TWI817639B - 磁性記憶裝置及磁性記憶裝置之製造方法 - Google Patents

磁性記憶裝置及磁性記憶裝置之製造方法 Download PDF

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TWI817639B
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Abstract

實施方式提供一種包含具有較高之電特性之記憶胞的磁性記憶裝置。 一實施方式之磁性記憶裝置包含實質上由非磁性之非氮材料構成之第1導電體。第1絕緣體覆蓋第1導電體之側面，且實質上由非氮材料構成。第2導電體位於第1導電體上，且實質上由非磁性之非氮材料構成。可變電阻材料位於第2導電體上。第3導電體位於可變電阻材料上，且實質上由非磁性之非氮材料構成。第1鐵磁性層位於第3導電體上。絕緣層位於第1鐵磁性層上。第2鐵磁性層位於絕緣層上。第4導電體位於第2鐵磁性層上，且實質上由非磁性之非氮材料構成。第2絕緣體覆蓋第1鐵磁性層之側面、絕緣層之側面、第2鐵磁性層之側面，且實質上由非氮材料構成。第3絕緣體位於第2絕緣體之表面上。

Description

磁性記憶裝置及磁性記憶裝置之製造方法
實施方式概括而言係關於一種磁性記憶裝置。
已知有一種磁性記憶裝置作為記憶裝置之一種。磁性記憶裝置使用包含發揮磁阻效應之元件之記憶胞來記憶資料。為了提昇磁性記憶裝置之特性，較理想為記憶胞具有較高之電特性。
本發明所欲解決之問題在於提供一種包含具有較高之電特性之記憶胞的磁性記憶裝置。
一實施方式之磁性記憶裝置包含：第1導電體、第1絕緣體、第2導電體、可變電阻材料、第3導電體、第1鐵磁性層、絕緣層、第2鐵磁性層、第4導電體、第2絕緣體及第3絕緣體。上述第1導電體實質上由非磁性之非氮材料構成。上述第1絕緣體覆蓋上述第1導電體之側面，且實質上由非氮材料構成。上述第2導電體位於上述第1導電體上，且實質上由非磁性之非氮材料構成。上述可變電阻材料位於上述第2導電體上。上述第3導電體位於上述可變電阻材料上，且實質上由非磁性之非氮材料構成。上述第1鐵磁性層位於上述第3導電體上。上述絕緣層位於上述第1鐵磁性層上。上述第2鐵磁性層位於上述絕緣層上。上述第4導電體位於上述第2鐵磁性層上，且實質上由非磁性之非氮材料構成。上述第2絕緣體覆蓋上述第1鐵磁性層之側面、上述絕緣層之側面、上述第2鐵磁性層之側面， 且實質上由非氮材料構成。上述第3絕緣體位於上述第2絕緣體之表面上。
1:磁性記憶裝置
1b:磁性記憶裝置
2:記憶體控制器
11:記憶胞陣列
11b:記憶胞陣列
12:輸入輸出電路
13:控制電路
14:列選擇電路
15:行選擇電路
16:寫入電路
17:讀出電路
21:導電體
22:導電體
22a:導電體
23:層間絕緣體
23a:層間絕緣體
24:下部電極
24a:下部電極
25:可變電阻材料
25a:可變電阻材料
26:中間電極
26a:中間電極
31:鐵磁性層
31a:鐵磁性層
32:絕緣層
32a:絕緣層
33:鐵磁性層
33a:鐵磁性層
35:硬罩
35a:硬罩
35a1:開口
41:側壁絕緣體
41b:側壁絕緣體
42:層間絕緣體
45:空間
51:導電體
52:空間
100:磁性記憶裝置
122:導電體
123:層間絕緣體
124:下部電極
126:中間電極
135:硬罩
BL:位元線
BL<0>,BL<1>,...,BL<N>:位元線
MC:記憶胞
MCA:記憶胞
MCA<0,0>:記憶胞
MCA<1,0>:記憶胞
MCA<M,0>:記憶胞
MCA<0,1>:記憶胞
MCA<1,1>:記憶胞
MCA<M,1>:記憶胞
MCA<0,N>:記憶胞
MCA<1,N>:記憶胞
MCA<M,N>:記憶胞
MCb:記憶胞
MCB:記憶胞
MCB<0,0>:記憶胞
MCB<1,0>:記憶胞
MCB<M,0>:記憶胞
MCB<0,1>:記憶胞
MCB<1,1>:記憶胞
MCB<M,1>:記憶胞
MCB<0,N>:記憶胞
MCB<1,N>:記憶胞
MCB<M,N>:記憶胞
MCR:記憶胞
MTJ:磁阻效應元件
MTJA:磁阻效應元件
MTJA<0,0>:磁阻效應元件
MTJB:磁阻效應元件
MTJB<0,0>:磁阻效應元件
SE:開關元件
SEA:開關元件
SEA<0,0>:開關元件
SEB:開關元件
SEB<0,0>:開關元件
TR:電晶體
WL:字元線
WLA<0>,WLA<1>,...,WLA<M>:字元線
WLB<0>,WLB<1>,...,WLB<M>:字元線
‾BL:位元線
圖1表示第1實施方式之磁性記憶裝置之功能區塊及相關要素。
圖2係第1實施方式之記憶胞陣列之電路圖。
圖3表示第1實施方式之記憶胞陣列之一部分之剖面構造。
圖4表示第1實施方式之記憶胞陣列之一部分之剖面構造。
圖5表示第1實施方式之記憶胞之構造之例的剖面。
圖6表示第1實施方式之磁性記憶裝置之一部分之製造步驟期間的一狀態。
圖7表示繼圖6之後之狀態。
圖8表示繼圖7之後之狀態。
圖9表示用於參考之磁性記憶裝置之記憶胞之構造的剖面。
圖10表示顯示出抑制MR(magneto-resistance，磁阻)比下降之實驗之結果。
圖11表示顯示出抑制MR比下降之實驗之結果。
圖12表示顯示出抑制MR比下降之實驗之結果。
圖13表示第2實施方式之磁性記憶裝置之功能區塊及相關要素。
圖14表示第2實施方式之記憶胞之電路構成。
圖15表示第2實施方式之記憶胞之構造之例的剖面。
圖16表示第2實施方式之磁性記憶裝置之一部分之製造步驟期間的一狀態。
以下，參考圖式對實施方式進行記述。於以下記述中，對具有大致相同之功能及構成之構成要素標註同一參考符號，且有時會省略重複說明。
