TWI819712B - 微型發光二極體顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

一種微型發光二極體顯示裝置包含載板、第一發光單元、第一透明基板、第二發光單元與分色濾光層。第一發光單元在載板上，第一發光單元配置用以發出第一色光。第一透明基板在第一發光單元上。第二發光單元在第一透明基板上，第二發光單元配置用以發出第二色光。分色濾光層在第一發光單元與第一透明基板之間，分色濾光層配置用以使第一色光通過，並阻擋第二色光。

Description

微型發光二極體顯示裝置
本揭露的一些實施方式是關於微型發光二極體顯示裝置。
微型發光二極體顯示裝置為目前常見的顯示裝置種類之一。微型發光二極體顯示裝置的運用範圍廣泛，可用於電視、面板、穿戴式裝置、擴增實境(Augmented reality，AR)裝置、虛擬實境(Virtual reality，VR)裝置等。微型發光二極體顯示裝置可由負數個排列成陣列的像素單元構成。每個像素單元可由發出不同色光的發光單元組成，且每個發光單元周圍可具有堤岸結構來防止發光單元的光進入至相鄰的發光單元，以提高像素單元的色純度。
本揭露的一些實施方式提供一種微型發光二極體顯示裝置，包含載板、第一發光單元、第一透明基板、第二發光單元與分色濾光層。第一發光單元在載板上，第一發光單元配置用以發出第一色光。第一透明基板在第一發光單元上。第二發光單元在第一透明基板上，第二發光單元配置用以發出第二色光。分色濾光層在第一發光單元與第一透明基板之間，分色濾光層配置用以使第一色光通過，並阻擋第二色光。
在一些實施方式中，第一發光單元包含晶片與波長轉換層。晶片在載板上，且配置用以發出第三色光。波長轉換層覆蓋晶片，配置用以將晶片的發出的第三色光轉成第一色光。
在一些實施方式中，第一發光單元包含晶片。晶片在載板上，晶片配置用以發出第一色光。
在一些實施方式中，第一發光單元更包含膠材，在晶片與分色濾光層之間。
在一些實施方式中，第二發光單元包含晶片與波長轉換層。晶片在第一透明基板上，且配置用以發出第三色光。波長轉換層覆蓋晶片，配置用以將晶片的發出的第三色光轉成第二色光。
在一些實施方式中，第二發光單元包含晶片。晶片在第一透明基板上，晶片配置用以發出第二色光。
在一些實施方式中，微型發光二極體顯示裝置更包含第二透明基板與第三發光單元。第二透明基板在第二發光單元上。第三發光單元在第二透明基板上，第三發光單元配置用以發出第三色光，且第三色光與第一色光及第二色光不同，且分色濾光層阻擋第三色光。
在一些實施方式中，微型發光二極體顯示裝置更包含色阻層，在第二發光單元上，該色阻層配置用以使第一色光與該第二色光通過，並吸收第三色光。
在一些實施方式中，微型發光二極體顯示裝置更包含第一堤岸結構與第二堤岸結構。第一堤岸結構圍繞第一發光單元與分色濾光層。第二堤岸結構圍繞第二發光單元與色阻層。
在一些實施方式中，微型發光二極體顯示裝置更包含第一吸光層與第二吸光層。第一吸光層在第一透明基板與第二堤岸結構之間。第二吸光層在第二透明基板上並圍繞第三發光單元。
在一些實施方式中，第二透明基板更圍繞第二發光單元，且第一透明基板更圍繞第一發光單元。
本揭露的一些實施方式是關於一種發光單元在垂直方向上堆疊的顯示裝置。當使用如本揭露的一些實施方式的顯示裝置時，可確保顯示裝置的紅光、綠光與藍光可向上出光，且顯示裝置的在載板上的面積可降低，以在單位面積中容納較多的顯示裝置，例如LED封裝體。
為使熟悉本揭露所屬技術領域之一般技藝者能更進一步了解本揭露，下文特列舉本揭露之較佳實施例，並配合所附圖式，詳細說明本揭露的構成內容及所欲達成之功效。
本揭露的一些實施方式是關於一種發光單元在垂直方向上堆疊的顯示裝置。當使用如本揭露的一些實施方式的顯示裝置時，可確保顯示裝置的紅光、綠光與藍光可向上出光，且顯示裝置的在載板上的面積可降低，以在單位面積中容納較多的像素單元。本揭露的一些實施方式適用於使用微型發光二極體晶片的顯示裝置。
