TWI826059B

TWI826059B - 顯示裝置

Info

Publication number: TWI826059B
Application number: TW111139822A
Authority: TW
Inventors: 徐嘉均; Yu-Ping Kuo; 鄭孝威
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2022-10-20
Filing date: 2022-10-20
Publication date: 2023-12-11

Abstract

一種顯示裝置包括陣列基板、液晶層、密封層、畫素黑色矩陣/彩色濾光結構、圖案黑色矩陣、透明電極層與下偏光片。陣列基板包括畫素區與邊緣線路區。密封層緊鄰液晶層的邊緣。與密封層重疊的區域定義為顯示裝置的第二區域。畫素黑色矩陣/彩色濾光結構位於液晶層上且與畫素區重疊。圖案黑色矩陣位於液晶層與密封層上。液晶層的一部分延伸至圖案黑色矩陣的底面且與該部分重疊的區域定義為顯示裝置的第三區域。下偏光片位於畫素區的底面。與下偏光片重疊的區域定義為顯示裝置的第五區域。第二區域、第三區域與第五區域任兩者之間的光穿透率差異在±10%的範圍中。

Description

顯示裝置

本揭露是有關一種顯示裝置，且特別是一種沉浸式顯示裝置。

一般而言，用於車載的顯示裝置(例如儀錶板)可具有顯示區與情境燈區，顯示區可顯示動態與可更換的畫面，而情境燈區可顯示彩色氣氛燈、情境燈等。為了避免製程中高溫偏光片收縮問題，通常在液晶上下側的偏光片尺寸會大於液晶層，而產生偏光片的邊緣與液晶層的邊緣之間的外圍扇出(Fan-out)區。顯示裝置的外圍扇出(Fan-out)區可能為液晶排列散亂區、電路區、框膠區…等，非常容易造成漏光問題。因此，通常會採黑色矩陣(Black Matrix，BM)作為遮蔽用的框。

然而，上述的配置會導致顯示區與情境燈區之間存在明顯的交界區，且此交界區與黑色矩陣位置對應。也就是說，顯示裝置的顯示區與情境燈區會被黑色矩陣隔開。如此一來，顯示裝置會因黑色矩陣產生邊緣暗線的問題，使畫面的連貫性不佳。

本揭露之一技術態樣為一種顯示裝置。

根據本揭露之一些實施方式，一種顯示裝置包括陣列基板、液晶層、密封層、畫素黑色矩陣/彩色濾光結構、圖案黑色矩陣、透明電極層與下偏光片。陣列基板包括畫素區與邊緣線路區。液晶層位於陣列基板上。密封層緊鄰液晶層的邊緣，其中與密封層重疊的區域定義為顯示裝置的第二區域。畫素黑色矩陣/彩色濾光結構位於液晶層上且與畫素區重疊。圖案黑色矩陣位於液晶層與密封層上，且緊鄰畫素黑色矩陣/彩色濾光結構的邊緣。液晶層的一部分延伸至圖案黑色矩陣的底面。與液晶層的該部分重疊的區域定義為顯示裝置的第三區域。透明電極層位於畫素黑色矩陣/彩色濾光結構與圖案黑色矩陣上。下偏光片位於陣列基板的畫素區的底面。與下偏光片重疊的區域定義為顯示裝置的第五區域，且第二區域、第三區域與第五區域任兩者之間的光穿透率差異在±10%的範圍中。

在一些實施方式中，上述顯示裝置更包括上偏光片。上偏光片位於透明電極層上。

在一些實施方式中，上述顯示裝置的第二區域的光穿透率T%= Array% x Seal% x AR2 x PF% x BS-ITO%，Array%為陣列基板的邊緣線路區的光穿透率，Seal%為密封層的光穿透率，AR2為圖案黑色矩陣在第二區域中的開口率，PF%為上偏光片的光穿透率，BS-ITO%為透明電極層的光穿透率。

