TWI798672B

TWI798672B - 一種具有多個讀寫頭之驅動臂以同步存取資料的儲存裝置

Info

Publication number: TWI798672B
Application number: TW110111651A
Authority: TW
Inventors: 余文郎; 余佳倩
Original assignee: 幸福新科技股份有限公司
Priority date: 2021-03-30
Filing date: 2021-03-30
Publication date: 2023-04-11
Also published as: TW202238569A

Abstract

本發明為單一驅動臂複數讀寫頭同步存取資料的硬碟機，無論檔案寫入時或讀出時該複數讀寫頭皆為同步存取以縮短硬碟機的存取時間及資料的傳輸時間。

Description

一種具有多個讀寫頭之驅動臂以同步存取資料的儲存裝置

本發明單一驅動臂複數讀寫頭同步存取資料之硬碟機，屬於資料存儲裝置之技術領域。

按，個人電腦傳統都是以硬碟機(HDD,Hard Disk Drive)作為作業系統(O.S.)的載入裝置，其使用堅硬的旋轉碟片為基礎的非揮發性(non-volatile)儲存裝置，並在平整的磁性表面儲存和檢索數位資料。資訊透過離磁性表面很近的磁頭，由電磁流來改變極性方式被寫到硬碟上。資訊可以透過相反的方式讀回，例如磁場導致線圈中電力的改變或磁頭經過硬碟的上方。

習知硬碟機者皆知，一部硬碟機的總容量是由幾個因子(factor)相乘後構成，包括硬碟片(Platter)總數、讀寫頭總數(R/W-Head)、磁軌(Cylinder)總數、每一磁軌的磁區(Sector)總數以及每一磁區的儲存容量。

在DOS時代，由於CPU速度不夠快，硬碟機速度也很慢，為了增進效能，因此加快檔案存取速度是關鍵之一，其方法就是使用叢集(Cluster)，無論檔案大小，儲存檔案的單位都是以叢集為基本單位，即便該檔案只有幾個位元組(Bytes)儲存時還是佔用了1個叢集。一個叢集可以包含一個或連續幾個磁區構成，公式為：叢集=磁區x N,N為2的指數(exponent)

因此，一個叢集可以為1、2、4、8、16、32或更多個磁區所組成，當叢集由更多的磁區組成時意味著該硬碟機的檔案總數會比較少，但也意味著存取速度會比較快，一般設計一個叢集等於8個磁區而一個磁區為512Byte，換言之一個叢集為4KB。為方便說明本案，在此我們定義1個叢集等於4個磁區組成。現今的硬碟機廠商已經不再提供有關硬碟機內部的上述參數了，且現今一個2.5英吋單張硬碟片的容量已經可以達到1TB以上，根據公式：總容量=2(Side)x磁軌數x每軌磁區數x每磁區容量可知，2 x 65,536 x 16,384 x 512=1,099,511,627,776。

我們可以推估上述參數的可能構成為：2個讀寫頭，每一面有65,536個磁軌，每磁軌有16,384個磁區，每個磁區有512位元組(Byte)，這意味著今日相同單位面積硬碟片的資料儲存密度約當40年前的一萬倍以上。

檔案配置表(FAT,File Allocation Table)是一種由微軟公司(Microsoft)發明並擁有部分專利的檔案管理系統，由最原始的FAT12(1980)不斷演化而有FAT16(1987)，FAT32(1996)，FAT64(2006)，NTFS(1993,Windows NT)等等，這幾種FAT對於的叢集大小的規範也不相同。

後有進者，改採用永久性記憶體來取代硬碟機，這種基於永久性記憶體，如快閃記憶體的電腦外部儲存裝置稱為固態硬碟(Solid State Disk、Solid State Drive，簡稱SSD)。固態硬碟一般被製作成與常規硬碟機相同的外形，例如常見的1.8英寸、2.5英寸或3.5英寸規格，並採用了相互相容的資料傳輸介面例如SATA，用來在電腦中代替前述的標準尺寸的硬碟機。雖然在固態硬碟中已經沒有可以旋轉的盤狀磁碟結構，但是依照命名習慣，這類儲存裝置仍然被稱為「硬碟」。

相較於固態硬碟由於硬碟機的存取時間受限於轉軸馬達、音圈馬達及讀寫頭等機電結構很難與固態硬碟相抗衡，因此近年來硬碟機的市場(尤其是Notebook內建硬碟機)幾乎完全被固態硬碟所取代(超過80%)，換言之大多數Notebook使用者在面臨儲存裝置的容量與速度的選擇時通常選擇了後者。

2018年硬碟機製造商之一的Seagate公司，推出了雙驅動臂硬碟機(MACH.2)，顧名思義該硬碟機使用了雙驅動臂結構以加速資料存取時間，根據該公司提供的測試報告可知，該雙驅動軸硬碟機較一般硬碟機提升了60%效能，即便如此，效能還是很難與固態硬碟相抗衡。

由於先天技術與實體結構的差異，相較於固態硬碟，硬碟機最大的缺點是資料傳輸速率太慢及讀寫頭的存取時間太長。

因此，需要更好的解決方案來解決上述問題。

本發明為單一驅動臂複數讀寫頭同步存取硬碟機，顧名思義係一個驅動臂推動複數個讀寫頭而該複數讀寫頭同時寫資料至硬碟片(Platter)上或同時從硬碟片上讀取資料之意，簡言之本發明的特徵為「具有複數讀寫頭同步存取的硬碟機」，因為有2、4、6、8或12個讀寫頭同步存取資料，因此本發明產品的資料傳輸速率為傳統硬碟機的2、4、6、8或12倍，實施例則以單一硬碟片四倍速說明。

本發明提供一種具有至少兩個讀寫頭之驅動臂以同步存取資料的儲存裝置，該儲存裝置包括：至少一硬碟片，其中每一硬碟片被劃分成至少兩個大磁區；一具有至少兩個讀寫頭之驅動臂，其中每一讀寫頭對應於該至少一硬碟片之一大磁區以讀寫資料；以及一控制單元，將要被寫入的資料分拆成一複數個寫入資料，其中每一寫入資料分別對應於一相對應的讀寫頭以同步存取資料。

在一實施例中，該儲存裝置具有一介面單元，該介面單元為下列中之任一系列：Parallel ATA系列、Serial ATA系列、SCSI系列、USB系列、SAS系列及PCIe系列。

在一實施例中，該儲存裝置具有一寫入/讀出資料處理單元，其中該寫入/讀出資料處理單元包含資料緩衝器、CRC產生器、錯誤資料檢測與校正器、資料串聯/並聯轉換器及磁軌數磁區數比較器中之任一。

在一實施例中，該寫入/讀出資料處理單元可耦接一個或數個讀寫頭。

在一實施例中，該控制單元進一步整合該寫入/讀出資料處理單元以成為多核心控制單元或多核心CPU單元。

在一實施例中，在該驅動臂上具有四個讀寫頭，且每一硬碟片被劃分成四個大磁區，其中，該硬碟片在完成低階格式化後，磁區序號重新排序的規則為：同一磁軌下，若其中某一大磁區中之某一磁軌某磁區數為不良則重新排序時則將其他大磁區相同磁軌相同磁區數標示為不使用磁區，以達到四個大磁區無論哪一磁軌，其第一讀寫頭、第二讀寫頭、第三讀寫頭與第四讀寫頭所存取的大磁區其每一磁軌的每一磁區均為可用磁區，且其磁區數序號均相同。