圖式係模式性者，厚度與平面尺寸之關係、各層之厚度之比率等可能會與現實不同。圖式彼此之間亦可包括相互間之尺寸之關係或比例不同的部分。除非明確表示地或顯而易見地排除，否則關於某實施方式之記述全部亦適合作為其他實施方式之記述。各實施方式係例示用以將該實施方式之技術思想具體化之裝置或方法者，實施方式之技術思想並不將構成零件之材質、形狀、構造、配置等特定為下述者。
於本說明書及申請專利範圍中，所謂某第1要素「連接」於另一第2要素，包含如下情況：第1要素直接連接於第2要素，或者經由始終或選擇性地成為導電性之要素連接於第2要素。
以下，使用xyz正交座標系統，對實施方式進行記述。於以下記述中，所謂「下」之記述及其派生詞以及關聯詞係指z軸上更小之座標之位置，所謂「上」之記述及其派生詞以及關聯詞係指z軸上更大之座標之位置。
1.1.第1實施方式 1.1.構造(構成) 1.1.1.整體之構造
圖1表示第1實施方式之磁性記憶裝置之功能區塊。如圖1所示，磁性記憶裝置1藉由記憶體控制器2控制。磁性記憶裝置1係使用鐵磁性體來記憶資料之記憶裝置。磁性記憶裝置1包含：記憶胞陣列11、輸入輸出電路 12、控制電路13、列選擇電路14、行選擇電路15、寫入電路16、及讀出電路17。
記憶胞陣列11係複數個記憶胞MC之集合。記憶胞MC能夠不揮發地記憶資料。複數個字元線WL及複數個位元線BL位於記憶胞陣列11中。各記憶胞MC與一個字元線WL及一個位元線BL連接。字元線WL與列(row)建立有關聯。位元線BL與行(column)建立有關聯。藉由選擇1列及選擇1行，特定出1個記憶胞MC。
輸入輸出電路12係進行資料及信號之輸入輸出之電路。輸入輸出電路12自記憶體控制器2接收控制信號CNT、指令CMD、位址信號ADD、資料(寫入資料)DAT。輸入輸出電路12將資料(讀出資料)DAT發送至記憶體控制器2。
列選擇電路14自輸入輸出電路12接收位址信號ADD，使得與由所接收之位址信號ADD特定出之列建立有關聯之1個字元線WL成為被選擇之狀態。
行選擇電路15自輸入輸出電路12接收位址信號ADD，使得與由所接收之位址信號ADD特定出之行建立有關聯之1個或複數個位元線BL成為被選擇之狀態。
控制電路13自輸入輸出電路12接收控制信號CNT及指令CMD。控制電路13基於由控制信號CNT所指示之控制及指令CMD，控制寫入電路16及讀出電路17。具體而言，控制電路13於向記憶胞陣列11寫入資料之期間，將資料寫入所使用之電壓供給至寫入電路16。又，控制電路13於自記憶胞陣列11讀出資料之期間，將資料讀出所使用之電壓供給至讀出電路17。
寫入電路16自輸入輸出電路12接收寫入資料DAT，並基於控制電路13之控制及寫入資料DAT，將資料寫入所使用之電壓供給至行選擇電路15。
讀出電路17基於控制電路13之控制，利用資料讀出所使用之電壓，調出記憶胞MC中所保存之資料。所調出之資料作為讀出資料DAT，被供給至輸入輸出電路12。讀出電路17包含感測放大器。
1.1.2.記憶胞陣列之電路構成
圖2係第1實施方式之記憶胞陣列11之電路圖。如圖2所示，於記憶胞陣列11中設置M+1(M為自然數)個字元線WLA(WLA<0>、WLA<1>、...、WLA<M>)及M+1個字元線WLB(WLB<0>、WLB<1>、...、WLB<M>)。又，於記憶胞陣列11中設置有N+1(N為自然數)個位元線BL(BL<0>、BL<1>、...、BL<N>)。
各記憶胞MC(MCA及MCB)具有第1節點及第2節點。各記憶胞MC於第1節點處與1個字元線WL連接，於第2節點處與1個位元線BL連接。更具體而言，就α為0以上M以下之整數之所有情況、及β為0以上N以下之整數之所有情況之所有組合而言，記憶胞MCA包含記憶胞MCA<α,β>，記憶胞MCA<α,β>連接於字元線WLA<α>與位元線BL<β>之間。同樣地，就α為0以上M以下之整數之所有情況、及β為0以上N以下之整數之所有情況之所有組合而言，記憶胞MCB包含記憶胞MCB<α,β>，記憶胞MCB<α,β>連接於字元線WLB<α>與位元線BL<β>之間。
各記憶胞MC包含1個磁阻效應元件MTJ(MTJA或MTJB)及1個開關元件SE(SEA或SEB)。更具體而言，就α為0以上M以下之整數之 所有情況、及β為0以上N以下之整數之所有情況之所有組合而言，記憶胞MCA<α,β>包含磁阻效應元件MTJA<α,β>及開關元件SEA<α,β>。進而，就α為0以上M以下之所有情況、及β為0以上N以下之整數之所有情況之所有組合而言，記憶胞MCB<α,β>包含磁阻效應元件MTJB<α,β>及開關元件SEB<α,β>。
於各記憶胞MC中，磁阻效應元件MTJ與開關元件SE串聯連接。磁阻效應元件MTJ與1個字元線WL連接，開關元件SE與1個位元線BL連接。
磁阻效應元件MTJ可於低電阻之狀態與高電阻之狀態之間進行切換。磁阻效應元件MTJ可利用2種電阻狀態之不同，記憶1位元之資料。磁阻效應元件MTJ表現出穿隧磁阻效應，例如為包含磁穿隧接面(Magnetic Tunnel Junction；MTJ)之元件(MTJ元件)。以下之記述及圖式係基於磁阻效應元件MTJ為MTJ元件之例。
開關元件SE係用以選擇包含該開關元件SE之記憶胞MC之元件。開關元件SE可為如以下所記述之開關元件。開關元件具有2個端子，於將未達某第1閾值之電壓於某第1方向上施加至兩端子間之情形時，該開關元件為高電阻狀態，例如電性非導通狀態(斷開狀態)。另一方面，於將第1閾值以上之電壓於第1方向上施加至兩端子間之情形時，該開關元件為低電阻狀態，例如電性導通狀態(接通狀態)。進而，於與第1方向相反之第2方向上，開關元件亦具有與基於在此種第1方向上所施加之電壓之大小而於高電阻狀態及低電阻狀態之間進行切換之功能相同的功能。即，開關元件為雙向開關元件。藉由開關元件之接通或斷開，能夠控制有無向與該開關元件相連接之磁阻效應元件MTJ供給電流，即該磁阻效應元件 MTJ之選擇或非選擇。
