TWI784626B - 支援寬頻操作之行動裝置 - Google Patents

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張琨盛
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Abstract

一種支援寬頻操作之行動裝置,包括:一接地元件、一浮接金屬元件、一鄰近感測器、一第一輻射部、一第二輻射部、一第三輻射部,以及一介質基板。浮接金屬元件係與接地元件分離。鄰近感測器係耦接至浮接金屬元件。第一輻射部係耦接至浮接金屬元件,其中第一輻射部和浮接金屬元件共同形成關於鄰近感測器之一感測板。第二輻射部具有一饋入點,其中第二輻射部係至少部份由第一輻射部所包圍。第三輻射部係耦接至饋入點。浮接金屬元件、第一輻射部、第二輻射部,以及第三輻射部係共同形成一天線結構。

Description

支援寬頻操作之行動裝置
本發明係關於一種行動裝置,特別係關於一種行動裝置及其天線結構。
隨著行動通訊技術的發達,行動裝置在近年日益普遍。行動裝置通常具有無線通訊的功能,有些涵蓋長距離的無線通訊範圍,例如:行動電話使用2G、3G、LTE(Long Term Evolution)系統及其所使用700MHz、850 MHz、900MHz、1800MHz、1900MHz、2100MHz、2300MHz以及2500MHz的頻帶進行通訊,而有些則涵蓋短距離的無線通訊範圍,例如:Wi-Fi、Bluetooth系統使用2.4GHz、5.2GHz和5.8GHz的頻帶進行通訊。
天線為無線通訊領域中不可缺少之元件。倘若用於接收或發射信號之天線其頻寬(Bandwidth)不足,則很容易造成行動裝置之通訊品質下降。另一方面,鄰近感測器(Proximity Sensor)則有助於使行動裝置通過特定吸收率(Specific Absorption Rate,SAR)之法規規範。因此,如何設計出小尺寸、寬頻帶,並且具有鄰近感測功能之天線元件,對天線設計者而言是一項重要課題。
在較佳實施例中,本發明提出一種支援寬頻操作之行動裝置,包括:一接地元件;一浮接金屬元件,與該接地元件分離;一鄰近感測器,耦接至該浮接金屬元件;一第一輻射部,耦接至該浮接金屬元件,其中該第一輻射部和該浮接金屬元件共同形成關於該鄰近感測器之一感測板;一第二輻射部,具有一饋入點,其中該第二輻射部係至少部份由該第一輻射部所包圍;一第三輻射部,耦接至該饋入點;以及一介質基板,其中該第一輻射部、該第二輻射部,以及該第三輻射部皆設置於該介質基板上;其中該浮接金屬元件、該第一輻射部、該第二輻射部,以及該第三輻射部係共同形成一天線結構。
為讓本發明之目的、特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉出本發明之具體實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下。
在說明書及申請專利範圍當中使用了某些詞彙來指稱特定的元件。本領域技術人員應可理解,硬體製造商可能會用不同的名詞來稱呼同一個元件。本說明書及申請專利範圍並不以名稱的差異來作為區分元件的方式,而是以元件在功能上的差異來作為區分的準則。在通篇說明書及申請專利範圍當中所提及的「包含」及「包括」一詞為開放式的用語,故應解釋成「包含但不僅限定於」。「大致」一詞則是指在可接受的誤差範圍內,本領域技術人員能夠在一定誤差範圍內解決所述技術問題,達到所述基本之技術效果。此外,「耦接」一詞在本說明書中包含任何直接及間接的電性連接手段。因此,若文中描述一第一裝置耦接至一第二裝置,則代表該第一裝置可直接電性連接至該第二裝置,或經由其它裝置或連接手段而間接地電性連接至該第二裝置。
以下的揭露內容提供許多不同的實施例或範例以實施本案的不同特徵。以下的揭露內容敘述各個構件及其排列方式的特定範例,以簡化說明。當然,這些特定的範例並非用以限定。例如,若是本揭露書敘述了一第一特徵形成於一第二特徵之上或上方,即表示其可能包含上述第一特徵與上述第二特徵是直接接觸的實施例,亦可能包含了有附加特徵形成於上述第一特徵與上述第二特徵之間,而使上述第一特徵與第二特徵可能未直接接觸的實施例。另外,以下揭露書不同範例可能重複使用相同的參考符號或(且)標記。這些重複係為了簡化與清晰的目的,並非用以限定所討論的不同實施例或(且)結構之間有特定的關係。
