TWI820913B - 反射結構及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明實施例提供一種反射結構。該反射結構位於半導體結構之反射區域。反射結構包含金屬基底及介電層。金屬基底具有第一表面。介電層在第一表面上，介電層包括在第一表面上的第一介電膜、在第一介電膜上的第二介電膜及在第二介電膜上的第三介電膜。其中第一介電膜之折射率小於第二介電膜之折射率，且第二介電膜之折射率小於第三介電膜之折射率，且反射區域位於介電層之兩側的邊緣部分之間。本發明實施例並提供反射結構之製造方法。

Description

反射結構及其製造方法
本發明實施例係有關一種半導體結構且更特定言之係有關一種具有擁有上升折射率之一反射結構之半導體結構。
有機發光二極體(OLED)所製成的顯示器具有輕薄、可撓曲、省電、易攜性、高亮度、無視角限制及反應速度快等優點，為顯示器開發的的重要趨勢。一般而言，有機發光二極體的顯示技術由有機材料塗層和玻璃基板或CMOS基板構成，當有電荷通過時，這些有機材料層就會發光，其發光的顏色可取決於有機發光層的材料。
本發明的一實施例係關於一種反射結構，其包括：一金屬基底，其具有一第一表面；及一介電層，其在該第一表面上，該介電層包括：一第一介電膜，其在該第一表面上；一第二介電膜，其在該第一介電膜上；及一第三介電膜，其在該第二介電膜上；其中該第一介電膜之一折射率小於該第二介電膜之一折射率，且該第二介電膜之該折射率小於該第三介電膜之一折射率。
本發明的一實施例係關於一種反射結構，其包括：一第一金屬基底及一第二金屬基底，其等在一互連結構上方；一第一介電膜，其具有該第一金屬基底上之一第一厚度及該第二金屬基底上之一第二厚度，該第一厚度不同於該第二厚度；一第二介電膜，其在該第一介電膜上，該第二介電膜具有該第一金屬基底上方之一第三厚度及該第二金屬基底上方之一第四厚度，該第三厚度不同於該第四厚度；及一第三介電膜，其在該第二介電膜上，該第三介電膜具有該第一金屬基底上方之一第五厚度及該第二金屬基底上方之一第六厚度，該第五厚度不同於該第六厚度；其中該第一介電膜之一折射率小於該第二介電膜之一折射率，且該第二介電膜之該折射率小於該第三介電膜之一折射率。
本發明的一實施例係關於一種半導體結構，其包括：一金屬化結構；複數個導電墊，其等在該金屬化結構上方；及一介電層，其在該金屬化結構上且覆蓋該導電墊，該介電層包括：一第一介電膜，其在該導電墊上；一第二介電膜，其在該第一介電膜上；及一第三介電膜，其在該第二介電膜上；其中該第一介電膜之一折射率小於該第二介電膜之一折射率，且該第二介電膜之該折射率小於該第三介電膜之一折射率。
以下揭露提供用於實施所提供標的物之不同構件之許多不同實施例或實例。在下文描述元件及配置之特定實例以簡化本揭露。當然，此等僅為實例且並不旨在為限制性的。例如，在以下描述中，一第一構件形成在一第二構件上方或上可包含其中第一構件及第二構件經形成直接接觸之實施例，且亦可包含其中額外構件可形成於第一構件與第二構件之間使得第一構件及第二構件可不直接接觸之實施例。另外，本揭露可在各種實例中重複參考數字及/或字母。此重複係出於簡單及清晰之目的且本身並不指示所論述之各種實施例及/或組態之間的一關係。
此外，為便於描述，諸如「在……之下」、「在……下方」、「下」、「在……上方」、「上」、「在……上」及類似物之空間相對術語可在本文中用於描述一個元件或構件與圖中繪示之另一元件或構件之關係。除圖中描繪之定向外，空間相對術語亦意欲涵蓋裝置在使用或操作中之不同定向。設備可以其他方式定向(旋轉90度或按其他定向)且因此可同樣解釋本文中使用之空間相對描述符。
