TWI785962B - 導光基板及使用其的顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

一種導光基板,包括光耦入區、光擴展區以及光耦出區。光耦入區包括複數個第一光柵。光擴展區包括複數個子光擴展區。每一子光擴展區設有複數個第二光柵。子光擴展區包含第一組子光擴展區以及第二組子光擴展區。第一組子光擴展區中的每一第二光柵包括第一微結構以及第二微結構。光耦出區包括複數個第三光柵。當影像光藉由第一光柵從光耦入區進入導光基板時,影像光於導光基板中先傳遞至光擴展區,再藉由複數個第二光柵傳遞至光耦出區後,再藉由複數個第三光柵從光耦出區射出。

Description

導光基板及使用其的顯示裝置
本案是有關於一種導光基板及顯示裝置。
目前市面上用於波導式擴增實境(Augmented Reality, AR)眼鏡中的導光元件(例如全反射導光器及擴束元件)大多使用斜角式光柵結構。雖然斜角式光柵結構在光效率上能夠充分利用,但量產難度較高,尤其採用奈米壓印時需要考慮拔模角度的問題。若使用直角光柵結構,雖然在半導體製程上較為容易,但因光柵將光傳輸至不同的角度,而導光元件只利用其中一道分光,因此輸出效率較小,也就是光效率差。
本案提供一種導光基板,其包括光耦入區、光擴展區以及光耦出區。光耦入區包括複數個第一光柵。光擴展區包括複數個子光擴展區,且每一子光擴展區設有複數個第二光柵。子光擴展區包含第一組子光擴展區以及第二組子光擴展區。第一組子光擴展區中的每一第二光柵包括第一微結構以及第二微結構。光耦出區包括複數個第三光柵。當影像光藉由第一光柵從光耦入區進入導光基板時,影像光於導光基板中先傳遞至光擴展區,再藉由複數個第二光柵傳遞至光耦出區後,再藉由複數個第三光柵從光耦出區射出。
本案亦提供一種顯示裝置,其包括顯示模組以及導光基板。顯示模組適於提供影像光。導光基板包括光耦入區、光擴展區以及光耦出區。光耦入區包括複數個第一光柵。光擴展區包括複數個子光擴展區,且每一子光擴展區設有複數個第二光柵。子光擴展區包含第一組子光擴展區以及第二組子光擴展區。第一組子光擴展區中的每一第二光柵包括第一微結構以及第二微結構。光耦出區包括複數個第三光柵。當影像光藉由第一光柵從光耦入區進入導光基板時,影像光於導光基板中先傳遞至光擴展區,再藉由複數個第二光柵傳遞至光耦出區後,再藉由複數個第三光柵從光耦出區射出。
本案再提供一種導光基板,其包括複數個堆疊設置的子導光基板。每一子導光基板包括光耦入區、光擴展區以及光耦出區。光耦入區包括複數個第一光柵。光擴展區包括複數個子光擴展區,且每一子光擴展區設有複數個第二光柵。子光擴展區包含第一組子光擴展區以及第二組子光擴展區。第一組子光擴展區中的每一第二光柵包括第一微結構以及第二微結構。光耦出區包括複數個第三光柵。當影像光藉由第一光柵從光耦入區進入該每一子導光基板時,影像光於該每一子導光基板中先傳遞至光擴展區,再藉由複數個第二光柵傳遞至光耦出區後,再藉由複數個第三光柵從光耦出區射出。
基於上述,在本案之導光基板或顯示裝置採用雙垂直柱的光柵結構,因此製造容易且具有較佳的導光效率。
圖1是根據本案的一實施例的顯示裝置的前視示意圖。圖2是圖1顯示裝置中的導光基板的立體示意圖。請同時參考圖1與圖2,本案的一實施例提供一種顯示裝置10,其包括顯示模組200以及導光基板100。顯示模組200適於提供影像光L。顯示模組200例如是液晶顯示器或發光二極體顯示器,本案不以此為限。
一實施例中,導光基板100包括光耦入區R1、光擴展區R2以及光耦出區R3。詳細來說,導光基板100包括基板110。基板110具有第一表面S1以及相對的第二表面S2。光耦入區R1、光擴展區R2以及光耦出區R3設置在第一表面S1。
光耦入區R1包括複數個第一光柵120,光擴展區R2包括複數個第二光柵130,且光耦出區R3包括複數個第三光柵140。影像光L藉由第一光柵120從光耦入區R1進入導光基板100,並在導光基板110中以全反射的方式傳遞。影像光L於導光基板100中先傳遞至光擴展區R2,再藉由第二光柵130傳遞至光耦出區R3後,再藉由第三光柵140從光耦出區R3射出。