此外,其與空間相關用詞。例如「在…下方」、「下方」、「較低的」、「上方」、「較高的」 及類似的用詞,係為了便於描述圖示中一個元件或特徵與另一個(些)元件或特徵之間的關係。除了在圖式中繪示的方位外,這些空間相關用詞意欲包含使用中或操作中的裝置之不同方位。裝置可能被轉向不同方位(旋轉90度或其他方位),則在此使用的空間相關詞也可依此相同解釋。
第1圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置100之立體圖。行動裝置100可以是一智慧型手機、一平板電腦,或是一筆記型電腦。如第1圖所示,行動裝置100包括:一鄰近感測器(Proximity Sensor,P-sensor)101、一接地元件(Ground Element)110、一浮接金屬元件(Floating Metal Element)120、一第一輻射部(Radiation Element)130、一第二輻射部140、一第三輻射部150,以及一介質基板(Dielectric Substrate)190,其中接地元件110、第一輻射部130、第二輻射部140、第三輻射部150皆可用金屬材質製成,例如:銅、銀、鋁、鐵,或是其合金。必須理解的是,雖然未顯示於第1圖中,但行動裝置100更可包括其他元件,例如:一處理器、一觸控面板、一揚聲器、一電池模組,以及一外殼。
接地元件110和浮接金屬元件120之形狀和尺寸在本發明中並不特別限制。接地元件110可由一接地銅箔(Ground Copper Foil)來實施,其更可耦接至一系統接地面(System Ground Plane)(未顯示)。浮接金屬元件120可由一浮接銅箔來實施,但其未耦接至前述之系統接地面。必須注意的是,浮接金屬元件120係與接地元件110完全分離。在直流(Direct Current,DC)之條件下,浮接金屬元件120係與接地元件110彼此電性隔離。
第一輻射部130可以大致呈現一U字形,其可定義出一缺口區域(Notch Region),而第二輻射部140可設置於此缺口區域當中。詳細而言,第一輻射部130具有一第一端131和一第二端132,其中第一輻射部130之第一端131係耦接至浮接金屬元件120,而第一輻射部130之第二端132為一開路端(Open End)。鄰近感測器101係耦接至浮接金屬元件120上之任一位置,其中第一輻射部130和浮接金屬元件120可共同形成關於鄰近感測器101之一感測板(Sensing Pad)。例如,當任一導體(例如:人體或金屬元件)靠近感測板時,藉由分析感測板和此導體間之一電容值(Capacitance),鄰近感測器101可推估出此導體至感測板兩者之間距。在一些實施例中,第一輻射部130更包括一第一增寬部份135,其寬度較第一輻射部130之其餘部份之寬度更大。
第二輻射部140可以大致呈現一J字形。第二輻射部140係至少部份由第一輻射部130所包圍。詳細而言,第二輻射部140具有一第一端141和一第二端142,其中一饋入點(Feeding Point)FP係位於第二輻射部140之第一端141處,而第二輻射部140之第二端142為一開路端。例如,第二輻射部140之第二端142和第一輻射部130之第二端132可以大致朝相同方向作延伸。饋入點FP更可耦接至一信號源(Signal Source)199。例如,信號源199可為一射頻(Radio Frequency,RF)模組。在一些實施例中,第二輻射部140更包括一第二增寬部份145,其寬度較第二輻射部140之其餘部份之寬度更大。例如,第二增寬部份145可鄰近於前述之第一增寬部份135,而此二者可以大致互相平行。必須注意的是,本說明書中所謂「鄰近」或「相鄰」一詞可指對應之二元件間距小於一既定距離(例如:5mm或更短),亦可包括對應之二元件彼此直接接觸之情況(亦即,前述間距縮短至0)。
第三輻射部150可以大致呈現一W字形。第三輻射部150可延伸至第一輻射部130之缺口區域之外。詳細而言,第三輻射部150具有一第一端151和一第二端152,其中第三輻射部150之第一端151係耦接至饋入點FP,而第三輻射部150之第二端152為一開路端。例如,第三輻射部150之第二端152和第一輻射部130之第二端132可以大致朝相同方向作延伸。在一些實施例中,第二輻射部140和第一輻射部130之間形成一第一耦合間隙(Coupling Gap)GC1,而第三輻射部150和第一輻射部130之間形成一第二耦合間隙GC2。
