TWI801532B - 支撐片及保護膜形成用複合片 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種支撐片，其包括基材、在基材上包括黏著劑層，基材的黏著劑層側的面為凹凸面，從支撐片的5處切出大小為3mm × 3mm的試片，在此等5片的試片中，求得各別黏著劑層的厚度的最小值及最大值時，上述最小值的平均值為1.5μm以上，上述最大值的平均值為9μm以下。保護膜形成用複合片為在此支撐片中的黏著劑層上，包括保護膜形成用膜。

Description

支撐片及保護膜形成用複合片

本發明是關於一種支撐片及保護膜形成用複合片。 本申請案主張於2018年3月30日提出申請的PCT/JP2018/013636號為基礎的優先權，其內容援用於此。

近年來，進行適用所謂倒裝(face down)方式的封裝法的半導體裝置的製造。在倒裝方式中，可使用在電路面上具有凸塊等的電極的半導體晶片，使上述電極與基板接合。因此，有時會將半導體晶片的與電路面相反側的背面露出。

在此露出的半導體晶片的背面，形成有含有有機材料的樹脂膜作為保護膜，組入半導體裝置中而作為附保護膜的半導體晶片。保護膜為利用來防止在切割步驟、封裝等之後，半導體晶片上發生破裂。

此類保護膜，例如，藉由使具有硬化性的保護膜形成用膜硬化而形成。此外，物性被調節過的非硬化性的保護膜形成用膜有時也直接作為保護膜而被利用。然後，將保護膜形成用膜貼附在半導體晶圓的背面而使用。保護膜形成用膜，例如，會在與半導體晶圓加工時所使用的支撐片成為一體化，以保護膜形成用複合片的狀態，貼附在半導體晶圓的背面；也會在未與支撐片一體化的狀態，貼附在半導體晶圓的背面。

保護膜形成用複合片在藉由其中的保護膜形成用膜，貼附在半導體晶片的背面之後，在各別合適的時機，適當進行藉由保護膜形成用膜的硬化而形成保護膜、保護膜形成用膜或保護膜的切斷、對半導體晶圓的半導體晶片的分割(切割)、由支撐片拾取在背面具備有切斷後的保護膜形成用膜或保護膜的半導體晶片(附保護膜形成用膜的半導體晶片或附保護膜的半導體晶片)等。然後，在拾取附保護膜形成用膜的半導體晶片時，藉由保護膜形成用膜的硬化，成為附保護膜的半導體晶片，最終使用附保護膜的半導體晶片，而製造半導體裝置。如此一來，保護膜形成用複合片中的支撐片可作為切割片利用。且，保護膜形成用膜為非硬化性時，在此等的各步驟中，保護膜形成用膜以原狀作為保護膜而操作。

另一方面，在保護膜形成用膜未與支撐片一體化的狀態，貼附在半導體晶圓的背面之後，在此保護膜形成用膜的與半導體晶圓的貼附面相反側的露出面，貼附支撐片。以後，以與上述使用保護膜形成用複合片時相同的方法，獲得附保護膜的半導體晶片或附保護膜形成用膜的半導體晶片，而製造半導體裝置。此時，雖然保護膜形成用膜在未與支撐片成為一體化的狀態，貼附在半導體晶圓的背面，但藉由在貼附後的與支撐片的一體化，而構成保護膜形成用複合片。

作為此類保護膜形成用複合片，例如，揭示一種切割膠帶一體型半導體背面保護用膜(保護膜形成用複合片)，具備：具有凹凸加工面的基材及在此基材的上述凹凸加工面側上積層有具有黏著劑層的切割膠帶(支撐片)，在此切割膠帶的黏著劑層上積層有半導體背面保護用膜(保護膜形成用膜)，上述切割膠帶的霧度值為45%以下的切割膠帶一體型半導體背面保護用膜(參照專利文獻1)。

但是，在專利文獻1揭示的保護膜形成用複合片(切割膠帶一體型半導體背面保護用膜)中，由於在基材的凹凸加工面側上積層有黏著劑層，在黏著劑層、積層在此黏著劑層上的保護膜形成用膜(半導體背面保護用膜)等，顯示上述凹凸的影響。例如，由於黏著劑層的保護膜形成用膜側的面成為凹凸面，在黏著劑層與保護膜形成用膜之間，產生未貼合黏著劑層與保護膜形成用膜的區域(非貼合區域)，使黏著劑層與保護膜形成用膜的積層性降低。此外，在保護膜或保護膜形成用膜的黏著劑層側的面，有時藉由雷射照射進行印字，但在黏著劑層的厚度不均勻而黏著劑層厚的部位上，有時隔著基材及黏著劑層的印字的辨識性降低。 [先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本特許第5432853號公報

[發明欲解決的問題]

本發明的目的是提供一種支撐片以及包括上述支撐片的保護膜形成用複合片，支撐片為在基材的凹凸面側包括黏著劑層所構成，在於其黏著劑層上包括保護膜形成用膜的保護膜形成用複合片中，可實現黏著劑層與保護膜形成用膜間的良好積層性，隔著保護膜或保護膜形成用膜的支撐片的良好印字辨識性。 [解決問題的手段]

本發明提供一種支撐片，其為包括基材、在上述基材上包括黏著劑層的支撐片，上述基材的上述黏著劑層側的面為凹凸面，從上述支撐片的5處切出試片，在此5片的試片中，求得各別黏著劑層的厚度的最小值及最大值時，上述最小值的平均值為1.5μm以上，上述最大值的平均值為9μm以下。

在本發明的支撐片中，上述黏著劑層亦可直接接觸上述基材的凹凸面。 此外，本發明提供一種保護膜形成用複合片，為在上述支撐片中的黏著劑層上，包括保護膜形成用膜。 [發明的效果]

藉由使用本發明的支撐片而構成保護膜形成用複合片，可實現黏著劑層與保護膜形成用膜間的良好積層性，隔著保護膜或保護膜形成用膜的支撐片的良好印字辨識性。

◇支撐片及保護膜形成用複合片

本發明一實施形態相關的支撐片為包括基材、在上述基材上包括黏著劑層的支撐片，上述基材的上述黏著劑層側的面為凹凸面，從上述支撐片的5處切出測試片，在此5片的試驗片中，求得各別黏著劑層的厚度的最小值及最大值時，上述最小值的平均值(在本說明書中，有時稱為「S值」)為1.5μm以上，上述最大值的平均值(在本說明書中，有時稱為「L值」)為9μm以下。

此外，本發明一實施形態相關的保護膜形成用複合片為在上述支撐片中的黏著劑層上，包括保護膜形成用膜。

上述支撐片在基材的凹凸面側包括黏著劑層，在包括此支撐片所構成的保護膜形成用複合片中，此凹凸面的影響受到抑制。

更具體而言，藉由上述黏著劑層的S值為1.5μm以上，黏著劑層與保護膜形成用膜間的積層性變得良好。在本說明書中，「積層性」，若無特別說明，是指作為對象的2層的積層狀態的正常性。「積層性良好」，例如，是指作為對象的相鄰2層之間，完全沒有非貼合區域(空隙部分)，或是非貼合區域的數量較少且非貼合區域的層間距離小。

另一方面，藉由上述黏著劑層的L值為9μm以下，隔著保護膜或保護膜形成用膜的支撐片的印字辨識性變得良好。

上述試片從支撐片的5處切出，將支撐片在其厚度方向的全區域切斷而獲得者。試片為包括構成支撐片的全部層的小片。

試片的大小並無特別限定，但構成試片的各層(基材、黏著劑層等)的積層面或露出面的一邊的長度，以2mm以上為佳。藉由使用此類大小的試片，可更高精度地求得黏著劑層的S值及L值。 上述一邊的長度的最大值並無特別限定。例如，從易於製作試片的觀點而言，上述一邊的長度，以10mm以下為佳。

試片的平面形狀，亦即，構成試片的各層(基材、黏著劑層等)的積層面或露出面的形狀，以多邊形為佳，從易於切出試片的觀點而言，以四邊形為更佳。

作為較佳的試片，可列舉，例如，構成試片的各層(基材、黏著劑層等)的積層面或露出面，其大小為3mm × 3mm的四邊形者。但是，此等僅為較佳的試片的一例。

在支撐片中試片的5處的切出位置並無特別限定，但為了可更高精度地求得黏著劑層的S值及L值，可考慮選擇下述保護膜形成用膜的積層預定位置。 可列舉，例如，在支撐片中的1片保護膜形成用膜的積層預定位置當中，列舉5處，其中保護膜形成用膜的中心(重心)部為預定配置的1處，以及在保護膜形成用膜的靠近邊緣部的部位，且相對於此中心(重心)部幾乎點對稱的位置為預定配置的4處。

在支撐片中，試片的切出位置的中心(重心)間距離，以50~200mm為佳。如此一來，可更高精度的求得黏著劑層的S值及L值。

為了從試片求得黏著劑層的S值及L值，在試片重新形成剖面，在此形成的剖面，對每一試片，測定黏著劑層的厚度的最小值及最大值。 新形成的剖面，每1片試片，可為僅1面，亦可為2面以上，但通常僅1面已十分足夠。 然後，從此等至少5個最小值及最大值，計算出S值及L值即可。

在試片中，可藉由習知方法形成剖面。例如，藉由使用習知剖面樣品製作裝置(Cross section polisher)，可抑制偏差以高再現性，在試片上形成剖面。

黏著劑層的厚度的最小值及最大值，例如，可使用掃描電子顯微鏡(SEM)，觀察試片的上述剖面而測定。

在各試片的上述剖面，測定黏著劑層的厚度的最小值及最大值的區域，以在相對於構成試片的各層(基材、黏著劑層等)的積層方向呈直角的方向(大致是相對於各層的積層面或露出面呈平行的方向)的50~1500μm的區域為佳。如此一來，可高效率且高精度地測定黏著劑層的厚度的最小值及最大值。

在未構成保護膜形成用複合片階段的支撐片與構成保護膜形成用複合片的支撐片之間，比較黏著劑層的厚度的最小值時，此等最小值彼此相同，或是構成保護膜形成用複合片的支撐片的上述最小值為稍小的程度，這種較小的情況，為兩者的差可被忽視的程度。 關於黏著劑層的厚度的最大值亦相同。亦即，在未構成保護膜形成用複合片階段的支撐片與構成保護膜形成用複合片的支撐片之間，比較黏著劑層的厚度的最大值時，此等最大值彼此相同，或是構成保護膜形成用複合片的支撐片的上述最大值為稍小的程度，這種較小的情況，為兩者的差可被忽視的程度。 因此，使用從保護膜形成用複合片所切出的試片而不是支撐片，亦可使用從支撐片所切出的試片時相同方法，求得黏著劑層的S值及L值。如此使用從保護膜形成用複合片所切出的試片時，黏著劑層的S值為1.5μm以上、黏著劑層的L值為9μm以下時，此保護膜形成用複合片成為反映上述本發明效果者。

亦即，本發明一實施形態相關的保護膜形成用複合片，為在上述支撐片中的黏著劑層上包括保護膜形成用膜的保護膜形成用複合片，從上述保護膜形成用複合片的5處切出試片，在此5片的試驗片中，求得各別黏著劑層的厚度的最小值及最大值時，上述最小值的平均值(S值)為1.5μm以上，上述最大值的平均值(L值)為9μm以下。

另外，從保護膜形成用複合片所切出的試片為將保護膜形成用複合片在其厚度方向的全區域切斷而得者，為包括構成保護膜形成用複合片的全部層的小片。

以下，一邊參照圖式，一邊說明關於本發明的保護膜形成用複合片的全體構成。另外，以下說明所使用的圖式，為了易於瞭解本發明的特徵，基於方便，有時會放大顯示主要的部分，各構成元件的尺寸比率等未必與實際相同。

圖1是示意性地顯示本發明一實施形態相關的支撐片及保護膜形成用複合片的剖面圖。 此處所示的保護膜形成用複合片1A包括基材11，在基材11上包括黏著劑層12，在黏著劑層12上包括保護膜形成用膜13。支撐片10為基材11及黏著劑層12的積層體，換言之，保護膜形成用複合片1A包括在支撐片10一側的面(在本說明書中，有時稱為「第一面」)10a上積層保護膜形成用膜13的構成。此外，保護膜形成用複合片1A進一步在保護膜形成用膜13上包括剝離膜15。

在保護膜形成用複合片1A中，在基材11的一面(在本說明書中，有時稱為「第一面」)11a積層黏著劑層12，在黏著劑層12的與基材11側相反側的面(在本說明書中，有時稱為「第一面」)12a的全面積層保護膜形成用膜13，在保護膜形成用膜13的與黏著劑層12側相反側的面(在本說明書中，有時稱為「第一面」)13a的一部分，亦即，在周緣部附近的區域積層治具用接著劑層16，在保護膜形成用膜13的第一面13a當中未積層有治具用接著劑層16的面以及治具用接著劑層16的未接觸保護膜形成用膜13的面16a(上面及側面)，積層剝離膜15。 另外，圖1中，符號13b表示保護膜形成用膜13的黏著劑層12側的面(在本說明書中，有時稱為「第二面」)。

治具用接著劑層16，例如，可為含有接著劑成分的單層構造，亦可為在成為芯材的片材的兩面積層含有接著劑成分的層的複數層構造。

在保護膜形成用複合片1A中，基材11的第一面11a為凹凸面。 此外，黏著劑層12以直接接觸在基材11的第一面(凹凸面)11a而設置。因此，黏著劑層12的基材11側的面(在本說明書中，有時稱為「第二面」)12b為凹凸面。

在保護膜形成用複合片1A中，基材11的與黏著劑層12側相反側的面(在本說明書中，有時稱為「第二面」)11b可為凹凸面及平滑面(非凹凸面、光滑面)的任一者，但以平滑面為佳。基材11的第二面11b亦可稱為支撐片10的與保護膜形成用膜13側相反側的面(在本說明書中，有時稱為「第二面」)10b。 關於「凹凸面」、「平滑面」如後詳述。

圖1所示的保護膜形成用複合片1A，在剝離膜15被去除的狀態，在保護膜形成用膜13的第一面13a貼附半導體晶圓(圖示省略)的背面，再者，將治具用接著劑層16的面16a當中的上面，貼附在環框架等的治具而使用。

圖2為示意性地顯示本發明其他實施形態相關的保護膜形成用複合片連同支撐片的剖面圖。 另外，在圖2以後的圖中，與已說明的圖所示者相同的構成元件，標示與已說明的圖相同的符號，並省略其詳細說明。

此處所示的保護膜形成用複合片1B，除了未具備治具用接著劑層16的差異點以外，其餘與圖1所示保護膜形成用複合片1A相同。亦即，在保護膜形成用複合片1B中，在基材11的第一面11a積層黏著劑層12，在黏著劑層12的第一面12a的全面積層保護膜形成用膜13，在保護膜形成用膜13的第一面13a的全面積層剝離膜15。

在保護膜形成用複合片1B中，基材11的第一面11a亦為凹凸面。 此外，黏著劑層12以直接接觸在基材11的第一面(凹凸面)11a而設置。因此，黏著劑層12的基材11側的面(第二面)12b為凹凸面。 在保護膜形成用複合片1B中，基材11的第二面11b(換言之，支撐片10的第二面10b)可為凹凸面及平滑面(非凹凸面)的任一者，但以平滑面為佳。

圖2所示的保護膜形成用複合片1B，在剝離膜15被去除的狀態，保護膜形成用膜13的第一面13a當中，在中央側的一部份的區域貼附半導體晶圓(圖示省略)的背面，再者，周緣部附近的區域貼附在環框架等的治具而使用。

圖3是示意性地顯示本發明進一步其他實施形態相關的保護膜形成用複合片連同支撐片的剖面圖。 此處所示的保護膜形成用複合片1C，除了保護膜形成用膜的形狀為不同這一點以外，其餘與圖2所示保護膜形成用複合片1B相同。亦即，保護膜形成用複合片1C包括基材11，在基材11上包括黏著劑層12，在黏著劑層12上包括保護膜形成用膜23。支撐片10為基材11及黏著劑層12的積層體，換言之，保護膜形成用複合片1C包括在支撐片10的第一面(保護膜形成用膜23側之面)10a上積層有保護膜形成用膜23的構成。此外，保護膜形成用複合片1C進一步在保護膜形成用膜23上包括剝離膜15。

在保護膜形成用複合片1C中，在基材11的第一面11a積層黏著劑層12，在黏著劑層12的第一面12a的一部分，亦即，在中央側的區域積層保護膜形成用膜23。然後，黏著劑層12的第一面12a當中，在未積層有保護膜形成用膜23的區域以及保護膜形成用膜23的未接觸黏著劑層12的面23a(上面及側面)上，積層剝離膜15。 另外，圖3中，符號23b表示保護膜形成用膜23的黏著劑層12側的面(在本說明書中，有時稱為「第二面」)。

保護膜形成用複合片1C當從上方往下看的平面視時，保護膜形成用膜23的表面積比黏著劑層12的表面積更小，例如，具有圓形等的形狀。

在保護膜形成用複合片1C中，基材11的第一面11a為凹凸面。 此外，黏著劑層12以直接接觸在基材11的第一面(凹凸面)11a而設置。因此，黏著劑層12的基材11側的面(第二面)12b為凹凸面。 在保護膜形成用複合片1C中，基材11的第二面11b(換言之，支撐片10的第二面10b)亦可為凹凸面及平滑面(非凹凸面)的任一者，但以平滑面為佳。

圖3所示保護膜形成用複合片1C，在剝離膜15被去除的狀態，在保護膜形成用膜23的面23a貼附半導體晶圓(圖示省略)的背面，再者，黏著劑層12的第一面12a當中，將未積層有保護膜形成用膜23的區域貼附在環框架等的治具而使用。

另外，在圖3所示保護膜形成用複合片1C中，黏著劑層12的第一面12a當中，亦可在未積層有保護膜形成用膜23的區域，積層與圖1所示相同的治具用接著劑層(圖示省略)。包括此種治具用接著劑層的保護膜形成用複合片1C，與圖1所示的保護膜形成用複合片相同，將治具用接著劑層的上面貼附在環框架等的治具而使用。

如上述，保護膜形成用複合片，不論支撐片及保護膜形成用膜為何種形態，皆可包括治具用接著劑層。但是，通常，如圖1所示，作為包括治具用接著劑層的保護膜形成用複合片，以在保護膜形成用膜上包括治具用接著劑層者為佳。

本發明一實施形態相關的保護膜形成用複合片不限於圖1~圖3所示者，在無損本發明效果的範圍內，圖1~圖3所示者的一部分的構成可加以變更或刪除，亦可追加至目前為止所說明的進一步其他的構成。

例如，在如圖1~圖3所示的保護膜形成用複合片中，亦可在基材11與黏著劑層12之間設置中間層。亦即，在本發明的保護膜形成用複合片中，支撐片亦可為以基材、中間層及黏著劑層的順序，在其厚度方向上予以積層而構成。作為中間層，可對應目的而選擇任意的中間層。 此外，如圖1~圖3所示的保護膜形成用複合片，亦可在任意處設置上述中間層以外的層。 此外，在保護膜形成用複合片中，在剝離膜以及與此剝離膜直接接觸的層之間，有一部分可產生間隙。 此外，在保護膜形成用複合片中，各層的大小、形狀等可對應目的而任意調節。

但是，如圖1~圖3所示，在保護膜形成用複合片中，以黏著劑層直接接觸基材的凹凸面(第一面)為佳；換言之，以基材與黏著劑層之間未具備中間層而在基材上直接接觸黏著劑層而積層為佳。 此外，在保護膜形成用複合片中，以保護膜形成用膜直接接觸黏著劑層的第一面為佳；換言之，以黏著劑層與保護膜形成用膜之間未具備其他層而黏著劑層上直接接觸保護膜形成用膜而積層為佳。 然後，在保護膜形成用複合片中，以同時滿除上述條件者為更佳，亦即，以基材、黏著劑層及保護膜形成用膜依此順序，在其厚度方向，彼此直接接觸而積層的構成者為更佳。

