TWI795753B

TWI795753B - 用於使用自功率偵測器量測核同位素之活性的裝置

Info

Publication number: TWI795753B
Application number: TW110111985A
Authority: TW
Inventors: 麥可Ｄ赫保; 麥可裴博
Original assignee: 美商西屋電器公司
Priority date: 2020-04-01
Filing date: 2021-03-31
Publication date: 2023-03-11
Also published as: US20230152477A1; JP2023521672A; KR20220160088A; WO2021202287A2; TW202210873A; WO2021202287A3; EP4127779A2

Abstract

本發明揭示一種用於量測一放射性同位素之一試樣之活性的量測裝置。該放射性同位素之該試樣含於一封囊內。該量測裝置包含：一內部殼體；一伽瑪輻射敏感自功率偵測器(SPD)，其圍繞該內部殼體而定位；及一外部殼體，其圍繞該SPD及該內部殼體而定位。該內部殼體包含經組態以收容含有該試樣之該封囊的一內部空腔。該內部殼體界定一縱向軸線。該外部殼體將該SPD緊固至該內部殼體，使得該SPD在該量測裝置之操作及儲存期間不移動。

Description

用於使用自功率偵測器量測核同位素之活性的裝置

本發明為關於用於使用自功率偵測器量測核同位素之活性的裝置。

為了確保樣本中諸如鈷-60 (Co-60)之放射性同位素之總活性水準滿足所要的總活性水準，需要對自該樣本中之一定體積的放射性同位素發射的伽瑪輻射之量進行準確量測。樣本之總活性為放射性同位素之每單位時間及體積的衰變次數。放射性同位素樣本或試樣可含於封囊、管及/或殼體內。為了確保試樣之活性滿足用以將試樣運送至其最終目的地之桶的許可活性限制且為了確保試樣之活性滿足商業供應商要求，需要量測試樣之活性。放射性同位素(諸如，Co-60)在醫療行業中商業性地用於輻照癌性腫瘤，用於對醫療設備進行殺菌且用以對食品進行殺菌連同其他用途。需要執行試樣之活性量測的快速且準確之構件以最小化與前述任務相關聯之不確定性及人工成本。

在各種具體例中，揭示一種用於量測一放射性同位素之一試樣之活性的量測裝置。該放射性同位素之該試樣含於一封囊內。該量測裝置包含：一內部殼體；一伽瑪輻射敏感自功率偵測器(sensitive self-power detector；SPD)，其圍繞該內部殼體而定位；及一外部殼體，其圍繞該SPD及該內部殼體而定位。該內部殼體包含經組態以收容含有該試樣之該封囊的一內部空腔。該內部殼體界定一縱向軸線。該外部殼體將該SPD緊固至該內部殼體，使得該SPD在該量測裝置之操作及儲存期間不移動。

在各種具體例中，揭示一種量測包含一放射性同位素之一目標試樣之活性的方法。該方法包含將一放射性同位素之複數個測試試樣一次一個地定位於包含一伽瑪敏感自功率偵測器(SPD)之一量測裝置內的步驟，其中該等測試試樣中之每一者的該活性為已知的。該方法進一步包含在該等測試試樣中之每一者定位於該量測裝置中時量測該SPD內之電流及將與該等測試試樣相同之放射性同位素的一目標試樣定位於該量測裝置內的步驟，其中該目標試樣之該活性為未知的。該方法進一步包含在該目標試樣定位於該量測裝置中時量測該SPD內之電流及比較該等測試試樣之所量測電流與該目標試樣之所量測電流以判定該目標試樣之該活性的步驟。

在各種具體例中，揭示一種量測包含一放射性同位素之一目標試樣之活性的方法。該方法包含將一放射性同位素之一目標試樣定位於包含一伽瑪敏感自功率偵測器(SPD)之一量測裝置內的步驟，其中該目標試樣之該活性為未知的，且其中該SPD包含一已知敏感度水準及一已知長度。該方法進一步包含在該目標試樣定位於該量測裝置中時量測該SPD之電流及使用該SPD之所量測電流、該SPD之該已知敏感度水準及該SPD之該已知長度來判定該目標試樣之該活性的步驟。

