TWI828328B - 基板支撑裝置及基板處理設備 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種基板支撑裝置，包含：托盤，設置於基板處理設備的反應腔內，用於支撑基板；托盤底面設有第一限位部；襯套，其具有筒形結構，所述襯套設置在托盤下方並為托盤提供支撑，襯套側壁設有與所述第一限位部位置對應的第二限位部，通過第一限位部與對應的所述第二限位部配合，限制襯套與托盤旋轉時二者在水平方向的相對移動。本發明還提供一種基板處理設備。通過本發明能夠保證托盤與襯套同步旋轉，使得托盤均勻受熱，保證基板表面溫度的均勻性。

Description

基板支撑裝置及基板處理設備
本發明涉及化學氣相沉積領域，特別涉及一種基板支撑裝置及基板處理設備。
CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積)，是指反應物質在氣態條件下在基板表面發生化學反應生成薄膜的過程，CVD設備就是在基板表面實現化學氣相沉積的設備。MOCVD(Metalorganic Chemical Vapor Deposition金屬有機化學氣相沉積)設備作為一種典型的CVD設備，能夠提供在基板(例如藍寶石基板片)表面生長用於發光的晶體結構，例如GaN(氮化鎵)時所需的溫度、壓力、化學氣體組分等條件。
MOCVD設備中設有真空的反應腔，反應腔中設有托盤，襯套設置在托盤下方並為托盤提供支撑。通過驅動襯套繞自身中心軸旋轉實現驅動托盤旋轉（通過襯套與托盤接觸部位的摩擦力）。托盤底部外周與襯套內壁之間存在一個間隙，通過該間隙防止在高溫環境下襯套受熱膨脹撑破襯套，並減少襯套與托盤的接觸面積，降低托盤與襯套之間的熱傳遞造成的熱損失。加熱燈設置在托盤下方並位於襯套包圍的區域內，用於向托盤提供熱能並傳遞至基板。通過進氣裝置(例如噴淋頭)將反應氣體引入反應腔內，並輸送到放置在托盤上的複數個基板的表面進行化學反應，從而生長出特定的晶體結構例如GaN結構。
CVD製程中，尤其是MOCVD製程中，為防止基板上生長出的材料存在質量缺陷，保持基板表面溫度的均勻性是保證製程效果的一個重要因素。當襯套高速旋轉時，由於上述間隙，托盤與襯套之間無法避免的產生水平方向的相對位移，造成托盤與襯套的轉動不同心且不同步。不僅容易損壞襯套，還導致托盤受熱不均勻，進而影響基板表面溫度的均勻性。
本發明的目的是提供一種基板支撑裝置，通過限制襯套與托盤旋轉時二者在水平方向的相對移動，實現襯套與托盤同步旋轉，使得托盤均勻受熱，進而保證了基板表面溫度的均勻性。
為了達到上述目的，本發明提供一種基板支撑裝置，用於基板處理設備，所述基板處理設備包含反應腔，所述基板支撑裝置包含：
托盤， 設置於所述反應腔內，用於支撑基板；托盤底面設有第一限位部；
襯套，其具有筒形結構；所述襯套設置在托盤下方並為托盤提供支撑；襯套側壁設有與所述第一限位部位置對應的第二限位部；通過第一限位部與對應的所述第二限位部配合，限制襯套與托盤旋轉時二者在水平方向的相對移動。
任選地，所述第二限位部設置在所述襯套側壁的外側。
任選地，托盤底面中心區域設有均勻導熱部，用於將托盤下方的加熱器所輻射的熱量均勻傳遞給托盤上放置的基板；所述襯套的上邊緣圍繞設置在所述均勻導熱部的外周，並位於第一限位部與均勻導熱部之間。
任選地，所述均勻導熱部為圓盤形，襯套的內徑大於均勻導熱部的外徑。
任選地，第一限位部包含設置在托盤底面的複數個凸台，所述複數個凸台沿托盤的周向方向分布且分別與托盤外邊緣的不同位置相對應；第二限位部包含分別與複數個凸台對應的複數個限位槽；所述凸台嵌入在對應的限位槽內。
任選地，第二限位部包含設置在襯套側壁的複數個成對限位塊，所述成對限位塊之間形成所述限位槽。
任選地，第二限位部包含圍繞設置在襯套側壁的限位環，所述複數個限位槽沿限位環的周向方向分布在限位環頂面。
任選地，第二限位部設置在襯套外側壁的頂部；所述凸台至少為3個，所述複數個凸台均勻分布。
任選地，凸台與對應限位槽中的至少一者傾斜；從傾斜凸台的頂部至底部，該凸台向內逐漸收縮；傾斜的限位槽具有上寬下窄的結構。