上述支撐片以透明為佳。 支撐片亦可對應目的而加以著色，亦可蒸鍍有其他層。 例如，保護膜形成用膜為能量線硬化性時，支撐片以能量線能夠穿透者為佳。

在本說明書中，「能量線」，是指電磁波或帶電粒子射線中具有能量量子者，作為其例，可列舉紫外線、放射線、電子束等。紫外線可例如使用作為紫外線來源的高壓水銀燈、融熔燈(fusion lamp)、氙氣燈、不可見光(black light)或LED燈等照射。電子束可照射藉由電子束加速器等而產生者。 在本說明書中，「能量線硬化性」，是指藉由照射能量線而硬化的性質，「非能量線硬化性」，是指即使照射能量線但不硬化的性質。

在支撐片中，波長375nm的光的穿透率，以30%以上為佳，以50%以上為更佳，以70%以上為特佳。藉由上述光的穿透率為此等範圍，隔著支撐片在保護膜形成用膜照射能量線(紫外線)時，更提升保護膜形成用膜的硬化度。 在支撐片中，波長375nm的光的穿透率的上限值並無特別限定。例如，上述光的穿透率可為95%以下。

在支撐片中，波長532nm的光的穿透率，以30%以上為佳，以50%以上為更佳，以70%以上為特佳。藉由上述光的穿透率為此等範圍，隔著支撐片在保護膜形成用膜或保護膜照射雷射光，於其上印字時，可更清楚地印字。 在支撐片中，波長532nm的光的穿透率的上限值並無特別限定。例如，上述光的穿透率可為95%以下。

在支撐片中，波長1064nm的光的穿透率，以30%以上為佳，以50%以上為更佳，以70%以上為特佳。藉由上述光的穿透率為此等範圍，隔著支撐片在保護膜形成用膜或保護膜照射雷射光，於其上印字時，可更清楚地印字。 在支撐片中，波長1064nm的光的穿透率的上限值並無特別限定。例如，上述光的穿透率可為95%以下。

支撐片的穿透清晰度，以30以上為佳，以100以上為更佳，以200以上為特佳。藉由上述穿透清晰度為此等範圍，隔著支撐片，更易於確認保護膜形成用膜的浮起剝離、印字的不合宜及缺陷等。 支撐片的穿透清晰度並無特別限定。例如，上述穿透清晰度可為430以下。 支撐片的穿透清晰度，以JIS K 7374-2007為準則而測定。

接著，詳細說明關於構成支撐片及保護膜形成用複合片的各層。

○基材 上述基材為片材狀或膜狀，具有凹凸面。

在本說明書中，「凹凸面」，是指依JIS B 0601：2013所制訂的最大高度粗糙度Rz為0.01μm以上的面。 此外，「平滑面」是指不是凹凸面而為平滑度高的面，亦稱為「非凹凸面」或「光滑面」。例如，平滑面亦包含未達上述凹凸面程度的極小的凹凸度的面。

在基材中，可僅單面為凹凸面，亦可兩面皆為凹凸面，但以僅單面為凹凸面為佳。換言之，在上述基材中，以僅單面為平滑面為佳。在支撐片中，基材的凹凸面成為包括黏著劑層側的面。

基材可為由1層(單層)而成者，亦可為由2層以上的複數層而成者，由複數層而成時，此等複數層可彼此相同亦可相異，此等複數層的組合並無特別限定。 當基材為由複數層而成時，此等複數層當中的最外層的面(最靠近黏著劑層的面，或是距離黏著劑層最靠近及最遠的面的兩面)成為上述凹凸面。

在本說明書中，不限於基材的情況，「複數層彼此可相同亦可相異」，是指「可以是全部的層相同，亦可是全部的層相異，亦可是僅一部分的層相同」，再者「複數層彼此相異」是指「各層的構成材料及厚度的至少一者相異」。

在基材的包括黏著劑層的側的凹凸面(第一面)中，以JIS B 0601：2013為準則所測定的最大高度粗糙度(Rz)，以0.01~8μm為佳，以0.1~7μm為更佳，以0.5~6μm為特佳。藉由基材的上述Rz為上述下限值以上，將基材單獨捲取成輥狀，可抑制在解捲時的不順暢的發生。再者，在支撐片或保護膜形成用複合片的製造過程中，對於包含基材的積層物，同樣地可抑制捲取、解捲時的不順暢的發生。另一方面，藉由基材的上述Rz為上述上限值以下，黏著劑層與保護膜形成用膜的積層性，以及保護膜或保護膜形成用膜的隔著支撐片的印字辨識性皆變得良好。

當基材的兩面皆為凹凸面時，此兩面的凹凸度可彼此相同，亦可相異。

作為上述基材的構成材料，可列舉，例如，各種樹脂。

作為上述樹脂，可列舉，例如，低密度聚乙烯(LDPE)、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)等的聚乙烯；聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、降莰烯樹脂等的聚乙烯以外的聚烯烴；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-降莰烯共聚物等的乙烯系共聚物(使用乙烯作為單體所獲得的共聚物)；聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等的氯乙烯系樹脂(使用氯乙烯作為單體所獲得的樹脂)；聚苯乙烯；聚環烯烴；聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚間苯二甲酸乙二酯(poly(ethylene isophthalate))、聚乙烯-2,6-萘二羧酸酯、全部的構成單元為具有芳香族環式基的全芳香族聚酯等的聚酯；2種以上的上述聚酯的共聚物；聚(甲基)丙烯酸酯；聚氨酯；聚氨酯丙烯酸酯；聚醯亞胺；聚醯胺；聚碳酸酯；氟樹脂；聚縮醛；改質聚苯醚；聚硫化苯；聚碸；聚醚酮等。

此外，作為上述樹脂，可列舉，例如，將上述聚酯與其以外的樹脂的混合物等的聚合物摻合物(polymer alloy)。上述聚酯與其以外的樹脂的聚合物摻合物，以聚酯以外的樹脂的量為較少量者為佳。

此外，作為上述樹脂，亦可列舉，例如，目前為止所例示的上述樹脂的1種或2種以上進行交聯的交聯樹脂；使用目前為止所例示的上述樹脂的1種或2種以上的離子聚合物等的改質樹脂。

在本說明書中，「(甲基)丙烯酸」為包含「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」兩者的概念。關於與(甲基)丙烯酸類似的用語也是同樣的意思，例如，「(甲基)丙烯醯基」為包含「丙烯醯基」及「甲基丙烯醯基」兩者的概念，「(甲基)丙烯酸酯」為包含「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」兩者的概念。

構成基材的樹脂可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇其組合及比率。

基材的厚度，以在50~300μm範圍內為佳，以在60~150μm範圍內為更佳。藉由基材的厚度在此種範圍內，更提升上述保護膜形成用複合片的可撓性及對半導體晶圓或半導體晶片的貼附性。 由於基材如上述，具有凹凸面，其厚度依基材的部位而變動。因此，基材的厚度的最小值可以是上述下限值以上，基材的厚度的最大值可以是上述上限值以下。 另外，「基材的厚度」，是指基材全體的厚度，例如，由複數層而構成的基材的厚度，是指構成基材的全部的層的合計厚度。

基材的厚度，例如，可藉由使用掃描式電子顯微鏡(SEM)，觀察基材的側面或剖面而測定。 基材的剖面，以例如，與在上述支撐片及保護膜形成用複合片的試片中剖面時同樣的方法而形成。

例如，藉由先前說明的方法，從支撐片或保護膜形成用複合片的複數處(例如5處)切出試片，在此試片中，求得基材的厚度的最小值及最大值，從此等的值進一步求得此等最小值的平均值及最大值的平均值時，上述最小值的平均值可以為上述基材的厚度的下限值以上，上述最大值的平均值可以為上述基材的厚度的上限值以下。

除了上述樹脂等主要構成材料以外，基材亦可含有填充材、著色劑、抗靜電劑、抗氧化劑、有機潤滑劑、觸媒、軟化劑(塑化劑)等習知的各種添加劑。

基材以透明為佳。 基材可對應目的而使其著色，亦可蒸鍍有其他層。 例如，當保護膜形成用膜為能量線硬化性時，基材，以能量線能夠穿透者為佳。

為了提升基材與設置於其上的黏著劑層等直接接觸的層之間的密著性，可為在表面實施有電暈放電處理、電子束照射處理、電漿處理、臭氧-紫外線照射處理、火焰處理、鉻酸處理、熱風處理等氧化處理等者。 此外，基材亦可為在表面實施底塗處理者。 此外，基材亦可具有抗靜電塗層；將保護膜形成用複合片疊合而保存時，防止基材接著於其他片材、防止基材接著於抽真空檯的層等。

基材可藉由習知的方法製造。例如，含有樹脂的基材可藉由將含有上述樹脂的樹脂組合物成形而製造。

使用未具有凹凸面的基材(換言之，兩面為平滑面的基材)時，亦可將基材的平滑面予以凹凸化處理。 凹凸化處理可藉由習知方法進行。例如，藉由使用具有凹凸面的金屬輥或金屬板，將其上述凹凸面加壓押附在基材的平滑面，可將基材的平滑面予以凹凸化處理。此時，以被加熱狀態的金屬輥或金屬板加壓押附在基材的平滑面為佳。此外，基材的平滑面亦可藉由噴砂處理或溶劑處理等而予以凹凸化處理。

○黏著劑層 上述黏著劑層為片材狀或膜狀。 在黏著劑層中，通常，無論基材與黏著劑層之間有無中間層，仍受到基材的上述凹凸面的影響，至少在基材側的面為凹凸面。

黏著劑層可為僅由1層(單層)而構成，亦可為由2層以上的複數層而構成，由複數層構成時，此等複數層可彼此相同亦可相異，此等複數層的組合並無特別限定。 黏著劑層為由複數層構成時，此等複數層當中的最外層的面(最靠近基材的面)為上述凹凸面。

在此，一邊參照圖式，一邊詳細說明關於基材及黏著劑層。 圖4是例示本發明一實施形態相關的保護膜形成用複合片的放大剖面圖。在此，舉圖1所示的保護膜形成用複合片1A為例進行說明。另外，在圖4中，省略剝離膜的圖示。

如先前的說明，基材11的第一面11a為凹凸面。然後，黏著劑層12以直接接觸基材11的第一面(凹凸面)11a而設置，黏著劑層12的第二面12b變得易於服貼基材11的第一面11a。因此，黏著劑層12的第二面12b亦為凹凸面。

黏著劑層12的厚度T_a 未必為定值，依黏著劑層12的部位而變動。在此，黏著劑層12的厚度的最小值以符號T_a1 表示，黏著劑層12的厚度的最大值以符號T_a2 表示。

在保護膜形成用複合片1A中，從其5處切出試片，在此等5片的試驗片中，形成剖面，在此新形成的剖面中，求得個別黏著劑層的厚度的最小值T_a1 及最大值T_a2 。然後，從至少5個的T_a1 ，求得其平均值(上述S值)，為1.5μm以上；從至少5個的T_a2 值，求得其平均值(上述L值)，為9μm以下。

從保護膜形成用複合片1A切出試片、在試片上形成剖面、測定在上述剖面之黏著劑層的厚度的最小值T_a1 及最大值T_a2 ，如同先前所說明，與由未構成保護膜形成用複合片的支撐片切出試片的情況，同樣地進行。

另外，未構成保護膜形成用複合片的支撐片的放大剖面圖，與在圖4中，省略保護膜形成用膜13的圖示者相同。

作為保護膜形成用複合片1A，在此是表示在基材1與黏著劑層12之間，存在著基材1與黏著劑層12未貼合的區域(在本說明書中，有時稱為「非貼合區域」)91。但是，即使保護膜形成用複合片1A具有此類非貼合區域91，在保護膜形成用複合片1A的厚度方向之非貼合區域91的大小為例如0.5μm以下的保護膜形成用複合片1A，可謂其基材11與黏著劑層12間的積層性良好，具有良好的特性。

另外，在本說明書中，「在保護膜形成用複合片的厚度方向之非貼合區域的大小」，是指「在保護膜形成用複合片中相鄰2層的在上述片材的厚度方向上的層間距離」，有時簡稱為「層間距離」。例如，上述「在保護膜形成用複合片1A的厚度方向上之非貼合區域91的大小」，是指「在上述片材1A的厚度方向上之基材11與黏著劑層12之間的層間距離」。 當1處的非貼合區域的大小(層間距離)有變動時，採用其最大值作為非貼合區域的大小(層間距離)。

非貼合區域的大小(層間距離)，例如，可藉由與上述黏著劑層的厚度的情況相同的方法而測定。亦即，可藉由與求取黏著劑層的厚度時相同方法，在保護膜形成用複合片的試片形成剖面，在此剖面，求得非貼合區域的大小。或是，亦可不製作試片，在保護膜形成用複合片本身形成剖面，在此剖面，求得非貼合區域的大小。

非貼合區域91的大小(上述層間距離)，例如，可以是0.4μm以下、0.3μm以下、0.2μm以下及0.1μm以下的任一者。

在保護膜形成用複合片1A中，也有可能完全不存在非貼合區域91。

在此，雖然舉保護膜形成用複合片1A為例來說明有關於基材及黏著劑層，但保護膜形成用複合片1B、保護膜形成用複合片1C等其他實施形態的保護膜形成用複合片的情況，基材及黏著劑層亦相同。

若黏著劑層的S值為1.5μm以上且未達9μm，則無特別限定，但以1.7μm以上為佳，以1.9μm以上為更佳，例如，可以是2.3μm以上、2.7μm以上、3.1μm以上及3.5μm以上的任一者。藉由上述S值為上述下限值以上，黏著劑層與保護膜形成用膜間的積層性變得更良好。

另一方面，黏著劑層的S值，例如，可以是8μm以下。此類黏著劑層可更容易形成。

黏著劑層的S值，可將上述較佳下限值及上限值任意組合而在設定的範圍內適當調節。例如，黏著劑層的S值，以1.5~8μm為佳，以1.7~8μm為更佳，以1.9~8μm為進一步更佳，例如，可以是2.3~8μm、2.7~8μm、3.1~8μm及3.5~8μm的任一者。但是，此等為黏著劑層的S值的一例。

黏著劑層的L值，只要是9μm以下且大於1.5μm，則無特別限定，但以8.6μm以下為佳，以8.3μm以下為更佳，例如，可以是7.7μm以下、7.3μm以下、6.9μm以下及6.5μm以下的任一者。藉由上述L值為上述上限值以下，保護膜或保護膜形成用膜的隔著支撐片的印字辨識性變得更良好。

另一方面，黏著劑層的L值，例如，可以是2.5μm以上。此類黏著劑層變得更容易形成。

黏著劑層的L值，可將上述較佳下限值及上限值任意組合而在設定的範圍內適當調節。例如，黏著劑層的L值，以2.5~9μm為佳，以2.5~8.6μm為更佳，以2.5~8.3μm為進一步更佳，例如，可以是2.5~7.7μm、2.5~7.3μm、2.5~6.9μm及2.5~6.5μm的任一者。

黏著劑層的厚度(例如，T_a )，只要滿足上述S值及L值的條件，則無特別限定。 例如，黏著劑層的厚度，可以是1.5~9μm。

且，「黏著劑層的厚度」，是指黏著劑層全體的厚度，例如，由複數層而構成的黏著劑層的厚度，是指構成黏著劑層的全部的層的合計厚度。由此種觀點，制定上述黏著劑層的厚度的最小值及最大值。

黏著劑層含有黏著劑。 作為上述黏著劑，可列舉，例如，丙烯酸系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂、橡膠系樹脂、矽酮系樹脂、環氧系樹脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、酯系樹脂等的黏著性樹脂，以丙烯酸系樹脂為佳。

在本說明書中，「黏著性樹脂」是指包含具有黏著性的樹脂及具有接著性的樹脂兩者的概念，例如，不僅是樹脂本身具有黏著性質者，亦包含藉由與添加劑等其他成分並用而顯示黏著性的樹脂、藉由熱或水等觸發物(trigger)的存在而顯示接著性的樹脂等。

黏著劑層以透明為佳。 黏著劑層亦可對應目的而使其著色。 例如，當保護膜形成用膜為能量線硬化性時，以黏著劑層能被能量線穿透為佳。

黏著劑層可以是使用能量線硬化性黏著劑而形成者，亦可以是使用非能量線硬化性黏著劑而形成者。使用能量線硬化性的黏著劑而形成的黏著劑層，可易於調節在硬化前及硬化後的物性。

>>黏著劑組合物>> 黏著劑層可使用含有黏著劑的黏著劑組合物而形成。例如，可在黏著劑層的形成對象面塗佈黏著劑組合物，視需要使其乾燥，在目標部位形成黏著劑層。黏著劑層的更具體的形成方法，與其以外的層的形成方法一併於稍後詳細說明。黏著劑組合物中的在常溫未氣化成分彼此的含量的比率，通常與黏著劑層的上述成分彼此的含量的比率相同。

在本說明書中，「常溫」，是指不特別冷、不特別熱的溫度，亦即平常的溫度，可列舉，例如，15~25℃的溫度等。

黏著劑組合物的塗佈可藉由習知的方法進行，例如，可列舉使用空氣刀塗佈機、刮刀塗佈機(blade coater)、桿塗佈機、凹版印刷塗佈機、軋輥塗佈機、輥刀塗佈機、簾幕塗佈機、模具塗佈機、刀式塗佈機(knife coater)、網版塗佈機、麥勒棒塗機(Meyer bar coater)、吻合式塗佈機(kiss coater)等各種塗佈機的方法。

黏著劑組合物的乾燥條件並無特別限定，但當黏著劑組合物含有下述溶媒時，以使其加熱乾燥為佳。含有溶媒的黏著劑組合物，例如，以在70~130℃、10秒~5分鐘的條件使其乾燥為佳。

當黏著劑層為能量線硬化性時，含有能量線硬化性黏著劑的黏著劑組合物，亦即，作為能量線硬化性的黏著劑組合物，可列舉，例如，含有非能量線硬化性的黏著性樹脂(I-1a)(以下，有時簡稱為「黏著性樹脂(I-1a)」)、能量線硬化性化合物的黏著劑組合物(I-1)；含有在非能量線硬化性的黏著性樹脂(I-1a)的側鏈導入不飽和基的能量線硬化性的黏著性樹脂(I-2a)(以下，有時簡稱為「黏著性樹脂(I-2a)」)的黏著劑組合物(I-2)；含有上述黏著性樹脂(I-2a)、能量線硬化性化合物的黏著劑組合物(I-3)等。

>黏著劑組合物(I-1)> 上述黏著劑組合物(I-1)，如上述，含有非能量線硬化性的黏著性樹脂(I-1a)及能量線硬化性化合物。

[黏著性樹脂(I-1a)] 上述黏著性樹脂(I-1a)，以丙烯酸系樹脂為佳。 作為上述丙烯酸系樹脂，可列舉，例如，至少具有來自(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元的丙烯酸系聚合物。 上述丙烯酸系樹脂所具有的構成單元可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上，可任意選擇此等的組合及比率。

作為上述(甲基)丙烯酸烷基酯，可列舉，例如，構成烷基酯的烷基的碳數為1~20者，上述烷基，以直鏈狀或分支鏈狀為佳。 作為(甲基)丙烯酸烷基酯，更具體而言，可列舉，(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸二級丁酯、(甲基)丙烯酸三級丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一酯、(甲基)丙烯酸十二酯 ((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三酯、(甲基)丙烯酸十四酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五酯、(甲基)丙烯酸十六酯((甲基)丙烯酸棕櫚酯)、(甲基)丙烯酸十七酯、(甲基)丙烯酸十八酯((甲基)丙烯酸硬脂醯酯)、(甲基)丙烯酸十九酯、(甲基)丙烯酸二十酯等。