在一些實施方式中，上述顯示裝置的第三區域的光穿透率T%= Array% x AR3 x PI% x PF% x BS-ITO%，Array%為陣列基板在第三區域中的光穿透率，AR3為圖案黑色矩陣在第三區域中的開口率，PI%為液晶層的配向膜的光穿透率，PF%為上偏光片的光穿透率，BS-ITO%為透明電極層的光穿透率。

在一些實施方式中，上述顯示裝置更包括增亮膜。增亮膜位於下偏光片的底面。

在一些實施方式中，上述顯示裝置的第五區域的光穿透率T%= Array% x AR4 x CF-Y x PI% x BS-ITO% x LC% x DBEF-gain，Array%為陣列基板的畫素區的光穿透率，AR4為畫素黑色矩陣/彩色濾光結構的黑色矩陣的開口率，CF-Y為畫素黑色矩陣/彩色濾光結構的彩色光阻的光穿透率，PI%為液晶層的配向膜的光穿透率，BS-ITO%為透明電極層的光穿透率，LC%為液晶層的液晶驅動後與上偏光片及下偏光片之整體的光穿透率，DBEF-gain為增亮膜的增益。

在一些實施方式中，上述陣列基板的畫素區有一部分未與下偏光片重疊而露出，與畫素區的該部分重疊的區域定義為顯示裝置的第四區域。第四區域的光穿透率T%= Array% x AR4 x CF-Y x PI% x PF% x BS-ITO%，Array%為陣列基板的畫素區的光穿透率，AR4為畫素黑色矩陣/彩色濾光結構的黑色矩陣的開口率，CF-Y為畫素黑色矩陣/彩色濾光結構的彩色光阻的光穿透率，PI%為液晶層的配向膜的光穿透率，PF%為上偏光片的光穿透率，BS-ITO%為透明電極層的光穿透率，且第四區域與第二區域、第三區域與第五區域任一者之間的光穿透率差異在±10%的範圍中。

在一些實施方式中，上述顯示裝置更包括蓋板。蓋板位於上偏光片上，且具有黑化區。與黑化區重疊的區域定義為顯示裝置的第一區域，且第一區域的光穿透率T%= Smoke%，Smoke%為黑化區的光穿透率，第一區域的光穿透率與第二區域、第三區域與第五區域任一者之間的光穿透率差異在±10%的範圍中。

在一些實施方式中，上述顯示裝置具有相鄰的情境沉浸區與顯示區。顯示裝置的第五區域從情境沉浸區延伸至顯示區中，使第五區域的一部分與顯示區重疊。

在一些實施方式中，上述陣列基板更包括發光晶粒區。發光晶粒區位於第三區域中，且位於畫素區與邊緣線路區之間。

在本揭露上述實施方式中，由於顯示裝置的液晶層的一部分延伸至圖案黑色矩陣的底面，且顯示裝置與密封層重疊的第二區域、與液晶層的該部分重疊的第三區域及與下偏光片重疊的第五區域任兩者之間的光穿透率差異在±10%的範圍中，因此可解決過去黑色矩陣將顯示裝置的顯示區與情境沉浸區隔開的問題。藉由顯示裝置的分區與光穿透率的設計，避免顯示裝置的顯示區與情境沉浸區之間存在明顯的交界區，使得顯示裝置無邊緣暗線的問題，可有效提升畫面的連貫性，有益於使用者的視覺感受。

以下揭示之實施方式內容提供了用於實施所提供的標的之不同特徵的許多不同實施方式，或實例。下文描述了元件和佈置之特定實例以簡化本案。當然，該等實例僅為實例且並不意欲作為限制。此外，本案可在各個實例中重複元件符號及/或字母。此重複係用於簡便和清晰的目的，且其本身不指定所論述的各個實施方式及/或配置之間的關係。

