TWI831171B - 光學感測裝置 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 39
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims abstract description 27
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 20
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 claims 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000001815 facial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 210000004508 polar body Anatomy 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
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- G01—MEASURING; TESTING
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
- G01S17/02—Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
- G01S17/06—Systems determining position data of a target
- G01S17/08—Systems determining position data of a target for measuring distance only
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
- G01S7/483—Details of pulse systems
- G01S7/486—Receivers
- G01S7/4861—Circuits for detection, sampling, integration or read-out
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- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
- G01J2001/4413—Type
- G01J2001/442—Single-photon detection or photon counting
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
- G01J2001/4446—Type of detector
- G01J2001/446—Photodiode
- G01J2001/4466—Avalanche
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Abstract
一種光學感測裝置。偏壓電壓產生電路於光學感測裝置處於第一模式與第二模式時分別提供第一偏壓電壓與第二偏壓電壓給光感測二極體,以分別使光感測二極體提供飛時測距信號與環境光感測信號。淬熄電路於第一模式中將飛時測距信號提供給測距信號處理電路,並淬熄光感測二極體,並於第二模式中將環境光感測信號提供給光感測信號處理電路。
Description
本發明是有關於一種感測裝置,且特別是有關於一種光學感測裝置。
諸多現代電子裝置中皆存在具有光子裝置的積體晶片(Integrated chip,IC)。舉例而言,包括影像感測器的光子裝置用於相機、錄影機及其他類型的攝影系統中來捕獲影像。亦有光子裝置廣泛用於例如深度感測器等其他應用中,所述深度感測器用於飛行時間(time-of-flight,TOF)系統中以確定感測器與目標物體之間的距離。TOF系統的深度感測器可用於智慧型電話(例如,面部識別與相機對焦)、汽車、無人機、機器人等中。
以往若要整合TOF晶片與環境光感測晶片,會採用將兩種不同的感光二極體(單光子雪崩二極體(Single-Photon Avalanche Diode)與環境光感測二極體(Ambient Light Sensing Diode)與對應的電路放在同一個晶片的方式,由於兩種不同的感光二極體所佔的電路面積都很大,因此此方式將導致製造成本大幅增加。
本發明提供一種光學感測裝置,可大幅縮減電路面積,降低光學感測裝置的製造成本。
