TWI818626B - 中子捕獲治療系統 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種中子捕獲治療系統,能夠降低射束傳輸部與中子束生成部產生中子束過程中生成的反沖中子作用造成的二次輻射及輻射損傷。本發明的中子捕獲治療系統,包括加速器、射束傳輸部、中子束生成部,加速器對帶電粒子進行加速產生帶電粒子束,射束傳輸部將加速器產生的帶電粒子束傳輸至中子束生成部,中子束生成部產生治療用中子束,中子捕獲治療系統包括用於射束傳輸部的束流傳輸屏蔽組件。
Description
本發明涉及一種輻射線照射系統,尤其涉及一種中子捕獲治療系統。
隨著原子科學的發展,例如鈷六十、直線加速器、電子射束等放射線治療已成為癌症治療的主要手段之一。然而傳統光子或電子治療受到放射線本身物理條件的限制,在殺死腫瘤細胞的同時,也會對射束途徑上大量的正常組織造成傷害;另外由於腫瘤細胞對放射線敏感程度的不同,傳統放射治療對於較具抗輻射性的惡性腫瘤(如:多行性膠質母細胞瘤(glioblastoma multiforme)、黑色素細胞瘤(melanoma))的治療成效往往不佳。
為了減少腫瘤周邊正常組織的輻射傷害,化學治療(chemotherapy)中的標靶治療概念便被應用於放射線治療中;而針對高抗輻射性的腫瘤細胞,目前也積極發展具有高相對生物效應(relative biological effectiveness, RBE)的輻射源,如質子治療、重粒子治療、中子捕獲治療等。其中,中子捕獲治療便是結合上述兩種概念,如硼中子捕獲治療,借由含硼藥物在腫瘤細胞的特異性集聚,配合精准的中子射束調控,提供比傳統放射線更好的癌症治療選擇。
在加速器硼中子捕獲治療中,加速器硼中子捕獲治療透過加速器將質子束加速,質子束加速至足以克服靶材原子核庫倫斥力的能量,與靶材發生核反應以產生中子,因此在產生中子的過程中靶材會受到非常高能量等級的加速質子束的照射,靶材的溫度會大幅上升,同時靶材的金屬部分容易起泡,從而影響靶材的使用壽命。
因此,有必要提出一種新的技術方案以解決上述問題。
為了解決上述問題,本發明一方面提供了一種中子捕獲治療系統,包括加速器、射束傳輸部、中子束生成部,所述加速器對帶電粒子進行加速產生帶電粒子束,所述射束傳輸部將所述加速器產生的帶電粒子束傳輸至所述中子束生成部,所述中子束生成部產生治療用中子束,所述中子捕獲治療系統包括用於所述射束傳輸部的束流傳輸屏蔽組件。束流傳輸屏蔽組件能夠降低射束傳輸部與中子束生成部產生中子束過程中生成的反沖中子作用造成的二次輻射及輻射損傷。
作為一種優選地,所述束流傳輸屏蔽組件的材料為含硼的PE。
作為一種優選地,所述束流傳輸屏蔽組件至少部分為可移動或可拆卸的。
作為一種優選地,所述射束傳輸部包括對所述帶電粒子束進行加速或傳輸的傳輸管,所述束流傳輸屏蔽組件包括包圍所述傳輸管的第一屏蔽件。第一屏蔽件可以為包圍傳輸管的環形屏蔽套。
作為一種優選地,所述射束傳輸部包括對所述帶電粒子束進行加速或傳輸的傳輸管和設置在所述傳輸管上並用於調整所述帶電粒子束的射束調整部,所述束流傳輸屏蔽組件包括設置在所述傳輸管上的第二屏蔽件,所述第二屏蔽件位於所述射束調整部沿所述帶電粒子束的傳輸方向的下游側。第二屏蔽件可以為板面垂直於帶電粒子束的傳輸方向的屏蔽板。
進一步地,所述束流傳輸屏蔽組件包括沿所述帶電粒子束的傳輸方向設置在所述傳輸管兩側的第三屏蔽件,第三屏蔽件可以為平行於帶電粒子束的傳輸的方向設置在傳輸管兩側的屏蔽板。更進一步地,所述第二、第三屏蔽件連接在一起並至少部分包圍所述射束調整部及所述傳輸管,起到更好的屏蔽效果。
