CN101274740A - 基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法 - Google Patents
基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101274740A CN101274740A CNA2007100648781A CN200710064878A CN101274740A CN 101274740 A CN101274740 A CN 101274740A CN A2007100648781 A CNA2007100648781 A CN A2007100648781A CN 200710064878 A CN200710064878 A CN 200710064878A CN 101274740 A CN101274740 A CN 101274740A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon
- silicon dioxide
- shear stress
- photoetching
- stress sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 96
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 title claims abstract description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 30
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 23
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 25
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 21
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 18
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 16
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 13
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 12
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 12
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 claims description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 5
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 abstract 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
本发明涉及微机电技术领域，公开了一种基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法，该方法包括：A、在硅片的正面和背面淀积二氧化硅薄膜；B、保护正面，对背面进行光刻，刻蚀形成二氧化硅薄膜窗口以及划片槽；C、在正面淀积多晶硅薄膜，进行磷重掺杂，光刻，打底胶，表面淀积铬薄膜，剥离，刻蚀形成多晶硅薄膜电阻条；D、在正面淀积一层氮化硅薄膜，钝化多晶硅；E、腐蚀背面体硅，形成腔体；F、正面光刻，打底胶，表面淀积铬薄膜，剥离，刻蚀形成接触孔；G、正面光刻，电子束蒸发金属铝Al，剥离，形成电极；H、背面与硼硅玻璃进行阳极键合。利用本发明，减少了热量散失，简化了工艺过程，大大提高了器件灵敏度。
Description
技术领域
本发明涉及微机电(MEMS)技术领域，尤其涉及一种基于二氧化硅特性以及真空阳极键合工艺制作热剪切应力传感器的方法，采用二氧化硅薄膜作为结构层，用重掺杂的多晶硅作为热敏电阻，用体硅各向异性腐蚀和真空阳极键合方法在氮化硅薄膜和玻璃之间形成绝热真空腔。本发明不仅简化工艺过程，而且大大提高了热剪切应力传感器灵敏度。
背景技术
利用微机电(MEMS)技术来制作热剪切应力传感器国外已经做了很多研究，要制作出灵敏度高的热剪切应力传感器的关键有两点：一是提高热敏电阻条发热量，二是减少热量从衬底流失。
传统的牺牲层工艺形成绝热空腔工艺过程复杂，尤其是腐蚀分离时，由于液体的烘干会使可变形的微结构在表面张力作用下与衬底粘接，使空腔无法形成。由于氮化硅的热导率比较高，利用氮化硅作为横隔膜在一定程度上加快了热敏电阻条上热量的散失。
发明内容
(一)要解决的技术问题
有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法，以减少热量散失，简化工艺过程，提高器件灵敏度。
(二)技术方案
为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：