本發明的光學感測裝置包括偏壓電壓產生電路、光感測二極體以及淬熄電路。偏壓電壓產生電路於光學感測裝置處於第一模式時提供第一偏壓電壓,於光學感測裝置處於第二模式時提供第二偏壓電壓。光感測二極體,其陰極端耦接偏壓電壓產生電路,於第一模式中接收第一偏壓電壓而提供飛時測距信號,於第二模式中接收第二偏壓電壓而提供環境光感測信號。淬熄電路耦接光感測二極體的陽極端,於第一模式中將飛時測距信號提供給測距信號處理電路,並淬熄光感測二極體,於第二模式中,將環境光感測信號提供給光感測信號處理電路。
基于上述,本發明實施例的偏壓電壓產生電路可於光學感測裝置處於第一模式與第二模式時分別提供第一偏壓電壓與第二偏壓電壓給光感測二極體,以分別使光感測二極體提供飛時測距信號與環境光感測信號,淬熄電路可於第一模式中將飛時測距信號提供給測距信號處理電路,並淬熄光感測二極體,並可於第二模式中將環境光感測信號提供給光感測信號處理電路。如此通過在不同模式中提供不同的偏壓電壓給光感測二極體,可使光感測二極體在不同模式中用於進行飛時測距或環境光感測,通過共用單一光感測二極體來縮減電路面積,降低光學感測裝置的製造成本。
為了使本發明之內容可以被更容易明瞭,以下特舉實施例做為本發明確實能夠據以實施的範例。另外,凡可能之處,在圖式及實施方式中使用相同標號的元件/構件/步驟,係代表相同或類似部件。
以下請參照圖1,圖1是依照本發明一實施例所繪示的光學感測裝置的示意圖。光學感測裝置100可包括偏壓電壓產生電路102、光感測二極體PD1以及淬熄電路104,偏壓電壓產生電路102耦接光感測二極體PD1的陰極,淬熄電路104耦接光感測二極體PD1的陽極。其中淬熄電路104可以為主動式或被動式,本發明並不限定。偏壓電壓產生電路102可於光學感測裝置100處於第一模式時提供第一偏壓電壓至光感測二極體PD1,並於光學感測裝置100處於第二模式時提供第二偏壓電壓至光感測二極體PD1,而使光感測二極體PD1在第一模式與第二模式中應用於不同的感測。
舉例來說,在第一模式中,偏壓電壓產生電路102產生大於光感測二極體PD1的崩潰電壓的第一偏壓電壓,以使光感測二極體PD1進入極度逆偏的狀態,如此當一光子注入光感測二極體PD1的空乏層時,可觸發光感測二極體PD1產生崩潰(avalanche)電流,而提供用於飛行時間量測的飛時測距信號。在第二模式中,偏壓電壓產生電路102產生電壓值小於第一偏壓電壓的第二偏壓電壓(例如3.3V或1.6V,然不以此為限,只要能使光感測二極體PD1的空乏層捕捉到光子的電壓值即可),光感測二極體PD1接收第二偏壓電壓而處於逆偏狀態,並反應空乏層捕捉到的光子產生光電流,而提供用於環境光感測的環境光感測信號。
淬熄電路104則可於第一模式中將光感測二極體PD1提供的飛時測距信號輸出給與淬熄電路104耦接的測距信號處理電路PC1,並淬熄光感測二極體PD1,以使測距信號處理電路PC1依據飛時測距信號得知光源(未繪示)提供的光在光源與目標物件之間的往返時間,並依據此往返時間計算光源至物件之間的距離。淬熄電路104並於第二模式中將光感測二極體PD1提供的環境光感測信號輸出給與淬熄電路104耦接的光感測信號處理電路PC2,以使光感測信號處理電路PC2依據環境光感測信號獲取環境光資訊(例如環境光強度,然不以此為限)。在本實施例中,光感測二極體PD1提供的環境光感測信號為直接輸出給光感測信號處理電路PC2,然在其他實施例中,淬熄電路104與光感測信號處理電路PC2還可包括其他信號處理電路,舉例來說,光感測二極體PD1提供的環境光感測信號還可通過類比數位轉換電路而被輸出給光感測信號處理電路PC2。
如此在不同模式中提供不同的偏壓電壓給光感測二極體PD1,可使光感測二極體PD1在不同模式中用於進行飛時測距或環境光感測,通過共用單一光感測二極體PD1來縮減電路面積,大幅降低光學感測裝置100的製造成本。
圖2是依照本發明另一實施例所繪示的光學感測裝置的示意圖。在本實施例中,偏壓電壓產生電路102可包括電壓產生電路202、204以及切換電路206,淬熄電路104可包括偏壓電流源208、開關SW1以及SW2,此外,光學感測裝置100還可包括緩衝放大電路210。其中,切換電路206耦接電壓產生電路202、204以及光感測二極體PD1的陰極端,開關SW1耦接光感測二極體PD1的陽極端與偏壓電流源208,開關SW2耦接光感測二極體PD1的陽極端與光感測信號處理電路PC2,其中偏壓電流源208可例如以受控於偏壓電壓的電晶體來實施,然不以此為限。此外,緩衝放大電路耦接於光感測二極體PD1的陽極端與測距信號處理電路PC1之間。
電壓產生電路202可產生第一偏壓電壓,電壓產生電路204可產生第二偏壓電壓,切換電路206可受控於切換控制信號S1,而於第一模式中將電壓產生電路202連接至光感測二極體PD1的陰極端,以提供第一偏壓電壓至光感測二極體PD1的陰極端,並於第二模式中將電壓產生電路204連接至光感測二極體PD1的陰極端,以提供第二偏壓電壓至光感測二極體PD1的陰極端。