進一步地,所述射束調整部包括用於調整所述帶電粒子束的軸的X-Y磁鐵或用於抑制帶電粒子束的發散的四極磁鐵或用於帶電粒子束的整形的四向切割磁鐵或帶電粒子束掃描磁鐵,所述第二屏蔽件包括至少一個沿所述帶電粒子束的傳輸方向位於所述磁鐵的下游側的屏蔽板。
作為一種優選地,所述中子捕獲治療系統包括照射室和帶電粒子束生成室,被照射體在所述照射室中進行所述中子束照射的治療,所述帶電粒子束生成室容納所述加速器及至少部分所述射束傳輸部,所述束流傳輸屏蔽組件設置在所述帶電粒子束生成室內。
進一步地,所述射束傳輸部包括與所述加速器連接第一傳輸部、切換所述帶電粒子束的行進方向的射束方向切換器、將所述帶電粒子束從所述射束方向切換器傳輸到所述中子束生成部的第二傳輸部,所述帶電粒子束生成室包括加速器室和射束傳輸室,所述第一傳輸部從所述加速器室延伸到所述射束傳輸室,所述第二傳輸部從所述射束傳輸室延伸到所述中子束生成部,所述中子束生成部至少部分設置在所述射束傳輸室和所述照射室的分隔壁內,所述束流傳輸屏蔽組件設置在所述射束傳輸室內。
更進一步地,所述束流傳輸屏蔽組件包括包圍所述射束方向切換器的屏蔽罩。
更進一步地,所述射束傳輸部還包括射束收集器,所述射束方向切換器可選擇地將所述帶電粒子束傳輸到所述中子束生成部或所述射束收集器,所述束流傳輸屏蔽組件包括設置在所述射束收集器的端部的第一屏蔽板或設置在所述射束收集器的頂部的屏蔽蓋或包圍所述射束收集器的屏蔽套。更進一步地,所述第一、第二傳輸部包括對所述帶電粒子束進行加速或傳輸的傳輸管和設置在所述傳輸管上並用於調整所述帶電粒子束的射束調整部,所述束流傳輸屏蔽組件包括分別設置在所述第一、第二傳輸部的傳輸管上且板面垂直於所述帶電粒子束的傳輸方向的第二屏蔽板,所述第二屏蔽板位於所述射束調整部在所述帶電粒子束的傳輸方向的下游側,所述束流傳輸屏蔽組件還包括沿所述帶電粒子束的傳輸方向設置在所述第一、第二傳輸部兩側的第三屏蔽板,至少部分所述第二屏蔽板和所述第一、第三屏蔽板連接在一起並與所述加速器室和所述射束傳輸室的分隔壁形成閉合,將閉合空間內的射束傳輸部整體進行屏蔽。
作為一種優選地,所述束流傳輸屏蔽組件還包括便攜屏蔽板。
作為一種優選地,所述射束傳輸部包括傳輸輔助裝置,所述傳輸輔助裝置包括但不限於真空泵、冷卻介質控制機構、氬氣控制機構;所述束流傳輸屏蔽組件包括至少部分包圍或覆蓋所述傳輸輔助裝置的第四屏蔽件。
本發明的中子捕獲治療系統,設置束流傳輸屏蔽組件能夠降低射束傳輸部與中子束生成部產生中子束過程中生成的反沖中子作用造成的二次輻射及輻射損傷。
下面結合附圖對本發明的實施例做進一步的詳細說明,以令本領域技術人員參照說明書文字能夠據以實施。
參閱圖1,本實施例中的中子捕獲治療系統優選為硼中子捕獲治療系統100,硼中子捕獲治療系統100是利用硼中子捕獲療法進行癌症治療的裝置。硼中子捕獲療法透過對注射有硼(B-10)的患者200照射中子束N來進行癌症治療,患者200服用或注射含硼(B-10)藥物後,含硼藥物選擇性地聚集在腫瘤細胞M中,然後利用含硼(B-10)藥物對熱中子具有高捕獲截面的特性,借由10B(n,α) 7Li 中子捕獲及核分裂反應產生4He 和7Li 兩個重荷電粒子。兩荷電粒子的平均能量約為2.33MeV,具有高線性轉移(Linear Energy Transfer, LET)、短射程特徵,α粒子的線性能量轉移與射程分別為150keV/μm、8μm,而7Li 重荷粒子則為175keV/μm、5μm,兩粒子的總射程約相當於一個細胞大小,因此對於生物體造成的輻射傷害能局限在細胞層級,便能在不對正常組織造成太大傷害的前提下,達到局部殺死腫瘤細胞的目的。