圖1及圖2繪示用於量測放射性同位素之試樣之活性的量測裝置100。該試樣可含於管、殼體或封囊內。在至少一個具體例中，試樣之放射性同位素包含Co-60。然而，設想到具有具不同放射性同位素(諸如，鉬-99、碘131)之不同試樣以及可用於核醫學應用中之β粒子發射器的其他具體例。在任何情況下，量測裝置100包含：內部殼體或內管110；自功率偵測器120 (SPD)，其圍繞內管110而定位；及外部殼體或外管130，其圍繞SPD 120及內管110而定位。在至少一個具體例中，內管110及外管130藉由定位於內管110與外管130中間之SPD 120彼此附接。內管110可經由焊接、栓接、緊固及/或任何其他合適的附接方法附接至外管130。在任何情況下，內管110包含經組態以收容含有試樣之封囊的開口或空腔112。外管130圍繞SPD 120及內管而定位，使得SPD 120被固持及/或緊固至內管110，以便SPD在操作及/或儲存期間不改變位置。SPD相對於試樣之位置對於確保對活性水準之準確量測為重要的。若SPD相對於外管130移位，則試樣可能無法與SPD正確地對準且活性量測之準確性可能會受影響。

此外，內管110包含內徑及外徑。內管110之內徑界定內管110之空腔112。在至少一個具體例中，內管110之內徑為例如0.24吋至0.45吋。外管130包含內徑及外徑。外管130之內徑經組態以收容SPD及內管110。在至少一個具體例中，外管130之內徑係例如基於內管之外徑及SPD 120之外徑而判定。在所繪示之具體例中，內管110及外管130具有相同長度EL。然而，設想到內管110及外管130具有不同長度之其他具體例。在至少一個具體例中，內管110及外管130之長度EL為例如7吋至10吋。在任何情況下，內管110及外管130為同心的且界定縱向軸線LA。將含有試樣之封囊沿著縱向軸線LA穿過在量測裝置100之一個末端處的開口而插入至內管110之空腔112中。內管110及外管130之一個末端開放使得試樣可裝載至空腔112中，且內管110及外管130之另一末端114封閉以防止試樣自空腔112掉出。然而，設想到在量測裝置100之開放末端上具有蓋的其他具體例。又另外，設想到量測裝置100之兩個末端開放的其他具體例，在此配置中，量測裝置100在空腔112內包含內部特徵以緊固及/或固持含有試樣之封囊。

此外，在所繪示之具體例中，內部殼體或內管110及外部殼體或外管130之形狀為管形。然而，設想到內部殼體及外部殼體之橫剖面為矩形或正方形的其他具體例，然而，任何合適的殼體可用以收容試樣且圍繞試樣而定位SPD。

在核能工業中，SPD經組態以基於藉由放射性同位素在SPD內誘發之電流而量測放射性同位素之活性量。SPD經設計以在SPD曝露於諸如伽瑪輻射之輻射時產生電流。可用數種方式量測曝露於輻射之SPD的電流。另外，SPD通常採用具有內芯及外鞘之導線組態，且SPD之製造商能夠經由測試計算SPD之敏感度值。SPD之敏感度值係基於針對給定量及類型之輻射曝露而將在SPD之給定長度內產生的電流之量。如上文所論述，SPD相對於試樣之位置在量測裝置100之整個壽命中應保持恆定，以確保準確的活性水準量測。

此外，SPD 120包含伽瑪輻射敏感SPD，然而，設想到SPD 120對除伽瑪輻射以外之不同類型之輻射敏感的其他具體例。在任何情況下，圖1及圖2中所繪示之SPD 120包含導線，該導線包括內芯122及環繞內芯122之外鞘124。在至少一個具體例中，內芯122包含鉑且外鞘124包含金屬材料，該金屬材料為包含具有比鉑低之原子數之一或多種材料的電導體。在至少一個具體例中，外鞘124可包含以鐵為基礎之材料，諸如不鏽鋼、英高鎳及/或任何其他合適的材料。在至少一個具體例中，SPD 120包含鉑反射體，當在反應器外部進行量測時，該鉑反射體不會被耗盡，因此確保SPD 120之操作特性不會隨時間顯著改變。量測裝置100可用以藉由開發放射性同位素特定校準常數來量測多種放射性同位素之活性。

