TWI811671B - 調節器總成及測試方法 - Google Patents
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Abstract
可使用經選擇以具有約為自包含調節器總成之一流體儲存及輸送容器分配之一選定流體之分子量之一分子量之測試流體來測試調節器總成。該測試流體可為一單一氣體或一混合物。該測試流體可具有在自該流體儲存及輸送容器分配之該選定流體之該分子量之80%至110%之間的一分子量。當依此方式測試之調節器總成在該測試氣體流啟動時展示少於兩個尖峰時，其等可通過評估。可將此等調節器總成安裝至流體儲存及輸送容器中，尤其用於加壓流體之儲存及輸送。
Description
本發明係關於用於測試與流體儲存及輸送容器一起使用之調節器之方法，且更特定言之，係關於測試調節器以識別提供可接受尖峰效能之調節器。
壓力調節流體儲存及輸送容器可用於在諸如(例如)半導體製程之工業程序中供應流體。壓力調節可由包含一或多個壓力調節器之一壓力調節器總成提供。
當啟動流體之分配時，一些壓力調節流體儲存及輸送容器可能經歷壓力波動及不穩定，尤其當啟動流量時。一些工業程序可能對此類波動及不穩定很敏感。作為針對此類產品之品質控制篩選之一部分，可測試用於此等流體儲存及輸送容器之壓力調節器以識別及拒絕會在特定壓力下啟動流量時提供尖峰之調節器總成。通常，輕惰性氣體用作用於測試調節器總成之測試流體，其中氣體往往基於流體之成本及/或處置特性來選擇。當製造壓力調節器時，測試之拒絕率顯著影響產量，且組件之不當拒絕會導致壓力調節器生產之顯著浪費及損失。
本發明係關於用於測試與流體儲存及輸送容器一起使用之
調節器之方法，且更特定言之，係關於測試調節器以識別提供可接受尖峰效能之調節器。
可使用更接近透過調節器分配之流體之分子量之分子量來執行用於流體儲存及輸送容器之調節器總成之測試。此可提供透過正規總成之流動性之更準確評估。經改良評估提高測試通過率，同時繼續為通過調節器總成之流量提供足夠防尖峰保護。由於不合格總成被廢棄或退回，故降低拒絕調節器總成之誤報率可節省成本且減少浪費。
根據本發明之各個實施例，可對組裝且安裝至流體儲存及/或輸送容器中之一些或所有調節器總成進行測試以提供品質評估。根據本發明之各個實施例，可替代地進行測試以設定設計參數以例如改良設定設計值之選擇，諸如調節器總成之出口壓力之設定點。
在一實施例中，一種測試用於一流體供應封裝之一調節器之方法包含將一測試流體引入至複數個單獨測試調節器總成中。該測試流體具有在將由該流體供應封裝供應之一選定流體之一分子量之80%至110%之間的一分子量。該複數個測試調節器總成之各者包含一第一調節器及一第二調節器，該複數個測試調節器總成之各者之該第一調節器具有一設定出口壓力。該方法進一步包含觀測通過該複數個測試調節器總成之各者之該等第二調節器之一流量。該方法進一步包含判定通過該複數個測試調節器總成之各者之該等第二調節器之該觀測流量之尖峰數目。該方法亦包含組裝該流體供應封裝之一供應封裝調節器總成，該供應封裝調節器總成包含在該觀測流量中展現少於兩個尖峰之該複數個測試調節器總成之一者之該第一調節器及該第二調節器。
在一實施例中，該觀測流量之第一尖峰係該觀測流量之壓
力尖峰。
在一實施例中，該測試流體係兩種或更多種流體之一混合物，且該兩種或更多種流體之各者係氣體。
在一實施例中，該測試流體之該分子量在該選定流體之該分子量之85%至95%之間。
在一實施例中，該方法進一步包含將該供應封裝調節器總成安裝至該流體供應封裝中。
在一實施例中，該選定流體包含CF4、CO、BF3、SiF4、AsH3、PH3及GeF4之一或多者。在一實施例中，該選定流體係進一步包含H2之一混合物。
在一實施例中，一種用於一選定流體之一流體供應容器之調節器總成包含：一第一調節器，其具有設定至一預定設定點之一出口壓力；及一第二調節器，其經組態以接收來自該第一調節器之流體。該預定設定點係在該調節器總成使用一測試流體操作時在通過該第二調節器之一流量中產生少於兩個尖峰之一出口壓力，該測試流體具有在該選定流體之一分子量之80%至110%之間的一分子量。
在一實施例中，該測試流體係兩種或更多種流體之一混合物，且該兩種或更多種流體之各者係氣體。
