TWI812249B - 紅光微發光二極體顯示面板與具有紅光微發光二極體顯示面板的分立式基板顯示裝置 - Google Patents

紅光微發光二極體顯示面板與具有紅光微發光二極體顯示面板的分立式基板顯示裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI812249B
TWI812249B TW111120099A TW111120099A TWI812249B TW I812249 B TWI812249 B TW I812249B TW 111120099 A TW111120099 A TW 111120099A TW 111120099 A TW111120099 A TW 111120099A TW I812249 B TWI812249 B TW I812249B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
micro
display panel
light
red
red light
Prior art date
Application number
TW111120099A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202347823A (zh
Inventor
曾德恩
Original Assignee
鴻海精密工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 鴻海精密工業股份有限公司 filed Critical 鴻海精密工業股份有限公司
Priority to TW111120099A priority Critical patent/TWI812249B/zh
Priority to US17/817,638 priority patent/US20230411559A1/en
Application granted granted Critical
Publication of TWI812249B publication Critical patent/TWI812249B/zh
Publication of TW202347823A publication Critical patent/TW202347823A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)

Abstract

紅光微發光二極體顯示面板包含驅動背板、電極陣列、紫外光微發光二極體以及紅光量子點層。電極陣列位在驅動背板上。紫外光微發光二極體位在電極陣列上。紅光量子點層位在紫外光微發光二極體上。

