TWI785659B - 高出光率的覆晶式發光二極體裝置的製法及其製品 - Google Patents

高出光率的覆晶式發光二極體裝置的製法及其製品 Download PDF

Info

Publication number
TWI785659B
TWI785659B TW110122888A TW110122888A TWI785659B TW I785659 B TWI785659 B TW I785659B TW 110122888 A TW110122888 A TW 110122888A TW 110122888 A TW110122888 A TW 110122888A TW I785659 B TWI785659 B TW I785659B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
scale
emitting diode
flip
micron
Prior art date
Application number
TW110122888A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202301708A (zh
Inventor
丁肇誠
郭浩中
Original Assignee
抱樸科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 抱樸科技股份有限公司 filed Critical 抱樸科技股份有限公司
Priority to TW110122888A priority Critical patent/TWI785659B/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI785659B publication Critical patent/TWI785659B/zh
Publication of TW202301708A publication Critical patent/TW202301708A/zh

Links

Images

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

一種高出光率的覆晶式發光二極體裝置的製法，其包括以下步驟：(a’)移除一磊晶基板以裸露出一覆晶式發光二極體晶粒的一出光側；(a)對已移除該磊晶基板的覆晶式發光二極體晶粒的出光側施予一圖案化處理，以在該出光側形成一微米級至奈米級的圖案；(b)於該出光側的微米級至奈米級的圖案內填入複數波長轉換構件，該等波長轉換構件是選自量子點或尺寸介於微米至奈米間的螢光粉；(c)以原子層沉積法在該等波長轉換構件上沉積一保護層，令該保護層覆蓋該出光側的微米級至奈米級的圖案與波長轉換構件。本發明亦提供一種前述製法所製得的高出光率的覆晶式發光二極體裝置。