在一實施例中，該測試流體之該分子量在該選定流體之該分子量之85%至95%之間。
在一實施例中，該選定流體包含CF4、CO、BF3、SiF4、AsH3、PH3及GeF4之一或多者。在一實施例中，該選定流體係進一步包含H2之一混合物。
在一實施例中，一種流體供應容器包含一調節器總成，其包含：一第一調節器，其具有設定至一預定設定點之一出口壓力；及一第二調節器，其經組態以接收來自該第一調節器之流體，其中該預定設定點係在該調節器總成使用一測試流體操作時在通過該第二調節器之一流量中產生少於兩個尖峰之一出口壓力，該測試流體具有在該選定流體之一分子量之80%至110%之間的一分子量。該流體供應容器經組態以儲存該選定流體。
在一實施例中，該選定流體包含CF4、CO、BF3、SiF4、AsH3、PH3及GeF4之一或多者。在一實施例中，該選定流體係進一步包含H2之一混合物。
100:流體儲存及輸送容器
102:容器體
104:孔
106:調節器總成
108:入口
110:過濾器
112:第一調節器
114:第二調節器
116:分配器
118:側壁
120:底部
122:頸部
124:端
126:閥
128:排放口
200:調節器總成
202:入口
204:過濾器
206:第一調節器
208:第二調節器
210:分配器
212:閥
214:排放口
302:組裝測試調節器總成
304:將測試流體引入至測試調節器總成中
306:觀測通過測試調節器總成之流量
308:判定觀測流量之尖峰
310:組裝用於容器中之調節器總成
312:將調節器總成安裝至容器中
可鑑於關於附圖之各個繪示性實施例之以下描述來更完全理解本發明。
圖1展示根據一實施例之一流體儲存及輸送容器。
圖2展示根據一實施例之用於一流體儲存及輸送容器之一調節器總成。
圖3展示用於測試一流體儲存及輸送容器之一調節器總成之一方法之一流程圖。
圖4A展示根據一實施例之一調節器總成對在測試時無尖峰之一流量之一回應。
圖4B展示根據一實施例之一調節器總成對在測試時包含尖峰之一流量之一回應。
圖5展示使用相同調節器總成及不同測試流體時之一系列
測試結果。
雖然本發明可接受各種修改及替代形式，然其等之特定例已藉由實例展示於圖中且將進行詳細描述。然而，應理解，不意欲將本發明之態樣限制於所描述之特定繪示性實施例。相反地，意欲涵蓋落於本發明之精神及範疇內之所有修改、等效物及替代。
本發明係關於用於測試與流體儲存及輸送容器一起使用之調節器之方法，且更特定言之，係關於測試調節器以識別提供可接受尖峰效能之調節器。
如本文中使用，「流體」係指一或多種氣體、一或多種液體或其等之組合。
圖1展示根據一實施例之一流體儲存及輸送容器。流體儲存及輸送容器100包含具有孔104之一容器體102。調節器總成106可包含於孔104中以控制出入流體儲存及輸送容器100之流量。調節器總成106包含一入口108(其可包含一過濾器110)、自入口108接收流體之第一調節器112、自第一調節器112接收流體之一第二調節器114及自第二調節器114接收流體之一分配器116。
流體儲存及輸送容器100係用於儲存一流體之一容器。流體通常依一氣體形式輸送。流體可由流體儲存及輸送容器100依低於大氣壓之一壓力輸送。流體可經儲存於壓力下之流體儲存及輸送容器100中，例如在大於大氣壓之壓力下。在一實施例中，流體儲存及輸送容器可為來自Entegris公司之真空致動汽缸®(VAC)封裝。流體可為用於諸如半導體製造、顯示器組件製造、太陽能電池板製造或類似者等工業程序中之流
體。作為非限制性實例，加壓流體可包含AsH3、AsF3、AsF5、PH3、NF3、PF3、PF5、BF3、BCl3、B2H6、Si2H6、Si3H8、SiH4、C3H10Si、Si(CH3)4、鹵代矽烷(諸如(例如)SiF4)、鹵代乙矽烷(諸如(例如)Si2F6)、氯矽烷(例如SiCl4)、GeH4、GeF4、H2Se、H2Te、SbH3、CH4、CF4、CHF3、CH2F2、CH3F、CO、CO2、COF2、HS、H2、HF、B2F4、HCl、Cl2、氟化烴、N2、O2、F2、He、Xe、Ar、Kr、有機金屬氣態試劑、前述內容之兩者或多於兩者之混合物、前述內容之一或多者與H2或任何其他合適混合組分之混合物及/或前述內容之同位素富集變體。其內所含之流體可經加壓至適於被儲存之流體之任何壓力。在一實施例中，流體儲存及輸送容器100內之儲存壓力可在自200psig至1550psia之一範圍內。在一實施例中，流體儲存及輸送容器100可經組態以具有高達2265psia之一額定儲存壓力服務壓力。
