TWI787568B - 積層製造系統、產生三維物體之方法及相關資料儲存媒體 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一些包括一積層製造系統之實施例，該積層製造系統包括一處理器及用以儲存指令之一記憶體。該些指令使得處理器從與一個三維構建物體相關之接收的資料產生列印資料。所產生之列印資料包括：用以在構建材料層之構建區域處施配第一試劑之經界定之列印資料；用以在構建材料層之構建區域內的組件接收區域處選擇性地施配第二試劑之經界定之列印資料，該第二試劑用以將該組件接收區域處之該構建材料之黏度局部降低至黏性狀態；及用以在該組件接收區域處於黏性狀態時將一組件定位於該組件接收區域內之經界定之列印資料。

Description

積層製造系統、產生三維物體之方法及相關資料儲存媒 體
本申請案涉及三維物體的積層製造。
積層製造機器藉由構建材料層來產生三維(3D)物體。一些3D列印技術被視為積層製程，因為其涉及施加連續材料層。一些積層製造機器通常稱作「3D列印機」。3D列印機及其他積層製造機器使得有可能將物體之其他數位表示的電腦輔助設計(computer aided design；CAD)模型轉換成實體物體。
提供一種積層製造系統，其包含：一處理器；及一記憶體，其用以儲存指令以使得該處理器：從與一個三維構建物體相關之接收的資料產生列印資料，所產生之列印資料包含：用以在一構建材料層之一構建區域處施配第一試劑之經界定之列印資料，用以將第二試劑施配於該構建材料層之該構建區域內的一組件接收區域處之經界定之列印資料，該第二試劑用以將該構建材料 在該組件接收區域處之黏度局部降低至黏性狀態，以及用以在該組件接收區域處於黏性狀態時將一組件定位於該組件接收區域內之經界定之列印資料。
提供一種產生三維物體之方法，其包含：將構建材料層分佈於一列印床上；在該構建材料層之一構建區域處施配第一試劑；在該構建材料層之構建區域內的一組件接收區域處選擇性地施配第二試劑；在該組件接收區域處，將該構建材料之黏度局部降低至黏性狀態；以及當該組件接收區域處之該構建材料處於該黏性狀態時，將一組件定位於該組件接收區域處之該構建材料層之厚度內。
提供一種儲存指令之非暫時性電腦可讀取之資料儲存媒體，該些指令可藉由一處理器執行以進行以下操作：界定列印資料以在複數個構建材料層之一構建區域處施配第一試劑；界定列印資料以將第二試劑選擇性地施配於該構建區域內之一組件接收區域處，該第二試劑用以將該組件接收區域處之構建材料之黏度局部降低至黏性狀態；以及界定列印資料以在該組件接收區域處於黏性狀態時，將一組件定位於該組件接收區域內。
100:積層製造系統
102:處理器
104:記憶體
106:電腦可讀取指令
108:指令
110:指令
112:指令
114:指令
200:積層製造系統
202:處理器
204:記憶體
216:流體施加器
217:線
218:能量源
219a:層
219b:層
219c:層
220:構建區域
221:組件置放設備
222:構建表面
223:線
224:構建材料供應裝置
230:構建物體
232:構建區域
234:組件接收區域
236:組件
319b:層
319c:層
319d:層
330a:物體
330b:物體
330c:物體
330d:物體
332:構建區域
334:組件接收區域
334a:組件接收區域
334b:組件接收區域
334c:組件接收區域
336:組件
336a:組件
336b:組件
336c:組件
338a:頂面
338b:頂面
338c:頂面
340a:底面
340b:底面
340c:底面
342:側面
342a:側面
342b:側面
342c:側面
344a:頂面
344b:頂面
344c:頂面
350:導電區域
400:積層製造方法
402:方法步驟
404:方法步驟
406:方法步驟
408:方法步驟
410:方法步驟
500:非暫時性電腦可讀取媒體
502:指令
504:指令
506:指令
d1:構建材料層厚度
t1:組件336a厚度
t2:組件336b厚度
t3:組件336c厚度
[圖1]為根據本發明之態樣的例示性積層製造系統之方塊圖。
[圖2]為根據本發明之態樣的例示性積層製造系統之示意圖。
[圖3]A-3C為根據本發明之態樣的包括安置於組件接收區域內之組件的三維構建物體之示意性橫截面側視圖。
[圖3D]為根據本發明之態樣的包括安置於組件接收區域內之組件的三維構 建物體之示意性橫截面俯視圖。
[圖4]為根據本發明之態樣的例示性積層製造方法之流程圖。
[圖5]為根據本發明之態樣的例示性非暫時性電腦可讀取媒體之方塊圖，該非暫時性電腦可讀取媒體包含可藉由處理器執行之一組指令。
在以下詳細描述中，參考隨附圖式，該些隨附圖式形成本文之部分，且其中以說明可實踐本發明之特定實施例的方式進行展示。應理解，在不背離本發明之範疇的情況下，可利用其他實施例，且可進行結構或邏輯改變。因此，不應以限制性的意義來進行以下詳細描述，且本發明之範疇係藉由所附申請專利範圍加以界定。應理解，除非特定地指出，否則本文所描述之各種實施例之特徵可部分或完全地與彼此組合。
在製造期間及/或之後追蹤及跟蹤三維(3D)列印物體可為有用的。在3D列印製程期間界定之光學指示符(例如，矩陣或二維條形碼、可觀察表面圖案或粗糙度等)提供一種允許3D列印物體得以掃描且使其關聯回具有關於3D列印物體之資訊之資料庫的手段。然而，此等光學指示符缺乏在3D列印物體之生命週期期間連續或週期性地修改界定於3D列印物體內之資料的能力。另外，若3D列印物體受損且光學指示符損毀，則其可能為不可讀取的，且3D列印物體可能不能夠關聯回儲存與3D列印物體相關之資訊的資料庫。根據本發明之態樣，積層製造製程可用於製造三維(3D)物體，該些物體包括安置於3D物體內之電子組件(例如，射頻識別裝置(radio-frequency identification device；RFID))，該些電子組件在3D列印物體之生命週期期間可用於追蹤及跟蹤3D物 體。
在積層製造製程期間在3D列印物體內包括電子組件之情況下論述本發明之實施例。亦可使用在積層製造之前預成型且嵌入3D列印物體內之其他組件。將電子組件及/或其他預成型組件嵌入3D列印物體內可為有用的。習知地，此已藉由使用積層製造製程結合其他製造製程(其可包括其他積層製造製程)來實現。舉例而言，一或多種積層製造製程可用於熔合及製造3D列印物體之主體。隨後，自積層製造系統移除3D列印物體，且通常人工地將電子組件及/或其他組件添加至該物體以封入3D列印物體之主體內或安置於3D列印物體之表面上。額外積層製造製程可在安裝及/或連接電子組件之後執行，例如以封閉電子組件。
此方法可減緩整個製造製程，此係因為通常暫停積層製造製程以便安裝及連接電子組件或電子裝置。此外，視安置電子組件的區域的柔軟性而定，電子組件的物理及電連接的品質可低於最佳，該區域一旦自積層製造系統移除即開始冷卻及硬化。
本發明之實施例藉由利用單一積層製造製程之條件來促進電子組件之物理及電連接而使用單一積層製造製程來製造包括諸如電子組件之組件的三維物體。舉例而言，在諸如多噴射熔合製程之一些類型的積層製造製程期間，熱量用於熔合形成三維物體層的材料。本發明之實施例將諸如電子裝置或其他預成型裝置或物體之組件插入至三維物體中，其係與三維物體同時製造。因此，用於熔合物體層之層之熱量亦可用於在不使用超出積層製造製程之額外製程之情況下有效地將電子組件熔合至物體。三維物體之額外層可隨後使用相同積層製造製程製造於電子組件上方。此導致物體材料與電子組件之間的穩固 的物理及電連接，同時最少延遲或破壞積層製造製程。
在多噴射熔合積層製造製程之情況下論述本發明之實施例。亦可採用其他類型之積層製造製程及系統，包括基於三維黏結劑噴射之系統。在積層製造製程中，電腦根據3D物體之數位模型控制構建材料(例如，粉末)及熔合或黏結劑之擴散以形成連續材料層。熔合劑可含有使得構建材料熔合在一起以形成物體之能量吸收材料或黏結材料。另外，精細劑可用以提高物體之解析度且為床內之選定區域提供冷卻。功能劑亦可用於向物體(例如，電導率)或其他試劑提供功能性。一些試劑可提供超過一個目的(例如充當熔合劑及功能劑兩者)。此等試劑中之每一者可在諸如暴露於熱量或能量之某些條件下活化。因此，隨著連續層彼此熔合，形成三維物體。