諸如「在……下方」、「在……之下」、「下部」、「在……之上」、「上部」等等空間相對術語可在本文中為了便於描述之目的而使用，以描述如附圖中所示之一個元件或特徵與另一元件或特徵之關係。空間相對術語意欲涵蓋除了附圖中所示的定向之外的在使用或操作中的裝置的不同定向。裝置可經其他方式定向(旋轉90度或以其他定向)並且本文所使用的空間相對描述詞可同樣相應地解釋。

第1圖繪示根據本揭露一實施方式之顯示裝置100的前視圖。第2圖繪示第1圖之顯示裝置100沿線段2-2的剖面圖。同時參閱第1圖與第2圖，顯示裝置100具有相鄰的顯示區102與情境沉浸區104。在一些實施方式中，顯示裝置100可應用於車用儀表板，但並不用以限制本揭露。顯示裝置100的顯示區102可顯示動態與可更換的畫面，例如不同的時速表與轉速表畫面；而顯示裝置100的情境沉浸區104可作為情境燈區，配置以顯示彩色氣氛燈、情境燈等功能。在本實施方式中，顯示裝置100從情境沉浸區104外緣至顯示區102中可依序分區為第一區域Z1、第二區域Z2、第三區域Z3、第四區域Z4、第五區域Z5與第六區域Z6。在以下敘述中，將說明上述區域的定義與顯示裝置100在上述區域的結構配置與光穿透率設計。

在本實施方式中，顯示裝置100包括陣列基板110、液晶層120、密封層130、畫素黑色矩陣/彩色濾光結構140、圖案黑色矩陣150、透明電極層160、下偏光片170a、上偏光片170b、增亮膜180與具有黑化區192的蓋板190。在垂直方向上，與黑化區192重疊的區域定義為顯示裝置100的第一區域Z1；與密封層130重疊的區域定義為顯示裝置100的第二區域Z2；液晶層120的一部分121延伸至圖案黑色矩陣150的底面，與液晶層120的上述部分121重疊的區域定義為顯示裝置100的第三區域Z3；陣列基板110的畫素區112有一部分113未與下偏光片170a重疊而露出，與畫素區112的上述部分113重疊的區域定義為顯示裝置100的第四區域Z4；與下偏光片170a重疊的區域定義為顯示裝置100的第五區域Z5。此外，第五區域Z5從情境沉浸區104延伸至顯示區102中，而具有一部分與顯示區102重疊，為了清楚說明，第五區域Z5其與顯示區102重疊的該部分在第2圖至第9圖標示為第六區域Z6。

陣列基板110包括畫素區112與邊緣線路區114。畫素區112可具有薄膜電晶體陣列與畫素電極。邊緣線路區114可具有顯示裝置100的外圍扇出(Fan-out)金屬電路。液晶層120位於陣列基板110上。液晶層120可包括兩配向膜122及在兩配向膜122之間的液晶124。密封層130緊鄰液晶層120的邊緣，配置以圍繞液晶124。畫素黑色矩陣/彩色濾光結構140位於液晶層120上且與畫素區112重疊。圖案黑色矩陣150位於液晶層120與密封層130上，且緊鄰畫素黑色矩陣/彩色濾光結構140的邊緣。透明電極層160位於畫素黑色矩陣/彩色濾光結構140與圖案黑色矩陣150上。下偏光片170a位於陣列基板110的畫素區112的底面。顯示裝置100的第二區域Z2、第三區域Z3與第五區域Z5任兩者之間的光穿透率差異在±10%的範圍中。其中，第五區域Z5及其第六區域Z6是從情境沉浸區104跨越到顯示區102中。

由於顯示裝置100的液晶層120的一部分121延伸至圖案黑色矩陣150的底面，且顯示裝置100與密封層130重疊的第二區域Z2、與液晶層120的部分121重疊的第三區域Z3及與下偏光片170a重疊的第五區域Z5任兩者之間的光穿透率差異在±10%的範圍中，因此可解決過去黑色矩陣將顯示裝置的顯示區與情境沉浸區隔開的問題。藉由顯示裝置100的分區與光穿透率的設計，避免顯示裝置100的顯示區102與情境沉浸區104之間存在明顯的交界區，使得顯示裝置100無邊緣暗線的問題，可有效提升畫面的連貫性，有益於使用者的視覺感受。

