TWI771738B - 一種電漿處理器、晶片頂升裝置及其頂升方法 - Google Patents

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Abstract

本發明公開一種電漿處理器、晶片頂升裝置及其頂升方法，反應腔內設置有基座，基座下方設置有安裝板，基座和安裝板設置有通孔以形成導向通道，晶片頂升裝置包含：頂針組件，至少部分位於導向通道內，頂針組件包括頂針和驅動頂針升降的頂針中心軸，頂針中心軸外設有密封波紋管；驅動組件，用於驅動頂針在導向通道內升降；高度調節組件，包括高度可調支架，高度可調支架與頂針中心軸和調節螺釘連接；貫穿安裝板設置有高度調節孔，用於容納高度調節工具並對調節螺釘進行旋轉，以實現對高度可調支架的高度調節，高度調節工具可拆卸地位於高度調節孔內。本發明能保證複數個頂針的頂端的高齊平度，並且可以直接在反應器內的安裝板上方調節頂針高度，提高工作效率。

Description

一種電漿處理器、晶片頂升裝置及其頂升方法
本發明涉及電漿處理，特別涉及一種電漿處理器、晶片頂升裝置及其頂升方法。
在半導體晶片處理設備中，當晶片在傳輸腔和真空處理腔之間傳輸時，需要用頂升裝置將晶片升起或降落，以實現晶片離開靜電吸盤表面或落到機械臂的表面，從而實現與靜電吸盤脫離或為機械臂取片留出高度空間。
而在晶片與靜電吸盤的靜電吸附和脫離的過程中對晶片與靜電吸盤表面的平行度和高度有很高的要求，也就對支撐晶片的頂升裝置的高度和三根頂針的頂端形成的平面與靜電吸盤上平面的平行度有非常高的要求；同時頂升裝置需要上下移動，而非常輕薄的晶片在跟隨頂升裝置移動的過程中會因為頂升裝置移動時的輕微的抖動或運動不一致發生偏移，這同樣對於整個結構製造和安裝具有很高的精度要求；另外，頂升裝置在真空的一側是在蝕刻環境中，不能在其上下移動的過程中為高純度的環境帶來粒子。
如圖1所示，傳統的頂升裝置101透過其下方的氣缸106的氣體整體推動以進行上下移動，但是頂升裝置101的高度無法單獨調節。同時，頂升裝置101上下移動的波紋管104與其導向襯套105是分體組裝的，在實際的安裝中無法很好地保證波紋管104和導向襯套105之間的同心度，但是為了保證三個波紋管104的可移動性，波紋管104的導向端與導向襯套105之間被迫留有較大的間隙（gap），在安裝過程中難以保證三個頂針的間隙一致，也就難以保證波紋管104上部固定密封端和下部導向端的同心度，將造成頂升裝置傾斜、晃動及運動不平穩。另外，頂升裝置101傾斜後會與安裝板103和基板102上的靜電吸盤之間摩擦，且頂升裝置101與波紋管104的固定小孔之間也會產生摩擦以及脫落，這些都會成為高純度的環境中的顆粒源，形成污染物；傳統的設計依靠現有的工業製造水準難和安裝精度都難以避免這些問題。
基於上述可知，先前技術中的頂升裝置沒有獨立地高度調節功能，因此研發一種高度獨立可調且真空密封的晶片頂升裝置實為必要。
本發明的目的在於提供一種電漿處理器、晶片頂升裝置及其頂升方法，透過高度調節組件調節和固定頂針高度，實現複數個頂針的頂端的高齊平度；調節工具穿過基座和安裝板上的開孔直至反應腔體外，則不用將整個下陰極從反應腔中拆出在外部調節，可以直接在反應器內的安裝板上方調節頂針的高度，大大提高安裝和工作效率，減少下陰極拆卸過程中帶來的各種風險；透過支架將頂針中心軸和導向襯套進行過盈配合形成一個剛性的整體，同軸度好且不受安裝影響，限制頂針中心軸僅在垂直方向移動，而不會發生傾斜，頂針不會與波紋管觸碰摩擦，也不會造成頂針與靜電吸盤發生刮擦而產生污染顆粒。
