TWI826657B - 純水製造裝置及純水之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種使用RO-EDI系統之新的純水製造裝置。本發明係一種純水製造裝置，包含：第1逆滲透膜裝置，接受供給被處理水；第2逆滲透膜裝置，接受供給來自該第1逆滲透膜裝置的透過水；電氣再生式去離子裝置，接受供給來自該第2逆滲透膜裝置的透過水；鹵水槽，接受供給來自該第1逆滲透膜裝置的濃縮水；及第3逆滲透膜裝置，連接於該鹵水槽；其中，該第2逆滲透膜裝置係高壓型逆滲透膜裝置，從由來自該第2逆滲透膜裝置的濃縮水和來自該電氣再生式去離子裝置的濃縮水所成的群組中選擇之至少1種的濃縮水，被供給至該鹵水槽，且來自該第3逆滲透膜裝置的透過水，被供給至該被處理水。
Description
本發明係關於純水的製造裝置及純水之製造方法。
將已高度去除有機物、離子成分、微粒子、細菌等的超純水，用作為半導體裝置的製程或液晶裝置的製程中之洗淨水等。超純水製造裝置，由一次純水系(純水製造裝置)及子系統所構成。作為純水製造裝置，係廣泛使用將逆滲透膜(RO)裝置和電氣再生式去離子(EDI：Electric De-Ionization)裝置加以組合而成之(RO-EDI系統)。而作為純水製造用的RO，大多係使用超低壓～低壓型逆滲透膜。
另一方面，伴隨著半導體的線寬微縮化，對作為洗淨用的純水、超純水的水質要求日漸提高，例如，要求減少作為微量雜質的硼。因此，以減少硼濃度為目的，有人提出將如習知用於海水的淡水化的高壓型逆滲透膜和離子更換裝置加以組合之方法(專利文獻1、專利文獻2)。
又，為了提升RO裝置的透過水的水質，而有如下提案：使用複數段的低壓型RO裝置，並以第2段以後的RO裝置處理第1段RO裝置的透過水，將所獲得的透過水供給至EDI裝置(專利文獻3)。於此情形時，從第2段以後的RO裝置所排出之濃縮水中的雜質濃度，較供給至第1段RO裝置之供水(被處理水)的雜質濃度為低，故藉由使來自第2段RO裝置的濃縮水返回(混合)至被處理水，可於稀釋被處理水之同時，提高系統整體的水回收率。又，基於同樣理由，使從EDI裝置所排出的濃縮水亦返回至被處理水。
再者，為了提高水回收率，亦使第1段RO裝置的濃縮水作為被處理水而通過第3RO裝置，並使所獲得之透過水返回至被處理水。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2015-20131號公報
專利文獻2：日本特開2016-117001號公報
專利文獻3：日本特開2004-167423號公報
[發明欲解決之問題]
在此，於以硼去除為目的之情形時，作為第2段RO裝置，考慮使用硼去除性能高於第1段RO裝置之高壓型RO裝置。低壓型RO的硼去除率為低，於第1段RO裝置為低壓型RO的情形時，有發生於第1段RO裝置未被完全去除的硼於第2段RO裝置被濃縮而使濃縮水的硼濃度高於被處理水之疑慮。若使雜質濃度高於被處理水的水返回至被處理水，因對被處理水產生濃縮效果，而發生系統內的雜質濃度緩慢增加而RO-EDI系統的處理水質下降之問題。
[解決問題之方法]
本發明者們發現，有關純水製造裝置，於複數段RO-EDI系統中，藉由將第2段以後的至少1段設為高壓型RO，並使對高壓型RO的濃縮水更進行RO處理後的透過水返回至被處理水，而解決上述課題。