容器體102可界定用於容納流體之一內部空間。容器體102可由適於容器之任何材料製成。合適材料能夠無變形地容納加壓流體。作為非限制性實例，合適材料可包含一或多種金屬、不透氣聚合物、纖維樹脂複合物、其等之組合或類似者。容器體102可包含形成一大體上圓柱形形狀之側壁118及底部120，其中頸部122自側壁118朝向端124延伸。端124可與容器體102之底部120相對。
孔104係定位於端124處之容器體102之一開口。調節器總成106可穿過孔104。調節器總成106可依任何合適防漏方式密封至容器體102，使得調節器總成106控制透過孔104出入容器體102之流量。調節器總成106包含入口108、第一調節器112、第二調節器114及分配器116。
入口108係容許容器體102內之流體傳遞至調節器總成106
中之一開口。入口108可連接至第一調節器112之一入口。視情況，可相對於自容器體102之內部傳遞至調節器總成106中且通過調節器總成106之流體在第一調節器112之上游包含環繞入口108、覆蓋入口108或在入口108內之過濾器110。過濾器110經組態以確保氣體之純度及/或防止顆粒物進入調節器總成106。過濾器110可為適於與流體儲存及輸送容器100內所含之流體一起使用之任何過濾材料。過濾器110可為例如鎳、不銹鋼或聚四氟乙烯。
第一調節器112係相對於通過調節器總成106之流體流定位於入口108與第二調節器114之間的一壓力調節器。第一調節器112係一流體之一壓力調節器。第一調節器112可將流體之一壓力自處於或接近容器體102內之流體之壓力之一入口壓力減小至在第一調節器112之出口處提供之一相對較低中間壓力。第一調節器112可為能夠依一入口壓力接受流體且依一相對較低出口壓力提供其之任何合適類型之流體壓力調節器。在一實施例中，第一調節器112可經組態以依對應於流體儲存及輸送容器100之儲存壓力之一入口壓力接受流體，例如在200psig至1550psia之間的一範圍內。在一實施例中，第一調節器112之一出口壓力可基於在圖3中展示且下文描述之方法之測試來判定。在一實施例中，第一調節器之出口壓力可為約15psig至約35psig。在一實施例中，第一調節器112之出口壓力可為約20psig至約30psig。在一實施例中，第一調節器之出口壓力係約25psig。此等範圍內之第一調節器112之出口壓力可減少自第二調節器114之出口中觀測到之觀測尖峰行為。
第二調節器114係一流體之一第二壓力調節器，其經組態以大致依第一調節器112之出口壓力自第一調節器112接收流體且依一相
對較低壓力在一出口處提供流體。第二調節器可為適於依第一調節器112之出口壓力接收流體且進一步減小壓力之任何壓力調節器。由第二調節器114供應之出口壓力可基於其中使用流體儲存及輸送容器100之應用來選擇。在一實施例中，由第二調節器114供應之出口壓力可為次大氣壓。在一實施例中，由第二調節器114供應之出口壓力可在自350托至650托之一範圍內。
第一調節器112及第二調節器114可分別為在將其組裝至調節器總成106之前或之後透過一測試程序(諸如圖3中展示且下文描述之測試程序)之第一及第二調節器。
可用作第一調節器112及第二調節器114之壓力調節器可為例如使用一提升閥來控制自壓力調節器之入口至出口之流量之調節器。此一調節器之一實例實施例包含與入口及出口通路連通之一主中央外殼。一提升閥包含於入口通路中且與入口通路之閥座接合以關閉至流體流之入口通路。提升閥與閥桿耦合，閥桿繼而連接至壓力調節器之內部體積中之一壓力感測總成。壓力感測總成包含界定一波紋管結構之多個膜片。壓力感測總成回應調節器之出口通路中之一壓力級，使得出口通路中之低於一預定設定點壓力之壓力將致使多個膜片移動且致使壓力感測總成及與其耦合之提升閥閥桿對應地平移，使得提升閥脫離其閥座以容許流體流過調節器之入口通路及中央腔室至出口通路以使流體自出口通路之排放口流出。當出口通路中之流體壓力超過調節器之設定點壓力時，壓力感測總成將回應地平移提升閥閥桿及相關聯提升閥，使得提升閥接合入口通路之閥座以關閉至通過其之流體流之通路。