在一些實施方式中，顯示裝置100的第四區域Z4可為下偏光片170a的貼合公差d所產生，貼合公差d可在0至1 mm的範圍中，例如0.3 mm。

此外，上偏光片170b位於透明電極層160上。透明電極層160可作為靜電屏蔽層(Shielding layer)。蓋板190位於上偏光片170b上。增亮膜180位於下偏光片170a的底面。在一些實施方式中，陣列基板110更包括發光晶粒區116。發光晶粒區116位於第三區域Z3中，且位於畫素區112與邊緣線路區114之間。發光晶粒區116可包括發光二極體(LED)光源，但並不以發光二極體為限。畫素黑色矩陣/彩色濾光結構140包括黑色矩陣142與彩色光阻144，彩色光阻144位於黑色矩陣142的開口中。彩色光阻144可包括紅色、綠色、藍色的光阻，黑色矩陣142及圖案黑色矩陣150可為黑色的光阻，但並不用以限制本揭露。

在本實施方式中，顯示裝置100的第一區域Z1的光穿透率T%= Smoke%，其中Smoke%為蓋板190的黑化區192的光穿透率，第一區域Z1的光穿透率與第二區域Z2、第三區域Z3與第五區域Z5任一者之間的光穿透率差異在±10%的範圍中。

顯示裝置100的第二區域Z2的光穿透率T%= Array% x Seal% x AR2 x PF% x BS-ITO%，其中Array%為陣列基板110的邊緣線路區114的光穿透率，Seal%為密封層130的光穿透率，AR2為圖案黑色矩陣150在第二區域Z2中的開口率，PF%為上偏光片170b的光穿透率，BS-ITO%為透明電極層160的光穿透率。由於第三區域Z3與第四區域Z4的液晶層120的液晶124的光穿透率約為1，因此後續第三區域Z3與第四區域Z4的光穿透率可不考慮液晶124的光穿透率。顯示裝置100的第三區域Z3的光穿透率T%= Array% x AR3 x PI% x PF% x BS-ITO%，其中Array%為陣列基板110在第三區域Z3(即發光晶粒區116)中的光穿透率，AR3為圖案黑色矩陣150在第三區域Z3中的開口率，PI%為液晶層120的配向膜122的光穿透率，PF%為上偏光片170b的光穿透率，BS-ITO%為透明電極層160的光穿透率。經由以上第一區域Z1、第二區域Z2與第三區域Z3的配置，可藉由Smoke% = Array% x Seal% x AR2 x PF% x BS-ITO%的設計，讓顯示裝置100的第一區域Z1與第二區域Z2的光穿透率近似，還可藉由Seal% x AR2 = AR3 x PI%的設計，讓顯示裝置100的第二區域Z2與第三區域Z3的光穿透率近似，使畫面的連貫性提升，有益於使用者的視覺感受。

此外，顯示裝置100的第四區域Z4的光穿透率T%= Array% x AR4 x CF-Y x PI% x PF% x BS-ITO%，Array%為陣列基板110的畫素區112的光穿透率，AR4為畫素黑色矩陣/彩色濾光結構140的黑色矩陣142的開口率，CF-Y為畫素黑色矩陣/彩色濾光結構140的彩色光阻144的光穿透率，PI%為液晶層120的配向膜122的光穿透率，PF%為上偏光片170b的光穿透率，BS-ITO%為透明電極層160的光穿透率。經由以上第三區域Z3與第四區域Z4的配置，可藉由AR3 = AR4 x CF-Y的設計，讓顯示裝置100的第三區域Z3與第四區域Z4的光穿透率近似，使畫面的連貫性提升，有益於使用者的視覺感受。在本實施方式中，第四區域Z4與第二區域Z2、第三區域Z3與第五區域Z5任一者之間的光穿透率差異在±10%的範圍中。

顯示裝置100的第五區域Z5(包括第六區域Z6)的光穿透率T%= Array% x AR4 x CF-Y x PI% x BS-ITO% x LC% x DBEF-gain，Array%為陣列基板110的畫素區112的光穿透率，AR4為畫素黑色矩陣/彩色濾光結構140的黑色矩陣142的開口率，CF-Y為畫素黑色矩陣/彩色濾光結構140的彩色光阻144的光穿透率，PI%為液晶層120的配向膜122的光穿透率，BS-ITO%為透明電極層160的光穿透率，LC%為液晶層120的液晶124驅動後與上偏光片170b及下偏光片170a之整體的光穿透率，DBEF-gain為增亮膜180的增益。經由以上第四區域Z4與第五區域Z5的配置，可藉由PF% = LC% x DBEF-gain的設計，讓顯示裝置100的第四區域Z4與第五區域Z5的光穿透率近似，使畫面的連貫性提升，有益於使用者的視覺感受。

如此一來，可實現顯示裝置100從情境沉浸區104到顯示區102的所有區域(即第一區域Z1至第六區域Z6)皆具有相似的光穿透率，大幅提升畫面的連貫性與使用者的視覺感受，有益於提升產品競爭力。

應瞭解到，已敘述過的元件連接關係、材料與功效將不再重複贅述，合先敘明。在以下敘述中，將說明其他型式的顯示裝置。

第3圖繪示根據本揭露另一實施方式之顯示裝置100a的剖面圖，其剖面位置與第2圖相同。顯示裝置100a包括陣列基板110、液晶層120、密封層130、畫素黑色矩陣/彩色濾光結構140、圖案黑色矩陣150、透明電極層160、下偏光片170c、上偏光片170b、增亮膜180a與具有黑化區192的蓋板190。本實施方式與第2圖實施方式不同的地方在於，顯示裝置100a無第2圖的第四區域Z4，也就是顯示裝置100a的下偏光片170c無第2圖的貼合公差d。在本實施方式中，下偏光片170c與增亮膜180a延伸至陣列基板110的畫素區112的邊緣。

顯示裝置100a的第一區域Z1、第二區域Z2、第三區域Z3與第五區域Z5(包括第六區域Z6)的光穿透率設計如前第2圖的實施例所述，不重覆贅述。在本實施方式中，經由以上第三區域Z3與第五區域Z5的配置，可藉由AR3 x PF% = AR4 x CF-Y x LC% x DBEF-gain的設計，讓顯示裝置100a的第三區域Z3與第五區域Z5的光穿透率近似，使畫面的連貫性提升，有益於使用者的視覺感受。

第4圖繪示根據本揭露另一實施方式之顯示裝置100b的剖面圖，其剖面位置與第2圖相同。顯示裝置100b包括陣列基板110、液晶層120、密封層130、畫素黑色矩陣/彩色濾光結構140、圖案黑色矩陣150、透明電極層160、下偏光片170a、上偏光片170b、增亮膜180與具有黑化區192的蓋板190。本實施方式與第2圖實施方式不同的地方在於，顯示裝置100b的陣列基板110無第2圖的發光晶粒區116而具有相鄰的畫素區112與邊緣線路區114a。在本實施方式中，邊緣線路區114a延伸至液晶層120下方。

顯示裝置100b的第一區域Z1、第二區域Z2、第三區域Z3與第五區域Z5(包括第六區域Z6)的光穿透率設計如前第2圖的實施例所述，不重覆贅述。

第5圖繪示根據本揭露另一實施方式之顯示裝置100c的剖面圖，其剖面位置與第2圖相同。顯示裝置100c包括陣列基板110、液晶層120、密封層130、畫素黑色矩陣/彩色濾光結構140、圖案黑色矩陣150、透明電極層160、下偏光片170a、上偏光片170b與增亮膜180。本實施方式與第2圖實施方式不同的地方在於，顯示裝置100c無蓋板190及其黑化區192，因此顯示裝置100c不具有與黑化區192重疊的第一區域Z1。

顯示裝置100c的第二區域Z2、第三區域Z3、第四區域Z4與第五區域Z5(包括第六區域Z6)的光穿透率設計如前第2圖的實施例所述，不重覆贅述。

第6圖繪示根據本揭露另一實施方式之顯示裝置100d的剖面圖，其剖面位置與第2圖相同。顯示裝置100d包括陣列基板110、液晶層120、密封層130、畫素黑色矩陣/彩色濾光結構140、圖案黑色矩陣150、透明電極層160、下偏光片170c、上偏光片170b、增亮膜180a與具有黑化區192的蓋板190。本實施方式與第3圖實施方式不同的地方在於，顯示裝置100d的陣列基板110無第3圖的發光晶粒區116而具有相鄰的畫素區112與邊緣線路區114a。在本實施方式中，邊緣線路區114a延伸至液晶層120下方。

顯示裝置100d的第一區域Z1、第二區域Z2、第三區域Z3與第五區域Z5(包括第六區域Z6)的光穿透率設計如前第3圖的實施例所述，不重覆贅述。

第7圖繪示根據本揭露另一實施方式之顯示裝置100e的剖面圖，其剖面位置與第2圖相同。顯示裝置100e包括陣列基板110、液晶層120、密封層130、畫素黑色矩陣/彩色濾光結構140、圖案黑色矩陣150、透明電極層160、下偏光片170c、上偏光片170b與增亮膜180a。本實施方式與第3圖實施方式不同的地方在於，顯示裝置100e無蓋板190及其黑化區192，因此顯示裝置100e不具有與黑化區192重疊的第一區域Z1。

顯示裝置100e的第二區域Z2、第三區域Z3與第五區域Z5(包括第六區域Z6)的光穿透率設計如前第3圖的實施例所述，不重覆贅述。

第8圖繪示根據本揭露另一實施方式之顯示裝置100f的剖面圖，其剖面位置與第2圖相同。顯示裝置100f包括陣列基板110、液晶層120、密封層130、畫素黑色矩陣/彩色濾光結構140、圖案黑色矩陣150、透明電極層160、下偏光片170a、上偏光片170b、增亮膜180與具有黑化區192的蓋板190。本實施方式與第4圖實施方式不同的地方在於，顯示裝置100f無蓋板190及其黑化區192，因此顯示裝置100f不具有與黑化區192重疊的第一區域Z1。

顯示裝置100f的第二區域Z2、第三區域Z3、第四區域Z4與第五區域Z5(包括第六區域Z6)的光穿透率設計如前第4圖的實施例所述，不重覆贅述。

第9圖繪示根據本揭露另一實施方式之顯示裝置100g的剖面圖，其剖面位置與第2圖相同。顯示裝置100g包括陣列基板110、液晶層120、密封層130、畫素黑色矩陣/彩色濾光結構140、圖案黑色矩陣150、透明電極層160、下偏光片170c、上偏光片170b與增亮膜180a。本實施方式與第7圖實施方式不同的地方在於，顯示裝置100g的陣列基板110無第7圖的發光晶粒區116而具有相鄰的畫素區112與邊緣線路區114a。在本實施方式中，邊緣線路區114a延伸至液晶層120下方。

顯示裝置100g的第二區域Z2、第三區域Z3與第五區域Z5(包括第六區域Z6)的光穿透率設計如前第7圖的實施例所述，不重覆贅述。

在第2圖至第9圖的實施方式中，下偏光片170a、170c與增亮膜180、180a下方可設置背光模組，陣列基板110的邊緣線路區114、114a下方可設置燈板(例如LED燈板)，圖案黑色矩陣150的開口中可填入彩色光阻，依設計需求而定。此外，陣列基板110的畫素區112可採用TGP技術(Tracking Gate line in Pixel)讓閘極線與源極線能拉至顯示區102的同一側電連接積體電路(IC)，以實現窄邊框設計。

前述概述了幾個實施方式的特徵，使得本領域技術人員可以更好地理解本揭露的態樣。本領域技術人員應當理解，他們可以容易地將本揭露用作設計或修改其他過程和結構的基礎，以實現與本文介紹的實施方式相同的目的和/或實現相同的優點。本領域技術人員還應該認識到，這樣的等效構造不脫離本揭露的精神和範圍，並且在不脫離本揭露的精神和範圍的情況下，它們可以在這裡進行各種改變，替換和變更。

100,100a~100g:顯示裝置

102:顯示區

104:情境沉浸區

110:陣列基板

112:畫素區 113:部分 114,114a:邊緣線路區 116:發光晶粒區 120:液晶層 121:部分 122:配向膜 124:液晶 130:密封層 140:畫素黑色矩陣/彩色濾光結構 142:黑色矩陣 144:彩色光阻 150:圖案黑色矩陣 160:透明電極層 170a,170c:下偏光片 170b:上偏光片 180,180a:增亮膜 190:蓋板 192:黑化區 2-2:線段 d:貼合公差 Z1:第一區域 Z2:第二區域 Z3:第三區域 Z4:第四區域 Z5:第五區域 Z6:第六區域

當與隨附圖示一起閱讀時，可由後文實施方式最佳地理解本揭露內容的態樣。注意到根據此行業中之標準實務，各種特徵並未按比例繪製。實際上，為論述的清楚性，可任意增加或減少各種特徵的尺寸。第1圖繪示根據本揭露一實施方式之顯示裝置的前視圖。第2圖繪示第1圖之顯示裝置沿線段2-2的剖面圖。第3圖繪示根據本揭露另一實施方式之顯示裝置的剖面圖，其剖面位置與第2圖相同。第4圖繪示根據本揭露另一實施方式之顯示裝置的剖面圖，其剖面位置與第2圖相同。第5圖繪示根據本揭露另一實施方式之顯示裝置的剖面圖，其剖面位置與第2圖相同。第6圖繪示根據本揭露另一實施方式之顯示裝置的剖面圖，其剖面位置與第2圖相同。第7圖繪示根據本揭露另一實施方式之顯示裝置的剖面圖，其剖面位置與第2圖相同。第8圖繪示根據本揭露另一實施方式之顯示裝置的剖面圖，其剖面位置與第2圖相同。第9圖繪示根據本揭露另一實施方式之顯示裝置的剖面圖，其剖面位置與第2圖相同。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