第1A圖繪示本揭露的一些實施方式的微型發光二極體顯示裝置10的橫截面視圖，第1B圖繪示本揭露的一些實施方式的微型發光二極體顯示裝置10的上視圖，且第1A圖是沿著第1B圖的線A-A繪示的橫截面視圖。微型發光二極體顯示裝置10可包含載板100、第一發光單元120、第一透明基板112、第二發光單元130、第二透明基板114、第三發光單元140、分色濾光層150與色阻層160。
第2圖繪示本揭露的一些實施方式的載板100與第一發光單元120的橫截面視圖。在一些實施方式中，載板100可為陣列基板，且載板100中可具有基板101A、緩衝層101B與多個主動元件102(第2圖繪示一個主動元件102為例)。緩衝層101B可形成在基板101A上。主動元件102可形成在緩衝層101B上。主動元件102電性連接第一發光單元120。主動元件102可包含閘極103、閘極介電層104、通道層105、介電層106與源極/汲極電極107。載板100更可包含覆蓋主動元件102的絕緣層108與在絕緣層108上的導線層100L，導線層100L可電性連接第一發光單元120與主動元件102的源極/汲極電極107。
回到第1A圖。在一些實施方式中，第一透明基板112與第二透明基板114可為與載板100類似的陣列基板，且第一透明基板112與第二透明基板114分別具有與導線層100L(繪示於第2圖)類似的導線層112L與114L。第一透明基板112的導線層112L可將第二發光單元130電性連接至第一透明基板112中的主動元件，且第二透明基板114的導線層114L可將第三發光單元140電性連接至第二透明基板114中的主動元件。在一些實施方式中，第一透明基板112與第二透明基板114可為玻璃基板、聚醯亞胺基板或其他適合的基板。在一些實施方式中，載板100可為不透光基板，然而本揭露並不限制載板100為不透光基板。在另一些實施方式中，載板100也可為透光基板，例如玻璃基板、聚醯亞胺基板或其他適合的基板。在另一些實施方式中，第一透明基板112的導線層與第二透明基板114的導線層可另外拉至載板100，使第二發光單元130與第三發光單元140可分別藉由導線層電性連接至載板100中的其他主動元件。在一些實施方式中，導線層100L、112L與114L可由任何適合的導電材料製成，例如金屬或氧化銦錫(Indium tin oxide；ITO)。
第一發光單元120在載板100上，且第一發光單元120配置用以發出第一色光L1。第一透明基板112在第一發光單元120上。第二發光單元130在第一透明基板112上，第二發光單元130配置用以發出第二色光L2。第二色光L2與第一色光L1不同。第二透明基板114在第二發光單元130上。第三發光單元140在第二透明基板114上，第三發光單元140配置用以發出第三色光L3。第三色光L3與第一色光L1及第二色光L2不同。換句話說，第三發光單元140覆蓋第二發光單元130，且第二發光單元130覆蓋第一發光單元120。
具體而言，第一發光單元120可包含晶片122與波長轉換層124。晶片122在載板100上，且配置用以發出第三色光L3。波長轉換層124覆蓋晶片122，且配置用以將晶片122發出的第三色光L3轉成第一色光L1。第二發光單元130可包含晶片132與波長轉換層134。晶片132在第一透明基板112上，且配置用以發出第三色光L3。波長轉換層134覆蓋晶片132，且配置用以將晶片132發出的第三色光L3轉成第二色光L2。第三發光單元140可包含晶片142。晶片142在第二透明基板114上，且配置用以發出第三色光L3。亦即第一發光單元120的晶片122、第二發光單元130的晶片132與第三發光單元140的晶片142可發出相同顏色的光。
