TWI784449B

TWI784449B - 影像補償電路及方法

Info

Publication number: TWI784449B
Application number: TW110110265A
Authority: TW
Inventors: 楊峻瑜; 馬偉哲; 蔡詠誠; 白鳳霆
Original assignee: 聯詠科技股份有限公司
Priority date: 2020-03-27
Filing date: 2021-03-22
Publication date: 2022-11-21
Also published as: CN113450710A; US20210304677A1; US11295674B2; TW202137747A; CN113450710B

Abstract

本發明提供了一種影像補償電路，用來產生一輸出影像資料以驅動具有複數個畫素之顯示面板。影像補償電路包含有第一/第二控制電路以及第一/第二補償電路。第一控制電路可接收用於該複數個畫素的一輸入影像資料，並根據該輸入影像資料，產生對應於顯示面板上的電壓下降補償之第一補償值。第一補償電路可利用第一補償值來補償輸入影像資料。第二控制電路可從第一控制電路接收第一補償值，並根據該第一補償值，產生對應於畫素的通道長度調變效應補償之第二補償值。第二補償電路可利用第二補償值來補償輸入影像資料，以產生輸出影像資料。

Description

影像補償電路及方法

本發明係指一種影像補償電路及方法，尤指一種可用來補償有機發光二極體(Organic Light-Emitting Diode，OLED)面板之影像補償電路及其相關的補償方法。

請參考第1圖，第1圖為一有機發光二極體(Organic Light-Emitting Diode，OLED)面板(如主動矩陣式有機發光二極體(Active Matrix OLED，AMOLED)面板)上的一畫素10之示意圖。畫素10係由二薄膜電晶體(Thin-Film Transistor，TFT)T1及T2、二電容C1及C2、以及一有機發光二極體O1所組成，可接收電源供應電壓ELVDD及ELVSS以進行運作。藉由一掃描訊號S1的控制，可透過薄膜電晶體T1輸入一顯示資料D1至畫素。基於顯示資料D1可在電容C1上產生跨壓(即薄膜電晶體T2的閘極端及源極端之間)，因此，根據第1圖的金氧半場效電晶體(Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)公式，可產生通過有機發光二極體O1的電流I_OLED，電流I_OLED可乘上一亮度參數β以取得有機發光二極體O1的發光亮度(Lum)。

一般來說，有機發光二極體面板時常面臨電壓衰退(IR drop)的問題，其係由於有機發光二極體面板上的畫素及電源端之間阻抗的差異所造成，一般可透過一補償機制對電壓衰退進行補償，以改善有機發光二極體面板的亮度一致性。然而，用於電壓衰退的補償機制往往是基於如第1圖所示的簡化的金氧半場效電晶體公式來執行，而未考慮金氧半場效電晶體之通道長度調變效應(Channel Length Modulation Effect，CLM Effect)。在畫素10中，通道長度調變效應通常使薄膜電晶體T2之汲極電流(drain current)隨著汲極對源極電壓(drain-to-source voltage)的增加而逐漸提升，其中，汲極電流可作為用來驅動有機發光二極體O1的電流I_OLED。由於面板上的電壓衰退通常會影響電源供應電壓ELVDD，進而影響薄膜電晶體T2之源極電壓，使得通過有機發光二極體O1的電流I_OLED亦受到影響。因此，實有必要提供一種可用於有機發光二極體面板的新式補償機制，可同時對電壓衰退及通道長度調變效應進行補償。

因此，本發明之主要目的即在於提供一種可用來補償有機發光二極體(Organic Light-Emitting Diode，OLED)面板之影像補償電路及其相關的補償方法，以解決上述問題。

本發明之一實施例揭露一種影像補償電路，用來產生一輸出影像資料以驅動一顯示面板，該顯示面板包含有複數個畫素。該影像補償電路包含有一第一控制電路、一第一補償電路、一第二控制電路及一第二補償電路。該第一控制電路可用來接收用於該複數個畫素的一輸入影像資料，並根據該輸入影像資料，產生用於該複數個畫素的複數個第一補償值。該第一補償電路耦接於該第一控制電路，可用來利用該複數個第一補償值來補償用於該複數個畫素的該輸入影像資料。該第二控制電路耦接於該第一控制電路，可用來從該第一控制電路接收該複數個第一補償值，並根據該複數個第一補償值，產生用於該複數個畫素的複數個第二補償值。該第二補償電路耦接於該第二控制電路，可用來利用該複數個第二補償值來補償用於該複數個畫素的該輸入影像資料，以產生該輸出影像資料。其中，該複數個第一補償值對應於該顯示面板上一電壓下降的補償，該複數個第二補償值對應於該複數個畫素的一通道長度調變效應(Channel Length Modulation Effect，CLM Effect)的補償。

本發明之另一實施例揭露一種用於一影像補償電路之補償方法，該影像補償電路可用來產生一輸出影像資料以驅動具有複數個畫素的一顯示面板。該補償方法包含有下列步驟：接收用於該複數個畫素的一輸入影像資料；根據該輸入影像資料，產生用於該複數個畫素的複數個第一補償值；根據該複數個第一補償值，產生用於該複數個畫素的複數個第二補償值；以及利用該複數個第一補償值及該複數個第二補償值來補償用於該複數個畫素的該輸入影像資料，以產生該輸出影像資料。其中，該複數個第一補償值對應於該顯示面板上的一電壓下降的補償，該複數個第二補償值對應於該複數個畫素的一通道長度調變效應的補償。