介質基板190可為一FR4(Flame Retardant 4)基板、一印刷電路板(Printed Circuit Board,PCB),或是一軟性電路板(Flexible Printed Circuit,FPC)。介質基板190具有相對之一第一表面E1和一第二表面E2,其中第一輻射部130、第二輻射部140,以及第三輻射部150皆可設置於介質基板190之第一表面E1。接地元件110和浮接金屬元件120可部份設置於介質基板190之第一表面E1,但它們亦可延伸至介質基板190之外部。在較佳實施例中,浮接金屬元件120、第一輻射部130、第二輻射部140,以及第三輻射部150係共同形成平面式之一天線結構(Antenna Structure)。因此,行動裝置100將可同時具有鄰近感測和無線通訊之雙重功能,且其天線結構可涵蓋寬頻操作。必須注意的是,由於天線結構所需之接地元件110和鄰近感測器101所需之浮接金屬元件120係互相分離,故鄰近感測器101將不會對天線結構之輻射性能造成負面影響。另外,因為天線結構和感測板共用第一輻射部130,故兩者之整體尺寸還可以進一步作微縮。
第2A圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置200之立體圖。第2A圖和第1圖相似。在第2A圖之實施例中,行動裝置200更包括一第四輻射部160、一第五輻射部170、一第六輻射部180,以及一導電貫通元件(Conductive Via Element)189,其均可由金屬材質所製成。詳細而言,第一輻射部130、第二輻射部140、第三輻射部150、第四輻射部160,以及第五輻射部170皆設置於介質基板190之第一表面E1,而第六輻射部180係設置於介質基板190之第二表面E2。另外,導電貫通元件189可穿透介質基板190。必須注意的是,在行動裝置200當中,浮接金屬元件120、第一輻射部130、第二輻射部140、第三輻射部150、第四輻射部160、第五輻射部170、第六輻射部180,以及導電貫通元件189可共同形成雙層式之一天線結構。第2B圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置200於介質基板190之第一表面E1之一部份元件之俯視圖。第2C圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置200於介質基板190之第二表面E2之另一部份元件之透視圖(亦即,將介質基板190視為一透明元件)。第2D圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置200之側視圖。請一併參考第2A、2B、2C、2D圖。
第四輻射部160可以大致呈現一C字形。詳細而言,第四輻射部160具有一第一端161和一第二端162,其中第四輻射部160之第二端162為一開路端,其可朝靠近第三輻射部150之方向作延伸。在一些實施例中,第四輻射部160包括鄰近第一端161之一第一延伸部份164、鄰近第二端162之一第二延伸部份165,以及一U字形部份166。第一延伸部份164及其第一端161係耦接至接地元件110。U字形部份166係耦接於第一延伸部份164和第二延伸部份165之間。另外,第四輻射部160之第二延伸部份165和第三輻射部150之間可形成一第三耦合間隙GC3。
第五輻射部170可以大致呈現一折線形。詳細而言,第五輻射部170具有一第一端171和一第二端172,其中第五輻射部170之第二端172為一開路端。例如,第五輻射部170之第二端172和第一輻射部130之第二端132可以大致朝相同方向作延伸。在一些實施例中,第五輻射部170包括鄰近於第一端171之一第一部份174和鄰近於第二端172之一第二部份175。第一部份174和第二部份175係互相耦接。第一部份174及其第一端171係耦接至接地元件110。第二部份175和第一部份174之間形成一鈍夾角θ1。
第六輻射部180可以大致呈現一直條形。詳細而言,第六輻射部180具有一第一端181和一第二端182,其中第六輻射部180之第一端181係經由導電貫通元件189耦接至第四輻射部160之第一延伸部份164,而第六輻射部180之第二端182為一開路端。例如,第六輻射部180之第二端182和第一輻射部130之第二端132可以大致朝相反方向作延伸。在一些實施例中,第六輻射部180於介質基板190之第一表面E1上具有一垂直投影(Vertical Projection),其中第六輻射部180之垂直投影係與饋入點FP、第二輻射部140,以及第三輻射部150皆至少部份重疊。
第3圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置200之天線結構之返回損失(Return Loss)圖,其中橫軸代表操作頻率(MHz),而縱軸代表返回損失(dB)。根據第3圖之量測結果,行動裝置200之天線結構可涵蓋一第一頻帶FB1、一第二頻帶FB2、一第三頻帶FB3、一第四頻帶FB4、一第五頻帶FB5、一第六頻帶FB6、一第七頻帶FB7,以及一第八頻帶FB8。例如,第一頻帶FB1可介於600MHz至700MHz之間,第二頻帶FB2可介於700MHz至900MHz之間,第三頻帶FB3可介於1400MHz至1600MHz之間(其亦稱為「L-Band」),第四頻帶FB4可介於1710MHz至2170MHz之間,第五頻帶FB5可介於2300MHz至2700MHz之間,第六頻帶FB6可介於3000MHz至4000MHz之間,第七頻帶FB7可介於4000MHz至5000MHz之間,而第八頻帶FB8可介於5000MHz至6000MHz之間。因此,行動裝置200之天線結構將至少可支援新世代5G通訊之sub-6GHz之寬頻操作。
在天線原理方面,第一輻射部130可激發產生前述之第一頻帶FB1、第三頻帶FB3,以及第五頻帶FB5。第二輻射部140可激發產生前述之第二頻帶FB2。第三輻射部150可激發產生前述之第四頻帶FB4。第四輻射部160可激發產生前述之第六頻帶FB6。第五輻射部170可激發產生前述之第七頻帶FB7。第六輻射部180可激發產生前述之第八頻帶FB8。
第4圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置200之天線結構之輻射效率圖,其中橫軸代表操作頻率(MHz),而縱軸代表輻射效率(dB)。根據第4圖之量測結果,行動裝置200之天線結構於前述第一頻帶FB1、第二頻帶FB2、第三頻帶FB3、第四頻帶FB4、第五頻帶FB5、第六頻帶FB6、第七頻帶FB7,以及第八頻帶FB8中之輻射效率皆可達-4dB或更高,此已可滿足新世代5G通訊之實際應用需求。
在一些實施例中,行動裝置200之元件尺寸可如下列所述。第一輻射部130之長度L1(亦即,由第一端131至第二端132之長度L1)可以大致等於天線結構之第一頻帶FB1之0.25倍波長(λ/4),亦可大致等於天線結構之第三頻帶FB3之0.5倍波長(λ/2)。第一輻射部130之第一增寬部份135之寬度W1可大於或等於5mm。第二輻射部140之長度L2(亦即,由第一端141至第二端142之長度L2)可以大致等於天線結構之第二頻帶FB2之0.25倍波長(λ/4)。第二輻射部140之第二增寬部份145之寬度W2可介於4mm至5mm之間。第三輻射部150之長度L3(亦即,由第一端151至第二端152之長度L3)可以大致等於天線結構之第四頻帶FB4之0.25倍波長(λ/4)。第四輻射部160之長度L4(亦即,由第一端161至第二端162之長度L4)可以大致等於天線結構之第六頻帶FB6之0.25倍波長(λ/4)。第五輻射部170之長度L5(亦即,由第一端171至第二端172之長度L5)可以大致等於天線結構之第七頻帶FB7之0.25倍波長(λ/4)。第六輻射部180之長度L6(亦即,由第一端181至第二端182之長度L6)可以大致等於天線結構之第八頻帶FB8之0.25倍波長(λ/4)。第一耦合間隙GC1之寬度可介於1mm至2mm之間。第二耦合間隙GC2之寬度可介於1mm至2mm之間。第三耦合間隙GC3之寬度可小於或等於1mm。鈍夾角θ1可介於90度至180度之間,例如:約為135度。浮接金屬元件120之長度LF可介於20mm至30mm之間。浮接金屬元件120之寬度WF可介於20mm至30mm之間。以上元件尺寸之範圍係根據多次實驗結果而得出,其有助於最佳化行動裝置100之天線結構之操作頻寬(Operation Bandwidth)、阻抗匹配(Impedance Matching),以及鄰近感測功能。
本發明提出一種新穎之行動裝置和天線結構,相較於傳統設計,本發明至少具有小尺寸、寬頻帶、整合鄰近感測功能,以及低製造成本等優勢,故其很適合應用於各種各式之行動通訊裝置當中。
值得注意的是,以上所述之元件尺寸、元件形狀,以及頻率範圍皆非為本發明之限制條件。天線設計者可以根據不同需要調整這些設定值。本發明之行動裝置及天線結構並不僅限於第1-4圖所圖示之狀態。本發明可以僅包括第1-4圖之任何一或複數個實施例之任何一或複數項特徵。換言之,並非所有圖示之特徵均須同時實施於本發明之行動裝置及天線結構當中。
在本說明書以及申請專利範圍中的序數,例如「第一」、「第二」、「第三」等等,彼此之間並沒有順序上的先後關係,其僅用於標示區分兩個具有相同名字之不同元件。
本發明雖以較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明的範圍,任何熟習此項技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可做些許的更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100,200:行動裝置 101:鄰近感測器 110:接地元件 120:浮接金屬元件 130:第一輻射部 131:第一輻射部之第一端 132:第一輻射部之第二端 135:第一輻射部之第一增寬部份 140:第二輻射部 141:第二輻射部之第一端 142:第二輻射部之第二端 145:第二輻射部之第一增寬部份 150:第三輻射部 151:第三輻射部之第一端 152:第三輻射部之第二端 160:第四輻射部 161:第四輻射部之第一端 162:第四輻射部之第二端 164:第四輻射部之第一延伸部份 165:第四輻射部之第二延伸部份 166:第四輻射部之U字形部份 170:第五輻射部 171:第五輻射部之第一端 172:第五輻射部之第二端 174:第五輻射部之第一部份 175:第五輻射部之第二部份 180:第六輻射部 181:第六輻射部之第一端 182:第六輻射部之第二端 189:導電貫通元件 190:介質基板 199:信號源 E1:第一表面 E2:第二表面 FB1:第一頻帶 FB2:第二頻帶 FB3:第三頻帶 FB4:第四頻帶 FB5:第五頻帶 FB6:第六頻帶 FB7:第七頻帶 FB8:第八頻帶 FP:饋入點 GC1:第一耦合間隙 GC2:第二耦合間隙 GC3:第三耦合間隙 L1,L2,L3,L4,L5,L6,LF:長度 W1,W2,WF:寬度 θ1:夾角
第1圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置之立體圖。 第2A圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置之立體圖。 第2B圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置於介質基板之第一表面之一部份元件之俯視圖。 第2C圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置於介質基板之第二表面之另一部份元件之透視圖。 第2D圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置之側視圖。 第3圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置之天線結構之返回損失圖。 第4圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置之天線結構之輻射效率圖。
100:行動裝置
101:鄰近感測器
110:接地元件
120:浮接金屬元件
130:第一輻射部
131:第一輻射部之第一端
132:第一輻射部之第二端
135:第一輻射部之第一增寬部份
140:第二輻射部
141:第二輻射部之第一端
142:第二輻射部之第二端
145:第二輻射部之第一增寬部份
150:第三輻射部
151:第三輻射部之第一端
152:第三輻射部之第二端
190:介質基板