Description

紅光微發光二極體顯示面板與具有紅光微發光二極體顯示面板的分立式基板顯示裝置
本揭露是有關於一種紅光微發光二極體顯示面板以及分立式基板顯示裝置。
基於現今微發光二極體顯示裝置的微型化趨勢，微發光二極體的外部量子效率隨著尺寸縮小而下降的影響漸增。以紅藍綠三色的顯示器裝置為例，其中紅光微發光二極體的外部量子效率較難以提升。在一些分立式基板顯示裝置中，以混合材料(例如四元化合物)或奈米柱等結構製造紅光微發光二極體顯示面板。然而，上述做法具有成本昂貴、效率差且良率低等缺點。
有鑑於此，如何提供一種可克服上述問題的紅光微發光二極體顯示面板仍是目前業界努力研究的目標之一。
本揭露之一技術態樣為一種紅光微發光二極體顯示面板，應用於分立式基板顯示裝置中。
在本揭露一實施例中，紅光微發光二極體顯示面板包含驅動背板、電極陣列、紫外光微發光二極體以及紅光量子點層。電極陣列位在驅動背板上。紫外光微發光二極體位在電極陣列上。紅光量子點層位在紫外光微發光二極體上。
在本揭露一實施例中，紫外光微發光二極體配置以發出紫外光，且紫外光的波長在405奈米至430奈米的範圍中。
在本揭露一實施例中，紅光微發光二極體顯示面板包含多個畫素，且每一畫素的尺寸小於6微米。
在本揭露一實施例中，紅光微發光二極體顯示面板還包含遮蔽層，位在紫外光微發光二極體上，其中遮蔽層包含位在紅光量子點層的多個間隔物。
在本揭露一實施例中，間隔物的間距小於6微米。
在本揭露一實施例中，每一間隔物具有傾斜角，且傾斜角在0度至30度的範圍中。
在本揭露一實施例中，紅光量子點層的厚度小於5微米。
在本揭露一實施例中，紅光微發光二極體顯示面板還包含布拉格反射層，位在紅光量子點層上方。
在本揭露一實施例中，在本揭露一實施例中，紅光微發光二極體顯示面板還包含紅色濾光層，位在紅光量子點層上方。
本揭露之另一技術態樣為一種分立式基板顯示裝置。
在本揭露一實施例中，分立式基板顯示裝置包含 紅光微發光二極體顯示面板、綠光微發光二極體顯示面板以及藍光微發光二極體顯示面板。紅光微發光二極體顯示面板包含驅動背板、電極陣列、紫外光微發光二極體以及紅光量子點層。電極陣列位在驅動背板上。紫外光微發光二極體位在電極陣列上。紅光量子點層位在紫外光微發光二極體上。綠光微發光二極體顯示面板包含綠光微發光二極體。藍光微發光二極體顯示面板包含藍光微發光二極體。
在上述實施例中，本揭露的分立式基板顯示裝置的紅光微發光二極體顯示面板藉由紫外光微發光二極體與紅光量子點層達到提升量子點轉換效率的技術功效。如此一來，分立式基板顯示裝置中的紅光微發光二極體顯示面板、綠光微發光二極體顯示面板與藍光微發光二極體顯示面板皆可具有足夠的外部量子效率，達成全彩顯示裝置的需求。紫外光微發光二極體發出波長在405奈米至430奈米的紫外光，可達到量子點轉換效率與量子點可靠度的最佳化之技術功效。
以下將以圖式揭露本發明之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。且為了清楚起見，圖式中之層和區域的厚度可能被誇大，並且在圖式的描述中相同的元件符號表示相同的元件。
第1圖為根據本揭露一實施例之分立式基板顯示裝置10的示意圖。分立式基板顯示裝置10包含紅光微發光二極體顯示面板100、綠光微發光二極體顯示面板200與藍光微發光二極體顯示面板300。分立式基板顯示裝置10還含分光稜鏡400。紅光微發光二極體顯示面板100、綠光微發光二極體顯示面板200與藍光微發光二極體顯示面板300彼此相對且圍繞著分光稜鏡400。分別來自紅光微發光二極體顯示面板100、綠光微發光二極體顯示面板200與藍光微發光二極體顯示面板300的紅光、綠光與藍光藉由分光稜鏡400合光後朝向同一方向出光。
第2圖為第1圖之紅光微發光二極體顯示面板100的局部剖面圖。紅光微發光二極體顯示面板100包含驅動背板110、電極陣列120、紫外光微發光二極體130、以及紅光量子點層140。電極陣列120位在驅動背板110上。紫外光微發光二極體130位在電極陣列120上。紅光量子點層140位在紫外光微發光二極體130上。
同時參照第1圖與第2圖，紅光微發光二極體顯示面板100包含多個畫素102，而在第2圖中僅以其中一個畫素102作為示例。分立式基板顯示裝置10中不同顏色的顯示面板彼此獨立，亦即驅動背板110上的元件配置僅用以發出紅光。綠光微發光二極體顯示面板200與藍光微發光二極體顯示面板300上的元件配置也僅用於分別發出綠光與藍光。
參照第2圖。紫外光微發光二極體130是以GaN磊晶層作為發光層。紫外光微發光二極體130配置以發出紫外光，且紫外光的波長在405奈米至430奈米的範圍中。紫外光微發光二極體130發出的紫外光激發紅光量子點層140中的紅色量子點，使得紅色量子點發出紅光並朝向出光方向Y出光。
第3圖為根據本揭露一實施例之量子點材料吸收係數與激發光波長的關係圖。第3圖中的曲線RQD代表紅色量子點被不同波長的光線激發時的量子點吸收係數。曲線GQD以及曲線BQD分別代表綠色量子點以及藍色量子點被不同波長的光線激發時的量子點吸收係數。紅色量子點、綠色量子點以及藍色量子點在紫外光波段的吸收係數皆高於在藍光波段的吸收係數。第3圖中標註了對應波長W1、波長W2以及波長W3的吸收係數。波長W1對應藍光波段，波長W2以及波長W3對應紫外光波段。由第3圖可看出，量子點對於紫外光的吸收係數比量子點對於藍光的吸收係數高出約2倍到4倍。