硼中子捕獲治療系統100包括加速器10、射束傳輸部20、中子束生成部30和治療台40。加速器10對帶電粒子(如質子、氘核等)進行加速,產生如質子束的帶電粒子束P;射束傳輸部20,將加速器10產生的帶電粒子束P傳輸至中子束生成部30;中子束生成部30產生治療用中子束N並照射向治療台40上的患者200。
中子束生成部30包括靶材T、射束整形體31、準直器32,加速器10產生的帶電粒子束P經射束傳輸部20照射到靶材T並與靶材T作用產生中子,產生的中子依次通過射束整形體31和準直器32形成治療用中子束N並照射向治療台40上的患者200。靶材T優選為金屬靶材。依據所需的中子產率與能量、可提供的加速帶電粒子能量與電流大小、金屬靶材的物化性等特性來挑選合適的核反應,常被討論的核反應有7Li(p,n)7Be及9Be(p,n)9B,這兩種反應皆為吸熱反應。兩種核反應的能量閥值分別為1.881MeV和2.055MeV,由於硼中子捕獲治療的理想中子源為keV能量等級的超熱中子,理論上若使用能量僅稍高於閥值的質子轟擊金屬鋰靶材,可產生相對低能的中子,不需太多的緩速處理便可用於臨床,然而鋰金屬(Li)和鈹金屬(Be)兩種靶材與閥值能量的質子作用截面不高,為產生足夠大的中子通量,通常選用較高能量的質子來引發核反應。理想的靶材應具備高中子產率、產生的中子能量分佈接近超熱中子能區(將在下文詳細描述)、無太多強穿輻射產生、安全便宜易於操作且耐高溫等特性,但實際上並無法找到符合所有要求的核反應。本領域技術人員熟知的,靶材T也可以由Li、Be之外的金屬材料製成,例如由Ta或W及其合金等形成。加速器10可以是直線加速器、回旋加速器、同步加速器、同步回旋加速器。
射束整形體31能夠調整帶電粒子束P與靶材T作用產生的中子束N的射束品質,準直器32用以匯聚中子束N,使中子束N在進行治療的過程中具有較高的靶向性。射束整形體31進一步包括反射體311、緩速體312、熱中子吸收體313、輻射屏蔽體314和射束出口315,帶電粒子束P與靶材T作用生成的中子由於能譜很廣,除了超熱中子滿足治療需要以外,需要盡可能的減少其他種類的中子及光子含量以避免對操作人員或患者造成傷害,因此從靶材T出來的中子需要經過緩速體312將其中的快中子能量(>40keV)調整到超熱中子能區(0.5eV-40keV)並盡可能減少熱中子(<0.5eV),緩速體312由與快中子作用截面大、超熱中子作用截面小的材料製成,本實施例中,緩速體312由D2O、AlF3、FluentalTM、CaF2、Li2CO3、MgF2和Al2O3中的至少一種製成;反射體311包圍緩速體312,並將穿過緩速體312向四周擴散的中子反射回中子射束N以提高中子的利用率,由具有中子反射能力強的材料製成,本實施例中,反射體311由Pb或Ni中的至少一種製成;緩速體312後部有一個熱中子吸收體313,由與熱中子作用截面大的材料製成,本實施例中,熱中子吸收體313由Li-6製成,熱中子吸收體313用於吸收穿過緩速體312的熱中子以減少中子束N中熱中子的含量,避免治療時與淺層正常組織造成過多劑量,可以理解,熱中子吸收體也可以是和緩速體一體的,緩速體的材料中含有Li-6;輻射屏蔽體314用於屏蔽從射束出口315以外部分滲漏的中子和光子,輻射屏蔽體314的材料包括光子屏蔽材料和中子屏蔽材料中的至少一種,本實施例中,輻射屏蔽體314的材料包括光子屏蔽材料鉛(Pb)和中子屏蔽材料聚乙烯(PE)。