層50。離型層50可例如相同或類似於離型層14，但不限於此。然後，透過研磨製程，例如化學機械研磨(chemical mechanical polishing,CMP)製程，薄化封膠結構44，以露出外掛元件的接墊。接著，於外掛元件40以及封膠結構44上形成連接件38。形成連接件38的方法可例如與上述任一實施例形成重佈線層的方法相同或類似，因此在此不多贅述。在完成連接件38或後續其他的製程之後，可對連接件38進行切割製程，以形成包含有外掛元件40的電子裝置6。在一些實施例中，可選擇性於連接件38的上接墊36a上設置導電膠46或導電凸塊。由於圖11的電子裝置6的其他結構與製作方法可與圖10的電子裝置5相同或類似，且圖11的連接件38可與圖5、圖7到圖9所示的連接件38中的任一個相同，因此在此不多贅述。
綜上所述，在本揭露的電子裝置中，透過任兩相鄰介電層的穿透光譜對相同的檢測光線具有不同的穿透率、任兩相鄰介電層的穿透光譜對於相同檢測光線具有小於20%的穿透率、或者任兩相鄰介電層設置不同的顏色，可提升檢測時最上層的介電層與導電層的圖案與其他的介電層與導電層的圖案的對比度，進而提升瑕疵檢出率，或縮短檢測時間。
以上所述僅為本揭露之實施例，凡依本揭露申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本揭露之涵蓋範圍。
1:電子裝置
18:第一導電層
18a:下接墊
18b:虛設接墊
20:第一介電層
20a,26a,30a,34a:穿孔
24:第二導電層
24a,28a,32a:導電區塊
24b:虛設區塊
26:第二介電層
28:第三導電層
30:第三介電層
32:第四導電層
34:第四介電層
36:第五導電層
36a:上接墊
38:連接件
40:外掛元件
42:導電凸塊
44:封膠結構
46:導電膠
TD:俯視方向
Claims (6)
- 一種電子裝置，包括：一連接件，包括一導電層、一第一介電層以及一第二介電層，所述第二介電層設置於所述第一介電層上，且所述導電層設置於所述第一介電層與所述第二介電層之間，所述第一介電層對一光線具有一第一穿透率，所述第二介電層對所述光線具有一第二穿透率，且所述第一穿透率不同於所述第二穿透率。
- 如請求項1所述的電子裝置，其中所述第二穿透率大於所述第一穿透率。
- 如請求項1所述的電子裝置，其中所述第二穿透率與所述第一穿透率的差值大於或等於10%。
- 一種電子裝置的檢測方法，包括：提供一載板；於所述載板上形成一連接件，其中所述連接件包括一第一介電層以及一第二介電層，且所述第二介電層設置於所述第一介電層上，其中所述第二介電層較所述第一介電層遠離所述載板；以及提供一光源檢測所述連接件，其中所述光源提供一第一光線穿透所述第二介電層形成一第二光線，所述第一介電層對所述第二光線具有一第一穿透率，所述第二介電層對所述第二光線具有一第二穿透率，其中所述第一穿透率不同於所述第二穿透率。
- 如請求項4所述的電子裝置的檢測方法，其中所述第二穿透率大於所述第一穿透率。
- 如請求項4所述的電子裝置的檢測方法，其中所述第二穿透率與所述第一穿透率的差值大於或等於10%。
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