任選地，第一限位部包含複數個限位槽，所述複數個限位槽沿托盤的周向方向分布且分別與托盤外邊緣的不同位置相對應；第二限位部包含設置在襯套側壁的複數個凸台，所述複數個凸台分別嵌入在複數個限位槽內。
任選地，第一限位部包含設置在托盤底面的複數個成對限位塊，所述成對限位塊之間形成所述限位槽。
任選地，第一限位部包含設置在托盤底面的限位環，所述複數個限位槽沿限位環的周向方向分布在限位環底面。
任選地，凸台與對應限位槽中的至少一者傾斜；從傾斜凸台的底部至頂部，該凸台向內逐漸收縮；傾斜的限位槽具有上窄下寬的結構。
任選地，第二限位部設置在襯套外側壁的頂部；所述限位槽至少為3個；複數個限位槽均勻分布。
任選地，凸台與對應的限位槽之間為線接觸或面接觸。
任選地，所述傾斜的角度為20°～70°。
任選地，襯套頂面與托盤底面密封接觸。
任選地，所述基板支撑裝置還包含驅動裝置，用於驅動所述襯套繞自身中心軸旋轉。
任選地，托盤頂面中心區域設有用於容納基板的凹陷部，沿所述凹陷部的周向方向，凹陷部內壁設有複數個向內伸出的凸起，通過所述凸起的頂面支撑基板。
任選地，托盤、襯套的材質為石墨、石英、石墨鍍SiC、石墨鍍TaC、石墨鍍WC、石墨鍍NbC、石墨鍍MoC、純BC、BN、SiC、TaC、AlC、AlN、NbC、NbN、Al 2O 3中的任一種。
本發明還提供一種基板處理設備，所述基板處理設備的反應腔內包括：
如本發明所述的基板支撑裝置。
與習知技術相比，本發明的有益效果在於：
1）本發明的基板支撑裝置通過設置在托盤底部、襯套側壁的第一限位部、第二限位部互相配合，限制襯套與托盤旋轉時二者在水平方向的相對移動；通過本發明實現襯套與托盤同步旋轉，使得托盤均勻受熱，進而保證了基板表面溫度的均勻性；
2）本發明將第二限位部設置在襯套側壁，沒有改變襯套頂面的結構，且第一限位部也與襯套頂面無干涉，有效保證襯套頂面與托盤底面密封接觸，防止反應腔內的製程氣體進入襯套內，腐蝕襯套內的加熱器；同時防止加熱器的雜散光從襯套頂面與托盤底面之間進入反應腔，干擾反應腔內的溫度；
3）本發明在托盤底面中心區域（與基板在托盤的放置位置對應）設置一個盤形的均勻導熱部，托盤下方的加熱器輻射的熱量首先被該均勻導熱部吸收，由於該均勻導熱部具有一個厚度，因而均勻導熱部能夠將其吸收的熱量均勻的輻射給基板，有效保證基板表面溫度的均勻性；該均勻導熱部位於襯套的內側，在一定溫度下，其受熱膨脹會接觸到襯套內側壁，對於限制襯套與托盤之間發生相對位移具有輔助作用；
4）本發明的第二限位部設置在外壁，不會干涉襯套內部結構，不需減小均勻導熱部的半徑，進一步保證基板表面溫度的均一性；
5）本發明的凸台與對應限位槽中的至少一者傾斜，能夠實現托盤與襯套自對中；同時使凸台、限位槽之間為線接觸，減小了凸台與限位槽之間的摩擦力，使托盤更易於與襯套自對中。
下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出過度實驗前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。
需要說明的是，在本文中，術語“包括”、“包含”、“具有”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者終端設備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者終端設備所固有的要素。在沒有更多限制的情况下，由語句“包括……”或“包含……”限定的要素，並不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者終端設備中還存在另外的要素。
需說明的是，附圖均採用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明一實施例的目的。
圖1是一種基板處理設備10（其為MOCVD設備）。該基板處理設備10包括具有進氣裝置14、排氣裝置17的反應腔2。其中，進氣裝置14可設置在反應腔2的頂部，排氣裝置17可設置在反應腔2的底部，或者進氣裝置14與排氣裝置17相對的設置在反應腔側壁兩端。
