TWI789593B - 影像感測器封裝 - Google Patents
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- TWI789593B TWI789593B TW109117243A TW109117243A TWI789593B TW I789593 B TWI789593 B TW I789593B TW 109117243 A TW109117243 A TW 109117243A TW 109117243 A TW109117243 A TW 109117243A TW I789593 B TWI789593 B TW I789593B
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- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract description 144
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 94
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 65
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 28
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 22
- IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M potassium bromide Chemical compound [K+].[Br-] IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 22
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 18
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 12
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 10
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 claims abstract description 9
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 claims abstract description 9
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 42
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 27
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 15
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 15
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 15
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 15
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 15
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 14
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 claims description 14
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 claims description 14
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 13
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 13
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 12
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 10
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 10
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 10
- 239000012994 photoredox catalyst Substances 0.000 claims description 5
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- GTLQJUQHDTWYJC-UHFFFAOYSA-N zinc;selenium(2-) Chemical group [Zn+2].[Se-2] GTLQJUQHDTWYJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
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- Electromagnetism (AREA)
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
一種影像感測器封裝體，包括：一塑膠封裝結構；以及一透明塑膠視窗，設置於該塑膠封裝結構中，其中該透明塑膠視窗的材料包括一塑膠以及一添加物，該添加物選自於鍺(germanium)、矽(silicon)、溴化鉀(potassium bromide)、氯化鉀(sodium chloride)、硫化鋅(zinc sulfide)、硒化鋅(zinc selenide)所組成的一群組。
Description
本發明涉及一種攝像技術領域，尤其涉及一種影像感測器封裝體，其主要材質為塑膠。
一般影像感測器(例如：CMOS或CCD)的表面封裝材質多半為金屬或陶瓷，並依據操作頻譜之不同，使用玻璃(在可見光以及近紅外、近紫外區段)或是矽、鍺、鋅等材料(遠紅外區段)在封裝結構上構成一個讓光線可以穿透的視窗。
此外，部分感測器為了提升性能，要求封裝體內部為真空狀況，或者是充填非一般空氣的特殊氣體(如氮氣、氦氣、或者是無氧、低氧的混合物)，以降低熱透過接觸傳導與空氣對流去影響到影像感測器，使得影像感測器僅接受到熱輻射，而有最靈敏的感測效果。
然而金屬、陶瓷和玻璃的材料成本較高，維持封裝體內部為真空狀態的製程複雜，因此勢必要發展出一種影像感測器封裝體，具有低成本和簡單的製程的優勢，同時其視窗維持良好的光穿透性。
本發明的主要目的是提供一種一種影像感測器封裝體，其具有低成本和簡單的製程，同時其視窗維持良好的光穿透性。
為達成上述目的，本發明的一實施例的一方面，提供一種影像感測器封裝體，包括：
一塑膠封裝結構；以及
一透明塑膠視窗，設置於該塑膠封裝結構中，其中該透明塑膠視窗的材料包括一塑膠以及一添加物，該添加物選自於鍺(germanium)、矽(silicon)、溴化鉀(potassium bromide)、氯化鉀(sodium chloride)、硫化鋅(zinc sulfide)、硒化鋅(zinc selenide)所組成的一群組。
根據本發明的一些實施例，該影像感測器封裝體內部不為真空，且存有氣體。
根據本發明的一些實施例，該塑膠封裝結構的一材料包括塑膠，該塑膠封裝結構和該透明塑膠視窗的塑膠選自於聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate，PMMA)、聚乙烯(polyethylene，PE)、高密度聚乙烯(high density polyethylene，HDPE)、聚丙烯(polypropylene，PP)、聚苯乙烯(polystyrene，PS)、聚乙烯對苯二甲酸甲酯(polyethylene terephthalate，PET)所組成的一群組。
根據本發明的一些實施例，該添加物對於該透明塑膠視窗的質量百分濃度的範圍介於2%至10%之間。
根據本發明的一些實施例，該透明塑膠視窗的一頂面和一底面為一平面、一非球形曲面或一Fresnel曲面。
根據本發明的一些實施例，該透明塑膠視窗的一頂面和一底面為一圓形、一正方形或一矩形。
根據本發明的一些實施例，該塑膠封裝結構包括一上部結
構，該上部結構包括一個以上的氣孔，該氣孔配置用於調整該封裝體內部的氣體的壓力和種類。
根據本發明的一些實施例，該塑膠封裝結構包括一上部結構，並且該上部結構包括一快門，配置用於允許和阻擋光線到達該影像感測器封裝體內部，或是一帶通濾光片組，其中該快門或是該濾光片組設置在該上部結構的一內側或一外側。
根據本發明的一些實施例，該塑膠封裝結構包括一上部結構，並且該上部結構包括一個以上的定位凹孔或定位突起，該定位凹孔或定位突起配置用以將該影像感測器封裝體定位至適當位置。
根據本發明的一些實施例，該塑膠封裝結構包括一側面，並且該側面限定有一個以上的定位凹槽。
為達成上述目的，本發明的一實施例的一方面，提供一種影像感測器封裝體，包括：
一基板，配置用以乘載該影像感測器；
一塑膠封裝結構，設置於該基板上，並包圍該影像感測器；以及
一透明塑膠視窗，設置於該塑膠封裝結構中，並且位於該影像感測器正上方，其中該透明塑膠視窗投影在該基板的位置對應於該影像感測器的位置，
該透明塑膠視窗的材料包括一塑膠以及一添加物，該添加物選自於鍺(germanium)、矽(silicon)、溴化鉀(potassium bromide)、氯化鉀(sodium chloride)、硫化鋅(zinc sulfide)、硒化鋅(zinc selenide)所組成的一群