此外，在所繪示之具體例中，SPD 120以螺旋組態纏繞於內管110之外徑周圍。更具體而言，SPD 120繞內管110之縱向軸線LA纏繞於內管110周圍，使得SPD 120沿著內管110之長度DL覆蓋內管110之外徑。在至少一個具體例中，封囊及/或測試試樣之長度與長度DL相同。封囊及/或測試試樣沿著縱向軸線LA定位，使得封囊及/或測試試樣定位於長度DL內。換言之，封囊及/或測試試樣沿著縱向軸線之位置與SPD 120纏繞於內管110周圍之位置重疊。在任何情況下，SPD 120緊密地纏繞於內管110之外表面周圍，使得沿著長度DL之SPD 120的鄰近片件之間不存在間隙及/或存在最小間隙。若沿著長度DL之SPD 120之鄰近片件之間存在間隙，則自試樣發射之輻射可能逸出而不輻照SPD 120，因此防止及/或減小此等間隙可提高活性量測之準確性。

此外，當SPD 120曝露於來自放射性同位素之諸如伽瑪輻射的輻射時，伽瑪射線穿透SPD 120之外鞘124且使內芯122內之電子位移，其接著使SPD 120之外鞘124內的電子位移，此最終誘發SPD 120中之電流，該電流可在電輸出端140處量測。在SPD 120中誘發之電流對應於放射性同位素之總活性。在至少一種情況下，在SPD 120中誘發之電流與放射性同位素之總活性成正比。因此，SPD 120之電流輸出與活性未知之試樣(亦即，目標試樣)之活性之間的比例常數可經由對含有已知放射性同位素活性之試樣(亦即，測試試樣)的由裝置100量測之電流輸出進行校準來判定，如下文更詳細地論述。

當在SPD 120內誘發電流時，可在電輸出端140處藉由SPD 120之內芯122及/或外鞘124上的直流量測裝置量測該電流。另外，可量測內芯122與外鞘124之間的電壓差，且在電阻已知時，可使用歐姆定律(亦即，V=IR)計算電流。在任何情況下，可針對給定目標試樣(亦即，其中目標試樣之活性為未知的)量測及/或計算SPD 120內之電流，且將該電流與SPD 120針對活性已知之放射性同位素(亦即，測試試樣)的預定電流量測結果進行比較。換言之，可將具有已知活性之測試試樣置放至量測裝置100中且可在電輸出端140處量測在SPD 120內產生之電流。因此，可針對具有變化已知活性之數個放射性同位素測試試樣而產生SPD 120之電流值，可接著將該等電流值與藉由目標試樣在SPD 120內產生之電流進行比較以判定目標試樣之活性。在至少一個具體例中，測試試樣之放射性同位素與目標試樣之放射性同位素為相同類型之放射性同位素，諸如Co-60。

此外，用於判定量測裝置100內之目標試樣之活性的另一方法包含使用量測裝置100之SPD 120的敏感度水準。更具體而言，已知或可計算SPD 120之長度，且已知SPD 120之敏感度(亦即，來自製造商之敏感度值，如上文所論述)。SPD 120之長度為繞線之總長度而不管其組態(亦即，並非SPD 120包圍之高度或長度)。另外，如上文所論述，可量測在將目標試樣(例如，活性未知之放射性同位素)引入至量測裝置100中時由SPD 120產生之電流。因此，可藉由使用SPD之所量測電流、SPD之已知敏感度水準及SPD之已知長度經由計算判定目標試樣之活性。在此配置中，活性已知之測試試樣對於判定目標試樣之活性為不必要的。

此外，可藉由兩種方法中之至少一者來量測試樣/樣本之總活性。第一方法使用所量測SPD電流(I)與樣本活性(A)之間的以下形式之線性關係：

K係自所量測SPD電流與具有已知總活性之所要放射性同位素的樣本之間的線性關係之所量測斜率判定，使得線之斜率係自包括零活性之至少2個所量測活性值及在基本上為零之背景伽瑪輻射下的對應所量測電流判定。

用於量測插入至具有總長度L之裝置中的樣本之總活性的第二方法使用藉由使通用SPD元件曝露於伽瑪輻射之一或多個已知活性及量測輸出電流(I)而判定的所量測SPD伽瑪敏感度(S)以產生關係，其中關係之斜率(亦即，敏感度(S))具有(所量測電流)/(居里)/(單位長度)之單位。藉由特定SPD設計之此資訊，可使用諸如下式之關係自所量測電流判定所量測活性(A)：