可以理解,射束整形體31還可以有其他的構造,只要能夠獲得治療所需超熱中子束即可。準直器32設置在射束出口315後部,從準直器32出來的超熱中子束向患者200照射,經淺層正常組織後被緩速為熱中子到達腫瘤細胞M,可以理解,準直器32也可以取消或由其他結構代替,中子束從射束出口315出來直接向患者200照射。本實施例中,患者200和射束出口315之間還設置了輻射屏蔽裝置50,屏蔽從射束出口315出來的射束對患者正常組織的輻射,可以理解,也可以不設置輻射屏蔽裝置50。
靶材T設置在射束傳輸部20和射束整形體31之間,射束傳輸部20具有對帶電粒子束P進行加速或傳輸的傳輸管C,本實施例中,傳輸管C沿帶電粒子束P方向伸入射束整形體31,並依次穿過反射體311和緩速體312,靶材T設置在緩速體312內並位於傳輸管C的端部,以得到較好的中子射束品質。可以理解,靶材可以有其他的設置方式,還可以相對加速器或射束整形體是可運動的,以方便換靶或使帶電粒子束與靶材均勻作用。
硼中子捕獲治療系統100整體容納在混凝土構造的建築物中,包括照射室101和帶電粒子束生成室102,治療台40上的患者200在照射室101中進行中子束N照射的治療,帶電粒子束生成室102容納加速器10及至少部分射束傳輸部20。結合圖2,射束傳輸部20包括:第一傳輸部21,與加速器10連接;射束方向切換器22,切換帶電粒子束P的行進方向;第二傳輸部23,將帶電粒子束P從射束方向切換器22傳輸到中子束生成部30,生成的中子束N照射向照射室101內的患者200。射束傳輸部20還可以包括射束收集器24,在不需要射束時收集射束或在治療前進行帶電粒子束P的輸出確認等,射束方向切換器22能夠使帶電粒子束P 脫離正規軌道而引向射束收集器24,射束方向切換器22可選擇地將帶電粒子束P傳輸到中子束生成部30或所述射束收集器24。
帶電粒子束生成室102可以包括加速器室1021和射束傳輸室1022,第一傳輸部21從加速器室1021延伸到射束傳輸室1022,第二傳輸部23從射束傳輸室1022延伸到中子束生成部30,中子束生成部30至少部分設置在射束傳輸室1022和照射室101的分隔壁W1內。射束收集器24設置在射束傳輸室1022內,可以理解,也可以設置在其他位置,如混凝土壁內。
射束方向切換器22可以包括使帶電粒子束P方向偏轉的偏轉電磁鐵及控制帶電粒子束P行進方向的開關電磁鐵。 第一傳輸部21、第二傳輸部23由傳輸管C構造,還可以分別包括設置在傳輸管C上並用於調整帶電粒子束P的射束調整部25,射束調整部25包括用於調整帶電粒子束P的軸的X-Y磁鐵251、用於抑制帶電粒子束P的發散的四極磁鐵252、以及用於帶電粒子束P的整形的四向切割磁鐵253(圖未示)等。第二傳輸部23的射束調整部25還可根據需要包括帶電粒子束掃描磁鐵254,掃描帶電粒子束P,進行帶電粒子束P 相對於靶T的照射控制,如控制帶電粒子束P相對於靶T的照射位置。