分配器116可包含例如一閥126及一排放口128。閥126控制
通過調節器總成之流量以阻擋或准許自第二調節器114朝向排放口128之流動。排放口128係其中在閥126處於容許至少一些流量通過之一打開位置時流體可離開調節器總成106至流體儲存及輸送容器100外部之一開口。流體儲存及輸送容器100可進一步包含附接或保持特徵，使得排放口128可經附接以將流體提供至例如一工業工具，諸如用於半導體處理、顯示器製造、太陽能電池板製造或類似者之一工具。
圖2展示根據一實施例之用於一流體儲存及輸送容器之一調節器總成200。調節器總成200包含由一過濾器204覆蓋之入口202。調節器總成200進一步包含經組態以接收來自入口202之流體之第一調節器206、經組態以接收來自第一調節器206之出口之流體之一第二調節器208及經組態以接收來自第二調節器208之出口之流體之一分配器210。
調節器總成200可經組裝為用於隨後安裝至一容器中或與容器一起使用之一組件，例如藉由放置至一容器之一孔(諸如容器100之孔104)中且經密封使得進入或離開容器之流體必須通過調節器總成200。
在一實施例中，調節器總成200可經定位於一容器中，使得入口202、第一調節器206及第二調節器208之任一或多者經定位於內部空間內，且第一調節器206、第二調節器208及分配器210之剩餘一或多者經定位於由容器界定之一內部空間外部。只要入口202經定位於容器內且分配器210在容器外部，即可使用任何此組態。在一實施例中，第一調節器206及第二調節器208之一或多者可經定位於容器之一體內、容器之頸部內及/或控制來自容器之流量之一閥之一體中。
入口202容許流體進入調節器總成200，使得流體可通過調節器總成200。入口200可為連接至延伸至第一調節器206之一流體線之一
孔。過濾器204可圍繞入口202定位周圍、定位於入口202工方或內或沿著自入口202至第一調節器206之一流體線定位。過濾器204可為適於與將流過調節器總成200之流體一起使用之任何過濾器。
第一調節器206係一流體壓力調節器，其經組態以自處於或約為入口202處接收之一流體之壓力之一相對較高壓力減小流體且依一相對較低出口壓力提供流體。第一調節器206之出口可經提供至第二調節器208，例如藉由提供自第一調節器206之出口至第二調節器208之一入口之流體連通之一流體線。在一實施例中，第一調節器經組態以依基於其中將安裝調節器總成200之一容器內之流體之壓力選擇之一壓力接受流體。在一實施例中，第一調節器206之一出口壓力可基於在圖3中展示且下文描述之方法之測試來判定。在一實施例中，第一調節器206之出口壓力可為約15psig至約35psig。在一實施例中，第一調節器206之出口壓力可為約20psig至約30psig。在一實施例中，第一調節器之出口壓力係約25psig。此等範圍內之第一調節器206之出口壓力可減少自第二調節器208之出口中觀測到之觀測尖峰行為。
第二調節器208係一壓力調節器，其經組態以依或接近第一調節器206之出口壓力接收流體且進一步將壓力減小到適於輸送流體例如通過分配器210的值。第二調節器208可為能夠執行此壓力減小的任何合適流體壓力調節器。在一實施例中，由第二調節器208供應之出口壓力可為次大氣壓。在一實施例中，由第二調節器208供應之出口壓力可在自350托至650托之一範圍內。
第一調節器206及第二調節器208可分別為在將其等組裝至調節器總成200之前或之後通過一測試程序(諸如圖3中展示且下文描述之
測試程序)之第一及第二調節器。
可用作第一調節器206及第二調節器208之壓力調節器可各自為例如使用一提升閥來控制自壓力調節器之入口至出口之流量之調節器。此一調節器之一實例實施例包含與入口及出口通路連通之一主中央外殼。一提升閥包含於入口通路中且與入口通路之閥座接合以關閉至流體流之入口通路。提升閥與一閥桿耦合，閥桿繼而連接至壓力調節器之內部體積中之一壓力感測總成。壓力感測總成包含界定一波紋管結構之多個膜片。壓力感測總成回應調節器之出口通路中之一壓力級，使得低於一預定設定點壓力之出口通路中之壓力將致使多個膜片移動且致使壓力感測總成及與其耦合之提升閥閥桿對應地平移，使得提升閥脫離其閥座以容許流體流過調節器之入口通路及中央腔室至出口通路以使流體自出口通路之排放口流出。當出口通路中之流體壓力超過調節器之設定點壓力時，壓力感測總成將回應地平移提升閥閥桿及相關聯提升閥，使得提升閥接合入口通路之閥座以關閉到通過其之流體流之通路。