上述方法允許針對具有給定設計之所有SPD元件量測樣本活性而不必個別地校準每一個裝置。

圖3繪示根據本公開之一或多個態樣的用於與量測裝置(諸如，本文中所描述之彼等裝置)一起使用的控制系統200之邏輯圖。舉例而言，控制系統200可用以利用本文中所論述之等式計算量測裝置之總活性水準。控制系統200包含控制電路，該控制電路包括微控制器210，該微控制器包含處理器220及記憶體230。控制系統200與感測器240信號通信。感測器240將即時反饋提供至處理器220。在至少一個具體例中，感測器240為經組態以量測量測裝置之SPD (諸如，量測裝置100之SPD 120)內之電流的電流感測器。在至少一個具體例中，感測器240為經組態以量測量測裝置之SPD (諸如，量測裝置100之SPD 120)內之電壓的電壓感測器。在至少一個具體例中，感測器240為經組態以量測量測裝置之SPD (諸如，量測裝置100之SPD 120)之電阻的電阻感測器。設想到感測器240量測量測裝置之SPD之任何合適特性的其他具體例。控制系統200包含顯示器270，該顯示器顯示量測裝置之多種條件或狀態且可包括用於資料輸入之觸控式螢幕功能性。舉例而言，在控制系統200計算放射性同位素之試樣的總活性水準之後，顯示器270可顯示總活性水準。

在一個態樣中，微控制器210可為任何單核心或多核心處理器，諸如德州儀器公司(Texas Instruments)之以商標名ARM Cortex已知的彼等處理器。在一個態樣中，主微控制器210可為可購自例如德州儀器公司之LM4F230H5QR ARM Cortex-M4F處理器核心，包含：256 KB單循環快閃記憶體或其他非揮發性記憶體之晶片上記憶體，高達40 MHz；預提取緩衝器，其用以將效能改善至40 MHz以上；32 KB單循環SRAM；及載入有StellarisWare®軟體之內部ROM；2 KB EEPROM；一或多個PWM模組；一或多個QEI類似物；及/或具有12個類比輸入通道之一或多個12位元ADC，以上各者之細節可見於產品資料表。

在一個態樣中，微控制器210可包含安全控制器，其包含兩個以控制器為基礎之系列，諸如亦來自德州儀器公司之以商標名Hercules ARM Cortex R4已知的TMS570及RM4x。安全控制器可經具體組態以用於IEC 61508及ISO 26262安全關鍵應用連同其他應用，從而提供進階整合安全特徵同時遞送可擴展效能、連接性及記憶體選項。微控制器210可經程式化以執行各種功能。舉例而言，微控制器210可經組態以計算量測裝置(諸如，本文中所描述之量測裝置)內之放射性試樣的總活性水準，將所計算之活性水準儲存於記憶體230中且接著在顯示器270上顯示所計算之活性水準。

微控制器210可經組態以在微控制器210之軟體中計算回應。將所計算回應與實際系統之所量測回應進行比較以獲得「所觀測」回應，其用於實際反饋決策。所觀測回應為有利的調整值，其使模擬回應之平滑連續性質與所量測回應達到平衡，其可偵測對系統之外部影響。

在一個態樣中，電源總成將電力提供至控制系統200。電源總成可包含可用作電源以對控制系統200供電之電池，該電池可包括串聯連接之數個電池單元。在某些情形中，電源總成之電池單元可為可替換及/或可再充電的。在至少一個實施例中，電池單元可為可耦接至電源總成且可與電源總成分開的鋰離子電池。然而，設想到控制系統200由量測裝置之SPD (諸如，量測裝置100之SPD 120)所產生之電流供電的其他具體例。

此外，控制系統200可設置於本文中所描述之量測裝置中之任一者上。然而，設想到控制系統200與量測裝置分開且經由有線或無線連接與量測裝置信號通信的其他具體例。

在以下實施例中闡述本文所描述之主題的各種態樣。

實施例1- 一種用於量測一放射性同位素之一試樣之活性的量測裝置，其中該放射性同位素之該試樣含於一封囊內。該量測裝置包含：一內部殼體；一伽瑪輻射敏感自功率偵測器(SPD)，其圍繞該內部殼體而定位；及一外部殼體，其圍繞該SPD及該內部殼體而定位。該內部殼體包含經組態以收容含有該試樣之該封囊的一內部空腔。該內部殼體界定一縱向軸線。該外部殼體將該SPD緊固至該內部殼體，使得該SPD在該量測裝置之操作及儲存期間不移動。