1.1.3.記憶胞陣列之構造
圖3及圖4表示第1實施方式之記憶胞陣列11之一部分之剖面構造。圖3表示沿著xz面之剖面，圖4表示沿著yz面之剖面。
如圖3及圖4所示，於半導體基板(未圖示)之上方設置有複數個導電體21。導電體21沿著y軸延伸，並沿著x軸排列。各導電體21作為1個字元線WL發揮功能。
各導電體21於上表面與複數個記憶胞MCB各自之下表面連接。記憶胞MCB於xy面具有例如圓形狀。記憶胞MCB於各導電體21上沿著y軸排列，藉由此種配置，記憶胞MCB沿著xy面排列為矩陣狀。各記憶胞MCB包含作為開關元件SEB發揮功能之構造、及作為磁阻效應元件MTJB發揮功能之構造。如下所述，作為開關元件SEB發揮功能之構造、及作為磁阻效應元件MTJB發揮功能之構造分別包含1個或複數個層。
於記憶胞MCB之上方設置有複數個導電體22。導電體22沿著x軸延伸，並沿著y軸排列。各導電體22於下表面與沿著x軸排列之複數個記憶胞MCB各自之上表面接觸。各導電體22作為1個位元線BL發揮功能。
各導電體22於上表面與複數個記憶胞MCA各自之下表面連接。記憶胞MCA於xy面具有例如圓形狀。記憶胞MCA於各導電體22上沿著x軸排列，藉由此種配置，記憶胞MCA沿著xy面排列為矩陣狀。各記憶胞MCA包含作為開關元件SEA發揮功能之構造、及作為磁阻效應元件MTJA發揮功能之構造。如下所述，作為開關元件SEA發揮功能之構造、 及作為磁阻效應元件MTJA發揮功能之構造分別包含1個或複數個層。
於沿著y軸排列之複數個記憶胞MCA各自之上表面上，進而設置有導電體21。
1.1.4.記憶胞之構造
圖5表示第1實施方式之記憶胞之構造之例的剖面。圖5表示自導電體22所處之層至沿著z軸自該層向上一個之導電體21所處之層的構造。即，圖5中所示之記憶胞MC相當於記憶胞MCA。記憶胞MCB亦具有與記憶胞MCA相同之構造。關於參考圖5於以下記述之構成要素中之若干個構成要素之材料，將於下文進行記述。
如圖5所示，於未圖示之半導體基板之上方設置有層間絕緣體23。層間絕緣體23之上表面之至少一部分向內側彎曲。層間絕緣體23亦可包含複數個層。
於層間絕緣體23中設置有導電體22。導電體22上側之2個角向內側彎曲。導電體22亦可包含複數個子層。
記憶胞MC位於各導電體22之上表面上。各記憶胞MC包含下部電極24、可變電阻材料25、中間電極26、磁阻效應元件MTJ、及硬罩35。記憶胞MC亦可包含更多層。各記憶胞MC例如可具有圓錐台形狀。於記憶胞MC具有圓錐台形狀之情形時，記憶胞MC之與圖5中所示之剖面不同之剖面處之構造與示於圖5中並且於以下所記述之構造相同。
各下部電極24係包含導電體之電極。下部電極24位於1個導電體22之上表面上。下部電極24亦可包含複數個子層。
各可變電阻材料25係具有動態可變之大小之電阻的材料。 可變電阻材料25位於1個下部電極24之上表面上。可變電阻材料25作為一個開關元件SE發揮功能。可變電阻材料25例如為兩端子間開關元件，兩端子中之第1端子為可變電阻材料25之上表面及下表面中之一者，兩端子中之第2端子為可變電阻材料25之上表面及下表面中之另一者。於施加至兩端子間之電壓為閾值以下之情形時，該開關元件為“高電阻”狀態，例如電性非導通狀態。於施加至兩端子間之電壓為閾值以上之情形時，開關元件為“低電阻”狀態，例如電性導通狀態。
可變電阻材料25實質上由表現出此種特性之材料構成。於本說明書及申請專利範圍中，「實質上」係為了表示如下含義而使用，即，雖原本意欲以「實質上」及包含其之句子意指不包含「實質上」地表現出之完全狀態，但出於不可避免之原因，容許並非此種完全狀態之狀態。例如，「實質上構成」或「實質上所構成」之記載表示如下含義：雖期望由某材料「實質上構成」或「實質上所構成」之構成要素僅由該材料構成，但出於不可避免之原因，容許其包含原本並不意欲含有之雜質。並不意欲含有之雜質之例包含：自其他構成要素擴散而來之元素、及磁性記憶裝置1之製造過程中使用之環境中所含之雜質。
作為如上所述之可作為兩端子間開關元件發揮功能之可變電阻材料25之材料，已知有含有因離子佈植所導入之摻雜劑之絕緣體。絕緣體例如為氧化物，包含SiO2或者實質上由SiO2構成之材料。摻雜劑包含砷(As)、鍺(Ge)。可變電阻材料25實質上由並非氮化物之材料構成，不含氮。於本說明書及申請專利範圍中，某材料「不含氮」之記載係指該材料實質上不含氮化物或氮。以下，(實質上)不含氮之材料有時亦稱作非氮材料。即，可變電阻材料25實質上由非氮材料構成。
各中間電極26係包含導電體之電極。中間電極26位於1個可變電阻材料25之上表面上。中間電極26亦可包含複數個子層。
1個磁阻效應元件MTJ位於各中間電極26之上表面上。磁阻效應元件MTJ包含鐵磁性層31、絕緣層32、及鐵磁性層33。
鐵磁性層31係鐵磁性體之層。鐵磁性層31具有沿著貫穿鐵磁性層31、絕緣層32、及鐵磁性層33之界面之方向的易磁化軸，例如具有相對於界面為45°以上90°以下之角度之易磁化軸，例如具有沿著與界面正交之方向之易磁化軸。意欲使鐵磁性層31之磁化之朝向不會因磁性記憶裝置1中之資料之讀出及寫入而改變。鐵磁性層31作為所謂之參考層發揮功能。
鐵磁性層31實質上由非氮材料構成，包含鐵(Fe)、鈷(Co)、及鎳(Ni)中之1種以上。鐵磁性層31亦可進而包含硼(B)。更具體而言，鐵磁性層31可包含鈷鐵硼(CoFeB)或硼化鐵(FeB)。
鐵磁性層31亦可包含複數個子層。於該情形時，子層均實質上由非氮材料構成。
絕緣層32係絕緣體之層。絕緣層32實質上由非氮材料構成，例如包含氧化鎂(MgO)或實質上由MgO構成。絕緣層32作為所謂之隧道勢壘發揮功能。