組。
根據本發明的一些實施例，該影像感測器封裝體內部不為真空，且存有氣體。
根據本發明的一些實施例，該塑膠封裝結構的材料包括塑膠，該塑膠封裝結構和該透明塑膠視窗的塑膠選自於聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate，PMMA)、聚乙烯(polyethylene，PE)、高密度聚乙烯(high density polyethylene，HDPE)、聚丙烯(polypropylene，PP)、聚苯乙烯(polystyrene，PS)、聚乙烯對苯二甲酸甲酯(polyethylene terephthalate，PET)所組成的一群組。
根據本發明的一些實施例，該添加物對於該透明塑膠視窗的質量百分濃度的範圍介於2%至10%之間。
根據本發明的一些實施例，該透明塑膠視窗的一頂面和一底面為一平面、一非球形曲面或一Fresnel曲面。
根據本發明的一些實施例，該透明塑膠視窗的一頂面和一底面為一圓形、一正方形或一矩形。
根據本發明的一些實施例，該塑膠封裝結構包括一上部結構，該上部結構大致與該基板平行，位於該影像感測器上方，並且包括一個以上的氣孔，該氣孔配置用於調整該封裝體內部的氣體的壓力和種類。
根據本發明的一些實施例，該塑膠封裝結構包括一上部結構，該上部結構大致與該基板平行，位於該影像感測器上方，並且該上部結構包括一快門，配置用於允許和阻擋光線到達該影像感測器，或是一帶通濾光片，其中該快門或是該濾光片組設置在該上部結構靠近或遠離該影
像感測器的一側。
根據本發明的一些實施例，該塑膠封裝結構包括一上部結構，該上部結構大致與該基板平行，位於該影像感測器上方，並且包括一個以上的定位凹孔或定位突起，該定位凹孔或定位突起配置用以將該影像感測器封裝體定位至適當位置。
根據本發明的一些實施例，該基板與該塑膠封裝結構彼此獨立，並且該基板與該塑膠封裝結構的材料不相同。
綜上所述，根據本發明的實施例，該影像感測器的封裝體，具有以下三個優勢：(1)該影像感測器的封裝體以塑膠為主要封裝材料，以進行該影像感測器的封裝，由於塑膠成價格便宜，容易成型，因此成本較低，製造速度快；(2)將該塑膠中加入添加物形成塑膠混合物，以作為該透明塑膠視窗的材料，使該影像感測器在遠紅外區(例如3至14微米)有足夠的穿透率(例如，穿透率超過45%)；(3)在習知的影像感測器的封裝體中，必須密閉並控制封裝體內部的封裝空間的大氣壓力介於0至0.1大氣壓力之間。然而在本發明中，以塑膠代替一般常見的金屬作為封裝結構區的主要材質，而塑膠在接觸傳導的絕熱效果優於金屬，因此沒有必要要求封裝體內部的封裝空間為真空狀況，或者是充填非一般空氣的特殊氣體)，從而改變了在製程上的封裝順序。
1:影像感測器封裝體
10:影像感測器
20,20':基板
25:走線
30,30':塑膠封裝結構
31:氣孔
32,32':快門或濾光片組
33:定位突起
34:定位凹孔
35:定位凹槽
40,40':透明塑膠視窗
參考以下詳細描述並結合附圖，本發明的前述方面和許多伴隨的優點將變得更容易理解，其中：
第1A圖和第1B圖是橫截面側視圖，分別顯示根據本發明的一實施例中的影像感測器封裝體可應用於其的兩種基板。
第2A圖和第2B圖是橫截面側視圖，分別顯示根據本發明的一實施例中的影像感測器封裝體應用的該兩種基板後的結構。
第3圖是一俯視圖，顯示根據本發明的一實施例中的三種影像感測器封裝體的上視結構。
第4圖為一橫截面側視圖(左側)和一俯視圖(右側)，顯示根據本發明的一實施例中的一種影像感測器封裝體的細部結構。
第5圖為一橫截面側視圖，顯示根據本發明的另一實施例中的一種影像感測器封裝體的細部結構。
以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發明可用以實施的特定實施例。本發明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「內」、「外」、「側面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發明，而非用以限制本發明。在詳細說明請本發明的具體實施方式之前，於此先介紹關於此發明的技術原理及術語。
關於本文提及的“實施例”，該實施例中描述的特定特徵、結構或特性可以結合實施例描述並可以包括在本公開的至少一實施例中。出現在說明書中的各個位置的術語不一定是指相同的實施例，也不一定是與其他實施例相互替換、相互排斥或獨立的實施例。本領域普通技術人員明確且隱含地理解，本文描述的實施例可以與其他實施例組合。
在附圖中，具有相似結構的單元由相同的附圖標記表示。
以下結合附圖參考實施例詳細描述本公開的內容。
請參考第1A圖和第1B圖，其為橫截面側視圖，分別顯示根據本發明的一實施例中的影像感測器封裝體可應用於其的兩種基板。第1A圖顯示平板型基板，第1B圖顯示具有多個階梯的基板，然而這只是示例性實施例，本發明不僅限於此兩種基板。請參考第2A圖和第2B圖，其為橫截面側視圖，分別顯示根據本發明的一實施例中的該影像感測器封裝體應用於該兩種基板後的可能結構。不同的影像感測器封裝體結構應用在不同類型的基板態上，第2A圖顯示應用在該平板型基板的一種影像感測器封裝體結構，第2A圖顯示應用在該具有多個階梯的基板的另一種影像感測器封裝體結構，然而這只是示例性實施例，本發明不僅限於此兩種封裝體結構。