實施例2- 如實施例1之量測裝置，其中該放射性同位素為Co-60。

實施例3- 如實施例1或2之量測裝置，其中該SPD之至少一部分包含鉑。

實施例4- 如實施例1、2或3之量測裝置，其中該內部殼體界定沿著該縱向軸線之一第一長度，其中該試樣界定沿著該縱向軸線之一第二長度，且其中該第一長度與該第二長度相同。

實施例5- 如實施例4之量測裝置，其中該試樣相對於該內部殼體定位，使得該第一長度及該第二長度沿著該縱向軸線重疊。

實施例6- 如實施例4或5之量測裝置，其中該內部殼體包含一外表面，且其中該SPD圍繞該內部殼體之該外表面而定位，使得該外表面全部被該SPD覆蓋。

實施例7- 如實施例1、2、3、4、5或6之量測裝置，其中該內部殼體包含一外表面，且其中該SPD以一渦旋組態纏繞於該內部殼體之該外表面周圍。

實施例8- 如實施例7之量測裝置，其中該SPD之該渦旋組態經組態以覆蓋該內部殼體之該外表面的全部。

實施例9- 如實施例1、2、3、4、5、6、7或8之量測裝置，其中該內部殼體包含一外表面，且其中該SPD以一螺旋組態纏繞於該內部殼體之該外表面周圍。

實施例10- 如實施例9之量測裝置，其中該SPD之該螺旋組態經組態以覆蓋該內部殼體之該外表面的全部。

實施例11- 如實施例1、2、3、4、5、6、7、8、9或10之量測裝置，其中該試樣包含沿著該縱向軸線界定之一試樣長度，其中該內部殼體包含一外表面，且其中該SPD纏繞於該內部殼體周圍，使得該SPD沿著該試樣長度覆蓋該外表面之全部。

實施例12- 一種量測包含一放射性同位素之一目標試樣之活性的方法。該方法包含將一放射性同位素之複數個測試試樣一次一個地定位於包含一伽瑪敏感自功率偵測器(SPD)之一量測裝置內的步驟，其中該等測試試樣中之每一者的該活性為已知的。該方法進一步包含在該等測試試樣中之每一者定位於該量測裝置中時量測該SPD內之電流及將與該等測試試樣相同之放射性同位素的一目標試樣定位於該量測裝置內的步驟，其中該目標試樣之該活性為未知的。該方法進一步包含在該目標試樣定位於該量測裝置中時量測該SPD內之電流及比較該等測試試樣之所量測電流與該目標試樣之所量測電流以判定該目標試樣之該活性的步驟。

實施例13- 如實施例12之方法，其進一步包含使用該等測試試樣之該等所量測電流與該目標試樣之該所量測電流之間的一線性校準的步驟。

實施例14- 如實施例12或13之方法，其中該放射性同位素為Co-60。

實施例15- 如實施例12、13或14之方法，其中該SPD之至少一部分包含鉑。

實施例16- 如實施例12、13、14或15之方法，其中該SPD以一螺旋形狀定位於該量測裝置內。

實施例17- 一種量測包含一放射性同位素之一目標試樣之活性的方法。該方法包含將一放射性同位素之一目標試樣定位於包含一伽瑪敏感自功率偵測器(SPD)之一量測裝置內的步驟，其中該目標試樣之該活性為未知的，且其中該SPD包含一已知敏感度水準及一已知長度。該方法進一步包含在該目標試樣定位於該量測裝置中時量測該SPD之電流及使用該SPD之所量測電流、該SPD之該已知敏感度水準及該SPD之該已知長度來判定該目標試樣之該活性的步驟。