Description

高出光率的覆晶式發光二極體裝置的製法及其製品
本發明是有關於一種覆晶式發光二極體裝置，特別是指一種高出光率的覆晶式發光二極體裝置的製法及其製品。
相較於冷陰極螢光燈管(cold cathode fluorescent lamp，簡稱CCFL)，發光二極體(light emiting diode；以下簡稱LED)基於其自身所具備有的亮度高與省電等特性，因而更倍受液晶顯示器相關業者作為背光源來使用。此外，LED更於近十年來廣泛地應用於照明相關技術產業。LED相關技術領域的技術人員皆知，提升LED的出光率可取決於內部量子效率與外部量子效率。就提升LED的外部量子效率來說，不外乎是對LED的出光面施予表面粗糙化，以藉此降低自LED的發光層(active layer)所放射的光子產生全反射的機率並提升光子的出光效果。
參閱圖1，中華民國第M491255證書號新型專利案(以下稱前案1)公開一種現有的覆晶式發光二極體晶片1，其包括一具有複數凹陷101的基板10、一磊製於該基板10上的緩衝層11、一磊製於該緩衝層11上的發光二極體磊晶膜層結構12，及一對接觸電極13。該基板10是經由微影蝕刻製程予以圖案化，藉此在該基板10的一成長表面100處形成有該等凹陷101。該發光二極體磊晶膜層結構12具有一磊製於該緩衝層11上的第一型半導體層121、一磊製於該第一型半導體層121的發光層122，及一磊製於該發光層122上的第二型半導體層123。該等接觸電極13是分別設置在該第一型半導體層121與該第二型半導體層123上。
具體來說，該前案1一方面是利用該等凹陷101以確保該發光二極體磊晶膜層結構12的磊晶品質，另一方面是利用該等凹陷101令該發光層122所放射的光波(光子)能有效地被散射，並藉此降低光波(光子)的全反射機率以提高其整體的出光率。
上述前案1所公開的技術手段是目前業界用來提升LED出光率所常見的慣用技術，其雖然可提升LED的出光率。然而，前案1的基板10是影響其覆晶式發光二極體晶片1整體散熱效果的主要問題所在。縱使前案1的結構能提升整體出光率，但是對於散熱問題來說，仍是欠缺考量。
經上述說明可知，在提升覆晶式發光二極體裝置的出光率的前題下亦能考量到散熱問題，是所屬技術領域中的相關技術人員有待突破的課題。
因此，本發明的第一目的，即在提供一種能解決散熱問題且具備有高出光率的覆晶式發光二極體裝置的製法。
於是，本發明高出光率的覆晶式發光二極體裝置的製法，其包括以下步驟：一步驟(a’)、一步驟(a)、一步驟(b)，及一步驟(c)。該步驟(a’)是移除一磊晶基板以裸露出一覆晶式發光二極體晶粒的一出光側。該步驟(a)是對已移除該磊晶基板的覆晶式發光二極體晶粒的出光側施予一圖案化處理，以在該出光側形成一微米級至奈米級的圖案。該步驟(b)是於該出光側的微米級至奈米級的圖案內填入複數波長轉換構件，該等波長轉換構件是選自量子點(quantum dots；簡稱QDs)或尺寸介於微米至奈米間的螢光粉(phosphor)。該步驟(c)是以原子層沉積法(atomic layer deposition，以下簡稱ALD)在該等波長轉換構件上沉積一保護層，令該保護層覆蓋該出光側的微米級至奈米級的圖案與波長轉換構件。
本發明的第二目的，即在提供一種前述製法所製得的高出光率的覆晶式發光二極體裝置。
本發明高出光率的覆晶式發光二極體裝置，其包括一覆晶式發光二極體晶粒、複數波長轉換構件，及一保護層。該覆晶式發光二極體晶粒包括一已移除一磊晶基板且具有一微米級至奈米級的圖案的出光側。該等波長轉換構件填置於該微米級至奈米級的圖案內，且該等波長轉換構件是選自量子點或尺寸介於微米至奈米間的螢光粉。該保護層由原子層沉積法所製得，且沉積在該等波長轉換構件上以覆蓋該出光側的微米級至奈米級的圖案與波長轉換構件。
本發明的功效在於：圖案化處理是實施在已移除該磊晶基板的覆晶式發光二極體晶粒的出光側，不存在有業界所詬病的散熱阻礙，能在解決散熱問題的前提下，亦利用該微米級至奈米級的圖案與該等波長轉換構件降低光子的全反射機率以提升出光率。
在本發明被詳細描述的前，應當注意在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。
本發明高出光率的覆晶式發光二極體裝置的製法的一實施例，其包括以下步驟：一步驟(a’)、一步驟(a)、一步驟(b)，及一步驟(c)。