根據本發明的一方面，該影像感測器封裝體1，包括：一塑膠封裝結構30；以及一透明塑膠視窗40，設置於該塑膠封裝結構30中，其中該透明塑膠視窗40的材料包括一塑膠以及一添加物，該添加物選自於鍺(germanium)、矽(silicon)、溴化鉀(potassium bromide)、氯化鉀(sodium chloride)、硫化鋅(zinc sulfide)、硒化鋅(zinc selenide)所組成的一群組。
根據本發明的一方面，該影像感測器封裝體1，設置於一承載一影像感測器10的基板20上，包括：一塑膠封裝結構30，設置於該基板20上，並包圍該影像感測器10；以及一透明塑膠視窗40，設置於該塑膠封裝結構30中，並且位於該影像感測器10正上方，其中該透明塑膠視窗40投影在該基板20的位置對應於該影像感測器10的位置，該透明塑膠視窗40的材料包括一塑膠以及一添加物，該添加物選自於鍺(germanium)、矽(silicon)、溴化鉀
(potassium bromide)、氯化鉀(sodium chloride)、硫化鋅(zinc sulfide)、硒化鋅(zinc selenide)所組成的一群組。
根據本發明的一方面，該影像感測器封裝體1，配置用以封裝一影像感測器10，包括：一基板20，配置用以乘載該影像感測器10；一塑膠封裝結構30，設置於該基板20上，並包圍該影像感測器10；以及一透明塑膠視窗40，設置於該塑膠封裝結構30中，並且位於該影像感測器10正上方，其中該透明塑膠視窗40投影在該基板20的位置對應於該影像感測器10的位置，該透明塑膠視窗40的材料包括一塑膠以及一添加物，該添加物選自於鍺(germanium)、矽(silicon)、溴化鉀(potassium bromide)、氯化鉀(sodium chloride)、硫化鋅(zinc sulfide)、硒化鋅(zinc selenide)所組成的一群組。
在該透明塑膠視窗40的材料組成上，首先要考量的是，針對該影像感測器10之響應頻譜範圍，該透明塑膠視窗40所使用之材質必須可達到光穿透效果。純粹的塑膠原料是無法在遠紅外區(例如3至14微米)有足夠的穿透率，這是分子結構天生所限；故必須加進一些添加物(或混合物)，但須注意添加物(或混合物)加入後會有各種混合不均、結構脆弱、對水氣敏感等議題。加入該透明塑膠視窗40的塑膠材料之添加物(或混合物)可為鍺(germanium)、矽(silicon)、溴化鉀(potassium bromide)、氯化鉀(sodium chloride)、硫化鋅(zinc sulfide)、硒化鋅(zinc selenide))等所製成，而上述材料於遠紅外區(例如3至14微米)有良好的光穿透性。
根據本發明的一些實施例，該塑膠封裝結構30的材料包括塑膠，該塑膠封裝結構30和該透明塑膠視窗40的塑膠選自於聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate，PMMA)、
聚乙烯(polyethylene，PE)、高密度聚乙烯(high density polyethylene，HDPE)、聚丙烯(polypropylene，PP)、聚苯乙烯(polystyrene，PS)、聚乙烯對苯二甲酸甲酯(polyethylene terephthalate，PET)所組成的一群組。然而該塑膠材料可包含上述材料，但不限制於上述材料，
根據本發明的一些較佳實施例，該塑膠封裝結構30與該基板20並非一體成型，而是兩個獨立元件。進一步地，該塑膠封裝結構30與該基板20的材料不同。根據本發明的一些實施例，該基板20可為一電路板、一玻璃板、一陶瓷板或一塑膠板。根據本發明的一些實施例，該基板20設置有多條走線25，與該影像感測器1電性連接。
根據本發明的一些實施例，該添加物(或混合物)對於該透明塑膠視窗的質量百分濃度的範圍介於2%至10%之間。該透明塑膠視窗40中添加物(或混合物)的質量百分度至少需大於等於2%，使得該透明塑膠視窗40於遠紅外區(例如3至14微米)有足夠的光穿透性。此外，由於塑膠有凝聚力，在該透明塑膠視窗40加入太多上述粉末狀或顆粒狀的添加物(或混合物)，對於混合後的塑膠結構強度有影響，因此添加物(或混合物)的質量比不要大於10%，較能維持塑膠結構強度。
參照第3圖，其為一俯視圖，顯示根據本發明的一實施例中的三種影像感測器封裝體1的上視結構。參照第4圖為一橫截面側視圖(左側)和一俯視圖(右側)，顯示根據本發明的一實施例中的一種影像感測器封裝體1的細部結構。第5圖，其為一橫截面側視圖，顯示根據本發明的另一實施例中的一種影像感測器封裝體的細部結構。
根據本發明的一些實施例，該透明塑膠視窗的一頂面和一底