影像光L從導光基板100射出後可被位於第一表面S1一側的使用者觀看。導光基板100適於使從第二表面S2一側的背景光穿過並使使用者同時看到影像光L與背景光。也就是說,影像光L從導光基板100射出後形成擴增實境影像而被使用者觀看。
圖1示意影像光L從第一表面S1一側射出。在另一實施例中,導光基板100也可被設計為使影像光L從第二表面S2一側射出,並使背景光從第一表面S1一側穿過而被使用者在第二表面S2一側觀看到。
一實施例中,第一光柵120設置在光耦入區R1。第二光柵130設置在光擴展區R2。第三光柵140設置在光耦出區R3。其中,第一光柵120垂直於第三光柵140。第二光柵130不平行且不垂直於第一光柵120與第三光柵140。
影像光L從光耦入區R1傳遞至光擴展區R2後,其藉由第二光柵130在第一方向(即圖2的y方向)上擴張。影像光L從光擴展區R2傳遞至光耦出區R3後,其藉由第三光柵140在第二方向(即圖2的x方向)上擴張。
一實施例中,光耦入區R1的面積小於光擴展區R2的面積,且光擴展區R2的面積小於光耦出區R3的面積。
一實施例中,基板110的材料包含透光材質,例如折射率落在1.4至2.2範圍內的二氧化矽(SiO 2)。
一實施例中,第一光柵120、第二光柵130或第三光柵140的材料是可見光與近紅外光低吸收、低損耗的介電質,例如折射率落在2.4至2.6範圍內的二氧化鈦(TiO 2)。
一實施例中,第一光柵120、第二光柵130或第三光柵140的折射率大於導光基板110的折射率。
圖3是圖2導光基板中的光耦入區的放大示意圖。請同時參考圖2與圖3,在本實施例中,光耦入區R1中的每一第一光柵120包括第三微結構122以及第四微結構124,其中第三微結構122及第四微結構124為直角式光柵。也就是說,光耦入區R1中的每一第一光柵120由雙垂直柱組成。
一實施例中,第三微結構122的寬度W1或第四微結構124的寬度W2大於0且小於445奈米。第三微結構122與第四微結構124之間的距離D1大於0且小於525奈米。並且第三微結構122或第四微結構124的高寬比H1/W1或H1/W2大於0且小於10。
一實施例中,第三微結構122與第四微結構124的高度H1相同。
一實施例中,第三微結構122與第四微結構124之間的寬度比W1/W2落在0.2至5.5的範圍內,或落在0.23至5.2的範圍內。
圖4是圖2導光基板中的光擴展區的放大示意圖。請同時參考圖2與圖4,在本實施例中,光擴展區R2包括複數個子光擴展區R2-1、R2-2。當影像光L從光耦入區R1傳遞至第一個子光擴展區R2-1時,影像光L的一部分會被引導至光耦出區R3,且影像光L的其餘部分會被引導至下一個子光擴展區R2-2,因而產生光擴展的效果。以此類推,最後影像光L的所有部分都會被引導至光耦出區R3。
圖2示意了光擴展區R2為方形。但本案不以此為限,光擴展區R2的形狀可依需求而定。
一實施例中,子光擴展區R2-1、R2-2被定義為:在任兩個相鄰的子光擴展區R2-1、R2-2中,第二光柵130中的光柵參數不同,其中光柵參數例如是光柵的結構、高度、寬度、結構之間的間距等。子光擴展區R2-1、R2-2之間可具有相同或不同的面積。而且,每一子光擴展區R2-1、R2-2設有複數個第二光柵130。子光擴展區R2-1、R2-2包含第一組子光擴展區以及第二組子光擴展區。第一組子光擴展區中的每一第二光柵130包括第一微結構132以及第二微結構134。也就是說,子光擴展區R2-1屬於第一組子光擴展區,並且子光擴展區R2-1中的每一第二光柵130由雙垂直柱組成。
一實施例中,第一微結構132的寬度W3或第二微結構134的寬度W4大於0且小於445奈米,第一微結構132與第二微結構134之間的距離D2大於0且小於525奈米,並且第一微結構132或第二微結構134的高寬比H2/W3或H2/W4大於0且小於10。