一种基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法，该方法包括：
A、在硅片的正面和背面淀积二氧化硅薄膜；
B、保护正面，对背面进行光刻，刻蚀形成二氧化硅薄膜窗口以及划片槽；
C、在正面淀积多晶硅薄膜，进行磷重掺杂，光刻，打底胶，表面淀积铬薄膜，剥离，刻蚀形成多晶硅薄膜电阻条；
D、在正面淀积一层氮化硅薄膜，钝化多晶硅；
E、腐蚀背面体硅，形成腔体；
F、正面光刻，打底胶，表面淀积铬薄膜，剥离，刻蚀形成接触孔；
G、正面光刻，电子束蒸发金属铝(Al)，剥离，形成电极；
H、背面与硼硅玻璃进行阳极键合。
步骤A中所述硅片为双表面抛光的晶向为(100)的n型硅片；
步骤A中所述淀积采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法进行；
步骤A中所述二氧化硅薄膜的厚度为1.5μm。
所述步骤B包括：正面用光刻胶保护，背面光学光刻后，光刻胶作掩蔽，用ICP干法刻蚀掉二氧化硅，形成900μm×900μm的腐蚀窗口以及划片槽。
所述步骤C包括：在正面用LPCVD淀积多晶硅薄膜，用离子注入机进行磷重掺杂，剂量为1×1016cm2，注入能量为40KeV，光学光刻，打底胶，表面电子束蒸发厚度为
的铬薄膜，剥离，刻蚀形成100μm×2μm×0.5μm的多晶硅薄膜电阻条。
步骤D中所述淀积氮化硅薄膜采用LPCVD方法进行。
步骤E中所述腐蚀背面体硅，在质量比为30％的KOH溶液中采用各向异性腐蚀方法进行。
所述步骤F包括：正面光学光刻，ICP打底胶，电子束蒸发厚度为
的铬薄膜，超声剥离，ICP刻蚀形成接触孔。
所述步骤G包括：正面光学光刻，电子束蒸发一层厚度为300nm的金属Al，超声剥离，形成电极。
所述步骤H包括：在真空环境下硅晶片背面与硼硅玻璃Corning7740进行阳极键合，相对于玻璃，硅保持正极，电压1200V，温度400℃。
(三)有益效果
从上述技术方案可以看出，本发明具有以下有益效果：
1、本发明提供的这种基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法，通过利用二氧化硅薄膜作为结构层，用重掺杂的多晶硅作为热敏电阻，用体硅各向异性腐蚀和真空阳极键合方法在氮化硅薄膜和玻璃之间形成绝热真空腔，以此完成热剪切应力传感器器件制作的方法。
2、本发明提供的这种基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法，利用二氧化硅薄膜作为结构层，在其上形成多晶硅电阻条，利用二氧化硅热导率低，能减少热量流失的特性，以及利用真空阳极键合工艺在衬底上形成绝热空腔，减少热量从衬底传导，从而极大的提高了器件的灵敏度。
3、本发明提供的这种基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法，通过利用电导率低的二氧化硅作为结构层，减少了热量散失，而真空阳极键合工艺避免了传统的复杂牺牲层工艺，不仅简化了工艺过程，并大大提高了器件灵敏度。
4、本发明提供的这种基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法，成本低廉，生产周期短，工艺稳定，具有一定的实用价值。
附图说明
图1为本发明提供的基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法流程图；
图2为依照本发明实施例在双抛光n-type(100)硅晶片双表面上淀积二氧化硅薄膜的工艺流程图；
图3为依照本发明实施例进行背面光刻形成二氧化硅薄膜窗口以及划片槽的工艺流程图；
图4为依照本发明实施例在正面淀积多晶硅薄膜，进行磷重掺杂的工艺流程图；
图5为依照本发明实施例进行正面光刻，打底胶，表面淀积铬薄膜，剥离，刻蚀形成多晶硅薄膜电阻条的工艺流程图；
图6为依照本发明实施例在正面淀积一层氮化硅薄膜，钝化多晶硅的工艺流程图；
图7为依照本发明实施例进行腐蚀背面体硅，形成腔体的工艺流程图；
图8为依照本发明实施例进行正面光刻，打底胶，表面淀积铬薄膜，剥离，刻蚀形成接触孔的工艺流程图；
图9为依照本发明实施例进行正面光刻，电子束蒸发Al，剥离，形成电极的工艺流程图；
图10为依照本发明实施例背面与硼硅玻璃进行阳极键合的工艺流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
如图1所示，图1为本发明提供的基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法流程图，该方法包括以下步骤：
步骤101：在硅片的正面和背面淀积二氧化硅薄膜；
步骤102：保护正面，对背面进行光刻，刻蚀形成二氧化硅薄膜窗口以及划片槽；
步骤103：在正面淀积多晶硅薄膜，进行磷重掺杂，光刻，打底胶，表面淀积铬薄膜，剥离，刻蚀形成多晶硅薄膜电阻条；
步骤104：在正面淀积一层氮化硅薄膜，钝化多晶硅；
步骤105：腐蚀背面体硅，形成腔体；
步骤106：正面光刻，打底胶，表面淀积铬薄膜，剥离，刻蚀形成接触孔；
步骤107：正面光刻，电子束蒸发金属铝(Al)，剥离，形成电极；
步骤108：背面与硼硅玻璃进行阳极键合。
上述步骤101中所述硅片为双表面抛光的晶向为(100)的n型硅片，所述淀积采用低压化学气相沉积LPCVD方法进行，所述二氧化硅薄膜的厚度为1.5μm。