分配器210容許可控地排放在入口202處接收且通過調節器總成200之流體。分配器210可包含控制自第二調節器208之出口至一排放口214之流量之閥212。排放口214係容許在入口202處提供之流體離開調節器總成200之一開口。調節器總成200可進一步包含附接或保持特徵，使得排放口214可經附接以將流體提供至例如一工業工具，諸如用於半導體處理、顯示器製造、太陽能電池板製造或類似者之一工具。
根據實施例之調節器總成可包含第一調節器206上游之額外調節器，從而在達到第一調節器206之前進一步減小壓力，第一調節器206接著壓力減小至適於由第二調節器208吸入之一輸出壓力，第二調節
器208繼而依一合適壓力供應流體以自容器輸送。根據一實施例之測試(諸如下文描述且圖3中展示之實施例)可用於判定一些或所有上游調節器及第一調節器之入口及出口壓力，如下文描述。
圖3展示用於測試一流體儲存及輸送容器之一調節器總成之一方法之一流程圖。在方法300中，組裝302測試調節器總成，將一測試流體引入304至測試調節器總成之各者中，觀測306流量，判定308觀測流量之尖峰數目，及獲得310用於容器中之一調節器總成。
方法300可在準備用於流體儲存及輸送容器產品中之調節器總成時用作例如調節器之品質控制測試。方法300可用於測試及比較不同調節器及設定參數以判定用於調節器總成中之調節器設定。
在302處組裝測試調節器總成。在302處對測試調節器之組裝包含使一第一調節器與一測試流體源流體連通及使一第二調節器與第一調節器之出口流體連通。一測試調節器總成之第一調節器及第二調節器可分別為例如上文描述且圖1及圖2中展示之第一調節器112或206及第二調節器114或208。在測試調節器總成中，第一調節器相對於在304處提供之測試流體流在第二調節器上游，對應於在一入口與一調節器總成(諸如上文描述且圖1及圖2中展示之調節器總成106及200)中之第二調節器之間的一第一調節器。在一實施例中，第一及第二調節器之各者處於一測試設置以在302處組裝測試調節器總成。在一實施例中，將第一及第二調節器組裝成一完整調節器總成(諸如上文描述且圖1及圖2中展示之調節器總成106或200)，且接著使測試調節器總成與測試流體源流體連通以在302處組裝測試調節器總成。
在304處將測試流體引入至測試調節器總成之各者中。測
試流體可依一預定壓力輸送。預定壓力可對應於例如一選定流體將依其儲存於包含一調節器總成之一容器中之一最大壓力。在一實施例中，預定壓力可高於選定流體將依其儲存之最大壓力，例如使得測試結果存在一安全裕度。預定壓力可基於測試出於實驗目的而運行以用於調節器特性選擇或調節器總成品質控制評估來選擇。在一實施例中，預定壓力可在自約100psia至約1500psia之一範圍內。在一實施例中，調節器總成之品質控制評估期間之預定壓力係約155psia。在304處啟動測試流體之流量時提供預定壓力。可在將測試流體提供至測試調節器總成之整個程序中維持預定壓力。
應瞭解，如下文描述且圖5中展示，測試結果及尖峰效能受流過調節器總成之流體之分子量影響。針對將被儲存且自包含調節器總成之一容器分配之一選定流體，測試流體可經選擇以具有在選定流體之分子量之80%至110%之間的一分子量。在一實施例中，測試流體經選擇以具有在選定流體之分子量之85%至95%之間的一分子量。針對包含一單一化合物之選定流體，分子量可藉由任何合適手段判定，例如透過分子量之標準計算。針對係混合物之選定流體，分子量可藉由例如以下各者來判定：重量分析已知體積之各添加物之重量、計算混合物之組分之一加權平均值、測試混合物之一樣本以估計分子量、使用由材料之供應商供應之預定值或獲得混合物之一分子量值之任何其他此類合適方法。在一實施例中，測試流體可包含一單一化合物，且彼測試流體之分子量可藉由任何合適手段判定，例如透過分子量之標準計算。在一實施例中，測試流體係經形成以具有一選定分子量之一混合物，如藉由例如混合物之組分之一加權平均值、重量量測(包含量測混合物之各組分在其添加至測試混合物時之