在一些實施方式中，第一色光L1可為紅光，第二色光L2可為綠光且第三色光L3可為藍光。因此，可發出紅光的第一發光單元120、可發出綠光的第二發光單元130與可發出藍光的第三發光單元140垂直往上排列。具體而言，第一發光單元120可包含藍光的晶片122與紅光的波長轉換層124。藍光的晶片122在載板100上。紅光的波長轉換層124覆蓋藍光的晶片122，且配置用以將藍光的晶片122發出的藍光轉成紅光。紅光的波長轉換層124中可包含波長轉換物質，例如量子點、螢光粉或類似物，以將波長較短的藍光轉換成紅光。第二發光單元130可包含藍光的晶片132與綠光的波長轉換層134。藍光的晶片132在第一透明基板112上。綠光的波長轉換層134覆蓋藍光的晶片132，且配置用以將藍光的晶片132發出的藍光轉成綠光。綠光的波長轉換層134中可包含波長轉換物質，例如量子點、螢光粉或類似物，以將波長較短的藍光轉換成綠光。第三發光單元140可包含藍光的晶片142，且藍光的晶片142在第二透明基板114上。
分色濾光層150在第一發光單元120與第一透明基板112之間，分色濾光層150配置用以使第一色光L1通過，並阻擋第二色光L2與第三色光L3。色阻層160在第二發光單元130上，色阻層160配置用以使第一色光L1與第二色光L2通過，並吸收第三色光L3。換句話說，載板100、第一發光單元120、分色濾光層150、第一透明基板112、第二發光單元130、色阻層160、第二透明基板114與第三發光單元140由下往上垂直排列。
微型發光二極體顯示裝置10更包含第一堤岸結構172與第二堤岸結構174。第二堤岸結構174在第一堤岸結構172的上方。第一堤岸結構172圍繞第一發光單元120與分色濾光層150。第二堤岸結構174圍繞第二發光單元130與色阻層160。第一堤岸結構172可用於反射來自第一發光單元120的光，第二堤岸結構174可用於反射來自第二發光單元130的光。因此，第一堤岸結構172與第二堤岸結構174可確保第一發光單元120與第二發光單元130的光為向上出光，且第一發光單元120與第二發光單元130的光不會進入至相鄰的發光單元中。在一些實施方式中，第一堤岸結構172與第二堤岸結構174對波長在380奈米至780奈米的範圍之內的光的反射率在60%以上，且對波長在380奈米至780奈米的範圍之內的光的穿透率在30%以下，對波長在380奈米至780奈米的範圍之內的光的吸收率在10%以下。在一些實施方式中，第一堤岸結構172與第二堤岸結構174的高度H1為10微米至25微米之間。
微型發光二極體顯示裝置10更包含吸光層180，吸光層180可在第二透明基板114上並圍繞第三發光單元140。當第二發光單元130的光穿過第二透明基板114時，吸光層180可用於吸收未進入至第三發光單元140的光，例如穿過第二透明基板114或第二堤岸結構174的光。因此，可確保微型發光二極體顯示裝置10的光的集中性。在一些實施方式中，吸光層180由金屬製成。在一些實施方式中，吸光層180對波長在380奈米至780奈米的範圍之內的光的吸收率在95%以上，且對波長在380奈米至780奈米的範圍之內的光的反射率與穿透率皆在5%以下。在一些實施方式中，吸光層180的高度H2為1微米至5微米之間。
第3A圖至第3C圖繪示第一色光L1、第二色光L2與第三色光L3在微型發光二極體顯示裝置10中行進的路線示意圖。為了清楚起見，第3A圖至第3C圖的微型發光二極體顯示裝置10的各元件為分解狀態，以清楚表示各色光在各元件之間穿透/反射的情況。如第3A圖所示，第一發光單元120發出的第一色光L1往上出光。由於分色濾光層150位於第一發光單元120上，因此分色濾光層150可使第一色光L1通過，並進入在分色濾光層150上的第二發光單元130。由於分色濾光層150無法讓第三色光L3(繪示於第1A圖)通過，因此可反射掉一些未經波長轉換層124中的波長轉換物質轉換的第三色光，使得第一發光單元120中的少許第三色光不會往上進入第二發光單元130。當第一色光L1進入第二發光單元130之後，由於色阻層160可使第一色光L1通過，因此第一色光L1可進一步進入至第三發光單元140。