在一實施例中，該儲存裝置具有一組態設定開關組，以改變資料存取速度為下列中之任一：8倍速變更為4倍速單一硬碟片4讀寫頭同步存取、2硬碟片單面4讀寫頭同步存取中任一；6倍速變更為3倍速單面3讀寫頭同步存取、2倍速單一碟片2讀寫頭同步存取。

在一實施例中，每一單片硬碟片之每一面配置兩個讀寫頭，其中四個讀寫頭同步存取該硬碟片。

在一實施例中，單片硬碟片每一面進一步配置三個讀寫頭，其中六個讀寫頭同步存取該硬碟片。

5:系統

10:控制單元

11:組態設定開關

20:介面單元

30:第一寫入/讀出資料處理單元組

301:第一寫入/讀出資料處理單元

302:第二寫入/讀出資料處理單元

303:第三寫入/讀出資料處理單元

304:第四寫入/讀出資料處理單元

60:驅動臂及讀寫頭組合單元

601:第一讀寫頭RW-Head-1

602:第二讀寫頭RW-Head-2

602:第三讀寫頭RW-Head-3

602:第四讀寫頭RW-Head-4

801:硬碟片第一面外圈磁區

802:硬碟片第一面內圈磁區

803:硬碟片第二面外圈磁區

804:硬碟片第二面內圈磁區

861:硬碟片第一讀寫頭著陸區(硬碟片第一面)

862:硬碟片第二讀寫頭著陸區(硬碟片第一面)

863:硬碟片第三讀寫頭著陸區(硬碟片第二面)

864:硬碟片第四讀寫頭著陸區(硬碟片第二面)

90:電源電路單元

341:CRC產生器

342:緩衝器

343:資料錯誤檢測與校正器

344:資料串聯並聯轉換器

345:磁軌數磁區數比較器

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明確易懂，所附圖式之說明如下：圖1 為本發明之一實施例之一硬碟之內部結構方塊圖。

圖2A 為本發明之一實施例之一硬碟片之第一面示意圖。

圖2B 為圖2A之硬碟片之第二面示意圖。

圖2C 為本發明之另一實施例之一硬碟片之第一面示意圖。

圖3 為本發明之一實施例之寫入/讀出資料處理單之元內部結構方塊圖。

圖4 為本發明之一實施例之一硬碟片低階格式化程序圖。

圖1為本發明硬碟機內部結構方塊圖包括：介面單元20，至少一組，每組控制單元通過其介面與系統5作電性耦接，其中該介面單元係選自Parallel ATA系列、Serial ATA系列、SCSI系列、串列式SCSI(SAS,Serial Attached SCSI)系列、PCI-e系列、SATA-express系列及USB系列任一；其中PCI-e雖為Board-to-Board耦接關係，但以資料傳輸技術論本案技術可以達成PCI-e 3.0規格且並沒有規定HDD不能使用PCI-e作為介面。硬碟片集合80，至少一組且每組內含1至12片硬碟片。每片硬碟片配置2、4或6個讀寫頭任一，一片硬碟片配置2讀寫頭時硬碟片第1面定名為第一大磁區(1st Big Sector Block)、第2面定名為第2大磁區(2nd Big Sector Block)；硬碟片配置4讀寫頭時每一片硬碟片被劃分成4個大磁區包含第1面(或稱A面)外圈磁區(Side-A Outer Ring Sectors)、第1面內圈磁區(Side-A Inner Ring Sectors)、第2面(或稱B面)外圈磁區(Side-B Outer Ring Sectors)以及第2面內圈磁區(Side-B Inner Ring Sectors)。

圖2A為一實施例中之一硬碟片中第一面的磁區劃分示意圖，其中一驅動臂100具有第一讀寫頭601以及第二讀寫頭602，硬碟片具有外圈磁區801與內圈磁區802以及第一讀寫頭著陸區861與第二讀寫頭著陸區862。

圖2B為該硬碟片中第2面的磁區劃分示意圖，其中一驅動臂101具有第一讀寫頭603以及第二讀寫頭604，硬碟片具有外圈磁區803與內圈磁區864以及第一讀寫頭著陸區863與第二讀寫頭著陸區864。

傳統硬碟片有一個無資料的安全區，作為讀寫頭休息或停放的地方，這個區域稱為讀寫頭著陸區(RW-Head Landing Zone)或簡稱著陸區。本發明的實施例第一硬碟片第1面及第2面均設計有2個讀寫頭著陸區，靠近硬碟片圓心的讀寫頭著陸區稱為第2讀寫頭著陸區(也就是傳統硬碟片的著陸區)，遠離圓心著陸區的稱為第1讀寫頭著陸區，硬碟片第1著陸區以外的大磁區稱為外圈磁區，位於第1著陸區與第2著陸區間的大磁區稱為內圈磁區。

本案有關磁區的定義：實施範例為設每一硬碟片任一面共有磁軌(Tracks)8,400軌，每一面均有兩個讀寫頭存取該面的資料，其中最外圍第1軌至第4,000軌為外圈磁區；第4,001軌至4,200軌為第一讀寫頭著陸區，硬碟片在此區域內沒有磁性材料塗層；第4,201軌至第8,200軌為內圈磁區；第8,201軌至8,400軌為第二讀寫頭著陸區，硬碟片在此區域內也沒有磁性材料塗層。因此，假設讀寫頭移動的速率不變，本案每一讀寫頭從其第一磁軌(Track 00)上方移動至最高磁軌數上方的時間將為傳統硬碟機的一半，換言之讀寫頭的平均存取時間(Average Access Time)僅為傳統硬碟機的一半。

本案有關磁軌的命名：硬碟片第一面第1軌為第一讀寫頭第00軌，第4,000軌為第一讀寫頭的第3,999軌；第4,201軌為第二讀寫頭第00軌，第8,200軌為第二讀寫頭的第3,999軌；硬碟片第二面第1軌為第三讀寫頭第00軌，第4,000軌為第三讀寫頭的第3,999軌；第4,201軌為第四讀寫頭第00軌，第8,200軌為第四讀寫頭的第3,999軌。

本案特徵為單一驅動軸同步驅動2、4、6、8或12讀寫頭同步存取硬碟資料，實施例為單一驅動軸驅動四個讀寫頭同步存取資料，因為四個讀寫頭係為連動關係，亦即當第一讀寫頭被推至硬碟片外圈磁區第00軌上方時，同時該第二讀寫頭位置亦在硬碟片內圈磁區第00軌上方，同時該第三讀寫頭位於硬碟片第二面外圈磁區第00軌上，同時該第四讀寫頭位於硬碟片第二面內圈磁區第00軌上，簡言之四個讀寫頭同步存取4個各自大磁區中相同磁軌資料。