100:顯示裝置

102:顯示區

104:情境沉浸區

110:陣列基板

112:畫素區

113:部分

114:邊緣線路區

116:發光晶粒區

120:液晶層

121:部分

122:配向膜

124:液晶

130:密封層

140:畫素黑色矩陣/彩色濾光結構

142:黑色矩陣

144:彩色光阻

150:圖案黑色矩陣

160:透明電極層

170a:下偏光片

170b:上偏光片

180:增亮膜

190:蓋板

192:黑化區

d:貼合公差

Z1:第一區域

Z2:第二區域

Z3:第三區域

Z4:第四區域

Z5:第五區域

Z6:第六區域

Claims

一種顯示裝置，包括：一陣列基板，包括一畫素區與一邊緣線路區；一液晶層，位於該陣列基板上；一密封層，緊鄰該液晶層的邊緣，其中與該密封層重疊的區域定義為該顯示裝置的一第二區域；一畫素黑色矩陣/彩色濾光結構，位於該液晶層上且與該畫素區重疊；一圖案黑色矩陣，位於該液晶層與該密封層上，且緊鄰該畫素黑色矩陣/彩色濾光結構的邊緣，其中該液晶層的一部分延伸至該圖案黑色矩陣的底面，且與該液晶層的該部分重疊的區域定義為該顯示裝置的一第三區域；一透明電極層，位於該畫素黑色矩陣/彩色濾光結構與該圖案黑色矩陣上；以及一下偏光片，位於該陣列基板的該畫素區的底面，其中與該下偏光片重疊的區域定義為該顯示裝置的一第五區域，且該第二區域、該第三區域與該第五區域任兩者之間的光穿透率差異在±10%的範圍中。
如請求項1所述之顯示裝置，更包括：一上偏光片，位於該透明電極層上。
如請求項2所述之顯示裝置，其中該顯示裝置的該第二區域的光穿透率T%= Array% x Seal% x AR2 x PF% x BS-ITO%，Array%為該陣列基板的該邊緣線路區的光穿透率，Seal%為該密封層的光穿透率，AR2為該圖案黑色矩陣在該第二區域中的開口率，PF%為該上偏光片的光穿透率，BS-ITO%為該透明電極層的光穿透率。
如請求項2所述之顯示裝置，其中該顯示裝置的該第三區域的光穿透率T%= Array% x AR3 x PI% x PF% x BS-ITO%，Array%為該陣列基板在該第三區域中的光穿透率，AR3為該圖案黑色矩陣在該第三區域中的開口率，PI%為該液晶層的配向膜的光穿透率，PF%為該上偏光片的光穿透率，BS-ITO%為該透明電極層的光穿透率。
如請求項2所述之顯示裝置，更包括：一增亮膜，位於該下偏光片的底面。
如請求項5所述之顯示裝置，其中該顯示裝置的該第五區域的光穿透率T%= Array% x AR4 x CF-Y x PI% x BS-ITO% x LC% x DBEF-gain，Array%為該陣列基板的該畫素區的光穿透率，AR4為該畫素黑色矩陣/彩色濾光結構的黑色矩陣的開口率，CF-Y為該畫素黑色矩陣/彩色濾光結構的彩色光的阻光穿透率，PI%為該液晶層的配向膜的光穿透率，BS-ITO%為該透明電極層的光穿透率，LC%為該液晶層的液晶驅動後與該上偏光片及該下偏光片之整體的光穿透率，DBEF-gain為該增亮膜的增益。
如請求項2所述之顯示裝置，其中該陣列基板的該畫素區有一部分未與該下偏光片重疊而露出，與該畫素區的該部分重疊的區域定義為該顯示裝置的一第四區域，該第四區域的光穿透率T%= Array% x AR4 x CF-Y x PI% x PF% x BS-ITO%，Array%為該陣列基板的該畫素區的光穿透率，AR4為該畫素黑色矩陣/彩色濾光結構的黑色矩陣的開口率，CF-Y為該畫素黑色矩陣/彩色濾光結構的彩色光阻的光穿透率，PI%為該液晶層的配向膜的光穿透率，PF%為該上偏光片的光穿透率，BS-ITO%為該透明電極層的光穿透率，且該第四區域與該第二區域、該第三區域與該第五區域任一者之間的光穿透率差異在±10%的範圍中。
如請求項2所述之顯示裝置，更包括：一蓋板，位於該上偏光片上，且具有一黑化區，其中與該黑化區重疊的區域定義為該顯示裝置的一第一區域，且該第一區域的光穿透率T%= Smoke%，Smoke%為該黑化區的光穿透率，該第一區域的光穿透率與該第二區域、該第三區域與該第五區域任一者之間的光穿透率差異在±10%的範圍中。
如請求項1所述之顯示裝置，具有相鄰的一情境沉浸區與一顯示區，其中該顯示裝置的該第五區域從該情境沉浸區延伸至該顯示區中，使該第五區域的一部分與該顯示區重疊。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該陣列基板更包括一發光晶粒區，且該發光晶粒區位於該第三區域中，且位於該畫素區與該邊緣線路區之間。