從提升黏著劑層的黏著力的觀點而言，上述丙烯酸系聚合物，以具有上述烷基的碳數為4以上的來自(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元者為佳。然後，從更提升黏著劑層的黏著力的觀點而言，上述烷基的碳數，以4~12為佳，以4~8為更佳。此外，上述烷基的碳數為4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯，以丙烯酸烷基酯為佳。

上述丙烯酸系聚合物，除了來自(甲基)丙烯酸烷基酯的的構成單元以外，以進一步具有來自含官能基的單體的構成單元為佳。 作為上述含官能基的單體，可列舉，例如，藉由上述官能基與下述交聯劑反應而成為交聯的起點，上述官能基與下述含不飽和基的化合物中的不飽和基反應，而可在丙烯酸系聚合物的側鏈導入不飽和基者。

作為含官能基的單體中的上述官能基，可列舉，例如，羥基、羧基、胺基、環氧基等。 亦即，作為含官能基的單體，可列舉，例如，含羥基的單體、含羧基的單體、含胺基的單體、含環氧基的單體等。

作為上述含羥基的單體，可列舉，例如，(甲基)丙烯酸羥甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯等的(甲基)丙烯酸羥烷基酯；乙烯醇、烯丙醇等的非(甲基)丙烯酸系不飽和醇(不具有(甲基)丙烯醯基骨架的不飽和醇)等。

作為上述含羧基的單體，可列舉，例如，(甲基)丙烯酸、丁烯酸等的乙烯性不飽和單羧酸(具有乙烯性不飽和鍵結的單羧酸)；富馬酸、伊康酸、馬來酸、檸康酸等的乙烯性不飽和二羧酸(具有乙烯性不飽和鍵結的二羧酸)；上述乙烯性不飽和二羧酸的酸酐；甲基丙烯酸2-羧乙酯等的(甲基)丙烯酸羧烷基酯等。

含官能基的單體，以含羥基的單體、含羧基的單體為佳，以含羥基的單體為更佳。

上述構成丙烯酸系聚合物的含官能基的單體，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上，可任意選擇此等的組合及比率。

在上述丙烯酸系聚合物中，來自含官能基的單體的構成單元的含量，相對於構成單元的全部量，以1~35質量%為佳，以2~30質量%為更佳，以3~27質量%為特佳。

上述丙烯酸系聚合物，來自(甲基)丙烯酸烷基酯的的構成單元及來自含官能基的單體的構成單元以外，亦可進一步具有來自其他單體的構成單元。 上述其他單體，只要是可與(甲基)丙烯酸烷基酯等共聚合者，則無特別限定。 作為上述其他單體，可列舉，例如，苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、丙烯醯胺等。

構成上述丙烯酸系聚合物的上述其他單體，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上，可任意選擇此等的組合及比率。

上述丙烯酸系聚合物可作為上述非能量線硬化性的黏著性樹脂(I-1a)使用。 另一方面，將具有能量線聚合性不飽和基(能量線聚合性基)的含不飽和基的化合物與上述丙烯酸系聚合物中的官能基反應後的產物，可作為上述能量線硬化性的黏著性樹脂(I-2a)使用。

黏著劑組合物(I-1)含有的黏著性樹脂(I-1a)，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上，可任意選擇此等的組合及比率。

在黏著劑組合物(I-1)中，黏著性樹脂(I-1a)的含量，相對於黏著劑組合物(I-1)的總質量，以5~99質量%為佳，以10~95質量%為更佳，以15~90質量%為特佳。

[能量線硬化性化合物] 作為黏著劑組合物(I-1)所含有的上述能量線硬化性化合物，可列舉具有能量線聚合性不飽和基，可藉由能量線的照射而硬化的單體或寡聚體。 能量線硬化性化合物當中，作為單體，可列舉，例如，三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯等的多價(甲基)丙烯酸酯；胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯；聚酯(甲基)丙烯酸酯；聚醚(甲基)丙烯酸酯；環氧(甲基)丙烯酸酯等。 能量線硬化性化合物當中，作為寡聚體，可列舉，例如，將上述所例示的單體進行聚合而成的寡聚體等。 能量線硬化性化合物，從分子量較大、黏著劑層的儲存模數(storage modulus)難以變低的觀點而言，以胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯、胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯寡聚體為佳。

黏著劑組合物(I-1)所含有的上述能量線硬化性化合物，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上，可任意選擇此等的組合及比率。

在上述黏著劑組合物(I-1)中，上述能量線硬化性化合物的含量，相對於黏著劑組合物(I-1)的總質量，以1~95質量%為佳，以5~90質量%為更佳，以10~85質量%為特佳。

[交聯劑] 作為黏著性樹脂(I-1a)，除了來自(甲基)丙烯酸烷基酯的的構成單元以外，當使用具有來自含官能基的單體的構成單元的上述丙烯酸系聚合物時，黏著劑組合物(I-1)，以進一步含有交聯劑為佳。

上述交聯劑，例如為與上述官能基反應，而使黏著性樹脂(I-1a)彼此交聯者。 作為交聯劑，可列舉，例如，甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、伸茬基二異氰酸酯、此等二異氰酸酯的加成物等的異氰酸酯系交聯劑(具有異氰酸酯基的交聯劑)；乙二醇環氧丙醚等的環氧系交聯劑(具有環氧丙基的交聯劑)；六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三磷酸鹽三氮雜苯等的氮丙啶系交聯劑(具有氮丙啶基(aziridinyl)的交聯劑)；鋁螯合等的金屬螯合系交聯劑(具有金屬螯合構造的交聯劑)；異氰尿酸酯系交聯劑(具有異氰尿酸酯骨架的交聯劑)等。 從提升黏著劑的凝集力而提升黏著劑層的黏著力的觀點以及易於取得等的觀點而言，交聯劑以異氰酸酯系交聯劑為佳。

黏著劑組合物(I-1)所含有的交聯劑，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上，可任意選擇此等的組合及比率。

在上述黏著劑組合物(I-1)中，交聯劑的含量，相對於黏著性樹脂(I-1a)的含量100質量份，以0.01~50質量份為佳，以0.1~20質量份為更佳，以0.3~15質量份為特佳。

[光聚合起始劑] 黏著劑組合物(I-1)，以進一步含有光聚合起始劑為佳。含有光聚合起始劑的黏著劑組合物(I-1)，即使照射紫外線等比較低能量的能量線，仍可進行充分的硬化反應。

作為上述光聚合起始劑，可列舉，例如，苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、苯偶姻異丁醚、苯偶姻安息香酸、苯偶姻安息香酸甲酯、苯偶姻二甲基縮酮等的苯偶姻化合物；苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯乙烷-1-酮等的苯乙酮化合物；雙(2,4,6-三甲基苄醯基)苯基膦氧化物、2,4,6-三甲基苄醯基二苯基膦氧化物等的醯基膦氧化物化合物；苄基硫化苯(benzyl phenyl sulfide)、單硫化四甲基甲硫碳醯胺(tetramethylthiuram monosulfide)等的硫醚化合物；1-羥基環己基苯酮等的α-酮醇化合物；偶氮雙異丁腈等的偶氮化合物；二茂鈦(titanocene)等的二茂鈦化合物；硫雜蒽酮(thioxanthone)等的硫雜蒽酮化合物；過氧化物化合物；聯乙醯等的二酮化合物；苄；聯苄；二苯甲酮；2,4-二乙基硫雜蒽酮；1,2-二苯基甲烷；2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；2-氯蒽醌等。

黏著劑組合物(I-1)所含有的光聚合起始劑，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

在黏著劑組合物(I-1)中，光聚合起始劑的含量，相對於上述能量線硬化性化合物的含量100質量份，以0.01~20質量份為佳，以0.03~10質量份為更佳，以0.05~5質量份為特佳。

[其他添加劑] 黏著劑組合物(I-1)，在無損本發明效果的範圍內，亦可含有非上述任一成分的其他添加劑。 作為上述其他添加劑，可列舉，例如，抗靜電劑、抗氧化劑、軟化劑(塑化劑)、填充材(填充劑)、防鏽劑、著色劑(顏料、染料)、增感劑、增黏劑、反應延遲劑、交聯促進劑(觸媒)等習知的添加劑。 且，作為反應延遲劑，例如，在保存中的黏著劑組合物(I-1)，對混入黏著劑組合物(I-1)中的觸媒的作用所致非目標交聯反應的進行予以抑制。作為反應延遲劑，可列舉，例如，藉由對觸媒螯合而形成螯合錯合物者，更具體而言，可列舉在1分子中具有2個以上羰基(-C(=O)-)者。

黏著劑組合物(I-1)所含有的其他添加劑，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

在黏著劑組合物(I-1)中，其他添加劑的含量並無特別限定，對應其種類適當選擇即可。

[溶媒] 黏著劑組合物(I-1)亦可含有溶媒。藉由黏著劑組合物(I-1)含有溶媒，可提升對於塗佈對象面的塗佈適性。

上述溶媒以有機溶媒為佳，作為上述有機溶媒，可列舉，例如，丁酮、丙酮等的酮；乙酸乙酯等的酯(羧酸酯)；四氫呋喃、二㗁烷等的醚；環己烷、正己烷等的脂肪族烴；甲苯、二甲苯等的芳香族烴；1-丙醇、2-丙醇等的醇等。

作為上述溶媒，例如，亦可未將黏著性樹脂(I-1a)的製造時所使用者從黏著性樹脂(I-1a)中去除，而直接用於黏著劑組合物(I-1)，亦可將與黏著性樹脂(I-1a)的製造時所使用者相同或不同種類的溶媒，在黏著劑組合物(I-1)的製造時額外添加。

黏著劑組合物(I-1)所含有的溶媒，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

在黏著劑組合物(I-1)中，溶媒的含量並無特別限定，適當調節即可。

>黏著劑組合物(I-2)> 上述黏著劑組合物(I-2)，如上述，含有在非能量線硬化性的黏著性樹脂(I-1a)的側鏈導入不飽和基的能量線硬化性的黏著性樹脂(I-2a)。

[黏著性樹脂(I-2a)] 上述黏著性樹脂(I-2a)，例如，可藉由黏著性樹脂(I-1a)中的官能基與具有能量線聚合性不飽和基的含不飽和基的化合物反應而獲得。

上述含不飽和基的化合物，為上述能量線聚合性不飽和基以外，進一步具有藉由與黏著性樹脂(I-1a)中的官能基反應，而可與黏著性樹脂(I-1a)鍵結的基的化合物。 作為上述能量線聚合性不飽和基，可列舉，例如，(甲基)丙烯醯基、乙烯基(次乙基)、丙烯基(2-丙烯基)等，以(甲基)丙烯醯基為佳。 作為可與黏著性樹脂(I-1a)中的官能基鍵結的基，可列舉，例如，可與羥基或胺基鍵結的異氰酸酯基及環氧丙基，以及可與羧基或環氧基鍵結的羥基及胺基等。

作為上述含不飽和基的化合物，可列舉，例如，(甲基)丙烯醯基氧基乙基異氰酸酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、環氧丙基(甲基)丙烯酸酯等。

黏著劑組合物(I-2)所含有的黏著性樹脂(I-2a)，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

在黏著劑組合物(I-2)中，黏著性樹脂(I-2a)的含量，相對於黏著劑組合物(I-2)的總質量，以5~99質量%為佳，以10~95質量%為更佳，以10~90質量%為特佳。

[交聯劑] 作為黏著性樹脂(I-2a)，例如，使用與黏著性樹脂(I-1a)中相同的具有來自含官能基的單體的構成單元的上述丙烯酸系聚合物時，黏著劑組合物(I-2)亦可進一步含有交聯劑。

作為黏著劑組合物(I-2)中的上述交聯劑，可列舉，與黏著劑組合物(I-1)中的交聯劑相同者。 黏著劑組合物(I-2)所含有的交聯劑，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

在上述黏著劑組合物(I-2)中，交聯劑的含量，相對於黏著性樹脂(I-2a)的含量100質量份，以0.01~50質量份為佳，以0.1~20質量份為更佳，以0.3~15質量份為特佳。

[光聚合起始劑] 黏著劑組合物(I-2)亦可進一步含有光聚合起始劑。含有光聚合起始劑的黏著劑組合物(I-2)，即使照射紫外線等能量比較低的能量線，仍可充分地進行硬化反應。

作為黏著劑組合物(I-2)中的上述光聚合起始劑，可列舉，與黏著劑組合物(I-1)中的光聚合起始劑相同者。 黏著劑組合物(I-2)含有的光聚合起始劑，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

在黏著劑組合物(I-2)中，光聚合起始劑的含量，相對於黏著性樹脂(I-2a)的含量100質量份，以0.01~20質量份為佳，以0.03~10質量份為更佳，以0.05~5質量份為特佳。

[其他添加劑] 黏著劑組合物(I-2)，在無損本發明效果的範圍內，亦可含有非上述任一成分的其他添加劑。 作為黏著劑組合物(I-2)中的上述其他添加劑，可列舉，與黏著劑組合物(I-1)中其他添加劑相同者。 黏著劑組合物(I-2)含有的其他添加劑，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

在黏著劑組合物(I-2)中，其他添加劑的含量並無特別限定，對應其種類適當選擇即可。

[溶媒] 黏著劑組合物(I-2)亦可在與黏著劑組合物(I-1)時同樣的目的下，含有溶媒。 作為黏著劑組合物(I-2)中的上述溶媒，可列舉，與黏著劑組合物(I-1)中的溶媒相同者。 黏著劑組合物(I-2)含有的溶媒，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。 在黏著劑組合物(I-2)中，溶媒的含量並無特別限定，適當調節即可。

>黏著劑組合物(I-3)> 上述黏著劑組合物(I-3)，如上述，含有上述黏著性樹脂(I-2a)及能量線硬化性化合物。

在黏著劑組合物(I-3)中，黏著性樹脂(I-2a)的含量，相對於黏著劑組合物(I-3)的總質量，以5~99質量%為佳，以10~95質量%為更佳，以15~90質量%為特佳。

[能量線硬化性化合物] 作為黏著劑組合物(I-3)所含有的上述能量線硬化性化合物，可列舉具有能量線聚合性不飽和基、可藉由能量線的照射而硬化的單體及寡聚體，可列舉，與黏著劑組合物(I-1)所含有的能量線硬化性化合物相同者。 黏著劑組合物(I-3)含有的上述能量線硬化性化合物，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

在上述黏著劑組合物(I-3)中，上述能量線硬化性化合物的含量，相對於黏著性樹脂(I-2a)的含量100質量份，以0.01~300質量份為佳，以0.03~200質量份為更佳，以0.05~100質量份為特佳。

[光聚合起始劑] 黏著劑組合物(I-3)亦可進一步含有光聚合起始劑。含有光聚合起始劑的黏著劑組合物(I-3)，即使照射紫外線等能量比較低的能量線，仍可充分地進行硬化反應。

作為黏著劑組合物(I-3)中的上述光聚合起始劑，可列舉，與黏著劑組合物(I-1)中的光聚合起始劑相同者。 黏著劑組合物(I-3)含有的光聚合起始劑，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

在黏著劑組合物(I-3)中，光聚合起始劑的含量，相對於黏著性樹脂(I-2a)及上述能量線硬化性化合物的總含量100質量份，以0.01~20質量份為佳，以0.03~10質量份為更佳，以0.05~5質量份為特佳。

[其他添加劑] 黏著劑組合物(I-3)，亦可在無損本發明效果的範圍內，含有非上述任一成分的其他添加劑。 作為上述其他添加劑，可列舉，與黏著劑組合物(I-1)中其他添加劑相同者。 黏著劑組合物(I-3)含有的其他添加劑，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

在黏著劑組合物(I-3)中，其他添加劑的含量並無特別限定，對應此等的種類適當選擇即可。

[溶媒] 黏著劑組合物(I-3)亦可在與黏著劑組合物(I-1)時相同的目的下，含有溶媒。 作為在黏著劑組合物(I-3)中的上述溶媒，可列舉，與黏著劑組合物(I-1)中的溶媒相同者。 黏著劑組合物(I-3)含有的溶媒，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。 在黏著劑組合物(I-3)中，溶媒的含量並無特別限定，適宜調節即可。

>黏著劑組合物(I-1)~(I-3)以外的黏著劑組合物> 至此，雖然主要是說明關於黏著劑組合物(I-1)、黏著劑組合物(I-2)及黏著劑組合物(I-3)，但已說明的此等的含有成分，即使是此等3種黏著劑組合物以外的全部黏著劑組合物(在本說明書中，稱為「黏著劑組合物(I-1)~(I-3)以外的黏著劑組合物」)，亦可同樣地使用。

作為黏著劑組合物(I-1)~(I-3)以外的黏著劑組合物，可列舉除了能量線硬化性的黏著劑組合物以外的非能量線硬化性的黏著劑組合物。 作為非能量線硬化性的黏著劑組合物，可列舉，例如，含有丙烯酸系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂、橡膠系樹脂、矽酮系樹脂、環氧系樹脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、酯系樹脂等的非能量線硬化性的黏著性樹脂(I-1a)的黏著劑組合物(I-4)，以含有丙烯酸系樹脂者為佳。

黏著劑組合物(I-1)~(I-3)以外的黏著劑組合物，以含有1種或2種以上的交聯劑為佳，其含量可以與上述黏著劑組合物(I-1)等時相同。

>黏著劑組合物(I-4)> 作為較佳的黏著劑組合物(I-4)，可列舉，例如，含有上述黏著性樹脂(I-1a)、交聯劑者。

[黏著性樹脂(I-1a)] 作為黏著劑組合物(I-4)中的黏著性樹脂(I-1a)，可列舉，與黏著劑組合物(I-1)中的黏著性樹脂(I-1a)相同者。 黏著劑組合物(I-4)含有的黏著性樹脂(I-1a)，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

在黏著劑組合物(I-4)中，黏著性樹脂(I-1a)的含量，相對於黏著劑組合物(I-4)的總質量，以5~99質量%為佳，以10~95質量%為更佳，以15~90質量%為特佳。

在黏著劑組合物(I-4)中，相對於溶媒以外的全部成分的總含量的黏著性樹脂(I-1a)的含量的比率(亦即，黏著劑層的黏著性樹脂(I-1a)的含量)，以30~90質量%為佳，以40~85質量%為更佳，以50~80質量%為特佳。

[交聯劑] 作為黏著性樹脂(I-1a)，除了使用來自(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元以外，進一步使用具有來自含官能基的單體的構成單元的上述丙烯酸系聚合物，黏著劑組合物(I-4)以進一步含有交聯劑者為佳。

作為黏著劑組合物(I-4)中的交聯劑，可列舉，與黏著劑組合物(I-1)中的交聯劑相同者。 黏著劑組合物(I-4)含有的交聯劑，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

在上述黏著劑組合物(I-4)中，交聯劑的含量，相對於黏著性樹脂(I-1a)的含量100質量份，以0.01~50質量份為佳，以0.3~50質量份為更佳，以1~50質量份為進一步更佳，例如，可以是10~50質量份、15~50質量份及20~50質量份等的任一者。

[其他添加劑] 黏著劑組合物(I-4)，亦可在無損本發明效果的範圍內，含有非上述任一成分的其他添加劑。 作為上述其他添加劑，可列舉，與黏著劑組合物(I-1)中的其他添加劑相同者。 黏著劑組合物(I-4)含有的其他添加劑，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

在黏著劑組合物(I-4)中，其他添加劑的含量並無特別限定，對應其種類適當選擇即可。

[溶媒] 黏著劑組合物(I-4)在與黏著劑組合物(I-1)時同樣的目的下，亦可含有溶媒。 作為在黏著劑組合物(I-4)中的上述溶媒，可列舉，與黏著劑組合物(I-1)中的溶媒相同者。 黏著劑組合物(I-4)含有的溶媒，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。 在黏著劑組合物(I-4)中，溶媒的含量並無特別限定，適當選擇即可。