在一些實施方式中，分色濾光層150為分散式布拉格反射鏡(distributed Bragg reflector，DBR)，且對波長在430奈米至470奈米的範圍之內的光(例如藍光)與波長在490奈米至560奈米的範圍之內的光(例如綠光)的反射率在95%以上，穿透率在3%以下且吸收率在3%以下，對波長在600奈米至700奈米的範圍之內的光(例如紅光)的反射率在5%以下，穿透率在95%以上，且吸收率在5%以下。在一些實施方式中，分色濾光層150可由多對（例如5對）子濾光層組成(每對子濾光層包含不同折射率的材料)且每對子濾光層的厚度T1為0.1微米。
如第3B圖所示，第二發光單元130發出的第二色光L2往上及往下出光。由於分色濾光層150位於第二發光單元130下，因此分色濾光層150可阻擋並反射由第二發光單元130往下出光的第二色光L2，以增加第二色光L2往上的出光量。另外，分色濾光層150亦可阻擋並反射由未經波長轉換層134中的波長轉換物質轉換而往下出光的第三色光，以防止第三色光被下方的波長轉換層124轉換成第一色光，而造成顏色互擾(crosstalk)的問題。此外，色阻層160在第二發光單元130上，因此色阻層160可使第二發光單元130的第二色光L2通過，並進入在色阻層160上的第三發光單元140。由於色阻層160無法讓第三色光L3(繪示於第1A圖)通過，因此可吸收掉一些未經波長轉換層134中的波長轉換物質轉換的第三色光，使得第二發光單元130中的少許第三色光不會往上進入第三發光單元140。在一些實施方式中，色阻層160為黃色色阻，且對波長在490奈米至780奈米的範圍之內的光(例如綠光與紅光)的反射率在10%以下，穿透率在85%以上且吸收率在5%以下，對波長在430奈米至470奈米的範圍之內的光(例如藍光)的反射率在5%以下，穿透率在3%以下且吸收率在95%以上。在一些實施方式中，色阻層160的厚度T2在5微米至15微米之間。在一些實施方式中，色阻層160也可替換為分散式布拉格反射鏡，且此分散式布拉格反射鏡可使第一色光與第二色光L2通過，並反射第三色光。
如第3C圖所示，第三發光單元140發出的第三色光L3往上及往下出光。由於色阻層160位於第三發光單元140下，因此色阻層160可吸收由第三發光單元140往下出光的第三色光L3，以防止第三色光L3被下方的波長轉換層134轉換成第二色光。如此一來，可確保第一發光單元120發出的第一色光、第二發光單元130發出的第二色光與第三發光單元140發出的第三色光L3往上出光。第一發光單元120、第二發光單元130與第三發光單元140可視為一個像素。並且，在同一個像素中的第一發光單元120、第二發光單元130與第三發光單元140垂直往上排列，使得微型發光二極體顯示裝置10的面積，亦即每個像素所占的面積，可變小。
第4A圖繪示本揭露的一些實施方式的微型發光二極體顯示裝置20的橫截面視圖，第4B圖繪示本揭露的一些實施方式的微型發光二極體顯示裝置20的上視圖，且第4A圖是沿著第4B圖的線B-B繪示的橫截面視圖。微型發光二極體顯示裝置20包含載板200、第一發光單元220、第一透明基板212、分色濾光層250、第二發光單元230、第二透明基板214、色阻層260、第三發光單元240、第一堤岸結構272、第二堤岸結構274、第一吸光層282與第二吸光層284。第一發光單元220包含晶片222與波長轉換層224，第二發光單元230包含晶片232與波長轉換層234，且第三發光單元240包含晶片242。第一透明基板212上具有導線層212L，且第二透明基板214上具有導線層214L。微型發光二極體顯示裝置20的結構與微型發光二極體顯示裝置10的結構類似，差別在於微型發光二極體顯示裝置20可具有第一吸光層282與第二吸光層284。
