TWI774237B - 具有碟型反射面的天線量測系統 - Google Patents

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TWI774237B
TWI774237B TW110105082A TW110105082A TWI774237B TW I774237 B TWI774237 B TW I774237B TW 110105082 A TW110105082 A TW 110105082A TW 110105082 A TW110105082 A TW 110105082A TW I774237 B TWI774237 B TW I774237B
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Abstract

一種天線量測系統，包含一天線陣列、一反射碟面陣列以及一量測面。天線陣列包含呈直線排列的多個天線單元；上述天線單元中任何相鄰兩天線單元相隔一預定間距，且上述天線單元中每一天線單元具有一輻射體以及一饋入點。反射碟面陣列包括至少一反射碟面，沿著一寬度或高度方向排列，反射碟面陣列用以根據天線陣列發出的訊號產生一反射訊號。待測天線在量測面用以對反射訊號進行一量測操作。

Description

具有碟型反射面的天線量測系統
本發明係關於一種天線量測系統，尤其關於一種具有柱狀碟型反射面的天線量測系統，可針對實際測試需求而調整結構的天線量測系統。
隨著高速無線資料傳輸的需求不斷增長，現行第四代通訊技術(4th generation,4G)已漸漸無法滿足需求，因此全球行動通訊業者便開始投入第五代通訊(5th generation,5G)或更高世代技術的發展。由於毫米波(Millimeter wave)以上頻段具有高傳輸速率的優點，因此毫米波頻段以上相位陣列天線目前是5G或更高世代相關天線技術中的發展重點，使得相關的運用與天線量測技術都顯得極為重要。
然而，現有的天線量測系統需要很大的空間建置場地，而且對於已架設好的量測設施不能作靈活調整，以上種種的不利因素皆會增加廠商的成本。
綜上所述，本發明的目的在於提供一種具有柱狀碟型反射面的天線量測系統，其具有低成本、可調距、可調尺寸之優勢，以解決上述問題。
根據本發明一實施例，天線量測系統包含：一天線陣列、一反射碟面陣列以及一量測面。天線陣列包含呈直線排列的多個天線單元；上述天線單元中任何相鄰兩天線單元相隔一預定間距，且上述天線單元中每一天線單元具有一輻射體以及一饋入點。反射碟面陣列包括至少一柱狀反射碟面，沿著一寬 度或高度方向緊鄰排列與接合，反射碟面陣列用以根據天線陣列發出的訊號產生一反射訊號。待測天線在量測面用以對反射訊號進行一量測操作。
根據本發明一實施例，所述天線量測系統進一步包含以下特徵：反射碟面陣列的寬度或高度根據至少一柱狀反射碟面中多個反射碟面的數量來調整，其中這些反射碟面沿寬度或高度方向拼接，這些反射碟面拼接後的總寬度或總高度作為反射碟面陣列的寬度或高度。
根據本發明一實施例，所述天線量測系統進一步包含以下特徵：至少一反射碟面陣列相對於天線陣列呈現一個維度反射拋物面。
根據本發明一實施例，所述天線量測系統進一步包含以下特徵：反射碟面陣列沿著一高度方向的高度值係透過以下公式計算：
Figure 110105082-A0101-12-0002-1
 其中z係為深度值，y係為反射拋物面沿著一高度方向的高度值，f y 係為天線陣列與反射拋物面的焦距值，其中高度方向、寬度方向以及深度方向係彼此垂直。
根據本發明一實施例，所述天線量測系統進一步包含以下特徵：量測面具有一量測靜域，量測靜域的幾何尺寸大於或等於量測面的幾何尺寸的二分之一。
根據本發明一實施例，所述天線量測系統進一步包含以下特徵：量測靜域與反射拋物面之間的距離為1.5至2.5倍fy。
根據本發明一實施例，所述天線量測系統進一步包含以下特徵：量測靜域內的振幅漣波小於±0.5dB，相位誤差小於±5度。
根據本發明一實施例，所述天線量測系統進一步包含以下特徵：量測操作包含：量測面根據每一天線單元所引發之射頻訊號能量來計算反射碟面陣列的輻射場；以及根據輻射場來決定要饋入每一天線單元的饋入點的優化振幅以及優化相位。