鐵磁性層33係鐵磁性體之層。鐵磁性層33實質上由非氮材料構成，例如包含鈷鐵硼或硼化鐵，或者實質上由鈷鐵硼或硼化鐵構成。鐵磁性層33具有沿著貫穿鐵磁性層31、絕緣層32、及鐵磁性層33之界面之方向的易磁化軸，例如具有相對於界面為45°以上90°以下之角度之易磁化軸，例如具有沿著與界面正交之方向之的易磁化軸。鐵磁性層33之磁化 之朝向可因資料寫入而改變，鐵磁性層33作為所謂之記憶層發揮功能。
鐵磁性層33亦可包含複數個子層。於該情形時，子層均實質上由非氮材料構成。
若鐵磁性層33之磁化之朝向與鐵磁性層31之磁化之朝向平行，則磁阻效應元件MTJ具有某較低之電阻。若鐵磁性層33之磁化之朝向與鐵磁性層31之磁化之朝向反平行，則磁阻效應元件MTJ具有較鐵磁性層31及33之磁化之朝向平行之情形時之電阻高的電阻。
若某大小之寫入電流自鐵磁性層33朝向鐵磁性層31流動，則鐵磁性層33之磁化之朝向與鐵磁性層31之磁化之朝向平行。另一方面，若另一大小之寫入電流自鐵磁性層31朝向鐵磁性層33流動，則鐵磁性層33之磁化之朝向與鐵磁性層31之磁化之朝向反平行。
各硬罩35係導電體。硬罩35位於1個磁阻效應元件MTJ之上表面上。硬罩35亦可包含複數個子層。
側壁絕緣體41至少覆蓋包含鐵磁性層31、絕緣層32及鐵磁性層33之各積層體之側面。側壁絕緣體41亦可覆蓋包含下部電極24、可變電阻材料25、中間電極26、鐵磁性層31、絕緣層32、鐵磁性層33及硬罩35之各積層體之側面。圖5及以下之記述係基於該例。又，側壁絕緣體41覆蓋各導電體22之上側之2個彎曲之角。側壁絕緣體41進而覆蓋層間絕緣體23之上表面中之包含下部電極24、可變電阻材料25、中間電極26、鐵磁性層31、絕緣層32、鐵磁性層33、及硬罩35之積層體之間的部分。
於側壁絕緣體41之表面中之包含下部電極24、可變電阻材料25、中間電極26、鐵磁性層31、絕緣層32、鐵磁性層33及硬罩35之各積層體之間的部分之上，設置有層間絕緣體42。即，層間絕緣體42將包 含如下積層體及其側壁上之側壁絕緣體41之構造之間的區域埋入，該積層體包含下部電極24、可變電阻材料25、中間電極26、鐵磁性層31、絕緣層32、鐵磁性層33及硬罩35。層間絕緣體42包含氮化矽(SiN)，或實質上由氮化矽構成。
於硬罩35、側壁絕緣體41、及層間絕緣體42之上表面上，設置有1個導電體21。導電體21例如包含氮化鈦(TiN)，或實質上由氮化鈦構成。
1.1.5.構成要素之材料
對參考圖5關於材料所記述之若干個構成要素以外之構成要素之材料進行記述。此種構成要素為導電體22、層間絕緣體23、下部電極24、中間電極26、硬罩35、及側壁絕緣體41。
如參考圖5所記載般，可變電阻材料25及磁阻效應元件MTJ均實質上由非氮材料構成。
如以下所記述般，其餘之導電體22、層間絕緣體23、下部電極24、中間電極26、硬罩35、及側壁絕緣體41至少不含氮化物且不含氮，即，實質上由非氮材料構成。藉由選擇此種材料，磁阻效應元件MTJ周圍之所有構成要素實質上由非氮材料構成。更具體而言，導電體22、層間絕緣體23、下部電極24、中間電極26、硬罩35、及側壁絕緣體41之材料係如下所述。
側壁絕緣體41實質上由作為非磁性體並且穩定(不易發生化學反應)之氧化物構成。具體而言，穩定之氧化物具有-1.5以下之標準電極電位。更具體而言，側壁絕緣體41實質上由某第1種元素之氧化物之1 種以上、或包含2種以上之第1種元素之物質(化合物或合金)之氧化物構成。第1種元素例如為鈹(Be)、鎂(Mg)、鋁(Al)、矽(Si)、鈣(Ca)、鈧(Sc)、釩(V)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、鍺(Ge)、鍶(Sr)、釔(Y)、鋯(Zr)、鋇(Ba)、鉿(Hf)、鑭(La)、銫(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、鉕(Pm)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)、及鎦(Lu)。
導電體22、下部電極24、中間電極26、及硬罩35實質上由非磁性並且具有較高之熔點之導電體構成。具體而言，導電體22、下部電極24、中間電極26、及硬罩35實質上由具有1800度以上之熔點之材料構成。更具體而言，導電體22、下部電極24、中間電極26、及硬罩35實質上由1種以上之某第2種元素構成。第2元素為鉿(Hf)、鉭(Ta)、鎢(W)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、釩(V)、鉻(Cr)、Si、硼(B)、及碳(C)。
層間絕緣體23實質上由氧化矽構成。
導電體21亦可實質上由1種以上之第2種元素構成。
於導電體22、下部電極24、中間電極26、及硬罩35之一者以上包含複數個子層之情形時，任一子層實質上均由非氮材料構成。
1.3.製造方法
圖6表示第1實施方式之磁性記憶裝置之一部分之製造步驟期間的一狀態。
如圖6所示，形成導電體22a、層間絕緣體23a、下部電極24a、可變電阻材料25a、中間電極26a、鐵磁性層31a、絕緣層32a、鐵磁性層33a、及硬罩35a。導電體22a、層間絕緣體23a、下部電極24a、可變 電阻材料25a、中間電極26a、鐵磁性層31a、絕緣層32a、鐵磁性層33a、及硬罩35a係將藉由之後的步驟分別成形為導電體22、層間絕緣體23、下部電極24、可變電阻材料25、中間電極26、鐵磁性層31、絕緣層32、鐵磁性層33、及硬罩35之要素。