反應腔2具有位於頂端的頂壁22、位於底端的底壁24以及在頂壁22與底壁24之間延伸的圓筒形側壁26。頂壁22、底壁24與側壁26共同圍成氣密性的內部處理空間20，可容納從進氣裝置14射出的氣體。儘管圖1所示的反應腔2為圓筒形的，其他的基板處理設備10也可包括其他形狀的反應腔2，例如圓錐形、方形、六角形、八角形或任意其他適當的形狀。
在內部處理空間20內還會設置與外部溫度監測裝置連接的測溫探頭（圖中未示出），用於在製程製程中監控反應腔2內的溫度。
進氣裝置14與用於供應處理氣體的氣體源連接，處理氣體可包括載體氣體(載氣)和反應氣體，反應氣體可包括三族氣體與五族氣體。在典型的金屬有機化學氣相沉積過程中，載體氣體可為氮氣、氫氣或氮氣和氫氣的混合物。進氣裝置14設置為接收各種氣體並引導處理氣體大致以向下的方向流動。
進氣裝置14內部還設有與外部冷卻系統連通的流體通道，通過流體通道內的冷卻液，以使製程中進氣裝置14的溫度保持在所需的溫度。反應腔2的頂壁22、底壁24與側壁26均可設置類似的流體通道(未示出)。
排氣裝置17設置為從反應腔2的內部處理空間20排放氣體(既包括反應生成的廢氣，也包括未來得及參加反應的部分氣體)。排氣裝置17包括設置在反應腔2底部或鄰近底部的出氣口70，以及設置在反應腔2外、與出氣口70連通的泵18，通過泵18提供氣體流動動力。
反應腔2還設置有用於基板W移入移出的基板進出口30，以及緊鄰側壁26設置並可上下移動的環形反應腔內襯34。反應腔內襯34具有位於上方的關閉位置和位於下方的打開位置。基板W處理完成後，可下移反應腔內襯34(使其處於打開位置)，將基板進出口30暴露，進而可將基板W自基板進出口30移出。下批次的待處理基板W也可自基板進出口30移入。基板W移入後，可上移反應腔內襯34(使其處於關閉位置)，將基板進出口30遮蓋，從而使內部處理空間20與基板進出口30分隔開。處於關閉位置時，由該反應腔內襯34所界定出的區域呈對稱的圓形，並且基板進出口30被“隱藏”在反應腔內襯34後面因而不會與處理氣體有接觸，處理氣體所能接觸到的區域是由該反應腔內襯34所界定出的圓周形邊界，其保證了整個處理環境的均勻性。用於控制和驅動反應腔內襯34上下移動的驅動機構(未示出)可以是任意類型的驅動器，例如機械的、機電的、液壓的或氣動的驅動器。
儘管所示的反應腔內襯34為圓筒形的，其也可以是其它形狀，例如方形、六角形、八角形或任意其他適當的形狀。
反應腔2還設置有托盤101、襯套102及複數個加熱器103。托盤101大體上呈圓盤狀，襯套102設置在托盤下方並為托盤101提供支撑。加熱器103設置在托盤下方並位於襯套102包圍的區域內，用於向托盤101輻射熱能，托盤101再將加熱器103提供的熱能傳遞至基板W。外部的控制器會根據測溫探頭反饋的溫度值調整加熱器103的加熱功率。理想狀態下，托盤101與襯套102為密封接觸，通過襯套102防止處理氣體向襯套內部滲入並腐蝕襯套內的各個元件。同時通過襯套102防止加熱器103的雜散光進入內部處理空間20，干擾測溫探頭獲取的溫度值。還可以在加熱器下方設置隔熱罩(圖中未示出)，例如，設置為與托盤101平行，以幫助引導熱量從加熱器103向上朝托盤101傳遞，而不是向下朝反應腔2底端的底壁24傳遞。
在製程中，進氣裝置14輸出的多種處理氣體在向下擴散過程中會發生部分混合，但是無法保證到達托盤上表面時能夠充分混合。為此需要驅動襯套102保持高速旋轉(600-1200轉/分)，在襯套102與托盤101接之間摩擦力的作用下帶動托盤101高速旋轉。這樣到達托盤上表面的不同種類處理氣體在高速旋轉的托盤101驅動下達到充分混合。
如圖1、圖2所示，托盤底部外周與襯套內壁之間存在一個間隙，通過該間隙防止在高溫環境下襯套102受熱膨脹撑破襯套102。同時還可以減少襯套102與托盤101的接觸面積，降低托盤101與襯套102之間的熱傳遞造成的熱損失。