控制單元10，至少一組每一組為一內含韌體程式的中央處理單元(CPU)，其中資料寫入係通過介面單元20接收來自電腦系統端的寫入命令及檔案(資料)，控制單元選擇資料將寫入的讀寫頭序號及磁軌數(Cylinder Number)、磁區數(Sector Number)並將寫入資料分離成2、4、6或8組中任一，本實施例為單一驅動軸驅動四個讀寫頭同步存取資料因此控制單元將資料預分成4組分別為第一寫入資料、第二寫入資料、第三寫入資料及第四寫入資料，第一寫入資料輸出至第一寫入/讀出資料處理單元301，第二寫入資料輸出至第二寫入/讀出資料處理單元302，第三寫入資料輸出至第三寫入/讀出資料處理單元303，第四寫入資料輸出至第四寫入/讀出資料處理單元304；資料讀出係接收來自電腦系統端的檔案讀取命令後，控制單元由檔案配置表(FAT,File Allocation Table)取得該檔案儲存的第一磁軌數及第一磁區數並將驅動臂與讀寫頭組合單元移至該磁軌數上讀取資料，控制單元並接收來自第一寫入/讀出資料處理單元301、第二寫入/讀出資料處理單元302、第三寫入/讀出資料處理單元303以及第四寫入/讀出資料處理單元304送回的資料並整合(merge)成為一筆資料並通過介面單元20送回電腦系統中；寫入/讀出資料處理單元組30，至少一組，每一組係由2、4、6、8或12個寫入/讀出資料處理單元中任一組合而成，由2個寫入/讀出資料處理單元組合者具2讀寫頭同步存取是為2倍速；由4個寫入/讀出資料處理單元組合者具4讀寫頭同步存取是為4倍速；由6個寫入/讀出資料處理單元組合者具6讀寫頭同步存取是為6倍速；由8個寫入/讀出資料處理單元組合者具8讀寫頭同步存取是為8倍速；由12個寫入/讀出資料處理單元組合者具12讀寫頭同步存取是為12倍速。每一個寫入/讀出資料處理單元其一端與控制單元電性耦接，另一端與配對讀寫頭電性耦接。每一寫入/讀出資料處理單元均由單晶片微控制器、ASIC所構成或被整合至控制單元10內部中使控制單元10成為一個線性多核心控制單元(Multi-Core Controller)或稱多核心CPU(Multi-Code Processor)。本實施例為單一驅動軸驅動四個讀寫頭同步存取資料是為四倍速，因此有4個寫入/讀出資料處理單元分別為第一寫入/讀出資料處理單元301、第二寫入/讀出資料處理單元302、第三寫入/讀出資料處理單元303、第四寫入/讀出資料處理單元304組成，第一寫入/讀出資料處理單元301電性耦接至第一讀寫頭601，第二寫入/讀出資料處理單元302電性耦接至第一讀寫頭602，第三寫入/讀出資料處理單元303電性耦接至第一讀寫頭603，第四寫入/讀出資料處理單元304電性耦接至第一讀寫頭604。

第一寫入/讀出資料處理單元301，在寫入動作時係將控制單元10送來的第一寫入資料以及根據該資料自行產生的CRC碼，一併輸出至第一讀寫頭601後寫入第一硬碟片81第一面外圈磁區801完成資料寫入動作；在讀出動作時係將第一讀寫頭601讀出之第一硬碟片81第一面外圈磁區801資料及CRC並以CRC核對資料內容並改正錯誤位元，後送回控制單元10；第二寫入/讀出資料處理單元302，在寫入動作時係將控制單元10送來的第二寫入資料以及根據該資料自行產生的CRC碼，一併輸出至第二讀寫頭602後寫入第一硬碟片81第一面內圈磁區802完成資料寫入動作；在讀出動作時係將第二讀寫頭602讀出第一硬碟片81第一面內圈磁區802之資料及CRC並以CRC核對資料內容並改正錯誤位元，後送回控制單元10；第三寫入/讀出資料處理單元303，在寫入動作時係將控制單元10送來的第三寫入資料以及根據該資料自行產生的CRC碼，一併輸出至第三讀寫頭603後寫入第一硬碟片81第二面外圈磁區803完成資料寫入動作；在讀出動作時係將第三讀寫頭603讀出第一硬碟片第二面外圈磁區803之資料及CRC並以CRC核對資料內容並改正錯誤位元，後送回控制單元10；第四寫入/讀出資料處理單元304，在寫入動作時係將控制單元10送來的第四寫入資料以及根據該資料自行產生的CRC碼，一併輸出至第四讀寫頭604後寫入硬碟片第二面內圈磁區804完成資料寫入動作；在讀出動作時係將第二讀寫頭604讀出第一硬碟片81第二面內圈磁區804之資料及CRC並以CRC核對資料內容並改正錯誤位元，後送回控制單元10；圖3為第一~第四寫入/讀出資料處理單元301,302,303,304的內部結構圖，四者皆為單晶片微控制器、ASIC所構成或被整合至控制單元10內部中使控制單元10成為一個線性多核心控制單元(Multi-Core Controller)或稱多核心CPU(Multi-Code Processor)。寫入/讀出資料處理單元其內部至少包含5個主要部分任一：

(一)資料緩衝器(Buffer)342：包含一容量不小於一個硬碟機磁區(Sector)大小的隨機存取記憶體(RAM,Random Access Memory)或其他揮發性記憶體(Volatile Memory)構成。

(二)CRC產生器341：在檔案寫入資料緩衝區342時依據資料內容產生CRC碼。CRC是循環冗餘校驗(Cyclic Redundancy Check)，是一種根據資料封包或電腦檔案等資料產生簡短固定位數驗證碼的一種雜湊函式(Hash function)，主要用來檢測或校驗資料傳輸或儲存後可能出現的錯誤，一般來說多使用32位元(CRC32)的整數。

(三)錯誤資料檢測與校正器343：在檔案讀出時自動依CRC內容檢查資料內容是否有錯並改正錯誤資料。

(四)資料串聯/並聯轉換器344：在檔案寫入時，將緩衝器上的並聯資料轉換成串聯資料後連同CRC碼寫入硬碟片中；在檔案讀出時，將讀寫頭送來的串聯資料及CRC碼轉換為並聯並置於緩衝器後由控制單元10讀取。

(五)磁軌數磁區數比較器345：在檔案寫入或讀出時，控制單元10送出磁軌數磁區數數據至驅動臂及讀寫頭組合單元60及第一寫入/讀出資料處理單元301、第二寫入/讀出資料處理單元302、第三寫入/讀出資料處理單元303及第四寫入/讀出資料處理單元304，當讀寫頭被推移至目標磁軌上時，讀寫頭將所讀出的磁軌數磁區數數據送回第一寫入/讀出資料處理單元301、第二寫入/讀出資料處理單元302、第三寫入/讀出資料處理單元303、及第四寫入/讀出資料處理單元304，內部的磁軌數磁區數比較器345比較前後兩數據是否相同，倘若相同則第一寫入/讀出資料處理單元301、第二寫入/讀出資料處理單元302、第三寫入/讀出資料處理單元303及第四寫入/讀出資料處理單元304開始執行資料寫入或讀出工作，倘若數據不相同則回覆控制單元10調整讀寫頭位置。因為，第一讀寫頭、第二讀寫頭、第三讀寫頭與第二讀寫頭係同步存取，正常情況下此四個讀寫頭讀出磁軌數磁區數數據應相同且與控制單元10所送磁軌數磁區數數據一樣，倘若不同則回覆控制單元10調整之。

