TWI805959B - 減輕在光學表面缺陷的方法及以此方法形成的鏡片 - Google Patents

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Abstract

揭露一種製造用於極紫外光(extreme-ultraviolet,EUV)或X射線輻射的鏡片的方法。此方法包括：(a)提供具有彎曲鏡面的光學元件，其中此彎曲鏡面包括降低彎曲鏡面的效能的多個局部缺陷；(b)以一材料旋轉塗佈此彎曲鏡面以覆蓋至少一些缺陷：以及(c)固化彎曲鏡面上的旋轉塗佈材料以減少缺陷數量，並且改善彎曲鏡面的效能。亦揭露藉由此方法製造的鏡片。

Description

減輕在光學表面缺陷的方法及以此方法形成的鏡 片
本發明是關於一種減輕在光學元件的光學表面上的缺陷的方法，上述光學元件包括用於極紫外光(extreme-ultraviolet,EUV)以及X射線輻射的鏡片元件，以及以此方法形成的鏡片元件。
尖端光學系統(cutting-edge optical systems)，例如用於製造半導體晶片的顯微蝕刻術(microlithography)系統，使用在極紫外光(EUV)和X射線區域的電磁輻射。這樣的區域具有在1奈米至20奈米範圍的短波長，可達成以非常精細的解析度再現圖案的光學系統設計。由於大多數的材料對於EUV和X射線輻射的吸收作用很強，因此這類系統的光學元件包含反射元件。因此，這樣的反射元件需要具有相當高品質的反射表面，包括符合精確地最佳化的曲率及形狀、並且也非常平滑的表面。
現存用於對這樣的表面進行修形、研磨和以其他方式加工的技術，包括例如離子束修形(ion-beam figuring,IBF)、磁 流變加工(magneto-rheological finishing,MRF)、化學機械研磨(chemical mechanical polishing,CMP)以及電腦控制光學表面成形(computer controlled optical surfacing,CCOS)。然而，這種技術對於EUV和X射線光學元件所需的公差(tolerance)來說通常是昂貴且費時的。此外，由於目前針對尖端EUV光微影系統所提出的反射光學元件的設計需要處理非平坦表面，因此加劇了對此類技術的限制。此反射光學元件不僅包括非球面元件，且亦包括非旋轉對稱元件，例如自由形式(free-form)的掠入射鏡(grazing incidence mirror)等元件。
通常用來表徵光學表面足夠「平滑」的度量為表面粗糙度。表面粗糙度是相對於標稱表面(nominal surface)的重複及/或隨機偏差，此標稱表面形成了表面的三維拓撲。與EUV和X射線光學元件特別相關的是高空間頻率表面粗糙度(high spatial frequency surface roughness,HSFR)，其對應於微米至奈米尺寸規模的偏差(例如，從大約10微米至10奈米的空間週期)，因為這種粗糙度導致散射損耗，而降低了實現此種光學元件的EUV以及X射線光學系統的傳輸通量。通常可在修形製程中(至少例如：大於約1至2毫米的空間週期)修正較低的空間頻率偏差(例如波紋)。波紋可能由工作件變形、振動、顫動、熱處理或翹曲應變(warping strain)所引起。另一方面，HSFR通常是研磨製程的固有結果(例如，研磨砂粒的隨機效應)。HSFR包括變化幅度及間距皆大於分子尺寸的凸起(突起)(局部最大值)和凹部(局部最小值)。