重量)或任何其他此方法判定，其中選定分子量係在關於選定流體之範圍內。
選定流體可為使用一流體儲存及輸送容器輸送之任何合適關注流體。選定流體之非限制性實例包含AsH3、AsF3、AsF5、PH3、NF3、PF3、PF5、BF3、BCl3、B2H6、Si2H6、Si3H8、SiH4、C3H10Si、Si(CH3)4、鹵代矽烷(諸如(例如)SiF4)、鹵代乙矽烷(諸如(例如)Si2F6)、氯矽烷(例如SiCl4)、GeH4、GeF4、H2Se、H2Te、SbH3、CH4、CF4、CHF3、CH2F2、CH3F、CO、CO2、COF2、HS、H2、HF、B2F4、HCl、Cl2、氟化烴、N2、O2、F2、He、Xe、Ar、Kr、有機金屬氣態試劑、前述內容之兩者或多於兩者之混合物、前述內容之一或多者與H2或任何其他合適混合組分之混合物及/或前述內容之同位素富集變體。
測試流體可為上文描述之能夠依壓下供應且通過測試調節器總成之具有一分子量之任何合適流體。測試流體可包含一單一選定化合物或多種化合物之一混合物。在一實施例中，測試流體由惰性氣體組成。作為非限制性實例，測試流體可包含氫、氦、氬、氪、氙、四氟化碳或其等之混合物之一或多者。在一實例實施例中，測試流體可為一氬-氙混合物。
在306處觀測流量。觀測流量可為測試調節器總成之第二調節器之一出口處之流量。流量之觀測可包含量測分配氣體之一壓力、流量之一速度、流量之一體積流率或反映流量隨時間通過第二調節器之量之任何其他合適量測之一或多者。流量之觀測隨時間執行且包含啟動測試流體之流量。觀測可使用適於進行量測、定位於測試調節器總成之第二調節器之一出口處或下游之任何感測器進行。
在308處判定觀測流量之尖峰數目。尖峰可藉由例如處理在306處觀測流量時獲得之資料以判定在量測值中發生之峰值數目來判定。峰值可藉由適於資料之任何處理技術識別。多個此類峰值之實例可例如見於圖4B及圖5中且在下文描述。接著，可比較在308處判定之觀測流量之尖峰數目與用於使測試調節器總成之調節器通過或拒絕其之一臨限值。臨限值可為通過調節器總成之其中將使用調節器總成或流體儲存及輸送容器之應用可接受之尖峰效能之任何臨限值，且可隨所述應用而變化。在一實施例中，兩個或多於兩個尖峰導致測試調節器總成之調節器被拒絕。在一實施例中，少於兩個尖峰導致測試調節器總成之調節器通過以用於一流體儲存及輸送容器之一調節器總成中。在一些實施例中，兩個尖峰亦可被視作可接受且被通過供使用。在一實施例中，具有不同參數(諸如第一調節器出口壓力)之多個測試調節器總成可在302處準備且在304、306處供應及觀測流量，其中該測試調節器之通過或未通過用於判定在不同測試調節器總成之間變化之參數之可接受或更佳值。
可在310處視情況獲得用於與一容器一起使用之一調節器總成。當一測試調節器總成在308處判定尖峰數目低於臨限值之後通過時，可使用測試調節器總成之一些或所有元件獲得用於與一容器一起使用之一調節器總成。在一實施例中，在310處組裝調節器總成可包含採用來自在302處組裝之測試調節器總成之第一及第二調節器及提供連接至第一調節器之一入口、將第一調節器之一出口連接至第二調節器之一流體線及連接至第二調節器之一出口之一分配器以例如獲得針對上文描述且圖1及圖2中展示之調節器總成106或200展示之配置。
視情況，可將在310處組裝之調節器總成進一步組裝至一
流體儲存及輸送容器312中。調節器總成310可經安裝至一容器之一孔(諸如圖1中展示且上文描述之容器體102之孔104)中，其中調節器總成經密封使得所有流體皆必須行進通過調節器總成以進入或離開所得容器。接著，流體儲存及輸送容器可用於儲存及輸送加壓流體，諸如上文列舉之任何流體。
圖4A展示根據一實施例之一調節器總成對在測試時無尖峰之一流量之一實例回應。如圖4A中可見，壓力隨時間下降至最小值400托。時間T=0被指派給此最小值之發生。在達到最小壓力值之後，壓力平穩地恢復至略高於400托，其中壓力隨著測試流體繼續流動而保持，直至T=120秒，如由「SCCM」線指示。圖4A中展示之實例回應將提供自適於與甚至敏感工業工具(諸如用於半導體、裝置或太陽能電池板製造之工具)一起使用之一流體儲存及輸送容器內輸送之流體之平穩、一致壓力。