永久磁鐵(Permanent magnet)組合，至少一組，每組係由兩個永久磁鐵構成而音圈馬達(VCM,Voice Coil Motor)線圈係置於兩塊永久磁鐵生成的磁場中，當線圈中有電流通過時就會在磁場的影響下經驅動軸(Actuator Axis)的槓桿作用推動驅動臂及讀寫頭組合單元60移動。

驅動臂(Actuator Arm)及讀寫頭組合單元60，至少一組，每組內含音圈馬達(voice coil motor,VCM)、驅動軸(Actuator Axis)、讀寫頭(RW-Head)及相關零組件組成，控制單元控制音圈馬達以推移讀寫頭至目標磁軌位置。讀寫頭數目恆為硬碟片數目2倍或4倍任一。讀寫頭數目為硬碟片數目2倍下，第一讀寫頭與第一寫入/讀出資料處理單元電路耦接並存取第一硬碟片第一面資料，第二讀寫頭與第二寫入/讀出資料處理單元電路耦接並存取第一硬碟片第二面資料，餘依序電路耦接；讀寫頭數目為硬碟片數目4倍下，第一讀寫頭與第一寫入/讀出資料處理單元電路耦接並存取第一硬碟片第一面外圈磁區801資料，第二讀寫頭與第二寫入/讀出資料處理單元電路耦接並存取第一硬碟片第一面內圈磁區802資料，第三讀寫頭與第三寫入/讀出資料處理單元電路偶接並存取第一硬碟片第二面外圈磁區803資料，第四讀寫頭與第四寫入/讀出資料處理單元電路耦接並存取第一硬碟片第二面內圈磁區804資料，餘依序電路耦接；轉軸馬達(Spindle motor)70，至少一組，每組提供硬碟片(platter)一個穩定的轉速，通常但未限制轉速為5,400rpm，7,200rpm，10Krpm及15Krpm等中任一。

第一電源電路單元90，電源來自電腦系統的+5伏特或+5伏特及+12伏特供應，電源電路單元將其轉換成不同電壓以供應硬碟機內部零組件使用；組態設定開關11，至少一組，每組為一組開關用以決定該硬碟機的操作組態(Configuration)，例如2張硬碟片8個讀寫頭的硬碟機，可以選擇該8個讀寫頭同步存取資料以達成8倍速資料存取或分成2組各包含4個讀寫頭每一組皆可達成4倍速資料存取速度的兩種組態，參見表一，一傳輸速率、硬碟片與讀寫頭數量關係表。

本發明為單一驅動臂複數讀寫頭同步存取硬碟機，由於硬碟機內硬碟片的數目與讀寫頭的配置不同，包含但未限制以下幾種組合：

(一)1P2S4H單碟4倍速：本案說明書以此組合為實施例，硬碟機內僅有一張硬碟片，該硬碟片共有兩面稱為第一面及第二面，每一面各自配置2個讀寫頭合計共4個讀寫頭，第一面配置的讀寫頭稱為第一讀寫頭601及第二讀寫頭602，其中第一讀寫頭存取硬碟片第一面外圈磁區，第二讀寫頭存取第一硬碟片第一面內圈磁區，參見圖2A；硬碟片第二面配置的讀寫頭稱為第三讀寫頭603及第四讀寫頭604，其中第三讀寫頭存取硬碟片第二面外圈磁區，第四讀寫頭存取第一硬碟片第二面內圈磁區，意即1張硬碟片共配置4個讀寫頭而此4個讀寫頭是同時存取，因此需要4個寫入/讀出資料處理單元(圖1的301~304)分別與4個讀寫頭電性耦接。由於上述四個讀寫頭係同步存取，因此相同資料傳輸量之下資料寫入硬碟片及資料從硬碟片讀回的時間將比一般磁碟機減少了75%而且讀寫頭的平均存取時間也減少了75%，換言之性能(Performance)為一般硬碟機的4倍。

在此架構下，由於硬碟片第一面的2個讀寫頭及第二面的2個讀寫頭等合計4個讀寫頭同時存取相同磁軌數(Cylinder Number)及磁區數(Sector Number)資料，得設計1個叢集(Cluster)等於4個磁區(Sector)或是4的倍數磁區。

另，一般硬碟片均有一個無資料的安全區，作為讀寫頭休息(rest)或停放(park)的地方，這個區域稱為讀寫頭著陸區(RW-Head Landing Zone)。本發明硬碟機為1P2S4H及2P4S8H架構時，每張硬碟片的每一面(Side)須預留二個讀寫頭著陸區，換言之每一面各配置2個讀寫頭及2個著陸區，這也是本發明的另一特徵，參見圖2A。

(二)2P4S8H雙碟8倍速：一部硬碟機內有2片硬碟片，每片硬碟片各有兩面稱為第一面及第二面，每一面各配置2個讀寫頭，第1硬碟片配置了4個讀寫頭如上(一)所述，第二硬碟片同樣的配置了4合計配置了8個讀寫頭，意即此硬碟機包含2張硬碟片共配置8個讀寫頭。在資料寫入及資料讀出時此8個讀寫頭同時存取，因此需要8個寫入/讀出資料處理單元分別與8個讀寫頭電性耦接，也因此資料寫入硬碟片及資料從硬碟片讀回的時間所花費的時間為原一般硬碟機的8分之1，且讀寫頭的平均存取時間也減少了87.5%，換言之性能為一般硬碟機的8倍。

在此架構下，由於第一硬碟片及第二硬碟片共8個讀寫頭同時存取相同磁軌數及磁區數資料，因此得設計1個叢集等於8個磁區或8的倍數磁區。

(三)2P4S12H雙碟12倍速：一部硬碟機內有2片硬碟片，每片硬碟片各有兩面稱為第一面及第二面，參見圖2C，每一面各配置3個讀寫頭，每一面硬碟片劃分了3個磁區分別為外圈磁區803、中圈磁區805及內圈磁區801而3個讀寫頭各自存取各自的磁區，即第1硬碟片配置了6個讀寫頭，第二硬碟片同樣的配置了6個讀寫頭，合計配置了12個讀寫頭，意即此硬碟機包含2張硬碟片共配置12個讀寫頭。在資料寫入及資料讀出時此12個讀寫頭同時存取，因此需要12個寫入/讀出資料處理單元分別與12個讀寫頭電性耦接，也因此資料寫入硬碟片及資料從硬碟片讀回的時間所花費的時間為原一般硬碟機的12分之1，且讀寫頭的平均存取時間也減少了91.7%，換言之性能為一般硬碟機的12倍。