如本文中使用，諸如「第一」、「第二」及「第三」之術語描述各種元件、組件、區、層及/或區段，但此等元件、組件、區、層及/或區段不應被此等術語限制。此等術語僅可用於彼此區分一個元件、組件、區、層或區段。諸如「第一」、「第二」及「第三」之術語在本文中使用時並不暗示一序列或順序，除非由背景內容明確指示。
反射率係一物件之一平坦表面處之反射光學功率對入射光學功率之比。其可受到反射物件之若干實體性質(諸如物件之表面材料類型、表面粗糙度、厚度、均勻度、平整度、幾何結構等)之影響。例如，表面材料之均勻度愈高，可呈現之反射率愈高。
如圖1中展示，在一些實施例中，本揭露之反射結構1包含一金屬基底10及一介電層20。金屬基底10具有一第一表面101。介電層20包含一第一介電膜201、一第二介電膜202及一第三介電膜203。
金屬基底10可為一導電墊且可由任何適合導電材料製成，包含(但不限於)金屬(例如，銅、鉭、鈦、鉬、鎢、鉑、鋁、鉿、釕)、合金、金屬矽化物(例如，矽化鈦、矽化鈷、矽化鎳、矽化鉭)或金屬氮化物(例如，氮化鈦、氮化鉭)。在一些實施例中，金屬基底由鋁銅製成。在一些實施例中，金屬基底10藉由化學氣相沉積(CVD)、低壓化學氣相沉積、物理氣相沉積(PVD)、原子層沉積或旋塗形成。
介電層20放置於金屬基底10之第一表面101上，且因此，第一介電膜201、第二介電膜202及第三介電膜203堆疊於金屬基底10上方。金屬基底10上之介電層20經構形以與金屬基底10反射光。更精確地，照射在金屬基底10上之一入射光線可在由金屬基底10之第一表面101反射之前首先循序行進通過第三介電膜203、第二介電膜202及第一介電膜201，且反射光線可接著反向返回。
由於介電層20不由一單一膜組成，所以根據斯奈爾定律(Snell’s law)，在其中行進之入射光線及反射光線可受到影響。即，在光線從一個介質行進至另一介質(例如，從第三介電膜203至第二介電膜202)時，光線可在其折射率不同之情況下折射。根據斯奈爾定律，當n1及n2表示兩種介質之折射率時，θ1及θ2係光線與邊界處之垂直線形成之入射角及折射角。斯奈爾定律確證n1/n2 = sinθ1/sinθ2。
在一些實施例中，第一介電膜201之一折射率小於第二介電膜202之一折射率，且第二介電膜202之折射率小於第三介電膜203之一折射率。換言之，接近於金屬基底10之一介電膜之折射率小於遠離於金屬基底10之一介電膜之折射率。在一些實施例中，介電膜之折射率從介電層20之底部至介電層20之頂部以一上升順序改變。
在本揭露中，從介電層之底部至介電層之頂部上升之折射率可增加反射結構之光之總反射率。在一些實施例中，介電層20之介電膜之折射率在約1.47至約1.8之一範圍內。在一些實施例中，第一介電膜201及第三介電膜203之折射率分別係1.47及1.8，而第二介電膜202之折射率在1.47與1.8之間的某一點，其不同於第一介電膜201及第三介電膜203。
參考圖2，圖2繪示介電層20之總反射率(Y軸)與介電層20之第二介電膜202之折射率(X軸)之改變之一關係。當第二介電膜202之折射率增加時，光之總反射率展示一增加趨勢。在比較實例R1及R2中之紅光(具有約633 nm之波長，標記為方形點)之折射率的情況下，當第一介電膜201及第二介電膜202之折射率相同時，如實例R1中示範，約88.6%之一總反射率低於R2之約91.7%之一總反射率，其中第一介電膜201之折射率低於第二介電膜202之折射率。替代地，藉由將第二介電膜202之折射率從相同改變為大於第一介電膜201之折射率，紅光在介電層20中之反射率可從88.6%增加至91.7%，其中第三介電膜203之折射率不變。