上述步骤102包括：正面用光刻胶保护，背面光学光刻后，光刻胶作掩蔽，用ICP干法刻蚀掉二氧化硅，形成900μm×900μm的腐蚀窗口以及划片槽。
上述步骤103包括：在正面用LPCVD淀积多晶硅薄膜，用离子注入机进行磷重掺杂，剂量为1×1016cm2，注入能量为40KeV，光学光刻，打底胶，表面电子束蒸发厚度为
的铬薄膜，剥离，刻蚀形成100μm×2μm×0.5μm的多晶硅薄膜电阻条。
上述步骤104中所述淀积氮化硅薄膜采用LPCVD方法进行。
上述步骤105中所述腐蚀背面体硅，在质量比为30％的KOH溶液中采用各向异性腐蚀方法进行。
上述步骤106包括：正面光学光刻，ICP打底胶，电子束蒸发厚度为
的铬薄膜，超声剥离，ICP刻蚀形成接触孔。
上述步骤107包括：正面光学光刻，电子束蒸发一层厚度为300nm的金属Al，超声剥离，形成电极。
上述步骤108包括：在真空环境下硅晶片背面与硼硅玻璃Corning7740进行阳极键合，相对于玻璃，硅保持正极，电压1200V，温度400℃。
基于图1所述的基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法流程图，以下结合具体的实施例对本发明基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法进一步详细说明。
实施例
如图2所示，图2为依照本发明实施例在双抛光n-type(100)硅晶片双表面上淀积二氧化硅薄膜的工艺流程图；在双表面抛光的晶向为(100)的n型硅片的正面和背面，采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法淀积一层厚度为1.5μm二氧化硅薄膜。
如图3所示，图3为依照本发明实施例进行背面光刻形成二氧化硅薄膜窗口以及划片槽的工艺流程图；正面用光刻胶保护，背面光学光刻后，光刻胶作掩蔽，用ICP干法刻蚀掉二氧化硅，形成900μm×900μm的腐蚀窗口以及划片槽。
如图4所示，图4为依照本发明实施例在正面淀积多晶硅薄膜，进行磷重掺杂的工艺流程图；在正面用LPCVD淀积多晶硅薄膜，用离子注入机进行磷重掺杂，剂量为1×1016cm2，注入能量为40KeV，光学光刻，打底胶，表面电子束蒸发厚度为
的铬薄膜，剥离，刻蚀形成100μm×2μm×0.5μm的多晶硅薄膜电阻条。
如图5所示，图5为依照本发明实施例进行正面光刻，打底胶，表面淀积铬薄膜，剥离，刻蚀形成多晶硅薄膜电阻条的工艺流程图。
如图6所示，图6为依照本发明实施例在正面淀积一层氮化硅薄膜，钝化多晶硅的工艺流程图；在正面采用LPCVD方法淀积一层氮化硅薄膜，钝化多晶硅。
如图7所示，图7为依照本发明实施例进行腐蚀背面体硅，形成腔体的工艺流程图；在质量比为30％的KOH溶液中采用各向异性腐蚀方法腐蚀背面体硅，形成腔体。
如图8所示，图8为依照本发明实施例进行正面光刻，打底胶，表面淀积铬薄膜，剥离，刻蚀形成接触孔的工艺流程图；正面光学光刻，ICP打底胶，电子束蒸发厚度为
的铬薄膜，超声剥离，ICP刻蚀形成接触孔。
如图9所示，图9为依照本发明实施例进行正面光刻，电子束蒸发Al，剥离，形成电极的工艺流程图；正面光学光刻，电子束蒸发一层厚度为300nm的金属Al，超声剥离，形成电极。
如图10所示，图10为依照本发明实施例背面与硼硅玻璃进行阳极键合的工艺流程图；在真空环境下硅晶片背面与硼硅玻璃Corning7740进行阳极键合，相对于玻璃，硅保持正极，电压1200V，温度400℃。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1. 一种基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法，其特征在于，该方法包括：
A、在硅片的正面和背面淀积二氧化硅薄膜；
B、保护正面，对背面进行光刻，刻蚀形成二氧化硅薄膜窗口以及划片槽；
C、在正面淀积多晶硅薄膜，进行磷重掺杂，光刻，打底胶，表面淀积铬薄膜，剥离，刻蚀形成多晶硅薄膜电阻条；
D、在正面淀积一层氮化硅薄膜，钝化多晶硅；
E、腐蚀背面体硅，形成腔体；
F、正面光刻，打底胶，表面淀积铬薄膜，剥离，刻蚀形成接触孔；
G、正面光刻，电子束蒸发金属铝Al，剥离，形成电极；
H、背面与硼硅玻璃进行阳极键合。
2. 根据权利要求1所述的基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法，其特征在于，
步骤A中所述硅片为双表面抛光的晶向为(100)的n型硅片；
步骤A中所述淀积采用低压化学气相沉积LPCVD方法进行；
步骤A中所述二氧化硅薄膜的厚度为1.5μm。
3. 根据权利要求1所述的基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法，其特征在于，所述步骤B包括：
正面用光刻胶保护，背面光学光刻后，光刻胶作掩蔽，用ICP干法刻蚀掉二氧化硅，形成900μm×900μm的腐蚀窗口以及划片槽。
4. 根据权利要求1所述的基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法，其特征在于，所述步骤C包括：
在正面用LPCVD淀积多晶硅薄膜，用离子注入机进行磷重掺杂，剂量为1×1016cm2，注入能量为40KeV，光学光刻，打底胶，表面电子束蒸发厚度为200