根據本發明一實施例，所述天線量測系統進一步包含以下特徵：量測操作另包含將反射拋物面被分為多個區塊，以分別量測這些區塊各自的輻射場。
根據本發明一實施例，所述天線量測系統進一步包含以下特徵：天線陣列包含一介質基板以及一傳輸線，每一天線單元的輻射體設置於介質基板上，每一天線單元的饋入點耦接於傳輸線。
根據本發明一實施例，所述天線量測系統進一步包含以下特徵：輻射體包含一第三導電部、一第一導電部以及一第二導電部，第一導電部係由第一延伸部、第一彎曲部以及第一彎折部所構成，且第二導電部係由第二延伸部、第二彎曲部以及第二彎折部所構成。
100:天線量測系統
110:天線陣列
110F:饋入點
110S:天線單元
120:反射碟面陣列
130:量測面
135:量測靜域
140:輻射體
141:第一導電部
141-1:第一延伸部
141-2:第一彎曲部
141-3:第一彎折部
142:第二導電部
142-1:第二延伸部
142-2:第二彎曲部
142-3:第二彎折部
143:第三導電部
145、146:圖案
150:傳輸線
160:介質基板
200:流程
210:機械臂
215:量測構件
220:網路分析儀
610、620、710、720:曲線
P1:掃描路徑
R1:反射訊號
S1:訊號
T1、T2:步驟
第1A圖係為根據本發明實施例的天線量測系統的示意圖。
第1B圖為第1A圖的天線量測系統的流程的示意圖
第2圖係為應用於第1A圖天線量測系統的天線陣列的示意圖。
第3圖係為第2圖天線陣列的背面的示意圖。
第4圖係為對反射碟面陣列作寬度調整的示意圖。
第5圖係為根據本發明一實施例用於第1A圖天線量測系統的量測面的示意圖。
第6圖係為饋入天線輻射場水平橫切面的能量分布的示意圖。
第7圖係為饋入天線輻射場水平縱切面的能量分布的示意圖。
揭露特別以下述例子加以描述，這些例子僅係用以舉例說明而已，因為對於熟習此技藝者而言，在不脫離本揭示內容之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本揭示內容之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定 者為準。在通篇說明書與申請專利範圍中，除非內容清楚指定，否則「一」以及「該」的意義包含這一類敘述包括「一或至少一」該元件或成分。此外，如本揭露所用，除非從特定上下文明顯可見將複數排除在外，否則單數冠詞亦包括複數個元件或成分的敘述。而且，應用在此描述中與下述之全部申請專利範圍中時，除非內容清楚指定，否則「在其中」的意思可包含「在其中」與「在其上」。在通篇說明書與申請專利範圍所使用之用詞(terms)，除有特別註明，通常具有每個用詞使用在此領域中、在此揭露之內容中與特殊內容中的平常意義。某些用以描述本揭露之用詞將於下或在此說明書的別處討論，以提供從業人員(practitioner)在有關本揭露之描述上額外的引導。在通篇說明書之任何地方之例子，包含在此所討論之任何用詞之例子的使用，僅係用以舉例說明，當然不限制本揭露或任何例示用詞之範圍與意義。同樣地，本揭露並不限於此說明書中所提出之各種實施例。
在此所使用的用詞「實質上(substantially)」、「大約(around)」、「約(about)」或「近乎(approximately)」應大體上意味在給定值或範圍的20%以內，較佳係在10%以內。此外，在此所提供之數量可為近似的，因此意味著若無特別陳述，可以用詞「大約」、「約」或「近乎」加以表示。當一數量、濃度或其他數值或參數有指定的範圍、較佳範圍或表列出上下理想值之時，應視為特別揭露由任何上下限之數對或理想值所構成的所有範圍，不論該等範圍是否分別揭露。舉例而言，如揭露範圍某長度為X公分到Y公分，應視為揭露長度為H公分且H可為X到Y之間之任意實數。
此外，若使用「電(性)耦接」或「電(性)連接」一詞在此係包含任何直接及間接的電氣連接手段。舉例而言，若文中描述一第一裝置電性耦接於一第二裝置，則代表該第一裝置可直接連接於該第二裝置，或透過其他裝置或連接手段間接地連接至該第二裝置。另外，若描述關於電訊號之傳輸、提供，熟 習此技藝者應該可以了解電訊號之傳遞過程中可能伴隨衰減或其他非理想性之變化，但電訊號傳輸或提供之來源與接收端若無特別敘明，實質上應視為同一訊號。舉例而言，若由電子電路之端點A傳輸(或提供)電訊號S給電子電路之端點B，其中可能經過一電晶體開關之源汲極兩端及/或可能之雜散電容而產生電壓降，但此設計之目的若非刻意使用傳輸(或提供)時產生之衰減或其他非理想性之變化而達到某些特定的技術效果，電訊號S在電子電路之端點A與端點B應可視為實質上為同一訊號。
可了解如在此所使用的用詞「包含(comprising)」、「包含(including)」、「具有(having)」、「含有(containing)」、「包含(involving)」等等，為開放性的(open-ended)，即意指包含但不限於。另外，本創作的任一實施例或申請專利範圍不須達成本創作所揭露之全部目的或優點或特點。此外，摘要部分和標題僅是用來輔助專利文件搜尋之用，並非用來限制本創作之申請專利範圍。
請參考第1A圖，第1A圖係為根據本發明實施例的天線量測系統100的示意圖，天線量測系統100包含一天線陣列110、一反射碟面陣列120以及一量測面130，天線陣列110包含呈直線排列的多個天線單元110S。反射碟面陣列120用以根據天線陣列110發出的訊號S1產生一反射訊號R1，待測天線在量測面130用以測量反射訊號R1。
請參考第1B圖，第1B圖為第1A圖的天線量測系統100的流程200的示意圖，其中
射頻訊號由網路分析儀220輸出，經由射頻同軸纜線將訊號送至碟型反射面(例如反射碟面陣列120)的饋入天線(例如天線陣列110)(如步驟T1所示)，饋入天線將訊號輻射後再經由碟型反射面將能量反射；接著，使用機械臂210上的待測天線(含量測構件)對量測面130的量測靜域135作射頻訊號的量測並且輸出至網路分析儀220(如步驟T2所示)。在另一側，機械臂210以量測 構件215掃描量測靜域135作平面掃描(如掃描路徑P1所示，可為水平、垂直交替的方式)，其掃描方式係將射頻能量接收後，再將訊號送回網路分析儀220內，並將數據記錄下來。
第2圖係為應用於第1A圖天線量測系統100的天線陣列110的示意圖，如第2圖所示，天線陣列110包含一介質基板160(此元件並非必要之元件)以及一傳輸線150(可為低頻傳輸線)，每一天線單元110S的輻射體140係設置於介質基板160上，且每一天線單元110S的饋入點110F皆耦接於傳輸線150，其中天線單元110S與相鄰的天線單元之間相隔一預定間距，此預定間距可為天線量測系統100的操作頻率之0.5倍波長，但本發明不以此為限。此外，上述天線單元之間的間距可以是一天線單元的中心點到下一天線單元的中心點的距離。
根據本發明一實施例，天線單元110S例如是一偶極天線，且其輻射體140包含第一導電部141、第二導電部142以及第三導電部143，其中第三導電部143可為導向器。第一導電部141包含第一延伸部141-1、第一彎曲部141-2以及第一彎折部141-3，且第二導電部142包含第二延伸部142-1、第二彎曲部142-2以及第二彎折部142-3。在偶極天線間距為半波長的設計中，為了避免頻寬範圍受到波長所限制，輻射體140的設計係將偶極天線的兩翼(亦即第一導電部141、第二導電部142)採用漸進式的曲線輪廓，一方面可以降低電流的不連續性，另一方面有助於增加對應的頻率範圍，以利增加頻寬。換言之，偶極天線輻射方向採用漸進式的曲線輪廓有助於增加頻寬及增益的提升。
參見第3圖，第3圖係為第2圖天線陣列110的背面的示意圖，偶極天線的背部設置有與偶極天線輪廓相似的圖案145、146(pattern)，材質為銅(copper)，此設計是為了補償共平面式偶極天線會在垂直天線面(H-Plane)產生不對稱的波束，加入此設計可改善波束的對稱性。
根據本發明一實施例，介質基板160可為一單層板，並且由Rogers4003C所製成。介質基板160的板材可使用碳氫陶瓷層壓板來實作，碳氫陶瓷層壓板具有低損耗與低介電公差(Dielectric Constant：3.38 +/-0.05)以及低耗散係數(Dissipation Factor：0.0027)等特性，且應用頻率可達70GHz。Rogers4003C材料的熱膨脹係數類似於銅的熱膨脹係數，故即使在高溫下也能提供可靠的鍍通孔(Plated through hole)品質。在效能方面，將板材厚度設計為0.203mm並且將基板介電常數(εr)設計為3.55的基板，即可達到30%的操作頻帶，這個厚度也有助於在垂直天線面(H-Plane)有非常寬的波束寬度，並且在-1dB波束寬達到140度。
參見第4圖，第4圖係為對反射碟面陣列120作寬度調整的示意圖。反射碟面陣列120包括至少一柱狀反射碟面(其呈現碟型反射面)，亦即可僅包含一個反射碟面(如第1A圖所示)或是由沿著一寬度或高度方向緊鄰排列與接合多個反射碟面構成。如第4圖所示，反射碟面陣列120可由多個反射碟面120-1、120-2...120-N構成，且示意地繪示沿寬度方向排列，但不以此為限。根據以上概念，本發明反射碟面陣列120的寬度可根據反射碟面的數量來調整，這些反射碟面沿一寬度方向緊鄰排列與接合，且反射碟面拼接後的總寬度即為反射碟面陣列120的寬度。舉例來說，這些反射碟面可以使用焊接或是螺絲鎖緊的方式固定而拼接再一起。同樣的思維亦可以應用於高度方向的擴展，其反射面的產生係依據以下公式(2)進行延伸。
此外，如第1A圖所示，反射碟面陣列120相對於天線陣列110呈現一個維度的一反射拋物面，若從X軸方向觀看，該反射拋物面在Y-Z平面上呈現一拋物線弧度，然而本發明並不限制該反射拋物面的曲度，可根據實際使用需求來調整。反射碟面陣列120沿著深度方向(例如Z軸方向)的深度值係透過以下公式計算：
Figure 110105082-A0101-12-0008-2
 其中z係為該反射拋物面的深度值，y係為該反射拋物面沿著高度方向(例如Y軸方向)的高度值，f y 係為天線陣列110與該反射拋物面的焦距值，其中上述高度方向、寬度方向以及深度方向係彼此垂直。
請參考第5圖，第5圖係為根據本發明一實施例用於第1A圖天線量測系統100的量測面130的示意圖，量測面130具有一量測靜域135，量測靜域135的幾何尺寸大於或等於量測面130的幾何尺寸的二分之一，亦即量測靜域135的寬度、高度方向上的邊長須大於或等於量測面130的邊長的二分之一。根據上述設計，當需要改變靜域尺寸時，僅須調整該反射拋物面的垂直高度(y軸方向)，往高度方向擴展，而水平寬度(X軸方向)只需使用相同的反射拋物面拼接擴展，不須重新設計反射面。
此外，量測靜域135與該反射拋物面之間的距離為1.5至2.5倍fy，也就是說，當天線陣列110與反射碟面陣列120之間的焦距為fy時，天線陣列110與量測面130的距離可大致上為0.5fy~1.5fy。舉例來說，量測靜域135量測到的的振幅漣波小於±0.5dB，相位誤差小於±5度，但本發明不限於此。
量測面130會根據天線陣列110中每一天線單元110S所引發之射頻訊號能量來計算反射碟面陣列120的輻射場，並且根據量測到的輻射場來決定要饋入每一天線單元110S的饋入點110F的優化振幅以及優化相位。在一實施例中，上述量測操作係將該反射拋物面分為多個區塊，並且分別量測這些區塊各自的輻射場，最後取得加總後取平均值的輻射場。
綜上所述，本發明提供一種改良的縮距式天線量測系統，適於在狹小空間內建置天線輻射遠場環境，並且可大幅提昇量測的精準度，滿足生產線使用需求。此外，本發明的系統擴展度高，其中反射碟面陣列的寬度與高度可以靈活作調整，更可大幅降低廠商的成本。此外，本發明有別於傳統做法，測 量結構採用一種新穎的反射拋物面設計，更可大幅降低傳統縮距式天線量測場的成本(實驗室建置場地大幅縮小、建造成本降低，且距離縮短後，射頻訊號衰減變小，不需再增加射頻放大器將訊號放大)，這是由於本發明以反射拋物面作為反射面，反射面設置在較近的距離就可提供遠距的效果。此外，本發明尤其適用於毫米波以上的頻段量測，能夠大幅縮小系統建置空間，符合產線的需求。
本發明的天線量測系統的優點可歸納如下：
(1)饋入天線採用陣列天線型式，每個天線單元的間距可為天線量測系統的操作頻率之0.5倍波長(但不以此為限)，並且利用物理光學(physical optics)分析反射面之輻射表現，以計算各饋入天線單元最佳激發振幅及相位(excitation amplitude and phase)；
(2)依照不同測靜域尺寸需求，僅須調整反射面的垂直高度，而水平寬度只需使用相同反射面拼接擴展，不須重新設計整個反射面；
(3)天線單元的輻射體外型採用新穎的設計，一方面可以降低電流的不連續性，另一方面有助於增加對應的頻率範圍，以利增加頻寬；
(4)新穎的反射拋物面設計使天線量測系統不需要佔用廣大的面積就可以達到預期的測量效果；
(5)系統的擴展度高，特別針對毫米波以上的頻段量測大幅縮小系統建置空間，尤其適用於產線的應用。
上述各饋入天線單元最佳激發振幅及相位可以透過第6圖、第7圖來理解，第6圖係為饋入天線輻射場水平橫切面的能量分布的示意圖，且第7圖係為饋入天線輻射場水平縱切面的能量分布的示意圖，其中曲線610、710係為未使用天線量測系統進行天線最佳化的電場分佈，曲線620、720則是使用天線量測系統進行天線最佳化的電場分佈，比較曲線610、620(或710、720)可看出 曲線620、720的中間部分的變動量顯著地變小，兩側能量也顯著地下降。未使用饋入天線單元最佳激發振幅及相位時，曲線620與720的斜度(Taper)相較於610與710有明顯的下降，故可提供更佳的量測範圍以及訊號品質，足以證明本發明的技術確實足以實現上述功效。
100:天線量測系統
110:天線陣列
110S:天線單元
120:反射碟面陣列
130:量測面
S1:訊號
R1:反射訊號

Claims (9)

  1. 一種天線量測系統，包含：一天線陣列，該天線陣列包含呈直線排列的多個天線單元，該些天線單元中任何相鄰兩天線單元相隔一預定間距，且該些天線單元中每一天線單元具有一輻射體以及一饋入點；一反射碟面陣列，包括至少一反射碟面，沿著一寬度或高度方向緊鄰排列與接合，該反射碟面陣列用以根據該天線陣列發出的訊號產生一反射訊號，其中該反射碟面陣列的寬度或高度根據該至少一反射碟面中多個反射碟面的數量來調整，其中該些反射碟面沿該寬度或高度方向拼接，該些反射碟面拼接後的總寬度與高度分別作為該反射碟面陣列的寬度與高度；以及一量測面，用以對該反射訊號進行一量測操作。
  2. 如請求項1所述之天線量測系統，其中該至少一反射碟面陣列相對於該天線陣列呈現一個維度的一反射拋物面。
  3. 如請求項2所述之天線量測系統，其中該反射碟面陣列沿著一深度方向的深度值係透過以下公式計算：
    Figure 110105082-A0305-02-0014-2
     其中z係為該深度值，y係為該反射拋物面沿著一高度方向的高度值，f y 係為該天線陣列與該反射拋物面的焦距值，其中該高度方向、該寬度方向以及該深度方向係彼此垂直。
  4. 如請求項2所述之天線量測系統，其中該量測面具有一量測靜域，該量測靜域的幾何尺寸大於或等於該量測面的幾何尺寸的二分之一。
  5. 如請求項2所述之天線量測系統，其中該量測面具有一量測靜域，該量測靜域與該反射拋物面之間的距離為1.5至2.5倍f y 。
  6. 如請求項2所述之天線量測系統，其中該量測面具有一量測靜域，該量測靜域內的振幅漣波小於±0.5dB，相位誤差小於±5度。
  7. 如請求項1所述之天線量測系統，其中該量測操作包含：根據該每一天線單元所引發之射頻訊號能量計算該反射碟面陣列的輻射場；以及根據該輻射場來決定要饋入該每一天線單元的該饋入點的優化振幅以及優化相位。
  8. 如請求項7所述之天線量測系統，其中該量測操作另包含：將該反射拋物面被分為多個區塊，以分別量測該些區塊各自的輻射場。
  9. 如請求項1所述之天線量測系統，其中該輻射體包含一第一導電部、一第二導電部以及一第三導電部，該第一導電部係由一第一延伸部、一第一彎曲部以及一第一彎折部所構成，且該第二導電部係由一第二延伸部、一第二彎曲部以及一第二彎折部所構成。
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