再者，如圖2中展示，不僅紅光而且綠光(例如，具有約500 nm之波長，標記為三角形點)之總反射率及藍光(例如，具有約450 nm之波長，標記為菱形點)之總反射率皆隨著第二介電膜202之折射率增加而增加。換言之，在可見光之波長範圍內，若第二介電膜202或介電膜202之中間層之折射率在第一介電膜201及第三介電膜203之折射率範圍之間，則總反射率可增加。
而且，根據圖2，光之總反射率展示與第二介電膜202之折射率之一正相關。例如，在第一介電膜201及第三介電膜203之折射率分別係1.47及1.8之情況中，當第二介電膜202之折射率從1.47增加至1.75時(相對於從1.47增加至1.5)，光之總反射率之增加更顯著。在一些實施例中，若第二介電膜202之折射率高於第一介電膜201及第三介電膜203之折射率之一平均值，則光之總反射率可進一步增加。即，當第一介電膜201之折射率係約1.47且第三介電膜203之折射率係約1.8時，若第二介電膜202之折射率大於1.63，則光之總反射率可進一步增加。
藉由透過配置介電膜之順序而增加光之總反射率，可減輕關於介電層20之均勻度之要求。更精確地，為達到高反射率，在一反射金屬上形成介電層需要具有一嚴格平坦化製程以滿足＜1% (3西格瑪)之一表面粗糙度均勻度。然而，可減輕關於均勻度之此要求，此係因為介電膜之折射率之上升順序可提供例如超過3%之總反射率之一增加，如圖2中展示。因此，製造半導體結構中之反射器將為更靈活的。
參考圖3，在一些實施例中，介電層20可包含三個以上介電膜。在一些實施例中，第二介電膜202可包含複數個子層，例如圖3中展示之子層202A、202B及202C。在一些實施例中，子層202A、202B及202C放置於第一介電膜201與第三介電膜203之間。在此等實施例中，子層202A、202B及202C之折射率以一順序配置，使得較接近於第三介電膜203之子層具有較高折射率，即，第二介電膜202之一底部子層(例如，子層202A)之折射率小於第二介電膜202之一頂部子層(例如，子層202C)之折射率。
第二介電膜202之子層之計數不限於如圖3中展示之子層。參考圖4，圖4展示總反射率與介電膜計數之一關係。當第二介電膜202包含四個子層時，如先前在圖3中論述，除第一介電膜201及第三介電膜203以外，介電層20擁有六個介電膜之一膜計數。光之總反射率仍高於僅具有一個或兩個介電膜之一反射器之總反射率。換言之，在介電層20具有3之一介電膜計數之情況中，即使膜計數上升，總反射率實質上亦使其效能飽和。考量圖2及圖4，在從第一介電膜201至第三介電膜203之一上升折射率或其之一中間膜進一步包含具有一上升折射率之一多子層結構的情況下，光之總反射率可在此介電膜配置中增加。在一些實施例中，複數個子層之折射率在從約1.47至約1.8之一範圍內。
在一些實施例中，第一介電膜201之材料相同於第二介電膜202之材料。在一些實施例中，第一介電膜201之材料係氧化矽。在一些實施例中，儘管第一介電膜201及第二介電膜202之材料相同，然藉由在介電膜之形成操作期間選擇不同前驅體或調整前驅體之比，第一介電膜201及第二介電膜202之折射率仍不同。
在一些實施例中，第一介電膜201之材料不同於第三介電膜203之材料。在一些實施例中，第三介電膜203之材料係氧化鋁。
在一些實施例中，第一介電膜201、第二介電膜202及第三介電膜203之材料之各者具有實質上等於零之一消光係數(k)，使得行進通過之光可實質上不被衰減。
參考圖5，在一些實施例中，一導電氧化物層40放置於介電層20上方，且一導電墊30放置於介電層20下方。導電墊30之材料及形成方法可係指先前在圖1中描述之金屬基底。在一些實施例中，導電墊30被一絕緣層31橫向包圍。在一些實施例中，絕緣層31之一頂表面310與導電墊30之一頂表面300共面。