實施例18- 如實施例17之方法，其中該放射性同位素為Co-60。

實施例19- 如實施例17或18之方法，其中該SPD之至少一部分包含鉑。

實施例20- 如實施例17、18或19之方法，該SPD以一螺旋組態定位於該量測裝置內。

如本文中的任何態樣中的使用，術語「控制電路」可意指例如硬體電路、可程式化電路(例如，一電腦處理器，其包含一或多個單獨指令處理核心、處理單元、處理器、微控制器、微控制器單元、控制器、數位訊號處理器(DSP)、可程式邏輯裝置(PLD)、可程式邏輯陣列(PLA)、或場域可程式邏輯閘陣列(FPGA))、狀態機電路、儲存由可程式化電路所執行的指令的韌體、及其任意組合。控制電路可整個或單獨實施為形成較大系統之一部分的電路，例如，積體電路(IC)、特殊應用積體電路(ASIC)、系統單晶片(SoC)、桌上型電腦、筆記型電腦、平板電腦、伺服器、智慧型手機等。因此，如本說明書的使用，「控制電路」包含但不限於具有至少一非連續電路的電路、具有至少一積體電路的電路、具有至少一特殊應用積體電路的電路、形成由一電腦程式所構形的一通用電腦裝置的電路(例如，由電腦程式所構形的一通用電腦，其至少部分執行本說明書所述的處理及/或裝置、或由一電腦程式所構形的一微處理器，其至少部分執行本說明書所述的處理及/或裝置)、形成一記憶體裝置的電路(例如，隨機存取記憶體的形式)、及/或形成一通訊裝置的電路(例如，一數據機(Modem)、通訊交換機或光電設備)。熟習該項技藝者將明白，本說明書描述的專利標的可採用一類比或數位方式或其某些組合來實施。

如本文中的任何態樣中的使用，術語「邏輯」可意指一應用程式(app)、軟體、韌體及/或電路構形以執行任何前述運算。軟體可具體實施為記錄在非暫時性電腦可讀儲存媒體上的一軟體套件、程式碼、指令、指令集及/或資料。韌體可具體實施為硬編碼(Hard-code)(例如，非揮發性)在記憶體裝置中的程式碼、指令或指令集及/或資料。

如本文中的任何態樣中的使用，術語「組件」、「系統」、「模組」等可意指一電腦相關實體，其可以是硬體、硬體和軟體的一組合、軟體、或執行中的軟體。

如本文中的任何態樣中的使用，「演算法」是意指導致一所要結果的步驟的一自相一致序列，在此一「步驟」是意指物理量及/或邏輯狀態的一操縱，雖不必然但可採取能夠儲存、傳輸、組合、比較、和要不然操縱的電或磁信號的形式。通常將這些信號稱為位元，數值、元素、符號、字元、項、數字等。這些和類似術語可能與適當的物理量有關聯，且僅是應用於這些量級及/或狀態的方便標誌。

雖然已詳細描述了本發明之特定具體例，但熟悉本技藝者將瞭解，可鑒於本公開之整體教示內容而開發對彼等細節之各種修改及替代，且實施例具體例中之一或多者的選定元件可在不改變所揭示概念之範圍的情況下與來自其他具體例之一或多個元件組合。因此，所揭露的多個特定具體例僅是說明性，並未限制本發明的範疇，本發明的範疇是文後申請專利範圍及其任何與全部等同形式的整個範圍。

熟習該項技藝者應明白，通常，本說明書且特別是在文後申請專利範圍(例如，文後申請專利的主體)中使用的用語通常是指「非限定開放性」用語(例如，用語「包含」應解釋為「包含但不限於」，用語「具有」應解釋為「至少具有」，用語「包含」應解釋為「包含但不限於」等)。熟習該項技藝者將更瞭解，如果意欲特定數量的所引用請求項陳述(Claim recitation)，則在申請專利範圍中明確陳述此意圖，而在沒有此陳述的情況下，則此意欲就不存在。例如，為了幫助瞭解，文後申請專利範圍可包含數量詞用語「至少一」和「一或多個」以引用請求項陳述。然而，這類用語的使用不應解釋為表示請求項陳述中引用「一」將包含此所引用請求項陳述的任何特定請求項限制為僅含一此陳述的請求項，即使在相同請求項包括引用數量詞「一或多個」或「至少一」和諸如「一」(a)或「一」(an)的不定冠詞(例如，「一」(a)及/或「一」(an)通常應解釋為意指「至少一」或「一或多個」)；針對用於引入請求項陳述的定冠詞使用亦是如此。