在上述保護膜形成用複合片中，以黏著劑層為非能量線硬化性為佳。此乃因當黏著劑層為能量線硬化性時，藉由能量線的照射使保護膜形成用膜硬化時，無法抑制黏著劑層亦同時硬化。若黏著劑層與保護膜形成用膜同時硬化，硬化後的保護膜形成用膜(亦即，保護膜)及黏著劑層，有時會以無法剝離程度的貼附在二者的界面。此時，變得難以將在背面包括硬化後的保護膜形成用膜、亦即保護膜的半導體晶片(附保護膜的半導體晶片)，從包括硬化後的黏著劑層的支撐片剝離，導致無法正常地拾取附保護膜的半導體晶片。在上述支撐片中，藉由將黏著劑層設為非能量線硬化性，可確實迴避此類的不當，可更容易地拾取附保護膜的半導體晶片。

在此，雖然已說明黏著劑層為非能量線硬化性時的效果，但即使與支撐片的保護膜形成用膜直接接觸的層為黏著劑層以外的層，若此層為非能量線硬化性，則達到同樣的效果。

>>黏著劑組合物的製造方法>> 黏著劑組合物(I-1)~(I-3)、黏著劑組合物(I-4)等黏著劑組合物(I-1)~(I-3)以外的黏著劑組合物，可藉由將上述黏著劑及視需要的上述黏著劑以外的成分等用以構成黏著劑組合物的各成分調配而獲得。 在各成分的調配時的添加順序並無特別限定，亦可同時添加2種以上的成分。 使用溶媒時，可將溶媒與溶媒以外的任一調配成分混合而預先稀釋此調配成分來使用，亦可不預先稀釋溶媒以外的任一調配成分而將溶媒與此等調配成分混合來使用。 調配時混合各成分的方法並無特別限定，使攪拌子或攪拌翼等旋轉而混合的方法；使用混合機的混合方法；施加超音波的混合方法等，從習知的方法適當選擇即可。 各成分的添加及混合時的溫度以及時間，只要各調配成分不會劣化則無特別限定，適當調節即可，但溫度以15~30℃為佳。

◎保護膜形成用膜 上述保護膜形成用膜，在藉由硬化或不使其硬化的原狀態，而成為保護膜。此保護膜為用以保護半導體晶圓或半導體晶片的背面(與電極形成面相反側的面)者。保護膜形成用膜為軟質，可易於貼附在貼附對象物。

上述保護膜形成用膜可為硬化性，亦可為非硬化性。 硬化性的保護膜形成用膜可以是熱硬化性及能量線硬化性的任一者，亦可以是具有熱硬化性及能量線硬化性兩者特性。 保護膜形成用膜可使用含有其構成材料的保護膜形成用組合物而形成。

在本說明書中，「非硬化性」是指即使藉由加熱、能量線的照射等任何手段，卻不硬化的性質。 在本發明中，保護膜形成用膜即使在硬化後，只要仍維持支撐片及保護膜形成用膜的硬化物(換言之，支撐片及保護膜)的積層構造，將此積層體稱為「保護膜形成用複合片」。

保護膜形成用膜，不論其種類，可以是由1層(單層)所構成，亦可以由2層以上的複數層所構成。當保護膜形成用膜為由複數層所構成時，此等複數層可以彼此相同亦可不同。

於此，再度一邊參照圖4，一邊進一步詳細說明關於黏著劑層及保護膜形成用膜。 如先前說明，基材11的第一面11a為凹凸面。但是，在黏著劑層12中，藉由其S值為1.5μm以上，此凹凸面的影響受到抑制，在黏著劑層12的第一面12a上，凹凸度變小。因此，黏著劑層12與保護膜形成用膜13間的積層性變得良好。例如，黏著劑層12與保護膜形成用膜13之間，即使存在有黏著劑層12與保護膜形成用膜13未貼合的區域(非貼合區域)92，其數量在整個保護膜形成用複合片1A中的保護膜形成用膜13的形成區域全區，在3處以下，變得極少。上述非貼合區域92，例如，藉由從基材11側觀察保護膜形成用複合片1A，可容易地確認。

再者，保護膜形成用複合片1A即使有此類非貼合區域92，在保護膜形成用複合片1A的厚度方向上，非貼合區域92的大小(層間距離)，例如，0.5μm以下的保護膜形成用複合片1A，黏著劑層12與保護膜形成用膜13間的積層性變得更良好。在此，「非貼合區域92的大小(層間距離)」，是指「在保護膜形成用複合片1A的厚度方向上，黏著劑層12與保護膜形成用膜13之間的層間距離」。

非貼合區域92的大小(上述層間距離)，與上述非貼合區域91的上述層間距離(大小)相同，以0.5μm以下為佳，例如，可以是0.4μm以下、0.3μm以下、0.2μm以下及0.1μm以下的任一者。

非貼合區域92的大小(層間距離)，例如，除了成為對象的2層的組合不同的差異點以外，可藉由與上述非貼合區域91的大小(層間距離)的情況相同方法求得。

在保護膜形成用複合片1A中，有時非貼合區域92完全不存在。

另一方面，如上述，在黏著劑層12的第一面12a的凹凸度變小。因此，雖然保護膜形成用膜13的厚度T_p 非定值，依保護膜形成用膜13(黏著劑層12)的部位而變動，但其變動幅度極小。

再者，如上述，由於在黏著劑層12的第一面12a的凹凸度變小，保護膜形成用膜13的黏著劑層12側的面(第二面)13b變得平滑或凹凸度變小。因此，不會破壞保護膜形成用膜13的外觀。 然後，即使在由保護膜形成用膜13形成的保護膜，其黏著劑層12側的面(第二面)變得平滑或凹凸度變小，不會破壞保護膜的外觀。 如此一來，在保護膜形成用複合片1A中，保護膜形成用膜13及保護膜皆可成為設計性佳者。

在保護膜形成用膜13的第二面13b上，凸部的最高部位與凹部的最深部位之間的最大高低差，以2μm以下為佳，例如，可以是1.5μm以下及1μm以下的任一者。此類保護膜形成用膜13及保護膜，設計性特別佳。

在保護膜形成用膜13的第二面13b的上述最大高低差，例如，藉由先前說明的方法，在保護膜形成用複合片的試片或保護膜形成用複合片本身，形成剖面，使用掃描式電子顯微鏡(SEM)，觀察此剖面而求得。

在此，雖然舉保護膜形成用複合片1A為例，說明關於黏著劑層及保護膜形成用膜，但即使是保護膜形成用複合片1B、保護膜形成用複合片1C等其他實施形態的保護膜形成用複合片的情況，黏著劑保護膜形成用膜亦相同。

在本發明的保護膜形成用複合片中，保護膜形成用膜的厚度(例如T_p )，以1~100μm為佳，以3~75μm為更佳，以5~50μm為特佳。藉由保護膜形成用膜的厚度為上述下限值以上，可形成保護能力更高的保護膜。藉由保護膜形成用膜的厚度為上述上限值以下，可抑制成為過大的厚度。

當保護膜形成用膜的厚度依保護膜形成用膜的部位而變動時，保護膜形成用膜的厚度的最小值可以是上述下限值以上，保護膜形成用膜的厚度的最大值亦可以是上述上限值以下。

另外，「保護膜形成用膜的厚度」是指保護膜形成用膜全體的厚度，例如，由複數層所構成的保護膜形成用膜的厚度，是指構成保護膜形成用膜的全部的層的合計厚度。

保護膜形成用膜的厚度，例如，可藉由使用掃描式電子顯微鏡(SEM)，觀察保護膜形成用膜的側面或剖面而測定。 保護膜形成用膜的剖面，例如，可藉由與在上述支撐片及保護膜形成用複合片的試片中的剖面時同樣的方法而形成。

例如，藉由先前說明的方法，從保護膜形成用複合片的複數處(例如5處)切出試片，在此試片中，求得保護膜形成用膜的厚度的最小值及最大值，進一步由此等值，求得此等的最小值的平均值及最大值的平均值時，上述最小值的平均值可以是上述保護膜形成用膜的厚度的下限值以上，上述最大值的平均值亦可以是上述保護膜形成用膜的厚度的上限值以下。

保護膜形成用膜可以使用含有其構成材料的保護膜形成用組合物而形成。例如，可藉由在保護膜形成用膜的形成對象面，塗佈保護膜形成用組合物，視需要使其乾燥，而在目標部位形成保護膜形成用膜。保護膜形成用組合物中的常溫未氣化成分彼此的含量的比率，通常與保護膜形成用膜的上述成分彼此的含量的比率相同。

保護形成用組合物的塗佈可藉由習知的方法進行，例如，可列舉使用空氣刀塗佈機、刮刀塗佈機、桿塗佈機、凹版印刷塗佈機、軋輥塗佈機、輥刀塗佈機、簾幕塗佈機、模具塗佈機、刀式塗佈機、網版塗佈機、麥勒棒塗機、吻合式塗佈機等各種塗佈機的方法。

保護膜形成用組合物的乾燥條件並無特別限定，但保護膜形成用組合物含有下述溶媒時，以加熱乾燥為佳。然後，含有溶媒的保護膜形成用組合物，例如，以在70~130℃、10秒~5分鐘的條件下使其乾燥為佳。但是，當保護膜形成用組合物為熱硬化性時，以所形成的保護膜形成用膜不會熱硬化的方式，使保護膜形成用組合物乾燥為佳。

以下，關於保護膜形成用膜及保護膜形成用組合物，對其種類逐一詳細說明。

○熱硬化性保護膜形成用膜 作為較佳的熱硬化性保護膜形成用膜，可列舉，例如，含有聚合物成分(A)及熱硬化性成分(B)者。 聚合物成分(A)，視為聚合性化合物經聚合反應所形成的成分。 熱硬化性成分(B)為以熱作為反應的觸發器，經硬化(聚合)反應可得的成分。另外，本發明中，聚合反應包含聚縮合反應。

將熱硬化性保護膜形成用膜貼附在半導體晶圓的背面之後，使其熱硬化時的硬化條件，只要是硬化物達到充分發揮其功能的程度的硬化度則無特別限定，對應熱硬化性保護膜形成用膜的種類，適當選擇即可。 例如，熱硬化性保護膜形成用膜的熱硬化時的加熱溫度，以100~200℃為佳，以110~180℃為更佳，以120~170℃為特佳。然後，上述硬化時的加熱時間，以0.5~5小時為佳，以0.5~3小時為更佳，以1~2小時為特佳。

>熱硬化性保護膜形成用組合物(III-1)> 作為較佳的熱硬化性保護膜形成用組合物，可列舉，例如，含有聚合物成分(A)及熱硬化性成分(B)的熱硬化性保護膜形成用組合物(III-1)(在本說明書中，簡稱為「組合物(III-1)」)等。

[聚合物成分(A)] 聚合物成分(A)為在熱硬化性保護膜形成用膜中，用以賦予造膜性、可撓性等的成分。 組合物(III-1)及熱硬化性保護膜形成用膜所含有的聚合物成分(A)，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

作為聚合物成分(A)，可列舉，例如，丙烯酸系樹脂、聚酯、胺甲酸乙酯系樹脂、丙烯酸胺甲酸乙酯樹脂、矽酮系樹脂、橡膠系樹脂、苯氧基樹脂、熱硬化性聚醯亞胺等，以丙烯酸系樹脂為佳。

作為聚合物成分(A)中的上述丙烯酸系樹脂，可列舉習知的丙烯酸聚合物。 丙烯酸系樹脂的重量平均分子量(Mw)，以10000~2000000為佳，以100000~1500000為更佳。藉由丙烯酸系樹脂的重量平均分子量為上述下限值以上，提升熱硬化性保護膜形成用膜的形狀安定性(保存時的隨時間安定性)。此外，藉由丙烯酸系樹脂的重量平均分子量為上述上限值以下，熱硬化性保護膜形成用膜變得易於服貼被附著體的凹凸面，被附著體與熱硬化性保護膜形成用膜之間孔洞等的發生更受到抑制。

在本說明書中，重量平均分子量，若無特別說明，為藉由凝膠滲透層析術(GPC)法所測定的聚苯乙烯換算值。

丙烯酸系樹脂的玻璃轉換溫度(Tg)，以-60~70℃為佳，以-30~50℃為更佳。藉由丙烯酸系樹脂的Tg為上述下限值以上，例如，保護膜形成用膜的硬化物(亦即，保護膜)與支撐片間的接著力受到抑制，適度提升支撐片的剝離性。此外，藉由丙烯酸系樹脂的Tg為上述上限值以下，提升熱硬化性保護膜形成用膜及保護膜的與被附著體的接著力。

另外，不限於丙烯酸系樹脂，本說明書中的樹脂的Tg，例如，使用示差掃描熱卡計(DSC)，升溫速度或降溫速度設為10℃/min，在-70℃至150℃之間使測定對象物的溫度變化，藉由反曲點而可求得。

作為丙烯酸系樹脂，可列舉，例如，1種或2種以上的(甲基)丙烯酸酯的聚合物；2種以上的選自(甲基)丙烯酸、伊康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯及N-羥甲基丙烯醯胺等的單體的共聚合物等。

作為構成丙烯酸系樹脂的上述(甲基)丙烯酸酯，可列舉，例如，(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸二級丁酯、(甲基)丙烯酸三級丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一酯、(甲基)丙烯酸十二酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三酯、(甲基)丙烯酸十四酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五酯、(甲基)丙烯酸十六酯((甲基)丙烯酸棕櫚酯)、(甲基)丙烯酸十七酯、(甲基)丙烯酸十八酯((甲基)丙烯酸硬脂醯酯)等的構成烷基酯的烷基為碳數為1~18的鏈狀構造的(甲基)丙烯酸烷基酯； (甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸二環戊基酯等的(甲基)丙烯酸環烷基酯； (甲基)丙烯酸苄酯等的(甲基)丙烯酸芳烷基酯； (甲基)丙烯酸二環戊烯基酯等的(甲基)丙烯酸環烯基酯； (甲基)丙烯酸二環烯基氧基乙基酯等的(甲基)丙烯酸環烯基氧基烷基酯； (甲基)丙烯酸醯亞胺； (甲基)丙烯酸環氧丙酯等的含環氧丙基的(甲基)丙烯酸酯； (甲基)丙烯酸羥甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯等的含羥基的(甲基)丙烯酸酯； (甲基)丙烯酸N-甲基胺基乙酯等的含取代胺基的(甲基)丙烯酸酯等。在此，所謂「取代胺基」，是指胺基的1個或2個的氫原子被氫原子以外的基取代而成的基。

丙烯酸系樹脂亦可例如，由上述(甲基)丙烯酸酯以外，選自(甲基)丙烯酸、伊康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯及N-羥甲基丙烯醯胺等的1種或2種以上的單體經由共聚合而成者。

構成丙烯酸系樹脂的單體，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

丙烯酸系樹脂亦可具有乙烯基、(甲基)丙烯醯基、胺基、羥基、羧基、異氰酸酯基等的可與其他化合物鍵結的官能基。丙烯酸系樹脂的上述官能基可透過下述交聯劑(F)與其他化合物鍵結，亦可不透過交聯劑(F)與其他化合物直接鍵結。由於丙烯酸系樹脂藉由上述官能基與其他化合物鍵結，使用保護膜形成用複合片所獲得的封裝體的可靠度有提升的傾向。

在本發明中，作為聚合物成分(A)，可不使用丙烯酸系樹脂，而單獨地使用丙烯酸系樹脂以外的熱可塑性樹脂(以下，簡稱「熱可塑性樹脂」)，亦可與丙烯酸系樹脂並用。藉由使用上述熱可塑性樹脂，提升保護膜的從支撐片的剝離性等，熱硬化性保護膜形成用膜變得易於服貼被附著體的凹凸面，被附著體與熱硬化性保護膜形成用膜之間孔洞等的發生更受到抑制。

上述熱可塑性樹脂的重量平均分子量，以1000~100000為佳，以3000~80000為更佳。

上述熱可塑性樹脂的玻璃轉換溫度(Tg)，以-30~150℃為佳，以-20~120℃為更佳。

作為上述熱可塑性樹脂，可列舉，例如，聚酯、聚氨酯、苯氧基樹脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚苯乙烯等。

組合物(III-1)及熱硬化性保護膜形成用膜所含有的上述熱可塑性樹脂，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上，可任意選擇此等的組合及比率。

在組合物(III-1)中，相對於溶媒以外的全部成分的總含量的聚合物成分(A)的含量的比率(亦即，熱硬化性保護膜形成用膜的聚合物成分(A)的含量)，不論聚合物成分(A)的種類為何，以5~85質量%為佳，以5~75質量%為更佳，例如，可以是5~65質量%、5~50質量%及10~35質量%等的任一者。

聚合物成分(A)也有可對應熱硬化性成分(B)的情況。在本發明中，組合物(III-1)含有對應此類聚合物成分(A)及熱硬化性成分(B)兩者的成分時，視為組合物(III-1)含有聚合物成分(A)及熱硬化性成分(B)。

[熱硬化性成分(B)] 熱硬化性成分(B)是用以使熱硬化性保護膜形成用膜硬化的成分。 組合物(III-1)及熱硬化性保護膜形成用膜所含有的熱硬化性成分(B)，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

作為熱硬化性成分(B)，可列舉，例如，環氧系熱硬化性樹脂、熱硬化性聚醯亞胺、聚氨酯、不飽和聚酯、矽酮樹脂等，以環氧系熱硬化性樹脂為佳。

(環氧系熱硬化性樹脂) 環氧系熱硬化性樹脂是由環氧樹脂(B1)及熱硬化劑(B2)所構成。 組合物(III-1)及熱硬化性保護膜形成用膜所含有的環氧系熱硬化性樹脂，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

環氧樹脂(B1) 作為環氧樹脂(B1)，可列舉習知者，例如，多官能系環氧樹脂、聯苯化合物、雙酚A二環氧丙醚及其氫化物、鄰甲酚酚醛清漆環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、伸苯基骨架型樹脂等、2官能以上的環氧化合物。

作為環氧樹脂(B1)，亦可使用具有不飽和烴基的環氧樹脂。具有不飽和烴基的環氧樹脂比起不具有不飽和烴基的樹脂，與丙烯酸系樹脂的相溶性較高。因此，藉由使用具有不飽和烴基的環氧樹脂，使用保護膜形成用複合片所獲得的附保護膜的半導體晶片的可靠度提升。

作為具有不飽和烴基的環氧樹脂，可列舉，例如，多官能系環氧樹脂的環氧基的一部分部被轉換為具有不飽和烴基的基而成的化合物。此類化合物，例如，可藉由(甲基)丙烯酸或其衍生物對環氧基進行加成反應而獲得。 此外，作為具有不飽和烴基的環氧樹脂，可列舉，例如，在構成環氧樹脂的芳香環等直接鍵結具有不飽和烴基的基的化合物等。 不飽和烴基為具有聚合性的不飽和基，作為其具體例，可列舉次乙基(乙烯基)、2-丙烯基(丙烯基)、(甲基)丙烯醯基、(甲基)丙烯醯胺基等，以丙烯醯基為佳。

環氧樹脂(B1)的數量平均分子量，雖然無特別限定，但從熱硬化性保護膜形成用膜的硬化性以及硬化後的保護膜的強度及耐熱性的觀點而言，以300~30000為佳，以300~10000為更佳，以300~3000為特佳。

在本說明書中，數量平均分子量，若無特別說明，為藉由凝膠滲透層析術(GPC)法所測定的聚苯乙烯換算值。

環氧樹脂(B1)的環氧當量，以100~1000g/eq為佳，以150~950g/eq為更佳。

環氧樹脂(B1)可單獨使用1種，亦可並用2種以上，若並用2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

•熱硬化劑(B2) 熱硬化劑(B2)具有作為對於環氧樹脂(B1)的硬化劑的功能。 作為熱硬化劑(B2)，可列舉，例如，在1分子中具有2個以上可與環氧基反應的官能基的化合物。作為上述官能基，可列舉，例如，酚性羥基、醇性羥基、胺基、羧基、酸基經酸酐化的基等，以酚性羥基、胺基或酸基經酸酐化的基為佳，以酚性羥基或胺基為更佳。