再者，在一些實施例中，介電層20包含一凸起部分21及介電層20之一側處之至少一邊緣部分22。如圖5中展示，介電層20之厚度在不同部分中變化。
介電層20之厚度(特定言之，凸起部分21之厚度T1)與由本揭露反射之反射光線之顏色相關聯。更精確地，介電層20可作為全方位反射鏡(Omni-Directional reflector, ODR)，而提升提導電墊30之頂表面300對來自發光裝置(例如微型OLED，後示於圖6I)的光線的反射。發光裝置決定發出光線的顏色，而又基於介電層20之厚度對不同波長的光線的反射率提升的不同，對不同顏色光線的反射程度產生影響。。在一些實施例中，具有約630 nm至約750 nm之一波長之光可相對較多地被具有約1500埃之介電層20之一厚度之反射結構反射，藉此提升照射至導電墊30的紅光的反射效率。在一些實施例中，具有約490 nm至約570 nm之一波長之光可相對較多地被具有約700埃之介電層20之一厚度之反射結構反射，藉此提升照射至導電墊30的綠光的反射效率。在一些實施例中，具有約450 nm至約490 nm之一波長之光可相對較多地被具有約50埃之介電層20之一厚度之反射結構反射，藉此提升照射至導電墊30的藍光的反射效率。
此外，邊緣部分22之厚度T2小於凸起部分21之厚度T1，而在一些實施例中，邊緣部分22係不用於反射可見光之區域。因此，在一些實施例中，邊緣部分22之厚度T2小於約50埃且在邊緣部分22處實質上不反射可見光。
仍參考圖5，在一些實施例中，導電墊30被凸起部分21完全覆蓋。在一些實施例中，不僅導電墊30而且絕緣層31之一部分被凸起部分21覆蓋。例如，根據圖5中之剖面圖，凸起部分21可寬於導電墊30，凸起部分21之各側處具有一寬度W。因此，一些傾斜入射光線亦可行進通過凸起部分21且被反射。在一些實施例中，凸起部分21之面積大於其下方之導電墊30之面積。在一些實施例中，圖5展示相鄰於其光接收側之一發光裝置中之一像素之一部分。
參考圖6A至圖6H，在製造具有一反射結構之一半導體結構時，在一些實施例中，可首先提供一金屬化結構50。如圖6A中展示，金屬化結構50包含複數個個別裝置，諸如藉由生產線前端(FEOL)之形成操作而圖案化於一基板501 (例如，矽晶圓)中之電晶體、電容器及電阻器。且藉由生產線後端(BEOL)之形成操作將一系列堆疊層502放置於基板501上方。堆疊層經製造以提供個別裝置(諸如上述電晶體、電容器及電阻器)以與基板上之金屬佈線互連。因此，金屬化結構50中之相鄰層502透過使用電接點及通路而連結在一起。
如圖6B中展示，在一些實施例中，在金屬化結構50上方放置複數個導電墊30。在一些實施例中，複數個導電墊30被一絕緣層31橫向包圍，且絕緣層31之一頂表面310與導電墊30之複數個頂表面300共面。在一些實施例中，導電墊30可由任何適合導電材料製成，包含(但不限於)金屬、合金、金屬矽化物或金屬氮化物。在一些實施例中，導電墊30由鋁銅(AlCu)製成。在一些實施例中，導電墊30藉由化學氣相沉積(CVD)、低壓化學氣相沉積、物理氣相沉積(PVD)、原子層沉積(ALD)或旋塗形成。
在導電墊30上方形成介電層之前，在一些實施例中，由鋁銅製成之導電墊30可在約攝氏400度下退火約1分鐘。退火操作將在介電層之沉積操作之前誘發形成導電墊30之突起或擠製件之生長。可藉由一隨後化學機械平坦化(CMP)操作移除突起或擠製件。
如圖6C至圖6E中展示，在對導電墊30實施CMP操作之後，在導電墊30上放置介電層20。在一些實施例中，形成介電層20之操作溫度低於導電墊30之退火操作。在一些實施例中，介電層20藉由在約攝氏250度下進行電漿增強物理氣相沉積(PECVD)而形成。形成介電層20之較低溫可維持導電墊30之一較低表面粗糙度，即，若形成介電層20之溫度未高達先前退火操作中之溫度，則可避免突起或擠製件之生長。