參見圖2C，本發明硬碟機為2P4S12H架構時，每張硬碟片的每一面須預留三個讀寫頭著陸區，換言之每一面各配置3個讀寫頭及3個著陸區。

(四)3P6S6H三碟6倍速：硬碟機內有三片硬碟片，每一硬碟片有兩面稱第1面為及第2面，每一面配置1個讀寫頭，此種結構類似傳統硬碟機但是不同的是此6讀寫頭為同時存取資料的，因此需要6個寫入/讀出資料處理單元。由於6個讀寫頭同步存取，因此相同資料量之下資料寫入硬碟片及資料從硬碟片讀回所花費的時間將比一般硬碟機少了83%而且讀寫頭的平均存取時間(Average access time)也減少了83%，換言之性能(Performance)為一般硬碟機的6倍。一般硬碟機的存取時間約在9~15ms之間。

綜上本發明的特徵之一是一部硬碟機根據該硬碟機內含硬碟片數量及每一硬碟片每一面所配置的讀寫頭數量及每一讀寫頭電性耦接的寫入/讀出資料處理單元數量而達到不同的資料存取性能。

更進一步，上述四種架構在硬碟機生產端可以依據需要做以下的組態設定變更進而改變資料傳輸性能，此技術亦為本專利所獨創，參見表一：

(一)8倍速變為4倍速：假設硬碟機結構為具2片硬碟片8個讀寫頭同步存取為本專利8倍速硬碟機，可以經由使用組態設定開關11，將其改設為4倍速硬碟機，而4倍速硬碟機又可設成(1)單一硬碟片4倍速或(2)2硬碟片單面存取4倍速兩種。

(二)4倍速變為2倍速：設硬碟機為具2片硬碟片4個讀寫頭同步存取為一4倍速硬碟機，可以經由使用組態設定開關11，將其改為2倍速硬碟機；而2倍速硬碟機又可設成(1)單一硬碟片2倍速或(2)2硬碟片單面存取2倍速。

(三)6倍速變為3或2倍速：設硬碟機為具3片硬碟片6個讀寫頭同步存取為一6倍速硬碟機，可以經由使用組態設定開關11，將其改設為(1)3硬碟片單面(同為第一面或第二面)3讀寫頭同步存取3倍速硬碟機(2)2倍速單一碟片2讀寫頭同步存取2倍速硬碟機。

上述本發明至少包含了1P2S4H、2P4S8H及3P6S6H三種類架構並相對於一般硬碟機分別產生2、4、6及8倍的性能(Performance)，在此僅以第一種架構1P2S4H一硬碟片四讀寫頭同步存取資料為範例並以圖1、圖3及圖4說明實施方式：圖1中所示，在檔案寫入時：控制單元10內的韌體程式(檔案管理)會根據目前硬碟片的可用磁區Sector(或叢集Cluster)以及檔案大小而決定該檔案要寫到哪些磁軌的哪些磁區，下達一組數據至音圈馬達(VCM)移動驅動臂及讀寫頭組合單元60至該目的地磁軌上同時將磁軌數與磁區數數據送至第一寫入/讀出資料處理單元301、第二寫入/讀出資料處理單元302、第三寫入/讀出資料處理單元303、及第四寫入/讀出資料處理單元304；接著控制單元10先將一個預備寫入磁碟的檔案分割成4個部分，分割的方法為以一個磁區大小(現今一般定義一個磁區大小為512Byte或4KByte)為單位依順序分割成第一寫入磁區、第二寫入磁區、第三寫入磁區及第四寫入磁區，完成後將四個磁區內容各自排序而得第一寫入資料、第二寫入資料、第三寫入資料與第四寫入資料，檔案分割完成後將此4部分資料分別送至第一寫入/讀出資料處理單元301、第二寫入/讀出資料處理單元302、第三寫入/讀出資料處理單元303及第四寫入/讀出資料處理單元304。例如，寫入一個大小為2,047Byte的檔案時，控制單元10先將該檔案分割成三個512Byte及511Byte，並分別送至第一寫入/讀出資料處理單元301、第二寫入/讀出資料處理單元302、第三寫入/讀出資料處理單元303及第四寫入/讀出資料處理單元304。

當第一寫入/讀出資料處理單元301、第二寫入/讀出資料處理單元302、第三寫入/讀出資料處理單元303及第四寫入/讀出資料處理單元304收到控制單元10送來的目標區磁軌數磁區數數據後，比較來自第一讀寫頭(RW-Head-1)601、及第二讀寫頭(RW-Head-2)602、第三讀寫頭(RW-Head-3)603、及第四讀寫頭(RW-Head-4)604讀回之磁軌數磁區數數據(圖3,345)，倘若四組數據任一不同，表示讀寫頭的位置錯誤，通知控制單元10調整之，若為相同則進行資料寫入：當第一寫入/讀出資料處理單元301、第二寫入/讀出資料處理單元302、第三寫入/讀出資料處理單元303及第四寫入/讀出資料處理單元304收到控制單元10送來的第一寫入資料、第二寫入資料、第三寫入資料以及第四寫入資料等分割資料後隨即各自根據該資料內容產生CRC碼(圖3,341)，並將資料連同CRC轉換為串列資料(圖3,344)再依序將資料分別通過第一讀寫頭601、第二讀寫頭602、第三讀寫頭603及第四讀寫頭604寫入第一硬碟片第一面外圈磁區801、第一硬碟片第一面內圈磁區802、第一硬碟片第二面外圈磁區803以及第一硬碟片第二面內圈磁區804指定的磁區中。上例中第一寫入/讀出資料處理單元301會將該512Byte資料及CRC送到第一讀寫頭601而寫入第一硬碟片第一面外圈磁區801指定磁軌數及磁區數上、第二寫入/讀出資料處理單元302會將該512Byte資料及CRC送到第二讀寫頭602而寫入第一硬碟片第一面內圈磁區802指定磁軌數及磁區數上、第三寫入/讀出資料處理單元303會將該512Byte資料及CRC送到第三讀寫頭603而寫入第一硬碟片第二面外圈磁區803指定磁軌數及磁區數上同時第四寫入/讀出資料處理單元304會將該511Byte資料及CRC送到第四讀寫頭604而寫入第一硬碟片第二面內圈磁區804指定磁軌數及磁區數上，且四者磁軌數與磁區數均相同，例如同樣地寫入第500磁軌第8磁區，完成2,047Byte檔案的寫入動作。