如圖2所示，該步驟(a’)是移除一磊晶基板21以裸露出一覆晶式發光二極體晶粒2的一出光側221。該步驟(a)是對已移除該磊晶基板21的覆晶式發光二極體晶粒2的出光側221施予一圖案化(patterning)處理，以在該出光側221形成一微米級至奈米級的圖案2230。較佳地，本發明該步驟(a)是實施一濕蝕刻(wet etching)或一乾蝕刻(dry etching)；且該步驟(a)的微米級至奈米級的圖案2230是凹坑、凸塊，或凹坑與凸塊的組合。更佳地，該微米級至奈米級的圖案2230是由具有該出光側221的一磊晶膜22的複數晶面2231所共同定義而成。具體來說，該覆晶式發光二極體晶粒2具有該磊晶膜22，及一對接觸電極23。該磊晶膜22包括該出光側221，及一相反於該出光側221並設置有該對接觸電極23的電連接側222。在本發明該實施例中，該磊晶膜22自該出光側221朝該電連接側222依序具有一磊製於該磊晶基板21的n型GaN層223、一磊製於該n型GaN層223上的發光層224，及一磊製於該發光層224的p型GaN層225。本發明該實施例的磊晶膜22是以GaN為主的III-V族光電半導體化合物為例做說明，但不限於此。
更佳地，該步驟(a)是實施該濕蝕刻，且該濕蝕刻是使用一酸性蝕刻劑或一鹼性蝕刻劑來實施。適用於本發明的酸性蝕刻劑可以是選自鹽酸(HCl)溶液、氫氟酸(HF)溶液，或草酸(H 2C 2O 4)溶液；適用於本發明的鹼性蝕刻劑可以是氫氧化鉀(KOH)溶液。在本發明該實施例中，該步驟(a)是使用氫氧化鉀溶液來對該n型GaN層223實施濕蝕刻，以令該n型GaN層223的特定晶面，如(111)、(100)等晶面裸露於外，並透過前述(111)、(100)等晶面共同定義出該微米級至奈米級的圖案2230。此處須說明的是，蝕刻劑的濃度與濕蝕刻的時間，與方法(如增加電化學處理)用以決定該微米級至奈米級的圖案2230的深度、尺寸與凹坑、凸塊的數量，且前述微米級至奈米級的圖案2230的深度、尺寸與凹坑、凸塊的數量更決定了自該發光層224放射出來的光子行進至此微米級至奈米級的圖案2230後所產生的光場型。進一步特別說明的是，基於該n型GaN層223本質上為六方晶相(hexagonal crystal phase)的單晶體，以致於經該濕蝕刻後所裸露的特定晶面2231與生俱有長程週期性的規則紋理，因而由此等特定晶面2231所共同定義而成的微米級至奈米級的圖案2230是呈現出奈米柱狀結構(columnar structure)並可被視為一光子晶體(photonic crystal)。
如圖3所示，該步驟(b)是於該出光側221的微米級至奈米級的圖案2230內填入複數波長轉換構件3，該等波長轉換構件3是選自量子點或尺寸介於微米至奈米間的螢光粉。適用於本發明該步驟(b)的螢光粉可以是鈣鈦礦(perovskite)結構的螢光粉。較佳地，該步驟(b)是經由一噴印技術(inject printing)或一旋塗技術(spin coating)將一含有該等波長轉換構件3的溶液塗覆於該出光側221的微米級至奈米級的圖案2230後，並予以乾燥。更佳地，該溶液含有該等波長轉換構件、有機溶劑、光敏材料，與分散劑。在本發明該實施例中，該步驟(b)是採用噴印技術來實施，且該溶液含有由硫化鎘(CdS)所製成的量子點、甲苯，與聚對羥基苯乙烯[poly (4-hydroxystyrene)]的光敏材料。本發明該實施例是以該溶液含有CdS量子點、甲苯，與聚對羥基苯乙烯例作說明，但其不限於此，前述的CdS量子點也可以改用InP量子點。
此處需補充說明的是，量子點是由III-V族或II-VI族光電半導體化合物所構成且尺寸達數奈米至數十奈米等級的光電材料。本發明該實施例的波長轉換構件3採用量子點的主要用意是在於，一方面利用量子點本質上的光致發光特性來調變該出光側221的波長，另一方面則是借助量子點的奈米尺寸使自該發光層224放射出來的光子行進至量子點時能降低其全反射的機率，以藉此提升光子的出光率。
如圖4所示，該步驟(c)是以原子層沉積法(ALD)在該等波長轉換構件3上沉積一保護層4，令該保護層4覆蓋該出光側221的微米級至奈米級的圖案2230與波長轉換構件3。適用於本發明該步驟(c)的保護層4是由金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、氧化矽(SiO 2)，或氧化鍺(GeO 2)所構成。舉例來說，前述的金屬、金屬氧化物與金屬氮化物可以是鋁(Al)、氧化鋁(Al 2O 3)與氮化鋁(AlN)。此處須說明的是，量子點基於其自身的奈米尺度導致穩定性不足；因此，本發明是使量子點受該保護層4所覆蓋，以藉此維持量子點的穩定性，而本發明該實施例的步驟(c)所實施的ALD主要用意在於，ALD具備有充分的覆蓋率，有利於覆蓋該出光側221的微米級至奈米級的圖案2230，因而能有效地覆蓋該微米級至奈米級的圖案2230與波長轉換構件3(量子點)，使量子點充分地受該保護層4所覆蓋。