熱硬化劑(B2)當中，作為具有酚性羥基的酚系硬化劑，可列舉，例如，多官能酚樹脂、聯苯酚、酚醛清漆型酚樹脂、二環戊二烯型酚樹脂、芳烷基型酚樹脂等。 熱硬化劑(B2)當中，作為具有胺基的胺系硬化劑，可列舉，例如，二氰二胺等。

熱硬化劑(B2)亦可具有不飽和烴基。 作為具有不飽和烴基的熱硬化劑(B2)，可列舉，例如，酚樹脂的羥基的一部分被具有不飽和烴基的基取代而成的化合物、在酚樹脂的芳香環直接鍵結具有不飽和烴基的基而成的化合物等。 熱硬化劑(B2)中的上述不飽和烴基，與上述具有不飽和烴基的環氧樹脂中的不飽和烴基為相同者。

使用酚系硬化劑作為熱硬化劑(B2)時，就提升保護膜的從支撐片的剝離性的觀點而言，熱硬化劑(B2)，以軟化點或玻璃轉換溫度高者為佳。

熱硬化劑(B2)當中，例如，多官能酚樹脂、酚醛清漆型酚樹脂、二環戊二烯型酚樹脂、芳烷基型酚樹脂等樹脂成分的數量平均分子量，以300~30000為佳，以400~10000為更佳，以500~3000為特佳。 熱硬化劑(B2)當中，例如，聯苯酚、二氰二胺等非樹脂成分的分子量，雖然無特別限定，但例如以60~500為佳。

熱硬化劑(B2)可單獨使用1種，亦可並用2種以上，若為並用2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

在組合物(III-1)及熱硬化性保護膜形成用膜中，熱硬化劑(B2)的含量，相對於環氧樹脂(B1)的含量100質量份，以0.1~500質量份為佳，以1~200質量份為更佳，例如，可以是1~100質量份、1~50質量份、1~25質量份及1~10質量份等的任一者。藉由熱硬化劑(B2)的上述含量為上述下限值以上，熱硬化性保護膜形成用膜的硬化變得更易於進行。此外，藉由熱硬化劑(B2)的上述含量為上述上限值以下，熱硬化性保護膜形成用膜的吸濕率降低，使用保護膜形成用複合片所獲得的封裝體的可靠度更加提升。

在組合物(III-1)及熱硬化性保護膜形成用膜中，熱硬化性成分(B)的含量(例如，環氧樹脂(B1)及熱硬化劑(B2)的總含量)，相對於聚合物成分(A)的含量100質量份，以20~500質量份為佳，以30~300質量份為更佳，以40~150質量份為進一步更佳，例如，可以是45~100質量份及50~80質量份等的任一者。藉由熱硬化性成分(B)的上述含量為此等範圍，例如，保護膜形成用膜的硬化物與支撐片間的接著力受到抑制，提升支撐片的剝離性。

[硬化促進劑(C)] 組合物(III-1)及熱硬化性保護膜形成用膜，亦可含有硬化促進劑(C)。硬化促進劑(C)為用以調整組合物(III-1)的硬化速度的成分。 作為較佳的硬化促進劑(C)，可列舉，例如，三伸乙二胺、二甲苄胺、三乙醇胺、二甲胺乙醇、參(二甲胺甲基)酚等的三級胺；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥甲基咪唑等的咪唑類(1個以上的氫原子被氫原子以外的基取代的咪唑)；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等的有機膦類(1個以上的氫原子被有機基取代的膦)；四苯基硼酸四苯基鏻、四苯基硼酸三苯基膦等的四苯基硼鹽等。

組合物(III-1)及熱硬化性保護膜形成用膜所含有的硬化促進劑(C)可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

使用硬化促進劑(C)時，在組合物(III-1)及熱硬化性保護膜形成用膜中，硬化促進劑(C)的含量，相對於熱硬化性成分(B)的含量100質量份，以0.01~10質量份為佳，以0.1~7質量份為更佳。藉由硬化促進劑(C)的上述含量為上述下限值以上，藉由使用硬化促進劑(C)所達成的效果可更加顯著。此外，藉由硬化促進劑(C)的含量為上述上限值以下，例如，高極性的硬化促進劑(C)抑制在高溫‧高濕度條件下，於熱硬化性保護膜形成用膜中與被附著體的接著界面側移動並偏析的效果變高，使用保護膜形成用複合片所獲得的附保護膜的半導體晶片的可靠度更加提升。

[填充材(D)] 組合物(III-1)及熱硬化性保護膜形成用膜，亦可含有填充材(D)。藉由熱硬化性保護膜形成用膜含有填充材(D)，變得更容易將上述吸水率及黏著力變化率調整在作為目標的範圍內。此外，藉由熱硬化性保護膜形成用膜及保護膜含有填充材(D)，熱膨脹係數的調節變得更容易，藉由針對熱硬化性保護膜形成用膜或保護膜之形成對象物將此熱膨脹係數最佳化，使用保護膜形成用複合片所獲得的附保護膜的半導體晶片的可靠度更加提升。此外，藉由熱硬化性保護膜形成用膜含有填充材(D)，可降低保護膜的吸濕率，提升散熱性。

填充材(D)可以是有機填充材及無機填充材的任一者，但以無機填充材為佳。 作為較佳的無機填充材，可列舉，例如，氧化矽、氧化鋁、滑石、碳酸鈣、鈦白、印度紅(Bengala)、碳化矽、氮化硼等的粉末；將此等無機填充材經球形化的珠粒；此等無機填充材的表面改質品；此等無機填充材的單結晶纖維；玻璃纖維等。 此等當中，無機填充材，以氧化矽或氧化鋁為佳，以氧化矽為更佳。

組合物(III-1)及熱硬化性保護膜形成用膜所含有的填充材(D)，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

使用填充材(D)時，在組合物(III-1)中，相對於溶媒以外的全部成分的總含量的填充材(D)的含量的比率(亦即，熱硬化性保護膜形成用膜的填充材(D)的含量)，以5~80質量%為佳，以10~70質量%為更佳，例如，可以是20~65質量%、30~65質量%及40~65質量%等的任一者。藉由填充材(D)的含量為此等範圍，上述的熱膨脹係數的調整變得更容易，此外，保護膜形成用膜及保護膜的強度更加提升。

[耦合劑(E)] 組合物(III-1)及熱硬化性保護膜形成用膜，亦可含有耦合劑(E)。作為耦合劑(E)，藉由使用具有可與無機化合物或有機化合物反應的官能基者，可提升熱硬化性保護膜形成用膜的對於被附著體的接著性及密著性。此外，藉由使用耦合劑(E)，熱硬化性保護膜形成用膜的硬化物(保護膜)，不會損害耐熱性，並提升耐水性。

耦合劑(E)以具有可與聚合物成分(A)、熱硬化性成分(B)等所具有的官能基反應的官能基的化合物為佳，以矽烷耦合劑為更佳。 作為較佳的上述矽烷耦合劑，可列舉，例如，3-環氧丙基氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙基氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-環氧丙基氧基丙基三乙氧基矽烷、3-環氧丙基氧基甲基二乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯基氧基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-(2-胺基乙基胺基)丙基甲基二乙氧基矽烷、3-(苯基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-苯胺基丙基三甲氧基矽烷、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、雙(3-三乙氧基矽烷基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、咪唑矽烷等。

組合物(III-1)及熱硬化性保護膜形成用膜所含有的耦合劑(E)，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

使用耦合劑(E)時，在組合物(III-1)及熱硬化性保護膜形成用膜中，耦合劑(E)的含量，相對於聚合物成分(A)及熱硬化性成分(B)的總含量100質量份，以0.03~20質量份為佳，以0.05~10質量份為更佳，以0.1~5質量份為特佳。藉由耦合劑(E)的上述含量為上述下限值以上，提升填充材(D)的對樹脂的分散性、提升熱硬化性保護膜形成用膜的與被附著體的接著性等，藉由使用耦合劑(E)而達成的效果變得更加顯著。此外，藉由耦合劑(E)的上述含量為上述上限值以下，釋氣的發生更受到抑制。

[交聯劑(F)] 作為聚合物成分(A)，當使用上述丙烯酸系樹脂等的具有可與其他化合物鍵結的乙烯基、(甲基)丙烯醯基、胺基、羥基、羧基、異氰酸酯基等官能基者時，組合物(III-1)及熱硬化性保護膜形成用膜，亦可含有交聯劑(F)。交聯劑(F)是用以使聚合物成分(A)中的上述官能基與其他化合物鍵結並交聯的成分，藉由此類交聯，可調節熱硬化性保護膜形成用膜的初期接著力及凝集力。

作為交聯劑(F)，可列舉，例如，有機多價異氰酸酯化合物、有機多價亞胺化合物、金屬螯合系交聯劑(具有金屬螯合構造的交聯劑)、氮丙啶系交聯劑(具有氮丙啶基的交聯劑)等。

作為上述有機多價異氰酸酯化合物，可列舉，例如，芳香族多價異氰酸酯化合物、脂肪族多價異氰酸酯化合物及脂環族多價異氰酸酯化合物(以下，此等化合物合稱為「芳香族多價異氰酸酯化合物等」)；上述芳香族多價異氰酸酯化合物等的三聚物、異氰尿酸酯及加成物；上述芳香族多價異氰酸酯化合物等與多元醇化合物反應而得的末端異氰酸酯胺甲酸乙酯預聚物等。上述「加成物」，是指上述芳香族多價異氰酸酯化合物、脂肪族多價異氰酸酯化合物或脂環族多價異氰酸酯化合物與乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羥甲基丙烷或蓖麻油等的低分子量含活性氫的化合物的反應產物。作為上述加成物之例，可列舉，如下述的三羥甲基丙烷的伸苯二甲基二異氰酸酯加成物等。此外，所謂「末端異氰酸酯胺基甲酸乙酯預聚物」，如先前所說明。

作為上述有機多價異氰酸酯化合物，更具體而言，可列舉，例如，2,4-甲苯二異氰酸酯；2,6-甲苯二異氰酸酯；1,3-伸苯二甲基二異氰酸酯；1,4-伸苯二甲基二異氰酸酯；二苯基甲烷-4,4’-二異氰酸酯；二苯基甲烷-2,4’-二異氰酸酯；3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯；六亞甲基二異氰酸酯；異佛爾酮二異氰酸酯；二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯；二環己基甲烷-2,4’-二異氰酸酯；在三羥甲基丙烷等的多元醇的全部或一部分的羥基，加成甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯及伸苯二甲基二異氰酸酯的任1種或2種以上的化合物；離胺酸二異氰酸酯等。

作為上述有機多價亞胺化合物，可列舉，例如，N,N’-二苯基甲烷-4,4’-雙(1-氮丙啶羧醯胺)、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羥甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N’-甲苯-2,4-雙(1-氮丙啶羧醯胺)三伸乙基三聚氰胺等。

使用有機多價異氰酸酯化合物作為交聯劑(F)時，作為聚合物成分(A)，以使用含羥基的聚合物為佳。當交聯劑(F)具有異氰酸酯基，聚合物成分(A)具有羥基時，藉由交聯劑(F)與聚合物成分(A)的反應，可簡單地於熱硬化性保護膜形成用膜導入交聯構造。

組合物(III-1)及熱硬化性保護膜形成用膜所含有的交聯劑(F)，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

當使用交聯劑(F)時，組合物(III-1)的交聯劑(F)的含量，相對於聚合物成分(A)的含量100質量份，以0.01~20質量份為佳，以0.1~10質量份為更佳，以0.5~5質量份為特佳。藉由交聯劑(F)的上述含量為上述下限值以上，使用交聯劑(F)而達成的效果變得更加顯著。此外，藉由交聯劑(F)的上述含量為上述上限值以下，交聯劑(F)的過量使用受到抑制。

[能量線硬化性樹脂(G)] 組合物(III-1)亦可含有能量線硬化性樹脂(G)。藉由熱硬化性保護膜形成用膜含有能量線硬化性樹脂(G)，藉由能量線的照射可使特性變化。

能量線硬化性樹脂(G)為將能量線硬化性化合物進行聚合(硬化)而獲得者。 作為上述能量線硬化性化合物，可列舉，例如，在分子內具有至少1個的聚合性雙鍵的化合物，以具有(甲基)丙烯醯基的丙烯酸酯系化合物為佳。

作為上述丙烯酸酯系化合物，可列舉，例如，三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯等的含鏈狀脂肪族骨架的(甲基)丙烯酸酯；二環戊基二(甲基)丙烯酸酯等的含環狀脂肪族骨架的(甲基)丙烯酸酯；聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯等的聚烯烴二醇(甲基)丙烯酸酯；寡酯(甲基)丙烯酸酯；胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯寡聚體；環氧改質(甲基)丙烯酸酯；上述聚烯烴二醇(甲基)丙烯酸酯以外的聚醚(甲基)丙烯酸酯；伊康酸寡聚體等。

上述能量線硬化性化合物的重量平均分子量，以100~30000為佳，以300~10000為更佳。

在聚合中所使用的上述能量線硬化性化合物，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

組合物(III-1)含有的能量線硬化性樹脂(G)，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

當使用能量線硬化性樹脂(G)時，組合物(III-1)的能量線硬化性樹脂(G)的含量，以1~95質量%為佳，以5~90質量%為更佳，以10~85質量%為特佳。

[光聚合起始劑(H)] 組合物(III-1)含有能量線硬化性樹脂(G)時，為了有效促進能量線硬化性樹脂(G)的聚合反應，亦可含有光聚合起始劑(H)。

作為組合物(III-1)中的光聚合起始劑(H)，可列舉，例如，苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、苯偶姻異丁醚、苯偶姻安息香酸、苯偶姻安息香酸甲酯、苯偶姻二甲基縮酮等的苯偶姻化合物；苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯乙烷-1-酮等的苯乙酮化合物；雙(2,4,6-三甲基苄醯基)苯基膦氧化物、2,4,6-三甲基苄醯基二苯基膦氧化物等的醯基膦氧化物化合物；苄基硫化苯、單硫化四甲基甲硫碳醯胺等的硫醚化合物；1-羥基環己基苯酮等的α-酮醇化合物；偶氮雙異丁腈等的偶氮化合物；二茂鈦等的二茂鈦化合物；硫雜蒽酮等的硫雜蒽酮化合物；過氧化物化合物；聯乙醯等的二酮化合物；苄；聯苄；二苯甲酮；2,4-二乙基硫雜蒽酮；1,2-二苯基甲烷；2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；2-氯蒽醌等。 此外，作為上述光聚合起始劑，亦可列舉，例如，1-氯蒽醌等的醌化合物；胺等的光增感劑等。

組合物(III-1)所含有的光聚合起始劑(H)，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

當使用光聚合起始劑(H)時，在組合物(III-1)中，光聚合起始劑(H)的含量，相對於能量線硬化性樹脂(G)的含量100質量份，以0.1~20質量份為佳，以1~10質量份為更佳，以2~5質量份為特佳。

[著色劑(I)] 組合物(III-1)及熱硬化性保護膜形成用膜，亦可含有著色劑(I)。 作為著色劑(1)，可列舉，例如，無機系顏料、有機系顏料、有機系染料等習知者。

作為上述有機系顏料及有機系染料，可列舉，例如，銨系色素、花青系色素、部花青素系色素、克酮酸(croconium)系色素、方酸菁系色素(squarylium)、薁鎓系色素(azulenium)、聚次甲基系色素(polymethine)、萘醌系色素(naphthoquinone)、吡喃系色素(pyrylium)、酞花青系色素(phthalocyanine)、萘酞菁系色素(naphthalocyanine)、萘二甲醯亞胺系色素(naphtholactam)、偶氮系色素、縮合偶氮系色素、靛青系色素(indigo)、紫環酮系色素(perinone)、苝系色素(perylene)、二噁嗪系色素(dioxazine)、煃吖啶酮系色素(quinacridone)、異吲哚啉酮系色素(isoindolinone)、喹啉黃系色素(quinophthalone)、吡咯系色素(pyrrole)、硫靛系色素(thioindigo)、金屬錯合物系色素(金屬錯鹽染料)、二硫酚金屬錯合物系色素、吲哚酚系色素(indole phenol)、三芳香基甲烷系色素、蒽醌系色素(anthraquinone)、二噁嗪色素、萘酚系色素(naphthol)、偶氮甲鹼系色素(azomethine)、苯并咪唑酮系色素(benzimidazolone)、皮蒽酮系色素(pyranthrone)及陰丹士林系色素(indanthrene)等。

作為上述無機系顏料，可列舉，例如，碳黑、鈷系色素、鐵系色素、鉻系色素、鈦系色素、釩系色素、鋯系色素、鉬系色素、釕系色素、鉑系色素、氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)系色素、氧化錫銻(Antimony Doped Tin Oxide，ATO)系色素等。

組合物(III-1)及熱硬化性保護膜形成用膜所含有的著色劑(I)，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

當使用著色劑(I)時，熱硬化性保護膜形成用膜的著色劑(I)的含量，對應目的適當調節即可。例如，調節熱硬化性保護膜形成用膜的著色劑(I)的含量，藉由調節保護膜的光穿透性，可調節對保護膜進行雷射印字時的印字辨識性。此外，藉由調節熱硬化性保護膜形成用膜的著色劑(I)的含量，提升保護膜的設計性等，亦可以不易見到半導體晶圓的背面的研削痕。考量到這些，在組合物(III-1)中，相對於溶媒以外全部成分的總含量的著色劑(I)的含量的比率(亦即，熱硬化性保護膜形成用膜的著色劑(I)的含量)，以0.1~10質量%為佳，以0.1~7.5質量%為更佳，以0.1~5質量%為特佳。藉由著色劑(I)的上述含量為上述下限值以上，使用著色劑(I)所達成的效果變得更加顯著。此外，藉由著色劑(I)的上述含量為上述上限值以下，熱硬化性保護膜形成用膜的光穿透性的過度降低受到抑制。

[泛用添加劑(J)] 組合物(III-1)及熱硬化性保護膜形成用膜，在無損本發明效果的範圍內，亦可含有泛用添加劑(J)。 泛用添加劑(J)可以是習知者，可對應目的而任意選擇，並無特別限定，但作為較佳者，可列舉，例如，塑化劑、抗靜電劑、抗氧化劑、吸附劑等。

組合物(III-1)及熱硬化性保護膜形成用膜所含有的泛用添加劑(J)，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。 組合物(III-1)及熱硬化性保護膜形成用膜的泛用添加劑(J)的含量，並無特別限定，對應目的適當選擇即可。

[溶媒] 組合物(III-1)以進一步含有溶媒為佳。含有溶媒的組合物(III-1)，其操作性變得良好。 上述溶媒並無特別限定，但作為較佳者，可列舉，例如，甲苯、茬等的烴；甲醇、乙醇、2-丙醇、異丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等的醇；乙酸乙酯等的酯；丙酮、丁酮等的酮；四氫呋喃等的醚；二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯烷酮等的醯胺(具有醯胺鍵的化合物)等。 組合物(III-1)所含有的溶媒，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

組合物(III-1)所含有的溶媒，從可更均勻混合組合物(III-1)中的含有成分的觀點而言，以丁酮等為佳。

>>熱硬化性保護膜形成用組合物的製造方法>> 組合物(III-1)等的熱硬化性保護膜形成用組合物可藉由將用以構成其的各成分進行調配而獲得。 各成分的調配時，添加順序並無特別限定，可同時添加2種以上的成分。 使用溶媒時，可將溶媒與溶媒以外的任一調配成分混合而預先稀釋此調配成分來使用，亦可不預先稀釋溶媒以外的任一調配成分而將溶媒與此等調配成分混合來使用。 調配時混合各成分的方法並無特別限定，使攪拌子或攪拌翼等旋轉而混合的方法；使用混合機的混合方法；施加超音波的混合方法等，從習知方法適當選擇即可。 各成分的添加及混合時的溫度以及時間，只要各調配成分不會劣化則無特別限定，適當調節即可，但溫度以15~30℃為佳。