為了達到上述目的，本發明透過以下技術方案實現：
一種用於電漿處理器的晶片頂升裝置，電漿處理器包括反應腔，反應腔內設置有基座，用於支撐處理晶片，基座下方設置有安裝板，用於承載基座，基座和安裝板設置有複數個通孔以形成對應的複數個導向通道，晶片頂升裝置包含： 頂針組件，至少部分位於導向通道內，頂針組件包括升降頂針和驅動升降頂針升降的頂針中心軸，頂針中心軸外設有密封波紋管； 驅動組件，用於驅動頂針組件的升降頂針在導向通道內升降； 高度調節組件，包括高度可調支架，高度可調支架一端與頂針中心軸相連，另一端連接調節螺釘；貫穿安裝板設有高度調節孔，高度調節孔用於容納高度調節工具以對調節螺釘進行旋轉，實現對高度可調支架的高度調節，高度調節工具可拆卸地位於高度調節孔內。
較佳地，高度可調支架設置在驅動組件的上方，高度可調支架透過調節螺釘與驅動組件連接。
較佳地，高度調節工具包含調節工具芯部，高度調節工具芯部穿過高度調節孔與調節螺釘接觸，用於旋轉調節螺釘以緊固或鬆脫調節螺釘。
較佳地，高度調節工具進一步包含調節工具外圈，位於調節工具芯部外側，調節工具外圈用於旋轉調節螺釘外側的鎖緊螺母以緊固或鬆脫鎖緊螺母。
較佳地，高度可調支架和驅動組件上下之間設有複數個導銷，防止高度可調支架與驅動組件發生相對滑動或傾斜。
較佳地，高度可調支架與頂針中心軸的下部固定連接；頂針中心軸的下部選取一段加工成扁平段，高度可調支架設有與扁平段相匹配的U型缺口，U型缺口的開口方向朝向扁平段一側，U型缺口插向扁平段並卡設在扁平段的外側實現固定連接。
較佳地，升降頂針的下部嵌設在頂針中心軸內。
較佳地，安裝板上方設有高度校準件，選取高度校準件的一定高度的水平面與各升降頂針的目標位置進行高度比較，適應性調節對應高度可調支架的高度，並校準所有的升降頂針在同一高度；高度校準件可拆卸地位於安裝板上方。
較佳地，密封波紋管外側套設有導向套筒，導向套筒和其上方的基座之間設有法蘭盤，法蘭盤位於頂針中心軸外側；導向套筒和頂針中心軸之間設有至少一個導向部件；法蘭盤和導向套筒之間，以及導向套筒和頂針中心軸外側的導向部件之間利用過盈配合形成整體，使得頂針中心軸沿垂直方向移動。
較佳地，密封波紋管下方的部分頂針中心軸的外側連接有密封件，用以保持升降頂針上方的真空腔體與外界其他氣體的隔離密封。
較佳地，導向部件為導向襯套，導向襯套為無油免潤滑軸承，其材料為塑膠、軸承青銅、石墨鑲嵌軸瓦中的任意一種或多種。
較佳地，高度校準件與法蘭盤之間透過密封圈實現密封。
較佳地，高度校準件和安裝板之間設有固定件，固定件的內側壓在法蘭盤的上端且外側壓在安裝板的上端，用於緊固高度校準件、法蘭盤和安裝板。
本發明進一步提供了一種採用如上文所述的晶片頂升裝置的晶片頂升方法，該方法包含以下步驟：選取高度校準件的一定高度的參考水平面與各升降頂針的目標位置比較，判斷升降頂針是否齊平；高度調節組件的高度可調支架的一端與頂針中心軸連接，高度可調支架的另一端與調節螺釘連接，當存在目標位置未與高度校準件的參考水平面平齊的待調整頂針時，利用高度校準件下方的安裝板上開設的高度調節孔內容納的調節工具來旋轉調節螺釘，帶動高度可調支架升降，進而帶動頂針中心軸升降，待調整頂針在導向通道內升降，使得各升降頂針目標位置的高度與高度校準的參考水平面平齊，所有的升降頂針被校準到在同一高度；升降頂針的高度調節過程完成後，移除調節工具和高度校準件，透過驅動組件驅動高度可調支架向上運動，帶動頂針中心軸上升以及升降頂針上升，升降頂針的頂端接觸晶片並將晶片頂起。
本發明又提供了一種電漿處理器，包括反應腔，反應腔內設置有基座，用於支撐處理晶片，基座下方設置有安裝板，用於承載基座，基座和安裝板設置有複數個通孔以形成對應的複數個導向通道，用於使上文所述的晶片頂升裝置中的升降頂針在導向通道內升降，最終將晶片頂升至設定位置。
與先前技術相比，本發明的有益效果為：
本發明的頂針組件連接有高度調節組件，高度調節組件包含調節支架和高度調節工具，可調支架分別與頂針組件和調節螺釘連接，高度調節工具對調節螺釘進行旋轉，實現對高度可調支架的高度調節，可以調節頂針高度，從而實現複數個頂針的頂端的高齊平度，保證晶片與靜電吸盤的安全分離；
本發明的調節工具可以在安裝板的上方對頂針的高度進行調節，透過在安裝板上設置容納調節工具的開孔，使得本發明不用將整個下陰極從反應腔中拆出在外部調節，可以在頂針組件安裝到安裝板後在安裝板上方進行調節，大大提高安裝和工作效率，減少下陰極拆卸過程中帶來的各種風險；
本發明的頂針中心軸的外側套設有導向襯套，且導向襯套位於支架與頂針中心軸之間，透過支架將頂針中心軸和導向襯套進行過盈配合形成一個剛性的整體，則兩者的同軸度好且不受安裝影響，頂針中心軸和導向襯套之間間隙非常小，可限制頂針中心軸僅在垂直方向移動，不發生傾斜，頂針不會與波紋管觸碰摩擦，也不會造成頂針與靜電吸盤發生刮擦而產生污染顆粒，不會給反應器中高純度的環境帶來污染顆粒。
為了使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地說明。顯而易見的是，所說明的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域具有通常知識者在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬本發明保護的範圍。
如圖2所示，本發明的電漿處理器包含真空反應腔100，真空反應腔100包括由金屬材料製成的大致為圓柱形的反應腔側壁。反應腔側壁上方設置有氣體噴淋裝置120，氣體噴淋裝置120與氣體供應裝置110相連。氣體供應裝置110中的反應氣體經過氣體噴淋裝置120進入真空反應腔100。真空反應腔100內的下方設有用於支撐處理晶片的基座230，基座230下方設置有安裝板310，其用於承載基座230。反應腔100內設有晶片頂升裝置，晶片頂升裝置包含複數個頂針組件210。基座230和安裝板310都具有複數個通孔，安裝板310上的各通孔與基座230上對應的通孔形成豎直方向的導向通道313。各頂針組件210的至少一部分設置在對應的導向通道313內。
如圖2至圖3所示，各頂針組件210均包含頂針中心軸318和升降頂針314，升降頂針314下部嵌設在頂針中心軸318上部以實現固定連接。當頂針中心軸318向上運動時，帶動升降頂針314上升，升降頂針314的頂端會接觸晶片並將晶片頂起。晶片頂升裝置進一步包含驅動組件304，用於驅動頂針組件210的升降頂針314在導向通道313內升降。
本發明的晶片頂升裝置進一步包含用於在蝕刻開始之前調節頂針組件210高度的高度調節組件200，以及在靜電吸盤安裝之前用於校準升降頂針314高度齊平度的高度校準件311。高度校準件311可拆卸地位於安裝板310上方，當升降頂針314高度齊平度校準完成後，將高度校準件311移除，並安裝基座230等，然後開始蝕刻工作。
頂針中心軸318的外側從上至下依次設有導向套管315、中間法蘭盤319和導向套筒302，與由高度校準件311以及安裝板310的通孔形成的階梯狀通道相匹配，用於支撐頂針組件210；當移除高度校準件311後，導向套管315、中間法蘭盤319和導向套筒302與基座230以及安裝板310的通孔形成的階梯狀通道相匹配。其中，導向套筒302內的中間位置設有密封波紋管301，且密封波紋管301設置在頂針中心軸318的外側。