具體而言，於層間絕緣體23a中形成導電體22a。繼而，於層間絕緣體23a之上表面及導電體22a之上表面上，依序沈積下部電極24a、可變電阻材料25a、中間電極26a、鐵磁性層31a、絕緣層32a、鐵磁性層33a、及硬罩35a。沈積方法之例包括化學氣相生長(Chemical Vapor Deposition；CVD)及濺鍍。硬罩35a殘存於預定形成磁阻效應元件MTJ之區域之正上方，於其他區域具有開口35a1。
如圖7所示，藉由離子束蝕刻(Ion Beam Etching；IBE)，將利用至此之步驟所獲得之構造部分地去除。IBE係將硬罩35a用作遮罩而進行。藉由IBE，鐵磁性層31a、絕緣層32a及鐵磁性層33a之組成形為其間存在空間45之複數個獨立之部分。藉由IBE而自離子束所碰撞之構成要素去除之材料沈積於周圍之構成要素，可能會形成再沈積層。此種材料包含自硬罩35a削去之材料。於側壁絕緣體41僅覆蓋鐵磁性層31、絕緣層32、及鐵磁性層33之側面之例之情形時，於圖7之步驟之後，可能會於鐵磁性層31a、絕緣層32a、及鐵磁性層33a之側面形成側壁絕緣體41。
如圖8所示，形成層間絕緣體23、導電體22、下部電極24、可變電阻材料25、中間電極26、鐵磁性層31、絕緣層32、及鐵磁性層33。具體而言，藉由IBE，將利用至此之步驟所獲得之構造部分地去除。IBE係將包含硬罩35a、鐵磁性層33a、絕緣層32a、及鐵磁性層31a之積層體用作遮罩而進行。藉由IBE，下部電極24a、可變電阻材料25a、及 中間電極26a成形為下部電極24、可變電阻材料25、及中間電極26之複數個組。又，藉由IBE，將鐵磁性層33a、絕緣層32a、及鐵磁性層31a進一步部分地去除，而分別成形為鐵磁性層33、絕緣層32、及鐵磁性層31。即，形成記憶胞MC。
IBE係以下部電極24a確實地相互分離為各記憶胞MC中所包含之各下部電極24之方式，於過蝕刻之條件下進行。因此，藉由IBE，將各導電體22a之上側之2個角、及層間絕緣體23a之上表面中之相鄰記憶胞MC之間之部分進行部分去除。其結果，導電體22a及層間絕緣體23a成形為導電體22及層間絕緣體23。
藉由IBE而自離子束所碰撞之構成要素去除之材料沈積於周圍之構成要素，可能會形成再沈積層。此種材料包含自中間電極26a、下部電極24a及層間絕緣體23a削去之材料。
如圖5所示，形成側壁絕緣體41、層間絕緣體42、及導電體21。層間絕緣體42例如係藉由電漿氛圍下之CVD而形成。
1.4.優點(效果)
根據第1實施方式，如以下所記述般，能夠提供一種包含具有較高之電特性之記憶胞MC的磁性記憶裝置1。
圖9表示用於參考之磁性記憶裝置100之記憶胞MCR之構造的剖面。記憶胞MCR不包含第1實施方式之磁性記憶裝置1中之側壁絕緣體41，記憶胞MCR之間之區域不介隔側壁絕緣體41地被層間絕緣體42埋入。
又，磁性記憶裝置100之若干個構成要素包含氮化矽或氮 化鈦。即，磁性記憶裝置100包含層間絕緣體123、導電體122、下部電極124、中間電極126、硬罩135、及側壁絕緣體141，來代替磁性記憶裝置1中之層間絕緣體23、導電體22、下部電極24、中間電極26、硬罩35、及側壁絕緣體41。層間絕緣體123及側壁絕緣體141實質上由氮化矽(SiN)構成，導電體122、下部電極124、中間電極126、及硬罩135實質上由氮化鈦(TiN)構成。氮化矽於半導體裝置或磁性記憶裝置中廣泛使用，例如係出於滿足半導體裝置或磁性記憶裝置中所要求之各種特性等理由而廣泛使用。此種特性包括導電性、穩定性、易形成性、及價格。又，氮化矽至少部分地出於氮化之原因，於化學上較為穩定，不易與和氮化矽接觸之物質發生化學反應。又，於半導體裝置及磁性記憶裝置中可使用之絕緣體之中，氮化矽相對較容易形成。
氮化鈦亦至少部分地出於氮化之原因，於化學上較為穩定，不易與和氮化鈦接觸之物質發生化學反應。又，於半導體裝置及磁性記憶裝置中可使用之導電體之中，氮化鈦相對較容易形成。進而，於半導體裝置及磁性記憶裝置中可使用之導電體之中，氮化鈦具有相對較高之導電性。
另一方面，已知構成磁阻效應元件之2個鐵磁性體及絕緣體剛形成後之MR比自形成後經過若干個製程後之MR比下降。MR比係磁阻效應元件之低電阻狀態下之電阻與高電阻狀態下之電阻的比。對於MR比之下降，考慮了各種原因，並實施了對策，但仍未能將下降抑制至所期望之程度。
於此種狀況下，發明人等發現，附著於磁阻效應元件之氮會使MR比減少。即，發現如下情況：如以下所記述般，於磁性記憶裝置 100之形成過程中附著於磁阻效應元件MTJ之氮或含氮材料(以下，有時會簡稱為氮材料)會使磁阻效應元件MTJ之MR比減少。
磁性記憶裝置100係藉由與第1實施方式之磁性記憶裝置1之製造步驟相同之步驟製造，經過與第1實施方式之圖7、圖8、及圖5之步驟相同之步驟。為了製造磁性記憶裝置100，使用層間絕緣體123a、導電體122a、下部電極124a、中間電極126a、及硬罩135a，來代替層間絕緣體23a、導電體22a、下部電極24a、中間電極26a、及硬罩35a。層間絕緣體123a、導電體122a、下部電極124a、中間電極126a、及硬罩135a係成形為層間絕緣體123、導電體122、下部電極124、中間電極126、及硬罩135之材料。
如參考圖7及圖8所記述般，於圖7及圖8之IBE中，可能會產生再沈積。於用以製造磁性記憶裝置100之相當於圖7及圖8之步驟中可能會再沈積之材料可包含層間絕緣體123a、導電體122a、下部電極124a、中間電極126a、及硬罩135a。層間絕緣體123a實質上由氮化矽構成，導電體122a、下部電極124a、中間電極126a、及硬罩135a實質上由氮化鈦構成。因此，氮材料之再沈積層可能會形成於磁阻效應元件MTJ之側壁。發明人等認為，此種再沈積層會使磁阻效應元件MTJ之MR比減少。