粗糙度R通常以美國國家標準協會(ANSI)和國際標準化組織(ISO)(匿名，1975、1985)所提倡的兩種統計高度描述符之一來表徵(參照例如：ISO 10110-8)。這兩種描述符為(1)Ra、CLA(中心線平均值(center-line average))或AA(算術平均值(arithmetic average))，以及(2)標準差或變異數(σ)、Rq或方均根(root mean square,RMS)。儘管對於本發明來說並非關鍵的，但在本申請中，將根據三維表面形貌與對應於高空間頻率(例如：低於10微米的空間週期)的光學元件設計表面的標稱三維表面形貌的垂直偏差的方均根來定義HSFR。舉例來說，對於一個沿著長度L的線延伸的抽樣區域，此線沿著具有相對於標稱表面形貌z’(x)的真實表面形貌z(x)的表面的X軸延伸，其規模長度L可達10微米，而其高空間頻率粗糙度R為：
Figure 109137222-A0305-02-0005-1
 可使用原子力顯微鏡(atomic force microscope,AFM)或光學干涉儀來測量HSFR。為了即時以奈米規模的橫向解析度來測量HSFR，並且由於HSFR被理解為研磨步驟的固有性質，因此通常在不大於50微米乘以50微米，並且通常為10微米乘以10微米量級的面積上進行HSFR的測量。
對於正入射(normal incidence)EUV鏡，HSFR所需的公差可小於幾埃(例如：R<0.2奈米)，以避免散射損耗。由於在入射角增加時(例如：R<0.5奈米)散射便減少，因此可稍微提高掠 入射鏡的公差，儘管仍然非常嚴格。舉例來說，由Salmassi等人在Proc.SPIE 6683,66830 F1(2008年2月)中所發表的「用於極紫外線條件下的鑽石切削光學元件的旋轉塗佈玻璃平滑步驟(Spin-on-glass smoothing of diamond turned optics for use in the extreme ultraviolet regime)」中，藉由在基板上旋轉塗佈一層玻璃薄層來將HSFR從6.6奈米RMS降低至0.45奈米，此基板被修形以用作為用於EUV光學系統的掠入射圓柱形複眼(grazing-incidence,cylindrical fly-eye)。在基板的50微米乘以50微米的面積上使用AFM來測定HSFR。
發明人已認知反射性EUV光學元件的公差不僅需要非常小的HSFR，且亦需要非常少的表面缺陷，並且可使用旋轉塗佈技術來減少缺陷數量。材料表面上不遵循表面自然紋理的任何不連續且離散的任何區域或其粗糙度均被歸類為缺陷(或者等同「裂痕(flaw)」)。舉例來說，缺陷包括刮痕(scratches)、凹坑(pits)以及凹痕(digs)。缺陷沿著其最短橫向尺寸的大小通常小於1000奈米，或者更通常為小於500奈米；但是大於會導致漫散射(diffuse scatter)的HSFR的尺寸規模。不幸的是，當製備用於EUV光學元件的超研磨(super-polished)基板時，這些缺陷很容易被忽略。首先，通常對此類光學元件表徵HSFR，而用於HSFR測量的檢查區域(例如：10微米乘以10微米)比光學元件的可用區域(例如，至少數平方 毫米的數量級的區域)要小得多。因此，HSFR測量並不會觀察到在檢查區域以外的缺陷。其次，即使在HSFR檢查區域中觀察到缺陷，其通常被視為異常並從HSFR計算中被排除，否則將使得HSFR的結果有誤差。第三，無法充分得知EUV光學元件所需的缺陷容忍度(defect tolerance)。例如，一些光學元件在整個光學元件的整個常規區域上(例如：面積為1至100,000平方毫米甚至更大)需要少於每1平方毫米的面積1個缺陷。
大致上來說，在一方面，揭露一種製造用於極紫外光(EUV)或X射線輻射的鏡片(mirror)的方法。此方法包括：(a)提供具有一彎曲鏡面的一光學元件，其中此彎曲鏡面包括降低彎曲鏡面的效能的多個局部缺陷；(b)以一材料旋轉塗佈此彎曲鏡面以覆蓋至少一些缺陷：以及(c)固化此彎曲鏡面上的此旋轉塗佈材料以減少缺陷數量，並且改善此彎曲鏡面的效能。
此方法的實施例可包括以下的任何特徵。
此鏡面在旋轉塗佈步驟之前可具有小於1奈米，或甚至小於0.45奈米的高空間頻率表面粗糙度(HSFR)。
此方法可更包括在旋轉塗佈步驟之前表徵鏡面上的缺陷數量、在旋轉塗佈步驟之後表徵鏡面上的缺陷數量、或者在旋轉塗佈步驟之前以及旋轉塗佈步驟之後表徵鏡面上的缺陷數量。舉例來說，表徵步驟可包括以光學顯微鏡(例如共焦顯微鏡)檢查鏡面上大於1平方毫米的面積。
光學元件可包括由矽、熔融矽石、石英矽、摻鈦矽石、玻璃陶瓷以及研磨陶瓷中的任一製成的基板。此鏡片可用於介於1奈米及20奈米之間的波長範圍。彎曲鏡面可為非球面鏡面。
缺陷可包括具有至少一個小於500奈米的橫向尺寸的任何刮痕、凹坑以及凹痕。
旋轉塗佈步驟可包括：(a)在此彎曲鏡面上的彎曲表面的旋轉塗佈旋轉軸附近沉積材料；以及(b)使此光學元件的彎曲表面繞著旋轉軸旋轉，使得類玻璃材料輻射地向外流動以覆蓋彎曲鏡面，並且形成一薄膜。舉例來說，旋轉步驟可包括以每分鐘1000轉至5000轉之間的速度旋轉此光學元件。舉例來說，此薄膜的厚度可介於50奈米及500奈米之間，或者更狹窄地介於100奈米及400奈米之間。旋轉塗佈步驟可更包括在沉積此材料之後旋轉彎曲表面，以在形成此薄膜的同時旋轉去除(spin-off)且蒸發多餘的材料。旋轉塗佈步驟可更包括加熱彎曲鏡面以幫助蒸發材料的任何溶劑。
固化步驟可包括在存在臭氧及UV射線的至少其中之一的情況下，在烘箱中加熱經旋轉塗佈的基板。舉例來說，此烘箱被加熱至介於100℃至600℃的溫度。
旋轉塗佈材料可為類玻璃材料，例如含氫矽酸鹽類(hydrogen silsesquioxane)或甲基矽氧烷(methylsiloxane)。
在固化步驟之後，在彎曲鏡面的可用區域上，缺陷的數量可被減少至少於每1平方毫米1個缺陷。
此方法可更包括以多重光學層塗佈經固化且經旋轉塗佈的鏡面，以提供用於EUV及X射線輻射的反射鏡面。舉例來說，上述多重層可包括鉬及矽製成的層。
大致上來說，在另一方面，揭露一種用於極紫外光(EUV)或X射線輻射的鏡片。此鏡片包括：(a)一光學元件，具有一彎曲鏡面，其中此彎曲鏡面包括降低彎曲鏡面的效能的多個局部缺陷；以及(b)一薄膜，藉由以下方法形成於此彎曲鏡面上：(i)以一材料旋轉塗佈此彎曲鏡面以覆蓋至少一些缺陷：以及(ii)固化此彎曲鏡面上的旋轉塗佈材料以減少缺陷數量，並且改善此彎曲鏡面的效能。
此鏡片的實施例可包括以下的任何特徵。
此鏡面在旋轉塗佈步驟之前可具有小於1奈米，或甚至小於0.45奈米的高空間頻率表面粗糙度(HSFR)。
光學元件可包括由矽、熔融矽石、石英矽、摻鈦矽石、玻璃陶瓷以及研磨陶瓷中的任一製成的基板。此鏡片可用於介於1奈米及20奈米之間的波長範圍。彎曲鏡面可為非球面鏡面。
缺陷可包括具有至少一個小於500奈米的橫向尺寸的任何刮痕、凹坑以及凹痕。
旋轉塗佈步驟可包括：(a)在此彎曲鏡面上的彎曲表面的旋轉塗佈旋轉軸附近沉積材料；以及(b)使此光學元件的彎曲表面繞著旋轉軸旋轉，使得類玻璃材料輻射地向外流動以覆蓋彎曲鏡面，並且形成一薄膜。舉例來說，旋轉步驟可包括以每分鐘1000轉至5000轉之間的速度旋轉此光學元件。舉例來說，此薄膜的厚度可 介於50奈米及500奈米之間，或者更狹窄地介於100奈米及400奈米之間。旋轉塗佈步驟可更包括在沉積此材料之後旋轉彎曲表面，以在形成此薄膜的同時旋轉去除且蒸發多餘的材料。旋轉塗佈步驟可更包括加熱彎曲鏡面以幫助蒸發材料的任何溶劑。
固化步驟可包括在存在臭氧及UV射線的至少其中之一的情況下，在烘箱中加熱經旋轉塗佈的基板。舉例來說，此烘箱被加熱至介於100℃至600℃的溫度。
旋轉塗佈材料可為類玻璃材料，例如含氫矽酸鹽類或甲基矽氧烷。
在固化步驟之後，在彎曲鏡面的可用區域上，缺陷的數量可被減少至少於每1平方毫米1個缺陷。
此鏡片可更包括塗佈於經固化且經旋轉塗佈的鏡面上的多重光學層，以提供用於EUV及X射線輻射的反射鏡面。舉例來說，上述多重層可包括鉬及矽製成的層。
本文提及的所有文獻均藉由引用而將其全部內容併入本文。在本揭露與藉由引用而併入的任何文件有所矛盾的情況下，以本揭露為準。
在以下的圖式及描述中闡述本發明的一個或多個實施例的細節。藉由說明書、圖式以及專利申請範圍，本發明的其他特徵、目的以及優點將變得顯而易見。
105,110,115,120,125,130,135,140,145,150,155:步驟
第1圖為描述製造用於極紫外光(EUV)或X射線輻射的彎曲鏡片的實施例的流程圖。
第2圖為繪示在基板表面上的粗糙度R的示意圖，包括低空間頻率粗糙度與高空間頻率粗糙度。
第3圖為繪示用來在基板上形成薄膜的旋轉塗佈製程的示意圖。
第4圖為繪示薄膜厚度相對於在旋轉塗佈機器中的轉盤旋轉速度的代表性變化的圖式。
第5圖為繪示在基板上的旋轉塗佈薄膜橋接缺陷(bridging defect)的示意圖。
各個圖式中相同的參考符號表示相同的元件。
第1圖為描述製造用於極紫外光(EUV)或X射線輻射的彎曲反射元件(例如：彎曲鏡片)的實施例的流程圖。
在步驟105中，提供一基板。此基板可由通常用於EUV或X射線光學系統的材料來製造。優選地，此材料與隨後為最終鏡面提供布拉格反射率(Bragg reflectivity)的交替的多個薄層(例如鉬和矽)的沉積步驟相容。舉例來說，基板材料可為矽、融熔矽石、摻氧化鈦矽、以及ULE®玻璃(來自康寧)。此外，基板材料可為玻璃陶瓷或另一種可研磨的陶瓷。基板具有對應於最終鏡片的所需曲率的表面拓撲。舉例來說，曲率可為球形的，或者非球形但為旋轉對稱的。此外，曲率可為非旋轉對稱的自由形式曲率。可使用傳統 的鑽石切削(diamond turning)機器來達成所需的旋轉對稱曲率。可藉由離子束修形(ion-beam figuring,IBF)來實現進一步的加工(包括旋轉對稱性的局部及/或自由形式的偏差)。為了與意欲成為標稱平面(nominally planar)的基板區別，舉例來說，基板曲率可具有大於至少10微米，或者甚至大於100微米的絕對弧矢尺寸(sagittal dimension)。
在步驟110中，測量基板的高空間頻率粗糙度(HSFR)，並且如果前述粗糙度過高，則可使用研磨技術(例如MRF與CMP)來使基板變得平滑。理想地，HSFR被減少至小於2奈米、或小於1奈米、或小於0.45奈米、或甚至小於0.3奈米。舉例來說，可在基板的50微米乘以50微米的面積上使用AFM以測得HSFR。替代地，可使用用來測量拓樸的光學干涉顯微鏡來測量HSFR。如上所述，可根據ISO 10110-8來測量HSFR。第2圖為來自B.Bhushan的Modern Tribology Handbook的第2章第2.2節的示意圖，其繪示在基板表面上的粗糙度R，包括低空間頻率粗糙度與高空間頻率粗糙度。
在步驟115中，檢查基板以識別且量化缺陷。如上所述，材料表面上不遵循表面自然紋理的任何不連續且離散的區域或其粗糙度均被歸類為缺陷(或者等同「裂痕(flaw)」)。舉例來說，缺陷包括刮痕(scratches)、凹坑(pits)以及凹痕(digs)。在此步驟中，在比用於測量粗糙度的區域更大的區域中檢查基板，以確保沒有忽略缺陷。舉例來說，可在光學元件的可用區域(例如，至少數 平方毫米的數量級的區域)中檢查基板。可使用光學顯微鏡(例如共焦顯微鏡(confocal microscope))完成檢查基板的缺陷的步驟。可根據例如軍用標準MIL-0-13830或國際標準組織ISO 10110-7的標準來表徵這些缺陷。假設觀察到至少一些缺陷，則進行第1圖的方法的後續步驟。對於本文特別關注的EUV和X射線光學元件來說，缺陷可以包括例如任何刮痕、凹坑和凹痕，其具有至少一個小於例如1000奈米，甚至小於500奈米的橫向尺寸。取決於鏡片所需的公差，即使在整個光學元件的常規區域中觀察到的缺陷數量少於每1平方毫米10個缺陷，甚至在一些實施例中，在整個光學元件的常規區域中的缺陷數量少於每1平方毫米5個缺陷，或是甚至在一些進一步的實施例中，在整個光學元件的常規區域中的缺陷數量少於每1平方毫米2個缺陷，後續的步驟也將繼續進行。
在步驟120中，準備用於旋轉塗佈的基板以減少在步驟115中觀察到的缺陷數量。此準備步驟可包括，舉例來說，下列步驟的其中一個或多個：(i)以清潔劑清潔基板表面；(ii)以去離子水沖洗基板表面；(iii)進一步地以溶劑清潔基板表面；以及(iv)以惰性氣體乾燥基板表面，例如以氮氣槍使用氮氣。
在步驟125中，所準備的基板被安裝在旋轉塗佈機器中，並且進行旋轉塗佈。舉例來說，基板可透過真空安裝於轉盤上，且自動分配單元在轉盤的旋轉軸附近將已知數量的旋轉塗佈材料沉積到基板表面上。轉盤接著旋轉加速至最終旋轉速率，以導致旋轉 塗佈材料流動至基板的邊緣，且以旋轉塗佈材料的薄膜均勻地塗佈基板表面。
在第3圖中示意性地繪示製程的一實施例，其顯示：(1)沉積旋轉塗佈材料至基板上；(2)以角頻率ω旋轉基板以形成薄膜；(3)持續旋轉以確保薄膜的均勻度：以及(4)蒸發在旋轉塗佈中的任何溶劑，以準備後續的固化步驟。適合作為旋轉塗佈材料的材料包括類玻璃材料，例如：含氫矽酸鹽類(HSQ)和甲基矽氧烷，以及旋轉塗佈聚合物，例如聚醯亞胺。
在旋轉塗佈製程期間，形成於基板上的薄膜厚度將取決於旋轉的角頻率以及旋轉塗佈材料的黏度。舉例來說，最終旋轉速率可在每分鐘1000至5000轉(rotations per minute,RPM)的範圍，並且所需要的膜厚度可介於50與500奈米之間，舉例來說，介於100與300奈米之間。第4圖為顯示旋轉速率vr與薄膜厚度t之間的示例性關係的圖式。取決於薄膜和旋轉塗佈材料的厚度，形成於基板表面上的薄膜可以平滑地橋接缺陷直至缺陷的臨界尺寸。臨界尺寸通常為至少500奈米，或甚至至少1000奈米。否則，薄膜將會順應並保留下方基板的特定(tailored)曲率，包括其低粗糙度。在第5圖中示意性地繪示這種在缺陷上的「橋接」。雖然在第5圖中示意性地繪示的橋接並未填充下方的缺陷，但其僅為一實施例。在其他實施例中，薄膜提供在缺陷上橋接的平滑表面，但亦將部分填充或完全填充下方的缺陷。
在步驟130中，從旋轉塗佈機器移除經旋轉塗佈的基板，並且進行固化以硬化形成於基板上的薄膜。舉例來說，可將經旋轉塗佈的基板放置於固化烘箱，並在可選地存在臭氧及/或同時暴露於紫外光的情況下，加熱至例如100℃至600℃的溫度。在以HSQ作為旋轉塗佈材料的情況下，這樣的固化步驟使溶劑與交聯HSQ分子形成硬質氧化矽層。
在步驟135中，如同步驟115，再次地檢查經硬化及旋轉塗佈的基板是否有缺陷，以確定旋轉塗佈步驟是否已將缺陷數量減少至可接受的程度。若未達成，則可選地重複旋轉塗佈及固化步驟。
在步驟140中，使用光學干涉儀檢查經硬化及旋轉塗佈的基板的拓樸，以確保在旋轉塗佈之後，表面圖形誤差仍在規格範圍內。若未達成，則在步驟145中，使用由步驟140的檢查步驟所測定的表面圖形誤差圖來引導使用例如IBF的表面圖形修正。
在步驟150中，再次檢查包括經硬化和旋轉塗佈的薄膜的經圖形修正的基板的缺陷，以確保在表面圖形修正期間未導入額外的缺陷。若導入額外缺陷，則可選地重複進行旋轉塗佈和隨後的步驟。
在步驟155中，在確定包括經硬化和旋轉塗佈的薄膜的經圖形修正的基板的表面圖形誤差、粗糙度和缺陷數量在所需的公差範圍內之後，可選地以像是例如鉬和矽的交替薄層的多個光學層塗佈基板表面，以為基板提供布拉格反射率，並且形成用於EUV及 /或X射線光學元件的最終鏡片。形成這種多層堆疊物的技術在本發明所屬技術領域中為習知的。
本發明進一步的實施例包括，舉例來說，藉由第1圖的流程圖的方法所形成的鏡片。
範圍
必須注意的是，如本文及申請專利範圍中所使用者，單數形式「一(a/an)」和「該(the)」包括複數個被指稱物(referents)，除非內文另外明確地指出，例如使用「單一(single)」一詞時。
如本文所使用者，術語「適於(adapted)」或「配置為(configured)」表示元件、部件或其他標的(subject matter)被設計為及/或旨在執行給定功能。因此，使用術語「適於」或「配置為」不應被解釋為意味著給定的元件、部件或其他標的僅「能夠」執行給定的功能。
如本文所使用者，在提及一個以上的個體(entity)的列表時，片語「至少一個」和「一個或多個」意指個體列表中的任何一個或多個個體，並且不限於個體列表中具體列出的每個個體以及每一個個體中的至少一個。例如，「A及B中的至少一個」(或者等同於「A或B中的至少一個」，或者等同於「A及/或B中的至少一個」)可意指單獨的A、單獨的B、或者A與B的組合。
如本文所使用者，放置於第一個體與第二個體之間的術語「及/或」意指(1)第一個體、(2)第二個體以及(3)第一個體與第二個體，之中的其中一個。與「及/或」一同列出的多個個體應 以相同的方式解釋，亦即，以此方式連接的個體中的「一個或多個」。除了以「及/或」子句具體標識的個體之外，可選地存在其他個體，無論是否與那些具體標識的個體相關。
儘管本說明書包含許多具體的實施細節，但這些細節不應被解釋為對於任何發明的範圍或者專利申請範圍的限制，而應被解釋為對於特定發明的特定實施例所做的具體特徵的描述。
在本說明書中，不同實施例的內文中所描述的某些特徵也可以在單一實施例中組合實現。相反地，在單一實施例的內文中所描述的各種特徵也可以分別在多個實施例中或者以任何適合的子組合來實現。
此外，儘管在上文中可能將特徵描述為以某些組合的形式來作用，甚至在起初便以此形式要求保護，但是在某些情況下可以從組合中去除所要求保護的組合中的一個或多個特徵，並且所要求保護的組合可針對子組合或者子組合的變型。
同樣地，儘管在圖式中以特定順序繪示操作，但不應被理解為需要以繪示的特定順序或者以連續的順序執行操作，或者需要執行所有繪示的操作以獲得期望的結果。在某些情況下，多工處理和並行處理可能為有利的。此外，上述實施例中的各種系統組件的分隔不應被理解為在所有實施例中都需要如此分隔，並且應當理解的是，所描述的程式組件和系統通常可以一起積體於單一軟體產品中或者封裝成多重軟體產品。
因此，已經描述了標的的特定實施例。其他實施例在以下的專利申請範圍內。在某些情況下，可以以不同的順序執行專 利申請範圍中所記載的動作，並且仍然達成期望的結果。另外，圖式中繪示的過程不一定需要藉由所示的特定順序或者連續順序來實現期望的結果。在某些實施方式中，多工處理和並行處理可能為有利的。
已描述本發明的多個實施例。然而，應當理解的是，在不脫離本發明的精神和範圍的情況下可以做出各種修改。因此，其他實施例在以下專利申請範圍內。
105,110,115,120,125,130,135,140,145,150,155:步驟

Claims (25)

  1. 一種製造用於極紫外光(extreme-ultraviolet,EUV)或X射線輻射的鏡片的方法，該方法包括：a.提供具有一彎曲鏡面的一光學元件，其中該彎曲鏡面包括降低該彎曲鏡面的效能的多個局部缺陷；b.以一材料旋轉塗佈該彎曲鏡面以覆蓋至少一些該些缺陷：以及c.固化該彎曲鏡面上旋轉塗佈的該材料以減少該些缺陷的數量，其中該鏡面在該旋轉塗佈步驟之前具有小於1奈米的高空間頻率表面粗糙度(HSFR)。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該鏡面在該旋轉塗佈步驟之前具有小於0.45奈米的高空間頻率表面粗糙度。