舉例來說，以450奈米(波長W1)的藍光為例，紅色量子點對應波長W1的吸收係數A1大約為0.35~0.4。以415奈米(波長W2)的紫外光為例，紅色量子點對應波長W2的吸收係數A2大約為1.1。在本實施例中，紅色量子點的光致發光量子產率(Photoluminescence Quantum yield，PLQY)在紫外光波段與藍光波段中大致維持在70%至75%的範圍內。紅色量子點的轉換效率可由光致發光量子產率與紅色點子點的吸收係數之乘積得出。
根據第2圖與第3圖可知，本揭露的紅光微發光二極體顯示面板100可利用紫外光微發光二極體130激發紅光量子點層140達到提升量子點轉換效率的技術功效。如此一來，第1圖中所示的分立式基板顯示裝置10中的紅光微發光二極體顯示面板100、綠光微發光二極體顯示面板200與藍光微發光二極體顯示面板300皆可具有足夠的外部量子效率，以達成全彩顯示裝置的需求。
第4圖為根據本揭露一實施例之光波波長與光強度關係圖。曲線L1、曲線L2以及曲線L3分別代表波長為410奈米以及430奈米的紫外光以及波長為450奈米的藍光激發紅色量子點後所激發出的紅光強度與未反應的光強度。從波長約625奈米處的峰值可看出，曲線L1代表的波長410奈米的紫外光激發出的紅光強度最強。從波長約405奈米至450奈米間的峰值可看出，曲線L1代表的波長410奈米的紫外光未被反應的紫外光強度最低。比對曲線L1與曲線L3可看出，410奈米的紫外光激發出的紅光強度比450奈米的藍光激發出的紅光多了將近60%，且410奈米的紫外光未被反應的比例大約是波長為450奈米的藍光未被反應的比例的40%。根據吸光度的定義，波長410奈米的紫外光所激發光出的紅光強度除上未被反應的紫外光強度數值之對數值大約為1.89。波長450奈米的藍光所激發光出的紅光強度除上未被反應的藍光強度的數值之對數值大約為1.65。由此可知，紫外光微發光二極體130激發紅色量子點的效率較高。因此，本揭露的紅光微發光二極體顯示面板100可利用紫外光微發光二極體130激發紅光量子點層140達到提升量子點轉換效率的技術功效。
在本實施例中，紅色量子點轉換效率可提升至大約50%~60%的範圍中。波段小於405奈米的紫外光可能有破壞量子點的風險，波段大於430奈米的紫外光，則會使量子點吸收係數明顯下降。因此，本揭露藉由使紫外光微發光二極體130發出波長在405奈米至430奈米的紫外光，可達到量子點轉換效率與量子點可靠度的最佳化之技術功效。
參照第2圖。紅光微發光二極體顯示面板100還包含遮蔽層150，位在紫外光微發光二極體130上。遮蔽層150包含多個間隔物152。間隔物152位在相鄰的畫素102之間，以避免串擾(cross-talk)現象發生。在本實施例中，間隔物152的材料為金屬，例如鋁或其他高反射率的金屬材料，但本揭露不以此為限。間隔物152具有傾斜角154。傾斜角154定義為間隔物152朝向畫素102的表面與出光方向Y之間的夾角。本揭露的間隔物152的傾斜角154落在0度到30度的範圍中，本實施例中的傾斜角154以15度為例。由於間隔物152為金屬材料且具有傾斜角154，當紅光量子點層140中的量子點被紫外光激發時，朝向間隔物152發射出的一部份紅光可由間隔物152反射並朝向出光方向Y出光。
如第1圖所示，本實施例中每一畫素102的尺寸S小於6微米。如第2圖中所示，畫素102的尺寸S可由相鄰兩間隔物152的間距D定義。換句話說，本實施例中相鄰兩間隔物152的間距D小於6微米。
第5圖為根據本揭露另一實施例之畫素尺寸與外部量子效率的關係圖。曲線BLED為藍光微發光二極體的畫素尺寸與外部量子效率的關係圖。曲線ULED為紫外光微發光二極體的畫素尺寸與外部量子效率的關係圖。曲線GLED為綠光微發光二極體的畫素尺寸與外部量子效率的關係圖。曲線RLED為紅光微發光二極體的畫素尺寸與外部量子效率的關係圖。從第5圖中可看出，在畫素尺寸大於10微米時，藍光微發光二極體的外部量子效率最高。然而，如曲線ULED所示，紫外光微發光二極體的外部量子效率在畫素尺寸小於10微米時高於藍光微發光二極體的外部量子效率。由此可知，本揭露中藉由使用紫外光微發光二極體130於畫素尺寸小於6微米的裝置中，可使更多的光能量用於激發量子點以提升色轉換效率。
參照第2圖。在本實施例中，紅光量子點層140的厚度T小於5微米。具體來說，當紅光量子點層140的厚度T越厚，量子點轉換效率越高。然而，紅光量子點層140的厚度T越厚，則需要更高的間隔物152以達到避免串擾的效果。當畫素102尺寸縮小至6微米以下且紅光量子點層140的厚度較厚時，間隔物152的深寬比需要增加，並維持傾斜角154，才可避免阻擋紫外光微發光二極體130的出光開口(即兩相鄰間隔物152之間的距離)。因此，在6微米以下的畫素102中，要形成可滿足上述條件的間隔物152的難度增加。因此，本揭露中藉由使用紫外光激發紅光量子點層140提升量子點轉換效率，可縮減紅光量子點層140所需的厚度。如此一來，間隔物152的深寬比可下降，因此可降低遮蔽層150的製程困難度。
紅光微發光二極體顯示面板100還包含布拉格反射層160、紅色濾光層170以及平坦層180。平坦層180位在紅光量子點層140上方。布拉格反射層160位在平坦層180上方。紅色濾光層170位在布拉格反射層160上方。藉由設置平坦層180於紅光量子點層140與遮蔽層150上方，可提供平坦的表面以設置布拉格反射層160。布拉格反射層160由多層具有不同折射率的材料堆疊而成。布拉格反射層160配置以反射穿透過紅光量子點層140的紫外光。如此一來，未被量子點吸收的紫外光可再次被反射回紅光量子點層140中激發量子點，以降低紫外光穿透率並增加紫外光的利用率。紅色濾光層170可過濾穿透過布拉格反射層160的光線，使得紅光微發光二極體顯示面板100發出的紅光在特定波段內。舉例來說，未被反應完全的紫外光可能穿透過布拉格反射層160而朝向出光方向Y行進，紅色濾光層170可過濾此部份紫外光以增加紅光微發光二極體顯示面板100發出的紅光的純度。