亦即，本發明係一種純水製造裝置，包含：第1逆滲透膜裝置，接受供給被處理水；第2逆滲透膜裝置，接受供給來自該第1逆滲透膜裝置的透過水；電氣再生式去離子裝置，接受供給來自該第2逆滲透膜裝置的透過水；鹵水槽，接受供給來自該第1逆滲透膜裝置的濃縮水；及第3逆滲透膜裝置，連接於該鹵水槽；其中，該第2逆滲透膜裝置係高壓型逆滲透膜裝置，從由來自該第2逆滲透膜裝置的濃縮水和來自該電氣再生式去離子裝置的濃縮水所成的群組中選擇之至少1種的濃縮水，被供給至該鹵水槽，且來自該第3逆滲透膜裝置的透過水，被供給至該被處理水。
又，本發明係一種純水之製造方法，包含下述步驟：(a)將被處理水供給至第1逆滲透膜裝置；(b)將來自該第1逆滲透膜裝置的透過水供給至第2逆滲透膜裝置；(c)將來自該第2逆滲透膜裝置的透過水供給至電氣再生式去離子裝置；(d)將來自該第1逆滲透膜裝置的濃縮水供給至鹵水槽；(e)將從由來自該第2逆滲透膜裝置的濃縮水和來自該電氣再生式去離子裝置的濃縮水所成的群組中選擇之至少1種的濃縮水，供給至該鹵水槽；(f)將該鹵水槽的濃縮水供給至第3逆滲透膜裝置；(g)將來自該第3逆滲透膜裝置的透過水供給至該被處理水；及(h)將來自該電氣再生式去離子裝置的處理水取出作為純水；其中，該第2逆滲透膜裝置係高壓型逆滲透膜裝置。
[發明效果]
可於具有複數段RO-EDI系統的純水製造裝置中，製造不使水回收率下降而可減少硼的純水。
首先，參考圖1，說明本發明之純水製造裝置中之第一實施態樣。圖1中，以下述方式彼此連接：藉由未圖示的泵，將被處理水8從被處理水槽10供給至第1逆滲透膜裝置14後，藉由未圖示的泵，將該透過水15從第1逆滲透膜裝置14供給至第2逆滲透膜裝置16，再藉由未圖示的泵，將來自第2逆滲透膜裝置16的透過水17供給至電氣再生式去離子裝置(EDI)20。接著，將來自第1逆滲透膜裝置14的濃縮水19、第2逆滲透膜裝置16的濃縮水21、及來自EDI20的濃縮水24，供給至鹵水槽12，藉由未圖示的泵將此等濃縮水從鹵水槽12供給至第3逆滲透膜裝置18。又，將來自第3逆滲透膜裝置18的透過水23回收至被處理水槽10，並將濃縮水26作為排放水而排出。使用超低壓～低壓型的逆滲透膜裝置作為第1逆滲透膜裝置14，使用高壓型的逆滲透膜裝置作為第2逆滲透膜裝置16。
本發明之純水製造裝置的第一實施態樣，如上述方式構成，以下說明其作用。
將供給至被處理水槽10的被處理水8，供給至低壓型～超低壓型的第1逆滲透膜裝置14，將該透過水15供給至高壓型的第2逆滲透膜裝置16，再將該透過水17供給至EDI20，最後將處理水22製作為純水。低壓型～超低壓型RO因硼或尿素的去除率為低，故於第1逆滲透膜裝置14的透過水中含有硼或尿素。另一方面，高壓型RO相較於低壓型～超低壓型RO因硼或尿素的去除率為高，故可藉由第2逆滲透膜裝置有效地去除硼或尿素。將來自第1逆滲透膜裝置14的濃縮水19、來自第2逆滲透膜裝置16的濃縮水21及來自EDI20的濃縮水24，供給至鹵水槽12。接著，將此等濃縮水供給至第3逆滲透膜裝置18，而使得該透過水23被回收至被處理水槽10。在此，來自第2逆滲透膜裝置16的濃縮水21及來自EDI20的濃縮水24，因雜質濃度較來自第1逆滲透膜裝置14的濃縮水19為低，故於鹵水槽12中，可將來自第1逆滲透膜裝置14的濃縮水19加以稀釋。
於本發明所用之低壓型逆滲透裝置中所使用的膜，宜使用可於較低壓力下運轉之低壓膜、超低壓膜。作為低壓膜、超低壓膜，可使用於有效壓力1MPa、水溫25℃中之純水的透過通量為0.65～1.8m/d較佳為0.65～1.0m/d的膜。