在一些實施例中，由鋁銅製成之導電墊30之表面粗糙度可藉由使導電墊30在約攝氏400度下退火達約1分鐘而從小於約350埃減小至小於約250埃。在一些實施例中，由鋁銅製成之導電墊30之表面粗糙度可藉由將形成介電層20之PECVD溫度從約攝氏400度降低至約攝氏250度而從小於約250埃進一步減小至小於約100埃。
在一些實施例中，取決於介電膜之計數及一像素單元中之顏色分佈要求，介電層20藉由複數個沉積操作形成。參考圖6C至圖6E，為形成具有用於反射不同顏色之光之不同厚度之反射結構，在一些實施例中，在第一導電墊30A、第二導電墊30B及第三導電墊30C上方形成介電膜可透過三個遮罩操作劃分為三個不同區域61、62及63。在一些實施例中，三個不同區域61、62及63可為經構形以反射不同波長之三個像素，且三個不同區域61、62及63可在一像素陣列中彼此相鄰或不相鄰。
在一些實施例中，如圖6C中展示，第一導電墊30A上方之區域61係用於反射紅光且其中之介電層20之總厚度係約1500埃。第一介電膜201、第二介電膜202及第三介電膜203之厚度例如分別可為約725埃、725埃及50埃。具有上升折射率之不同介電膜可藉由在一第一遮罩操作期間選擇不同前驅體或調整前驅體之比而形成。
在一些實施例中，如圖6D中展示，第二導電墊30B上方之區域62係用於反射綠光且其中之介電層20之總厚度係約700埃。第一介電膜201、第二介電膜202及第三介電膜203之厚度例如分別可為約330埃、330埃及40埃。具有上升折射率之不同介電膜可藉由在一第二遮罩操作期間選擇不同前驅體或調整前驅體之比而形成。
在一些實施例中，如圖6E中展示，第三導電墊30C上方之區域63係用於反射綠光且其中之介電層20之總厚度係約50埃。第一介電膜201、第二介電膜202及第三介電膜203之厚度例如分別可為約20埃、20埃及10埃。具有上升折射率之不同介電膜可藉由在一第三遮罩操作期間選擇不同前驅體或調整前驅體之比而形成。
因此，在區域61、62及63中，介電層20之厚度分別係約1500埃、700埃及50埃，且各區域亦包含分別具有例如1.47、1.7及1.8之折射率之第一介電膜201、第二介電膜202及第三介電膜203，折射率從介電層20之底膜至其之頂膜上升。更精確地，如圖6Ea中展示(其從圖6E之一部分放大)，在金屬化結構50上方放置第一導電墊30A及第二導電墊30B。第一介電膜201具有第一導電墊30A上之一第一厚度T61及第二導電墊30B上之一第二厚度T62，且第一厚度不同於第二厚度T62。第二介電膜202具有第一導電墊30A上方之第三厚度T63及第二導電墊30B上方之一第四厚度T64，且第三厚度T63不同於第四厚度T64。第三介電膜203具有第一導電墊30A上方之一第五厚度T65及第二導電墊30B上方之一第六厚度T66，且第五厚度T65不同於第六厚度T66。
如圖6F中展示，在一些實施例中，介電層20包含每兩個相鄰導電墊30之間的複數個間隔32上方之複數個凹槽64。在一些實施例中，凹槽64可藉由蝕刻操作形成。凹槽64可將先前操作中提及之區域61、62及63隔離為如先前在圖5中提及之凸起部分21及邊緣部分22。在一些實施例中，凹槽64之底部處之介電層20之厚度小於約50埃且因此可實質上不反射可見光。
在一些實施例中，用於形成介電膜之方法不限於PECVD，例如，第一介電膜201及第二介電膜202可由CVD或PECVD形成，而第三介電膜203由ALD形成。特定言之，在一些實施例中，第一介電膜201及第二介電膜202之材料係氧化矽而非第三介電膜203中使用之氧化鋁。因此，在一些實施例中，第一介電膜201或第二介電膜202之一密度小於第三介電膜203之一密度。