較佳地，本發明該實施例的製法於該步驟(c)後還包含一步驟(d)。如圖5所示，該步驟(d)是於該保護層4上形成一波長調變層5，且該波長調變層5是由氮化物、氮氧化物，或硒化物(selenide)所構成。該波長調變層5可以是經由ALD所製得，也可以是透過其他薄膜沉積法所製得。須說明的是，該波長調變層5主要目的在於，一方面進一步地保護該保護層4內的波長轉換構件3(量子點)，另一方面是藉由其自身的折射率來改變光子行進至此波長調變層5時的波長，以調整光子離開該波長調變層5的波長。
經本發明上述對該實施例的製法的詳細說明可知，本發明高出光率的覆晶式發光二極體裝置的實施例，是如圖5所示，其包括該覆晶式發光二極體晶粒2、該等波長轉換構件3、該保護層4，及該波長調變層5。
該覆晶式發光二極體晶粒2包括已移除磊晶基板21且具有該微米級至奈米級的圖案2230的出光側221。
該等波長轉換構件3填置於該微米級至奈米級的圖案2230內，且該等波長轉換構件3是選自量子點或尺寸介於微米至奈米間的螢光粉。
該保護層4由ALD所製得，且沉積在該等波長轉換構件3上以覆蓋該出光側221的微米級至奈米級的圖案2230與波長轉換構件3。
該波長調變層5是形成於該保護層4上，且是由氮化物、氮氧化物，或硒化物所構成。
圖6顯示有取自本發明該實施例之製法所製得的高出光率的覆晶式發光二極體裝置的SEM影像，由SEM影像顯示可知，本發明該實施例之出光側的微米級至奈米級的圖案2230是呈現出奈米柱狀結構，且奈米柱狀結構內均勻填置有粒徑約15 nm至20 nm的量子點(QDs)。
整合上述各段的詳細說明，本發明該實施例已移除掉業界所詬病的散熱阻礙(也就是，磊晶基板21)，更對該磊晶膜22的出光側221的n型GaN層223施予濕蝕刻，以透過該n型GaN層223的晶面2231定義出可被視為一光子晶體的微米級至奈米級的圖案2230，從而降低行進至該微米級至奈米級的圖案2230處的光子的全反射機率。此外，進一步地利用該微米級至奈米級的圖案2230內的波長轉換構件3(量子點)來調變光子行進至該出光側221的波長並降低其全反射的機率以藉此提升光子的出光率。
綜上所述，本發明高出光率的覆晶式發光二極體裝置的製法及其製品，能在解決散熱問題的前提下利用該微米級至奈米級的圖案2230與該等波長轉換構件3(量子點)降低光子的全反射機率以提升出光率，故確實能達成本發明的目的。
惟以上所述者，僅為本發明的實施例而已，當不能以此限定本發明實施的範圍，凡是依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作的簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋的範圍內。
2:覆晶式發光二極體晶粒 21:磊晶基板 22:磊晶膜 221:出光側 222:電連接側 223:n型GaN層 2230:微米級至奈米級的圖案 2231:晶面 224:發光層 225:p型GaN層 23:接觸電極 3:波長轉換構件 4:保護層 5:波長調變層
本發明的其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中： 圖1是一正視示意圖，說明中華民國第M491255證書號新型專利案所公開的現有的覆晶式發光二極體晶片； 圖2是一正視示意圖，說明本發明高出光率的覆晶式發光二極體裝置的製法的一實施例的一步驟(a’)與一步驟(a)； 圖3是一正視示意圖，說明本發明該實施例的製法的一步驟(b)； 圖4是一正視示意圖，說明本發明該實施例的製法的一步驟(c)； 圖5是一正視示意圖，說明本發明該實施例的製法的一步驟(d)及執行完該步驟(d)所得的製品；及 圖6是一掃描式電子顯微鏡(SEM)影像，說明本發明該實施例之方法所製得的一覆晶式發光二極體裝置的一出光側。
2:覆晶式發光二極體晶粒
22:磊晶膜
221:發光側
222:電連接側
223:n型GaN層
2230:微米級至奈米級的圖案
2231:晶面
224:發光層
225:p型GaN層
23:接觸電極
3:波長轉換構件
4:保護層
5:波長調整層