微型發光二極體顯示裝置20的載板200上可具有兩個以上的第一發光單元220，微型發光二極體顯示裝置20的第一透明基板212上可具有兩個以上的第二發光單元230，且微型發光二極體顯示裝置20的第二透明基板214上可具有兩個以上的第三發光單元240。每個第一發光單元220在垂直方向上與一個第二發光單元230對齊，且每個第二發光單元230在垂直方向上與一個第三發光單元240對齊。如此一來，載板200上的第一發光單元220、第一透明基板212上的第二發光單元230與第二透明基板214上的第三發光單元240可形成多個像素單元，並拼接成大型顯示裝置，例如顯示面板、擴增實境裝置與/或虛擬實境裝置。由於微型發光二極體顯示裝置20的第一發光單元220、第二發光單元230與第三發光單元240沿垂直方向向上排列，因此可減少每個像素單元所占的面積，進而提升顯示裝置的像素密度。
此外，第一堤岸結構272與第二堤岸結構274可用於防止第一發光單元220與第二發光單元230的光進入至相鄰的第一發光單元220與第二發光單元230，並用於提升每個像素單元所發出的光的色純度。沿著垂直方向上堆疊的第一堤岸結構272與第二堤岸結構274也可降低每個像素單元所占的面積，進而提升顯示裝置的像素密度，同時使第一堤岸結構272與第二堤岸結構274具有足夠的厚度，以反射來自第一發光單元220與第二發光單元230的光。
微型發光二極體顯示裝置20可具有第一吸光層282與第二吸光層284。第一吸光層282在第一透明基板212與第二堤岸結構274之間。第二吸光層284在第二透明基板214上並圍繞第三發光單元240。當第一發光單元220的光穿過第一透明基板212時，第一吸光層282可用於吸收未進入至第二發光單元230的光，例如穿過第一透明基板212或第一堤岸結構272的光。當第二發光單元230的光穿過第二透明基板214時，第二吸光層284可用於吸收未進入至第三發光單元240的光，例如穿過第二透明基板214或第二堤岸結構274的光。因此，可確保微型發光二極體顯示裝置20的光的集中性。 在一些實施方式中，第一吸光層282與第二吸光層284的高度H2為1微米至5微米之間。微型發光二極體顯示裝置20的其他相關細節與微型發光二極體顯示裝置10類似，因此在此不再贅述。
第5A圖繪示本揭露的一些實施方式的微型發光二極體顯示裝置30的橫截面視圖，第5B圖繪示本揭露的一些實施方式的微型發光二極體顯示裝置30的上視圖，且第5A圖是沿著第5B圖的線C-C繪示的橫截面視圖。微型發光二極體顯示裝置30包含載板300、第一發光單元320、第一透明基板312、分色濾光層350、第二發光單元330、第二透明基板314、色阻層360、第三發光單元340、第一堤岸結構372、第二堤岸結構374與吸光層380。第一透明基板312上具有導線層312L，且第二透明基板314上具有導線層314L。第三發光單元340包含晶片342。微型發光二極體顯示裝置30的結構與微型發光二極體顯示裝置10類似，差別在於第一發光單元320及第二發光單元330的結構與第一發光單元120及第二發光單元130的結構不同。
具體而言，第一發光單元320可包含晶片322與膠材324。晶片322在載板300上，配置用以發出第一色光L1，例如紅光。膠材324在晶片322與分色濾光層350之間。第二發光單元330可包含晶片332與膠材334。晶片332在第一透明基板312上，配置用以發出第二色光L2，例如綠光。膠材334在晶片332與 色阻層360之間。膠材324與膠材334可不包含波長轉換物質，因此膠材324與膠材334不會轉換由晶片322發出的第一色光L1與晶片332發出的第二色光L2。亦即，晶片322發出的第一色光L1可穿過分色濾光層350進入第二發光單元330，再穿過色阻層360進入至第三發光單元340。晶片332發出的第二色光L2可被分色濾光層350反射而往上發光，並穿過色阻層360進入第三發光單元340。微型發光二極體顯示裝置30的其他細節與微型發光二極體顯示裝置10類似，因此相關細節不在此贅述。