如圖6Fa中展示，根據藉由如圖6A至圖6F中展示之操作形成之半導體結構之一俯視圖，介電層之凸起部分21R、21G及21B可分別反射紅光、綠光及藍光，且凸起部分21R、21G及21B可由邊緣部分22清楚區分。
如圖6G中展示，在一些實施例中，可在複數個接觸形成操作中透過介電層20之凸起部分21之各者形成複數個電連接70。且如圖6H中展示，在介電層20上方形成導電氧化物層40。更精確地，凸起部分21之各者可被導電氧化物層40覆蓋，且電連接70可連接導電氧化物層40與導電墊30。在一些實施例中，導電氧化物層40係銦錫氧化物(ITO)層。
本文中描述之反射結構可與發光裝置整合，諸如一微型OLED 42。介電層20被一隨後沉積之絕緣層41包圍以填充相鄰介電層20之間的間隙。微型OLED 42可放置於絕緣層41及反射結構上方。在一些實施例中，導電氧化物層40與微型OLED 42之一電極接觸。在一些實施例中，如圖6I中展示，來自微型OLED 42之光L進入反射結構之介電層20。更精確地，光L可穿透介電層20且被導電墊30反射。如前述，介電層20之厚度與介電層20反射之波長相關。在一些實施例中，紅光R、綠光G及藍光B可被具有不同厚度之介電層20反射。在一些實施例中，光L之來源可為放置成高於反射結構之發光層。為清楚示範之目的，介電層20之各者之厚度之間的差異不按比例繪製。介電層20之各者之間的厚度差異可在顯微鏡上係微小的且因此離散介電層20之各者上之導電氧化物層40可與微型OLED 42之電極接觸。
參考圖7A，圖7A展示介電層之一總反射率與不同入射波長之間的一關係。在兩種條件下比較一反射結構之總反射率：一種係以從導電墊30至導電氧化物層40之一順序形成具有上升折射率之三個介電膜；另一種係以從導電墊30至導電氧化物層40之一順序形成具有下降折射率之三個介電膜。線81A係指從底部至頂部堆疊之具有約1.47、1.7及1.8之折射率之介電膜之總反射率，而從底部至頂部堆疊之具有約1.8、1.7及1.47之折射率之介電膜之總反射率被稱為線81B。在可見光之波長(約380 nm至750 nm)中，具有上升折射率之反射結構之總反射率高於具有下降折射率之反射結構之總反射率。
參考圖7B，圖7B展示介電層之一總反射率與不同入射波長之間的一關係。在兩種條件下比較一反射結構之總反射率：一種係以從導電墊30至導電氧化物層40之一順序形成具有上升折射率之四個介電膜；另一種係以從導電墊30至導電氧化物層40之一順序形成具有下降折射率之四個介電膜。線82A係指從底部至頂部堆疊之具有約1.5、1.6、1.7及1.8之折射率之介電膜之總反射率，而從底部至頂部堆疊之具有約1.8、1.7、1.6及1.5之折射率之介電膜之總反射率被稱為線82B。在可見光之波長中，具有三個以上上升折射率之反射結構之總反射率亦高於具有下降折射率之反射結構之總反射率。
參考圖7C，圖7C展示介電層之一總反射率與不同入射波長之間的一關係。在三種條件下比較一反射結構之總反射率：一種係以從導電墊30至導電氧化物層40之一順序形成具有上升折射率之三個介電膜；另一種係以從導電墊30至導電氧化物層40之一順序形成具有下降折射率之三個介電膜；又另一種係以除上升或下降順序以外的隨機折射率配置形成三個介電膜。線83A係指從底部至頂部堆疊之具有約1.47、1.7及1.8之折射率之介電膜之反射率，而從底部至頂部堆疊之具有約1.8、1.7及1.47之折射率之介電膜之反射率被稱為線83B，且從底部至頂部堆疊之具有約1.7、1.8及1.47之折射率之介電膜之反射率被稱為線83C。在可見光之波長中，具有上升折射率之反射結構之總反射率不僅高於具有下降折射率之反射結構之總反射率，而且高於具有隨機折射率之反射結構之總反射率。
在本揭露中，反射結構包含一金屬基底上之一介電層，其中堆疊具有以一上升順序配置之折射率之至少三個介電膜。因此，反射結構之總反射率可增加，且減輕介電層之均勻度要求。
在一個例示性態樣中，提供一種反射結構。該反射結構包含：一金屬基底及一介電層。該金屬基底具有一第一表面。該介電層放置於該第一表面上，且具有一第一介電膜、一第二介電膜及一第三介電膜。該第一介電膜放置於該第一表面上。該第二介電膜放置於該第一介電膜上。該第三介電膜放置於該第二介電膜上。該第一介電膜之一折射率小於該第二介電膜之一折射率，且該第二介電膜之該折射率小於該第三介電膜之一折射率。
在另一例示性態樣中，提供一種反射結構。該反射結構包含：一互連結構、一第一金屬基底、一第二金屬基底、一第一介電膜、一第二介電膜及一第三介電膜。該第一金屬基底及該第二金屬基底在該互連結構上方。該第一介電膜具有該第一金屬基底上之一第一厚度及該第二金屬基底上之一第二厚度。該第一厚度不同於該第二厚度。該第二介電膜在該第一介電膜上。該第二介電膜具有該第一金屬基底上方之一第三厚度及該第二金屬基底上方之一第四厚度。該第三厚度不同於該第四厚度。該第三介電膜在該第二介電膜上。該第三介電膜具有該第一金屬基底上方之一第五厚度及該第二金屬基底上方之一第六厚度。該第五厚度不同於該第六厚度。該第一介電膜之該折射率小於該第二介電膜之一折射率，且該第二介電膜之該折射率小於該第三介電膜之一折射率。
在又另一例示性態樣中，提供一種半導體結構。該半導體結構包含金屬化結構、複數個導電墊及一介電層。該複數個導電墊在該金屬化結構上方。該介電層在該金屬化結構上且覆蓋該導電墊。該介電層包含一第一介電膜、一第二介電膜及一第三介電膜。該第一介電膜在該導電墊上。該第二介電膜在該第一介電膜上。該第三介電膜在該第二介電膜上。該第一介電膜之一折射率小於該第二介電膜之一折射率，且該第二介電膜之該折射率小於該第三介電膜之一折射率。
前文概述若干實施例之結構，使得熟習此項技術者可更佳理解本揭露之態樣。熟習此項技術者應瞭解，其等可容易地使用本揭露作為設計或修改用於實行本文中介紹之實施例之相同目的及/或達成相同優點之其他製程及結構之一基礎。熟習此項技術者亦應認知，此等等效構造不脫離本揭露之精神及範疇，且其等可在不脫離本揭露之精神及範疇的情況下在本文中進行各種改變、替換及更改。
10:金屬基底 20:介電層 21:凸起部分 21B:凸起部分 21G:凸起部分 21R:凸起部分 22:邊緣部分 30:導電墊 30A:第一導電墊 30B:第二導電墊 30C:第三導電墊 31:絕緣層 32:間隔 40:導電氧化物層 41:絕緣層 42:微型OLED 50:金屬化結構 61:區域 62:區域 63:區域 64:凹槽 70:電連接 81A:線 81B:線 82A:線 82B:線 83A:線 83B:線 83C:線 101:第一表面 201:第一介電膜 202:第二介電膜 202A:子層 202B:子層 202C:子層 203:第三介電膜 300:頂表面 310:頂表面 501:基板 502:堆疊層 B:藍光 G:綠光 L:光 R:紅光 T1:厚度 T2:厚度 T61:第一厚度 T62:第二厚度 T63:第三厚度 T64:第四厚度 T65:第五厚度 T66:第六厚度 W:寬度
當結合附圖閱讀時，從以下實施方式更好理解本揭露之態樣。應注意，根據行業中之標準實踐，各種結構不按比例繪製。事實上，為清晰論述，各種結構之尺寸可任意增加或減小。
圖1繪示根據本揭露之一些實施例之一反射結構之一剖面圖。
圖2繪示根據本揭露之一些實施例之關於第二介電膜之反射率及折射率之一線圖。
圖3繪示根據本揭露之一些實施例之一反射結構之一剖面圖。
圖4繪示根據本揭露之一些實施例之關於總反射率及介電膜計數之一線圖。
圖5繪示根據本揭露之一些實施例之一反射結構之一剖面圖。
圖6A、圖6B、圖6C、圖6D、圖6E、圖6Ea、圖6F、圖6Fa、圖6G、圖6H及圖6I繪示根據本揭露之一些實施例之製造一半導體結構之各種操作之剖面圖。
圖7A繪示根據本揭露之一些實施例之關於反射結構之總反射率之一散點圖。
圖7B繪示根據本揭露之一些實施例之關於反射結構之總反射率之一散點圖。
圖7C繪示根據本揭露之一些實施例之關於反射結構之總反射率之一散點圖。
20:介電層
21:凸起部分
30:導電墊
40:導電氧化物層
50:金屬化結構
70:電連接

Claims (10)

  1. 一種反射結構，其位於一半導體結構之一反射區域，該反射結構包括：一金屬基底，其具有一第一表面；及一介電層，其在該第一表面上，該介電層包括：一第一介電膜，其在該第一表面上；一第二介電膜，其在該第一介電膜上；及一第三介電膜，其在該第二介電膜上；其中該第一介電膜之一折射率小於該第二介電膜之一折射率，且該第二介電膜之該折射率小於該第三介電膜之一折射率，且該反射區域位於該介電層之兩側的邊緣部分之間。
  2. 如請求項1之反射結構，其中該第一介電膜之一材料不同於該第三介電膜之一材料。
  3. 如請求項1之反射結構，其中該金屬基底被一絕緣層橫向包圍。
  4. 如請求項3之反射結構，其中該絕緣層之一部分被該第一介電膜覆蓋。
  5. 如請求項3之反射結構，其中該絕緣層之一頂表面與該金屬基底之一頂表面共面。
  6. 一種製造反射結構之方法，該反射結構位於一半導體結構之複數個反射區域，該方法包含：接收一金屬化結構；形成一第一導電墊、一第二導電墊及一第三導電墊於該金屬化結構上；及形成複數個介電堆疊於該金屬化結構上，形成該等介電堆疊包含：形成一第一介電堆疊於該第一導電墊上；形成一第二介電堆疊相鄰於該第一介電堆疊，該第二介電堆疊覆蓋該第二導電墊；及形成一第三介電堆疊相鄰於該第二介電堆疊，該第三介電堆疊覆蓋該第三導電墊；其中該等介電堆疊的厚度各不相同，且該等反射區域位於該等介電堆疊之兩側的邊緣部分之間。
  7. 一種製造反射結構之方法，該反射結構位於一半導體結構之複數個反射區域，該方法包含：接收一金屬化結構；形成複數個導電墊於該金屬化結構上；形成複數個介電堆疊分別於該等導電墊上，其中該等介電堆疊之厚度各不相同；及經由在每兩個相鄰的該等介電堆疊之間的複數個間隔處，形成複 數個凹槽，以隔離該等介電堆疊，且該等反射區域位於該等介電堆疊之兩側的邊緣部分之間。
  8. 如請求項7之方法，其中該等導電墊包含一第一導電墊，且形成該等介電堆疊之步驟包含：形成一第一介電膜於該等第一導電墊上；形成一第二介電膜於該第一介電膜上；及形成一第三介電膜於該第二介電膜上；其中該第一介電膜的一厚度大於該第二介電膜的一厚度，及該第二介電膜的該厚度大於該第三介電膜的一厚度。
  9. 如請求項8之方法，其中形成該等凹槽之步驟包含：經蝕刻而暴露該第三介電膜的一側及該第二介電膜的一側。
  10. 一種製造反射結構之方法，該反射結構位於一半導體結構之複數個反射區域，該方法包含：接收一金屬化結構；形成複數個導電墊於該金屬化結構上；依序形成複數個介電堆疊於該金屬化結構上，其中該等介電堆疊分別覆蓋該等導電墊，且該等介電堆疊的厚度各不相同；及於每兩個相鄰的該等介電堆疊之間的複數個間隔處，形成複數個凹槽，且該等反射區域位於該等介電堆疊之兩側的邊緣部分之間。
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