由於中子捕獲治療過程中會產生大量的中子,尤其是產生中子的靶材T附近,需儘量避免中子的洩漏。一實施例中,形成至少部分空間(如射束傳輸室1022、照射室101)的混凝土為添加了中子屏蔽材料的混凝土,如含硼重晶石混凝土,以形成中子屏蔽空間。另一實施例中,室內(如射束傳輸室1022、照射室101的天花板、地板、牆壁)混凝土表面設置中子屏蔽板(圖未示),如含硼的PE板,以形成中子屏蔽空間。同時,帶電粒子束P與靶材T作用產生的中子的出射方向在空間中幾乎均有分佈,射束整形體31對中子“整形”過程中,會產生大量的反沖中子,這部分反沖中子是輻射屏蔽設計中需重點考慮的部分,反沖中子在射束傳輸室1022的射束傳輸部20周圍較為集中,而射束傳輸部20(如傳輸管C及設置在傳輸管C上的磁鐵)的材料一般含有鋼,被中子照射後會產生半衰期較長的放射性同位素造成二次輻射,因此,設置用於射束傳輸部20的束流傳輸屏蔽組件60,降低射束傳輸部20與中子束生成部30產生中子束過程中生成的反沖中子作用造成的二次輻射及輻射損傷。
束流傳輸屏蔽組件60設置在射束傳輸室1022內,包括磁鐵屏蔽件61和傳輸管屏蔽件62。磁鐵屏蔽件61設置在傳輸管C上,且沿帶電粒子束P的傳輸方向位於射束調整部25的下游側;一實施例中,磁鐵屏蔽件61為板面垂直於帶電粒子束P的傳輸方向的屏蔽板,可以為每個磁鐵設置1個屏蔽板,也可以在每個傳輸管C的帶電粒子束P的傳輸方向的最下游的磁鐵下游側設置1個屏蔽板,磁鐵屏蔽件61的材料為含硼的PE。本實施例中,第一傳輸部21的射束調整部25包括1個X-Y磁鐵251和2個四極磁鐵252,第二傳輸部23的射束調整部25包括2個四極磁鐵252和1個帶電粒子束掃描磁鐵254,磁鐵屏蔽件61包括在第一傳輸部21的X-Y磁鐵251和射束方向切換器22之間的傳輸管C上設置的屏蔽板611、在第二傳輸部23的每兩個磁鐵之間設置的屏蔽板612、613、在第二傳輸部23的帶電粒子束掃描磁鐵254和中子束生成部30之間設置的屏蔽板614,由於第二傳輸部23距離中子束生成部30距離較近,因此,設置了更多的磁鐵屏蔽件61。
傳輸管屏蔽件62為包圍傳輸管C的環形屏蔽套621(如圖3所示)或平行於帶電粒子束P的傳輸的方向設置在傳輸管C兩側的屏蔽板622、623,為降低成本,傳輸管屏蔽件62的材料可以為不含硼的PE。當傳輸管屏蔽件62為平行於帶電粒子束P的傳輸的方向設置在傳輸管C兩側的屏蔽板622、623時,傳輸管屏蔽件62同時為磁鐵及射束傳輸部20上的其他部件提供附加屏蔽,一實施例中,至少部分磁鐵屏蔽件61與傳輸管屏蔽件62可以連接在一起並至少部分包圍射束調整部25及傳輸管C,起到更好的屏蔽效果。
束流傳輸屏蔽組件60還包括設置在射束收集器24的端部的屏蔽板63,屏蔽板63至少部分包圍射束收集器24與射束方向切換器22相連的一端的相反端,屏蔽板63的橫截面形狀可以是]形或折線形。當傳輸管屏蔽件62為平行於帶電粒子束P的傳輸的方向設置在傳輸管C兩側的屏蔽板622、623時,一實施例中,至少部分磁鐵屏蔽件61、傳輸管屏蔽件62、屏蔽板63連在一起並與加速器室1021和射束傳輸室1022的分隔壁W2形成閉合,將閉合空間內的射束傳輸部20整體進行屏蔽。本實施例中,設置在傳輸管C一側的屏蔽板622、設置在射束收集器24的端部的屏蔽板63、第二傳輸部23的帶電粒子束掃描磁鐵254和中子束生成部30之間設置的屏蔽板614、設置在傳輸管C另一側的屏蔽板623、加速器室1021和射束傳輸室1022的分隔壁W2依次連接形成閉合,第一傳輸部21的X-Y磁鐵251和射束方向切換器22之間設置的屏蔽板611分別與設置在傳輸管C兩側的屏蔽板622、623連接。由於射束收集器24含鋼材的質量較大,為進一步降低二次輻射,還可以在射束收集器24的頂部設置屏蔽蓋(圖未示),也可以在射束收集器24外周設置屏蔽套(圖未示)將射束收集器24包圍。