第6A圖繪示本揭露的一些實施方式的微型發光二極體顯示裝置40的橫截面視圖，第6B圖繪示本揭露的一些實施方式的微型發光二極體顯示裝置40的上視圖，且第6A圖是沿著第6B圖的線D-D繪示的橫截面視圖。第7圖繪示本揭露一些實施方式中，微型發光二極體顯示裝置40轉置於背板41上的示意圖。微型發光二極體顯示裝置40包含載板400、第一發光單元420、第一透明基板412、分色濾光層450、第二發光單元430、第二透明基板414、色阻層460、第三發光單元440、第一堤岸結構472、第二堤岸結構474與吸光層480。第一發光單元420包含晶片422與波長轉換層424，第二發光單元430包含晶片432與波長轉換層434，且第三發光單元440包含晶片442。第一透明基板412上具有導線層412L與導線層414M，且第二透明基板414 上具有導線層414L。微型發光二極體顯示裝置40的結構與微型發光二極體顯示裝置10的結構類似，差別在於微型發光二極體顯示裝置40的第一透明基板412與第二透明基板414為可彎折的基板，且載板400不包含主動元件陣列。
具體而言，第一透明基板412可往下彎折，使得第一透明基板412更圍繞第一發光單元420，並接觸第一堤岸結構472的側壁。因此，第一透明基板412的導線層412L自第二發光單元430出發，沿著第一透明基板412向下延伸，並藉由導電材料CM1與載板400上的導電墊490電性連接。第二透明基板414可往下彎折，使得第二透明基板414更圍繞第二發光單元430，並接觸第二堤岸結構474的側壁。因此，第二透明基板414的導線層414L自第三發光單元440出發，沿著第二透明基板414向下延伸，並藉由導電材料CM3與第一透明基板412的導線層414M電性連接。第一透明基板412的導線層414M沿著第一透明基板412向下延伸，並藉由導電材料CM1與載板400上的導電墊490電性連接。如此一來，微型發光二極體顯示裝置40可為獨立的封裝體，且可做為一個獨立像素，因此微型發光二極體顯示裝置40可依照需求，更容易地轉置於期望的背板上。由於微型發光二極體顯示裝置40的第一發光單元420、第二發光單元430與第三發光單元440沿垂直方向向上排列，因此可減少每個像素所占的面積，進而 提升顯示裝置的像素密度。
參考第7圖，背板41中可包含多個主動元件，且背板41的上表面可包含電連接至主動元件的導電墊41L。當微型發光二極體顯示裝置40轉置於背板41上時，微型發光二極體顯示裝置40的連接至第二發光單元430與第三發光單元440的導電墊490藉由導電材料CM2電性連接至背板41的導電墊41L。連接至第一發光單元420的導線層400L也藉由導電材料CM2電性連接至背板41的導電墊41L。至在一些實施方式中，導電材料CM1、CM2與CM3可由氧化銦錫、金屬等導電材料製成。微型發光二極體顯示裝置40的第一發光單元420、第二發光單元430與第三發光單元440便可電性連接至背板41上的導電墊41L。應注意，雖然第7圖僅繪示一個微型發光二極體顯示裝置40，但第7圖僅為例示。在一些實施方式中，背板41上可具有多個微型發光二極體顯示裝置40，且多個微型發光二極體顯示裝置40可在背板41上拼接成大型顯示裝置，例如顯示面板、擴增實境裝置與/或虛擬實境裝置。由於每個微型發光二極體顯示裝置40為一個獨立的封裝體，因此當其中一個微型發光二極體顯示裝置40壞掉時，可輕易地辨識出壞掉的微型發光二極體顯示裝置40並拔除壞掉的微型發光二極體顯示裝置40。如此一來，可將另一個良好的微型發光二極體顯示裝置40轉置至背板41上，且不會損壞背板41上的導電墊41L。