如圖2至圖3所示，本發明的頂針組件210與高度調節組件200連接，用於調整複數個升降頂針314的頂端的齊平度，高度調節組件200包含用於調節升降頂針314頂端高度的可調支架305，可調支架305的一端與頂針中心軸318相連，另一端連接調節螺釘307。可調支架305透過調節螺釘307與驅動組件304連接，驅動組件304用於驅動可調支架305升降運動，從而可以驅動頂針中心軸318帶動升降頂針314在導向通道內313升降。在另外的實施例中，驅動組件304可以直接和頂針組件210相連接，而非透過可調支架305實現二者的連接。在本發明中，驅動組件304驅動複數個升降頂針314同時升降，高度調節組件200分別實現對各升降頂針314的獨立高度調節。其中，可調支架305和驅動組件304均位於安裝板310的下方。
較佳地，頂針中心軸318下部的某一段加工成扁平段3181，可調支架305的一側設置為U型缺口3051，U型缺口3051的開口方向朝向扁平段3181一側，將U型缺口3051插向扁平段3181並卡設在扁平段3181的外側實現固定連接，便於頂針組件210和高度調節組件200的安裝配合。
如圖3所示，驅動組件304設置在可調支架305的下方，可調支架305上的第二側加工有第一螺紋孔，驅動組件304上對應的位置也設有與第一螺紋孔相匹配的第二螺紋孔，調節螺釘307穿過第一螺紋孔和第二螺紋孔將可調支架305與驅動組件304進行連接。同時，為防止長期使用出現可調支架305與調節螺釘307連接鬆動，則在可調支架305的上方的調節螺釘307上加裝鎖緊螺母308。
本發明為了實現可以在安裝板310上方調節升降頂針314頂端的高度，高度調節組件200進一步包含調節工具312。調節工具312穿過開設在安裝板310上的開孔（高度調節孔330），以實現對調節螺釘307的旋轉調節。
調節工具312包含調節工具外圈3121和調節工具芯部3122，調節工具外圈3121的下端與鎖緊螺母308相匹配，使得旋轉調節工具外圈3121時可以帶動鎖緊螺母308轉動，用以緊固或鬆脫鎖緊螺母308。同時，調節工具芯部3122的下端與調節螺釘307相匹配，使得旋轉調節工具芯部3122時可以帶動調節螺釘307轉動，用以緊固或鬆脫調節螺釘307，以實現可調支架305和驅動組件304的固定或鬆開作用。
本發明的調節螺釘307可以為兩個或兩個以上，對應地，鎖緊螺母308的數量與調節螺釘307相匹配。
本實施例中，在可調支架305和驅動組件304上下之間設置複數個（例如兩個）導銷306，用於保證可調支架305在安裝和調節中不會與驅動組件304發生相對滑動，且不會對調節螺釘307造成阻擋，並且保證調節順暢。本發明的導銷306不僅限於本實施例中的兩個，可以進一步是其他數量。本發明對此不做限制。
本實施例中，在可調支架305和驅動組件304之間設置有穿過調節螺釘307的彈片309，以防止調節過程中由於過於鬆動出現迅速抖動或傾斜，對高度調節造成干擾。
為了保證頂升力的均勻分佈，本發明的頂升裝置設置有複數個頂針組件210，數量為至少三個，各頂針組件210均對應一個高度調節組件200。本實施例中，頂針組件210的數量為三個，並呈等腰三角形分佈在靜電吸盤上的對應的各孔位。但是本發明的頂針組件210並不僅限於三個，分佈也不限於等腰三角形，對此不做限制。