圖4B展示根據一實施例之一調節器總成對在測試時包含尖峰之一流量之一回應。在圖4B中展示之結果中，壓力下降至低於350托之一最小值。出於圖表之目的，時間T=0被設定為其中達成該最小壓力值之時間點。壓力幾乎立即回升至425托，然後又急降至375托，然後又再次幾乎立即回升至約425托，此後，逐漸平穩下降至400托，直至測試流體供應結束，如由圖表上之SCCM線展示。壓力之兩個向上尖峰與第二急降一起表示可在一些調節器總成中觀測到之尖峰行為。在一些調節器總成中，尖峰可進一步重複，從而在相對較高與相對較低壓力之間提供連續振盪。一些工業工具(例如用於半導體、顯示器或太陽能電池板製造之一些工具)無法處置一經供應流體之壓力之此類不一致性。此類不一致性可例
如致使產品損失、處理工具之昂貴停機時間或通過一製造線之流量中斷、或組件、時間及/或材料之其他浪費。因此，由多個急降接著突增展示之尖峰行為可能不適合用於此類敏感應用之流體儲存及輸送容器中。通常，一單一尖峰在流體儲存及輸送容器之諸多應用中係可接受的，而兩個或多於兩個此類尖峰將需要拒絕調節器總成。然而，應瞭解，尖峰之容限可隨應用變化，且調節器總成之接受或拒絕可基於一調節器總成之尖峰行為基於特定應用之特定要求係合適或不合適的。
圖5展示使用相同調節器總成及不同測試流體時之一系列測試結果。在圖5中展示之結果係自其獲得之試驗中，具有來自第一調節器之相同出口壓力之相同調節器總成用於試驗之各者，其中僅改變所供應之測試流體。在圖5中展示之第一試驗中，使用氦氣作為測試流體。在第二試驗中，使用氮作為測試流體。在第三試驗中，使用氬作為測試流體。在第四試驗中，使用一氬-氙混合物作為測試流體。在第五試驗中，使用氙作為測試流體。如各自結果中可見，具有相對較高分子量之測試流體導致比相對較低分子量測試流體少之尖峰及振盪，即使所有試驗中調節器總成及出口壓力係相同的。因此，應瞭解，流量中觀測到之尖峰及振盪行為隨通過調節器總成之流體之分子量而變化，其中具有較輕分子量之流體導致比具有較重分子量之流體增加之尖峰及振盪。因此，使用具有表示通過一調節器總成輸送之一選定流體之一分子量之一測試流體之測試可確保一更準確表示與一選定流體一起使用之一調節器總成之效能。而且，具有比選定流體相對更低之一分子量之測試流體可向測試提供一安全裕度，測試流體比將在與選定流體一起使用時之經歷更易受尖峰及振盪影響。
態樣：
應理解，態樣1至7之任何者可與態樣8至15之任何者組合。
態樣1. 一種測試用於一流體供應封裝之一調節器之方法，其包括：將一測試流體引入至複數個單獨測試調節器總成中，其中：該測試流體具有在由該流體供應封裝供應之一選定流體之一分子量之80%至110%之間的一分子量，且該複數個測試調節器總成之各者包含一第一調節器及一第二調節器，該複數個測試調節器總成之各者之該第一調節器具有一設定出口壓力；觀測通過該複數個測試調節器總成之各者之該第二調節器之一流量；判定通過該複數個測試調節器總成之各者之該第二調節器之該觀測流量之尖峰數目；及組裝用於該流體供應封裝之一供應封裝調節器總成，該供應封裝調節器總成包含在該觀測流量中展現少於兩個尖峰之該複數個測試調節器總成之一者之該第一調節器及該第二調節器。
態樣2. 如態樣1之方法，其中該觀測流量之第一尖峰係該觀測流量之壓力尖峰。
態樣3. 如態樣1至2中任一項之方法，其中該測試流體係兩種或更多種流體之一混合物，且該兩種或更多種流體之各者係氣體。
態樣4. 如態樣1至3中任一項之方法，其中該測試流體之該分子量在該選定流體之該分子量之85%至95%之間。
態樣5. 如態樣1至4中任一項之方法，其進一步包括將該供應封裝調節器總成安裝至該流體供應封裝中。
態樣6. 如態樣1至5中任一項之方法，其中該選定流體包含CF4、CO、BF3、SiF4、AsH3、PH3及GeF4之一或多者。
態樣7. 如態樣6之方法，其中該選定流體係進一步包含H2之一混合物。
態樣8. 一種用於一選定流體之一流體供應容器之調節器總成，其包括：一第一調節器，其具有設定至一預定設定點之一出口壓力；及一第二調節器，其經組態以接收來自該第一調節器之流體，其中該預定設定點係在該調節器總成使用一測試流體操作時在通過該第二調節器之一流量中產生少於兩個尖峰之一出口壓力，該測試流體具有在該選定流體之一分子量之80%至110%之間的一分子量。