10:畫素

T1,T2:薄膜電晶體

C1,C2:電容

O1:有機發光二極體

ELVDD,ELVSS:電源供應電壓

S1:掃描訊號

D1:顯示資料

I_OLED:電流

β:亮度參數

△V:壓降

I_ideal:理想電流

60,80,1402,1502,1602:影像補償電路

602,902,1512,1612:內容分析電路

604,904,1514:補償表

620:補償電路

r(x,y),g(x,y),b(x,y),D1~Dn:輸入影像資料

△V(x,y):電壓衰減值

△r(x,y),△g(x,y),△b(x,y):電壓衰退補償值

810:電壓衰退控制電路

820,1520:電壓衰退補償電路

830:通道長度調變控制電路

840,1540:通道長度調變補償電路

r’(x,y),g’(x,y),b’(x,y):中間影像資料

δ_R(x,y),δ_G(x,y),δ_B(x,y):通道長度調變補償值

r”(x,y),g”(x,y),b”(x,y):輸出影像資料

912,1522,1622:資料轉換電路

914,1524,1624:計算單元

916,1526,1626:儲存單元

V_G(x,y):閘極電壓

λ(x,y):通道長度調變參數

Vt(x,y):臨界電壓

V_D(x,y):汲極電壓

V1(x,y)~Vn(x,y):電壓值

140,150,160:顯示系統

1400,1500,1600:顯示驅動電路

1404,1504,1604:伽瑪產生器

1406,1506,1606:數位類比轉換器

1408,1508,1608:源極緩衝器

1410,1510,1610:顯示面板

Gr(x,y),Gg(x,y),Gb(x,y):輸入伽瑪碼

△Gr(x,y),△Gg(x,y),△Gb(x,y):電壓衰退補償值

Gr’(x,y),Gg’(x,y),Gb’(x,y):中間伽瑪碼

Gr”(x,y),Gg”(x,y),Gb”(x,y):輸出伽瑪碼

RV(x,y),GV(x,y),BV(x,y):原始伽瑪電壓

RV’(x,y),GV’(x,y),BV’(x,y):輸出伽瑪電壓

170:影像補償流程

1700~1710:步驟

第1圖為一有機發光二極體面板上的一畫素之示意圖。

第2A及2B圖為一顯示面板上的電壓衰退現象之示意圖。

第3圖以一維方式來描述電壓衰退。

第4圖繪示從電源近端至遠端的電源供應電壓曲線。

第5圖為電壓衰退對畫素電壓造成的影響及其補償方式之示意圖。

第6圖為用於電壓衰退補償的一影像補償電路之方塊圖。

第7圖為通道長度調變效應及其金氧半場效電晶體公式之示意圖。

第8圖為本發明實施例一影像補償電路之示意圖。

第9圖繪示第8圖中的影像補償電路的一種詳細實施方式。

第10圖繪示針對畫素電壓的電壓衰退及通道長度調變效應所進行的補償。

第11圖繪示僅補償電壓衰退的補償前及補償後的資料對電壓曲線之曲線圖。

第12圖繪示補償電壓衰退以及通道長度調變效應的補償前及補償後的資料對電壓曲線之曲線圖。

第13圖為說明電壓衰退及穆拉(Mura)現象補償之間的差異之示意圖。

第14圖為本發明實施例一顯示系統之示意圖。

第15圖為本發明實施例另一顯示系統之示意圖。

第16圖為本發明實施例又一顯示系統之示意圖。

第17圖為本發明實施例一影像補償流程之流程圖。

第2A及2B圖繪示電壓衰退的現象。在電流驅動之顯示面板上，由於顯示內容的改變，在電源線上會發生程度不一的電壓衰退(IR drop)，導致在相同顯示內容之下，不同顯示位置會因為與電源的距離不同而呈現出不同的亮度，導致顯示面板的亮度或色度一致性不佳，此顯示面板可能是有機發光二極體(Organic Light-Emitting Diode，OLED)面板，其畫面的亮度是由畫素中的有機發光二極體產生。

舉例來說，如第2A圖所示，面板上各畫素之間的電源線上具有寄生電阻(以R表示)，電源供應器位於面板下方，可用來供應電壓ELVDD予整片面板上的畫素。雖然電源供應器輸出的電壓為ELVDD，但每經過一段電阻R會出現壓降△V，且距離電源供應器愈遠則壓降愈大。此外，因△V=I×R，代表通過的電流愈大時，產生的壓降也愈大。因此，若點亮的畫素愈多，產生的電流也愈大，其電壓衰退的現象愈明顯。

如第2B圖所示，若在面板上顯示一張全白的畫面時(即開啟畫素比(On Pixel Ratio，OPR)等於100%)，雖然所有畫素都是白色的顯示資料，但距離電源端愈遠的位置測量到的亮度愈低。舉例來說，圓形中的數值代表每一位置上測量到的亮度值，其中，電源傳送的電源供應電壓ELVDD所對應的原始亮度等於600。如第2B圖所示，位於面板上端的畫素距離底部的電源端較遠，因而顯示較低亮度(如362、351、366)；而位於面板下端的畫素距離底部的電源端較近，因而顯示較高亮度(如488、477、492)。因此，面板不同位置上的亮度/色度呈現不一致的情況。由於整面圖像都顯示白色且所有畫素皆完全點亮，代表通過有機發光二極體的整體電流相當大，相對應的電壓衰退程度也較大。隨著電壓衰退的發生，畫素接收到的電壓值ELVDD會由下而上逐漸降低，導致亮度逐漸減弱。

第2B圖的右半部顯示全黑或暗色的畫面(開啟畫素比等於5%)，除了中間一小塊區域點亮為白色，此畫面產生的整體有機發光二極體電流極小。值得注意的是，比較全白和全黑畫面可知，即使在同一個位置上的畫素欲顯示相同亮度，但不同畫面內容亦可能造成該畫素面對的電壓衰退大小不同，這是因為面板整體電流的差異所造成。

請參考第3圖，第3圖以一維方式來描述電壓衰退。在沒有電壓衰退的情況下，所有畫素接收到的電源供應電壓ELVDD皆相同，其位置距離電源端由近而遠的畫素亮度也一致。當電壓衰退存在的情況下，由電源的近端到遠端會出現壓降，近端壓降較小(即△V₁)，且壓降隨著距離的增加而愈大(即△V₁<△V₂<...<△V_n)。因此，在相同的顯示資料之下，距離電源端愈近的位置上的有機發光二極體可接收較大的電流(即I₁)；隨著與電源端的距離愈來愈大，位置距離電源端愈遠的有機發光二極體可接收到的電流愈小(即I₁>I₂>...>I_n)，進而產生較低亮度。因此，電壓衰退造成面板上呈現漸層的亮度分布。

由電源近端至遠端的電源供應電壓ELVDD大小可表示為第4圖之曲線。一般來說，近端之電源線上通過的電流包含供應給整片面板的電流，因而具有較大的壓降；相較之下，當電流流向各畫素的有機發光二極體之後，到達遠端處電源線的電流愈來愈小，使得遠端電壓下降的斜率逐漸趨緩。換言之，當電壓衰退存在的情況下，位於電源近端之電壓下降的斜率較大，到遠端則逐漸變緩。

請參考第5圖，第5圖為電壓衰退對畫素電壓造成的影響及其補償方式之示意圖，第5圖並加入第1圖的畫素結構以方便說明。如上所述，用來驅動有機發光二極體O1的電流I_OLED可根據薄膜電晶體(Thin-Film Transistor，TFT)T2的源極電壓(source voltage)V_S及閘極電壓(gate voltage)V_G來決定。在沒有電壓衰退的情況下，近端和遠端的畫素都具有理想的源極電壓V_S及閘極電壓V_G，可依此計算出準確的理想電流I_ideal。當電壓衰退存在的情況下，遠端和近端畫素的源極電壓V_S有所差異(即存在壓降-△V)，造成不同的源極對閘極電壓(source-to-gate voltage)V_SG，使得計算出的電流I_OLED不同於理想電流I_ideal，進而導致不同的亮度。一種可行的理想補償方式係在閘極端減去相等於壓降大小的電壓△V，在公式上可得到補償的電壓-△V與電壓衰退的壓降-△V彼此抵消。每一畫素皆可得到其對應的電壓衰退大小，同時在閘極端減去相對應的電壓值，如此一來，經補償後每一畫素皆可得到理想電流I_ideal。

請參考第6圖，第6圖為用於電壓衰退補償的一影像補償電路60之方塊圖。影像補償電路60可包含於時序控制器或源極驅動裝置的顯示驅動電路或訊號處理電路中，用來控制有機發光二極體面板。根據所接收的影像內容，影像補償電路60可分析每一位置(x,y)上的壓降，以判斷每一位置的電壓衰退大小，其中，x及y分別代表畫素的水平座標及垂直座標。如第6圖所示，影像補償電路60包含有一內容分析電路602、一補償表604及一補償電路620。首先，影像補償電路60接收不同顏色的輸入影像資料r(x,y)、g(x,y)、b(x,y)。內容分析電路602可分析輸入影像資料r(x,y)、g(x,y)、b(x,y)之內容以取得每一位置上的電壓衰減，並產生對應於不同位置上的畫素的電壓衰減值△V(x,y)。電壓衰減值△V(x,y)可根據對應畫素所面臨的電壓衰退大小來決定，其與畫素位置和影像的開啟畫素比有關，例如第5圖所示的電壓下降值-△V。基於補償表604，電壓衰減值△V(x,y)可進一步轉換為用於各畫素的不同顏色的補償值△r(x,y)、△g(x,y)、△b(x,y)，透過補償電路620可分別將這些補償值△r(x,y)、△g(x,y)、△b(x,y)加入輸入影像資料r(x,y)、g(x,y)、b(x,y)，進而計算輸出影像資料r’(x,y)、g’(x,y)、b’(x,y)如下：r’(x,y)=r(x,y)+△r(x,y)；g’(x,y)=g(x,y)+△g(x,y)；b’(x,y)=b(x,y)+△b(x,y)。

值得注意的是，電壓衰減值△V(x,y)是用來補償前述電壓衰退-△V之電壓值。電壓衰減值△V(x,y)屬於電壓域，其不同於輸入影像資料r(x,y)、g(x,y)、 b(x,y)的定義域。電壓衰減值△V(x,y)需轉換為可用於影像資料的補償值△r(x,y)、△g(x,y)、△b(x,y)，以在影像資料域進行計算。一般來說，補償值△r(x,y)、△g(x,y)、△b(x,y)的調整/補償對應於相同電壓差。

另外需注意的是，電壓衰減值△V(x,y)及其補償值△r(x,y)、△g(x,y)、△b(x,y)的決定不僅僅是依據對應畫素的輸入影像資料r(x,y)、g(x,y)、b(x,y)，同時也依據顯示面板上該對應畫素以外的其它畫素的輸入影像資料(例如r(x’,y’)、g(x’,y’)、b(x’,y’))。如上所述，電壓衰減值△V(x,y)可根據相對應畫素所面臨的電壓衰退大小來進行計算，其相關於影像畫面的開啟畫素比，在較高的開啟畫素比之下存在較嚴重的電壓衰退問題。開啟畫素比可根據顯示面板上所有畫素的影像資料來決定，因此，用於一畫素的電壓衰減值△V(x,y)及其相關的補償值△r(x,y)、△g(x,y)、△b(x,y)的決定應同時考慮該畫素的輸入影像資料以及其它畫素的輸入影像資料。

另一方面，電晶體(如薄膜電晶體)具有通道長度調變效應(Channel Length Modulation Effect，CLM Effect)。理想上，電晶體在飽和區(saturation region)的汲極電流(drain current)I_D為固定值。然而，在考慮通道長度調變效應的情形下，電晶體的汲極電流I_D會因汲極對源極電壓V_DS或源極對汲極電壓V_SD而有所不同，亦即，汲極電流I_D會隨著V_DS或V_SD的上升而緩慢地以線性方式增加；即金氧半場效電晶體(Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)公式加入因式(1+λ．V_DS)(用於N型金氧半場效電晶體)或因式(1+λ．V_SD)(用於P型金氧半場效電晶體)，其中，λ為一通道長度調變參數。

如第7圖所示，考慮通道長度調變的情況，具有電壓衰退補償及其補償電壓△V的金氧半場效電晶體公式調整如下：I _D=K[(V _S-△V)-(V _G-△V)-Vt]²．(1+λ．V _SD-λ．△V)； (1)其中，K表示電晶體(即薄膜電晶體T2)之轉導係數(transconductance coefficient)，而Vt表示電晶體的臨界電壓。由方程式(1)可知，雖然電壓衰退值-△V與補償電壓互相抵消，但因式λ．△V仍造成汲極電流I_D在不同電壓衰退大小的情況下出現變化，且汲極電流I_D相當於用來驅動有機發光二極體O1發光的有機發光二極體電流I_OLED。

如此一來，前述關於電壓衰退的補償方法及計算公式將不足以應付通道長度調變的現象，使得最終得到的輸出影像資料r’(x,y)、g’(x,y)、b’(x,y)仍可能因通道長度調變而存在誤差。換言之，輸出影像資料r’(x,y)、g’(x,y)、b’(x,y)應消除相關於通道長度調變的因式λ．△V，以在每一畫素中取得理想的有機發光二極體電流，進而改善有機發光二極體面板的亮度一致性。

請參考第8圖，第8圖為本發明實施例一影像補償電路80之示意圖。影像補償電路80可包含於時序控制器或源極驅動裝置的顯示驅動電路或訊號處理電路中，用來控制有機發光二極體面板。如第8圖所示，影像補償電路80包含有一電壓衰退控制電路810、一電壓衰退補償電路820、一通道長度調變控制電路830及一通道長度調變補償電路840。電壓衰退控制電路810可接收用於顯示面板(未繪示)上的畫素的輸入影像資料r(x,y)、g(x,y)、b(x,y)，並根據輸入影像資料r(x,y)、g(x,y)、b(x,y)來產生用於畫素的補償值△r(x,y)、△g(x,y)、△b(x,y)。電壓衰退補償電路820即可利用補償值△r(x,y)、△g(x,y)、△b(x,y)來補償輸入影像資料r(x,y)、g(x,y)、b(x,y)，例如將輸入影像資料r(x,y)、g(x,y)、b(x,y)加上補償值△r(x,y)、△g(x,y)、△b(x,y)以產生中間影像資料r’(x,y)、g’(x,y)、b’(x,y)。通道長度調變控制電路830可接收輸入影像資料r(x,y)、g(x,y)、b(x,y)，並從電壓衰退控制電路810接收相關於補償值△r(x,y)、△g(x,y)、△b(x,y)的資訊，接著根據補償值△r(x,y)、△g(x,y)、△b(x,y)來產生用於畫素的補償值δ_R(x,y)、δ_G(x,y)、δ_B(x,y)。通道長度調變補償電路840即可利用補償值δ_R(x,y)、δ_G(x,y)、δ_B(x,y)來補償輸入影像資料r(x,y)、g(x,y)、b(x,y)，例如將中間影像資料r’(x,y)、g’(x,y)、b’(x,y)減去補償值δ_R(x,y)、δ_G(x,y)、δ_B(x,y)以產生輸出影像資料r”(x,y)、g”(x,y)、b”(x,y)。也就是說，輸出影像資料r”(x,y)、g”(x,y)、b”(x,y)可透過下列方式取得：r”(x,y)=r’(x,y)+δ_R(x,y)；g”(x,y)=g’(x,y)+δ_G(x,y)；b”(x,y)=b’(x,y)+δ_B(x,y)。

需注意，補償值△r(x,y)、△g(x,y)、△b(x,y)係考慮顯示面板上各畫素的電壓下降或電壓衰退而產生，以針對電壓下降進行補償，關於電壓衰退補償的示例性實施方式繪示於第5及6圖及其相關說明。補償值δ_R(x,y)、δ_G(x,y)、δ_B(x,y)係考慮各畫素的通道長度調變效應而產生，用以補償因通道長度調變效應而造成的誤差。

如上所述，由於畫面開啟畫素比的差異，針對電壓衰退的補償值△r(x,y)、△g(x,y)、△b(x,y)的決定需考慮相對應畫素的輸入影像資料以及其它畫素的輸入影像資料。由於針對通道長度調變效應的補償值δ_R(x,y)、δ_G(x,y)、δ_B(x,y)是根據關於電壓衰退的補償值△r(x,y)、△g(x,y)、△b(x,y)資訊而產生，且不同畫面的影像資料可能造成不同大小的電壓衰退，使得補償值δ_R(x,y)、δ_G(x,y)、δ_B(x,y)的決定也需考慮相對應畫素的輸入影像資料以及其它畫素的輸入影像資料。另外需注意的是，當用於電壓衰退的補償值△r(x,y)、△g(x,y)、△b(x,y)不同的情況下，用於通道長度調變效應的補償值δ_R(x,y)、δ_G(x,y)、δ_B(x,y)也彼此不同。

請參考第9圖，第9圖繪示影像補償電路80的一種詳細實施方式。如第9圖所示，電壓衰退控制電路810包含有一內容分析電路902及一補償表904。關於內容分析電路902、補償表904及電壓衰退補償電路820之詳細實施及運作方式類似於第6圖中的內容分析電路602、補償表604及補償電路620，故在此不贅述。電壓衰退補償電路820可結合補償值△r(x,y)、△g(x,y)、△b(x,y)與輸入影像資料r(x,y)、g(x,y)、b(x,y)以產生中間影像資料r’(x,y)、g’(x,y)、b’(x,y)。此外，如第9圖所示，通道長度調變控制電路830包含有一資料轉換電路912、一計算單元914及一儲存單元916。計算單元914可以是任何具有計算功能的邏輯電路，可實現於顯示系統的時序控制器或源極驅動裝置中。儲存單元916可以是任何類型的揮發性或非揮發性記憶體，舉例來說，儲存單元916可包含但不限於唯讀記憶體(Read-Only Memory，ROM)、快閃記憶體(Flash Memory)、隨機存取記憶體(Random-Access Memory，RAM)、光碟唯讀記憶體(CD-ROM/DVD-ROM)、磁帶(Magnetic Tape)、硬碟(Hard Disk)及光學式資料儲存裝置等。

請參考第10圖，第10圖繪示針對畫素電壓的電壓衰退及通道長度調變效應所進行的補償，第10圖並加入第1圖的畫素結構以方便說明。如第10圖所示，除了用於電壓衰退的補償值-△V以外，薄膜電晶體T2的閘極電壓V_G另加上補償值-δ，使得金氧半場效電晶體公式修正如下：I _D=K[(V _S-△V)-(V _G-△V-δ)-Vt]²．(1+λ．V _SD-λ．△V)。 (2)

因此，δ的計算可根據方程式(2)的金氧半場效電晶體公式來進行推導，其相關於V_S、V_G、Vt、λ、V_D及△V等參數，可由下列方程式表示：

其中，V_S及△V相關於電壓衰退的程度，亦即，△V代表電壓下降的大小，而V_S代表在電壓下降△V之下薄膜電晶體T2之源極電壓；V_D代表薄膜電晶體T2之汲極電壓，其相關於有機發光二極體O1的元件特性，這是因為薄膜電晶體T2的汲極端耦接於有機發光二極體O1且其電壓受到有機發光二極體O1的元件特性影響；V_G代表薄膜電晶體T2之閘極電壓，其相關於影像資料電壓，亦即，薄膜電晶體T2的閘極端耦接於資料線，用來接收影像資料電壓；Vt及λ皆相關於薄膜電晶體T2的元件特性，其中，Vt為臨界電壓而λ為通道長度調變參數。

請繼續參考第10圖搭配第9圖所示，方程式(3)中的參數可傳送至計算單元914以計算用於通道長度調變補償的補償值δ_R(x,y)、δ_G(x,y)、δ_B(x,y)。詳細來說，輸入影像資料r(x,y)、g(x,y)、b(x,y)可傳送至資料轉換電路912，其可將輸入影像資料轉換為閘極電壓V_G(x,y)所包含的電壓資訊，並將閘極電壓V_G(x,y)發送至計算單元914。計算單元914可另從內容分析電路902取得電壓衰退△V(x,y)的資訊。此外，畫素的元件特性亦可提供予計算單元914，用以計算補償值δ_R(x,y)、δ_G(x,y)、δ_B(x,y)。元件特性可包含薄膜電晶體T2的通道長度調變參數λ，亦可包含薄膜電晶體T2的臨界電壓Vt及/或有機發光二極體O1的操作電壓，其相當於薄膜電晶體T2之汲極電壓V_D。這些參數可儲存在儲存單元916中(例如以查找表(Lookup Table，LUT)的形式儲存)，並傳送至計算單元914以進行計算。舉例來說，對於顯示面板上位置為(x,y)的畫素而言，計算單元914可從儲存單元916取出對應於該畫素的參數λ(x,y)、Vt(x,y)、V_D(x,y)以進行通道長度調變的計算。在取得上述資訊之後，計算單元914可計算出對應於每一畫素的補償值δ_R(x,y)、δ_G(x,y)、δ_B(x,y)。如此一來，通道長度調變補償電路840即可將補償值δ_R(x,y)、δ_G(x,y)、δ_B(x,y)的資訊加入中間影像資料r’(x,y)、g’(x,y)、b’(x,y)以產生輸出影像資料r”(x,y)、g”(x,y)、b”(x,y)。

換句話說，根據第8及9圖所示的影像補償電路80之結構，在補償過程中，除了考慮電壓衰退的補償值(△r/△g/△b)以外，還須根據通道長度調變的補償值(δ_R/δ_G/δ_B)來進行補償。每一座標上的畫素可存在不同參數，影像補償電路80可取得每一畫素所對應的參數，例如輸入影像資料及元件特性等，並據以計算出用於各畫素的補償值。當電壓衰退補償電路820執行第一階段的補償之後，通道長度調變補償電路840可執行第二階段的補償，以完整消除電壓衰退及通道長度調變效應對影像亮度的影響。

值得注意的是，用於通道長度調變的補償值δ_R(x,y)、δ_G(x,y)、δ_B(x,y)包含有各種資訊，如輸入影像資料、電壓衰退資訊、以及元件特性等，因此，在考慮所有資訊的情況下，補償值δ_R(x,y)、δ_G(x,y)、δ_B(x,y)的計算將變得相當複雜，如上述方程式(3)所示。因為硬體架構或成本的限制，在部分實施例中，可利用較簡化的方式來推導出補償值δ_R(x,y)、δ_G(x,y)、δ_B(x,y)。例如，完整的補償值δ推導可包含5個變數，即5維(5D)的計算公式：5D：δ(V _G,V _D,Vt,λ,△V)；然而，為了節省儲存空間，可選擇使用較少的變數，以較小維度的方式計算，例如：4D：δ(V _D,Vt,λ,△V)、δ(V _G,Vt,λ,△V)、...、等；3D：δ(Vt,λ,△V)、δ(V _G,V _D,Vt)、...、等；2D：δ(Vt,λ)、δ(V _G,V _D)、...、等。

在較小維度的計算中，未用於計算之其它參數可利用估計的方式取得或預先決定。除此之外，在部分實施例中，亦可僅在儲存單元916(如查找表)儲存部分畫素的參數資訊，並透過內插的方式計算其它畫素的參數值。在計算補償值δ的各項參數中，每一參數都可選擇性地使用或省略，而採用完整或部分參數的計算方式不應用以限制本發明的範疇。

值得注意的是，在本發明的部分實施例中，補償運作可分為二階段，其中，第一階段的電壓衰退補償值△V之資訊可用來計算第二階段的補償值δ，用來進一步補償通道長度調變效應所造成的誤差。習知各種補償方式皆僅針對電壓衰退或針對穆拉(Mura)來進行單一階段的補償，皆不同於本發明實施例所提供的補償方式。

在傳統的補償方式中，若僅考慮電壓衰退的情況下(不考慮通道長度調變效應)，在一特定座標(x,y)上紅、綠、藍三色的不同輸入資料值或灰階值將計算出相同的電壓補償值，如第11圖所示，這是因為同一個位置上的畫素係接收同一塊金屬面上的電源供應電壓，故相同座標上的電壓衰退必定相同。此外，關於紅、綠、藍三條資料對電壓曲線之間存在差異的原因是來自於紅、綠、藍色有機發光二極體的發光特性及/或對白點色座標的需求不同。因此，紅、綠、藍輸入資料所對應到的驅動電壓也可能不同，但對於電壓衰退所需要的電壓補償都是相同的。

更明確來說，第11圖繪示不考慮通道長度調變效應的電壓衰退補償方式之補償值。第11圖之左圖繪示一特定座標(x,y)上若具有各種不同的輸入影像資料D1~Dn大小的情況下補償前及補償後的資料對電壓曲線之曲線圖，其中，輸入影像資料D1~Dn可分別轉換為電壓值V1(x,y)~Vn(x,y)，由該圖可看出，無論影像資料的數值大小，其補償值皆相同(兩條曲線之間的垂直距離相同)。第11圖之右圖繪示相同座標上不同顏色(紅、綠、藍)在補償前及補償後的資料對電壓曲線之曲線圖，由該圖可看出，紅、綠、藍的補償值在不同資料大小之下皆相同。需注意的是，此處考慮的是畫面靜止不動的情況，即同一張影像畫面之下在同一個座標上的紅、綠、藍補償值需相同；若面板切換為顯示另一張畫面，代表整體電流改變(因不同影像具有不同的開啟畫素比)，即可能產生不同的電壓衰退大小，並對應得到不同補償值。此外，於同一張畫面中，在不同座標上也可能具有不同的電壓衰退大小，並對應得到不同補償值。

相較之下，本發明的補償方法額外加入了通道長度調變效應的考量，使得某一特定座標(x,y)的不同顏色具有不同的電壓補償值δ。補償值δ可隨著不同的通道、影像資料值、及/或不同薄膜電晶體或有機發光二極體之特性而異。第12圖之左圖繪示一特定座標(x,y)上若具有各種不同的輸入影像資料D1~Dn大小的情況下補償前及補償後的資料對電壓曲線之曲線圖，其中，輸入影像資料D1~Dn可分別轉換為電壓值V1(x,y)~Vn(x,y)，由該圖可看出，在影像資料數值大小不同的情況下，其補償值δ皆不相同(在不同資料值之下兩條曲線之間的垂直距離不同)。換句話說，若二畫素具有不同影像資料時，用於此二畫素的補償值δ可能不同，無關於此二畫素的位置。第12圖之右圖繪示相同座標上不同顏色(紅、綠、藍)在補償前及補償後的資料對電壓曲線之曲線圖，由該圖可看出，紅、綠、藍的補償值δ在不同資料大小之下皆不相同。對於相同的輸入影像資料而言，若相對應的畫素具有不同顏色(紅、綠、藍)時，其補償值δ也彼此不同。

以下進一步說明電壓衰退及穆拉補償之間的特性差異。所謂穆拉補償(Demura)是針對製程上每一畫素的薄膜電晶體和有機發光二極體特性的差異進行的補償。不同畫素可能具有不同的薄膜電晶體參數(如轉導係數K、臨界電壓Vt)及/或不同的有機發光二極體參數(如亮度參數β)。對於穆拉補償而言，不同顏色(紅、綠、藍)也可能具有不同的元件特性。穆拉現象是由畫素之間的亮度差異所造成，其會在純色畫面上產生雜訊或痕跡。若畫面的整體亮度愈低時，穆拉現象更為明顯。

相較之下，電壓衰退是電流通過用來供應電源電壓的金屬面上的寄生電阻時所發生的電壓下降，導致薄膜電晶體之源極電壓下降，因此薄膜電晶體之源極對閘極電壓V_SG以及畫素亮度也隨之而下降。與電源距離較遠的畫素接收到較低的電源供應電壓，導致其亮度較低；與電源距離較近的畫素接收到較高的電源供應電壓，因而具有較高亮度。如此一來，在相同灰階畫面之下，不同顯示區域的亮度不一致。若畫面的整體亮度愈高時，電壓衰退現象更為明顯。

因此，本發明所提出的用於電壓衰退及通道長度調變效應的補償方式與習知的穆拉補償之間存在多個面向的差異。

第一，穆拉補償的補償值僅相關於對應畫素的元件特性，但無關於其它畫素；相較之下，電壓衰退的補償值受到畫面內容的影響，較亮的影像畫面產生較大的電壓衰退。由於通道長度調變效應的補償亦和畫素收到的電源供應電壓有關，使得通道長度調變效應的補償值亦受到畫面內容的影響。在此情況下，對於顯示面板的不同位置上的不同畫素而言，即使其對應的輸入影像資料相同，但用於這些畫素的通道長度調變效應的補償值仍可能不同。一般來說，距離電源較遠的畫素往往需要較大的補償值。

第二，對於穆拉補償而言，當整體亮度較低時，產生的補償效果更為明顯，這是因為低亮度下穆拉現象較為明顯的特性；相較之下，對於電壓衰退補償而言，當整體亮度較高時，產生的補償效果更為明顯，這是因為高亮度下電壓衰退現象較為明顯的特性。就此點而言，本發明的補償方案(包含電壓衰退及通道長度調變效應的補償)較近似於電壓衰退補償，其補償效果在高亮度之下更為明顯。

第三，穆拉現象係畫素間的製程變異產生的結果，因此穆拉補償的補償值具有不規律的差異；相較之下，電壓衰退的補償值分布較為平緩，且具有高度的規律性，其中，用於距離電源較遠的畫素之補償值通常較大，而用於距離電源較近的畫素之補償值通常較小。本發明的補償方案包含電壓衰退及通道長度調變效應的補償，其補償值可包含不規律的高頻成分和規律的低頻成分，這是因為通道長度調變的補償同時涵蓋了電壓衰退的資訊及畫素元件特性的資訊。

最後，需注意的是，僅用於電壓衰退的補償和同時考慮電壓衰退及通道長度調變效應的補償方案之特性亦有所不同。對於電壓衰退補償而言，針對一特定位置上的某一特定畫素之不同顏色(紅、綠、藍)的補償值皆相同，如第11圖所示；相較之下，對於同時考慮電壓衰退及通道長度調變效應的補償方案而言，針對一特定位置上的某一特定畫素之不同顏色的補償值可能互不相同，如第12圖所示。需注意的是，由於紅、綠、藍有機發光二極體之不同元件特性，針對同一位置上的不同顏色畫素的穆拉補償亦可能具有不同的補償值。

由此可知，同時考慮電壓衰退及通道長度調變效應之補償方案包含多項不同於一般電壓衰退補償的特性，亦包含多項不同於穆拉補償的特性。

請參考第13圖，第13圖進一步說明電壓衰退及穆拉現象補償之間的差異。第13圖之波形表示當改變區域B之亮度的情況下，在區域A觀察到的輸入與輸出影像資料之間的關係。詳細來說，用於某一特定畫素的電壓衰退補償值(或者同時考慮通道長度調變效應的補償)會因為顯示面板上其它畫素的變化而改變，如第13圖上半部所示。更明確來說，亮度較高的影像畫面造成較嚴重的電壓衰退，因而需要更高的補償值。相較之下，用於某一特定畫素的穆拉補償之補償值不會因為顯示面板上其它畫素的影像內容變化而改變，如第13圖下半部所示。

值得注意的是，本發明之目的在於提供一種可用來補償電壓衰退及通道長度調變效應的影像補償電路及補償方法。本領域具通常知識者當可據以進行修飾或變化，而不限於此。舉例來說，本發明之影像補償電路及方法可應用於各種類型的畫素結構，如第1圖所示的主動矩陣式有機發光二極體(Active Matrix OLED，AMOLED)畫素，但在另一實施例中，本發明之影像補償電路及方法亦可應用於其它類型的畫素。舉例來說，畫素中的有機發光二極體可由其它類型的發光元件來取代。可替換地或額外地，畫素亦可以是N型金氧半場效電晶體驅動之結構，即採用N型金氧半場效電晶體來驅動有機發光二極體發光。此外，在上述實施例中，可在面板上實現薄膜電晶體製程，且畫素中包含有薄膜電晶體，但本領域具通常知識者應了解，關於畫素中電晶體的實施方式不應以此為限。另外，本發明之影像補償電路及方法可實現於資料碼、伽瑪碼(gamma code)、或伽瑪電壓(gamma voltage)當中的任一者。

請參考第14圖，第14圖為本發明實施例一顯示系統140之示意圖。如第14圖所示，顯示系統140包含有一顯示驅動電路1400及一顯示面板1410。顯示驅動電路1400可用來驅動顯示面板1410顯示影像畫面。詳細來說，顯示驅動電路1400包含有一影像補償電路1402、一伽瑪產生器1404、一數位類比轉換器(Digital-to-Analog Converter，DAC)1406及一源極緩衝器1408。影像補償電路1402可包含類似於第8及9圖所示的影像補償電路80之結構。伽瑪產生器1404可根據從影像補償電路1402接收的影像資料r”(x,y)、g”(x,y)、b”(x,y)來產生伽瑪碼，數位類比轉換器1406進而將伽瑪碼轉換為相對應的伽瑪電壓，源極驅動裝置1408再將伽瑪電壓輸出至顯示面板1410。

在此例中，影像補償電路1402可接收輸入影像資料r(x,y)、g(x,y)、b(x,y)，並且對輸入影像資料r(x,y)、g(x,y)、b(x,y)進行補償以產生輸出影像資料r”(x,y)、g”(x,y)、b”(x,y)，再將輸出影像資料r”(x,y)、g”(x,y)、b”(x,y)輸出至後續電路。更明確來說，在影像補償電路1402中，可對輸入影像資料r(x,y)、g(x,y)、b(x,y)執行電壓衰退的補償以產生中間影像資料r’(x,y)、g’(x,y)、b’(x,y)，並且對中間影像資料r’(x,y)、g’(x,y)、b’(x,y)執行通道長度調變的補償以產生輸出影像資料r”(x,y)、g”(x,y)、b”(x,y)。關於影像補償電路1402的詳細實施方式及運作方式可參見前述段落的說明，在此不贅述。

值得注意的是，在上述實施例中，影像補償電路及方法可在資料域上實現，以藉由改變影像資料來進行電壓衰退及通道長度調變效應的補償。但在另一實施例中，影像補償電路及方法亦可實現於伽瑪域。請參考第15圖，第15圖為本發明實施例另一顯示系統150之示意圖。如第15圖所示，顯示系統150包含有一顯示驅動電路1500及一顯示面板1510，其中，顯示驅動電路1500包含有一影像補償電路1502、一伽瑪產生器1504、一數位類比轉換器1506及一源極緩衝器1508。伽瑪產生器1504可將輸入影像資料r(x,y)、g(x,y)、b(x,y)轉換為伽瑪碼(或稱伽瑪資料(gamma data))Gr(x,y)、Gg(x,y)、Gb(x,y)。影像補償電路1502進而對伽瑪碼Gr(x,y)、Gg(x,y)、Gb(x,y)執行電壓衰退及通道長度調變效應的補償。詳細來說，影像補償電路1502可包含一內容分析電路1512、一補償表1514、一電壓衰退補償電路1520、一資料轉換電路1522、一計算單元1524、一儲存單元1526及一通道長度調變補償電路1540。

當影像補償電路1502從伽瑪產生器1504接收到伽瑪碼Gr(x,y)、Gg(x,y)、Gb(x,y)時，內容分析電路1512可分析所輸入的伽瑪碼Gr(x,y)、Gg(x,y)、Gb(x,y)之內容以取得每一位置上的電壓衰減，並產生對應於不同位置上的畫素的電壓衰減值△V(x,y)。基於補償表1514，電壓衰減值△V(x,y)可進一步轉換為各位置的補償值△Gr(x,y)、△Gg(x,y)、△Gb(x,y)，透過電壓衰退補償電路1520可分別將這些補償值△Gr(x,y)、△Gg(x,y)、△Gb(x,y)加入所輸入的伽瑪碼Gr(x,y)、Gg(x,y)、Gb(x,y)，進而產生中間伽瑪碼Gr’(x,y)、Gg’(x,y)、Gb’(x,y)如下：Gr’(x,y)=Gr(x,y)+△Gr(x,y)；Gg’(x,y)=Gg(x,y)+△Gg(x,y)；Gb’(x,y)=Gb(x,y)+△Gb(x,y)。

除此之外，輸入伽瑪碼Gr(x,y)、Gg(x,y)、Gb(x,y)亦可傳送至資料轉換電路1522，以透過資料轉換電路1522將輸入伽瑪碼轉換為攜帶於閘極電壓V_G(x,y)的電壓資訊，資料轉換電路1522並將閘極電壓V_G(x,y)傳送至計算單元1524。計算單元1524亦可從內容分析電路1512取得電壓衰退△V(x,y)的資訊，同時從儲存單元1526接收畫素之元件特性資訊(例如薄膜電晶體的通道長度調變參數λ和臨界電壓Vt以及薄膜電晶體的汲極電壓V_D(相當於有機發光二極體的操作電壓))，進而計算通道長度調變補償值δ_R(x,y)、δ_G(x,y)、δ_B(x,y)。通道長度調變補償電路1540即可將通道長度調變補償值δ_R(x,y)、δ_G(x,y)、δ_B(x,y)加入中間伽瑪碼Gr’(x,y)、Gg’(x,y)、Gb’(x,y)，進而產生輸出伽瑪碼Gr”(x,y)、Gg”(x,y)、Gb”(x,y)如下：Gr”(x,y)=Gr’(x,y)+δ_R(x,y)；Gg”(x,y)=Gg’(x,y)+δ_G(x,y)；Gb”(x,y)=Gb’(x,y)+δ_B(x,y)。

需注意，在此例中，電壓衰退補償值△Gr(x,y)、△Gg(x,y)、△Gb(x,y)及通道長度調變補償值δ_R(x,y)、δ_G(x,y)、δ_B(x,y)皆屬於伽瑪碼的定義域。

當影像補償電路1502完成補償以產生輸出伽瑪碼Gr”(x,y)、Gg”(x,y)、Gb”(x,y)之後，輸出伽瑪碼需進一步進行數位對類比轉換，接著透過源極緩衝器1508輸出至顯示面板1510。關於數位類比轉換器1506及源極緩衝器1508之詳細運作方式類似於前述數位類比轉換器1406及源極緩衝器1408，故在此不贅述。

請參考第16圖，第16圖為本發明實施例又一顯示系統160之示意圖。如第16圖所示，顯示系統160包含有一顯示驅動電路1600及一顯示面板1610，其中，顯示驅動電路1600包含有一影像補償電路1602、一伽瑪產生器1604、一數位類比轉換器1606及一源極緩衝器1608。關於伽瑪產生器1604、數位類比轉換器1606及源極緩衝器1608之詳細運作方式類似於前述伽瑪產生器1404、數位類比轉換器1406及源極緩衝器1408，故在此不贅述。影像補償電路1602可包含一內容分析電路1612、一資料轉換電路1622、一計算單元1624及一儲存單元1626。同樣地，影像補償電路1602係用來產生用於電壓衰退補償的電壓衰減值 △V(x,y)，而資料轉換電路1622、計算單元1624及儲存單元1626係用來產生用於通道長度調變補償的補償值δ_R(x,y)、δ_G(x,y)、δ_B(x,y)。需注意的是，補償值δ_R(x,y)、δ_G(x,y)、δ_B(x,y)皆屬於電壓域。

在此例中，數位類比轉換器1606可接收來自於伽瑪產生器1604之伽瑪碼Gr(x,y)、Gg(x,y)、Gb(x,y)，並對應產生伽瑪電壓RV(x,y)、GV(x,y)、BV(x,y)。基於影像補償電路1602所輸出的電壓衰減值△V(x,y)及補償值δ_R(x,y)、δ_G(x,y)、δ_B(x,y)，可將原始伽瑪電壓RV(x,y)、GV(x,y)、BV(x,y)移位或修改為實際從數位類比轉換器1606輸出的伽瑪電壓RV’(x,y)、GV’(x,y)、BV’(x,y)，如下列方程式所述：RV’(x,y)=RV(x,y)+△V(x,y)+δ_R(x,y)；GV’(x,y)=GV(x,y)+△V(x,y)+δ_G(x,y)；BV’(x,y)=BV(x,y)+△V(x,y)+δ_B(x,y)。

如此一來，數位類比轉換器1606輸出的伽瑪電壓不僅可根據所接收的伽瑪碼Gr(x,y)、Gg(x,y)、Gb(x,y)來決定，亦可根據對應於電壓衰退的電壓衰減值△V(x,y)以及對應於通道長度調變效應的補償值δ_R(x,y)、δ_G(x,y)、δ_B(x,y)來決定。

上述影像補償操作可歸納為一影像補償流程170，如第17圖所示。影像補償流程170可實現於顯示驅動電路中的影像補償電路(如上述影像補償電路80、1402、1502及1602)，其包含下列步驟：

步驟1700：開始。

步驟1702：接收用於顯示面板上的畫素的輸入影像資料。

步驟1704：根據輸入影像資料，產生用於畫素的複數個電壓下降補償值。

步驟1706：根據電壓下降補償值，產生用於畫素的複數個通道長度調變補償值。

步驟1708：利用電壓下降補償值及通道長度調變補償值來補償用於畫素的輸入影像資料，以產生輸出影像資料。

步驟1710：結束。

關於影像補償流程170之詳細運作及變化方式可參見前述段落的說明，在此不贅述。

綜上所述，本發明提供了一種影像補償電路及方法，可用來補償顯示面板上各畫素的電壓衰退及通道長度調變效應。傳統的補償方式例如一般電壓衰退補償或穆拉補償等皆未考慮通道長度調變效應；與之不同，本發明的補償方式加入了通道長度調變效應的資訊，其中，可將電壓衰退的資訊結合畫素的元件特性以及輸入影像資料來計算通道長度調變之補償值。如此一來，可實現完整的補償效果，進而提升顯示面板的亮度一致性。

以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

80:影像補償電路

810:電壓衰退控制電路

820:電壓衰退補償電路

830:通道長度調變控制電路

840:通道長度調變補償電路

r(x,y),g(x,y),b(x,y):輸入影像資料

△r(x,y),△g(x,y),△b(x,y):電壓衰退補償值

r’(x,y),g’(x,y),b’(x,y):中間影像資料

δ_R(x,y),δ_G(x,y),δ_B(x,y):通道長度調變補償值

r”(x,y),g”(x,y),b”(x,y):輸出影像資料

Claims

一種影像補償電路，用來產生一輸出影像資料以驅動一顯示面板，該顯示面板包含有複數個畫素，該影像補償電路包含有：一第一控制電路，用來接收用於該複數個畫素的一輸入影像資料，並根據該輸入影像資料，產生用於該複數個畫素的複數個第一補償值；一第一補償電路，耦接於該第一控制電路，用來利用該複數個第一補償值來補償用於該複數個畫素的該輸入影像資料；一第二控制電路，耦接於該第一控制電路，用來從該第一控制電路接收該複數個第一補償值，並根據該複數個第一補償值，產生用於該複數個畫素的複數個第二補償值；以及一第二補償電路，耦接於該第二控制電路，用來利用該複數個第二補償值來補償用於該複數個畫素的該輸入影像資料，以產生該輸出影像資料；其中，該複數個第一補償值對應於該顯示面板上的一電壓下降的補償，該複數個第二補償值對應於該複數個畫素的一通道長度調變效應(Channel Length Modulation Effect，CLM Effect)的補償；其中，該複數個畫素中的一第一畫素之該複數個第一補償值及該複數個第二補償值的其中至少一補償值係根據用於該第一畫素的該輸入影像資料以及用於該複數個畫素中的一第二畫素的該輸入影像資料來決定。
如請求項1所述之影像補償電路，其中該複數個第二補償值係根據該複數個畫素之一元件特性來決定。
如請求項2所述之影像補償電路，其中該複數個畫素中的每一畫素包含有複數個電晶體及一發光元件，且該複數個畫素之該元件特性包含有該電晶體之一通道長度調變參數。
如請求項3所述之影像補償電路，其中該複數個畫素之該元件特性另包含有該複數個電晶體之一臨界電壓及該發光元件之一操作電壓當中至少一者。
如請求項1所述之影像補償電路，其中當用於該複數個畫素的該輸入影像資料相同且該複數個畫素具有不同顏色時，該複數個畫素具有不同的該複數個第二補償值。
如請求項1所述之影像補償電路，其中當用於該複數個畫素的該輸入影像資料不同時，該複數個畫素具有不同的該複數個第二補償值。
如請求項1所述之影像補償電路，其中當用於該複數個畫素的該輸入影像資料相同時，位於該顯示面板上不同位置的該複數個畫素具有不同的該複數個第二補償值。
如請求項1所述之影像補償電路，其中當用於該複數個畫素的該複數個第一補償值不同時，該複數個畫素具有不同的該複數個第二補償值。
一種用於一影像補償電路之補償方法，該影像補償電路用來產生一輸出影像資料以驅動具有複數個畫素的一顯示面板，該補償方法包含有：接收用於該複數個畫素的一輸入影像資料；根據該輸入影像資料，產生用於該複數個畫素的複數個第一補償值；根據該複數個第一補償值，產生用於該複數個畫素的複數個第二補償值；利用該複數個第一補償值及該複數個第二補償值來補償用於該複數個畫素的該輸入影像資料，以產生該輸出影像資料；以及根據用於該複數個畫素中的一第一畫素的該輸入影像資料以及用於該複數個畫素中的一第二畫素的該輸入影像資料，決定用於該第一畫素之該複數個第一補償值及該複數個第二補償值的其中至少一補償值；其中，該複數個第一補償值對應於該顯示面板上的一電壓下降的補償，該複數個第二補償值對應於該複數個畫素的一通道長度調變效應(Channel Length Modulation Effect，CLM Effect)的補償。
如請求項9所述之補償方法，另包含有：根據該複數個畫素之一元件特性，決定該複數個第二補償值。
如請求項10所述之補償方法，其中該複數個畫素中的每一畫素包含有複數個電晶體及一發光元件，且該複數個畫素之該元件特性包含有該電晶體之一通道長度調變參數。
如請求項11所述之補償方法，其中該複數個畫素之該元件特性另包含有該複數個電晶體之一臨界電壓及該發光元件之一操作電壓當中至少一者。
如請求項9所述之補償方法，其中當用於該複數個畫素的該輸入影像資料相同且該複數個畫素具有不同顏色時，該複數個畫素具有不同的該複數個第二補償值。
如請求項9所述之補償方法，其中當用於該複數個畫素的該輸入影像資料不同時，該複數個畫素具有不同的該複數個第二補償值。
如請求項9所述之補償方法，其中當用於該複數個畫素的該輸入影像資料相同時，位於該顯示面板上不同位置的該複數個畫素具有不同的該複數個第二補償值。
如請求項9所述之補償方法，其中當用於該複數個畫素的該複數個第一補償值不同時，該複數個畫素具有不同的該複數個第二補償值。