Claims (18)

  1. 一種高出光率的覆晶式發光二極體裝置的製法，其包含以下步驟：一步驟(a’)，移除一磊晶基板以裸露出一覆晶式發光二極體晶粒的一出光側；一步驟(a)，對已移除該磊晶基板的覆晶式發光二極體晶粒的出光側施予一圖案化處理，以在該出光側形成一微米級至奈米級的圖案，其中，該微米級至奈米級的圖案是由具有該出光側的一磊晶膜的複數晶面所共同定義而成；一步驟(b)，於該出光側的微米級至奈米級的圖案內填入複數波長轉換構件，該等波長轉換構件是選自量子點或尺寸介於微米至奈米間的螢光粉；及一步驟(c)，以原子層沉積法在該等波長轉換構件上沉積一保護層，令該保護層覆蓋該出光側的微米級至奈米級的圖案與波長轉換構件。
  2. 如請求項1所述的高出光率的覆晶式發光二極體裝置的製法，其中，該步驟(a)是實施一濕蝕刻或一乾蝕刻。
  3. 如請求項1所述的高出光率的覆晶式發光二極體裝置的製法，其中，該步驟(a)的微米級至奈米級的圖案是凹坑、凸塊，或凹坑及凸塊的組合。
  4. 如請求項1所述的高出光率的覆晶式發光二極體裝置的製法，其中，該步驟(b)是經由一噴印技術或一旋塗技術將一含有該等波長轉換構件的溶液塗覆於該出光側的微 米級至奈米級的圖案。
  5. 如請求項4所述的高出光率的覆晶式發光二極體裝置的製法，其中，該溶液含有該等波長轉換構件、有機溶劑、光敏材料與分散劑。
  6. 如請求項1所述的高出光率的覆晶式發光二極體裝置的製法，其中，該步驟(c)的保護層是由金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、氧化矽，或氧化鍺所構成。
  7. 一種高出光率的覆晶式發光二極體裝置，包含：一覆晶式發光二極體晶粒，包括一已移除一磊晶基板且具有一微米級至奈米級的圖案的出光側，其中，該微米級至奈米級的圖案是由具有該出光側的一磊晶膜的複數晶面所共同定義而成；複數波長轉換構件，填置於該微米級至奈米級的圖案內，且該等波長轉換構件是選自量子點或尺寸介於微米至奈米間的螢光粉；及一保護層，由原子層沉積法所製得且沉積在該等波長轉換構件上以覆蓋該出光側的微米級至奈米級的圖案與波長轉換構件。
  8. 如請求項7所述的高出光率的覆晶式發光二極體裝置，其中，該微米級至奈米級的圖案是凹坑、凸塊，或凹坑及凸塊的組合。
  9. 如請求項7所述的高出光率的覆晶式發光二極體裝置，其中，該保護層是由金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、氧化矽，或氧化鍺所構成。
  10. 一種高出光率的覆晶式發光二極體裝置的製法，其包含以下步驟：一步驟(a’)，移除一磊晶基板以裸露出一覆晶式發光二極體晶粒的一出光側；一步驟(a)，對已移除該磊晶基板的覆晶式發光二極體晶粒的出光側施予一圖案化處理，以在該出光側形成一微米級至奈米級的圖案；一步驟(b)，於該出光側的微米級至奈米級的圖案內填入複數波長轉換構件，該等波長轉換構件是選自量子點或尺寸介於微米至奈米間的螢光粉；一步驟(c)，以原子層沉積法在該等波長轉換構件上沉積一保護層，令該保護層覆蓋該出光側的微米級至奈米級的圖案與波長轉換構件；及於該步驟(c)後還包含一步驟(d)，該步驟(d)是於該保護層上形成一波長調變層，且該波長調變層是由氮化物、氮氧化物，或硒化物所構成。
  11. 如請求項10所述的高出光率的覆晶式發光二極體裝置的製法，其中，該步驟(a)是實施一濕蝕刻或一乾蝕刻。
  12. 如請求項10所述的高出光率的覆晶式發光二極體裝置的製法，其中，該步驟(a)的微米級至奈米級的圖案是凹坑、凸塊，或凹坑及凸塊的組合。
  13. 如請求項10所述的高出光率的覆晶式發光二極體裝置的製法，其中，該步驟(b)是經由一噴印技術或一旋塗技術將一含有該等波長轉換構件的溶液塗覆於該出光側 的微米級至奈米級的圖案。
  14. 如請求項13所述的高出光率的覆晶式發光二極體裝置的製法，其中，該溶液含有該等波長轉換構件、有機溶劑、光敏材料與分散劑。
  15. 如請求項10所述的高出光率的覆晶式發光二極體裝置的製法，其中，該步驟(c)的保護層是由金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、氧化矽，或氧化鍺所構成。
  16. 一種高出光率的覆晶式發光二極體裝置，包含：一覆晶式發光二極體晶粒，包括一已移除一磊晶基板且具有一微米級至奈米級的圖案的出光側；複數波長轉換構件，填置於該微米級至奈米級的圖案內，且該等波長轉換構件是選自量子點或尺寸介於微米至奈米間的螢光粉；一保護層，由原子層沉積法所製得且沉積在該等波長轉換構件上以覆蓋該出光側的微米級至奈米級的圖案與波長轉換構件；及一波長調變層，是形成於該保護層上，且是由氮化物、氮氧化物，或硒化物所構成。
  17. 如請求項16所述的高出光率的覆晶式發光二極體裝置，其中，該微米級至奈米級的圖案是凹坑、凸塊，或凹坑及凸塊的組合。
  18. 如請求項16所述的高出光率的覆晶式發光二極體裝置，其中，該保護層是由金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、 金屬氮氧化物、氧化矽，或氧化鍺所構成。
TW110122888A 2021-06-23 2021-06-23 高出光率的覆晶式發光二極體裝置的製法及其製品 TWI785659B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW110122888A TWI785659B (zh) 2021-06-23 2021-06-23 高出光率的覆晶式發光二極體裝置的製法及其製品