一實施例中,第一微結構132與第二微結構134的高度H2相同。
一實施例中,第一微結構132與第二微結構134之間的寬度比W3/W4落在0.2至5.5的範圍內,或落在0.23至5.2的範圍內。
一實施例中,第二組子光擴展區中的每一第二光柵130為單一微結構136。也就是說,子光擴展區R2-2屬於第二組子光擴展區,並且子光擴展區R2-2中的每一第二光柵130為單垂直柱。此外,光擴展區R2的其餘子光擴展區中的第二光柵130可依實際設計需求由雙垂直柱或單垂直柱組成,本案並不以此為限。
一實施例中,單一微結構136的寬度W5大於0且小於445奈米,並且單一微結構136的寬高比H3/W5大於0且小於10。
圖5是圖2導光基板中的光耦出區的放大示意圖。請同時參考圖2與圖5,在本實施例中,光耦出區R3包括複數個子光耦出區R3-1、R3-3。子光耦出區R3-1、R3-3被定義為:在任兩個相鄰的子光耦出區R3-1、R3-3中,第三光柵140中的光柵參數不同,其中光柵參數例如是光柵的結構、高度、寬度、結構之間的間距等。
子光耦出區R3-1、R3-3之間可具有相同或不同的面積。而且,每一子光耦出區R3-1、R3-3具有複數個第三光柵140。子光耦出區R3-1、R3-3包含第一組子光耦出區以及第二組子光耦出區。第一組子光耦出區中的每一第三光柵140包括第五微結構142以及第六微結構144。也就是說,子光耦出區R3-1屬於第一組子光耦出區,並且子光耦出區R3-1中的每一第三光柵140由雙垂直柱組成。
一實施例中,第五微結構142的寬度W6或第六微結構144的寬度W7大於0且小於445奈米,第五微結構142與第六微結構144之間的距離D3大於0且小於525奈米,並且第五微結構142或第六微結構144的寬高比H4/W6或H4/W7大於0且小於10。
一實施例中,第五微結構142與第六微結構144的高度H4相同。
一實施例中,第五微結構142與第六微結構144之間的寬度比W6/W7落在0.2至5.5的範圍內,或落在0.23至5.2的範圍內。
一實施例中,第二組子光耦出區中的每一第三光柵140為單一微結構146。也就是說,子光耦出區R3-3屬於第二組子光耦出區,並且子光耦出區R3-3中的每一第三光柵140為單垂直柱。此外,光耦出區R3的其餘子光耦出區中的第三光柵140可依實際設計需求由雙垂直柱或單垂直柱組成,本案並不以此為限。
一實施例中,子光耦出區R3-3中的單一微結構146的寬度W8大於0且小於445奈米,並且子光耦出區R3-3中的單一微結構146的寬高比H5/W8大於0且小於10。
請同時參考圖3、圖4與圖5,在本實施例中,第一光柵120之間具有相同的第一節距P1,第二光柵130之間具有相同的第二節距P2,且第三光柵140之間具有相同的第三節距P3。第一節距P1與第三節距P3相同,且第一節距P1與第二節距P2不同。
當第一節距P1與第三節距P3相同時,影像光L在光耦入區R1與光耦出區R3具有相同的繞射角度,因此使顯示模組200輸出的影像與在光耦出區R3觀看的影像一致。而當第一節距P1與第二節距P2不同時,則有利於光的擴束。
請再參考圖1,在本實施例中,顯示裝置10更包括透鏡組300。透鏡組300用以使通過的影像光L準直。
圖6繪示根據本案的一實施例的顯示裝置的影像光出光後的對比度相對視場角的曲線圖。圖6的曲線C1、C2分別示意了影像光L以垂直、傾斜(例如5度)入射於導光基板100,出光後的對比度相對視場角。
請參考圖6,角均勻度的範圍約落在-32度至22度之間。也就是說,本案的一實施例的導光基板100於光耦出區R3可提供約50至60度的視野(field of view, FOV)範圍。
基於上述,由於本案的導光基板100或顯示裝置10採用雙垂直柱的光柵結構,因此提高了光效率和視野大小。當結構為雙垂直柱奈米結構時,可將光強集中在其中一道分光,抑制其他分光,減少輸入損耗。同時也可以對雙垂直柱結構進行結構參數優化,可對特定分光效率進行特定的能量分配。當光於導光基板100中擴束時,可同時保持擴束後的光均勻度,且影像光L於大角度時保持較好的分光效率,以減緩暗角問題。