的铬薄膜，剥离，刻蚀形成100μm×2μm×0.5μm的多晶硅薄膜电阻条。
5. 根据权利要求1所述的基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法，其特征在于，步骤D中所述淀积氮化硅薄膜采用LPCVD方法进行。
6. 根据权利要求1所述的基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法，其特征在于，步骤E中所述腐蚀背面体硅，在质量比为30％的KOH溶液中采用各向异性腐蚀方法进行。
7. 根据权利要求1所述的基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法，其特征在于，所述步骤F包括：
正面光学光刻，ICP打底胶，电子束蒸发厚度为200
的铬薄膜，超声剥离，ICP刻蚀形成接触孔。
8. 根据权利要求1所述的基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法，其特征在于，所述步骤G包括：
正面光学光刻，电子束蒸发一层厚度为300nm的金属Al，超声剥离，形成电极。
9. 根据权利要求1所述的基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法，其特征在于，所述步骤H包括：
在真空环境下硅晶片背面与硼硅玻璃Corning7740进行阳极键合，相对于玻璃，硅保持正极，电压1200V，温度400℃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNA2007100648781A CN101274740A (zh) | 2007-03-28 | 2007-03-28 | 基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNA2007100648781A CN101274740A (zh) | 2007-03-28 | 2007-03-28 | 基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101274740A true CN101274740A (zh) | 2008-10-01 |
Family
ID=39994663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2007100648781A Pending CN101274740A (zh) | 2007-03-28 | 2007-03-28 | 基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101274740A (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102519657A (zh) * | 2011-11-22 | 2012-06-27 | 上海交通大学 | 二维矢量柔性热敏微剪切应力传感器及其阵列和制备方法 |
| CN104022206A (zh) * | 2014-04-29 | 2014-09-03 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 具备分布式布拉格反射镜的发光二极管外延片的返工方法 |
| CN104724662A (zh) * | 2013-12-19 | 2015-06-24 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种多晶硅应力传感器及其制作方法 |
| CN111463340A (zh) * | 2020-05-09 | 2020-07-28 | 中国科学院微电子研究所 | 热电堆及其制作方法 |
| CN111819501A (zh) * | 2018-03-21 | 2020-10-23 | 尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司 | 制造硅游丝的方法 |
| CN112992670A (zh) * | 2019-12-16 | 2021-06-18 | 山东有研半导体材料有限公司 | 一种用于降低硅基背封抛光片应力的方法 |
| CN113998663A (zh) * | 2021-10-29 | 2022-02-01 | 机械工业仪器仪表综合技术经济研究所 | 具有真空隔热层的mems微热板及其制备方法 |
-
2007
- 2007-03-28 CN CNA2007100648781A patent/CN101274740A/zh active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102519657A (zh) * | 2011-11-22 | 2012-06-27 | 上海交通大学 | 二维矢量柔性热敏微剪切应力传感器及其阵列和制备方法 |
| CN102519657B (zh) * | 2011-11-22 | 2013-12-11 | 上海交通大学 | 二维矢量柔性热敏微剪切应力传感器及其阵列和制备方法 |
| CN104724662A (zh) * | 2013-12-19 | 2015-06-24 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种多晶硅应力传感器及其制作方法 |
| CN104724662B (zh) * | 2013-12-19 | 2016-05-25 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种多晶硅应力传感器及其制作方法 |
| CN104022206A (zh) * | 2014-04-29 | 2014-09-03 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 具备分布式布拉格反射镜的发光二极管外延片的返工方法 |
| CN104022206B (zh) * | 2014-04-29 | 2017-05-03 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 具备分布式布拉格反射镜的发光二极管外延片的返工方法 |
| CN111819501A (zh) * | 2018-03-21 | 2020-10-23 | 尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司 | 制造硅游丝的方法 |
| CN112992670A (zh) * | 2019-12-16 | 2021-06-18 | 山东有研半导体材料有限公司 | 一种用于降低硅基背封抛光片应力的方法 |
| CN112992670B (zh) * | 2019-12-16 | 2022-10-28 | 山东有研半导体材料有限公司 | 一种用于降低硅基背封抛光片应力的方法 |
| CN111463340A (zh) * | 2020-05-09 | 2020-07-28 | 中国科学院微电子研究所 | 热电堆及其制作方法 |
| CN113998663A (zh) * | 2021-10-29 | 2022-02-01 | 机械工业仪器仪表综合技术经济研究所 | 具有真空隔热层的mems微热板及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101274738A (zh) | 基于多晶硅特性制作热剪切应力传感器的方法 | |
| CN101274740A (zh) | 基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法 | |
| CN101665231B (zh) | 一种基于(100)硅片采用双面对穿腐蚀制造薄膜器件结构及方法 | |
| CN102668106B (zh) | 具有特定结构的金属背反射物 | |
| CN101922984B (zh) | 纳米硅薄膜四岛-梁-膜传感器芯片及其制备方法 | |
| CN101308110B (zh) | 有加热功能低功耗双模块集成湿度敏感芯片及其制作方法 | |
| CN104931163B (zh) | 一种双soi结构mems压力传感器芯片及其制备方法 | |
| US9258894B2 (en) | Bolometer and preparation method thereof | |
| CN104297520A (zh) | 一种单片嵌入结构集成硅加速度和压力复合传感器 | |
| CN101913553B (zh) | 一种体硅刻蚀和金硅键合复合工艺方法 | |
| CN104854708A (zh) | 太阳能电池及其制造方法和太阳能电池模块 | |
| CN104535253A (zh) | 一种高温压力传感器及其加工方法 | |
| CN102264025A (zh) | 麦克风制作方法 | |
| CN113371674B (zh) | 一种宽量程压力传感器芯片及其单片集成制备方法 | |
| CN103364118A (zh) | 压阻式压力传感器及其制造方法 | |
| CN105021328B (zh) | Cmos工艺兼容的压阻式压力传感器及其制备方法 | |
| CN104891425A (zh) | 基于石墨烯的流量传感器芯片及其制备方法 | |
| CN102889933B (zh) | Mems热电堆红外探测器芯片、其内芯片及本身的制造方法 | |
| CN102539033A (zh) | 微机电系统压力传感器的制作方法 | |
| CN101472212B (zh) | 一种Post-CMOS电容式硅基微传声器及其制备方法 | |
| CN104266781A (zh) | 压阻式压力传感器及其制造方法 | |
| CN104142359A (zh) | 一种mems气体传感器及其加工方法 | |
| US20100313943A1 (en) | Thin-film solar cell and process for producing it | |
| CN100399005C (zh) | 基于真空粘合工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法 | |
| CN204085748U (zh) | 压阻式压力传感器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20081001 |