面為一平面、一非球形曲面或一Fresnel曲面。根據本發明的一些實施例，該透明塑膠視窗的一頂面和一底面為一圓形、一正方形或一矩形，如第3圖所示。
根據本發明的一些實施例，該塑膠封裝結構30包括一上部結構，該上部結構大致與該基板20平行，位於該影像感測器10上方，並且包括一個以上的氣孔31(或氣嘴)，該氣孔31配置用於調整該封裝體1內部(即，該塑膠封裝結構30與該基板20所形成的空間)的氣體的壓力和種類，並且於調整後密封該氣孔31以維持該封裝體1內部氣體的壓力和種類。由於本發明的影像感測器封裝體1的主要材質為塑膠，塑膠在接觸傳導的絕熱效果優於金屬，因此沒有必要要求封裝體內部的封裝空間為真空狀況，或者是充填非一般空氣的特殊氣體。因此根據本發明的一些實施例，該影像感測器封裝體1內部不為真空，且存有氣體。
根據本發明的一些實施例，該塑膠封裝結構30的上部結構包括一快門32(shutter)，配置用於允許和阻擋光線到達該影像感測器(完全遮蔽光輻射，例如100nm~40000nm)，或是一帶通濾光片32，配置用以切換光譜帶通(band-pass)，該快門32或是該濾光片組32。根據本發明的一些實施例，該快門32或是該帶通濾光片32，設置在該上部結構靠近該影像感測器10的一側，如第4圖左側所示。根據本發明的一些實施例，該快門32或是該帶通濾光片32，設置在該上部結構遠離該影像感測器10的一側，如第5圖所示。
根據本發明的一些實施例，該塑膠封裝結構30的上部結構包括一個以上的定位凹孔34或定位突起33，該定位凹孔34或定位突起33配置用以將該影像感測器封裝體1定位至適當位置。
根據本發明的一些實施例，該塑膠封裝結構30包括一側面，該側面的方向大致與該基板垂直20，並且該側面限定有一個以上的定位凹槽35，該定位凹槽配置用以將該影像感測器封裝體定位至適當位置，並且可以用於將在該感測器與一鏡頭對心或對焦。
應當注意，上述氣孔31、快門32、濾光片組32、定位突起33、定位凹孔34、定位凹槽35之數量、位置、形狀的各種變化皆可為本發明之範圍。
在本公發明的一實施例中，該影像感測器10可以是一電荷耦合器件(charged-coupled device,CCD)或一互補金屬氧化物半導體晶體管(complementary metal-oxide-semiconductor transistor,CMOS)。該影像感測器10配置用以將光信號轉換為電信號。該影像感測器10是選自陶瓷引線芯片載體封裝型(ceramic leaded chip carrier package type)影像感測器、塑料引線芯片載體封裝型(plastic leaded chip carrier package type)影像感測器和芯片級封裝類型(chip scale package type)影像感測器中的一種。然而各種類型的影像感測裝置430僅是示例，並且不應被視為限制。
綜上所述，根據本發明的實施例，該影像感測器的封裝體，具有以下三個優勢：(1)該影像感測器的封裝體以塑膠為主要封裝材料，以進行該影像感測器的封裝，由於塑膠成價格便宜，容易成型，因此成本較低，製造速度快；(2)將該塑膠中加入添加物形成塑膠混合物，以作為該透明塑膠視窗的材料，使該影像感測器在遠紅外區(例如3至14微米)有足夠的穿透率(例如，穿透率超過45%)；(3)在習知的影像感測器的封裝體中，必須密閉並控制封裝體內部的封裝空間的大氣壓力介於0至0.1大氣壓力之間。然
而在本發明中，以塑膠代替一般常見的金屬作為封裝結構的主要材質，而塑膠在接觸傳導的絕熱效果優於金屬，因此沒有必要要求封裝體內部的封裝空間為真空狀況，或者是充填非一般空氣的特殊氣體，從而改變了在製程上的封裝順序。
所屬領域之技術人員當可瞭解，在不違背本發明精神下，依據本發明實施態樣所能進行的各種變化。因此，顯見所列之實施態樣並非用以限制本發明，而是企圖在所附申請專利範圍的限定下，涵蓋于本發明的精神與範疇中所做的修改。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，但上述較佳實施例並非用以限制本發明，本領域的普通技術人員，在不脫離本發明的精神和範圍內，均可作各種更動與潤飾，因此本發明的保護範圍以權利要求界定的範圍為准。
1:影像感測器封裝體
10:影像感測器
20:基板
25:走線
30:塑膠封裝結構
40:透明塑膠視窗
Claims (20)
- 一種影像感測器封裝體，包括：一塑膠封裝結構；以及一透明塑膠視窗，設置於該塑膠封裝結構中，其中該透明塑膠視窗的材料包括一塑膠以及一添加物，該添加物選自於鍺(germanium)、矽(silicon)、溴化鉀(potassium bromide)、氯化鉀(sodium chloride)、硫化鋅(zinc sulfide)、硒化鋅(zinc selenide)所組成的一群組。
- 如申請專利範圍第1項所述的影像感測器封裝體，其中該影像感測器封裝體內部不為真空，且存有氣體。