199:信號源
E1:第一表面
E2:第二表面
FP:饋入點
GC1:第一耦合間隙
GC2:第二耦合間隙

Claims (10)

  1. 一種支援寬頻操作之行動裝置,包括:一接地元件;一浮接金屬元件,與該接地元件分離;一鄰近感測器,耦接至該浮接金屬元件;一第一輻射部,耦接至該浮接金屬元件,其中該第一輻射部和該浮接金屬元件共同形成關於該鄰近感測器之一感測板;一第二輻射部,具有一饋入點,其中該第二輻射部係至少部份由該第一輻射部所包圍;一第三輻射部,耦接至該饋入點;以及一介質基板,其中該第一輻射部、該第二輻射部,以及該第三輻射部皆設置於該介質基板上;其中該浮接金屬元件、該第一輻射部、該第二輻射部,以及該第三輻射部係共同形成一天線結構;其中該第一輻射部更包括一第一增寬部份,而該第二輻射部更包括一第二增寬部份。
  2. 如請求項1所述之行動裝置,其中該第二輻射部和該第一輻射部之間形成一第一耦合間隙,而該第三輻射部和該第一輻射部之間形成一第二耦合間隙。
  3. 如請求項1所述之行動裝置,更包括:一第四輻射部,包括一第一延伸部份、一第二延伸部份,以及一U字形部份,其中該第一延伸部份係耦接至該接地元件,該第二 延伸部份和該第三輻射部之間形成一第三耦合間隙,而該U字形部份係耦接於該第一延伸部份和該第二延伸部份之間。
  4. 如請求項3所述之行動裝置,更包括:一第五輻射部,包括互相耦接之一第一部份和一第二部份,其中該第一部份係耦接至該接地元件,而該第二部份和該第一部份之間形成一鈍夾角。
  5. 如請求項4所述之行動裝置,更包括:一導電貫通元件,穿透該介質基板;以及一第六輻射部,經由該導電貫通元件耦接至該第四輻射部之該第一延伸部份,其中該第六輻射部大致呈現一直條形。
  6. 如請求項5所述之行動裝置,其中該介質基板具有相對之一第一表面和一第二表面,其中該第一輻射部、該第二輻射部、該第三輻射部、該第四輻射部,以及該第五輻射部皆設置於該介質基板之該第一表面,而其中該第六輻射部係設置於該介質基板之該第二表面。
  7. 如請求項6所述之行動裝置,其中該第六輻射部於該介質基板之該第一表面上具有一垂直投影,而該垂直投影係與該饋入點、該第二輻射部,以及該第三輻射部皆至少部份重疊。
  8. 如請求項5所述之行動裝置,其中該天線結構涵蓋一第一頻帶、一第二頻帶、一第三頻帶、一第四頻帶、一第五頻帶、一第六頻帶、一第七頻帶,以及一第八頻帶,該第一頻帶係介於600MHz至700MHz之間,該第二頻帶係介於700MHz至900MHz 之間,該第三頻帶係介於1400MHz至1600MHz之間,該第四頻帶係介於1710MHz至2170MHz之間,該第五頻帶係介於2300MHz至2700MHz之間,該第六頻帶係介於3000MHz至4000MHz之間,該第七頻帶係介於4000MHz至5000MHz之間,而,該第八頻帶係介於5000MHz至6000MHz之間。
  9. 如請求項8所述之行動裝置,其中該第一輻射部之長度係大致等於該第一頻帶之0.25倍波長,該第二輻射部之長度係大致等於該第二頻帶之0.25倍波長,該第三輻射部之長度係大致等於該第四頻帶之0.25倍波長,該第四輻射部之長度係大致等於該第六頻帶之0.25倍波長,該第五輻射部之長度係大致等於該第七頻帶之0.25倍波長,而該第六輻射部之長度係大致等於該第八頻帶之0.25倍波長。
  10. 一種支援寬頻操作之行動裝置,包括:一接地元件;一浮接金屬元件,與該接地元件分離;一鄰近感測器,耦接至該浮接金屬元件;一第一輻射部,耦接至該浮接金屬元件,其中該第一輻射部和該浮接金屬元件共同形成關於該鄰近感測器之一感測板;一第二輻射部,具有一饋入點,其中該第二輻射部係至少部份由該第一輻射部所包圍;一第三輻射部,耦接至該饋入點;以及 一介質基板,其中該第一輻射部、該第二輻射部,以及該第三輻射部皆設置於該介質基板上;其中該浮接金屬元件、該第一輻射部、該第二輻射部,以及該第三輻射部係共同形成一天線結構;其中該行動裝置更包括:一第四輻射部,包括一第一延伸部份、一第二延伸部份,以及一U字形部份,其中該第一延伸部份係耦接至該接地元件,該第二延伸部份和該第三輻射部之間形成一第三耦合間隙,而該U字形部份係耦接於該第一延伸部份和該第二延伸部份之間。
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