基於此情況，發明人等獲得以下所示之實驗資料。圖10~圖12表示顯示出抑制MR比下降之實驗之結果。圖10及圖11各自示出對磁性記憶裝置之某構成要素應用不同材料之情形時之MR比。為了顯示出由材料不同所引起之MR比不同，圖10及圖11各自示出關於用於參考之磁性記憶裝置100之MR比、以及對用於參考之磁性記憶裝置100之某構成要素 使用與磁性記憶裝置100中之材料不同之材料之情形時之MR比。圖12示出有側壁絕緣體41之情形時之MR比、及無側壁絕緣體41之情形時之MR比。即，圖10至圖12各自示出MR比之對象之2種情況除了各圖顯示出差異之對象之構成要素不同以外，其他具有相同之構造及構成。圖10~圖12之橫軸所表示之「MTJ之尺寸」例如為MTJ元件之寬度(通過xy平面之中心之端與端之間的距離)，例如為MTJ元件之下端之寬度。
圖10對導電體122及下部電極124、以及導電體22及下部電極24進行表示。即，示出磁性記憶裝置包含導電體122及下部電極124之情況、以及磁性記憶裝置包含導電體22及下部電極24之情況。磁性記憶裝置包含導電體22及下部電極24之情況相當於磁性記憶裝置100包含導電體22及下部電極24來分別代替導電體122及下部電極124之情況。如參考圖9所記述般，導電體122及下部電極124實質上由氮化鈦構成。作為導電體22及下部電極24之情況之例，導電體22及下部電極24實質上由鉭構成。如圖10所示，於圖中所示之整個尺寸範圍中，包含實質上由鉭構成之導電體22及下部電極24之情況下之MR比均高於包含實質上由氮化鈦構成之導電體122及下部電極124之情況下之MR比。
圖11對層間絕緣體123及層間絕緣體23進行表示。即，示出磁性記憶裝置包含層間絕緣體123之情況、以及磁性記憶裝置包含層間絕緣體23之情況。磁性記憶裝置包含層間絕緣體23之情況相當於磁性記憶裝置100包含層間絕緣體23來代替層間絕緣體123之情況。如參考圖9所記述般，層間絕緣體123實質上由氮化矽構成。如參考圖5所記述般，層間絕緣體23實質上由氧化矽構成。如圖11所示，於圖中所示之整個尺寸範圍中，包含實質上由氧化矽構成之層間絕緣體23之情況下之MR比均高於 包含實質上由氮化矽構成之層間絕緣體123之情況下之MR比。
圖12對有無側壁絕緣體41進行表示。即，示出磁性記憶裝置不包含第1實施方式之側壁絕緣體41之情況、以及磁性記憶裝置包含側壁絕緣體41之情況。磁性記憶裝置包含側壁絕緣體41之情況相當於磁性記憶裝置100中設置有側壁絕緣體41之情況。如圖12所示，於圖中所示之整個尺寸範圍中，包含實質上由非氮材料構成之側壁絕緣體41之情況下之MR比均高於不包含側壁絕緣體41之情況下之MR比。
根據以上實驗資料，發明人等發現，於磁性記憶裝置100之形成過程中附著於磁阻效應元件之氮材料會使磁阻效應元件MTJ之MR比減少。
又，於磁性記憶裝置100中，不設置第1實施方式之磁性記憶裝置1中之側壁絕緣體41。因此，實質上由氮化矽構成之層間絕緣體42會與磁阻效應元件MTJ之側壁接觸。層間絕緣體42之氮材料亦可能會使磁阻效應元件MTJ之MR比減少。進而，氮化矽之層間絕緣體42係藉由電漿氛圍下之CVD而形成。磁性記憶裝置100中之層間絕緣體42開始形成時，磁阻效應元件MTJ之側面至少部分地露出。因此，磁阻效應元件MTJ之側面會因電漿而受到損傷，就此方面而言，磁阻效應元件MTJ之MR亦可能會劣化。
基於以上事實及見解，構成第1實施方式。
根據第1實施方式，與磁阻效應元件MTJ接觸之構成要素及磁阻效應元件MTJ周圍之構成要素不含氮化物且不含氮，即，實質上由非氮材料構成。與磁阻效應元件MTJ接觸之構成要素包含中間電極26及側壁絕緣體41。磁阻效應元件MTJ周圍之構成要素至少為於藉由IBE使積層 之材料成形為獨立之複數個記憶胞MC之期間，可供給可能會再沈積於磁阻效應元件MTJ之表面上之材料的構成要素。具體而言，此種構成要素為層間絕緣體23、導電體22、下部電極24、中間電極26、及硬罩35。藉由選擇此種材料，能夠抑制或防止在藉由IBE使積層之材料成形為獨立之複數個記憶胞MC之期間，氮材料再沈積於磁阻效應元件MTJ之表面上。因此，藉由使與磁阻效應元件MTJ接觸之構成要素及磁阻效應元件MTJ周圍之構成要素實質上由非氮材料構成，幾乎或完全不會發生如下情況：完成磁阻效應元件MTJ之後，於磁阻效應元件MTJ之表面上存在氮材料。因此，可抑制因氮材料之附著導致起磁阻效應元件MTJ之MR比下降。
進而，磁阻效應元件MTJ被側壁絕緣體41覆蓋。因此，於層間絕緣體42在電漿氛圍下形成時，磁阻效應元件MTJ不會露出。因此，可抑制或防止因電漿所引起之對磁阻效應元件MTJ之損傷。該情況亦會抑制磁阻效應元件MTJ之MR比之下降。
1.5.變化例
對層間絕緣體23、導電體22、下部電極24、中間電極26、硬罩35及側壁絕緣體41全部實質上由非氮材料構成之例進行了記述。第1實施方式並不限定於該例。亦可使層間絕緣體23、導電體22、下部電極24、中間電極26、硬罩35、及側壁絕緣體41中之一者以上實質上由氮材料構成。但是，於此情形時，磁阻效應元件MTJ之MR比下降之抑制程度小於層間絕緣體23、導電體22、下部電極24、中間電極26、硬罩35及側壁絕緣體41全部實質上由非氮材料構成之例中之MR比下降之抑制程度。
2.第2實施方式
第2實施方式於構成1個記憶胞之元件之方面，與第1實施方式不同。以下，主要記述與第1實施方式不同之特徵。對於第2實施方式之構成要素中與第1實施方式不同之構成要素，於第1實施方式中之構成要素之參考符號之末尾再加上文字或數字，藉此與第1實施方式中之構成要素加以區分。例如，第2實施方式中之記憶胞MC可稱作記憶胞MCb，關於第2實施方式中所記述之方面以外之方面，應用第1實施方式中所記述之方面。
2.1.構造(構成)