○能量線硬化性保護膜形成用膜 作為能量線硬化性保護膜形成用膜，可列舉含有能量線硬化性成分(a)者，以含有能量線硬化性成分(a)及填充材者為佳。 在能量線硬化性保護膜形成用膜中，能量線硬化性成分(a)，以未硬化為佳，以具有黏著性為佳，以未硬化且具有黏著性為更佳。在此，「能量線」及「能量線硬化性」如先前所說明。

將能量線硬化性保護膜形成用膜貼附在半導體晶圓的背面後，使其硬化時的硬化條件，只要硬化物能達到充分發揮其功能程度的硬化度則無特別限定，對應能量線硬化性保護膜形成用膜的種類，適當選擇即可。 例如，在能量線硬化性保護膜形成用膜的硬化時，能量線的照度，以120~280mW/cm² 為佳。然後，在上述硬化時，能量線的光量，以100~1000mJ/cm² 為佳。

>能量線硬化性保護且莫形成用組合物(IV-1)> 作為較佳的能量線硬化性保護膜形成用組合物，可列舉，例如，含有上述能量線硬化性成分(a)的能量線硬化性保護膜形成用組合物(IV-1)(在本說明書中，有時簡稱為「組合物(IV-1)」)等。

[能量線硬化性成分(a)] 能量線硬化性成分(a)為藉由能量線的照射而硬化的成分，用以在能量線硬化性保護膜形成用膜賦予造膜性、可撓性等，同時在硬化後形成硬質的保護膜的成分。 作為能量線硬化性成分(a)，可列舉，例如，具有能量線硬化性基且重量平均分子量為80000~2000000的聚合物(a1)以及具有能量線硬化性基且分子量為100~80000的化合物(a2)。上述聚合物(a1)可以是在其至少一部藉由交聯劑而交聯而成，亦可以是沒有交聯者。

(具有能量線硬化性基且重量平均分子量為80000~2000000的聚合物(a1)) 作為具有能量線硬化性基且重量平均分子量為80000~2000000的聚合物(a1)，可列舉，例如，將具有可與其他化合物具有的基反應的官能基的丙烯酸系聚合物(a11)，與具有與上述官能基反應的基以及能量線硬化性雙鍵等的能量線硬化性基的能量線硬化性化合物(a12)進行反應而成的丙烯酸系樹脂(a1-1)。

作為可與其他化合物具有的基反應的上述官能基，可列舉，例如，羥基、羧基、胺基、取代胺基(胺基的1個或2個氫原子被氫原子以外的基取代而成的基)、環氧基等。但是，從防止半導體晶圓、半導體晶片等的電路的腐蝕的觀點而言，上述官能基，以羧基以外的基為佳。 此等當中，上述官能基，以羥基為佳。

•具有官能基的丙烯酸系聚合物(a11) 作為具有上述官能基的丙烯酸系聚合物(a11)，可列舉，例如，將具有上述官能基的丙烯酸系單體，與不具有上述官能基的丙烯酸系單體進行共聚合而成者，此等單體以外，還有丙烯酸系單體以外的單體(非丙烯酸系單體)進行共聚合者亦可。 此外，上述丙烯酸系聚合物(a11)可以是隨機共聚物，亦可以是嵌段共聚物，有關聚合方法，可採用習知的方法。

作為具有上述官能基的丙烯酸系單體，可列舉，例如，含羥基的單體、含羧基的單體、含胺基的單體、含取代胺基的單體、含環氧基的單體等。

作為上述含羥基的單體，可列舉，例如，(甲基)丙烯酸羥甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯等的(甲基)丙烯酸酯羥烷基；乙烯醇、烯丙醇等的非(甲基)丙烯酸系不飽和醇(不具有(甲基)丙烯醯基骨架的不飽和醇)等。

作為上述含羧基的單體，可列舉，例如，(甲基)丙烯酸、丁烯酸等的乙烯性不飽和單羧酸(具有乙烯性不飽和鍵結的單羧酸)；富馬酸、伊康酸、馬來酸、檸康酸等的乙烯性不飽和二羧酸(具有乙烯性不飽和鍵結的二羧酸)；上述乙烯性不飽和二羧酸的酸酐；甲基丙烯酸2-羧乙酯等的(甲基)丙烯酸羧烷基酯等。

具有上述官能基的丙烯酸系單體，以含羥基的單體為佳。

構成上述丙烯酸系聚合物(a11)且具有上述官能基的丙烯酸系單體，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上，可任意選擇此等的組合及比率。

作為不具有上述官能基的丙烯酸系單體，可列舉，例如，(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸二級丁酯、(甲基)丙烯酸三級丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一酯、(甲基)丙烯酸十二酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三酯、(甲基)丙烯酸十四酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五酯、(甲基)丙烯酸十六酯((甲基)丙烯酸棕櫚酯)、(甲基)丙烯酸十七酯、(甲基)丙烯酸十八酯((甲基)丙烯酸硬脂醯酯)等的構成烷基酯的烷基為碳數1~18的鏈狀構造的(甲基)丙烯酸烷基酯等。

此外，作為不具有上述官能基的丙烯酸系單體，可列舉，例如，包括(甲基)丙烯酸甲氧基甲酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基甲酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等的含烷氧基烷基的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸苯酯等的(甲基)丙烯酸芳基酯等，具有芳香族基的(甲基)丙烯酸酯；非交聯性的(甲基)丙烯醯胺及其衍生物；(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺基丙酯等的具有非交聯性的三級胺基的(甲基)丙烯酸酯等。

構成上述丙烯酸系聚合物(a11)且不具有上述官能基的丙烯酸系單體，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

作為上述非丙烯酸系單體，可列舉，例如，乙烯、降莰烯等的烯烴；乙酸乙烯酯；苯乙烯等。 構成上述丙烯酸系聚合物(a11)的上述非丙烯酸系單體，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

在上述丙烯酸系聚合物(a11)中，相對於構成其構成單元的全部量，從具有上述官能基的丙烯酸系單體衍生的構成單元的量的比率(含量)，以0.1~50質量%為佳，以1~40質量%為更佳，以3~30質量%為特佳。藉由上述比率在此等範圍，在藉由上述丙烯酸系聚合物(a11)與上述能量線硬化性化合物(a12)的共聚合所得的上述丙烯酸系樹脂(a1-1)中，能量線硬化性基的含量變得易於將保護膜的硬化的程度調整在較佳的範圍。

構成上述丙烯酸系樹脂(a1-1)的上述丙烯酸系聚合物(a11)，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

在組合物(IV-1)中，相對於溶媒以外的成分的總含量，丙烯酸系樹脂(a1-1)的含量的比率(亦即，能量線硬化性保護膜形成用膜的丙烯酸系樹脂(a1-1)的含量)，以1~70質量%為佳，以5~60質量%為更佳，以10~50質量%為特佳。

•能量線硬化性化合物(a12) 上述能量線硬化性化合物(a12)，作為可與上述丙烯酸系聚合物(a11)具有的官能基反應的基，以具有選自異氰酸酯基、環氧基及羧基所成群組的1種或2種以上者為佳，作為上述基，以具有異氰酸酯基者為更佳。上述能量線硬化性化合物(a12)，例如為具有異氰酸酯基作為上述基時，此異氰酸酯基易於與具有羥基作為上述官能基的丙烯酸系聚合物(a11)的此羥基反應。

上述能量線硬化性化合物(a12)，以1分子中具有1~5個上述能量線硬化性基者為佳，以具有1~3個者為更佳。

作為上述能量線硬化性化合物(a12)，可列舉，例如，2-甲基丙烯醯基氧基乙基異氰酸酯、間-異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯、甲基丙烯醯基異氰酸酯、烯丙基異氰酸酯、1,1-(雙丙烯醯基氧基甲基)乙基異氰酸酯； 藉由二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物與羥乙基(甲基)丙烯酸酯反應所得的丙烯醯基單異氰酸酯化合物； 藉由二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物與多元醇化合物與羥乙基(甲基)丙烯酸酯反應所得的丙烯醯基單異氰酸酯化合物等。 此等當中，上述能量線硬化性化合物(a12)，以2-甲基丙烯醯基氧基乙基異氰酸酯為佳。

構成上述丙烯酸系樹脂(a1-1)的上述能量線硬化性化合物(a12)，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

在上述丙烯酸系樹脂(a1-1)中，相對於來自上述丙烯酸系聚合物(a11)的上述官能基的含量，來自上述能量線硬化性化合物(a12)的能量線硬化性基的含量的比率，以20~120莫耳%為佳，以35~100莫耳%為更佳，以50~100莫耳%為特佳。藉由上述含量的比率在此等範圍，硬化後的保護膜的接著力變得更大。另外，當上述能量線硬化性化合物(a12)為1官能(在1分子中具有1個上述基)化合物時，雖然上述含量的比率的上限值為100莫耳%，但當上述能量線硬化性化合物(a12)為多官能(在1分子中具有2個以上的上述基)化合物時，上述含量的比率的上限值有時會超過100莫耳%。

上述聚合物(a1)的重量平均分子量(Mw)，以100000~2000000為佳，以300000~1500000為更佳。

當上述聚合物(a1)為其至少一部分藉由交聯劑而交聯而成時，上述聚合物(a1)，可以是將不相當於作為構成上述丙烯酸系聚合物(a11)者所說明的上述單體的任一者且具有與交聯劑反應的基的單體進行聚合，在上述與交聯劑反應的基進行交聯而成，亦可以是來自上述能量線硬化性化合物(a12)，在上述與官能基反應的基進行交聯而成。

組合物(IV-1)及能量線硬化性保護膜形成用膜所含有的上述聚合物(a1)，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

(具有能量線硬化性基且分子量為100~80000的化合物(a2)) 作為具有能量線硬化性基且分子量為100~80000的化合物(a2)中的上述能量線硬化性基，可列舉含有能量線硬化性雙鍵的基，作為較佳者，可列舉(甲基)丙烯醯基、乙烯基等。

上述化合物(a2)，只要是滿足上述條件者，並無特別限定，但可列舉具有能量線硬化性基的低分子量化合物、具有能量線硬化性基的環氧樹脂、具有能量線硬化性基的酚樹脂等。

上述化合物(a2)當中，作為具有能量線硬化性基的低分子量化合物，可列舉例如，多官能的單體或寡聚體等，以具有(甲基)丙烯醯基的丙烯酸酯系化合物為佳。 作為上述丙烯酸酯系化合物，可列舉，例如，2-羥基-3-(甲基)丙烯醯基氧基丙基甲基丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化乙氧基化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、2,2-雙[4-((甲基)丙烯醯基氧基聚乙氧基)苯基]丙烷、乙氧基化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、2,2-雙[4-((甲基)丙烯醯基氧基二乙氧基)苯基]丙烷、9,9-雙[4-(2-(甲基)丙烯醯基氧基乙氧基)苯基]茀、2,2-雙[4-((甲基)丙烯醯基氧基聚丙氧基)苯基]丙烷、三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、1,10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚四亞甲基二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2,2-雙[4-((甲基)丙烯醯基氧基乙氧基)苯基]丙烷、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2-羥基-1,3-二(甲基)丙烯醯基氧基丙烷等的2官能(甲基)丙烯酸酯； 參(2-(甲基)丙烯醯基氧基乙基)異氰尿酸酯、ε-己內酯改質參-(2-(甲基)丙烯醯基氧基乙基)異氰尿酸酯、乙氧基化丙三醇三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇聚(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等的多官能(甲基)丙烯酸酯； 胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯寡聚體等的多官能(甲基)丙烯酸酯寡聚體等。

上述化合物(a2)當中，作為具有能量線硬化性基的環氧樹脂、具有能量線硬化性基的酚樹脂，例如，可使用「日本特開2013-194102號公報」的段落0043等中所記載者。雖然此類樹脂符合構成下述熱硬化性成分的樹脂，但在本發明中作為上述化合物(a2)採用。

上述化合物(a2)的重量平均分子量，以100~30000為佳，以300~10000為更佳。

組合物(IV-1)及能量線硬化性保護膜形成用膜含有的上述化合物(a2)，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

[不具有能量線硬化性基的聚合物(b)] 組合物(IV-1)及能量線硬化性保護膜形成用膜，當含有上述化合物(a2)作為上述能量線硬化性成分(a)時，以進一步含有不具有能量線硬化性基的聚合物(b)者為佳。 上述聚合物(b)可以是其至少一部分藉由交聯劑而交聯而成，亦可以是 沒有交聯者。

作為不具有能量線硬化性基的聚合物(b)，可列舉，例如，丙烯酸系聚合物、苯氧基樹脂、胺甲酸乙酯樹脂、聚酯、橡膠系樹脂、丙烯酸胺甲酸乙酯樹脂等。 此等當中，上述聚合物(b)，以丙烯酸系聚合物(以下，簡稱為「丙烯酸系聚合物(b-1)」)為佳。

丙烯酸系聚合物(b-1)可為習知者，例如，可以是1種丙烯酸系單體的單獨聚合物，亦可以是2種以上的丙烯酸系單體的共聚物，亦可以是1種或2種以上的丙烯酸系單體與1種或2種以上的丙烯酸系單體以外的單體(非丙烯酸系單體)的共聚物。

作為構成丙烯酸系聚合物(b-1)的上述丙烯酸系單體，可列舉，例如，(甲基)丙烯酸烷基酯、具有環狀骨架的(甲基)丙烯酸酯、含環氧丙基的(甲基)丙烯酸酯、含羥基的(甲基)丙烯酸酯、含取代胺基的(甲基)丙烯酸酯等。在此，「取代胺基」基，如先前所說明。

作為上述(甲基)丙烯酸烷基酯，可列舉，例如，(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸二級丁酯、(甲基)丙烯酸三級丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一酯、(甲基)丙烯酸十二酯 ((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三酯、(甲基)丙烯酸十四酯 ((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五酯、(甲基)丙烯酸十六酯 ((甲基)丙烯酸棕櫚酯)、(甲基)丙烯酸十七酯、(甲基)丙烯酸十八酯 ((甲基)丙烯酸硬脂醯酯)等的構成烷基酯的烷基為碳數1~18的鏈狀構造的(甲基)丙烯酸烷基酯等。

作為上述具有環狀骨架的(甲基)丙烯酸酯，可列舉，例如，(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯等的(甲基)丙烯酸環烷基酯； (甲基)丙烯酸苄酯等的(甲基)丙烯酸芳烷基酯； (甲基)丙烯酸酯二環戊烯基等的(甲基)丙烯酸環烯基酯； (甲基)丙烯酸二環烯基氧基乙基酯等的(甲基)丙烯酸環烯基氧基烷基酯等。

作為上述含環氧丙基的(甲基)丙烯酸酯，可列舉，例如，(甲基)丙烯酸環氧丙酯等。 作為上述含羥基的(甲基)丙烯酸酯，可列舉，例如，(甲基)丙烯酸羥甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯等。 作為上述含取代胺基的(甲基)丙烯酸酯，可列舉，例如，(甲基)丙烯酸N-甲基胺基乙酯等。

作為構成丙烯酸系聚合物(b-1)的上述非丙烯酸系單體，可列舉，例如，乙烯、降莰烯等的烯烴；乙酸乙烯酯；苯乙烯等。

作為至少一部分藉由交聯劑而交聯且不具有上述能量線硬化性基的聚合物(b)，可列舉，例如，上述聚合物(b)中的反應性官能基與交聯劑反應而成者。 上述反應性官能基，只要對應交聯劑的種類等而適當選擇即可，並無特別限定。例如，當交聯劑為聚異氰酸酯化合物時，作為上述反應性官能基，可列舉羥基、羧基、胺基等，此等當中，以與異氰酸酯基的反應性高的羥基為佳。此外，當交聯劑為環氧系化合物時，作為上述反應性官能基，可列舉羧基、胺基、醯胺基等，此等當中，以與環氧基的反應性高的羧基為佳。但是，從防止半導體晶圓、半導體晶片的電路的腐蝕的觀點而言，上述反應性官能基，以羧基以外的基為佳。

作為具有上述反應性官能基且不具有能量線硬化性基的聚合物(b)，可列舉，例如，使至少具有上述反應性官能基的單體聚合而得者。當為丙烯酸系聚合物(b-1)時，已列舉作為構成此等的單體的上述丙烯酸系單體及非丙烯酸系單體的任一者或任兩者，只要使用具有上述反應性官能基者即可。作為具有作為反應性官能基的羥基的上述聚合物(b)，可列舉，例如，將含羥基的(甲基)丙烯酸酯進行聚合而得者，此等以外，亦可列舉在先前所列舉的上述丙烯酸系單體或非丙烯酸系單體中，1個或2個以上的氫原子被上述反應性官能基取代而成的單體經由聚合而得者。

在具有反應性官能基的上述聚合物(b)中，相對於構成此等的構成單元的全部量，由具有反應性官能基的單體衍生的構成單元的量的比率(含量)，以1~20質量%為佳，以2~10質量%為更佳。藉由上述比率在如此範圍，在上述聚合物(b)中，交聯的程度成為更好的範圍。

不具有能量線硬化性基的聚合物(b)的重量平均分子量(Mw)，從組合物(IV-1)的造膜性變得更好的觀點而言，以10000~2000000為佳，以100000~1500000為更佳。在此，「重量平均分子量」，如先前所說明。

組合物(IV-1)及能量線硬化性保護膜形成用膜所含有的不具有能量線硬化性基的聚合物(b)，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

作為組合物(IV-1)，可列舉含有上述聚合物(a1)及上述化合物(a2)的任一者或兩者。然後，當組合物(IV-1)含有上述化合物(a2)時，以進一步含有不具有能量線硬化性基的聚合物(b)為佳，此時，以進一步含有上述(a1)為佳。此外，組合物(IV-1)亦可不含有上述化合物(a2)，而同時含有上述聚合物(a1)及不具有能量線硬化性基的聚合物(b)。

組合物(IV-1)含有上述聚合物(a1)、上述化合物(a2)及不具有能量線硬化性基的聚合物(b)時，在組合物(IV-1)中，上述化合物(a2)的含量，相對於上述聚合物(a1)及不具有能量線硬化性基的聚合物(b)的總含量100質量份，以10~400質量份為佳，以30~350質量份為更佳。

在組合物(IV-1)中，相對於溶媒以外的成分的總含量，上述能量線硬化性成分(a)及不具有能量線硬化性基的聚合物(b)的合計含量的比率(亦即，能量線硬化性保護膜形成用膜的上述能量線硬化性成分(a)及不具有能量線硬化性基的聚合物(b)的合計含量)，以5~90質量%為佳，以10~80質量%為更佳，以20~70質量%為特佳。藉由能量線硬化性成分的含量的上述比率在此等範圍，能量線硬化性保護膜形成用膜的能量線硬化性變得更良好。

上述能量線硬化性成分以外，對應目的，組合物(IV-1)亦可含有選自熱硬化性成分、填充材、耦合劑、交聯劑、光聚合起始劑、著色劑及泛用添加劑所成群組的1種或2種以上。

例如，藉由使用含有上述能量線硬化性成分及熱硬化性成分的組合物(IV-1)，所形成的能量線硬化性保護膜形成用膜，藉由加熱而提升對於被附著體的接著力，由此能量線硬化性保護膜形成用膜所形成的保護膜的強度亦獲得提升。 此外，藉由使用含有上述能量線硬化性成分及著色劑的組合物(IV-1)，所形成的能量線硬化性保護膜形成用膜，顯示與先前所說明的熱硬化性保護膜形成用膜含有著色劑(I)時，有相同效果。

作為組合物(IV-1)中的上述熱硬化性成分、填充材、耦合劑、交聯劑、光聚合起始劑、著色劑及泛用添加劑，可列舉分別與在組合物(III-1)中的熱硬化性成分(B)、填充材(D)、耦合劑(E)、交聯劑(F)、光聚合起始劑(H)、著色劑(I)及泛用添加劑(J)相同者。

在組合物(IV-1)中，上述熱硬化性成分、填充材、耦合劑、交聯劑、光聚合起始劑、著色劑及泛用添加劑，分別可單獨使用1種，亦可並用2種以上，若並用2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