圖1為根據本發明之態樣的適用於形成3D列印物體之例示性積層製造系統100的方塊圖。積層製造系統100包括處理器102及記憶體104。記憶體102及處理器104可與資料儲存器(圖中未示)通信，該資料儲存器可包括關於待藉由積層製造系統100形成之3D構建物體的資料。記憶體102及/或處理器104可接收界定待列印之物體的資料，包括例如3D物體模型資料。在一個實施例中，3D物體模型資料包括關於構建物體大小、形狀、位置、定向、導電性、色彩等之資料。可自電腦輔助設計(CAD)系統或適用於產生三維構建物體的其他電子系統接收資料。處理器104可操控及轉換所接收及/或所儲存之資料以產生列印資料。處理器104使用列印資料，該些列印資料自待要形成之3D構建物體的3D構建物體模型資料導出以便控制積層製造系統100之元件從而選擇性地輸送/施加構建材料、列印劑及能量。
處理器102可控制積層製造系統100之操作，且可為基於半導體之 微處理器、中央處理單元(CPU)及特殊應用積體電路(application specific integrated circuit；ASIC)、場可程式化閘陣列(field-programmable gate array；FPGA)及/或其他硬體裝置。記憶體104可儲存可用以操作積層製造系統100之資料、程式、指令或任何其他機器可讀取資料。記憶體104可儲存處理器102可處理或執行之電腦可讀取指令106。記憶體102可為含有或儲存可執行指令106之電子、磁性、光學或其他物理儲存裝置。記憶體102可為例如隨機存取記憶體(RAM)、電子可抹除可程式化唯讀記憶體(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory；EEPROM)、儲存裝置、光碟等。記憶體102可為非暫時性機器可讀取儲存媒體。
指令106可包括一組指令108-114。指令108將從與三維構建物體相關之接收的資料產生列印資料。指令110可包括界定列印資料以將第一試劑施配於構建材料層之構建區域處。指令112可包括界定列印資料以將第二試劑選擇性地施配於構建材料層之構建區域內之組件接收區域處，該試劑用以將組件接收區域處之構建材料之黏度局部降低至黏性或熔融狀態。指令114可包括界定列印資料以在組件接收區域處於黏性狀態時將組件定位於組件接收區域內。
圖2為根據本發明之態樣的例示性積層製造系統200之示意圖。積層製造系統200包括處理器202、記憶體204、流體施加器216、能量源218及組件置放設備221。處理器202及記憶體204類似於上文所描述之處理器102及104。記憶體204儲存用以從與三維構建物體相關之接收的資料產生列印資料的指令。處理器202可產生經界定之列印資料，該經界定之列印資料可表示為物理(電子)量，以便使流體施加器216及能量源218產生包括組件236之3D構建物體，如下文進一步描述。
在一些實施例中，用於製造3D物體之積層製造系統200包括可相對於構建襯墊222沿著雙向行進路徑移動且支撐流體施加器(例如，列印頭)216及熔合能量(例如，輻射)源218的托架(圖中未示)。在一些實施例中，至少托架、能量源218及流體施加器216之組合可稱作列印總成。在一個實施例中，組件置放設備221承載於單獨托架(圖中未示)上。流體施加器216將選擇性施配或施加包括第二或熔合劑之多種流體劑。流體施加器216亦可選擇性施配第一或添加熔合劑、精細劑、功能劑等。能量源218可加熱構建材料及施配至構建材料上之試劑。組件置放設備221可將組件236(例如電子組件或裝置)定位於經加熱之構建材料內，如下文進一步論述。處理器202可產生經界定之列印資料以便使流體施加器216、能量源218及組件置放設備221產生包括待嵌入構建物體230中之組件219的構建物體230。處理器202可與托架協調而對能量源218、流體施加器216及組件置放設備221進行時序操作。
流體施加器216適合於基於所產生之列印資料而將如藉由線217所指示之諸如列印劑之液體試劑沈積至各構建材料層219a-219c上。流體施加器216基於列印資料選擇性地沈積列印劑。處理器214可轉換構建物體之接收的資料以產生包括位置之列印資料且選擇待自流體施加器216施配之列印劑。流體施加器216可包括多個噴墨筆以施配多種類型之列印劑。在一個實施例中，流體施加器216包括至少一個第一或第二試劑筆及至少一個精細劑筆。在一個實施例中，單獨的列印頭用於列印劑及精細劑中之每一者。流體施加器216可承載於移動托架系統上以跨越構建區域220移動。
列印劑可為可施加於例如構建材料219a-219c之能量吸收液體。可使用多於一種類型之適合的列印劑。藉由流體施加器216施配之列印劑可為熔 合劑(FA)、活化熔合劑(AFA)、塑化劑功能劑(PFA)、導電劑(CA)或精細劑(DA)及著色劑，例如如下文進一步論述。在一個實施例中，第一或活化熔合劑選擇性地施加於層219a-219b之構建區域232處，且第二或熔合劑藉由流體施加器216施加至層219a之構建區域232內之組件接收區域234。
根據一個實施例，適合的列印或熔合劑可為包含碳黑之墨水型調配物，諸如獲自HP公司商業上稱為V1Q60Q「HP熔合劑」之熔合劑調配物。熔合劑(FA)或更高能量吸收熔合劑可包括活性劑，諸如碳黑、碳奈米管、石墨烯、活性碳及其他碳化材料。第一(活化熔合)試劑(AFA)或更低能量吸收第二(熔合)試劑可包括活性劑，諸如鎳-二硫醇烯錯合物、摻雜銫之鎢青銅、PEDOT：PSS或其他IR吸收材料。導電劑(CA)可包括導電材料，其包含過渡金屬(例如，銀、銅、金、鉑、鈀、鉻、鎳、鋅等)奈米材料(例如，奈米粒子、奈米棒、奈米線、奈米管、奈米薄片等)。導電劑亦可包括過渡金屬合金奈米材料，諸如Au-Ag、Ag-Cu、Ag-Ni、Au-Cu、Au-Ni、Au-Ag-Cu或Au-Ag-Pd；導電氧化物(例如氧化銦錫、氧化銻、氧化鋅等)；導電聚合物(例如聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)聚苯乙烯磺酸酯(PEDOT：PSS)、聚乙炔、聚噻吩、任何其他共軛聚合物等)；含碳奈米材料(例如石墨烯(單層或多層)、碳奈米管(CNT，單壁或多壁)、石墨烯奈米帶、富勒烯等)及反應性金屬系統。塑化劑(PA)可包括2-甲基-苯磺醯胺、4-甲基-苯與2-甲基-苯磺醯胺之混合物、N-丁基苯磺醯胺(BBSA)、N-乙基苯磺醯胺(EBSA)、N-丙基苯磺醯胺(PBSA)、N-丁基-N-十二烷基苯磺醯胺(BDBSA)、N,N-二甲基苯磺醯胺(DMBSA)、對甲基苯磺醯胺、鄰/對甲苯磺醯胺、對甲苯磺醯胺、2-乙基己基-4-羥基苯甲酸酯、-4-羥基苯甲酸十六烷酯、4-羥基苯甲酸1-丁酯、鄰苯二甲酸二辛酯、鄰苯二甲酸 二異癸酯、己二酸二-(2-乙基己基)酯、磷酸三-(2-乙基己基)酯及其組合。試劑亦可包括水、界面活性劑、分散劑、保濕劑、殺生物劑、抗污染劑及其他添加劑。
熔合劑或第二試劑可具有比活化熔合劑或第一試劑更高的加熱效率。鑒於在藉由第一試劑產生之構建區域232中選擇性地施加第二試劑可導致選擇性地加熱構建材料內之特定組件接收區域234，此繼而降低構建材料之所選定組件接收區域234的黏度，此更高的加熱效率可為有用的。在一個實施例中，將能量施加至包括第二試劑之層219a使第二試劑所施加之組件接收區域234之溫度升高至足以產生更低黏度熔池之溫度(但低於將導致組件236失效之組件之臨界溫度，諸如利用電子裝置)，該更低黏度熔池將能夠接納插入至組件接收區域234中之組件236。舉例而言，可將施加第二試劑之組件接收區域234之溫度升高至處於或高於其熔融溫度之溫度。因此，第二試劑列印區段(亦即，組件接收區域234)可加熱至比用經活化熔合劑圖案化之周圍區段(亦即，構建區域232)更熱的顯著溫度。在一些實施例中，經第二試劑圖案化之區段可比經第一試劑圖案化之區段加熱高5至50℃。在一個實施例中，經第二試劑圖案化之區段可比經第一試劑圖案化之區段加熱高大致15℃。第一試劑可為包含鎳-二硫醇烯錯合物之墨水型形式。
在一個實施例中，第二試劑可具有比第一試劑更高的加熱效率，且可以物理化學方式減小構建材料之黏度。第二試劑亦可包括塑化劑功能劑。塑化劑功能劑亦可為墨水型形式且可類似地使用。塑化劑功能劑亦可用於藉由化學改變構建材料之熔融特性來降低選擇區域處之構建材料之黏度。在一個實施例中，塑化劑功能劑可經由物理化學手段降低構建材料之熔融黏度。在一個實施例中，可施加諸如熔合劑及塑化劑功能劑之多種第二試劑以局部降低組件 接收區域處之構建材料之黏度。
可施加列印劑至構建材料。構建材料可沈積於構建表面222上以形成構建材料層219。舉例而言，構建表面可為平板表面或在構建腔室內之平板上之構建材料的底層構建層。構建材料供應裝置224可供應且沈積連續構建材料層以在構建區域220內形成構建體積。舉例而言，可在托架上之構建區域內跨越構建表面222移動構建材料供應裝置224。構建材料可為基於粉末聚合物之類型之構建材料。舉例而言，構建材料可包括聚合物、陶瓷、金屬或複合粉末(及粉末狀材料)。聚合構建材料可為呈粉末形式之結晶或半結晶聚合物。在一些實施例中，粉末可自短纖維形成，或可包括短纖維，該些短纖維可例如自材料之長股或細線切割成短長度。根據一個實施例，適合之構建材料可為可獲自HP公司商業上稱為V1R10A「HP PA12」的PA12構建材料。
構建區域220可界定為三維空間，其中積層製造系統200可製造、產生或以其他方式生成三維構建物體230(示出部分形成)。構建區域220可佔據構建區域表面之上的三維空間，諸如構建區域床或平板222。在一個實施例中，構建區域220之寬度及長度(x及y方向)可為構建區域平台之寬度及長度，且構建區域220之高度可為構建區域平台可在z方向上移動之範圍。儘管圖中未示，但諸如活塞之致動器可控制構建區域平板222之垂直位置。
能量源218可將藉由線223指示之熔合能量施加至構建區域表面222上之構建材料層219a-219c之構建材料及列印劑以便形成物體層。額外層219d-219x(圖中未示)可形成於層219a-219c之上方及下方。能量源218可產生藉由列印劑之熔合能量吸收組分吸收之熱量以燒結、熔融、熔合或以其他方式聚結經圖案化之構建材料。在一些實施例中，能量源218可施加加熱能量，以將 構建材料加熱至熔合前溫度，且施加熔合能量，以將構建材料暫時熔合及/或選擇性地過渡至已施加列印劑之黏性狀態。可使用例如熱、紅外線、可見光或紫外線能量以加熱及熔合材料。能量源218可安裝至托架系統且跨越構建表面222移動以將加熱及熔合能量施加至經列印劑圖案化之構建材料。218可在床上方移動一或多次以提供足夠的加熱。
各構建材料層219a-219x中之構建材料及列印劑可暴露於能量源218，諸如熱能源。能量源218可包括加熱源以加熱構建材料層及熔合源，該熔合源將第一試劑與構建材料在選擇性地施加第一試劑之位置熔合且在選擇性施加第二試劑(例如熔合劑、塑化劑功能劑)之位置處將具有所施加之第二試劑之構建材料之黏度局部降低至熔融狀態。能量源218可分成不同能量源。此可包括固定於構建床上方之一個能量源及與列印托架附接或分離且在規定時間期間在床上方移動之一個能量源。此等獨立能量源中之一者或兩者可用以在形成層219a期間或之後建立熔融或黏性構建材料狀態。
第一試劑可藉由自熔合能量源吸收能量且將能量轉化為熱從而使構建材料之溫度升高至高於熔點或軟化點以熔合且形成物體主體來促進構建材料之熔合(在列印或施加時)。第二試劑(例如，熔合劑)可藉由以更高加熱效率自熔合能量源吸收能量且將能量轉化為熱從而將構建材料之溫度升高至黏性或熔融狀態來促進暫時局部降低構建材料之黏度(在列印或施加時)。組件236可嵌入已施加試劑之熔融構建材料(例如組件接收區域234)中，如下文進一步論述。
試劑可選擇性地降低組件接收區域234處之構建材料之黏度。用於熔合物體層之層之熱量亦可用於在不使用超出積層製造製程之額外製程之情 況下有效地將組件236熔合至物體層且在物體層內熔合。用於將組件236熔合至一或多個構建材料層內之位置的機制或製程可包括燒結、液體蒸發或分解、粒子之間的化學鍵結(例如，直接金屬-金屬鍵結)、乾燥及/或其他類型之熔合製程。三維物體之額外層可隨後使用相同積層製造製程製造於組件236上方。在一個具體實例中，形成三維物體之額外層作為獨立零件且組裝至形成有嵌入於其內之組件236之層。
組件置放設備221將組件236定位於正製造之三維物體內，同時製造三維物體。組件置放設備221可承載於可跨越列印床222移動的托架上。在一個實施例中，組件置放設備221可連接至流體施加器216及/或能量源218，從而允許其與流體施加器216及/或能量源218同時移動或分開。組件置放設備221由處理器202控制以用於組件236之自動置放。組件置放設備221可為自動「取放」設備。
在一個實施例中，組件置放設備221可包括y及z軸致動器、連接器臂、噴嘴、可控制之真空源(圖中未示)。其他適合之機制亦為可接受的。在一個實施例中，組件236可選擇性地與噴嘴嚙合及自噴嘴脫嚙(經由真空源抽吸)以用於承載及置放或定位組件236。致動器及連接器臂可用於垂直地及水平地(例如，沿y軸及z軸)移動組件236以適當地定位組件236且施加力以將組件236嵌入熔融組件接收區域234內。當組件236定位於組件接收區域234之熔融材料中以嵌入組件236時，將熔融材料(亦即，構建材料及試劑)移位至周圍材料層中。在一個實施例中，組件置放設備221在組件236上維持適量壓力持續預定時間，以在自組件置放設備釋放或脫嚙之前提供形成3D物體層之材料與組件236之間的強黏著。
在一些實施例中，組件236為預先形成之功能電子裝置且包括電 子組件。在一些實施例中，組件336可為能夠在電子訊問時傳輸回復信號之任何類型之接收傳輸器組件。在一個實施例中，電子裝置為射頻識別裝置(RFID)。RFID可與外部遠端通信源通信。亦可使用其他類型之電子裝置，包括任何類型之被動及/或主動電子組件(例如，電阻器、電晶體、電容器、二極體、電感器、電池、電線或導電接腳、通用串列匯流排連接器或其他電子連接器、感測器、積體電路等)。
圖3A-3C為根據本發明之態樣的包括安置於組件接收區域334a-334c內之組件336a-336c的三維構建物體330a-330c之示意性橫截面側視圖。構建層319b-319d形成構建區域332及組件接收區域334。各組件336a-336c可包括頂面338a-c、底面340a-c及在頂面338a-c與底面340a-c之間延伸的側面342a-c。組件336a-336c厚度為「t1」-「t3」，且嵌入組件336a-336c之構建材料層厚度為「d1」。構建材料層319b-319d可具有同等或實質上同等的厚度或可為不同厚度。在組件接收區域334處將組件336置放於構建材料319b-319d之一或多個層內。組件336定位於構建材料層319b-d內之預定距離(沿著z軸)。儘管僅說明一個組件336，但應理解，可在同一構建層內或在不同構建層319a-319x內包括多個組件336。
在一個實施例中，如圖3A中所說明，組件336a具有大致等於3D物體330a之層319c之厚度「d1」的厚度「t1」。在此實施例中，可迫使組件336a向下至構建層319c厚度中，以在適量壓力下將組件336a嵌入構建層319c內且將組件336a嵌入構建物體330a內。在一個實施例中，組件336a之頂面338a可與組件336a嵌入之構建材料層319c之頂面344a齊平或實質上齊平。如本文中所使用，術語「齊平」係指表面齊平(亦即共平面或同一水平)之配置。層319d可形成於 層319c上方以將組件336a封裝或完全嵌入或封閉在3D物體330a內。
在另一實施例中，如圖3B中所說明，組件336b可經定位以延伸至層319c下方之施配試劑之層319b內。在一個實施例中，藉由層319c中之組件接收區域334處之試劑吸收的能量可「滲移」至層319b中且部分地延伸至層319b中。此允許在至少一個層處於熔融狀態下時將組件置放於或凹進一或多個層中。可使用足以將電子組件至少部分地嵌入組件接收區域334b中之壓力，但壓力沒有大到使得組件334b接觸在組件接收區域334b之熔融材料下方之熔合材料，將組件336b定位且插入至組件接收區域334b處之熔融構建材料中。以此方式，組件336b可嵌入層319b及319c中，而由試劑接觸之構建材料處於熔融狀態下。頂面338a可在構建材料層319c之頂面344b上方凹進、齊平、實質上齊平或略微延伸。
圖3C說明嵌入層319c內且在層319c之頂面344c上方延伸之組件336c。組件336c可大於單一材料層厚度且小於3D物體330c之兩個層的厚度。組件336c之頂面338c定位於層319d之頂面下方以允許在無擴散裝置以任何實質方式接觸組件之情況下在層319d中擴散構建材料。在層319c之組件接收區域334c處所施配之試劑提供用於與電子組件336結合之材料的熔融狀態。
圖3D說明根據本發明之態樣的貫穿層391c之橫截面圖。組件336嵌入組件接收區域334內。組件336可由組件接收區域334之黏性材料沿著側面342包圍。組件336結合於包圍組件336之熔合材料。
在一個實施例中，電子組件336電連接至3D物體330內之導電區域350。導電區域350可由具有經列印之導電試劑之一或多個構建層形成於特定區域中，或可作為置放於根據本發明之態樣之構建層內或上之額外電組件添 加。導電區域350說明為單個線性導電區域，然而，導電區域350可包括多個導電區域且可在多個方向及定向上延伸穿過多個層。
在一個實施例中，導電區域350可形成用於與電子組件336(例如RFID)電子通信之天線。在一個實施例中，導電區域350可在多噴射熔合製程期間形成或列印為3D構建物體內之天線。電子裝置336可嵌入3D構建物體內(依照CAD模型之資料表示)以保存3D物體330之結構完整性且允許電子組件336與一或多個掃描系統通信。在一個實施例中，當電子組件336接近外表面或邊緣安置時，將塑化劑用作施加至組件接收區域334之第二試劑可在3D物體之外表面或邊緣附近提供較低熔融黏度且維持3D物體之維度準確度。在一個實施例中，電子組件336可安置於3D物體內之中心位置處，與3D物體之外部或暴露表面隔開，以輔助維持3D物體之維度準確度。可採用導電區域350(例如，天線)以輔助通信。諸如RFID之組件236、336可含有多種資訊，諸如識別資訊、選路資訊、安全資訊、操作資訊、運送資訊及其他構建及構建後資訊。
儘管圖2及圖3A-3D說明插入3D物體之單層中的單個組件，但本發明之實施例可用於將任何數目及類型之組件插入及嵌入3D物體之一個層或任何數目之層中。此外，組件之數目可包括多種不同類型之組件。
圖4為根據本發明之態樣的例示性積層製造方法400之流程圖。在402，將構建材料層分佈至列印床上。在404，在構建材料層之構建區域處施配第一試劑。在406，在構建材料層之構建區域內之組件接收區域處選擇性地施配第二試劑。在408，將組件接收區域處之構建材料之黏度局部降低至黏性狀態。在410，當組件接收區域處之構建材料處於黏性狀態時，將組件定位於組件接收區域處之構建材料層之厚度內。
圖5為根據本發明之態樣的例示性非暫時性電腦可讀取媒體500之方塊圖，該非暫時性電腦可讀取媒體包含可藉由處理器執行之一組指令。在一個實施例中，非暫時性電腦可讀取儲存媒體500包括於積層製造系統之記憶體中，且包括可藉由處理器執行之一組指令502-506。指令502可界定列印資料以將第一試劑施配於複數個構建材料層之構建區域處。指令504可界定列印資料以將第二試劑選擇性地施配於構建區域內之組件接收區域處，該試劑用以將組件接收區域處之構建材料之黏度局部降低至黏性狀態。指令506可界定列印資料以在組件接收區域處於黏性狀態時將組件定位於組件接收區域內。
儘管本文已經說明並描述特定實施例，但在不脫離本發明之範疇的情況下，多種替代及/或等效實施方式可取代所展示及描述之特定實施例。本申請案意欲涵蓋本文所論述之特定實施例的任何修改或變化。因此，預期本發明僅受申請專利範圍及其等效物限制。
400:積層製造方法
402:方法步驟
404:方法步驟
406:方法步驟
408:方法步驟
410:方法步驟

Claims (14)

  1. 一種積層製造系統，其包含：一處理器；及一記憶體，其用以儲存指令以使得該處理器：從與一個三維構建物體相關之經接收資料產生列印資料，所產生之列印資料包含：用以在一構建材料層之一構建區域處施配第一試劑之經界定之列印資料，用以將第二試劑施配於該構建材料層之該構建區域內的一組件接收區域處之經界定之列印資料，該第二試劑用以將構建材料在該組件接收區域處之黏度局部降低至黏性狀態，及用以在該組件接收區域處於黏性狀態時將一組件埋入該組件接收區域處之該構建材料層之一厚度內以定位之經界定之列印資料，其中該第二試劑與該第一試劑相比具有更高的加熱或物理化學效率以降低該構建材料之黏度。
  2. 如請求項1之積層製造系統，其包含：一列印頭，其用以將該第一試劑施配至在該構建區域處之該構建材料上，且基於所產生之列印資料而將該第二試劑選擇性地施配在該構建區域內之該組件接收區域處；一能量源，其用以施加熔合能量以在該構建區域處熔合該構建物體之一部分且使其達到黏性狀態且在該組件接收區域處熔合該構建物體之一部分；及一組件置放設備，其用以在該組件接收區域處選擇性地嚙合、定位及釋放 該組件。
  3. 如請求項2之積層製造系統，其中該組件置放設備係用以將力施加至該組件上，以將該組件在該組件接收區域處在該構建材料層之厚度內嵌入一預定距離。
  4. 如請求項3之積層製造系統，其中該組件具有大於該構建材料層之厚度的厚度。
  5. 一種產生三維物體之方法，其包含：將構建材料層分佈於一列印床上；在該構建材料層之一構建區域處施配第一試劑；在該構建材料層之構建區域內的一組件接收區域處選擇性地施配第二試劑；在該組件接收區域處，將構建材料之黏度局部降低至黏性狀態；及當該組件接收區域處之該構建材料處於該黏性狀態時，將一組件埋入該組件接收區域處之該構建材料層之一厚度內以定位，其中該第二試劑與該第一試劑相比具有更高的加熱或物理化學效率以降低該構建材料之黏度。
  6. 如請求項5之方法，其中局部降低該組件接收區域處之該黏度的步驟包括：用該構建材料熱活化該第二試劑。
  7. 如請求項5之方法，其包含：施加熔合能量，以將該構建區域處之該構建材料熔合，且將該構建材料局部降低至黏性狀態且在該組件接收區域處熔合該構建材料。
  8. 如請求項7之方法，其中在該組件接收區域處之該黏性構建 材料及該試劑將該組件結合至該組件接收區域內之該構建材料。
  9. 如請求項5之方法，其中將該組件定位於該構建材料層之厚度內的步驟包含：將該組件與一組件置放設備嚙合，將該組件移動至該組件接收區域上方之一位置，將該組件垂直地向下移動至該組件接收區域處之該構建材料層之厚度中，及自該組件置放設備釋放該組件。
  10. 如請求項5之方法，其中將該組件定位於該構建材料層之厚度內的步驟包含：在黏性狀態時，施加力至該組件上以將該組件移動至該組件接收區域處之該構建材料層中的一預定距離，直至該組件之頂面與該構建材料層之頂部實質上呈平面為止。
  11. 如請求項5之方法，其中將該組件定位於該構建材料層之厚度內的步驟包括：在該構建材料處於該黏性狀態時，用該組件將該組件接收區域處之一定量的該構建材料及該第二試劑移位。
  12. 如請求項5之方法，其包含：形成額外構建材料層以包覆該三維物體內之該組件。
  13. 如請求項5之方法，其包含：將該組件耦接至形成於該三維物體內之一天線，其中該組件為一射頻識別裝置。
  14. 一種儲存指令之非暫時性電腦可讀取之資料儲存媒體，該些 指令可藉由一處理器執行以進行以下操作：界定出用以在複數個構建材料層之一構建區域處施配第一試劑的列印資料；界定出用以將第二試劑選擇性地施配於該構建區域內之一組件接收區域處的列印資料，該第二試劑用以將該組件接收區域處之構建材料之黏度局部降低至黏性狀態；及界定出用以在該組件接收區域處於黏性狀態時將一組件埋入該組件接收區域處之該構建材料層之一厚度內以定位的列印資料，其中該第二試劑與該第一試劑相比具有更高的加熱或物理化學效率。
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