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW110122888A TWI785659B (zh) 2021-06-23 2021-06-23 高出光率的覆晶式發光二極體裝置的製法及其製品

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI785659B true TWI785659B (zh) 2022-12-01
TW202301708A TW202301708A (zh) 2023-01-01

Family

ID=85794716

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110122888A TWI785659B (zh) 2021-06-23 2021-06-23 高出光率的覆晶式發光二極體裝置的製法及其製品

Country Status (1)

Country Link
TW (1) TWI785659B (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104953000A (zh) * 2014-03-27 2015-09-30 首尔伟傲世有限公司 发光二极管及发光装置
TW201937759A (zh) * 2017-12-21 2019-09-16 美商亮銳公司 具有減少面積之磷光發射表面之單體分段式led陣列架構

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104953000A (zh) * 2014-03-27 2015-09-30 首尔伟傲世有限公司 发光二极管及发光装置
TW201937759A (zh) * 2017-12-21 2019-09-16 美商亮銳公司 具有減少面積之磷光發射表面之單體分段式led陣列架構

Also Published As

Publication number Publication date
TW202301708A (zh) 2023-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8709845B2 (en) Solid state lighting devices with cellular arrays and associated methods of manufacturing
KR100668964B1 (ko) 나노 홈을 갖는 발광 소자 및 그의 제조 방법
JP5054366B2 (ja) ナノ構造物が形成された基板の製造方法及び発光素子並びにその製造方法
US11171267B2 (en) Process for fabricating an optoelectronic device including photoluminescent pads of photoresist
TWI531086B (zh) An optical substrate, a semiconductor light-emitting element, and a semiconductor light-emitting element
KR100682872B1 (ko) 고효율 반도체 발광 소자 및 그 제조방법
TWI476953B (zh) 半導體發光元件及其製作方法
Fan et al. Recent developments of quantum dot based micro-LED based on non-radiative energy transfer mechanism
TWI774759B (zh) 發光元件及其製造方法
KR101023135B1 (ko) 이중요철구조의 기판을 갖는 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100735488B1 (ko) 질화갈륨계 발광다이오드 소자의 제조방법
TW201347231A (zh) 發光二極體元件
KR101233768B1 (ko) 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이 방법에 의해 제조된 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드
TWM619504U (zh) 高出光率的覆晶式發光二極體裝置
TWI785659B (zh) 高出光率的覆晶式發光二極體裝置的製法及其製品
CN102290513B (zh) 一种大功率高亮度发光二极管芯片及其制造方法
CN214956937U (zh) 高出光率的覆晶式发光二极管装置
CN115602780A (zh) 高出光率的覆晶式发光二极管装置的制法及其制品
KR20130000262A (ko) 광효율이 향상된 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR20080114323A (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101136521B1 (ko) 발광 다이오드 및 그 제조방법
KR101221075B1 (ko) 나노 임프린트를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드 제조방법과 이를 통해 제조된 발광 다이오드 소자
TWI443864B (zh) Fabrication of crystalline structure
TWI671260B (zh) 具有提升發光效率之圖案化光電基板、發光二極體及其製作方法
DE102018108875A1 (de) Optoelektronisches Bauelement mit Passivierungsschicht und Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements