TWI804051B - 保護組件及觸控模組 - Google Patents

Abstract

一種保護組件包含蓋板、緩衝層以及柔性基板。緩衝層設置於蓋板上，並由透明高分子聚合體構成。緩衝層具有大於約85%之透光率、介於約3 µm至約15 µm之厚度以及大於約0.4之蒲松比。柔性基板設置於緩衝層上，並摻雜無機混合物。柔性基板具有介於約3 µm至約10 µm之厚度以及介於約1 Gpa至約10 Gpa之楊氏係數。

Description

保護組件及觸控模組

本揭露是有關於一種保護組件及觸控模組。

電子裝置中對於觸控面板耐用度要求越來越高，除了要突破觸控靈敏度及顯示器刷新率兩大性能外，如何也具備抗摔及抗力衝擊設計便是一個需要努力的重點。

經查中國專利申請公布號CN 100378541C，為了增加蓋板硬度、耐磨及抗衝擊，其揭露使用包含緩衝層、藍寶石基板之複合保護基板，可應用於貼合於觸控感測裝置。然而，藍寶石材料具有容易產生裂痕及不具備可撓性之缺點。

因此，如何提出一種可解決上述問題的保護組件及觸控模組，是目前業界亟欲投入研發資源解決的問題之一。

有鑑於此，本揭露之一目的在於提出一種可有解決上述問題的保護組件與保護組件及觸控模組。

為了達到上述目的，依據本揭露之一實施方式，一種保護組件包含蓋板、緩衝層以及柔性基板。緩衝層設置於蓋板上，並由透明高分子聚合體構成。緩衝層具有大於約85%之透光率、介於約3 µm至約15 µm之厚度以及大於約0.4之蒲松比。柔性基板設置於緩衝層上，並摻雜無機混合物。柔性基板具有介於約3 µm至約10 µm之厚度以及介於約1 Gpa至約10 Gpa之楊氏係數。

於本揭露的一或多個實施方式中，緩衝層之蒲松比大於約0.5。

於本揭露的一或多個實施方式中，緩衝層具有介於約200%至約1600%之伸長率。

於本揭露的一或多個實施方式中，緩衝層與柔性基板中之至少一者具有大於約攝氏340度之裂解溫度。

於本揭露的一或多個實施方式中，緩衝層與柔性基板中之至少一者具有大於約攝氏350度之最高使用溫度。

於本揭露的一或多個實施方式中，無機混合物包含石墨烯、金剛石或其混合物。

於本揭露的一或多個實施方式中，無機混合物包含介於約100ppm至約1000ppm之氧化石墨烯。

於本揭露的一或多個實施方式中，保護組件進一步包含接合層。接合層接合蓋板與緩衝層，並具有介於約10 nm至約100 nm之厚度。

於本揭露的一或多個實施方式中，接合層的材料包含環氧基矽氧烷、氨基矽氧烷或硫醇基矽氧烷。

於本揭露的一或多個實施方式中，緩衝層的主體材料包含聚二甲基矽氧烷、聚甲基丙烯酸甲酯或聚碳酸酯。

於本揭露的一或多個實施方式中，緩衝層中的組份材料包含環氧基有機物、氨基有機物或硫醇基有機物。

於本揭露的一或多個實施方式中，柔性基板中的組份材料包含環氧基有機物或硫醇基有機物。

為了達到上述目的，依據本揭露之一實施方式，一種觸控模組包含保護組件、架橋圖案層以及電極圖案層。架橋圖案層設置於柔性基板遠離蓋板的一側上，並包含複數個架橋電極。電極圖案層設置於架橋圖案層上方，並包含依序堆疊且分別具有第一電阻值、第二電阻值與第三電阻值之第一透明導電層、金屬層以及第二透明導電層。

於本揭露的一或多個實施方式中，電極圖案層在架橋電極中之一者的正上方具有兩通孔區。觸控模組進一步包含第一絕緣層以及第二絕緣層。第一絕緣層設置於架橋圖案層與電極圖案層之間，並具有兩裸露區。電極圖案層經由裸露區與架橋電極電性連接。第二絕緣層設置於電極圖案層上，並覆蓋且填充通孔區。

於本揭露的一或多個實施方式中，第一絕緣層包含分別形成於架橋電極中之該者的兩端之第一絕緣塊以及第二絕緣塊，以及藉由裸露區分隔地位於第一絕緣塊與第二絕緣塊之間之第三絕緣塊。

於本揭露的一或多個實施方式中，電極圖案層包含兩第一電極區塊以及第二電極區塊。第一電極區塊分別經由裸露區與架橋電極中之該者電性連接。第二電極區塊藉由通孔區分隔地位於第一電極區塊之間。

於本揭露的一或多個實施方式中，第一透明導電層係為第一透明氧化物導電層，第二透明導電層係為第二透明氧化物導電層。

於本揭露的一或多個實施方式中，第一透明氧化物導電層與第二透明氧化物導電層中之至少一者具有第一區域以及第二區域。第一區域的含氧量大於第二區域的含氧量。

於本揭露的一或多個實施方式中，第二區域位於第一區域與該金屬層之間。

綜上所述，於本揭露的保護組件中，藉由緩衝層所提供的彈性以及柔性基板所提供的高楊氏係數，即可於遭受撞擊時能抵抗衝擊，因此可使得觸控模組的觸控功能仍得以發揮。並且，本揭露的觸控模組還使用複合觸控電極設計來搭配保護組件，因此複合觸控電極除了可藉由保護組件抵抗撞擊以維持觸控功能之外，還可有效降低阻抗以增加觸控刷新率。

以上所述僅係用以闡述本揭露所欲解決的問題、解決問題的技術手段、及其產生的功效等等，本揭露之具體細節將在下文的實施方式及相關圖式中詳細介紹。

以下將以圖式揭露本揭露之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本揭露。也就是說，在本揭露部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。

請參照第1圖，其為繪示根據本揭露一實施方式之觸控模組100的示意圖。如第1圖所示，於本實施方式中，觸控模組100包含柔性基板110、觸控電極層、複數個走線160以及軟性電路板170。柔性基板110上定義觸控區Z1與周邊區Z2。周邊區Z2位於觸控區Z1的外緣。觸控電極層設置於觸控區Z1內。走線160位於周邊區Z2內，且每一走線160的兩端分別連接觸控電極層與軟性電路板170，藉以將觸控電極層產生之觸控訊號傳遞至軟性電路板170。

請參照第2圖以及第3圖。第2圖為繪示第1圖中之觸控模組100的局部放大圖。第3圖為繪示第2圖中之結構沿著線段3-3的剖面圖。第2圖所繪示的區域位於觸控區Z1內。如第2圖與第3圖所示，於本實施方式中，觸控電極層包含架橋圖案層120以及電極圖案層140。觸控模組100進一步包含第一絕緣層130以及第二絕緣層150。架橋圖案層120設置於柔性基板110上，並包含複數個架橋電極121。以下以其中一個架橋電極121做說明。第一絕緣層130設置於架橋圖案層120上，並具有兩裸露區130a、130b分別鄰近架橋電極121的相對兩端。電極圖案層140設置於第一絕緣層130上，並經由裸露區130a、130b與架橋電極121電性連接。電極圖案層140在架橋電極121正上方具有兩通孔區140c1、140c2。第二絕緣層150設置於電極圖案層140上，並覆蓋且填充通孔區140c1、140c2。

於一些實施方式中，第一絕緣層130的厚度為約1.25 µm，且第二絕緣層150的厚度為約2 µm，但本揭露並不以此為限。

詳細來說，如第2圖與第3圖所示，於本實施方式中，電極圖案層140包含兩第一電極區塊140a1、140a2以及第二電極區塊140b。第一電極區塊140a1、140a2分別經由裸露區130a、130b與架橋電極121電性連接。第二電極區塊140b藉由通孔區140c1、140c2分隔地位於第一電極區塊140a1、140a2之間。藉此，兩第一電極區塊140a1、140a2即可經由架橋電極121傳遞觸控訊號，並與第二電極區塊140b電性隔絕。

於一些實施方式中，電極圖案層140包含彼此分隔的複數個第一軸導電單元以及彼此分隔且跨越第一軸導電單元的複數個第二軸導電單元。具體來說，前述「第一軸」與「第二軸」例如分別為相互垂直的兩軸（例如Y軸與X軸）。換言之，第一軸導電單元為沿著第一軸延伸的導電線路，並間隔排列。前述兩第一電極區塊140a1、140a2與架橋電極121的組合為其中一個第一軸導電單元的一部分。第二軸導電單元為沿著第二軸延伸的導電線路，並間隔排列。前述第二電極區塊140b為其中一個第二軸導電單元，其橫跨架橋電極121之相反兩側（隔著第一絕緣層130）。由此可知，前述裸露區130a、130b係橫跨架橋電極121的相反兩側，並將電極圖案層140劃分出第一電極區塊140a1、140a2與第二電極區塊140b。

如第3圖所示，於本實施方式中，電極圖案層140包含依序堆疊且分別具有第一電阻值、第二電阻值與第三電阻值之第一透明氧化物導電層141（即第一透明氧化物導電層）、金屬層142以及第二透明氧化物導電層143（即第二透明導電層）。第一電阻值與第三電阻值大於第二電阻值。藉由具有前述複合導電結構之電極圖案層140構成觸控電極層，即可有效降低觸控模組100內線路的阻值，從而使觸控模組100適於用在中大尺寸產品上。

於一些實施方式中，第一透明氧化物導電層141與第二透明氧化物導電層143的材料包含氧化銦錫（ITO）。藉此，第一透明氧化物導電層141與第二透明氧化物導電層143可具有良好的透光度。於一些實施方式中，金屬層142的材料包含銀，但本揭露並不以此為限。於一些實施方式中，金屬層142可為奈米銀墨水層、奈米銀漿層或奈米濺鍍層等，但不以此為限。藉此，金屬層142可具有較低的阻值。

於一些實施方式中，第一透明氧化物導電層141的厚度為約40 nm，但本揭露並不以此為限。於一些實施方式中，金屬層142的厚度為約8.5 nm至約9.5 nm，但本揭露並不以此為限。於一些實施方式中，第二透明氧化物導電層143的厚度為約40 nm，但本揭露並不以此為限。

如第2圖與第3圖所示，於本實施方式中，第一絕緣層130包含分別形成於架橋電極121的相對兩端之第一絕緣塊131a以及第二絕緣塊131b，以及藉由裸露區130a、130b分隔地位於第一絕緣塊131a與第二絕緣塊131b之間之第三絕緣塊131c。詳細來說，第一絕緣塊131a與第二絕緣塊131b分別覆蓋架橋電極121的相對兩端而未暴露出。第一絕緣塊131a、第三絕緣塊131c與第二絕緣塊131b依序沿著架橋電極121的延伸方向覆蓋於架橋電極121上。裸露區130a、130b分別形成於第一絕緣塊131a與第三絕緣塊131c之間以及第三絕緣塊131c與第二絕緣塊131b之間。另外，如第3圖所示，第一絕緣塊131a、第二絕緣塊131b與第三絕緣塊131c具有斜坡。具體來說，第一絕緣塊131a、第二絕緣塊131b與第三絕緣塊131c的外型為具有斜坡的山丘狀。

藉由前述結構配置，即可有效改善設置於第一絕緣層130上之電極圖案層140產生裂隙的問題。具體來說，由於電極圖案層140是藉由爬上第一絕緣塊131a與第二絕緣塊131b而位於架橋電極121的相對兩端的上方，因此可有效改善電極圖案層140在鄰近架橋電極121的相對兩端之處產生裂隙的問題。

如第2圖所示，於本實施方式中，裸露區130a、130b橫跨架橋電極121的相反兩側。藉此，即可增加電極圖案層140的第一電極區塊140a1、140a2與架橋電極121之間的接觸面積，進而減少阻抗。

請參照第4圖，其為繪示第2圖中之電極圖案層140的局部剖面圖。如第4圖所示，於本實施方式中，第一透明氧化物導電層141具有第一區域141a以及第二區域141b。第一區域141a的含氧量大於第二區域141b的含氧量。第一透明氧化物導電層141的第二區域141b位於第一區域141a與金屬層142之間。第二透明氧化物導電層143具有第一區域143a以及第二區域143b。第二透明氧化物導電層143的第二區域143b位於第一區域143a與金屬層142之間。藉由此結構配置，可有效使第一透明氧化物導電層141與第二透明氧化物導電層143具有高穿透率與低阻抗。

下表一為製造實施例A～C之電極圖案層140的製程參數表格。

	層1	層2	層3	層4	層5
通氧量/sccm	功率/kw	通氧量/sccm	功率/kw	功率/kw	通氧量/sccm	功率/kw	通氧量/sccm	功率/kw
A	1.0	5.1	1.0	5.1	1.0	1.0	5.1	1.0	5.1
B	0.3	5.1	0.3	5.1	1.0	0.3	5.1	0.3	5.1
C	1.0	5.1	0.3	5.1	1.0	1.0	0.3	1.0	5.1

需說明的是，表一中的層1與層2分別為製造第一透明氧化物導電層141的第一區域141a與第二區域141b時採用的製程參數，層3為製造金屬層142時採用的製程參數，層4與層5分別為製造第二透明氧化物導電層143的第二區域143b與第一區域143a時採用的製程參數。由上表一可知，在製造實施例A的第一透明氧化物導電層141與第二透明氧化物導電層143時，第一區域141a、143a與第二區域141b、143b都是採用高通氧量（即1.0 sccm）。在製造實施例B的第一透明氧化物導電層141與第二透明氧化物導電層143時，第一區域141a、143a與第二區域141b、143b都是採用低通氧量（即0.3 sccm）。在製造實施例C的第一透明氧化物導電層141與第二透明氧化物導電層143時，第一區域141a、143a都是採用高通氧量（即1.0 sccm），而第二區域141b、143b都是採用低通氧量（即0.3 sccm）。

下表二為實施例A～C之電極圖案層140的物理參數表格。

	光學參數	烤後方阻/ ops
T%	Haze	L*	a*	b*
A	89.1	0.19	26.28	4.50	1.53	7.09
B	87.0	0.26	26.36	11.15	2.04	6.79
C	87.6	0.24	25.96	9.64	0.78	6.70

由上表二可知，實施例C之電極圖案層140（即第一透明氧化物導電層141與第二透明氧化物導電層143各包含具有不同含氧量之區域）的穿透率可維持在大於87%，且阻抗也可維持在低於10 ops。

如第3圖所示，於本實施方式中，觸控模組100進一步包含保護組件200。保護組件200包含蓋板210、緩衝層220以及柔性基板110。緩衝層220設置於柔性基板110遠離架橋圖案層120的一側，並位於蓋板210與柔性基板110之間。緩衝層220由透明高分子聚合體構成。緩衝層220具有大於約85%之透光率、介於約3 µm至約15 µm之厚度以及大於約0.4之蒲松比。柔性基板110具有介於約3 µm至約10 µm之厚度，較佳地介於約3 µm至約6 µm。柔性基板110摻雜無機混合物，以具有介於約1 Gpa至約10 Gpa之楊氏係數。前述厚度限制係為了使觸控模組100適於折疊應用。

於一些實施方式中，緩衝層220之蒲松比進一步大於約0.5。

於一些實施方式中，緩衝層220具有介於約200%至約1600%之伸長率。

於一些實施方式中，緩衝層220與柔性基板110中之至少一者具有大於約攝氏340度之裂解溫度(Decomposition temperature)。於一些實施方式中，緩衝層220與柔性基板110中之至少一者具有大於約攝氏350度之最高使用溫度(Maximum service temperature)。藉此，保護組件200即可承受製造電極圖案層140時的高溫製程。

於一些實施方式中，柔性基板110的主體材料優選地包含無色聚醯亞胺(Colorless Polyimide, CPI)，但本揭露並不以此為限。

於一些實施方式中，無機混合物包含石墨烯、金剛石或其混合物。

於一些實施方式中，無機混合物包含介於約100ppm至約1000ppm之氧化石墨烯，較佳地介於約300ppm至約500ppm。

於一些實施方式中，柔性基板110中的組份材料中亦可包含環氧基有機物(Epoxy functional organic)或硫醇基有機物(Thiol functional organic)等組份，目的在於增加對無機混合物的相容性。此外，亦可加入乙酸以抑制過早凝膠。

於一些實施方式中，緩衝層220的主體材料包含聚二甲基矽氧烷(Polydimethylsiloxane, PDMS)、聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methyl methacrylate), PMMA)或聚碳酸酯(Polycarbonate, PC)，優選地以包含聚二甲基矽氧烷為上選，但本揭露並不以此為限。

下表三為多種材料的物性、機械性與化性的參數表格。

主項	次項	PDMS	PC	PMMA	CPI
物性	透光率	＞90%	＞88%	＞90%	＞88%
裂解 溫度	＞340°C	420°C	170°C	400°C
最高使用溫度	350°C	130°C		350°C
機械性	伸長率	200~ 1600%	66~ 140%	2~6%	7~95%
蒲松比	0.50	0.42	0.40	0.15~ 0.42
化性	酸稀釋/濃	好	好/差	差	好/差
鹼	好	好-差	差	好-差
脂肪烴	好	好	好-普	好
芳烴	好-差	差	差	好

由上表可知，PDMS與CPI在物性、機械性與化性方面的表現較佳，因此承受高溫或腐蝕性製程的能力較好。換言之，在一些實施方式中，緩衝層220的材料可優先選用PDMS，且柔性基板110的材料可優先選用CPI。

於一些實施方式中，緩衝層220中的組份材料亦包含環氧基有機物、氨基有機物或硫醇基有機物等組份。於一些實施方式中，緩衝層220包含PDMS-Epoxy複合材料。於一些實施方式中，PDMS與Epoxy的配比為約3:2至約1:1，並利用 IPA-二甲苯溶劑。值得留意，除了IPA外，更需要仰賴水幫助水解及利用乙酸來抑制過早凝膠。

請參照第5圖，其為繪示不同實施方式之保護組件200的落球測試的圖表。需說明的是，實施例I為觸控模組100省略緩衝層220且柔性基板110未摻雜無機混合物的實施例。實施例II為觸控模組100省略緩衝層220且柔性基板110摻雜無機混合物的實施例。實施例III為如第3圖所示之包含保護組件200的觸控模組100。如第5圖所示，實施例III相較於實施例I、II可以明顯提升落球高度。

由以上配置可知，本實施方式之保護組件200藉由緩衝層220所提供的彈性以及柔性基板110所提供的高楊氏係數，即可於遭受撞擊時能抵抗衝擊，因此可使得觸控模組100的觸控功能仍得以發揮。

請參照第6圖，其為繪示根據本揭露另一實施方式之觸控模組100A的剖面圖。如第6圖所示，本實施方式係針對第3圖所示之觸控模組100的保護組件200修改。具體來說，本實施方式之保護組件300係進一步包含接合層330。接合層330接合蓋板210與緩衝層220，並具有介於約10 nm至約100 nm之厚度，較佳地介於約40 nm至約60 nm。接合層330(Primer)之目的在於更好作為蓋板210及緩衝層220之間的接合媒介。

於一些實施方式中，接合層330的材料包含環氧基矽氧烷(Epoxy functional silane)、氨基矽氧烷(Amine functional silane)或硫醇基矽氧烷(Thiol functional silane)，但本揭露並不以此為限。

由以上對於本揭露之具體實施方式之詳述，可以明顯地看出，於本揭露的保護組件中，藉由緩衝層所提供的彈性以及柔性基板所提供的高楊氏係數，即可於遭受撞擊時能抵抗衝擊，因此可使得觸控模組的觸控功能仍得以發揮。並且，本揭露的觸控模組還使用複合觸控電極設計來搭配保護組件，因此複合觸控電極除了可藉由保護組件抵抗撞擊以維持觸控功能之外，還可有效降低阻抗以增加觸控刷新率。

雖然本揭露已以實施方式揭露如上，然其並不用以限定本揭露，任何熟習此技藝者，在不脫離本揭露的精神和範圍內，當可作各種的更動與潤飾，因此本揭露的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100,100A:觸控模組 110:柔性基板 120:架橋圖案層 121:架橋電極 130:第一絕緣層 130a,130b:裸露區 131a:第一絕緣塊 131b:第二絕緣塊 131c:第三絕緣塊 140:電極圖案層 140a1,140a2:第一電極區塊 140b:第二電極區塊 140c1,140c2:通孔區 141:第一透明氧化物導電層 141a,143a:第一區域 141b,143b:第二區域 143:第二透明氧化物導電層 150:第二絕緣層 160:走線 170:軟性電路板 200,300:保護組件 210:蓋板 220:緩衝層 330:接合層 Z1:觸控區 Z2:周邊區

為讓本揭露之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下： 第1圖為繪示根據本揭露一實施方式之觸控模組的示意圖。 第2圖為繪示第1圖中之觸控模組的局部放大圖。 第3圖為繪示第2圖中之結構沿著線段3-3的剖面圖。 第4圖為繪示第2圖中之電極圖案層的局部剖面圖。 第5圖為繪示不同實施方式之保護組件的落球測試的圖表。 第6圖為繪示根據本揭露另一實施方式之觸控模組的剖面圖。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

100:觸控模組 110:基板 120:架橋圖案層 121:架橋電極 130:第一絕緣層 130a,130b:裸露區 131a:第一絕緣塊 131b:第二絕緣塊 131c:第三絕緣塊 140:電極圖案層 140c1,140c2:通孔區 141:第一透明氧化物導電層 142:金屬層 143:第二透明氧化物導電層 150:第二絕緣層 200:保護組件 210:蓋板 220:緩衝層

Claims (18)

1. 一種保護組件，包含：一蓋板；一緩衝層，設置於該蓋板上，並由一透明高分子聚合體構成，該緩衝層具有大於約85%之一透光率、介於約3μm至約15μm之一厚度以及大於約0.4之一蒲松比；以及一柔性基板，設置於該緩衝層上，並摻雜一無機混合物，該柔性基板具有介於約3μm至約10μm之一厚度以及介於約1Gpa至約10Gpa之一楊氏係數，其中該無機混合物包含石墨烯、金剛石或其混合物。
2. 如請求項1所述之保護組件，其中該緩衝層之該蒲松比大於約0.5。
3. 如請求項1所述之保護組件，其中該緩衝層具有介於約200%至約1600%之一伸長率。
4. 如請求項1所述之保護組件，其中該緩衝層與該柔性基板中之至少一者具有大於約攝氏340度之一裂解溫度。
5. 如請求項1所述之保護組件，其中該緩衝層與該柔性基板中之至少一者具有大於約攝氏350度 之一最高使用溫度。
6. 如請求項1所述之保護組件，其中該無機混合物包含介於約100ppm至約1000ppm之氧化石墨烯。
7. 如請求項1所述之保護組件，進一步包含一接合層，接合該蓋板與該緩衝層，並具有介於約10nm至約100nm之一厚度。
8. 如請求項7所述之保護組件，其中該接合層的材料包含環氧基矽氧烷、氨基矽氧烷或硫醇基矽氧烷。
9. 如請求項1所述之保護組件，其中該緩衝層的主體材料包含聚二甲基矽氧烷、聚甲基丙烯酸甲酯或聚碳酸酯。
10. 如請求項1所述之保護組件，其中該緩衝層中的組份材料包含環氧基有機物、氨基有機物或硫醇基有機物。
11. 如請求項1所述之保護組件，其中該柔性基板中的組份材料包含環氧基有機物或硫醇基有機物。
12. 一種觸控模組，包含：一如請求項1至11任一所述之保護組件；一架橋圖案層，設置於該柔性基板遠離該蓋板的一側上，並包含複數個架橋電極；以及一電極圖案層，設置於該架橋圖案層上方，並包含依序堆疊且分別具有一第一電阻值、一第二電阻值與一第三電阻值之一第一透明導電層、一金屬層以及一第二透明導電層。
13. 如請求項12所述之觸控模組，其中該電極圖案層在該些架橋電極中之一者的正上方具有兩通孔區，該觸控模組進一步包含：一第一絕緣層，設置於該架橋圖案層與該電極圖案層之間，並具有兩裸露區，其中該電極圖案層經由該些裸露區與該架橋電極電性連接；以及一第二絕緣層，設置於該電極圖案層上，並覆蓋且填充該些通孔區。
14. 如請求項13所述之觸控模組，其中該第一絕緣層包含分別形成於該些架橋電極中之該者的兩端之一第一絕緣塊以及一第二絕緣塊，以及藉由該些裸露區分隔地位於該第一絕緣塊與該第二絕緣塊之間之一第三絕緣塊。
15. 如請求項12所述之觸控模組，中該電極圖案層包含：兩第一電極區塊，分別經由該些裸露區與該些架橋電極中之該者電性連接；以及一第二電極區塊，藉由該些通孔區分隔地位於該些第一電極區塊之間。
16. 如請求項12所述之觸控模組，其中該第一透明導電層係為一第一透明氧化物導電層，該第二透明導電層係為一第二透明氧化物導電層。
17. 如請求項16所述之觸控模組，其中該第一透明氧化物導電層與該第二透明氧化物導電層中之至少一者具有一第一區域以及一第二區域，且該第一區域的含氧量大於該第二區域的含氧量。
18. 如請求項17所述之觸控模組，其中該第二區域位於該第一區域與該金屬層之間。

Images