TWI788671B

TWI788671B - 多孔壓力感測器的製造方法及其裝置

Info

Publication number: TWI788671B
Application number: TW109118407A
Authority: TW
Inventors: 陳彥志
Original assignee: 晶極光電科技股份有限公司
Priority date: 2020-06-02
Filing date: 2020-06-02
Publication date: 2023-01-01
Also published as: TW202147648A

Abstract

一種多孔壓力感測器的製造方法，其步驟包括提供一基板；形成一壓電薄膜於基板的上表面；對壓電薄膜進行多孔化處理，例如進行溼式蝕刻程序或熱處理程序以形成一多孔壓力感測層；以及分別形成一第一電極和一第二電極於該多孔壓力感測層的上表面的兩個相對的側邊。本發明亦針對以該多孔壓力感測器的製造方法所製得的壓力感測器。

Description

多孔壓力感測器的製造方法及其裝置

本發明屬於壓力感測器的領域，尤指一種多孔壓力感測器的製造方法及以該方法製得的裝置。

壓力感測器，乃是一種用於測量液體與氣體的壓力的傳感器，其能夠將施加於其上的壓力轉換成以壓力為函數的電信號。直至目前壓力感測器已經普遍應用在汽車、航空器、衛星、船舶、潛水裝置、氣象預報裝備上，用以測量大氣壓力、液體流量、潛水深度或飛行高度等。

然而，現行的壓力感測器，都有感測範圍狹窄和感測靈敏度不佳的缺點。現行的壓力感測器通常都是屬於壓電式壓力感測器，其係將壓電薄膜設置於一基板上作為壓力感測元件。當基板受外力作用而彎曲時，壓電薄膜亦會隨著該基材的彎曲而形變，並產生相對應的電信號，檢測人員即能根據該電訊號判斷受力大小。由於壓電薄膜與基材係相連作動，因此，若基板在受力後無法任意變形，或者壓電薄膜與基板之結合面的結合方式不佳，將導致壓電式壓力感測器的靈敏度下降和感測範圍狹窄，具有壓力檢測失準的問題。

職是之故，基於克服習用技術中所存在的缺點，發明人經過悉心試驗與研究，並一本鍥而不捨之精神，終發展出本發明的「多孔壓力感測器的製造方法及其裝置」，來克服上述先前技術之缺點，以下為本發明之簡要說明。

有鑑於此，本發明的主要目的，在於提供一種多孔壓力感測器的製造方法，其能夠提昇壓力感測器的靈敏度並增加壓力感測器的感測範圍。

本發明的另一目的，在於提供以本發明提出的多孔壓力感測器的製造方法所製得的多孔壓力感測器。

在本發明的一較佳實施態樣中，提出了一種多孔壓力感測器的製造方法，其包含下列步驟：(1)提供一基板；(2)形成一壓電薄膜於基板的上表面；(3)對壓電薄膜進行多孔化處理以形成一多孔壓力感測層；以及(4)分別形成一第一電極和一第二電極於多孔壓力感測層的上表面的兩個相對的側邊。

較佳者，基板係為矽晶圓、軟性高分子、金屬、玻璃或雲母所組成的一固態的軟性基板，且多孔壓力感測層係為一單層或多層的結構。

較佳者，形成一壓電薄膜於基板的上表面的步驟，係以一物理氣相沈積法，例如，濺鍍法或蒸鍍法，或一溶液法來完成。

較佳者，對壓電薄膜進行多孔化處理以形成一多孔壓力感測層的步驟，係以一溼式蝕刻程序來完成，其中該溼式蝕刻程序所使用的蝕刻溶液係為一種稀釋的酸/鹼溶液，例如鹽酸、硫酸、硝酸、醋酸、或氫氧化鈉(KOH)溶液所組成，且蝕刻溶液的濃度為0.1mM，蝕刻時間為一分鐘。

可選擇的是，對壓電薄膜進行多孔化處理以形成一多孔壓力感測層的步驟，係以一熱處理程序來完成，其中該熱處理程序係在一管狀爐或一箱式爐中進行，其加熱溫度為500-600℃，加熱時間為一小時。

較佳者，壓電薄膜的材質係為金屬氧化物、氮化物、聚偏二氟乙烯(PVDF)、鈦酸鋇BaTiO3、鈦酸鉛PbTiO3、鋯酸鉛PbZrO3、鋯鈦酸鉛PbZrTiO3(PZT)的其中之一。

較佳者，第一電極係由金、銀、鉑、銅的其中之一金屬所組成，而第二電極的係為由氧化銦錫(ITO)或氧化鋁鋅(AZO)所組成的一透明導電膜。或者是，第一電極係為由氧化銦錫(ITO)或氧化鋁鋅(AZO)的一透明導電膜，而第二電極係由金、銀、鉑、銅的其中之一金屬所組成。第一電極和第二電極作用為多孔壓力感測器的陽極/陰極或陰極/陽極。

此外，本發明的另一實施態樣為根據本發明的製造方法所製得的多孔壓力感測器。

下面結合附圖和實施例對本發明進一步詳細的說明。

100:多孔壓力感測器

10:基板

11:壓電薄膜

12:多孔壓力感測層

121:空孔

14:第一電極

15:第二電極

圖1(A)-圖1(D)圖例說明在本發明的一較佳實施例中，多孔壓力感測器的製造方法和以該方法製得的壓力感測器。

圖2顯示在本發明的一較佳實施例中，經過多孔化處理後的氧化鋅薄膜的表面型態圖。

為能進一步瞭解本發明之構成內容及其他特點，茲舉本發明較具體之實施例，並配合附圖詳細說明如以下所述。

請參見圖1(A)至圖1(D)，其顯示本發明的一較佳實施例中，多孔壓力感測器的製造方法和以該方法製得的壓力感測器。如圖1(A)所示，本發明的多孔壓力感測器的製造方法的步驟包括，準備一基板10，其係為一固態的軟性基板，材質可為矽晶圓、軟性高分子、金屬、玻璃或雲母等。