- 如申請專利範圍第1項所述的影像感測器封裝體，其中該塑膠封裝結構的一材料包括塑膠，該塑膠封裝結構和該透明塑膠視窗的塑膠選自於聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate，PMMA)、聚乙烯(polyethylene，PE)、高密度聚乙烯(high density polyethylene，HDPE)、聚丙烯(polypropylene，PP)、聚苯乙烯(polystyrene，PS)、聚乙烯對苯二甲酸甲酯(polyethylene terephthalate，PET)所組成的一群組。
- 如申請專利範圍第1項所述的影像感測器封裝體，其中該添加物對於該透明塑膠視窗的質量百分濃度的範圍介於2%至10%之間。
- 如申請專利範圍第1項所述的影像感測器封裝體，其中該透明塑膠視窗的一頂面和一底面為一平面、一非球形曲面或一Fresnel曲面。
- 如申請專利範圍第1項所述的影像感測器封裝體，其中該透明塑膠視窗的一頂面和一底面為一圓形、一正方形或一矩形。
- 如申請專利範圍第2項所述的影像感測器封裝體，其中該塑膠封裝結構包括一上部結構，該上部結構包括一個以上的氣孔，該氣孔配置用於調整該封裝體內部的氣體的壓力和種類。
- 如申請專利範圍第1項所述的影像感測器封裝體，其中該塑膠封裝結構包括一上部結構，並且該上部結構包括一快門，配置用於允許和阻擋光線到達該影像感測器封裝體內部，或是一帶通濾光片組，其中該快門或是該濾光片組設置在該上部結構的一內側或一外側。
- 如申請專利範圍第1項所述的影像感測器封裝體，其中該塑膠封裝結構包括一上部結構，並且該上部結構包括一個以上的定位凹孔或定位突起，該定位凹孔或定位突起配置用以將該影像感測器封裝體定位至適當位置。
- 如申請專利範圍第1項所述的影像感測器封裝體，其中該塑膠封裝結構包括一側面，並且該側面限定有一個以上的定位凹槽。
- 一種影像感測器封裝體，配置用以封裝一影像感測器，包括：一基板，配置用以乘載該影像感測器；一塑膠封裝結構，設置於該基板上，並包圍該影像感測器；以及一透明塑膠視窗，設置於該塑膠封裝結構中，並且位於該影像感測器正上方，其中該透明塑膠視窗投影在該基板的位置對應於該影像感測器的位置，該透明塑膠視窗的材料包括一塑膠以及一添加物，該添加物選自於鍺(germanium)、矽(silicon)、溴化鉀(potassium bromide)、氯化鉀(sodium chloride)、硫化鋅(zinc sulfide)、硒化鋅(zinc selenide)所組成的一群組。
- 如申請專利範圍第11項所述的影像感測器封裝體，其中該影像感測器封裝體內部不為真空，且存有氣體。
- 如申請專利範圍第11項所述的影像感測器封裝體，其中該塑膠封裝結構的材料包括塑膠，該塑膠封裝結構和該透明塑膠視窗的塑膠選自於聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate，PMMA)、聚乙烯(polyethylene，PE)、高密度聚乙烯(high density polyethylene，HDPE)、聚丙烯(polypropylene，PP)、聚苯乙烯(polystyrene，PS)、聚乙烯對苯二甲酸甲酯(polyethylene terephthalate，PET)所組成的一群組。
- 如申請專利範圍第11項所述的影像感測器封裝體，其中該添加物對於該透明塑膠視窗的質量百分濃度的範圍介於2%至10%之間。
- 如申請專利範圍第11項所述的影像感測器封裝體，其中該透明塑膠視窗的一頂面和一底面為一平面、一非球形曲面或一Fresnel曲面。
- 如申請專利範圍第11項所述的影像感測器封裝體，其中該透明塑膠視窗的一頂面和一底面為一圓形、一正方形或一矩形。
- 如申請專利範圍第12項所述的影像感測器封裝體，其中該塑膠封裝結構包括一上部結構，該上部結構大致與該基板平行，位於該影像感測器上方，並且包括一個以上的氣孔，該氣孔配置用於調整該封裝體內部的氣體的壓力和種類。
- 如申請專利範圍第11項所述的影像感測器封裝體，其中該塑膠封裝結構包括一上部結構，該上部結構大致與該基板平行，位於該影像感測器上方，並且該上部結構包括一快門，配置用於允許和阻擋光線到達該影像感測器，或是一帶通濾光片，其中該快門或是該濾光片組設置在該上部結構靠近或遠離該影像感測器的一側。
- 如申請專利範圍第11項所述的影像感測器封裝體，其中該塑膠封裝結構包括一上部結構，該上部結構大致與該基板平行，位於該影像感測器上方，並且包括一個以上的定位凹孔或定位突起，該定位凹孔或定位突起配置用以將該影像感測器封裝體定位至適當位置。
- 如申請專利範圍第11項所述的影像感測器封裝體，其中該基板與該塑膠封裝結構彼此獨立，並且該基板與該塑膠封裝結構的材料不相同。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201962852332P | 2019-05-24 | 2019-05-24 | |
| US62/852,332 | 2019-05-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202102880A TW202102880A (zh) | 2021-01-16 |