當系統端下達檔案讀取命令時，控制單元10則根據檔案配置表(FAT)取得該檔案內容的第一個儲存磁區的磁軌數磁區數數據，須注意的是在一般硬碟機中，FAT包含了讀寫頭編號(例如第一讀寫頭或第二讀寫頭等)，在本實施例中則是四個讀寫頭同時存取。控制單元10下達一組數據至音圈馬達(VCM)將四個同步存取讀寫頭同時推移至該目標磁軌數上同時將該磁軌數與磁區數送至第一寫入/讀出資料處理單元301、第二寫入/讀出資料處理單元302、第三寫入/讀出資料處理單元303及第四寫入/讀出資料處理單元304；當第一寫入/讀出資料處理單元301、第二寫入/讀出資料處理單元302、第三寫入/讀出資料處理單元303及第四寫入/讀出資料處理單元304收到控制單元10送來的目標區磁軌數磁區數數據後，需比較來自第一讀寫頭601、第二讀寫頭602、第三讀寫頭603及第四讀寫頭604讀回之磁軌數磁區數數據(圖3,345)，倘若兩數據不同，表示讀寫頭的位置錯誤，通知控制單元10調整(修正送至音圈馬達VCM數據)，若為相同則開始處理讀出資料：驅動臂及讀寫頭組合單元60中第一讀寫頭601將第一硬碟片第一面外圈磁區該檔案的第一磁區資料及CRC內容讀取至第一寫入/讀出資料處理單元301、第二讀寫頭602將第一硬碟片第一面內圈磁區該檔案的第一磁區資料及CRC內容讀取至第二寫入/讀出資料處理單元302、第三讀寫頭603將第一硬碟片第二面外圈磁區該檔案的第一磁區資料及CRC內容讀取至第三寫入/讀出資料處理單元303及該第四讀寫頭604將第一硬碟片第二面內圈磁區該檔案的第一磁區資料及CRC內容讀取至第四寫入/讀出資料處理單元304；第一寫入/讀出資料處理單元301先將串列資料轉為並列資料並根據其CRC內容核對所讀磁區資料正確後(圖3,343)、第二寫入/讀出資料處理單元302先將串列資料轉為並列資料並根據其CRC內容核對所讀磁區資料正確後、第三寫入/讀出資料處理單元303先將串列資料轉為並列資料並根據其CRC內容核對所讀磁區資料正確後及第四寫入/讀出資料處理單元304先將串列資料轉為並列資料並根據其CRC內容核對所讀磁區資料正確後，個別將該一個磁區的資料送回至控制單元10；控制單元10將此四筆資料予以整合(merge)成完整四個磁區內容後，通過介面單元送回電腦系統端，若該檔案內容大於四個磁區，控制單元根據此一磁區的指標(檔案下一個儲存磁區指標)，繼續讀取下二磁區內容，直到檔案全部內容讀取完成。以相同之上例說明，控制單元10從FAT得知該檔案存儲之磁軌位置後，先控制驅動臂與讀寫頭單元60，將讀寫頭移動到該磁軌位置上，該第一讀寫頭601會將該512Byte資料讀至第一寫入/讀出資料處理單元301而該第二讀寫頭單元602會將該510Byte資料讀至第二寫入/讀出資料處理單元302、第三讀寫頭603會將該512Byte資料讀至第三寫入/讀出資料處理單元303而該第四讀寫頭單元604會將該511Byte資料讀至第四寫入/讀出資料處理單元304中。

接著，第一寫入/讀出資料處理單元301及第二寫入/讀出資料處理單元302、第三寫入/讀出資料處理單元303及第四寫入/讀出資料處理單元304 分別以CRC判讀資料，發現有錯誤則校正之，資料正確後將資料送至控制單元10。

控制單元10收到上例中的512Byte、512Byte、512Byte及511Byte資料後，整合資料為2047Byte，並將資料通過介面單元20送回電腦系統完成檔案讀出動作。

與傳統硬碟機的差異：第一，傳統硬碟機每一面僅由一個讀寫頭存取資料，第二，傳統硬碟機第一面讀寫頭與第二面讀寫頭不會同步存取，一筆資料(一個檔案)可能分別依序寫入第一面及第二面或僅僅寫入第一面或第二面中，但在本案中第一讀寫頭601、第二讀寫頭602、第三讀寫頭603及第四讀寫頭604係為同步存取，因此檔案儲存規則需做修正，範例如下：每一個檔案的第一個儲存磁區(Sector)恆為從硬碟片第一面外圈磁區開始，接著第二磁區、第三磁區及第四磁區分別是第一面內圈磁區、第二面外圈磁區及第二面內圈磁區，例子為倘若一個小檔案僅僅使用一個磁區，例如使用第一面，磁軌數100，磁區數03，那麼該硬碟片第一面內圈磁區，第二面外圈磁區及第二面內圈磁區的磁軌數100，磁區數03將會被保留而不會讓其他檔案使用，簡言之硬碟片第一面外圈磁區、第一面內圈磁區、第二面外圈磁區及第二面內圈磁區相同的磁軌數其中相同磁區數僅能由同一個檔案使用。

熟知硬碟機技術者皆知，在硬碟機生產階段難免有不良磁區(Bad Sector)，硬碟機廠會將這些不良磁區標記並以相同磁軌下的預留磁區替代之，最後整理了所有不良磁區而產生不良磁區列表P-List(Primary Defect List)，硬碟機出廠後使用者是看不到該不良磁區列表的，這些不良磁區並不會影響使用者操作該硬碟機的速度。

圖4為低階格式化(Low-Level Format)流程圖，其中步驟S210至S290與一般硬碟機的作法差異為本實施例為4個讀寫頭同步存取而一般硬碟機則是相同時間下僅單一讀寫頭存取，步驟S295係本發明特徵之一，該步驟我們定名為修正-磁區序號重新排序並產生P-List，其規則如下：同一磁軌(Cylinder)下，若其中一面某一大磁區(如第一面外圈磁區)某磁區數為不良(例如磁區數03)，在進行步驟S295重新排序時則將另外的三個大磁區下(包含第一面內圈磁區、第二面外圈磁區及第二面內圈磁區)相同磁區數(磁區數03)標示為不使用磁區(Not use)，因此達成無論哪一個磁軌，第一讀寫頭、第二讀寫頭、第三讀寫頭及第四讀寫頭所存取的磁區數均為可用磁區(可寫入/讀出資料)且其磁區數(排序)均相同，以達到提高存取效能的目的。硬碟機執行低階格式化的步驟如下：

(S210)從磁軌00開始，控制單元10送出向量資料至驅動臂及讀寫頭組合單元60的音圈馬達，音圈馬達將讀寫頭推移至硬碟片最外軌00上，控制單元10同時送出磁軌數磁區數數據至第一寫入/讀出資料處理單元301、第二寫入/讀出資料處理單元302、第三寫入/讀出資料處理單元303及第四寫入/讀出資料處理單元304；因為是四個讀寫頭同時作動，因此第一讀寫頭601與第二讀寫頭602、第三讀寫頭603與第四讀寫頭604同時被移動至磁軌00；接著四讀寫頭讀出磁軌數磁區數數據回送至第一寫入/讀出資料處理單元301及第二寫入/讀出資料處理單元302、第三寫入/讀出資料處理單元303及第四寫入/讀出資料處理單元304，確認讀寫頭位置正確，若有錯誤則回送至控制單元10修正之；

(S220)從磁區00開始，讀寫頭讀取磁軌數及磁區數資訊回送至第一寫入/讀出資料處理單元301及第二寫入/讀出資料處理單元302、第三寫入/讀出資料處理單元303及第四寫入/讀出資料處理單元304，確定讀寫頭在正確位置；

(S230)開始磁區資料寫入/讀出測試。圖1控制單元10送出測試資料至第一寫入/讀出資料處理單元301及第二寫入/讀出資料處理單元302、第三寫入/讀出資料處理單元303及第四寫入/讀出資料處理單元304，第一寫入/ 讀出資料處理單元301及第二寫入/讀出資料處理單元302、第三寫入/讀出資料處理單元303及第四寫入/讀出資料處理單元304連同CRC資料分別通過第一讀寫頭601及第二讀寫頭602、第三讀寫頭603及第四讀寫頭604進行資料寫入第一硬碟片第一面外圈磁區801、第一面內圈磁區802、第二面外圈磁區803、第二面內圈磁區804以及第一讀寫頭601、第二讀寫頭602、第三讀寫頭603、第四讀寫頭604從第一硬碟片第一面外圈磁區801、第一面內圈磁區802、第二面外圈磁區803及第二面內圈磁區804讀回資料並比對寫入資料與讀出資料是否相符合。一般常用的測試資料有AAh、55h、00h、FFh及隨機亂數等數種；

(S240)不良磁區？若資料讀出與資料寫入相同則該磁區為可用磁區，跳至步驟(S260)；若資料讀出與資料寫入不相同或CRC無法檢測校正時則為不良磁區，此時硬碟機廠通常會進行3~6次再測試，確定該磁區無法使用時(recovery)跳至步驟(S250)；

(S250)標記該磁區為不良(N.G.)，跳回(S260)繼續下一磁區測試；因為第一讀寫頭601、第二讀寫頭602、第三讀寫頭603、第四讀寫頭604同時對第一硬碟片第一面外圈磁區801、第一面內圈磁區802、第二面外圈磁區803及第四面內圈磁區804某一磁區測試，當寫入與讀出測試失敗標記為〝不良〞，有幾種可能狀況：(1)801、802、803及804僅有其中之一不良；(2)801、802、803及804至少有其中之一不良；

(S260)最後磁區？若為最後一個磁區，跳至(S280)進行下一磁軌測試，否則跳至(S270)；

(S270)磁區=磁區+1，繼續執行下一個磁區寫入讀回測試，跳至(S230)。

(S280)最後磁軌？若為最後磁軌，跳至(S295)，否則跳至(S290)磁軌=磁軌+1

(S290)磁軌=磁軌+1，繼續下一個磁軌的寫讀測試

(S295)修正-磁區序號重新排序並產生P-List

當控制單元完成低階格式化後每一磁軌得有一磁區狀態表以記錄該磁軌上每一磁區的最終測試結果，步驟S295就是比對相同磁軌下第一硬碟片第一面外圈磁區801、第一面內圈磁區802、第二面外圈磁區803及第二面內圈磁區804每一磁軌的磁區狀態表並對可用磁區予以重新排序。在一實施例中，表二至表五為低階格式化後第一硬碟片第100軌磁區狀態表，其中，表二為第一面外圈磁區，表三為第一面內圈磁區，表四為第二面外圈磁區，表五為第二面內圈磁區的磁區狀態表。在一實施例中，表六至表九為低階格式化後第一硬碟片第100軌磁區經過步驟(S295)修正-磁區序號重新排序之狀態表，其中，表六為第一面外圈磁區，表七為第一面內圈磁區，表八為第二面外圈磁區及表九為第二面內圈磁區的磁區狀態表，說明如下：

(1)假設每一磁軌的磁區總數為64，排序從磁區數00一直到磁區數63，預留磁區總數為8個磁區。

(2)當低階格式化完成之後，第一硬碟片磁軌數100磁區狀態表如表二至表五所示：表二說明：第一面外圈磁區，完成低階格式化後無任何不良磁區之磁區狀態表，其中S-00為第1磁區，S-63為第64磁區，R-00~R-07為預留(替換)磁區；表三說明：第一面內圈磁區，完成低階格式化其中S-03磁區為不良磁區；表四說明：第二面外圈磁區完成低階格式化其中S-59磁區為不良磁區；表五說明：第二面內圈磁區完成低階格式化其中S-03及S-16磁區為不良磁區。

表二

表二說明：第一硬碟片第一面外圈磁區，磁軌數100，完成低階格式化後無任何不良磁區之磁區狀態表，其中S-00為第1磁區，S-63為第64磁區，R-00~R-07為預留(替換)磁區

表三說明：第一硬碟片第一面內圈磁區，磁軌數100，完成低階格式化其中S-03磁區為不良磁區

表四說明：第一硬碟片第二面外圈磁區，磁軌數100，完成低階格式化其中S-59磁區為不良磁區

表五說明：第一硬碟片第二面內圈磁區，磁軌數100，完成低階格式化其中S-03及S-16磁區為不良磁區

(3)執行步驟S295磁區序號重新排序後表六說明：第一面外圈磁區，原所有磁區均為可用磁區，但為了達成同步存取的需要，因此：

原磁區序號S-03標記為X-03 NU；原S-16標記為X16 NU；原S-59標記為X-59 NU，NU就是不使用的意思；

除上述3個磁區修改標記外，其他所有磁區重新排序標記；

表六說明：第一面外圈磁區，磁區序號重新排序狀態表，原所有磁區均為可用磁區，但為了達成同步存取的需要，因此原磁區序號S-03標記為X-03 NU；原S-16標記為X16 NU；原S-59標記為X-59 NU

除上述3個磁區修改標記外，其他所有磁區重新排序標記

(4)執行步驟S295磁區序號重新排序後表七說明：第一面內圈磁區，原所有磁區僅有S-03為不良磁區，但為了達成同步存取的需要，因此：

原磁區序號S-16標記為X-16 NU；原S-59標記為X-59 NU；原S-03維持標記為X-03 NG

除上述3個磁區修改標記外，其他所有磁區重新排序標記；

表七說明：第一面內圈磁區，磁區序號重新排序狀態表，原所有磁區僅有S-03為不良磁區，但為了達成同步存取的需要，因此：

1.原磁區序號S-16標記為X-16 NU；原S-59標記為X-59 NU；原S-03維持標記為X-03 NG

2.除上述3個磁區修改標記外，其他所有磁區重新排序標記

(5)步驟S295磁區序號重新排序後表八說明：第二面外圈磁區，原所有磁區僅有S-59為不良磁區，但為了達成同步存取的需要，因此

原磁區序號S-03標記為X-03 NU；原S-16標記為X16 NU；原S-59維持標記為X-59 NG

除上述3個磁區修改標記外，其他所有磁區重新排序標記。

表八說明：第二面外圈磁區，磁區序號重新排序狀態表，原所有磁區僅有S-59為不良磁區，但為了達成同步存取的需要，因此

1.原磁區序號S-03標記為X-03 NU；原S-16標記為X16 NU；原S-59維持標記為X-59 NG

2.除上述3個磁區修改標記外，其他所有磁區重新排序標記

(6)步驟S295磁區序號重新排序後表九說明：第二面內圈磁區，磁區序號重新排序狀態表，原所有磁區僅有S-03及S-16為不良磁區，但為了達成同步存取的需要，因此

原磁區序號S-03維持標記為X-03 NG；原S-16維持標記為X-16 NG；原S-59標記為X-59 NU

除上述3個磁區修改標記外，其他所有磁區重新排序標記。

表九說明：第二面內圈磁區，磁區序號重新排序狀態表，原所有磁區僅有S-03及S-16為不良磁區，但為了達成同步存取的需要，因此

1.原磁區序號S-03維持標記為X-03 NG；原S-16維持標記為X-16 NG；原S-59標記為X-59 NU。

2.除上述3個磁區修改標記外，其他所有磁區重新排序標記。

3.結論：將原來的磁區狀態表依上述實施例重新排序後的磁區狀態表能達到無論在哪一個大磁區哪一磁軌，第一讀寫頭、第二讀寫頭、第三讀寫頭及第四讀寫頭所存取的每一磁區均為可用磁區且其磁區數(排序)均相同，我們稱之為磁區存取同步化(Sector-Access Synchronize)，換言之做到4個讀寫頭同時存取相同排序及相同磁區數資料也因此達到4倍存取效能的目的。將每一磁軌的磁區狀態表整合即成為該硬碟機的P-List。磁區存取同步化不必然要實施，即使不實施它，磁區排序不同之下，早一點晚一點四個讀寫頭還是可以個別完成的磁區資料存取，但即便如此亦在本專利的權力範圍內。

資料傳輸速率，依據圖1及上述實施方式說明，本案一片硬碟片得配置2個讀寫頭，12片硬碟片得配置24個讀寫頭，24個讀寫頭得分別耦接寫入/讀出資料處理單元組30之24個寫入/讀出資料處理單元，因此同一時間當24個讀寫頭同步存取硬碟片資料是為24倍資料傳輸速率；又，參見圖2A，本案一片硬碟片亦得配置4個讀寫頭，12片硬碟片得配置48片讀寫頭，48個讀寫頭得耦接48個寫入/讀出資料處理單元，因此當48個讀寫頭同步存取硬碟資料是為48倍資料傳輸速率；又，參見圖2C，本案一片硬碟片亦得配置6個讀寫頭，12片硬碟片得配置72片讀寫頭，72個讀寫頭得耦接72個寫入/讀出資料處理單元，因此當72個讀寫頭同步存取硬碟資料是為72倍資料傳輸速率，而所謂一倍速其資料傳輸率約在150MB/s至200MB/s間，24倍速約當7200MB/s至9600MB/s，基本符合PCI-e 6.0傳輸規格的7877MB/s(實際為7755MB/s)，而48倍速及72倍速則可因應將來新一代傳輸介面與傳輸規格的要求。

更進一步，本案中包含了兩組傳輸介面、兩組控制單元、兩組寫入/讀出資料處理單元、兩組永久磁鐵組合、兩組驅動臂及讀寫頭組合單元、兩組轉軸馬達、兩組硬碟片集合...等等，換言之在一片硬碟片配置6讀寫頭，總計144個讀寫頭同步存取之下，上述資料傳輸速率進一步達到傳統硬碟機的144倍。

硬碟機資料傳輸速度與轉軸馬達之每分鐘轉速及讀寫頭至磁軌的存取時間(Access time)有關，今日2.5”硬碟機資料傳輸速度約在150MB/s至200MB/s間，在原硬碟機轉軸馬達轉速及讀寫頭存取時間皆未改進之下，實施本專利技術之後，單一碟片硬碟機可達到900MB/s至1200MB/s資料傳輸速度，高於SATA 3.0的傳輸速度；內含雙碟片的硬碟機更可達到1,800MB/s~2,400MB/s資料傳輸速度，約當SATA 3.0的三倍資料傳輸速度。

10:控制單元

11:組態設定開關

20:介面單元

30:寫入/讀出資料處理單元組

301:第一寫入/讀出資料處理單元

302:第二寫入/讀出資料處理單元

303:第三寫入/讀出資料處理單元

304:第四寫入/讀出資料處理單元

60:驅動臂及讀寫頭組合單元

601:第一讀寫頭

602:第二讀寫頭

603:第三讀寫頭

604:第四讀寫頭

Claims

一種具有至少兩個讀寫頭之驅動臂以同步存取資料的儲存裝置，該儲存裝置包括：至少一硬碟片，其中每一硬碟片被劃分成至少兩個大磁區；一具有至少兩個讀寫頭之驅動臂，其中，每一讀寫頭對應於該至少一硬碟片之一大磁區以讀寫資料，且每一讀寫頭對應於該至少一硬碟片之用以停放該讀寫頭之一著陸區；以及一控制單元，將要被寫入的資料分拆成一複數個寫入資料，其中每一寫入資料分別對應於一相對應的讀寫頭，其中該至少兩個讀寫頭分別在其對應之大磁區之上方移動以同步存取該些大磁區中之資料。
如請求項1所述之儲存裝置，其中該儲存裝置具有一介面單元，該介面單元為下列中之任一系列：Parallel ATA系列、Serial ATA系列、SCSI系列、USB系列、SAS系列及PCIe系列。
如請求項1所述之儲存裝置，其中該儲存裝置具有一寫入/讀出資料處理單元，其中該寫入/讀出資料處理單元包含資料緩衝器、CRC產生器、錯誤資料檢測與校正器、資料串聯/並聯轉換器及磁軌數磁區數比較器中之任一。
如請求項3所述之儲存裝置，其中該寫入/讀出資料處理單元可耦接一個或數個讀寫頭。
如請求項3所述之儲存裝置，其中該控制單元進一步整合該寫入/讀出資料處理單元以成為多核心控制單元或多核心CPU單元。
如請求項1所述之儲存裝置，其中在該驅動臂上具有四個讀寫頭，且每一硬碟片被劃分成四個大磁區，其中，該硬碟片在完成低階格式化後，磁區序號重新排序的規則為：同一磁軌下，若其中某一大磁區中之某一磁軌某磁區數為不良則重新排序時則將其他大磁區相同磁軌相同磁區數標示為不使用磁區，以達到四個大磁區無論哪一磁軌，其第一讀寫頭、第二讀寫頭、第三讀寫頭與第四讀寫頭所存取的大磁區其每一磁軌的每一磁區均為可用磁區，且其磁區數序號均相同。
如請求項1所述之儲存裝置，其中該儲存裝置具有一組態設定開關組，以改變資料存取速度為下列中之任一：8倍速變更為4倍速單一硬碟片4讀寫頭同步存取、2硬碟片單面4讀寫頭同步存取中任一；6倍速變更為3倍速單面3讀寫頭同步存取、2倍速單一碟片2讀寫頭同步存取。
如請求項1所述之儲存裝置，其中，每一單片硬碟片之每一面配置兩個讀寫頭，其中四個讀寫頭同步存取該硬碟片。
如請求項1所述之儲存裝置，其中單片硬碟片每一面進一步配置三個讀寫頭，其中六個讀寫頭同步存取該硬碟片。