接著，請參見圖1(B)，在基板10上成長一層壓電薄膜11。在基板10上成長一層壓電薄膜11的步驟，可採用物理氣相沉積法(PVD)或溶液法合成的方式，成長一層壓電薄膜11於基板10上，其中物理氣相沉積法可包含，但不限於，濺鍍法或蒸鍍法。壓電薄膜11為一壓電材質所組成，其可為金屬氧化物(例如氧化鋅)、氮化物(例如氮化銦、氮化鎵)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、鈦酸鋇BaTiO3、鈦酸鉛PbTiO3、鋯酸鉛PbZrO3、鋯鈦酸鉛PbZrTiO3(PZT)等。

接著，請參見圖1(C)，對壓電薄膜11，進行多孔化製程處理，以形成一多孔壓力感測層12，其包含複數個空孔121。在本發明的一較佳實施例中，多孔化製程可為一等向性的溼式蝕刻程序，例如使用調配稀釋的酸/鹼溶液，如鹽酸、硫酸、硝酸、醋酸、氫氧化鈉(KOH)等酸性溶液或鹼性溶液作為蝕刻溶液，並控制蝕刻溶液的濃度與蝕刻時間來對壓電薄膜11進行蝕刻，以便蝕刻出複數個空孔121而形成多孔壓力感測層12。在此實施例中，蝕刻溶液的濃度為0.1mM，蝕刻時間為一分鐘。

在本發明的另一個較佳實施例中，多孔化製程可為一熱處理程序(heat treatment process)。在本實施例中，可以採用利用加熱的方式，來移除反應氣體(reactant gas，例如氧氣)並讓壓電薄膜11結晶化，以便讓壓電薄膜11產生空孔121而形成多孔壓力感測層12。在本實施例中，熱處理乃是在管狀爐或箱式爐(皆未顯示)中進行，其加熱溫度為500-600℃，加熱時間為一小時。

接著，請參見圖1(D)，在多孔壓力感測層12的兩個相對的側邊上，分別鍍上一第一電極14和一第二電極15，以形成一多孔壓力感測器100，如圖1(D)所示。多孔壓力感測層12可為一個單層的結構，也可以為一個多層的結構。第一電極14和第二電極15，可分別為多孔壓力感測器100的陽極和陰極或陰極和陽極。多孔壓力感測器100由一基板10、一多孔壓力感測層12和一第一電極14連同一第二電極15所組成，其中第一電極14的材質為金、銀、鉑、銅等金屬，而第二電極15為氧化銦錫(ITO)或氧化鋁鋅(AZO)等所組成的透明導電膜。然而，第一電極14的材質和第二電極15的材質選擇並非可限制為此間實施例所揭露的精確形式。例如，第一電極14的可為氧化銦錫(ITO)或氧化鋁鋅(AZO)等所組成的透明導電膜，而第二電極15的材質可為金、銀、鉑、銅等金屬。

請參見圖2，其顯示在本發明的一較佳實施例中，經過多孔化處理後氧化鋅薄膜的表面型態圖。在此，壓電薄膜11的材質乃是以氧化鋅(ZnO)來代表。由圖2的掃描電子顯微鏡照片可以看出，在對壓電薄膜11進行諸如溼式蝕刻或熱處理的多孔化製程處理，便能夠對壓電薄膜11蝕刻出複數個空孔121，藉此形成一多孔壓力感測層12。在施加力量為0.5牛頓(0.5N)的條件下，本發明的多孔壓力感測層的感測壓力輸出值與習知非多孔壓力感測層的壓力感測輸出值的比較結果，如下表一所示：

由表一可以看出，本發明的多孔壓力感測層的壓力感測輸出值，幾乎是習知非多孔壓力感測層的壓力感測輸出值的兩倍。因此，本發明的壓力感測層，由於是經過多孔化處理的壓電薄膜，會比習知技術的未經多孔化處理的壓電薄膜，在感測性質上會來得好。

此外，根據本發明的製造方法所製得的多孔壓力感測器，也能夠具有其他的用途，例如可以用來發電。由於壓電薄膜層11的材質須為一種壓電材質，當使用者施加力量到本發明的多孔壓力探測器時，便可以將其所受到的壓力轉換成電能輸出，達成發電的目的。

總和來說，本發明的多孔壓力感測器的製造方法，由於對壓電薄膜進行多孔化處理來形成一多孔壓力感測層，能夠提昇壓力感測器的壓電性質和壓力感測的效應。使用本發明的多孔壓力感測器的製造方法所製得的多孔壓力感測器，能夠具有較佳的感測靈敏度和較為寬廣的感測範圍，亦即壓力感測器能夠感測的範圍增大，使得微小的壓力也能感測。此外，本發明的多孔壓力感測器的製造方法所製得的多孔壓力感測器，能夠廣泛地應用在許多的技術領域上，例如可應用在醫療、個人穿戴裝置或車用裝置上。

綜上所述，本發明的結構新穎且實用，功能上遠勝習知者，具進步性及產業利用價值，符合發明專利要件，爰依法提出發明專利之申請。上述的具體實施例是用來詳細說明本發明的目的、特徵及功效，僅為本發明的部分實施例，當不能以此限定本發明的實施範圍，凡熟悉該項技藝者根據上述說明所作等效性的變換或修改，其本質未脫離出本發明的精神範疇者，皆應包含在本發明的專利權範圍。