射束方向切換器22也可以由屏蔽罩64包圍,防止射束方向切換器22與反沖中子作用產生二次輻射,屏蔽罩64的材料可以為含硼的PE。
束流傳輸屏蔽組件60還可以包括便攜屏蔽板65(圖未示),由操作者攜帶隨之一起移動,用於操作者進入射束傳輸室1022進行靶材更換等,便攜屏蔽板65可以進一步降低射束傳輸部20產生的二次輻射對操作者造成的輻射損傷,便攜屏蔽板65的材料為鉛,可以理解,也可以為其他光子屏蔽材料,還可以包括中子屏蔽材料。
射束傳輸部20包括傳輸輔助裝置,束流傳輸屏蔽組件60還可以包括至少部分包圍或覆蓋傳輸輔助裝置的輔助屏蔽件66,在本實施例中輔助屏蔽件66為包圍傳輸輔助裝置的屏蔽盒,也可以為覆蓋或包圍傳輸輔助裝置的屏蔽罩或屏蔽套。其中,傳輸輔助裝置包括但不限於用於抽真空的第一真空泵71及第二真空泵72、控制冷卻介質的啟閉和流量的控制機構73(具體可以是配水箱)、用於控制氬氣的啟閉和流量的控制機構74(具體可以是氬氣箱)。輔助屏蔽件66的材料可以為含硼聚乙烯,也可以是其他中子屏蔽材料,還可以包括光子屏蔽材料。
中子束生成部30可以有一個或多個,以生成一個或多個治療用中子束N,射束傳輸部20相應的包括向多個中子束生成部30傳輸帶電粒子束P的傳輸部,同時,可以為每個傳輸部設置同樣的束流傳輸屏蔽組件60。
硼中子捕獲治療系統100還可以包括準備室、控制室和其他用於輔助治療的空間。
可以理解,本實施例中的混凝土、分隔壁、屏蔽板、屏蔽蓋、屏蔽套、屏蔽罩、屏蔽盒的材料均可以替換為其他中子屏蔽材料,還可以包括光子屏蔽材料;屏蔽板、屏蔽蓋、屏蔽套、屏蔽罩、屏蔽盒可以透過鋁型材進行安裝,鋁被中子活化後產生的放射性同位素半衰期較短,可以理解,也可以為其他材料;屏蔽板、屏蔽蓋、屏蔽套、屏蔽罩、屏蔽盒還可以至少部分為可移動或可拆卸的,方便設備維護。
儘管上面對本發明說明性的具體實施方式進行了描述,以便於本技術領域的技術人員理解本發明,但應該清楚,本發明不限於具體實施方式的範圍,對本技術領域的普通技術人員來講,只要各種變化在所附的申請專利範圍限定和確定的本發明的精神和範圍內,這些變化是顯而易見的,都在本發明要求保護的範圍之內。
100:硼中子捕獲治療系統
101:照射室
102:帶電粒子束生成室
1021:加速器室
1022:射束傳輸室
200:患者
10:加速器
20:射束傳輸部
21:第一傳輸部
22:射束方向切換器
23:第二傳輸部
24:射束收集器
25:射束調整部
251:X-Y磁鐵
252:四極磁鐵
254:帶電粒子束掃描磁鐵
30:中子束生成部
31:射束整形體
311:反射體
312:緩速體
313:熱中子吸收體
314:輻射屏蔽體
315:射束出口
32:準直器
40:治療台
50:輻射屏蔽裝置
60:束流傳輸屏蔽組件
61:磁鐵屏蔽件
611、612、613、614:屏蔽板
62:傳輸管屏蔽件
621:環形屏蔽套
622、623:屏蔽板
63:屏蔽板
64:屏蔽罩
65:便攜屏蔽板
66:輔助屏蔽件
71:第一真空泵
72:第二真空泵
73、74:控制機構
C:傳輸管
N:中子束
M:腫瘤細胞
P:帶電粒子束
T:靶材
W1、W2:分隔壁
圖1為本發明實施例中的中子捕獲治療系統結構示意圖;
圖2為本發明實施例中的中子捕獲治療系統的佈局示意圖;
圖3為本發明實施例中的中子捕獲治療系統的傳輸管屏蔽件的一實施例的示意圖。
100:硼中子捕獲治療系統
101:照射室
102:帶電粒子束生成室
200:患者
10:加速器
20:射束傳輸部
30:中子束生成部
31:射束整形體
311:反射體
312:緩速體
313:熱中子吸收體
314:輻射屏蔽體
315:射束出口
32:準直器
40:治療台
50:輻射屏蔽裝置
C:傳輸管
N:中子束
M:腫瘤細胞
P:帶電粒子束
T:靶材
W1:分隔壁
Claims (10)
- 一種中子捕獲治療系統,包括加速器、射束傳輸部、中子束生成部,所述加速器對帶電粒子進行加速產生帶電粒子束,所述射束傳輸部將所述加速器產生的帶電粒子束傳輸至所述中子束生成部,所述中子束生成部產生治療用中子束,其中,所述中子捕獲治療系統包括用於所述射束傳輸部的束流傳輸屏蔽組件。
- 如請求項1所述的中子捕獲治療系統,其中,所述射束傳輸部包括對所述帶電粒子束進行加速或傳輸的傳輸管,所述束流傳輸屏蔽組件包括包圍所述傳輸管的第一屏蔽件。
- 如請求項1所述的中子捕獲治療系統,其中,所述射束傳輸部包括對所述帶電粒子束進行加速或傳輸的傳輸管和設置在所述傳輸管上並用於調整所述帶電粒子束的射束調整部,所述束流傳輸屏蔽組件包括設置在所述傳輸管上的第二屏蔽件,所述第二屏蔽件位於所述射束調整部沿所述帶電粒子束的傳輸方向的下游側。
- 如請求項3所述的中子捕獲治療系統,其中,所述束流傳輸屏蔽組件包括沿所述帶電粒子束的傳輸方向設置在所述傳輸管兩側的第三屏蔽件,所述第二、第三屏蔽件連接在一起並至少部分包圍所述射束調整部及所述傳輸管。
- 如請求項3所述的中子捕獲治療系統,其中,所述射束調整部包括用於調整所述帶電粒子束的軸的X-Y磁鐵或用於抑制帶電粒子束的發散的四極磁鐵或用於帶電粒子束的整形的四向切割磁鐵或帶電粒子束掃描磁鐵,所述第二屏蔽件包括至少一個沿所述帶電粒子束的傳輸方向位於所述磁鐵的下游側的屏蔽板。
- 如請求項1所述的中子捕獲治療系統,其中,所述中子捕獲治療系統包括照射室和帶電粒子束生成室,被照射體在所述照射室中進行所述中子束照射的治療,所述帶電粒子束生成室容納所述加速器及至少部分所述射束傳輸部,所述束流傳輸屏蔽組件設置在所述帶電粒子束生成室內。
- 如請求項6所述的中子捕獲治療系統,其中,所述射束傳輸部包括與所述加速器連接的第一傳輸部、切換所述帶電粒子束的行進方向的射束方向切換器、將所述帶電粒子束從所述射束方向切換器傳輸到所述中子束生成部的第二傳輸部;所述帶電粒子束生成室包括加速器室和射束傳輸室,所述第一傳輸部從所述加速器室延伸到所述射束傳輸室,所述第二傳輸部從所述射束傳輸室延伸到所述中子束生成部,所述中子束生成部至少部分設置在所述射束傳輸室和所述照射室的分隔壁內,所述束流傳輸屏蔽組件設置在所述射束傳輸室內。
- 如請求項7所述的中子捕獲治療系統,其中,所述束流傳輸屏蔽組件包括包圍所述射束方向切換器的屏蔽罩。
- 如請求項7所述的中子捕獲治療系統,其中,所述射束傳輸部還包括射束收集器,所述射束方向切換器可選擇地將所述帶電粒子束傳輸到所述中子束生成部或所述射束收集器,所述束流傳輸屏蔽組件包括設置在所述射束收集器的端部的第一屏蔽板或設置在所述射束收集器的頂部的屏蔽蓋或包圍所述射束收集器的屏蔽套。
- 如請求項1所述的中子捕獲治療系統,其中,所述射束傳輸部還包括傳輸輔助裝置,所述束流傳輸屏蔽組件包括至少部分包圍或覆蓋所述傳輸輔助裝置的第四屏蔽件。
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