此外，即使明確陳述一特定數量的所引用請求項陳述，熟習該項技藝者將明白，這類陳述通常應解釋成至少意指所陳述的數目(例如、沒有其他修飾語之「兩陳述」的真實陳述通常意指至少兩陳述，或兩或多個陳述)。此外，在使用類似於「A、B和C等之至少一者」的習用語的這類情況下，通常此語法結構是熟習該項技藝者所能夠理解習用語的意義(例如、「一種具有A、B和C之至少一者的系統」將包括但不限於僅具A、僅具B、僅具C、結合A和B、結合A和C、結合B和C及/或結合A、B和C等的系統)。在使用類似於「A、B或C等之至少一者」的習用語的這類情況下，通常此語法結構是熟習該項技藝者所能夠理解習用語的意義(例如、「一種具有A、B或C之至少一者的系統」將包括但不限於僅具A、僅具B、僅具C、結合A和B、結合A和C、結合B和C及/或結合A、B和C等的系統)。熟習該項技藝者將更瞭解到，無論是在實施方式、申請專利範圍或附圖中，通常代表兩或多個替代性用語的選擇性字及/或用語都應理解成，除非另有特別說明，否則考慮包括多個用語之一者、多個用語之任一者、兩用語的可能性。例如，用語「A或B」將通常瞭解為包括可能性「A」或「B」或「A和B。」

關於文後申請專利範圍，熟習該項技藝者應明白，其中所列舉的操作通常可採用任何順序執行。而且，雖然依序呈現出各種操作流程圖，但是應瞭解，可採用所繪示以外的其他順序來執行各種操作；或者，可同時執行各種操作。除非另有特別說明，否則這些替代排序的範例可包括重迭、交錯、中斷、重新排序、遞增、準備、補充、同時、反向或其他變異排序。此外，除非另有特別說明，否則諸如「隨著」、「關於」或其他形容詞之類的用語通常未受到排除這類變異形式。

值得注意，「一種態樣」、「一態樣」、「一示例」、「一種示例」等的任何參考意味著一結合態樣描述的特定特徵、結構或特性包含在至少一態樣中。因此，在整個說明書中各處出現的用語「在一種態樣」、「在一態樣」、「在一示例性」和「在一種示例性」不必然都意指相同態樣。此外，在一或多個態樣中可採用任何適當方式組合多個特定特徵、結構或特性。

在本說明書中所參考及/或在任何申請資料表(Application Data Sheet)中所列出的任何專利申請案、專利案、非專利公開案或其他揭露文獻併入本說明書供參考，在某種程度上，併入的文獻與本說明書不相矛盾。因此，在必要的程度上，本說明書明確闡述的揭露內容係取代併入本說明書供參考的任何矛盾文獻。併入本說明書供參考但與本說明書闡述的現有定義、聲明或其他揭露文獻相矛盾的任何文獻或其部分，將僅以所併入文獻與現有揭露文獻之間不發生矛盾的程度併入。

術語「包含(comprise)」(及包含之任何形式，諸如「包含(comprises)」及「包含(comprising)」)、「具有(have)」 (及具有之任何形式，諸如「具有(has)」及「具有(having)」)、「包括(include)」(及包括之任何形式，諸如「包括(includes)」及「包括(including)」)以及「含有(contain)」 (及含有之任何形式，諸如「含有(contains)」及「含有(containing)」)為開放式連系動詞。因此，一種「包容」、「具有」、「包括」或「包含」一或多個元件的系統擁有這類一或多個元件，但不限於僅擁有這類一或多個元件。同樣地，一種「構成」、「具有」、「包括」或「包含」一或多個特徵的系統、裝置或用具的元件擁有這類一或多個特徵，但不限於僅擁有這類一或多個特徵。

總之，已描述由於採用本說明書描述的概念而產生的眾多好處。為了示意說明和描述之目的，已呈現一或多個形式的前面描述。其不旨在窮舉或限制所揭露的確實形式。鑒於前述的教示，可進行修改或變化。為了示意說明原理和實際應用，選擇及描述一或多個形式，從而使熟習該項技藝者能夠利用各種形式及適於所預期的特定用途的各種修改。意圖據此所提交的申請專利範圍定義整個範疇。

2:線 100:量測裝置 110:內部殼體或內管 112:開口或空腔 114:另一末端 120:自功率偵測器（SPD） 122:內芯 124:外鞘 130:外部殼體或外管 140:電輸出端 200:控制系統 210:微控制器 220:處理器 230:記憶體 240:感測器 270:顯示器 DL:長度 EL:長度 LA:縱向軸線

可如下根據結合附圖進行之以下描述來理解本文中所描述之具體例的各種特徵連同其優點：

圖1為根據本公開之至少一個態樣的用於量測放射性同位素之試樣之活性的量測裝置之平面圖。

圖2為穿過圖1中之線2-2截取的圖1之量測裝置的橫剖面圖。

圖3繪示根據本公開之至少一個態樣的用於與量測裝置一起使用的控制系統之邏輯圖。

2:線

100:量測裝置

110:內部殼體或內管

112:開口或空腔

120:自功率偵測器(SPD)