在此，透過通量，係將透過水量除以逆滲透膜面積而得者。所謂「有效壓力」，係JIS K3802：2015「膜用語」中所記載之將平均操作壓力減去滲透壓差及2次側壓而得之作用於膜之有效壓力。又，平均操作壓力，係逆滲透膜的1次側中之膜供給水的壓力(運轉壓力)與濃縮水的壓力(濃縮水出口壓力)之平均值，以下式表示。
平均操作壓=(運轉壓力+濃縮水出口壓力)/2
每1MPa有效壓力下之透過通量，可從膜製造廠商的商品型錄所記載的資訊，例如透過水量、膜面積、評價時的回收率、NaCl濃度等而算出。又，於1或複數之壓力容器中裝填有複數之相同透過通量的逆滲透膜的情形時，可從壓力容器的平均操作壓/2次側壓力、被處理水水質、透過水量、膜數量等資訊，計算所裝填之膜的透過通量。
作為低壓～超低壓型逆滲透膜，例舉如NITTO公司製ES系列(ES15-D8、ES20-U8商品名)、HYDRANAUTICS公司製ESPA系列(ESPAB、ESPA2、ESPA2-LD-MAX商品名)、CPA系列(CPA5‐MAX、CPA7-LD商品名)、東麗公司製TMG系列(TMG20‐400、TMG20D-440商品名)、TM700系列(TM720-440、TM720D-440商品名)、陶氏化學公司製BW系列(BW30HR、BW30XFR-400/34i)、SG系列(SG30LE-440、SG30-400)、FORTILIFE CR100等。
本發明中，第2逆滲透膜裝置係使用高壓型之逆滲透膜裝置。高壓型逆滲透膜裝置以往係開發用為海水淡水化，對於鹽濃度為低的被處理水，可藉由較低的運轉壓力，有效率地去除離子或TOC等。例如，若為高壓型逆滲透膜裝置，則能以1段來實現超低壓～低壓型逆滲透膜裝置2段份的處理能力。藉由使用如此的逆滲透膜裝置，能使以超低壓～低壓膜無法充分去除之如二氧化矽、硼、尿素、乙醇、異丙醇等非解離物質的去除率飛躍地上升。又，第3逆滲透膜裝置可為低壓型或高壓型之任一者，但以高壓型為佳。藉由將第3逆滲透膜裝置設為高壓型逆滲透裝置，可使來自第3逆滲透膜裝置的透過水23的水質提升，而提高被處理水的稀釋效果。結果可使EDI處理水更為提升。
本發明中，作為第2逆滲透膜裝置所使用之「高壓型」的定義，大致上可例舉具有以下性質。亦即，於有效壓力1MPa、水溫25℃中之純水的透過通量為0.2～0.65m/d。高壓型逆滲透膜的有效壓力宜為1.5～2.0MPa。藉由將有效壓力設為1.5MPa以上，可充分提高高壓型逆滲透膜的硼截留率。又，藉由將有效壓力設為2.0MPa以上，預期能達到使硼截留率更為提升之效果，但因必須提高裝置的耐久壓力，故有時會有設備費用增加的情形。
作為高壓型逆滲透膜，可例舉如HYDRANAUTICS公司製SWC系列(SWC4、SWC5、SWC6)(商品名)、東麗公司製TM800系列(TM820V，TM820M)(商品名)、陶氏化學公司製SW系列(SW30HRLE、SW30ULE)(商品名)等。
其次，說明本發明的逆滲透膜裝置。逆滲透膜裝置具備：逆滲透膜模組，由逆滲透膜、流路材料等構件所構成；一個以上的壓力容器(vessel，容器)；裝填有一個以上的逆滲透膜模組。藉由將被處理水壓送至裝填有逆滲透膜模組的容器，可從容器得到與有效壓力相應的量之透過水。又，未透過逆滲透膜模組而於容器內濃縮的水，作為濃縮水而從壓力容器排出。逆滲透膜模組的形狀無特別限制，可使用管狀型、螺旋型，中空纖維型模組。於相同容器內使用複數之逆滲透膜模組的情形時，將各逆滲透膜模組串聯連接。於逆滲透裝置中使用複數之壓力容器的情形時，可將壓力容器並聯或串聯設置。例如，可將壓送來的被處理水，供給至並聯設置的複數之容器，使各容器的透過水及濃縮水合流並從裝置排出。再者，可設定為例如將從各壓力容器排出的濃縮水供給至另一容器之所謂聖誕樹式的容器構成。
此等逆滲透膜裝置之模組構成、容器構成，可依所期之透過水質、透過水量、水回收率、佔用空間等而設計並選擇適宜者。
本發明所使用之各逆滲透膜裝置的水回收率，係藉由各逆滲透膜裝置的被處理水和於各逆滲透膜裝置所得的透過水之比率而計算。亦即，各逆滲透膜裝置的回收率=(藉由各逆滲透膜裝置所得的透過水量)/(供給至各逆滲透膜裝置的被處理水量)。水回收率可依被處理水水質、所期之透過水質、透過水量、水回收率、佔用空間等而設計並選擇適宜者。對於此等回收率雖無特別限制，但第1逆滲透裝置的回收率為50～90%較佳為65～85%，第2逆滲透膜裝置的回收率為80～99%較佳為85～95%，第3逆滲透膜裝置的回收率為40～85%較佳為60～80%。特別是第2逆滲透膜的水回收率，因藉由第1逆滲透膜處理使得雜質濃度下降，故可設定較高的值。
又，於第1、第2及第3逆滲透膜裝置中，可使用一般逆滲透膜裝置所使用的藥品(例如還原劑、pH調整劑、積垢分散劑、殺菌劑等)。
其次，說明本發明所使用的EDI。EDI具有：脫鹽室，以離子更換膜區隔，並填充有離子更換體；濃縮室，將於脫鹽室經脫鹽之離子加以濃縮；及陽極和陰極，用以使電流通電；EDI藉由使電流通電並運轉，而同時進行利用離子更換體所進行之被處理水的去離子化(脫鹽)處理、及離子更換體的再生處理。將被通入至EDI的被處理水，藉由填充至脫鹽室的離子更換體加以脫鹽，而作為EDI處理水排出至EDI外部。同樣地，離子類已被濃縮之濃縮水，作為EDI濃縮水而排出至外部。
EDI的回收率，係藉由供給至EDI的被處理水量和所獲得的處理水量而計算。亦即，EDI回收率=(EDI處理水流量)/(EDI被處理水量)。EDI回收率並無特別限制，但以90～95%為佳。
RO-EDI系統的回收率，係藉由被處理水量和利用EDI所得到之處理水量的比率而算出。亦即，RO-EDI系統的回收率=EDI處理水量/被處理水量。此處的被處理水，係指來自第3逆滲透裝置的透過水合流前的流量。本RO-EDI系統的水回收率並無特別限制，以80～99%為佳，85～95%為更佳。於本系統中，因並未一邊回收第2逆滲透裝置的濃縮水、EDI濃縮水，一邊進行系統內的濃縮，故可同時滿足高的系統回收率及水回收率二者。
針對EDI處理水，藉由實施後處理，可使於RO-EDI系統所獲得之透過水的水質更為提升。作為後處理裝置，只要是能進行來自EDI處理水的離子去除處理、溶解氣體的去除處理、TOC成分的去除處理等的裝置即可，並無特別限制，例舉如再生式離子更換裝置、非再生式離子更換裝置、脫氣裝置、UV氧化裝置、膜過濾裝置等。
又，此等後處理裝置可位於RO系統與EDI系統之間，或者，亦可位於第一逆滲透膜裝置與第二逆滲透膜裝置的中間。亦即，針對第一逆滲透膜裝置的處理水或第二逆滲透膜裝置的處理水，亦可於藉由後處理使水質提升之後，通入至後段的系統。例如，藉由將第一逆滲透膜裝置的透過水予以脫氣處理後再通入至第二逆滲透膜裝置，能提升離子成分特別是陽離子成分的截留率。
作為本發明所使用之純水裝置的被處理水，並無特別限制，可例舉如工業用水、地下水、表層水、自來水、海水、藉由逆滲透法或蒸發法等使海水脫鹽後之海水淡水化處理水、汙水、汙水處理水、各種排水例如半導體製程中所使用的排水、及此等水的混合水。作為被處理水成分，以滿足導電率10～1000μS/cm、TDS=5～500ppm、硼濃度10ppb～10ppm、尿素濃度1～100ppb中之任一以上者為佳。
於將被處理水導入至逆滲透膜裝置之前，宜藉由前處理，將被處理水中的雜質加以去除。作為前處理裝置，只要是能去除被處理水中的懸浮物質、TOC成分、氧化性成分、微生物及離子中至少一者的裝置即可，並無特別限制，例舉如凝聚沉澱裝置、砂過濾裝置、加壓浮選裝置、膜過濾裝置、軟化裝置、活性碳處理裝置等。
作為本發明所獲得之處理水(純水)的水質，並無特別限制，例舉如比電阻17MΩ・cm以上、硼濃度50ppt以下、二氧化矽濃度100ppt以下、TOC濃度5ppb以下者。以硼濃度1ppt以下、二氧化矽濃度50ppt以下、TOC濃度2ppb以下為宜。
其次，參考圖2說明本發明之第二實施態樣。圖2中，相較於第一實施態樣，將來自第2逆滲透膜裝置16的濃縮水回收至被處理水槽10而不是鹵水槽12。於此情形時，被處理水槽內的雜質濃度雖較上述第一態樣為高，但因來自EDI20的濃縮水24依然被供給至鹵水槽12，再於第3逆滲透膜裝置18經處理後將其透過水23回收至被處理水槽10，故整體上被處理水的雜質濃度可維持為低。
其次，參考圖3說明本發明之第三實施態樣。圖3中，相較於第一實施態樣，將來自EDI20的濃縮水24回收至被處理水槽10而不是鹵水槽12。於此情形時，與第二態樣相同，被處理水槽內的雜質濃度雖較上述第一態樣為高，但因來自第2逆滲透膜裝置16的濃縮水依然被供給鹵水槽12再於第3逆滲透膜裝置18經處理後將其透過水23回收至被處理水槽10，故整體上被處理水的雜質濃度可維持為低。
其次，參考圖4說明本發明的第四實施態樣。圖4中，對於第一實施態樣，更加上於第3逆滲透膜裝置的上游(圖4中，於鹵水槽12與第3逆滲透膜裝置18之間)，具備pH調整裝置28。藉此，可調整供給至第3逆滲透膜裝置18的水的pH。作為所調整的pH之值，可依狀況而適當決定，例如可設為pH＜6.0。因於鹵水槽的水中含有許多的鈣或二氧化矽，故藉由設於此pH的範圍，可抑制此等鈣或二氧化矽所造成之積垢的產生。
在此所使用的pH調整劑，只要具有調整pH功能者即可並無特別限制，例如，可使用鹽酸、硫酸、硝酸等。
其次，參考圖5說明本發明之第五實施態樣。圖5中，對於第四實施態樣，更加上於第1逆滲透膜14(被處理水槽10)的上游，具備脫碳酸裝置30。對於該脫碳酸裝置30，供給被處理水8，且同時供給來自第3逆滲透膜裝置18的透過水23。藉此，於被處理水的CO2
濃度為高時，能有效率地製造純水。此時，來自第3逆滲透膜裝置的透過水23，因藉由pH調整裝置28而使pH變低，故利用與被處理水8混合使得pH下降。在此，因已知當pH越低脫碳酸的效率越佳，故藉由pH調整裝置28的運作，可更有效率地製造純水。再者，於第3逆滲透裝置的供給水中，因以脫碳酸裝置無法完全去除的碳酸成分被濃縮，故第3逆滲透裝置的透過水23中的碳酸濃度較被處理水為高。對其進行脫碳酸處理後使與被處理水槽10合流，藉此可期待達到使系統整體的碳酸濃度下降的效果。作為脫碳酸裝置，可使用脫碳酸塔或脫碳酸膜。
其次，參考圖6說明本發明之第六實施態樣。圖6中，以將複數之電氣再生式去離子裝置32及34串聯連接，來取代第五實施態樣的EDI20。將來自連接於第2逆滲透膜裝置之第1段的電氣再生式去離子裝置32之濃縮水，供給至鹵水槽12，而將來自第2段以後的電氣再生式去離子裝置34之濃縮水，供給至第2逆滲透膜裝置16與第1段的電氣再生式去離子裝置32之間。
藉由使EDI為複數段，可更有效率地製造純水。此時，因第2段以後的電氣再生式去離子裝置的濃縮水的雜質濃度，較第1段的EDI的給水的雜質濃度為低，故不必供給至鹵水槽。
又，上述之本發明的實施態樣僅為例示，本發明不限於上述態樣。
[實施例]
以下，使用實施例更詳細說明本發明，但本發明不限於以下實施例。
作為實施例及比較例中所使用的被處理水，係使用具以下條件者。
對於被處理水20m3
/h，鈉為20ppm，鈣為20ppm，碳酸氫離子為30ppmCaCO3
，離子狀二氧化矽為10ppm，硼為50ppb，尿素為20ppb，且運轉約50h。
又，作為純水製造裝置，使用具有以下逆滲透膜裝置及EDI者，運轉時的pH如下。
第1逆滲透膜裝置：逆滲透膜(商品名：CPA5-LD、Hydranautics公司製)、回收率80%、pH=8.0。
第2逆滲透膜裝置：逆滲透膜(商品名：SW30HRLE-440、陶氏化學公司製)、回收率90%、pH=8.5。
第3逆滲透膜裝置：逆滲透膜(商品名：SWC5-LD、Hydranautics公司製)、回收率75%、pH=6。
電氣再生式去離子裝置：(商品名：EDI-XP、奧璐佳瑙公司製)、回收率90%。又，運轉電流值係設為5A。
[比較例1]
使用圖7所示之純水製造裝置進行運轉，針對被處理水槽的水、及來自第2逆滲透膜裝置的透過水，測定硼及尿素的濃度。結果示於表1。
[表1]
| 被處理水槽 | 來自第2逆滲透膜裝置的透過水 | |
| 硼(ppb) | 65.9 | 8.1 |
| 尿素(ppb) | 29.3 | 12.1 |
[實施例1]
使用圖1所示之本發明的第一實施形態的純水製造裝置進行運轉，針對被處理水槽的水、及來自第2逆滲透膜裝置的透過水，測定硼及尿素的濃度。結果示於表2。
[表2]
| 被處理水槽 | 來自第2逆滲透膜裝置的透過水 | |
| 硼(ppb) | 44.8 | 5.5 |
| 尿素(ppb) | 20.0 | 8.1 |
比較例1中，因使硼濃度和尿素濃度為高之來自第2逆滲透膜裝置的濃縮水及來自EDI的濃縮水返回至被處理水並回收，故被處理水槽內的雜質濃度上升，伴隨與此，來自第2逆滲透膜裝置的透過水的雜質濃度亦上升。
另一方面，實施例1中，將來自第2逆滲透膜裝置的濃縮水及來自EDI的濃縮水供給至鹵水槽，而第3逆滲透膜裝置的透過水係被供給至被處理水槽。藉此，可抑制被處理水槽內的雜質濃度的上升，而提升水質。
[實施例2～5、比較例2]
使用圖1、4～6所示之本發明的純水製造裝置(實施例2～5)及圖7所示之純水製造裝置(比較例2)以製造純水，並對於最後所得之處理水22(純水)的水質進行評價。
結果，於實施例2～5、比較例2中，比電阻皆超過18MΩ・cm。
又，於實施例2～5中任一硼濃度皆小於50ppt，相對於此，於比較例2中，硼濃度超過50ppt。
於實施例2～5中任一尿素濃度皆小於10ppb，相對於此，於比較例2中，尿素濃度超過12ppb。
8:被處理水
10:被處理水槽
12:鹵水槽
14:第1逆滲透膜裝置
15:來自第1逆滲透膜裝置的透過水
16:第2逆滲透膜裝置
17:來自第2逆滲透膜裝置的透過水
18:第3逆滲透膜裝置
19:來自第1逆滲透膜裝置的濃縮水
20:電氣再生式去離子裝置(EDI)
21:來自第2逆滲透膜裝置的濃縮水
22:處理水
23:來自第3逆滲透膜裝置的透過水
24:來自電氣再生式去離子裝置的濃縮水
26:濃縮水
28:pH調整裝置
30:脫碳酸裝置
32:第1段的EDI
34:第2段的EDI
[圖1]本發明的一實施形態之純水製造裝置的構成概略圖。
[圖2]本發明的其他實施形態之純水製造裝置的構成概略圖。
[圖3]本發明的另一實施形態之純水製造裝置的構成概略圖。
[圖4]本發明的又另一實施形態之純水製造裝置的構成概略圖。
[圖5]本發明的其他實施形態之純水製造裝置的構成概略圖。
[圖6]本發明的另一實施形態之純水製造裝置的構成概略圖。
[圖7]比較例所使用之純水製造裝置的構成概略圖。
Claims (10)
- 一種純水製造裝置，包含： 第1逆滲透膜裝置，接受供給被處理水； 第2逆滲透膜裝置，接受供給來自該第1逆滲透膜裝置的透過水； 電氣再生式去離子裝置，接受供給來自該第2逆滲透膜裝置的透過水； 鹵水槽，接受供給來自該第1逆滲透膜裝置的濃縮水；及 第3逆滲透膜裝置，連接於該鹵水槽； 其中，該第2逆滲透膜裝置係高壓型逆滲透膜裝置， 從由來自該第2逆滲透膜裝置的濃縮水和來自該電氣再生式去離子裝置的濃縮水所成的群組中選擇之至少1種的濃縮水，被供給至該鹵水槽， 且來自該第3逆滲透膜裝置的透過水，被供給至該被處理水。
- 如請求項1之純水製造裝置，其中， 該第3逆滲透膜裝置係高壓型逆滲透膜裝置。
- 如請求項1或2之純水製造裝置，其中， 於該第3逆滲透膜裝置的上游，更包含pH調整裝置。
- 如請求項1或2之純水製造裝置，其中， 於該第1逆滲透膜裝置的上游設有脫碳酸裝置，該被處理水及來自該第3逆滲透膜裝置的透過水被供給至該脫碳酸裝置。
- 如請求項1或2之純水製造裝置，其中， 該電氣再生式去離子裝置係由串聯連接之複數段的電氣再生式去離子裝置所構成，來自直接連接於該第2逆滲透膜裝置之第1段的電氣再生式去離子裝置的濃縮水被供給至該鹵水槽，來自第2段以後的電氣再生式去離子裝置的濃縮水被供給至該第2逆滲透膜裝置與該第1段的電氣再生式去離子裝置之間。
- 一種純水之製造方法，包含下述步驟： (a)將被處理水供給至第1逆滲透膜裝置； (b)將來自該第1逆滲透膜裝置的透過水供給至第2逆滲透膜裝置； (c)將來自該第2逆滲透膜裝置的透過水供給至電氣再生式去離子裝置； (d)將來自該第1逆滲透膜裝置的濃縮水供給至鹵水槽； (e)將從由來自該第2逆滲透膜裝置的濃縮水和來自該電氣再生式去離子裝置的濃縮水所成的群組中選擇之至少1種的濃縮水，供給至該鹵水槽； (f)將該鹵水槽的濃縮水供給至第3逆滲透膜裝置； (g)將來自該第3逆滲透膜裝置的透過水供給至該被處理水；及 (h)將來自該電氣再生式去離子裝置的處理水取出作為純水； 其中，該第2逆滲透膜裝置係高壓型逆滲透膜裝置。
- 如請求項6之純水之製造方法， 該第2逆滲透膜裝置和該第3逆滲透膜裝置中之至少一者，係高壓型逆滲透膜裝置。
- 如請求項6或7之純水之製造方法，更包含下述步驟： 於該第3逆滲透膜裝置的上游，調整pH。
- 如請求項6或7之純水之製造方法，更包含下述步驟： 對設於該第1逆滲透膜裝置的上游之脫碳酸裝置，供給該被處理水及來自該第3逆滲透膜裝置的透過水。
- 如請求項6或7之純水之製造方法，更包含下述步驟： 該電氣再生式去離子裝置係由串聯連接之複數段的電氣再生式去離子裝置所構成，將來自直接連接於該第2逆滲透膜裝置之第1段的電氣再生式去離子裝置的濃縮水供給至該鹵水槽，將來自第2段以後的電氣再生式去離子裝置的濃縮水，供給至該第2逆滲透膜裝置與該第1段的電氣再生式去離子裝置之間。
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