圖13表示第2實施方式之磁性記憶裝置之功能區塊。如圖13所示，第2實施方式之磁性記憶裝置1b包含記憶胞陣列11b。於記憶胞陣列11b中，進而設置有複數個位元線‾BL。1個位元線BL與1個位元線‾BL構成位元線對。各記憶胞MCb連接於1個位元線對之間，且與1個字元線WL連接。
圖14表示第2實施方式之記憶胞之電路構成。如圖14所示，各記憶胞MCb包含磁阻效應元件MTJ及電晶體TR。電晶體TR例如為n型之MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金屬氧化物半導體場效應電晶體)，圖14及以下之記述係基於該例。磁阻效應元件MTJ包含第1端及第2端。磁阻效應元件MTJ於第1端處與電晶體TR之第1端連接。電晶體TR之第1端係源極及汲極中之一者。磁阻效應元件MTJ之第2端與1個位元線‾BL連接。
電晶體TR之第2端係源極及汲極中之另一者，與位元線BL連接。電晶體TR之控制端子(閘極電極)與1個字元線WL連接。
圖15表示第2實施方式之記憶胞之構造之例的剖面。如圖 15所示，於未圖示之半導體基板之上方設置有層間絕緣體23。於層間絕緣體23中設置有導電體22。導電體22於其下端連接於基板表面所形成之電晶體TR(未圖示)之一對源極/汲極區域中之一者。各電晶體TR之一對源極/汲極區域中之另一者與作為位元線BL發揮功能之導電體連接。
磁阻效應元件MTJ位於導電體22上，而非如第1實施方式中位於開關元件SE上。基於該情況，側壁絕緣體41b覆蓋包含鐵磁性層31、絕緣層32、鐵磁性層33及硬罩35之各積層體之側面、各導電體22之上側之2個彎曲之角、以及層間絕緣體23之上表面中之包含鐵磁性層31、絕緣層32、鐵磁性層33及硬罩35之各積層體之間的部分。側壁絕緣體41b實質上由與側壁絕緣體41相同之材料構成。
層間絕緣體42位於側壁絕緣體41b之表面中之包含鐵磁性層31、絕緣層32、鐵磁性層33及硬罩35之各積層體之間的部分之表面上，將包含如下積層體及其側壁上之側壁絕緣體41b之構造之間的區域埋入，該積層體包含鐵磁性層31、絕緣層32、鐵磁性層33及硬罩35。層間絕緣體42進而亦位於較硬罩35之上表面更靠上之區域。於層間絕緣體42中之各硬罩35之上表面上設置有1個導電體51。各導電體51與作為位元線‾BL發揮功能之導電體連接。
2.2.製造方法
圖16表示第2實施方式之磁性記憶裝置之一部分之製造步驟期間的一狀態。
於圖16之步驟之前，於半導體基板之表面形成電晶體TR。於半導體基板之表面上，形成內部形成有導電體22a之層間絕緣體23a。於 層間絕緣體23a之上表面上及導電體22a之上表面上，依序沈積鐵磁性層31a、絕緣層32a、鐵磁性層33a、及硬罩35a。
如圖16所示，藉由與第1實施方式之圖7及圖8之步驟同樣之IBE，將利用至此之步驟所獲得之構造部分地去除。IBE係將硬罩35a用作遮罩而進行。藉由IBE，鐵磁性層31a、絕緣層32a、及鐵磁性層33a之組分離為其間存在空間52之複數個獨立之部分。即，形成記憶胞MCb。
IBE係以鐵磁性層31a確實地相互分離為各記憶胞MCb中所包含之各鐵磁性層31之方式，於過蝕刻之條件下進行。因此，藉由IBE，將各導電體22a之上側之2個角、及層間絕緣體23a之上表面中之相鄰記憶胞MCb之間之部分進行部分去除。其結果，導電體22a及層間絕緣體23a成形為導電體22及層間絕緣體23。
藉由IBE而自離子束所碰撞之構成要素去除之材料沈積於周圍之構成要素，可能會形成再沈積層。此種材料包含自層間絕緣體23a、導電體22a及硬罩35a削去之材料。
繼而，如圖15所示，形成側壁絕緣體41、層間絕緣體42及導電體51。
2.3.優點(效果)
根據第2實施方式，與第1實施方式相同地，與磁阻效應元件MTJ接觸之構成要素及磁阻效應元件MTJ周圍之構成要素不含氮化物且不含氮，即，實質上由非氮材料構成。與磁阻效應元件MTJ接觸之構成要素包含導電體22及側壁絕緣體41b。磁阻效應元件MTJ周圍之構成要素為導電體22及硬罩35。藉由使與磁阻效應元件MTJ接觸之構成要素及磁阻效應元件 MTJ周圍之構成要素實質上由非氮材料構成，可獲得與第1實施方式相同之優點。
又，與第1實施方式相同地，磁阻效應元件MTJ被側壁絕緣體41b覆蓋。因此，可獲得與第1實施方式相同之優點。
2.4.變化例
對層間絕緣體23、導電體22、硬罩35及側壁絕緣體41b全部實質上由非氮材料構成之例進行了記述。第2實施方式並不限定於該例。亦可使層間絕緣體23、導電體22、硬罩35及側壁絕緣體41b中之一者以上實質上由氮材料構成。但是，於此情形時，磁阻效應元件MTJ之MR比下降之抑制程度小於層間絕緣體23、導電體22、硬罩35及側壁絕緣體41b全部實質上由非氮材料構成之例中之MR比下降之抑制程度。
3.變化例
除了如參考圖5所記述般，記憶胞MC包含參考圖5所記述之構成要素以外，記憶胞MC還可包含更多構成要素。記憶胞MCb亦可包含更多構成要素。於此情形時，更多構成要素中之與磁阻效應元件接觸之構成要素及於如圖7及圖8所示之IBE期間可供給可能會再沈積於磁阻效應元件MTJ之表面上之材料的構成要素均實質上由非氮材料構成。
對本發明之若干實施方式進行了說明，但該等實施方式係作為示例而提出者，並非意欲限定發明之範圍。該等實施方式可以其他各種形態實施，可於不脫離發明主旨之範圍內，進行各種省略、置換、變更。該等實施方式及其變化包含於發明之範圍或主旨內，同樣地，包含於 申請專利範圍所記載之發明及其均等範圍內。
[相關申請案之參考]
本申請案享受以日本專利申請2021-146822號(申請日：2021年9月9日)及美國專利申請17/691652(申請日：2022年3月10日)為基礎申請案之優先權。本申請案藉由參考該基礎申請案而包含基礎申請案之所有內容。
21:導電體
22:導電體
23:層間絕緣體
24:下部電極
25:可變電阻材料