另一方面,在第一模式中,開關SW1受控於開關控制信號SC1而處於導通狀態,開關SW2則受控於開關控制信號SC2而處於斷開狀態。如此,當光感測二極體PD1在第一模式中產生崩潰電流時,崩潰電流流經開關SW1與偏壓電流源208將使得光感測二極體PD1的陽極端電壓上升,從而淬熄光感測二極體PD1,光感測二極體PD1的陽極端電壓隨著光感測二極體PD1的關閉而回復到原本的電壓(例如本實施例的接地電壓)。緩衝放大電路210在第一模式中受控於致能控制信號EN1而處於被致能的狀態,其可對光感測二極體PD1提供的飛時測距信號進行緩衝放大,並將飛時測距信號傳送給測距信號處理電路PC1。此外,在第二模式中,開關SW1受控於開關控制信號SC1而處於斷開狀態,開關SW2受控於開關控制信號SC2而處於導通狀態,緩衝放大電路210受控於致能控制信號EN1而處於被禁能的狀態。如此,光感測信號處理電路PC2可接收光感測二極體PD1在第二模式中提供的環境光感測信號。
緩衝放大電路210的實施方式可如圖3所示,包括電晶體M1~M5以及反向器302,在本實施例中致能控制信號EN1可包括致能控制信號ENA與ENB。電晶體M1與M2耦接於操作電壓VDD與反向器302的輸入端之間,電晶體M3、M4串接於反向器302的輸入端與接地電壓之間,電晶體M1與M4的控制端分別接收致能控制信號ENB與ENA,電晶體M2、M3的控制端耦接光感測二極體PD1的陽極端,電晶體M5耦接於反向器302的電源端與接地電壓之間,電晶體M5的控制端接收致能控制信號ENA,反向器302的輸出端耦接測距信號處理電路PC1,其中。電晶體M1、M4、M5可受控於致能控制信號ENA與ENB,而使緩衝放大電路210於第一模式中被致能,並於第二模式中被禁能。
圖4是依照本發明另一實施例所繪示的光學感測裝置的示意圖。相較於圖2實施例,本實施例的淬熄電路104未包括開關SW2,且更包括類比數位轉換電路402,類比數位轉換電路402耦接光感測二極體PD1的陽極端。在第一模式中,類比數位轉換電路402可受控於致能控制信號EN2而被禁能,而緩衝放大電路210受控於致能控制信號EN1被致能,以使飛時測距信號可經由緩衝放大電路210被傳送給測距信號處理電路PC1。在第二模式中,類比數位轉換電路402受控於致能控制信號EN2而被致能,而緩衝放大電路210受控於致能控制信號EN1被禁能,以使類比數位轉換電路402將光感測二極體PD1提供的環境光感測信號轉換為數位信號,並傳送給光感測信號處理電路PC2。相較於圖2實施例,本實施例可簡化淬熄電路104。
圖5是依照本發明另一實施例所繪示的光學感測裝置的示意圖。相較於圖4實施例,本實施例的類比數位轉換電路402可整合至偏壓電壓產生電路102中並取代電壓產生電路204,類比數位轉換電路402耦接切換電路206與光感測信號處理電路PC2,類比數位轉換電路402可取代電壓產生電路204的功能,亦即提供第二偏壓電壓。在第一模式中,切換電路206受控於切換控制信號S1,而將電壓產生電路202連接至光感測二極體PD1的陽極端,以將電壓產生電路202產生的第一偏壓電壓提供至光感測二極體PD1的陰極端。在第二模式中,切換電路206受控於切換控制信號S1,將類比數位轉換電路402連接至光感測二極體PD1的陽極端,以提供第二偏壓電壓提供至光感測二極體PD1的陰極端。
類似地,在第一模式中,光感測二極體PD1提供的飛時測距信號可經由緩衝放大電路210而被提供至測距信號處理電路PC1,並且淬熄電路104也會淬熄光感測二極體PD1。在第二模式中,開關SW1處於斷開狀態,緩衝放大電路210處於被禁能的狀態,類比數位轉換電路402可通過切換電路206接收光感測二極體PD1提供的環境光感測信號,並將其轉換為數位信號後,再提供給光感測信號處理電路PC2。
進一步來說,類比數位轉換電路402的實施方式可例如圖6所示,包括類比數位轉換器602、運算放大器604以及電容C1,類比數位轉換器602耦接光感測信號處理電路PC2與運算放大器604的輸出端,電容C1耦接於運算放大器604的輸出端與負輸入端之間,運算放大器604的負輸入端耦接切換電路206,運算放大器604的正輸入端則耦接第二偏壓電壓VCM。如此,在第二模式中,藉由運算放大器604的正、負輸入端間的虛短路特性,類比數位轉換電路402可經由切換電路206將第二偏壓電壓VCM提供給光感測二極體PD1,並自光感測二極體PD1接收環境光感測信號。環境光感測信號可通過類比數位轉換器602轉換為數位信號後再提供給光感測信號處理電路PC2。