第8圖繪示本揭露的一些實施方式的微型發光二極體顯示裝置50的橫截面視圖。微型發光二極體顯示裝置50包含載板500、第一發光單元520、第一透明基板512、分色濾光層550、第二發光單元530、第二透明基板514、色阻層560與第三發光單元540、第一堤岸結構572、第二堤岸結構574、第一吸光層582、第二吸光層584、導電墊590、導電材料CM1與導電材料CM3。第一發光單元520包含晶片522與波長轉換層524，第二發光單元530包含晶片532與波長轉換層534，且第三發光單元540包含晶片542。第一透明基板512上具有導線層512L與514M，且第二透明基板514上具有導線層514L。微型發光二極體顯示裝置50的結構與微型發光二極體顯示裝置40的結構類似，差別在於微型發光二極體顯示裝置50包含第一吸光層582與第二吸光層584。第一吸光層582在第一透明基板512與第二堤岸結構574之間。第一吸光層582具有寬度W1，第二吸光層584具有寬度W2，且第二吸光層的寬度W2比第一吸光層的寬度W1還寬，藉此吸收穿過第二透明基板514或第二堤岸結構574的光。第一吸光層582與第二吸光層584的細節與微型發光二極體顯示裝置20的第一吸光層282與第二吸光層284類似，因此在此不再贅述。
綜上所述，本揭露的一些實施方式可將發出不同顏色的發光單元沿垂直方向上堆疊，因此可使得每個像素單元所佔的面積變小。此外，每個像素單元中，圍繞不同發光單元的堤岸結構也為垂直排列。因此，堤岸結構不會在水平方向上佔有太多的面積，且堤岸結構可形成以具有足夠厚度來防止發光單元的光進入至相鄰的另一個發光單元。如此一來，便能夠提高像素單元的色純度，且同時增加每個顯示裝置的像素密度。
雖然本揭露已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本揭露的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10、20、30、40、50:微型發光二極體顯示裝置 100、200、300、400、500:載板 100L、112L、114L、212L、214L、312L、314L、400L、412L、414L、414M、512L、514L、514M:導線層 101A:基板 101B:緩衝層 102:主動元件 103:閘極 104:閘極介電層 105:通道層 106:介電層 107:源極/汲極電極 108:絕緣層 112、212、312、412、512:第一透明基板 114、214、314、414、514:第二透明基板 120、220、320、420、520:第一發光單元 122、132、142、222、232、242、322、332、342、422、432、442、522、532、542:晶片 124、134、224、234、424、434、524、534:波長轉換層 130、230、330、430、530:第二發光單元 140、240、340、440、540:第三發光單元 150、250、350、450、550:分色濾光層 160、260、360、460、560:色阻層 172、272、372、472、572:第一堤岸結構 174、274、374、474、574:第二堤岸結構 180、380、480:吸光層 282、582:第一吸光層 284、584:第二吸光層 324、334:膠材 41:背板 41L:導電墊 490、590:導電墊 A-A:線 B-B:線 C-C:線 CM1、CM2、CM3:導電材料 D-D:線 H1:高度 H2:高度 L1:第一色光 L2:第二色光 L3:第三色光 T1:厚度 T2:厚度 W1:寬度 W2:寬度
第1A圖繪示本揭露的一些實施方式的顯示裝置的橫截面視圖，第1B圖繪示本揭露的一些實施方式的顯示裝置的上視圖。 第2圖繪示本揭露的一些實施方式的載板與第一發光單元的橫截面示圖。 第3A圖至第3C圖繪示第一色光、第二色光與第三色光在顯示裝置中行進的路線示意圖。 第4A圖繪示本揭露的一些實施方式的顯示裝置的橫截面視圖，第4B圖繪示本揭露的一些實施方式的顯示裝置的上視圖。 第5A圖繪示本揭露的一些實施方式的顯示裝置的橫截面視圖，第5B圖繪示本揭露的一些實施方式的顯示裝置的上視圖。 第6A圖繪示本揭露的一些實施方式的顯示裝置的橫截面視圖，第6B圖繪示本揭露的一些實施方式的顯示裝置的上視圖。 第7圖繪示本揭露一些實施方式中，顯示裝置轉置於背板上的示意圖。 第8圖繪示本揭露的一些實施方式的顯示裝置的橫截面視圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