26:中間電極
31:鐵磁性層
32:絕緣層
33:鐵磁性層
35:硬罩
41:側壁絕緣體
42:層間絕緣體
MC:記憶胞
MTJ:磁阻效應元件
SE:開關元件

Claims (20)

  1. 一種磁性記憶裝置，其具備：第1導電體，其實質上由非磁性之非氮材料構成；第1絕緣體，其覆蓋上述第1導電體之側面，且實質上由非氮材料構成；第2導電體，其位於上述第1導電體上，且實質上由非磁性之非氮材料構成；可變電阻材料，其位於上述第2導電體上；第3導電體，其位於上述可變電阻材料上，且實質上由非磁性之非氮材料構成；第1鐵磁性層，其位於上述第3導電體上；絕緣層，其位於上述第1鐵磁性層上；第2鐵磁性層，其位於上述絕緣層上；第4導電體，其位於上述第2鐵磁性層上，且實質上由非磁性之非氮材料構成；第2絕緣體，其覆蓋上述第1鐵磁性層之側面、上述絕緣層之側面、上述第2鐵磁性層之側面，且實質上由非氮材料構成；以及第3絕緣體，其位於上述第2絕緣體之表面上。
  2. 如請求項1之磁性記憶裝置，其中上述第1導電體、上述第2導電體、上述第3導電體、上述第4導電體實質上由具有1800度以上之熔點之材料構成。
  3. 如請求項1之磁性記憶裝置，其中上述第1導電體、上述第2導電體、上述第3導電體、上述第4導電體實質上由鉿、鉭、鎢、鋯、鈮、鉬、鈦、釩、鉻、矽、硼、碳中之1種以上構成。
  4. 如請求項1之磁性記憶裝置，其中上述第2絕緣體實質上由具有-1.5以下之標準電極電位之氧化物構成。
  5. 如請求項1之磁性記憶裝置，其中上述第2絕緣體實質上由第1種元素之氧化物之1種以上、或包含2種以上之上述第1種元素之物質之氧化物構成，且上述第1種元素為鈹、鎂、鋁、矽、鈣、鈧、釩、鋅、鎵、鍺、鍶、釔、鋯、鋇、鉿、鑭、銫、鐠、釹、鉕、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、鎦。
  6. 如請求項1之磁性記憶裝置，其中上述第1絕緣體實質上由氧化矽構成。
  7. 如請求項1之磁性記憶裝置，其中上述第1絕緣體於上述第2導電體所處之第1側之第1面，向與上述第1側相反之第2側彎曲，且 上述第1導電體於上述第2導電體所處之第3側之角，向與上述第3側相反之第4側彎曲。
  8. 如請求項7之磁性記憶裝置，其中上述第2絕緣體覆蓋上述第3導電體之側面、上述可變電阻材料之側面、上述第2導電體之側面、上述第1導電體之上述角、上述第1絕緣體之上述第1面。
  9. 如請求項1至8中任一項之磁性記憶裝置，其中上述第3絕緣體包含氮化矽。
  10. 一種磁性記憶裝置，其具備：第1導電體，其實質上由非氮材料構成；第1絕緣體，其覆蓋上述第1導電體之側面，且實質上由非氮材料構成；第1鐵磁性層，其位於上述第1導電體上；絕緣層，其位於上述第1鐵磁性層上；第2鐵磁性層，其位於上述絕緣層上；第2導電體，其位於上述第2鐵磁性層上，且實質上由非磁性之非氮材料構成；第2絕緣體，其覆蓋上述第1鐵磁性層之側面、上述絕緣層之側面、上述第2鐵磁性層之側面，且實質上由非磁性之非氮材料構成；以及第3絕緣體，其位於上述第2絕緣體之表面上。
  11. 如請求項10之磁性記憶裝置，其中上述第1導電體、上述第2導電體實質上由具有1800度以上之熔點之材料構成。
  12. 如請求項10之磁性記憶裝置，其中上述第1導電體、上述第2導電體實質上由鉿、鉭、鎢、鋯、鈮、鉬、鈦、釩、鉻、矽、硼、碳中之1種以上構成。
  13. 如請求項10之磁性記憶裝置，其中上述第2絕緣體實質上由具有-1.5以下之標準電極電位之氧化物構成。
  14. 如請求項10之磁性記憶裝置，其中上述第2絕緣體實質上由第1種元素之氧化物之1種以上、或包含2種以上之上述第1種元素之物質之氧化物構成，且上述第1種元素為鈹、鎂、鋁、矽、鈣、鈧、釩、鋅、鎵、鍺、鍶、釔、鋯、鋇、鉿、鑭、銫、鐠、釹、鉕、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、鎦。
  15. 如請求項10之磁性記憶裝置，其中上述第1絕緣體實質上由氧化矽構成。
  16. 如請求項10之磁性記憶裝置，其中上述第1絕緣體於上述第1鐵磁性層所處之第1側之第1面，向與上述第1側相反之第2側彎曲，且上述第1導電體於上述第1鐵磁性層所處之第3側之角，向與上述第3側相反之第4側彎曲。
  17. 如請求項16之磁性記憶裝置，其中上述第2絕緣體覆蓋上述第1導電體之上述角、上述第1絕緣體之上述第1面。
  18. 如請求項10之磁性記憶裝置，其中上述第3絕緣體包含氮化矽。
  19. 一種磁性記憶裝置之製造方法，其包括：於實質上由非磁性之非氮材料構成之第1導電體之上表面上、及實質上由非氮材料構成之第1絕緣體之上表面上形成第1積層體，其中上述第1積層體包含實質上由非磁性之非氮材料構成之第2導電體、上述第2導電體上之可變電阻材料、上述可變電阻材料上之實質上由非磁性之非氮材料構成之第3導電體、上述第3導電體上之第1鐵磁性層、上述第1鐵磁性層上之絕緣層、上述絕緣層上之第2鐵磁性層、及上述第2鐵磁性層上之實質上由非磁性之非氮材料構成之第4導電體；藉由離子束，將上述第2導電體、上述可變電阻材料、上述第3導電體、上述第1鐵磁性層、上述絕緣層、上述第2鐵磁性層及上述第4導電體 部分地去除；藉由實質上由非氮材料構成之第2絕緣體，覆蓋上述第1鐵磁性層之側面、上述第2鐵磁性層之側面、上述第4導電體之藉由上述部分去除所殘存之構造之側面；以及於上述第2絕緣體之表面上形成第3絕緣體。
  20. 如請求項19之磁性記憶裝置之製造方法，其中利用上述離子束所進行之上述去除包括將上述第1導電體及上述第1絕緣體部分地去除。
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