綜上所述,本發明實施例的偏壓電壓產生電路可於光學感測裝置處於第一模式與第二模式時分別提供第一偏壓電壓與第二偏壓電壓給光感測二極體,以分別使光感測二極體提供飛時測距信號與環境光感測信號,淬熄電路可於第一模式中將飛時測距信號提供給測距信號處理電路,並淬熄光感測二極體,並可於第二模式中將環境光感測信號提供給光感測信號處理電路。如此在不同模式中提供不同的偏壓電壓給光感測二極體,可使光感測二極體在不同模式中用於進行飛時測距或環境光感測,通過共用單一光感測二極體來縮減電路面積,降低光學感測裝置的製造成本。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100:光學感測裝置
102:偏壓電壓產生電路
104:淬熄電路
202、204:電壓產生電路
206:切換電路
208:偏壓電流源
210:緩衝放大電路
402:類比數位轉換電路
602:類比數位轉換器
604:運算放大器
PD1:光感測二極體
PC1:測距信號處理電路
PC2:光感測信號處理電路
SW1、SW2:開關
M1~M5:電晶體
SC1、SC2:開關控制信號
EN1、EN2、ENA、ENB:致能控制信號
VDD:操作電壓
S1:切換控制信號
C1:電容
VCM:第二偏壓電壓
圖1是依照本發明實施例所繪示的光學感測裝置的示意圖。
圖2是依照本發明另一實施例所繪示的光學感測裝置的示意圖。
圖3是依照本發明實施例所繪示的緩衝放大電路的示意圖。
圖4是依照本發明另一實施例所繪示的光學感測裝置的示意圖。
圖5是依照本發明另一實施例所繪示的光學感測裝置的示意圖。
圖6是依照本發明實施例所繪示的類比數位轉換電路的示意圖。
100:光學感測裝置
102:偏壓電壓產生電路
104:淬熄電路
PD1:光感測二極體
PC1:測距信號處理電路
PC2:光感測信號處理電路
Claims (9)
- 一種光學感測裝置,包括:一偏壓電壓產生電路,於該光學感測裝置處於一第一模式時提供一第一偏壓電壓,於該光學感測裝置處於一第二模式時提供一第二偏壓電壓;一光感測二極體,其陰極端耦接該偏壓電壓產生電路,於該第一模式中接收該第一偏壓電壓而提供一飛時測距信號,於該第二模式中接收該第二偏壓電壓而提供一環境光感測信號;以及一淬熄電路,耦接該光感測二極體的陽極端,於該第一模式中將該飛時測距信號提供給一測距信號處理電路,並淬熄該光感測二極體,於該第二模式中,將該環境光感測信號提供給一光感測信號處理電路,其中該淬熄電路包括:一第一開關,耦接該光感測二極體的陽極端;以及一偏壓電流源,耦接於該第一開關與一參考電壓之間,其中該第一開關受控於一第一開關控制信號於該第一模式中導通,並於該第二模式中斷開。
- 如請求項1所述的光學感測裝置,還包括:一類比數位轉換電路,耦接該光感測二極體的陽極端,將該環境光感測信號轉換為數位信號提供給該光感測信號處理電路。
- 如請求項2所述的光學感測裝置,其中該淬熄電路還包括: 一第二開關,耦接於該光感測二極體的陽極端與該光感測信號處理電路之間,該第二開關受控於一第二開關控制信號於該第一模式中斷開,並於該第二模式中導通。
- 如請求項2所述的光學感測裝置,其中該類比數位轉換電路還受控於一致能控制信號,在該第一模式中被禁能,並在該第二模式中被致能。
- 如請求項1所述的光學感測裝置,其中該偏壓電壓產生電路包括:一切換電路,耦接該光感測二極體的陽極端;一第一電壓產生電路,耦接該切換電路,產生該第一偏壓電壓;以及一第二電壓產生電路,耦接該切換電路,產生該第二偏壓電壓,該切換電路受控於一切換控制信號,於該第一模式中將該光感測二極體的陽極端切換連接至該第一電壓產生電路,並於該第二模式中將該光感測二極體的陽極端切換連接至該第二電壓產生電路。
- 如請求項1所述的光學感測裝置,其中該偏壓電壓產生電路包括:一切換電路,耦接該光感測二極體的陰極端;一電壓產生電路,耦接該切換電路,產生該第一偏壓電壓;以及 一類比數位轉換電路,耦接該切換電路,產生該第二偏壓電壓,並將該環境光感測信號轉換為數位信號提供給該光感測信號處理電路,該切換電路受控於一切換控制信號,於該第一模式中將該光感測二極體的陽極端切換連接至該電壓產生電路,並於該第二模式中將該光感測二極體的陽極端切換連接至該類比數位轉換電路。
- 如請求項6所述的光學感測裝置,該類比數位轉換電路包括:一運算放大器,其正輸入端耦接該第二偏壓電壓,該運算放大器的負輸入端耦接該切換電路;一電容,耦接於該運算放大器的負輸入端與輸出端之間;以及一類比數位轉換器,其輸入端與輸出端分別耦接該運算放大器的輸出端與該光感測信號處理電路。
- 如請求項1所述的光學感測裝置,還包括:一緩衝放大電路,耦接該光感測二極體的陽極端與該測距信號處理電路,緩衝放大該飛時測距信號,該緩衝放大電路受控於一致能控制信號而在該第一模式中被致能,並在該第二模式中被禁能。