組合物(IV-1)中的上述熱硬化性成分、填充材、耦合劑、交聯劑、光聚合起始劑、著色劑及泛用添加劑的含量，只要對應目的而適當選擇即可，並無特別限定。

從藉由稀釋而提升其操作性的觀點而言，組合物(IV-1)以進一步含有溶媒者為佳。 作為組合物(IV-1)所含有的溶媒，可列舉，例如，與上述組合物(III-1)中的溶媒相同者。 組合物(IV-1)所含有的溶媒，可僅為1種，亦可為2種以上。

>>能量線硬化性保護膜形成用組合物的製造方法>> 組合物(IV-1)等的能量線硬化性保護膜形成用組合物，可藉由將用以構成此等的各成分調配而獲得。 各成分的調配時的添加順序並無特別限定，亦可同時添加2種以上的成分。 使用溶媒時，可將溶媒與溶媒以外的任一調配成分混合而預先稀釋此調配成分來使用，亦可不預先稀釋溶媒以外的任一調配成分而將溶媒與此等調配成分混合來使用。 調配時混合各成分的方法並無特別限定，使攪拌子或攪拌翼等旋轉而混合的方法；使用混合機的混合方法；施加超音波的混合方法等，從習知的方法適當選擇即可。 各成分的添加及混合時的溫度以及時間，只要各調配成分不會劣化，則無特別限定，適當調節即可，但溫度以15~30℃為佳。

○非硬化性保護膜形成用膜 雖然上述非硬化性保護膜形成用膜未顯示硬化造成的特性的變化，在本發明中，在已將其貼附在半導體晶圓的上述背面等作為標的處的階段，視為已形成保護膜。

作為較佳的非硬化性保護膜形成用膜，可列舉，例如，含有熱可塑性樹脂者。

>非硬化性保護膜形成用組合物(V-1)> 作為非硬化性保護膜形成用組合物，可列舉，例如，含有上述熱可塑性樹脂的非硬化性保護膜形成用組合物(V-1)(在本說明書中，有時簡稱為「組合物(V-1)」)等。

[熱可塑性樹脂] 上述熱可塑性樹脂並無特別限定。 作為上述熱可塑性樹脂，更具體而言，可列舉，例如，與作為上述組合物(III-1)的含有成分所列舉的丙烯酸系樹脂、聚酯、聚氨酯、苯氧基樹脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚苯乙烯等的非硬化性的樹脂相同者。

組合物(V-1)及非硬化性保護膜形成用膜所含有的上述熱可塑性樹脂，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

在組合物(V-1)中，相對於溶媒以外的成分的總含量，上述熱可塑性樹脂的含量的比率(亦即，非硬化性保護膜形成用膜的上述熱可塑性樹脂的含量)，以5~90質量%為佳，例如，可以是10~80質量%及20~70質量%等的任一者。

上述熱可塑性樹脂以外，對應目的，組合物(V-1)亦可含有1種或2種以上選自由填充材、耦合劑、交聯劑、著色劑及泛用添加劑所成群組。

例如，藉由使用含有上述熱可塑性樹脂及著色劑的組合物(V-1)，所形成的非硬化性保護膜形成用膜，顯示與先前所說明的熱硬化性保護膜形成用膜含有著色劑(I)時相同的效果。

作為組合物(V-1)中的上述填充材、耦合劑、交聯劑、著色劑及泛用添加劑，可列舉分別與在組合物(III-1)中的填充材(D)、耦合劑(E)、交聯劑(F)、著色劑(I)及泛用添加劑(J)相同者。

在組合物(V-1)中，上述填充材、耦合劑、交聯劑、著色劑及泛用添加劑，分別可單獨使用1種，亦可並用2種以上，當並用2種以上時，可任意選擇此等的組合及比率。

組合物(V-1)中的上述填充材、耦合劑、交聯劑、著色劑及泛用添加劑的含量，只要對應目的而適當選擇即可，並無特別限定。

從藉由稀釋而提升其操作性的觀點而言，組合物(V-1)以進一步含有溶媒為佳。 作為組合物(V-1)所含有的溶媒，可列舉，例如，與上述組合物(III-1)中的溶媒相同者。 組合物(V-1)所含有的溶媒，可僅為1種，亦可為2種以上。

>>非硬化性保護膜形成用組合物的製造方法>> 組合物(V-1)等的非硬化性保護膜形成用組合物，可藉由將用以構成此等的各成分調配而獲得。 各成分的調配時的添加順序並無特別限定，亦可同時添加2種以上的成分。 使用溶媒時，可將溶媒與溶媒以外的任一調配成分混合而預先稀釋此調配成分來使用，亦可不預先稀釋溶媒以外的任一調配成分而將溶媒與此等調配成分混合來使用。 調配時混合各成分的方法並無特別限定，使攪拌子或攪拌翼等旋轉而混合的方法；使用混合機的混合方法；施加超音波的混合方法等，從習知的方法適當選擇即可。 各成分的添加及混合時的溫度以及時間，只要各調配成分不會劣化，則無特別限定，適當調節即可，但溫度以15~30℃為佳。

◎其他層 上述支撐片，在無損本發明效果的範圍內，基材及黏著劑層以外，亦可包括上述中間層等的其他層。 此外，上述保護膜形成用複合片，在無損本發明效果的範圍內，基材、黏著劑層及保護膜形成用膜以外，亦可包括其他層，此時的上述其他層，可以是包括支撐片的上述其他層，亦可未與支撐片直接接觸而配置。 上述其他層，對應目的可任意選擇，其種類並無特別限定。

作為上述支撐片及保護膜形成用複合片的一實施形態，可列舉，例如，黏著劑層為非能量線硬化性，黏著劑層至少含有具有來自(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元的上述丙烯酸系聚合物、交聯劑，在黏著劑層中，相對於上述丙烯酸系聚合物的含量100質量份，交聯劑的含量為0.3~50質量份，且，基材的第一面的上述最大高度粗糙度(Rz)為0.01~8μm者。

作為上述支撐片及保護膜形成用複合片的一實施形態，可列舉，例如，黏著劑層為非能量線硬化性，黏著劑層至少含有具有來自(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元的上述丙烯酸系聚合物、交聯劑，在黏著劑層中，相對於上述丙烯酸系聚合物的含量100質量份，交聯劑的含量為0.3~50質量份，上述丙烯酸系聚合物具有烷基的碳數為4以上的來自(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元、來自含羥基的單體的構成單元，且，基材的第一面的上述最大高度粗糙度(Rz)為0.01~8μm。

作為上述支撐片及保護膜形成用複合片的一實施形態，可列舉，例如，黏著劑層為非能量線硬化性，黏著劑層至少含有具有來自(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元的上述丙烯酸系聚合物、交聯劑，在黏著劑層中，相對於上述丙烯酸系聚合物的含量100質量份，交聯劑的含量為0.3~50質量份，上述丙烯酸系聚合物具有烷基的碳數為4以上的來自(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元、來自含羥基的單體的構成單元，在上述丙烯酸系聚合物中，來自含羥基的單體的構成單元的含量，相對於構成單元的全部量，為1~35質量%，且，基材的第一面的上述最大高度粗糙度(Rz)為0.01~8μm。

作為上述支撐片及保護膜形成用複合片的一實施形態，可列舉，例如，黏著劑層為非能量線硬化性，黏著劑層至少含有具有來自(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元的上述丙烯酸系聚合物、交聯劑，在黏著劑層中，相對於上述丙烯酸系聚合物的含量100質量份，交聯劑的含量為0.3~50質量份，上述丙烯酸系聚合物具有烷基的碳數為4以上的來自(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元、來自含羥基的單體的構成單元，在上述丙烯酸系聚合物中，來自含羥基的單體的構成單元的含量，相對於構成單元的全部量，為1~35質量%，上述交聯劑為異氰酸酯系交聯劑，且，基材的第一面的上述最大高度粗糙度(Rz)為0.01~8μm。

◇保護膜形成用複合片的製造方法 上述保護膜形成用複合片，例如，可藉有具有製作將基材、黏著劑層及保護膜形成用膜依此順序，在其厚度方向予以積層而構成的積層片的步驟(在本說明書中，有時稱為「積層片製作步驟(1)」)，將此上述積層片在其厚度方向加壓同時保存的步驟(在本說明書中，有時稱為「積層片保存步驟」)的製造方法(在本說明書中，有時稱為「製造方法(S1)」)而製造。 各層(基材、黏著劑層及保護膜形成用膜)的形成方法，如先前所說明。 以下，關於上述製造方法(S1)，對各步驟一一更詳細地說明。

◎製造方法(S1) >>積層片製作步驟(1)>> 在上述積層片製作步驟(1)中，製作將基材、黏著劑層及保護膜形成用膜依此順序，在其厚度方向予以積層而構成的積層片。 在本步驟中，例如，藉由以成為對應上述各層(基材、黏著劑層、保護膜形成用膜等)的位置關係的方式進行積層，製作與作為目標的保護膜形成用複合片具有相同積層構造的積層片。 且，在本說明書中，所謂「積層片」，若無特別說明，是指如上述，與作為目標的保護膜形成用複合片具有相同積層構造，且，未進行上述積層片保存步驟者。

例如，製造支撐片時，在基材上積層黏著劑層時，在基材上塗佈上述黏著劑組合物，視需要使其乾燥即可。

另一方面，例如，於在基材上積層完畢的黏著劑層上，進一步積層保護膜形成用膜時，可在黏著劑層上塗佈保護膜形成用組合物，直接形成保護膜形成用膜。保護膜形成用膜以外的層，亦可使用用以形成此層的組合物，藉由相同的方法，在黏著劑層上積層此層。如此一來，使用任一組合物而形成連續2層的積層構造時，可在由上述組合物所形成的層上，進一步塗佈組合物而形成新的層。但是，以藉由將此2層中的後積層的層，先在另外的剝離膜上使用上述組合物預先形成，將與此形成完畢的層的與上述剝離膜接觸側相反側的露出面，與已經形成完成的剩下的層的露出面貼合，而形成連續2層的積層構造為佳。此時，上述組合物，以塗佈在剝離膜的剝離處理面為佳。剝離膜在積層構造形成後，視需要而去除即可。

例如，當製造在基材上積層黏著劑層、在上述黏著劑層上積層保護膜形成用膜而成的保護膜形成用複合片(支撐片為基材及黏著劑層的積層物的保護膜形成用複合片)時，藉由在基材上塗佈黏著劑組合物，視需要使其乾燥，在基材上積層黏著劑層；另外，藉由在剝離膜上塗佈保護膜形成用組合物，視需要使其乾燥，在剝離膜上形成保護膜形成用膜。然後，藉由將此保護膜形成用膜的露出面，與在基材上積層完成的黏著劑層的露出面貼合，將保護膜形成用膜積層在黏著劑層上，而獲得上述積層片。

另外，在基材上積層黏著劑層時，如上述，取代在基材上塗佈黏著劑組合物的方法，亦可藉由在剝離膜上塗佈黏著劑組合物，視需要使其乾燥，在剝離膜上形成黏著劑層，將此層的露出面與基材一側的表面貼合，藉此將黏著劑層積層在基材上。 在任一方法，皆可將剝離膜在形成作為目標的積層構造後的任意時間點予以去除。

如此一來，任何構成保護膜形成用複合片的基材以外的層，皆可藉由預先形成在剝離膜上，貼合在作為目標的層的表面的方法而積層，因此可視需要適當選擇採用此類步驟的層，而製造上述積層片。

例如，保護膜形成用複合片，通常，藉由在與其支撐片相反側的最表層(例如，保護膜形成用膜)的表面貼合剝離膜的狀態進行保存。因此，藉由在此剝離膜(較佳為其剝離處理面)上，塗佈保護膜形成用組合物等的用以形成構成最表層的層的組合物，視需要使其乾燥，在剝離膜上形成構成最表層的層，在與此層的與剝離膜接觸側相反側的露出面上，將剩下的各層以上述任一方法積層，剝離膜在不去除維持貼合的狀態，獲得上述積層片。

當保護膜形成用複合片包括上述其他層時，在上述積層片製作步驟(1)的適當時間點，以成為適當配置位置的方式，適當追加設置上述其他層的步驟而進行即可。

在積層片製作步驟(1)中所製作的上述積層片的形狀，並無特別限定。例如，可以製作適合用來捲取為輥狀的長條的積層片，但亦可製作非長條的其他形狀的積層片。

>>積層片保存步驟>> 在上述積層片保存步驟中，將上述積層片在其厚度方向加壓同時保存。 在本步驟中，作為加壓上述積層片並保存的方法，可列舉，例如，將長條的上述積層片捲取為輥狀，將此經捲取的積層片，以此狀態，藉由捲取所產生的壓力，加壓積層片的單面或雙面並保存的方法；未將長條的上述積層片捲取成為輥狀，在展開狀態的積層片，或是，在非長條的上述積層片的單面或雙面，施加壓力並保存的方法等。

長條積層片捲取為輥狀時，積層片，以在其長邊方向捲取為佳。 捲取積層片時，例如，以捲取張力150~170N/m為佳，以捲取速度45~55m/min為佳，捲取張力的推拔比(衰減率)以85~95%為佳，藉由採用此等捲取條件，能夠以更適當的壓力加壓保存積層片。此等捲取條件，對於例如，厚度為100~300μm、寬度為300~500mm、長度為40~60m的積層片特別適用，但積層片的大小並不限於此。

積層片，例如，可在常溫下或室溫下捲取，亦可如下述，在與加熱加壓保存捲取的積層片時相同的溫度條件下捲取。

捲取成輥狀的積層片可保存在常溫下或室溫下，但以加熱並保存為佳。藉由此加熱加壓保存，可獲得黏著劑層與保護膜形成用膜間的積層性、保護膜或保護膜形成用膜的隔著支撐片的印字辨識性更佳的保護膜形成用複合片。

已將積層片捲取為輥狀時，保存時的加熱溫度並無特別限定，但以53~75℃為佳，以55~70℃為更佳，以57~65℃為特佳。

已將積層片捲取為輥狀時的保存時間，並無特別限定，但以24~720小時(1~30日)為佳，以48~480小時(2~20日)為更佳，以72~240小時(3~10日)為特佳。

捲取成輥狀的積層片，亦可例如，將保護膜形成用膜及支撐片加工成特定的形狀，將經過如此加工的支撐片及保護膜形成用膜的複數片的積層物，在其保護膜形成用膜側，貼合在長條的剝離膜，同時在此剝離膜的長邊方向排列而配置。此時的保護膜形成用膜，以具有與半導體晶圓相同或幾乎相同的平面形狀(通常為圓形)者為佳。此外，此時的支撐片以具有與切割裝置中的用以固定支撐片的治具相同或幾乎相同的外周形狀者為佳。此外，此時，剝離膜的上述積層物的貼合面當中，以在短邊方向的周圍部分附近不重疊上述積層物的方式，設置成帶狀的片材為佳。此片材為用以當將積層片捲取成輥狀時，抑制在上述積層物的表面上的階差(在本說明書中，有時稱為「積層痕」)的發生。上述積層痕，起因於在積層片的輥中，上述積層物(經過加工的支撐片及保護膜形成用膜的積層物)的積層位置在輥的徑方向不一致，而在上述積層物的表面施予高壓力而產生。若將上述片材設置在上述周圍部分附近，在上述積層物的表面，不會施予如此高的壓力，而抑制上述積層痕的發生。

長條的積層片沒有捲取成輥狀而成為展開狀態時，以及積層片為非長條時，以將複數片的此等積層片進一步積層而保存為佳。然後，像這樣積層積層片時，以複數片的此等積層片的方向及周圍部分的位置成為彼此對準的狀態為佳。

非長條積層片(換言之，單張的積層片)的形狀及大小，並無特別限定。例如，以適用於使用切割裝置而加工1片的半導體晶圓的方式，配合半導體晶圓的形狀及大小及用以固定切割裝置中的支撐片的治具的形狀及大小，調節積層片的形狀及大小為佳。

積層狀態的上述積層片，可在常溫下或室溫下保存，以加熱同時保存為佳。藉由此類的加熱加壓保存，可獲得黏著劑層與保護膜形成用膜間的積層性、保護膜或保護膜形成用膜的隔著支撐片的印字辨識性更佳的保護膜形成用複合片。 再者，加壓保存積層狀態的上述積層片時，加熱溫度及保存時間的任一者，可與上述積層片捲取為輥狀時相同。

在製造方法(S1)中，積層片保存步驟結束後，藉由解除積層片的加壓及視需要的加熱，可獲得作為目標的保護膜形成用複合片。

在製造方法(S1)的積層片製作步驟(1)中，基材、黏著劑層及保護膜形成用膜的積層(貼合)的順序並無特別限定，但預先製作支撐片(在基材上預先積層黏著劑層)、預先製作保護膜形成用膜、在支撐片上積層保護膜形成用膜時，亦可將支撐片及保護膜形成用膜的任一者或兩者，單獨地，在將其積層之前，藉由與上述積層片時相同方法進行加壓保存。藉由將積層之前的支撐片單獨地加壓保存，可更有效地抑制基材與黏著劑層之間的上述非貼合區域的發生。此外，藉由將積層之前的保護膜形成用膜單獨地加壓保存，使保護膜形成用膜及保護膜的黏著劑層側的面(第二面)的凹凸度變小(平滑度變大)，提升保護膜形成用膜及保護膜的設計性。

亦即，上述保護膜形成用複合片，亦可藉由例如具有下列步驟的製造方法(在本說明書中，有時稱為「製造方法(S2)」)而製造：藉由在積層有基材及黏著劑層的支撐片的上述黏著劑層上，積層保護膜形成用膜，將基材、黏著劑層及保護膜形成用膜依此順序，在其厚度方向積層而構成的積層片的製作步驟(在本說明書中，有時稱為「積層片製作步驟(2)」)；將上述積層片在其厚度方向加壓同時保存的步驟(保存步驟)；進一步具有在上述積層片製作步驟(2)前，將上述支撐片及保護膜形成用膜的任一者或兩者，在其厚度方向加壓同時保存的步驟(在本說明書中，保存支撐片的步驟，稱為「支撐片保存步驟」，保存保護膜形成用膜的步驟，稱為「保護膜形成用膜保存步驟」)。

◎製造方法(S2) 上述製造方法(S2)，進行積層片製作步驟(2) 來作為上述積層片製作步驟(1)，再者，除了追加進行上述支撐片保存步驟及保護膜形成用膜保存步驟的任一者或兩者的差異點以外，其餘與上述的製造方法(S1)相同。

>>積層片製作步驟(2)>> 上述積層片製作步驟(2)，如上述，除了為了預先製作支撐片、預先製作保護膜形成用膜、在支撐片上積層保護膜形成用膜，而限定各層的積層順序以外，其餘與製造方法(S1)中的積層片製作步驟(1)相同。

>>支撐片保存步驟、保護膜形成用膜保存步驟>> 上述支撐片保存步驟及保護膜形成用膜保存步驟，各自除了保存對象物不是積層片而是支撐片或保護膜形成用膜的差異點以外，其餘可與製造方法(S1)中的積層片保存步驟同樣地進行。 此時，例如，支撐片及保護膜形成用膜的保存時間，與積層片時相同，可以是24~720小時(1~30日)、48~480小時(2~20日)及72~240小時(3~10日)的任一者。

另一方面，上述支撐片保存步驟及保護膜形成用膜保存步驟，分別如同上述變更保存對象物之外，進一步變更保存對象物(支撐片或保護膜形成用膜)的保存時間，除了此等變更點以外，其餘可與製造方法(S1)中的積層片保存步驟同樣地進行。 此時，例如，支撐片及保護膜形成用膜的保存時間，可以是12~720小時(0.5~30日)、12~480小時(0.5~20日)及12~240小時(0.5~10日)的任一者。但是，這僅為上述保存時間的一例。 [實施例]