態樣9. 如態樣8之調節器總成，其中該測試流體係兩種或更多種流體之一混合物，且該兩種或更多種流體之各者係氣體。
態樣10. 如態樣8至9中任一項之調節器總成，其中該測試流體之該分子量在該選定流體之該分子量之85%至95%之間。
態樣11. 如態樣8至10中任一項之調節器總成，其中該選定流體包含CF4、CO、BF3、SiF4、AsH3、PH3及GeF4之一或多者。
態樣12. 如態樣11之調節器總成，其中該選定流體係進一步包含H2之一混合物。
態樣13. 一種流體供應容器，其包括如態樣8至10中任一項之調節器總成，其中該流體供應容器經組態以儲存該選定流體。
態樣14. 如態樣13之流體供應容器，其中該選定流體包含CF4、CO、BF3、SiF4、AsH3、PH3及GeF4之一或多者。
態樣15. 如態樣14之流體供應容器，其中該選定流體係進一步包含H2之一混合物。
儘管已如此描述本發明之若干繪示性實施例，然熟習此項技術者將容易瞭解，可在隨附發明申請專利範圍之範疇內進行及使用其他實施例。由本發明涵蓋之本發明之諸多優點已闡述於前文描述中。然而，應理解，本發明在諸多方面皆僅係繪示性的。可在不超過本發明之範疇之情況下對細節作出改變，尤其係關於部件之形狀、大小及配置。當然，本發明之範疇依表達所附發明申請專利範圍之語言界定。
302:組裝測試調節器總成
304:將測試流體引入至測試調節器總成中
306:觀測通過測試調節器總成之流量
308:判定觀測流量之尖峰
310:組裝用於容器中之調節器總成
312:將調節器總成安裝至容器中
Claims (15)
- 一種用於一選定流體之一流體供應容器之調節器總成，其包括：一第一調節器，其具有設定至一預定設定點之一出口壓力；及一第二調節器，其經組態以接收來自該第一調節器之流體，其中該預定設定點係在該調節器總成使用一測試流體操作時在通過該第二調節器之一流量中產生少於兩個尖峰之一出口壓力，該測試流體具有在該選定流體之一分子量之80%至110%之間的一分子量。
- 如請求項1之調節器總成，其中該測試流體係兩種或更多種流體之一混合物，且該兩種或更多種流體之各者係氣體。
- 如請求項1之調節器總成，其中該測試流體之該分子量在該選定流體之該分子量之85%至95%之間。
- 如請求項1之調節器總成，其中該選定流體包含CF4、CO、BF3、SiF4、AsH3、PH3及GeF4之一或多者。
- 如請求項4之調節器總成，其中該選定流體係進一步包含H2之一混合物。
- 一種流體供應容器，其包括如請求項1之調節器總成，其中該流體供應容器經組態以儲存該選定流體。
- 如請求項6之流體供應容器，其中該選定流體包含CF4、CO、BF3、SiF4、AsH3、PH3及GeF4之一或多者。
- 如請求項7之流體供應容器，其中該選定流體係進一步包含H2之一混合物。
- 一種測試一調節器之方法，其包括：將一測試流體引入至複數個測試調節器總成中，其中：該測試流體具有在由一流體供應封裝供應之一選定流體之一分子量之80%至110%之間的一分子量，且該複數個測試調節器總成之各者包含一第一調節器及一第二調節器，該複數個測試調節器總成之各者之該第一調節器具有一預定出口壓力；監測通過該複數個測試調節器總成之各者之該第二調節器之該測試流體之一流量；判定通過該複數個測試調節器總成之各者之該第二調節器之受監測之該流量之尖峰數目；及組裝用於該流體供應封裝之一調節器總成，該調節器總成包含自該複數個測試調節器總成之一者選擇之在受監測之該流量中展現少於兩個尖峰之該第一調節器及該第二調節器。
- 如請求項9之方法，其中受監測之該流量之第一尖峰係該流量之壓力 尖峰。
- 如請求項9之方法，其中該測試流體係兩種或更多種流體之一混合物，且該兩種或更多種流體之各者係氣體。
- 如請求項9之方法，其中該測試流體之該分子量在該選定流體之該分子量之85%至95%之間。
- 如請求項9之方法，其進一步包括將用於該流體供應封裝之該調節器總成安裝至該流體供應封裝中。
- 如請求項9之方法，其中該選定流體包含CF4、CO、BF3、SiF4、AsH3、PH3及GeF4之一或多者。
- 如請求項14之方法，其中該選定流體係進一步包含H2之一混合物。
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