10:微型發光二極體顯示裝置
100:載板
112:第一透明基板
112L:導線層
114:第二透明基板
114L:導線層
120:第一發光單元
122:晶片
124:波長轉換層
130:第二發光單元
132:晶片
134:波長轉換層
140:第三發光單元
142:晶片
150:分色濾光層
160:色阻層
172:第一堤岸結構
174:第二堤岸結構
180:吸光層

Claims (10)

  1. 一種微型發光二極體顯示裝置，包含：一載板；一第一發光單元，在該載板上，該第一發光單元配置用以發出一第一色光；一第一透明基板，在該第一發光單元上；一第二發光單元，在該第一透明基板上，該第二發光單元配置用以發出一第二色光；一分色濾光層，在該第一發光單元與該第一透明基板之間，該分色濾光層配置用以使該第一色光通過，並阻擋該第二色光；一第二透明基板，在該第二發光單元上；一第三發光單元，在該第二透明基板上，該第三發光單元配置用以發出一第三色光，且該第三色光與該第一色光及該第二色光不同，且該分色濾光層配置用以阻擋該第三色光；以及一色阻層，在該第二發光單元上，該色阻層配置用以使該第一色光與該第二色光通過，並吸收該第三色光。
  2. 如請求項1所述之微型發光二極體顯示裝置，其中該第一發光單元包含：一晶片，在該載板上，且配置用以發出一第三色光；以及一波長轉換層，覆蓋該晶片，且配置用以將該晶片發出的該第三色光轉成該第一色光。
  3. 如請求項1所述之微型發光二極體顯示裝置，其中該第一發光單元包含：一晶片，在該載板上，該晶片配置用以發出該第一色光。
  4. 如請求項1所述之微型發光二極體顯示裝置，其中該第二發光單元包含：一晶片，在該第一透明基板上，且配置用以發出一第三色光；以及一波長轉換層，覆蓋該晶片，且配置用以將該晶片的發出的該第三色光轉成該第二色光。
  5. 如請求項1所述之微型發光二極體顯示裝置，其中該第二發光單元包含：一晶片，在該第一透明基板上，該晶片配置用以發出該第二色光。
  6. 如請求項1所述之微型發光二極體顯示裝置，更包含：一第一堤岸結構，圍繞該第一發光單元與該分色濾光層；以及一第二堤岸結構，圍繞該第二發光單元與該色阻層。
  7. 如請求項6所述之微型發光二極體顯示裝置， 更包含：一第一吸光層，在該第一透明基板與該第二堤岸結構之間；以及一第二吸光層，在該第二透明基板上並圍繞該第三發光單元，該第二吸光層的寬度比該第一吸光層的寬度還寬。
  8. 如請求項1所述之微型發光二極體顯示裝置，其中該第二透明基板更圍繞該第二發光單元，且該第一透明基板更圍繞該第一發光單元。
  9. 一種微型發光二極體顯示裝置，包含：一載板；一第一發光單元，在該載板上，該第一發光單元配置用以發出一第一色光；一第一透明基板，在該第一發光單元上；一第二發光單元，在該第一透明基板上，該第二發光單元配置用以發出一第二色光；以及一分色濾光層，在該第一發光單元與該第一透明基板之間，該分色濾光層配置用以使該第一色光通過，並阻擋該第二色光，一第二透明基板，在該第二發光單元上；一第三發光單元，在該第二透明基板上，該第三發光單元配置用以發出一第三色光，該第三色光與該第一色光及該第二色光不同，且該分色濾光層配置用以阻擋該第三色 光；一色阻層，在該第二發光單元與該第三發光單元之間，該色阻層配置用以使該第一色光與該第二色光通過，並吸收該第三色光，其中該第一發光單元包含：一第一晶片，在該載板上，該晶片配置用以發出該第一色光；以及一膠材，在該晶片與該分色濾光層之間。
  10. 如請求項9所述之微型發光二極體顯示裝置，其中該第二發光單元包含：一第二晶片，在該第一透明基板上，該晶片配置用以發出該第二色光。
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