此外,本案實施例的導光基板100或顯示裝置10採用雙垂直柱的光柵結構也同時有利於使用半導體曝光製程來製作,例如奈米壓印。或當使用壓印製程時,垂直柱結構也易於拔模,因此在製程上較容易。
圖7是根據本案的另一實施例的導光基板的前視示意圖。請參考圖7,圖7的導光基板100’與圖2的導光基板100大致相同,其主要差異如下。在本實施例中,導光基板100’包括複數個堆疊設置的子導光基板100A、100B、100C。不同的子導光基板100A、100B、100C適於使影像光L中不同波長的光傳遞,例如紅光、綠光、藍光,但本案不以此為限。
一實施例中,相似於圖2的導光基板100,每一子導光基板100A、100B、100C包括光耦入區、光擴展區以及光耦出區。詳細來說,子導光基板100A包括基板110A、子導光基板100B包括基板110B,且子導光基板100C包括基板110C。
每一子導光基板100A、100B、100C的光耦入區、光擴展區以及光耦出區皆設置其對應的基板110A、子導光基板100B上。光耦入區包括複數個第一光柵120A、120B、120C。光擴展區包括複數個子光擴展區,且每一子光擴展區設有複數個第二光柵。光耦出區包括複數個第三光柵140A、140B、140C。
各第一光柵120A、120B、120C、第二光柵、第三光柵140A、140B、140C中的光柵參數與圖2的第一光柵120、第二光柵130、第三光柵140中的光柵參數相似,在此不再贅述。
其中,影像光L藉由第一光柵120A、120B、120C從光耦入區進入該每一子導光基板時,影像光L於該每一子導光基板中先傳遞至光擴展區,再藉由第二光柵傳遞至光耦出區後,再藉由個第三光柵140A、140B、140C從光耦出區射出。
基於上述,由於本案的導光基板100’具有複數個堆疊設置的子導光基板100A、100B、100C,因此各子導光基板100A、100B、100C中的第一光柵120A、120B、120C、第二光柵及第三光柵140A、140B、140C的光柵結構參數可針對不同的光波長來設計,其有利於使輸出的影像整體上具有較佳的品質。
綜上所述,由於本案的導光基板或顯示裝置採用雙垂直柱的光柵結構,因此提升中心視野的整體輸出擴束光效率,減少耗能,且增加水平及垂直的視野範圍。而導光基板在光輸出後的角均勻度提升,使人眼接收到的光在個別視角上的暗角情況減緩,並在視野範圍內接收到均勻的光照度。除此之外,採用雙垂直柱的光柵結構使在導光基板或顯示裝置在製程上較為容易。
10:顯示裝置 100、100’:導光基板 100A、100B、100C:子導光基板 110、110A、110B、110C:基板 120、120A、120B、120C:第一光柵 122:第三微結構 124:第四微結構 130:第二光柵 132:第一微結構 134:第二微結構 136、146:單一微結構 140、140A、140B、140C:第三光柵 142:第五微結構 144:第六微結構 200:顯示模組 300:透鏡組 C1、C2:曲線 D1、D2、D3:距離 H1、H2、H3、H4、H5:高度 L:影像光 P1:第一節距 P2:第二節距 P3:第三節距 R1:光耦入區 R2:光擴展區 R2-1、R2-2:子光擴展區 R3:光耦出區 R3-1、R3-3:子光耦出區 S1:第一表面 S2:第二表面 W1、W2、W3、W4、W5、W6、W7、W8:寬度
圖1是根據本案的一實施例的顯示裝置的前視示意圖。 圖2是圖1顯示裝置中的導光基板的立體示意圖。 圖3是圖2導光基板中的光耦入區的放大示意圖。 圖4是圖2導光基板中的光擴展區的放大示意圖。 圖5是圖2導光基板中的光耦出區的放大示意圖。 圖6繪示根據本案的一實施例的顯示裝置的影像光出光後的對比度相對視場角的曲線圖。 圖7是根據本案的另一實施例的導光基板的前視示意圖。
100:導光基板
110:基板