圖3為圖2的A-A視圖，圖3中示出了襯套102高速旋轉時的軌迹，由於上述間隙，托盤101與襯套102之間無法避免的產生水平方向的相對位移，造成托盤101與襯套102的轉動不同心且不同步。不僅容易損壞襯套102，還導致托盤101受熱不均勻，進而影響基板表面溫度的均勻性。如何在CVD製程中，保持基板表面溫度的均勻性，防止基板W上生長出的材料存在質量缺陷，是業內關注的問題。
實施例1
本發明提供一種基板支撑裝置，用於基板處理設備，所述基板處理設備包含反應腔，所述基板支撑裝置包含：托盤201、襯套202、第一限位部、第二限位部、旋轉驅動裝置（圖中未示出）。
所述托盤201具有圓盤形結構，其設置於所述反應腔內，用於承載基板。托盤底面設有第一限位部。所述襯套202具有筒形結構，其設置在托盤下方並為托盤201提供支撑。襯套底部通過一法蘭連接所述旋轉驅動裝置，通過旋轉驅動裝置驅動襯套202、托盤201繞襯套中心軸旋轉。本實施例中的旋轉驅動裝置為永磁電機。襯套側壁設有與所述第一限位部位置對應的第二限位部。通過第一限位部與所述第二限位部配合，限制襯套202與托盤201旋轉時二者在水平方向的相對移動。
如圖4、圖4A所示，第一限位部包含設置在托盤底面的複數個凸台204，所述複數個凸台204沿托盤201的周向方向分布且分別與托盤外邊緣的不同位置相對應。在較佳的實施例中，所述凸台204至少為3個，任選地如附圖4中的4個，複數個凸台204沿托盤201的周向方向均勻分布在托盤底面。
本實施例中，凸台204與托盤201一體化製作而成。在其他實施例中，也可以通過連接件（如螺栓等）固定連接凸台204和托盤201。
第二限位部包含分別與複數個凸台204對應的複數個限位槽，一個凸台204對應一個所述限位槽。通過凸台204嵌入在對應的限位槽內，實現可拆卸地連接托盤201與襯套202，限制襯套202與托盤201旋轉時二者在水平方向的相對移動。第二限位部可以設置在襯套側壁的外側或內側。在較佳的實施例中，通常將第二限位部設置在襯套側壁的外側，便於觀察凸台204與限位槽對中。且由於第二限位部設置在襯套外側壁，因此無需改變襯套202內各元件的布置，不會影響加熱器對托盤201加熱的均勻性。
限位槽具有多種形成方式：
1）本實施例中，如圖4、圖4A所示，第二限位部包含圍繞設置在襯套側壁的複數個成對限位塊205。所述複數個成對限位塊205沿襯套202的周向方向分布且分別與不同的凸台204相對應。成對的兩個限位塊205沿襯套202的周向方向布置而非上下布置，該兩個限位塊205之間具有一個縫隙，所述縫隙形成限位槽。為便於凸台204與限位槽對中，本實施例中，複數個成對限位塊205均設置在襯套側壁的頂部，且位於大致相同的高度。
2）在另一個實施例中，如圖5所示，第二限位部包含圍繞設置在襯套側壁的限位環206，複數個限位槽沿限位環206的周向方向分布在限位環頂面（通過控制限位環206在襯套側壁的設置高度、限位槽的深度中的一種或多種實現托盤底面貼合襯套頂面）。在較佳的實施例中，所述限位環206與襯套202同軸心。限位槽也可以是貫穿限位環頂面和底面的通槽。
3）如圖6、圖6A所示，第二限位部包含沿襯套202周向方向設置在襯套側壁的複數個限位弧207。所述複數個限位弧207具有大致相同的高度，且與襯套202同心。相鄰限位弧207之間具有一個縫隙，該縫隙形成限位槽。
本實施例中，凸台204的側壁垂直於水平面（凸台204不傾斜）。凸台204可以是圓柱形、多棱柱形中的任一種（例如圖4至圖6所示的長方體形）。限位槽具有與凸台204匹配的形狀，凸台204與限位槽之間為面接觸。
在本實施例中，托盤201、凸台204、襯套202、限位塊205、限位環、限位弧207的材質為石墨、石英、石墨鍍SiC、石墨鍍TaC、石墨鍍WC、石墨鍍NbC、石墨鍍MoC、純BC、BN、SiC、TaC、AlC、AlN、NbC、NbN、Al 2O 3中的任一種。
本發明的基板支撑裝置通過設置在托盤底部、襯套側壁的第一限位部、第二限位部互相配合，限制襯套202與托盤201旋轉時二者在水平方向的相對移動。通過本發明實現襯套202與托盤201同步、同心旋轉，使得托盤201均勻受熱，進而保證了基板表面溫度的均勻性。
本發明沒有直接在襯套頂面開限位槽，凸台204的位置也避讓襯套頂面。因此本發明中沒有破壞襯套頂面與托盤底面的密封接觸。本發明的基板支撑裝置能夠防止反應腔內的製程氣體進入襯套內，腐蝕襯套內的加熱器203；同時還能防止加熱器203的雜散光進入反應腔干擾測溫探頭探測反應腔內的溫度。
實施例2
本實施例中，托盤底面設有第一限位部。襯套側壁（較佳外側壁）設有與第一限位部對應的第二限位部。第一限位部包含複數個限位槽，複數個限位槽沿托盤301的周向方向分布且分別與托盤外邊緣的不同位置相對應。第二限位部包含沿襯套302的周向方向設置在襯套外側壁的複數個凸台304。複數個凸台304分別嵌入在複數個限位槽內，實現可拆卸的連接襯套302與托盤、並限制襯套302與托盤301旋轉時二者在水平方向的相對移動。
本實施例中，複數個凸台304均勻分布，且第二限位部包含至少三個凸台304。為便於凸台304與限位槽對中，在較佳的實施例中，複數個凸台304設置在襯套外側壁的頂部，並具有大致相同的高度。
本實施例中的限位槽具有多種形成方式：
如圖7、圖7A所示，第一限位部包含沿托盤301的周向方向設置在托盤底面的複數個成對限位塊305，每個成限位塊305分別對應一個凸台304。成對的兩個限位塊305沿托盤301的周向方向布置，該兩個限位塊305之間具有一個間隙，該間隙形成所述限位槽。
在另一個實施例中，如圖8所示，第一限位部包含設置在托盤底面的限位環306（與托盤301同心），複數個限位槽沿限位環306的周向方向分布在限位環底面。限位環內徑不小於襯套302的外徑，限位環外徑不大於托盤直徑。圖8中限位環內徑等於襯套外徑，限位環外徑等於托盤直徑。通過控制凸台304在襯套側壁的設置高度、限位槽的深度中的一種或多種實現托盤底面貼合襯套頂面（托盤301與襯套302之間為密封接觸）。
本實施例中凸台304的側壁垂直於水平面（凸台304不傾斜），限位槽具有與凸台304匹配的形狀。凸台304與限位槽之間為面接觸。
實施例3
本實施例中凸台404與對應限位槽中的至少一者傾斜，能夠便於托盤401與襯套402自對中。凸台404、限位槽之間可以是面接觸或線接觸。當凸台404與限位槽為線接觸時，由於減小了凸台404與限位槽之間的摩擦力，在托盤401重力的作用下，托盤401不僅易與襯套402自對中，且能夠有效保證托盤底面貼合襯套頂面。本實施例中，所述傾斜的角度為20°～70°。
本實施例中，如圖9所示，第一限位部包含複數個設置在托盤底面的凸台404，通過設置在襯套側壁的成對限位塊405形成限位槽。凸台404與對應的限位槽包括以下幾種情形：
1）如圖9所示，凸台404與對應的限位槽均傾斜。從傾斜凸台404的頂部至底部，該凸台404向內逐漸收縮。傾斜的限位槽具有上寬下窄的結構。如圖9A所示，凸台404和對應的限位槽具有相同的傾角，凸台404與限位槽之間為面接觸。或者，如圖9B所示，限位槽的傾角小於凸台404的傾角，凸台404與限位槽之間為線接觸。本發明中限位槽的傾角、凸台404的傾角分別指限位槽側壁、凸台側壁與水平面的夾角（銳角）。
1）如圖9C所示，凸台404不傾斜，對應的限位槽傾斜。該限位槽具有上寬下窄的結構，且限位槽頂部的寬度大於凸台404的寬度，限位槽底部的寬度小於凸台404的寬度。凸台404與限位槽之間為線接觸。
2）如圖9D所示，凸台404傾斜，對應的限位槽不傾斜。從傾斜凸台404的頂部至底部，該凸台404向內逐漸收縮。限位槽的寬度大於凸台底部的寬度，且不大於凸台頂部的寬度。限位槽與凸台404之間為線接觸。
本實施例中，通過控制限位槽在襯套側壁的設置高度、限位槽的深度、限位槽的傾角、限位槽的寬度、凸台404的傾角、凸台404的寬度中的一種或多種實現托盤底面貼合襯套頂面。
實施例4
本實施例中，第二限位部包含複數個設置在襯套側壁的凸台504。凸台504與對應限位槽中的至少一者傾斜。凸台504與對應的限位槽包括以下幾種情形：
1）如圖10A所示，本實施例中第一限位部包含設置在托盤501底部的限位環506，限位環506的底面開有複數個限位槽。圖10A中凸台504不傾斜，對應的限位槽傾斜。該限位槽具有上窄下寬的結構，且限位槽底部的寬度大於凸台504的寬度，限位槽頂部的寬度小於凸台504的寬度。凸台504與限位槽之間為線接觸。
2）如圖10B所示，凸台504傾斜，對應的限位槽不傾斜。從傾斜凸台504的底部至頂部，該凸台504向內逐漸收縮。限位槽的寬度大於凸台頂部的寬度，且不大於凸台底部的寬度。限位槽與凸台504之間為線接觸。
3）如圖10C所示，凸台504與限位槽均傾斜。從傾斜凸台504的底部至頂部，該凸台504向內逐漸收縮。傾斜的限位槽具有上窄下寬的結構。如圖10C所示，凸台504和對應的限位槽具有相同的傾角，凸台504與限位槽之間為面接觸。或者，如圖10D所示，限位槽的傾角小於凸台504的傾角，凸台504與限位槽之間為線接觸。
實施例5
圖11示出了本發明的一種基板支撑裝置。如圖11所示，托盤201的頂面設有用於容納基板W的圓形凹陷部211（其與托盤201同心）。沿所述凹陷部211的周向方向，凹陷部內壁設有複數個向內伸出的凸起212。通過所述凸起212的頂面支撑基板W，減少托盤201與基板W之間的摩擦。
所述均勻導熱部209設置在托盤底面。本實施例中，均勻導熱部209為圓盤形，且與托盤201，均勻導熱部209的直徑大於凹陷部211的直徑。由於所述凹陷部211，使得托盤中心區域變薄，基板W距離加熱器203的距離較近，易於造成基板W受熱不均勻。通過均勻導熱部209，彌補托盤中心區域損失的厚度，能夠使加熱器所輻射的熱量均勻傳遞給托盤上放置的基板W。
如圖11所示，襯套外壁設有複數個成對限位塊205。襯套202的內徑大於均勻導熱部209的外徑。在一定溫度下，均勻導熱部209受熱膨脹會接觸到襯套內側壁（但力量較小，不會損壞襯套），對於限制襯套202與托盤201之間發生相對位移具有輔助作用。
本發明通過將第二限位部設置在襯套外側壁，不需要將第二限位部設置在襯套內側壁與均勻導熱部外側壁之間，因而不需減小均勻導熱部209的半徑，進一步保證基板表面溫度的均一性。
本發明還提供一種基板處理設備，如圖12所示，所述基板處理設備的反應腔內包括：
如本發明所述的基板支撑裝置。
以上所述，僅為本發明的具體實施方式，但本發明的保護範圍並不局限於此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明揭露的技術範圍內，可輕易想到各種等效的修改或替換，這些修改或替換都應涵蓋在本發明的保護範圍之內。因此，本發明的保護範圍應以權利要求的保護範圍為准。
2:反應腔 10:基板處理設備 14:進氣裝置 17:排氣裝置 18:泵 20:內部處理空間 22:頂壁 24:底壁 26:側壁 30:基板進出口 34:反應腔內襯 70:出氣口 101,201,301,401,501:托盤 102,202,302,402:襯套 103,203:加熱器 204,304,404:凸台 205,305,405:限位塊 206,306,506:限位環 207:限位弧 209:均勻導熱部 211:凹陷部 212:凸起 W:基板
為了更清楚地說明本發明技術方案，下面將對描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發明的一個實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不做出過度實驗的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖：
圖1為一種基板處理設備示意圖； 圖2為圖1中托盤、襯套偏心旋轉示意圖； 圖3為圖2的A-A視圖； 圖4為本發明實施例1中，基板支撑裝置的托盤與襯套立體圖； 圖4A為圖4的仰視圖； 圖5、圖6為本發明實施例1中，限位槽的不同形成方式示意圖； 圖6A為圖6的仰視圖； 圖7為本發明實施例2中，基板支撑裝置的托盤與襯套立體圖； 圖7A為圖7的仰視圖； 圖8為本發明實施例2中，限位槽的另一種形成方式示意圖； 圖9為本發明實施例3中，托盤與襯套的立體圖； 圖9A為本發明實施例3中，凸台與限位槽均傾斜、凸台與限位槽為面接觸的示意圖； 圖9B為本發明實施例3中，凸台與限位槽均傾斜、凸台與限位槽為線接觸的示意圖； 圖9C為本發明實施例3中，凸台不傾斜、限位槽傾斜的示意圖； 圖9D為本發明實施例3中，凸台傾斜、限位槽不傾斜的示意圖； 圖10A為本發明實施例4中，凸台與限位槽均傾斜、凸台與限位槽為面接觸的示意圖； 圖10B為本發明實施例4中，凸台與限位槽均傾斜、凸台與限位槽為線接觸的示意圖； 圖10C為本發明實施例4中，凸台不傾斜、限位槽傾斜的示意圖； 圖10D為本發明實施例4中，凸台傾斜、限位槽不傾斜的示意圖； 圖11為本發明實施例5中，托盤與襯套的剖視圖； 圖12為本發明的基板處理裝置示意圖。
201:托盤
202:襯套
204:凸台
205:限位塊

Claims (21)

  1. 一種基板支撑裝置，用於一基板處理設備，該基板處理設備包含一反應腔，其中，該基板支撑裝置包含：一托盤，設置於該反應腔內，用於支撑一基板；該托盤底面設有一第一限位部；一襯套，其具有筒形結構；該襯套設置在該托盤下方並為該托盤提供支撑；該襯套側壁設有與該第一限位部位置對應的一第二限位部；通過該第一限位部與對應的該第二限位部插接配合，限制該襯套與該托盤旋轉時二者在水平方向的相對移動；該托盤底面中心區域設有一均勻導熱部，用於將該托盤下方的一加熱器所輻射的熱量均勻傳遞給該托盤上放置的該基板，該均勻導熱部與該襯套之間具有一間隙。
  2. 如請求項1所述的基板支撑裝置，其中，該第二限位部設置在該襯套側壁的外側。
  3. 如請求項1所述的基板支撑裝置，其中，該襯套的上邊緣圍繞設置在該均勻導熱部的外周，並位於該第一限位部與該均勻導熱部之間。
  4. 如請求項3所述的基板支撑裝置，其中，該均勻導熱部為圓盤形，該襯套的內徑大於該均勻導熱部的外徑。
  5. 如請求項1所述的基板支撑裝置，其中，該第一限位部包含設置在該托盤底面的複數個凸台，該複數個凸台沿該托盤的周向方向分布且分別與該托盤外邊緣的不同位置相對應；該第二限位部包含分別與該複數個凸台對應的複數個限位槽；該複數個凸台嵌入在對應的該複數個限位槽內。
  6. 如請求項5所述的基板支撑裝置，其中，該第二限位部包含設置在該襯套側壁的複數個成對限位塊，該成對限位塊之間形成該複數個限位槽。
  7. 如請求項5所述的基板支撑裝置，其中，該第二限位部包含圍繞設置在該襯套側壁的一限位環，該複數個限位槽沿該限位環的周向方向分布在該限位環頂面。
  8. 如請求項5所述的基板支撑裝置，其中，該複數個凸台與對應之該複數個限位槽中的至少一者傾斜；從傾斜之該凸台的頂部至底部，該凸台向內逐漸收縮；傾斜的該限位槽具有上寬下窄的結構。
  9. 如請求項1所述的基板支撑裝置，其中，該第一限位部包含複數個限位槽，該複數個限位槽沿該托盤的周向方向分布且分別與該托盤外邊緣的不同位置相對應；該第二限位部包含設置在該襯套側壁的複數個凸台，該複數個凸台分別嵌入在該複數個限位槽內。
  10. 如請求項9所述的基板支撑裝置，其中，該第一限位部包含設置在該托盤底面的複數個成對限位塊，該複數個成對限位塊之間形成該複數個限位槽。
  11. 如請求項9所述的基板支撑裝置，其中，該第一限位部包含設置在該托盤底面的一限位環，該複數個限位槽沿該限位環的周向方向分布在該限位環底面。
  12. 如請求項9所述的基板支撑裝置，其中，該複數個凸台與對應該複數個限位槽中的至少一者傾斜；從傾斜之該凸台的底部至頂部，該凸台向內逐漸收縮；傾斜的該限位槽具有上窄下寬的結構。
  13. 如請求項5至請求項12中任一項所述的基板支撑裝置，其中，該複數個凸台與對應之該複數個限位槽之間為線接觸或面接觸。
  14. 如請求項8或請求項12所述的基板支撑裝置，其中，該傾斜的角度為20°~70°。
  15. 如請求項5至請求項8中任一項所述的基板支撑裝置，其中，該第二限位部設置在該襯套外側壁的頂部；該複數個凸台至少為3個，且該複數個凸台均勻分布。
  16. 如請求項9至請求項12中任一項所述的基板支撑裝置，其中，該第二限位部設置在該襯套外側壁的頂部；該複數個限位槽至少為3個；且該複數個限位槽均勻分布。
  17. 如請求項1所述的基板支撑裝置，其中，該襯套頂面與該托盤底面密封接觸。