以下，藉由具體的實施例，針對本發明更詳細說明。但是，本發明並不限於以下所示的實施例。

>保護膜形成用組合物的製造原料> 保護膜形成用組合物的製造中使用的原料如以下所示。 ‧聚合物成分(A) (A)-1：將丙烯酸甲酯(85質量份)及丙烯酸2-羥乙酯(15質量份)共聚合而成的丙烯酸系聚合物(重量平均分子量370000，玻璃轉換溫度6℃) ‧熱硬化性成分(B1) (B1)-1：雙酚A型環氧樹脂(三菱化學公司製「jER828」，環氧當量184~194g/eq) (B1)-2：雙酚A型環氧樹脂(三菱化學公司製「jER1055」，環氧當量800~900g/eq) (B1)-3：二環戊二烯型環氧樹脂(DIG公司製「EPICLON HP-7200HH」，環氧當量255~260g/eq) •熱硬化劑(B2) (B2)-1：二氰二胺(dicyandiamide)(ADEKA公司製「ADK HARDENER EH-3636AS」，熱活性潛在性環氧樹脂硬化劑，活性氫量21g/eq) ‧硬化促進劑(C) (C)-1：2-苯基-4,5-二羥甲基咪唑(四國化成工業公司製「CUREZOL 2PHZ-PW」) •填充劑(D) (D)-1：氧化矽填充劑(ADMATECHS公司製「SC2050MA」，被環氧系化合物表面修飾的氧化矽填充劑，平均粒徑0.5μm) ‧耦合劑(E) (E)-1：3-胺基丙基三甲氧基矽烷(NUC公司製「A-1110」) •著色劑(I) (I)-1：黑色顏料(大日精化公司製)。

[實施例1] >支撐片的製造> (黏著劑組合物(I-4)的製造) 製造固形份濃度為30質量%的非能量線硬化性的黏著劑組合物(I-4)，其含有丙烯酸系聚合物(100質量份，固形份)及3官能伸苯二甲基二異氰酸酯系交聯劑(三井武田CHEMICALS公司製「TAKENATE D110N」)(40質量份(固形份))，作為溶媒，還含有丁酮、甲苯及乙酸乙酯的混合溶媒。上述丙烯酸系聚合物，是由丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)(80質量份)及丙烯酸2-羥乙酯(HEA)(20質量份)共聚合而成之重量平均分子量為800000的預共聚物。

(支撐片的製造) 使用聚對苯二甲酸乙二醇酯製膜的單面藉由矽酮處理而剝離處理後的剝離膜(LINTEC公司製「SP-PET381031」，厚度38μm)，在其上述剝離處理面，塗佈上述所得的黏著劑組合物(I-4)，藉由在120℃使其加熱乾燥2分鐘，形成非能量線硬化性的黏著劑層。此時，以黏著劑層的厚度成為4μm的方式設定條件，塗佈黏著劑組合物(I-4)。

藉由在聚丙烯製膜(三菱樹脂公司製，厚度80μm)一側的表面，使金屬輥的凹凸面一邊加熱一邊迴轉而加壓，製作一側的面為凹凸面，另一側的面為平滑面(光滑面)的基材。針對此基材的凹凸面，依據JIS B 0601：2013，測定最大高度粗糙度(Rz)時，為5μm。

接著，藉由在上述所得的黏著劑層的露出面，貼合上述基材的凹凸面，獲得將基材、黏著劑層及剝離膜依此順序，在其厚度方向積層而構成的支撐片。所得的支撐片的寬度(換言之，基材及黏著劑層的寬度)為400mm。藉由以上，獲得本發明的支撐片。

接著，對於支撐片，立即進行下述關於基材與黏著劑層間的非貼合區域的評價。此外，將此支撐片以此狀態使用於下述保護膜形成用複合片的製造。

>保護膜形成用複合片的製造> (保護膜形成用組合物(III-1)的製造) 藉由將聚合物成分(A)-1(150質量份)、熱硬化性成分(B1)-1(60質量份)、(B1)-2(10質量份)、(B1)-3(30質量份)、(B2)-1(2質量份)、硬化促進劑(C)-1(2質量份)、填充劑(D)-1(320質量份)、耦合劑(E)-1(2質量份)及著色劑(I)-1(18質量份)溶解或分散於丁酮、甲苯及乙酸乙酯的混合溶媒，在23℃攪拌，獲得固形份濃度為51質量%的熱硬化性的保護膜形成用組合物(III-1)。且，此處所示的調配量全部為固形份量。

(保護膜形成用膜的製造) 使用在聚對苯二甲酸乙二醇酯製膜的單面藉由矽酮處理而剝離處理後的剝離膜(第2剝離膜，LINTEC公司製「SP-PET381031」，厚度38μm)，在其上述剝離處理面，使用刀式塗佈機，塗佈上述所得的保護膜形成用組合物(III-1)，在100℃使其乾燥2分鐘，藉此製造厚度25μm的熱硬化性的保護膜形成用膜。

再者，藉由在所得的保護膜形成用膜的不具備第2剝離膜側的露出面，貼合剝離膜(第1剝離膜，LINTEC公司製「SP-PET381031」，厚度38μm)的剝離處理面，獲得在保護膜形成用膜一側的面包括第1剝離膜、在另一面包括第2剝離膜的積層膜。所得的積層膜的寬度(換言之，保護膜形成用膜、第1剝離膜及第2剝離膜的寬度)為400mm。

(保護膜形成用複合片的製造) 準備1組(2支)直徑為5cm、從其內表面起至3mm為止的深度的區域為由硬度50度的耐熱性矽酮橡膠所構成的輥。 從上述所得的支撐片的黏著劑層將剝離膜去除。此外，從上述所得的積層膜將第1剝離膜去除。 然後，將上述將剝離膜去除而產生的黏著劑層的露出面，與將上述第1剝離膜去除而產生的保護膜形成用膜的露出面對向貼合，將此等支撐片與保護膜形成用膜重疊而成為積層物的同時，藉由將此積層物，以0.3m/min的速度，通過溫度設定在60℃的此等輥間的間隙，以0.5MPa的壓力加熱加壓(加熱疊層)。藉此，製作將基材、黏著劑層、保護膜形成用膜及第2剝離膜依此順序，在其厚度方向積層而構成的與作為目標的保護膜形成用複合片具有相同積層構造的積層片(保存前的保護膜形成用複合片)。 在所得的上述積層片中，其寬度(換言之，支撐片的寬度)為400mm，保護膜形成用膜的外徑為330mm。

接著，將上述所得的全體的大小為400mm × 50m的積層片，以其長邊方向作為捲取方向，在捲取張力160N/m、捲取速度50m/min、捲取張力的推拔比90%的條件下，捲附在ABS樹脂的核心，捲取成輥狀。此時，基材在輥的徑方向上，以朝向外側的方式(換言之，使第2剝離膜接觸核心)，捲取積層片。 接著，將此輥狀的積層片，在大氣環境下、60℃的溫度條件下，靜置保存7日(168小時)。 藉此，獲得具有如圖2所示構造的本發明的保護膜形成用複合片。

接著，針對結束在此種加熱加壓條件下的保存後的本發明的保護膜形成用複合片，評價如以下所示的項目。

>支撐片及保護膜形成用複合片的評價> (黏著劑層的厚度的測定) 從上述所得的保護膜形成用複合片的5處切出大小為3mm × 3mm的試片。此5處的切出位置，為在圓形的保護膜形成用膜當中，相當於中心部位的1處，在靠近邊緣部的部位且相當於相對於此中心部大致點對稱的位置的4處。在此等5處的切出位置當中，相當於中心部的1處，與其外的靠近邊緣部的部位的4處的中心間距離為100mm。

使用剖面樣品製作裝置(JEOL公司製「cross section polisher SM-09010」)，間歇快門的條件為「in」10秒、「out」5秒，離子來源的電壓為3kV，總拋光時間為24小時，從上述試片形成其剖面。新形成的剖面，在1片的試片僅形成1面。

使用掃描式電子顯微鏡(SEM)，觀察此5處的試片的新形成的剖面，對各試片一一求得黏著劑層的厚度的最小值及最大值。此時的試片的剖面的觀察區域，在上述剖面的寬度方向，成為1mm的區域。 然後，採用此等最小值的平均值作為黏著劑層的S值，採用此等最大值的平均值作為黏著劑層的L值。結果如表1所示。

(黏著劑層與保護膜形成用膜的積層性的評價) 對於上述所得的保護膜形成用複合片，由其基材側的外部照射光，在黏著劑層與保護膜形成用膜之間有無非貼合區域，從基材側的外部隔著支撐片以目視確認。此時，目視確認是橫跨保護膜形成用複合片中的保護膜形成用膜的形成區域全區域而進行。 然後，根據下述基準，評價黏著劑層與保護膜形成用膜間的積層性的程度。結果如表1所示。 A：完全無非貼合區域。 B：雖然有非貼合區域，但其數目為3處以下。 C：非貼合區域有4處以上。

(保護膜的印字辨識性的評價) 從上述所得的保護膜形成用複合片，去除第2剝離膜，將藉此所產生的保護膜形成用膜的露出面(與黏著劑層側相反側的面)貼附在8英吋的半導體晶圓的背面。此時的貼附是使用膠帶貼片機(LINTEC公司製「RAD2700」)而進行。藉此，製作將基材、黏著劑層、保護膜形成用膜及半導體晶圓依此順序，在其厚度方向積層而構成的第一積層構造體。

接著，使用雷射印字裝置(EO Technics公司製「CSM300M」)，第一積層構造體中的保護膜形成用膜當中，在黏著劑層側的面(第二面)，隔著支撐片藉由照射雷射光而進行印字。此時，印出0.3mm × 0.2mm的大小的文字。

接著，將此保護膜形成用膜的印字(雷射印字)，隔著支撐片以目視觀察，根據下述基準，評價印字(文字)的辨識性。結果如表1所示。此處評價的保護膜形成用膜的印字辨識性，視為等同於保護膜的印字辨識性。 A：印字為鮮明的，可容易地辨識。 B：印字為些許模糊，無法容易地辨識。 C：印字為不鮮明，無法辨識。

接著，由此保護膜形成用膜剝除支撐片(基材及黏著劑層)。然後，使用光學顯微鏡(KEYENCE公司製)，測定形成在保護膜形成用膜的印字(文字)的線的粗細。其結果，線的粗細為40μm以上，鮮明地印字。

(評價基材與黏著劑層之間的非貼合區域的有無以及其層間距離) 使用掃描式電子顯微鏡(SEM，KEYENCE公司製「VE-9700」)，針對上述所得的保護膜形成用複合片，確認基材與黏著劑層間的非貼合區域的有無。然後，當有非貼合區域時，測定其層間距離。此時的確認及測定為橫跨基材與黏著劑層的全區域而進行。 另外，測定此層間距離時，藉由與上述試片的情況的相同方法，在保護膜形成用複合片形成剖面，在此剖面，定基材與黏著劑層之間的層間距離。 然後，根據下述基準，進行關於基材與黏著劑層之間的非貼合區域的評價。結果如表1所示。 A：完全無非貼合區域。 B：雖然有非貼合區域，但其層間距離為0.5μm以下。 C：有非貼合區域，其層間距離大於0.5μm。

(評價黏著劑層與保護膜形成用膜之間的非貼合區域的有無以及其層間距離) 關於在評價上述基材與黏著劑層之間的非貼合區域時，同時確認黏著劑層與保護膜形成用膜之間的非貼合區域的有無。然後，當有非貼合區域時，測定其層間距離。此時的確認及測定為橫跨保護膜形成用複合片中的保護膜形成用膜的形成區域全區域而進行。 另外，測定此層間距離時，藉由與上述試片的情況的相同方法，在保護膜形成用複合片形成剖面，在此剖面，測定黏著劑層與保護膜形成用膜之間的層間距離。 然後，根據下述基準，進行關於黏著劑層與保護膜形成用膜之間的非貼合區域的評價。結果如表1所示。 A：完全無非貼合區域。 B：雖然有非貼合區域，但其層間距離為0.5μm以下。 C：有非貼合區域，其層間距離大於0.5μm。

(保護膜形成用膜的第二面的凹凸度的評價) 從上述所得的保護膜形成用複合片，將第2剝離膜去除，將藉此所產生的保護膜形成用膜的露出面(與黏著劑層側相反側的面、第一面)貼附在8英吋的半導體晶圓(厚度200μm)的背面。此時的貼附使用膠帶貼片機(LINTEC公司製「RAD2700」)進行。藉此，製作將基材、黏著劑層、保護膜形成用膜及半導體晶圓依此順序，在其厚度方向積層而構成的第一積層構造體。 接著，在對此半導體晶圓貼附後的保護膜形成用膜當中的黏著劑層側的面(第二面)的狀態，隔著支撐片藉由目視確認，根據下述基準進行評價。結果如表1所示。 此處所評價的在保護膜形成用膜的第二面上的凹凸度，視為等同於在保護膜的與半導體晶圓側相反側的面(第二面)上的凹凸度。 A：平滑或是凹凸度極小，無損保護膜形成用膜的外觀。 B：在一部有不平整，雖然不平滑但凹凸度極小，無損保護膜形成用膜的外觀。 C：凹凸度大，損害保護膜形成用膜的外觀。

>支撐片及保護膜形成用複合片的製造以及支撐片及保護膜形成用複合片的評價> [實施例2] 除了黏著劑層的厚度不是4μm而是成為5μm的方式設定條件，塗佈黏著劑組合物(I-4)的差異點以外，其餘藉由與實施例1時相同方法，製造支撐片並進行評價。 然後，除了使用此種支撐片的差異點以外，其餘藉由與實施例1時相同方法，製造保護膜形成用複合片並進行評價。 結果如表1所示。

[實施例3] 除了黏著劑層的厚度不是4μm而是成為6μm的方式設定條件，塗佈黏著劑組合物(I-4)的差異點以外，其餘藉由與實施例1時相同方法，製造支撐片並進行評價。 然後，除了使用此種支撐片的差異點以外，其餘藉由與實施例1時相同方法，製造保護膜形成用複合片並進行評價。 結果如表1所示。

[比較例1] 除了黏著劑層的厚度不是4μm而是成為3μm的方式設定條件，塗佈黏著劑組合物(I-4)的差異點以外，其餘藉由與實施例1時相同方法，製造支撐片並進行評價。 然後，除了使用此種支撐片的差異點以外，其餘藉由與實施例1時相同方法，製造保護膜形成用複合片並進行評價。 結果如表1所示。

[比較例2] 藉由在聚丙烯製膜(三菱樹脂公司製，厚度80μm)一側的表面，將金屬輥的凹凸面一邊加熱一邊使其迴轉而加壓，製作一側的面為凹凸面、另一側的面為平滑面(光滑面)的基材。此時使用的金屬輥的凹凸面，相較於實施例1使用的金屬輥的凹凸面，凹凸度更大。針對所得的基材的凹凸面，依據JIS B 0601：2013，測定最大高度粗糙度(Rz)時，為8μm。

除了使用上述所得的基材的差異點以及黏著劑層的厚度不是4μm而是成為7μm的方式設定條件而塗佈黏著劑組合物(I-4)的差異點以外，其餘藉由與實施例1時相同方法，製造支撐片並進行評價。 然後，除了使用此種支撐片的差異點以外，其餘藉由與實施例1時相同方法，製造保護膜形成用複合片並進行評價。 結果如表1所示。

[表1]

從上述結果可清楚得知，在實施例1~3中，黏著劑層的S值為2μm以上(2~4μm)，黏著劑層與保護膜形成用膜的積層性特別佳。此外，在此等實施例中，黏著劑層的L值為8μm以下(6~8μm)，保護膜(保護膜形成用膜)的印字辨識性特別佳。

相對於此，在比較例1中，黏著劑層的S值為1μm，由於在黏著劑層有極薄的區域。因此，在黏著劑層與保護膜形成用膜之間，存在多個非貼合區域，黏著劑層與保護膜形成用膜的積層性變得不佳。再者，由於如此存在非貼合區域，隔著支撐片的保護膜(保護膜形成用膜)的印字辨識性亦變差。

此外，在比較例2中，黏著劑層的L值為10μm，在黏著劑層有極厚的區域。因此，隔著支撐片的保護膜(保護膜形成用膜)的印字辨識性變差。

另外，在實施例1~3中，基材與黏著劑層之間、黏著劑層與保護膜形成用膜之間的任一者，完全沒有非貼合區域，或是即使有，其層間距離很小，保護膜形成用複合片具有良好的特性。 此外，在實施例1~3中，在保護膜形成用膜的第二面上的凹凸度小，保護膜形成用膜為外觀優良，可形成設計性高的保護膜。 [產業可利用性]

本發明可利用於半導體裝置的製造。

1A、1B、1C‧‧‧保護膜形成用複合片 10‧‧‧支撐片 10a‧‧‧支撐片的保護膜形成用膜側的面(第一面) 10b‧‧‧支撐片的面(第二面) 11‧‧‧基材 11a‧‧‧基材的黏著劑層側的面(第一面、凹凸面) 11b‧‧‧基材的與黏著劑層側相反的面(第二面) 12‧‧‧黏著劑層 12a‧‧‧黏著劑層的與基材側相反側的面(第一面) 12b‧‧‧黏著劑層的基材側的面(第二面) 13、23‧‧‧保護膜形成用膜 13a‧‧‧保護膜形成用膜的面(第一面) 13b‧‧‧保護膜形成用膜的黏著劑層側的面(第二面) 15‧‧‧剝離膜 16‧‧‧治具用接著劑層 16a‧‧‧(未接觸保護膜形成用膜的)面 23a‧‧‧(未接觸黏著劑層的)面 23b‧‧‧保護膜形成用膜的黏著劑層側的面(第二面) 91‧‧‧基材與黏著劑層未貼合的區域(非貼合區域) 92‧‧‧黏著劑層與保護膜形成用膜未貼合的區域(非貼合區域) Ta‧‧‧黏著劑層的厚度 Ta1‧‧‧黏著劑層的厚度的最小值 Ta2‧‧‧黏著劑層的厚度的最大值 T_p‧‧‧保護膜形成用膜的厚度

[圖1]是示意性地顯示本發明一實施形態相關的支撐片及保護膜形成用複合片的剖面圖。 [圖2]是示意性地顯示本發明一實施形態相關的保護膜形成用複合片連同支撐片的剖面圖。 [圖3]是示意性地顯示本發明一實施形態相關的保護膜形成用複合片連同支撐片的剖面圖。

[圖4]是圖1所示的支撐片及保護膜形成用複合片的放大剖面圖。

1A‧‧‧保護膜形成用複合片

10‧‧‧支撐片

10a‧‧‧支撐片的保護膜形成用膜側的面(第一面)

10b‧‧‧支撐片的面(第二面)

11‧‧‧基材

11a‧‧‧基材的黏著劑層側的面(第一面、凹凸面)

11b‧‧‧基材的與黏著劑層側相反的面(第二面)

12‧‧‧黏著劑層

12a‧‧‧黏著劑層的與基材側相反側的面(第一面)

12b‧‧‧黏著劑層的基材側的面(第二面)

13‧‧‧保護膜形成用膜

13a‧‧‧保護膜形成用膜的面(第一面)

13b‧‧‧保護膜形成用膜的黏著劑層側的面(第二面)

15‧‧‧剝離膜

16‧‧‧治具用接著劑層

16a‧‧‧(未接觸保護膜形成用膜的)面

Claims (3)

1. 一種支撐片，為包括基材、在上述基材上包括黏著劑層的支撐片， 上述基材的上述黏著劑層側的面為凹凸面， 從上述支撐片的5處切出試片，在該些5片的試片中， 求得各別黏著劑層的厚度的最小值及最大值時，上述最小值的平均值為1.5μm以上，上述最大值的平均值為9μm以下。
2. 如申請專利範圍第1項所述之支撐片，其中，上述黏著劑層直接接觸上述基材的凹凸面。
3. 一種保護膜形成用複合片，在如申請專利範圍第1項或第2項所述之支撐片的黏著劑層上，包括保護膜形成用膜。

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