120:第一光柵
130:第二光柵
140:第三光柵
L:影像光
R1:光耦入區
R2:光擴展區
R3:光耦出區
S1:第一表面
S2:第二表面

Claims (15)

  1. 一種導光基板,包括: 一光耦入區,包括複數個第一光柵; 一光擴展區,包括複數個子光擴展區,且該每一子光擴展區設有複數個第二光柵,該些子光擴展區包含一第一組子光擴展區以及一第二組子光擴展區,該第一組子光擴展區中的每一第二光柵包括一第一微結構以及一第二微結構;以及 一光耦出區,包括複數個第三光柵; 其中,當一影像光藉由該些第一光柵從該光耦入區進入該導光基板時,該影像光於該導光基板中先傳遞至該光擴展區,藉由該些第二光柵傳遞至光耦出區後,再藉由該些第三光柵從該光耦出區射出。
  2. 如請求項1所述的導光基板,其中該第二組子光擴展區中的每一第二光柵為單一微結構。
  3. 如請求項1所述的導光基板,其中該光耦入區中的每一第一光柵包括一第三微結構以及一第四微結構。
  4. 如請求項1所述的導光基板,其中該光耦出區包括複數個子光耦出區,且該每一子光耦出區設有複數個第三光柵,該些子光耦出區包含一第一組子光耦出區以及一第二組子光耦出區,該第一組子光耦出區中的每一第三光柵包括一第五微結構以及一第六微結構。
  5. 如請求項4所述的導光基板,其中該第二組子光耦出區中的每一第三光柵為單一微結構。
  6. 如請求項1所述的導光基板,其中該第一光柵之間具有相同的第一節距,該些第二光柵之間具有相同的第二節距,且該些第三光柵之間具有相同的第三節距,該第一節距與該第三節距相同。
  7. 如請求項6所述的導光基板,其中該第一節距不等於該第二節距。
  8. 一種顯示裝置,包括: 一顯示模組,適於提供一影像光;以及 一導光基板,包括: 一光耦入區,包括複數個第一光柵; 一光擴展區,包括複數個子光擴展區,且該每一子光擴展區設有複數個第二光柵,該些子光擴展區包含一第一組子光擴展區以及一第二組子光擴展區,該第一組子光擴展區中的每一第二光柵包括一第一微結構以及一第二微結構;以及 一光耦出區,包括複數個第三光柵; 其中,當一影像光藉由該些第一光柵從該光耦入區進入該導光基板時,該影像光於該導光基板中先傳遞至該光擴展區,再藉由該些第二光柵傳遞至光耦出區後,再藉由該些第三光柵從該光耦出區射出。
  9. 如請求項8所述的顯示裝置,其中該第二組子光擴展區中的每一第二光柵為單一微結構。
  10. 如請求項8所述的顯示裝置,其中該光耦入區中的每一第一光柵包括一第三微結構以及一第四微結構。
  11. 如請求項8所述的顯示裝置,其中該光耦出區包括複數個子光耦出區,且該每一子光耦出區設有複數個第三光柵,該些子光耦出區包含一第一組子光耦出區以及一第二組子光耦出區,該第一組子光耦出區中的每一第三光柵包括一第五微結構以及一第六微結構。
  12. 如請求項11所述的顯示裝置,其中該第二組子光耦出區中的每一第三光柵為單一微結構。
  13. 如請求項8所述的顯示裝置,其中該些第一光柵之間具有相同的第一節距,該些第二光柵之間具有相同的第二節距,且該些第三光柵之間具有相同的第三節距,該第一節距與該第三節距相同。
  14. 如請求項13所述的顯示裝置,其中該第一節距與該第二節距不同。
  15. 一種導光基板,包括複數個堆疊設置的子導光基板,其中每一子導光基板包括: 一光耦入區,包括複數個第一光柵; 一光擴展區,包括複數個子光擴展區,且該每一子光擴展區設有複數個第二光柵,該些子光擴展區包含一第一組子光擴展區以及一第二組子光擴展區,該第一組子光擴展區中的每一第二光柵包括一第一微結構以及一第二微結構;以及 一光耦出區,包括複數個第三光柵; 其中,當一影像光藉由該些第一光柵從該光耦入區進入該每一子導光基板時,該影像光於該每一子導光基板中先傳遞至該光擴展區,再藉由該些第二光柵傳遞至光耦出區後,再藉由該些第三光柵從該光耦出區射出。
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