130:外部殼體或外管

Claims

一種用於量測一放射性同位素之一試樣之活性的量測裝置，其中該放射性同位素之該試樣含於一封囊內，且其中該量測裝置包含：一內部殼體，其包含經組態以收容含有該試樣之該封囊的一內部空腔，其中該內部殼體界定一縱向軸線，其中該內部殼體包含一封閉末端及一相對於該封閉末端的開放末端，且其中該內部空腔位於該封閉末端及該開放末端之間；一伽瑪輻射敏感自功率偵測器(SPD)，其圍繞該內部殼體而定位；及一外部殼體，其圍繞該SPD及該內部殼體而定位，其中該外部殼體將該SPD緊固至該內部殼體，使得該SPD在該量測裝置之操作及儲存期間不移動。
如請求項1之量測裝置，其中該放射性同位素為Co-60。
如請求項1之量測裝置，其中該SPD之至少一部分包含鉑。
如請求項1之量測裝置，其中該內部殼體界定沿著該縱向軸線之一第一長度，其中該試樣界定沿著該縱向軸線之一第二長度，且其中該第一長度與該第二長度相同。
如請求項4之量測裝置，其中該試樣相對於該內部殼體定位，使得該第一長度及該第二長度沿著該縱向軸線重疊。
如請求項4之量測裝置，其中該內部殼體包含一外表面，且其中該SPD圍繞該內部殼體之該外表面而定位，使得該外表面全部被該SPD覆蓋。
如請求項1之量測裝置，其中該內部殼體包含一外表面，且其中該SPD以一渦旋組態纏繞於該內部殼體之該外表面周圍。
如請求項7之量測裝置，其中該SPD之該渦旋組態經組態以覆蓋該內部殼體之該外表面的全部。
如請求項1之量測裝置，其中該內部殼體包含一外表面，且其中該SPD以一螺旋組態纏繞於該內部殼體之該外表面周圍。
如請求項9之量測裝置，其中該SPD之該螺旋組態經組態以覆蓋該內部殼體之該外表面的全部。
如請求項1之量測裝置，其中該試樣包含沿著該縱向軸線界定之一試樣長度，其中該內部殼體包含一外表面，且其中該SPD纏繞於該內部殼體周圍，使得該SPD沿著該試樣長度覆蓋該外表面之全部。
一種量測包含一放射性同位素之一目標試樣之活性的方法，其中該方法包含以下步驟：將一放射性同位素之複數個測試試樣一次一個地定位於包含一伽瑪敏感自功率偵測器(SPD)之一量測裝置內，其中該等測試試樣中之每一者的該活性為已知的；在該等測試試樣中之每一者定位於該量測裝置中時量測該SPD內之電流；將與該等測試試樣相同之放射性同位素的一目標試樣定位於該量測裝置內，其中該目標試樣之該活性為未知的；在該目標試樣定位於該量測裝置中時量測該SPD內之電流；及比較該等測試試樣之所量測電流與該目標試樣之所量測電流以判定該目標試樣之該活性。
如請求項12之方法，其進一步包含使用該等測試試樣之該等所量測電流與該目標試樣之該所量測電流之間的一線性校準的步驟。
如請求項12之方法，其中該放射性同位素為Co-60。
如請求項12之方法，其中該SPD之至少一部分包含鉑。
如請求項12之方法，其中該SPD以一螺旋形狀定位於該量測裝置內。
一種量測包含一放射性同位素之一目標試樣之活性的方法，其中該方法包含以下步驟：將一放射性同位素之一目標試樣定位於包含一伽瑪敏感自功率偵測器(SPD)之一量測裝置內，其中該目標試樣之該活性為未知的，且其中該SPD包含一已知敏感度水準及一已知長度；在該目標試樣定位於該量測裝置中時量測該SPD之電流；及使用該SPD之所量測電流、該SPD之該已知敏感度水準及該SPD之該已知長度來判定該目標試樣之該活性。
如請求項17之方法，其中該放射性同位素為Co-60。
如請求項17之方法，其中該SPD之至少一部分包含鉑。
如請求項17之方法，該SPD以一螺旋組態定位於該量測裝置內。