第6圖為根據本揭露一實施例之綠光微發光二極體顯示面板200的局部剖面圖。綠光微發光二極體顯示面板200具有與紅光微發光二極體顯示面板100相同的驅動背板110、電極陣列120、遮蔽層150以及平坦層180。綠光微發光二極體顯示面板200不具有量子點層。綠光微發光二極體顯示面板200還具有綠光微發光二極體230。綠光微發光二極體230是以GaN磊晶層作為發光層。綠光微發光二極體顯示面板200具有綠色濾光層270以增加綠光微發光二極體顯示面板200發出的綠光的純度。
第7圖為根據本揭露一實施例之藍光微發光二極體顯示面板300的局部剖面圖。藍光微發光二極體顯示面板300具有與紅光微發光二極體顯示面板100相同的驅動背板110、電極陣列120、遮蔽層150以及平坦層180。藍光微發光二極體顯示面板300不具有量子點層。藍光微發光二極體顯示面板300還具有藍光微發光二極體330。藍光微發光二極體330是以GaN磊晶層晶片作為發光層。
第8圖為根據本揭露另一實施例之紅光微發光二極體顯示面板100a的局部剖面圖。紅光微發光二極體顯示面板100a與第2圖的紅光微發光二極體顯示面板100大致相同，其差異在於紅光微發光二極體顯示面板100a的遮蔽層150a的間隔物152a的型態。間隔物152a具有接近0度的傾斜角。換句話說，本實施例中的間隔物152a接近矩形，使得紫外光微發光二極體130發出的紫外光照射至紅光量子點層140的出光量增加。紅光微發光二極體顯示面板100a具有與第2圖的紅光微發光二極體顯示面板100相似的技術功效，於此不再贅述。
第9圖為根據本揭露另一實施例之紅光微發光二極體顯示面板100b的局部剖面圖。紅光微發光二極體顯示面板100b與第2圖的紅光微發光二極體顯示面板100大致相同，其差異在於紅光微發光二極體顯示面板100b的遮蔽層150b的間隔物152b的態樣。間隔物152b具有金屬層1522以及樹脂層1524。金屬層1522包覆樹脂層1524，亦即間隔物152b是在樹脂層1524外塗佈金屬層1522而構成。換句話說，紅光微發光二極體顯示面板100b的遮蔽層150b為複合式的遮蔽層。紅光微發光二極體顯示面板100b具有與第2圖的紅光微發光二極體顯示面板100相似的技術功效，於此不再贅述。
綜上所述，本揭露的分立式基板顯示裝置的紅光微發光二極體顯示面板藉由紫外光微發光二極體與紅光量子點層達到提升量子點轉換效率的技術功效。如此一來，分立式基板顯示裝置中的紅光微發光二極體顯示面板、綠光微發光二極體顯示面板與藍光微發光二極體顯示面板皆可具有足夠的外部量子效率，達成全彩顯示裝置的需求。紫外光微發光二極體發出波長在405奈米至430奈米的紫外光，可達到量子點轉換效率與量子點可靠度的最佳化之技術功效。由於紫外光微發光二極體的外部量子效率在畫素尺寸小於6微米時高於藍光微發光二極體的外部量子效率，因此藉由使用紫外光微發光二極體，可使更多的光能量用於激發量子點以提升色轉換效率。紅光微發光二極體顯示面板的布拉格反射層可反射穿透過紅光量子點層的紫外光，以使紫外光再次被反射回紅光量子點層中激發量子點，藉此降低紫外光穿透率並增加紫外光的利用率。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10:分立式基板顯示裝置
100,100a,100b:紅光微發光二極體顯示面板
102:畫素
110:驅動背板
120:電極陣列
130:紫外光微發光二極體
140:紅光量子點層
150,150a,150b:遮蔽層
152,152a,152b:間隔物
1522:金屬層
1524:樹脂層
154:傾斜角
160:布拉格反射層
170:紅色濾光層
180:平坦層
Y:出光方向
RQD,GQD,BQD,L1,L2,L3,BLED,ULED,GLED,RLED:曲線
W1,W2,W3:波長
A1,A2:吸收係數
S:尺寸
D:間距
T:厚度
200:綠光微發光二極體顯示面板
230:綠光微發光二極體
270:綠色濾光層
300:藍光微發光二極體顯示面板
330:藍光微發光二極體
400:分光稜鏡
第1圖為根據本揭露一實施例之分立式基板顯示裝置的示意圖。 第2圖為第1圖之紅光微發光二極體顯示面板的局部剖面圖。 第3圖為根據本揭露一實施例之量子點材料吸收係數與激發光波長的關係圖。 第4圖為根據本揭露一實施例之光波波長與光強度關係圖。 第5圖為根據本揭露另一實施例之畫素尺寸與外部量子效率的關係圖。 第6圖為根據本揭露一實施例之綠光微發光二極體顯示面板的局部剖面圖。 第7圖為根據本揭露一實施例之藍光微發光二極體顯示面板的局部剖面圖。 第8圖為根據本揭露另一實施例之紅光微發光二極體顯示面板的局部剖面圖。 第9圖為根據本揭露另一實施例之紅光微發光二極體顯示面板的局部剖面圖。
100:紅光微發光二極體顯示面板
110:驅動背板
120:電極陣列
102:畫素
130:紫外光微發光二極體
140:紅光量子點層
150:遮蔽層
152:間隔物
154:傾斜角
160:布拉格反射層
170:紅色濾光層
180:平坦層
Y:出光方向
D:間距
T:厚度