  3. 如請求項1所述之方法，更包括在該旋轉塗佈步驟之前表徵(characterize)該鏡面上的該些缺陷的數量。
  4. 如請求項1所述之方法，更包括在該旋轉塗佈步驟之後表徵該鏡面上的該些缺陷的數量。
  5. 如請求項1所述之方法，更包括在該旋轉塗佈步驟之前以及該旋轉塗佈步驟之後表徵該鏡面上的該些缺陷的數量。
  6. 如請求項5所述之方法，其中該表徵步驟包括以一光學顯微鏡檢查該鏡面上大於1平方毫米的面積。
  7. 如請求項6所述之方法，其中該光學顯微鏡為一共焦顯微鏡(confocal microscope)。
  8. 如請求項1至請求項7中任一項所述之方法，其中該些缺陷包括具有至少一個橫向尺寸小於500奈米並大於會導致漫散射(diffuse scatter)的HSFR的尺寸規模的任何刮痕(scratches)、凹坑(pits)以及凹痕(digs)。
  9. 如請求項1所述之方法，其中該光學元件包括由矽、熔融矽石、石英矽、摻鈦矽石、玻璃陶瓷以及研磨陶瓷中的任一製成的一基板。
  10. 如請求項1所述之方法，更包括以一多重光學層塗佈經固化且經旋轉塗佈的該鏡面，以提供用於EUV及X射線輻射的一反射鏡面。
  11. 如請求項10所述之方法，其中該多重光學層包括鉬及矽製成的多個層。
  12. 如請求項1所述之方法，其中該鏡片用於介於1奈米及20奈米之間的波長範圍。
  13. 如請求項1所述之方法，其中該彎曲鏡面為一非球面鏡面。
  14. 如請求項1所述之方法，其中該旋轉塗佈步驟包括：a.在該彎曲鏡面上的彎曲表面的一旋轉塗佈旋轉軸附近沉積該材料；以及b.使該光學元件的該彎曲表面繞著該旋轉軸旋轉，使得該材料輻射地向外流動以覆蓋該彎曲鏡面，並且形成一薄膜。
  15. 如請求項14所述之方法，其中該旋轉步驟包括以每分鐘1000轉至5000轉之間的速度旋轉該光學元件。
  16. 如請求項14所述之方法，其中該薄膜的厚度介於50奈米及500奈米之間。
  17. 如請求項14所述之方法，其中該薄膜的厚度介於100奈米及400奈米之間。
  18. 如請求項14所述之方法，其中該旋轉塗佈步驟更包括在沉積該材料之後旋轉該彎曲表面，以在形成該薄膜的同時旋轉去除(spin-off)且蒸發多餘的該材料。
  19. 如請求項18所述之方法，其中該旋轉塗佈步驟更包括加熱該彎曲鏡面以幫助蒸發該材料的任何溶劑。
  20. 如請求項14所述之方法，其中該固化步驟包括在存在臭氧及UV射線的至少其中之一的情況下，在一烘箱中加熱經旋轉塗佈的該基板。
  21. 如請求項20所述之方法，其中該烘箱被加熱至介於100℃至600℃的溫度。
  22. 如請求項1所述之方法，其中該材料為一類玻璃材料。
  23. 如請求項22所述之方法，其中該類玻璃材料包括含氫矽酸鹽類(hydrogen silsesquioxane)或甲基矽氧烷(methylsiloxane)。
  24. 一種用於極紫外光(EUV)或X射線輻射的鏡片，此鏡片包括： a.一光學元件，具有一彎曲鏡面，其中該彎曲鏡面包括降低該彎曲鏡面的效能的多個局部缺陷；以及b.一薄膜，藉由以下方法形成於該彎曲鏡面上：i.以一材料旋轉塗佈該彎曲鏡面以覆蓋至少一些該些缺陷：以及ii.固化該彎曲鏡面上旋轉塗佈的該材料以減少該些缺陷的數量，其中該鏡面在該旋轉塗佈步驟之前具有小於1奈米的高空間頻率表面粗糙度(HSFR)。
  25. 如請求項24所述之鏡片，其中該些缺陷包括具有至少一個橫向尺寸小於500奈米並大於會導致漫散射的HSFR的尺寸規模的任何刮痕、凹坑以及凹痕。
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