| TWI789593B true TWI789593B (zh) | 2023-01-11 |
Family
ID=73456220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW109117243A TWI789593B (zh) | 2019-05-24 | 2020-05-22 | 影像感測器封裝 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11456324B2 (zh) |
| CN (1) | CN112086521A (zh) |
| TW (1) | TWI789593B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112888150B (zh) * | 2021-01-12 | 2022-07-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电路板、显示装置及可穿戴装置 |
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| TW201642454A (zh) * | 2015-05-20 | 2016-12-01 | 采鈺科技股份有限公司 | 影像感測器 |
| CN106233168A (zh) * | 2014-04-10 | 2016-12-14 | 瑞士Csem电子显微技术研发中心 | 红外透射盖板 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN2401992Y (zh) * | 1999-10-19 | 2000-10-18 | 胜开科技股份有限公司 | 用于光感测晶片封装的塑胶封装结构 |
| US6531341B1 (en) * | 2000-05-16 | 2003-03-11 | Sandia Corporation | Method of fabricating a microelectronic device package with an integral window |
| US6661084B1 (en) * | 2000-05-16 | 2003-12-09 | Sandia Corporation | Single level microelectronic device package with an integral window |
| US6384473B1 (en) * | 2000-05-16 | 2002-05-07 | Sandia Corporation | Microelectronic device package with an integral window |
| TW483129B (en) * | 2000-10-05 | 2002-04-11 | Amkor Technology Taiwan Linkou | Package for image sensing device and its manufacturing process |
| TW200713606A (en) * | 2005-09-05 | 2007-04-01 | Kenly Prec Ind Co Ltd | Image sensor and its package method |
| TW201104850A (en) * | 2009-07-29 | 2011-02-01 | Kingpak Tech Inc | Image sensor package structure with large air cavity |
-
2020
- 2020-05-21 CN CN202010436605.0A patent/CN112086521A/zh active Pending
- 2020-05-21 US US16/880,425 patent/US11456324B2/en active Active
- 2020-05-22 TW TW109117243A patent/TWI789593B/zh active
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| TW201642454A (zh) * | 2015-05-20 | 2016-12-01 | 采鈺科技股份有限公司 | 影像感測器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202102880A (zh) | 2021-01-16 |
| CN112086521A (zh) | 2020-12-15 |
| US11456324B2 (en) | 2022-09-27 |
| US20200373342A1 (en) | 2020-11-26 |
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