  18. 如請求項1所述的基板支撑裝置，其進一步包含一驅動裝置，用於驅動該襯套繞自身中心軸旋轉。
  19. 如請求項1所述的基板支撑裝置，其中，該托盤頂面中心區域設有用於容納基板的一凹陷部，沿該凹陷部的周向方向，該凹陷部內壁設有向內伸出的複數個凸起，通過該複數個凸起的頂面支撑該基板。
  20. 如請求項1所述的基板支撑裝置，其中，該托盤、該襯套的材質為石墨、石英、石墨鍍SiC、石墨鍍TaC、石墨鍍WC、石墨鍍NbC、石墨鍍MoC、純BC、BN、SiC、TaC、AlC、AlN、NbC、NbN、Al2O3中的任一種。
  21. 一種基板處理設備，其中，該基板處理設備的一反應腔內包括：如請求項1至請求項20中任一項所述的基板支撑裝置。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201639983A (zh) * 2015-02-16 2016-11-16 Advanced Micro Fab Equip Inc 化學氣相沉積裝置及其清潔方法
US20160372321A1 (en) * 2015-06-22 2016-12-22 Veeco Instruments, Inc. Self-Centering Wafer Carrier System For Chemical Vapor Deposition
TW201839168A (zh) * 2017-04-20 2018-11-01 中微半導體設備（上海）有限公司 發熱體、化學氣相沈積設備及化學氣相沈積設備的溫度控制方法
TW202113136A (zh) * 2019-06-05 2021-04-01 大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司 加熱裝置及包括其之cvd 設備
CN113088934A (zh) * 2020-12-14 2021-07-09 芯三代半导体科技(苏州)有限公司 旋转装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000286328A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Tokyo Electron Ltd ガス処理装置
JP2008177454A (ja) * 2007-01-22 2008-07-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
CN214753697U (zh) * 2021-05-06 2021-11-16 北京北方华创微电子装备有限公司 一种托盘及半导体工艺腔室

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201639983A (zh) * 2015-02-16 2016-11-16 Advanced Micro Fab Equip Inc 化學氣相沉積裝置及其清潔方法
US20160372321A1 (en) * 2015-06-22 2016-12-22 Veeco Instruments, Inc. Self-Centering Wafer Carrier System For Chemical Vapor Deposition
TW201839168A (zh) * 2017-04-20 2018-11-01 中微半導體設備（上海）有限公司 發熱體、化學氣相沈積設備及化學氣相沈積設備的溫度控制方法
TW202113136A (zh) * 2019-06-05 2021-04-01 大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司 加熱裝置及包括其之cvd 設備
CN113088934A (zh) * 2020-12-14 2021-07-09 芯三代半导体科技(苏州)有限公司 旋转装置

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