Claims (8)

  1. 一種紅光微發光二極體顯示面板，應用於一分立式基板顯示裝置中，其中該紅光微發光二極體顯示面板包含：一驅動背板；一電極陣列，位在該驅動背板上；一紫外光微發光二極體，位在該電極陣列上；一紅光量子點層，位在該紫外光微發光二極體上；以及一遮蔽層，位在該紫外光微發光二極體上，其中該遮蔽層包含位在該紅光量子點層的複數個間隔物，每一該些間隔物具有一傾斜角，且該傾斜角在0度至30度的範圍中。
  2. 如請求項1所述之紅光微發光二極體顯示面板，其中該紫外光微發光二極體配置以發出一紫外光，且該紫外光的波長在405奈米至430奈米的範圍中。
  3. 如請求項1~2中任一所述之紅光微發光二極體顯示面板，還包含複數個畫素，其中每一該些畫素的尺寸小於6微米。
  4. 如請求項1所述之紅光微發光二極體顯示面板，其中該些間隔物中相鄰兩者之間的間距小於6微米。
  5. 如請求項1、2、4中任一所述之紅光微發光二極體顯示面板，其中該紅光量子點層的一厚度小於5微米。
  6. 如請求項1、2、4中任一所述之紅光微發光二極體顯示面板，還包含一布拉格反射層，位在該紅光量子點層上方。
  7. 如請求項1、2、4中任一所述之紅光微發光二極體顯示面板，還包含一紅色濾光層，位在該紅光量子點層上方。
  8. 一種分立式基板顯示裝置，包含：一紅光微發光二極體顯示面板，包含：一驅動背板；一電極陣列，位在該驅動背板上；一紫外光微發光二極體，位在該電極陣列上；一紅光量子點層，位在該紫外光微發光二極體上；以及一遮蔽層，位在該紫外光微發光二極體上，其中該遮蔽層包含位在該紅光量子點層的複數個間隔物，每一該些間隔物具有一傾斜角，且該傾斜角在0度至30度的範圍中； 一綠光微發光二極體顯示面板，包含一綠光微發光二極體；以及一藍光微發光二極體顯示面板，包含一藍光微發光二極體。
TW111120099A 2022-05-30 2022-05-30 紅光微發光二極體顯示面板與具有紅光微發光二極體顯示面板的分立式基板顯示裝置 TWI812249B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW111120099A TWI812249B (zh) 2022-05-30 2022-05-30 紅光微發光二極體顯示面板與具有紅光微發光二極體顯示面板的分立式基板顯示裝置
US17/817,638 US20230411559A1 (en) 2022-05-30 2022-08-04 Red micro led display panel and separated panel display device having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW111120099A TWI812249B (zh) 2022-05-30 2022-05-30 紅光微發光二極體顯示面板與具有紅光微發光二極體顯示面板的分立式基板顯示裝置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI812249B true TWI812249B (zh) 2023-08-11
TW202347823A TW202347823A (zh) 2023-12-01

Family

ID=88585658

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111120099A TWI812249B (zh) 2022-05-30 2022-05-30 紅光微發光二極體顯示面板與具有紅光微發光二極體顯示面板的分立式基板顯示裝置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20230411559A1 (zh)
TW (1) TWI812249B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110031978A (zh) * 2019-05-28 2019-07-19 深圳市思坦科技有限公司 一种近眼显示装置
US20190363127A1 (en) * 2018-05-28 2019-11-28 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Transparent micro led display panel
TW202109156A (zh) * 2019-08-29 2021-03-01 群創光電股份有限公司 顯示裝置
TW202125803A (zh) * 2019-12-25 2021-07-01 錼創顯示科技股份有限公司 顯示裝置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190363127A1 (en) * 2018-05-28 2019-11-28 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Transparent micro led display panel
CN110031978A (zh) * 2019-05-28 2019-07-19 深圳市思坦科技有限公司 一种近眼显示装置
TW202109156A (zh) * 2019-08-29 2021-03-01 群創光電股份有限公司 顯示裝置
TW202125803A (zh) * 2019-12-25 2021-07-01 錼創顯示科技股份有限公司 顯示裝置

Also Published As

Publication number Publication date
TW202347823A (zh) 2023-12-01
US20230411559A1 (en) 2023-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5877347B2 (ja) バックライト装置、およびそのバックライト装置を用いた液晶表示装置、およびそれらに用いる発光ダイオード
US8314440B2 (en) Light emitting diode chip and method of fabricating the same
US7242030B2 (en) Quantum dot/quantum well light emitting diode
US6833565B2 (en) White-light led with dielectric omni-directional reflectors
US20060145172A1 (en) Light emitting diode with a quasi-omnidirectional reflector
CN111667777B (zh) 图像显示元件
JP2023503448A (ja) 超高密度量子ドットカラーコンバータ
US11552222B2 (en) Display device
TWI754988B (zh) 具有改良色純度之發光二極體
US20220190039A1 (en) Display panel and manufacturing method thereof and display apparatus
TWI812249B (zh) 紅光微發光二極體顯示面板與具有紅光微發光二極體顯示面板的分立式基板顯示裝置
KR20070008852A (ko) 이색성 칼라 필터를 이용한 평면 광원장치
CN110579905B (zh) 显示装置
CN114784048A (zh) 红光微发光二极管显示面板与具有红光微发光二极管显示面板的分立式基板显示装置
TWI790121B (zh) 顯示面板
KR20200049938A (ko) 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
TWI836956B (zh) 顯示裝置
CN216250774U (zh) 单元像素及显示装置
TWI771883B (zh) 顯示裝置、波長轉換模組及其製造方法
US20220236465A1 (en) Display device, wavelength conversion module, and manufacturing method thereof
TWM634983U (zh) 微發光二極體顯示裝置
TW202408032A (zh) 微發光二極體顯示裝置
CN117059717A (zh) 一种发光二极管及发光装置
CN115064564A (zh) 微发光二极管显示装置
CN117712266A (zh) 显示装置