- 如請求項8所述的光學感測裝置,其中該緩衝放大電路包括:第一電晶體至第五電晶體;以及 一反向器,該第一電晶體與該第二電晶體耦接於一操作電壓與該反向器的輸入端之間,該第三電晶體與該第四電晶體串接於該反向器的輸入端與一接地電壓之間,該致能控制信號包括一第一致能控制信號與一第二致能控制信號,該第四電晶體與該第一電晶體的控制端分別接收該第一致能控制信號與該第二致能控制信號,該第二電晶體與該第三電晶體的控制端耦接該光感測二極體的陽極端,該第五電晶體耦接於該反向器的一電源端與接地電壓之間,該第五電晶體的控制端接收該第一致能控制信號,該第一電晶體、該第四電晶體與該第五電晶體受控於該第一致能控制信號與該第二致能控制信號,而使該緩衝放大電路於該第一模式中被致能,並於該第二模式中被禁能。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202163224845P | 2021-07-22 | 2021-07-22 | |
US63/224,845 | 2021-07-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202305403A TW202305403A (zh) | 2023-02-01 |
TWI831171B true TWI831171B (zh) | 2024-02-01 |
Family
ID=82172896
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW111112372A TWI831171B (zh) | 2021-07-22 | 2022-03-31 | 光學感測裝置 |
TW111207409U TWM634913U (zh) | 2021-07-22 | 2022-07-11 | 光學感測系統 |
TW111125942A TW202305447A (zh) | 2021-07-22 | 2022-07-11 | 光學鏡頭 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW111207409U TWM634913U (zh) | 2021-07-22 | 2022-07-11 | 光學感測系統 |
TW111125942A TW202305447A (zh) | 2021-07-22 | 2022-07-11 | 光學鏡頭 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230028250A1 (zh) |
CN (3) | CN114706088A (zh) |
TW (3) | TWI831171B (zh) |
WO (1) | WO2023001005A1 (zh) |
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2022
- 2022-03-31 TW TW111112372A patent/TWI831171B/zh active
- 2022-03-31 CN CN202210344266.2A patent/CN114706088A/zh active Pending
- 2022-05-23 US US17/750,420 patent/US20230028250A1/en active Pending
- 2022-07-11 TW TW111207409U patent/TWM634913U/zh unknown
- 2022-07-11 CN CN202221780697.5U patent/CN218350606U/zh active Active
- 2022-07-11 WO PCT/CN2022/104867 patent/WO2023001005A1/zh unknown
- 2022-07-11 TW TW111125942A patent/TW202305447A/zh unknown
- 2022-07-11 CN CN202210813584.9A patent/CN115128713A/zh active Pending
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Also Published As
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CN218350606U (zh) | 2023-01-20 |
TWM634913U (zh) | 2022-12-01 |
TW202305403A (zh) | 2023-02-01 |
CN115128713A (zh) | 2022-09-30 |
CN114706088A (zh) | 2022-07-05 |
US20230028250A1 (en) | 2023-01-26 |
WO2023001005A1 (zh) | 2023-01-26 |
TW202305447A (zh) | 2023-02-01 |
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