如圖3所示，安裝板310上方的高度校準件311可以作為高度測量裝置，透過將各升降頂針314頂端位置與高度校準件311（將高度校準件311作為參考基準）的頂端進行比較判斷兩者是否齊平，從而判斷複數個升降頂針314高度的不一致性。當發現三個升降頂針314中存在未與高度校準件311頂端平齊的待調整的升降頂針314時，即其頂端高度比高度校準件311頂端位置低或者其高度比高度校準件311頂端位置高，則需要將該待調整的升降頂針314進行抬升或下降，使得該待調整的升降頂針314的頂端與高度校準件311頂端平齊，具體操作如下：
將該待調整的升降頂針314對應的調節工具312穿過高度校準件311以及安裝板310上的高度調節孔330並伸入到安裝板310下方，先旋轉調節工具外圈3121來鬆開鎖緊螺母308，然後再透過旋轉調節工具芯部3122來鬆開調節螺釘307，並透過比較升降頂針314相對高度校準件311的高度位置，調整可調支架305的高度位置（例如抬高可調支架305或降低可調支架305），則可調支架305帶動頂針中心軸318上升或下降，則升降頂針314進行上升或下降，調節升降頂針314的高度，直至升降頂針314最上端與高度校準件311上平面齊平時，則透過反向旋轉調節工具芯部3122，緊固調節螺釘307，然後再反向旋轉調節工具外圈3121來緊固鎖緊螺母308，實現可調支架305和驅動組件304的固定作用，最終三個升降頂針314的高度一致，則這三個升降頂針314的頂端形成的平面與高度校準件311頂端平行。
本發明不僅限於將高度校準件311的頂端與升降頂針314的頂端位置進行比較來判斷齊平度，可以進一步在升降頂針314上設置刻度及/或在高度校準件311上設置刻度，用以判斷複數個升降頂針314的高度齊平度。例如，將任意一個升降頂針314作為參考升降頂針314，當該參考升降頂針314的頂端位置低於高度校準件311的頂端時，此時記錄參考升降頂針314的頂端處於高度校準件311上的刻度值大小，透過抬升或降低其他的升降頂針314使得其他的升降頂針314也位於高度校準件311上的同樣刻度位置，最終複數個升降頂針314的高度一致。再例如，將任意一個升降頂針314作為參考升降頂針314，當該參考升降頂針314的頂端位置高於高度校準件311的頂端時，此時記錄高度校準件311的頂端處於參考升降頂針314上的刻度值大小，透過抬升或降低其他的升降頂針314使得高度校準件311的頂端也處於其他的升降頂針314上的同樣刻度位置，最終複數個升降頂針314的高度一致。本發明進一步包含其他類似的校準方法，在此不做贅述。
上述調節過程完成後，移除調節工具312和高度校準件311，透過驅動力驅動驅動組件304向上運動，帶動可調支架305向上運動，進一步帶動頂針中心軸318上升，則升降頂針314上升，升降頂針314的頂端會接觸晶片並將晶片頂起。
另外，密封波紋管301下方的部分頂針中心軸318的外側連接有密封件320，用以保持升降頂針314上方的真空腔體與外界其他氣體的隔離密封作用。同時，位於密封件320下方的部分頂針中心軸318的外側套設有一個或兩個導向襯套303，且導向襯套303位於導向套筒302與頂針中心軸318之間。
本實施例中，中間法蘭盤319和導向套筒302之間，以及導向套筒302和頂針中心軸318外側的導向襯套303之間利用過盈配合形成剛性的整體，使得頂針中心軸318和導向襯套303兩者的同軸度好且不受安裝影響。因此，頂針中心軸318和導向襯套303之間的間隙非常小，限制了頂針中心軸318僅在垂直方向移動，不發生傾斜，從而不會造成頂針組件210與靜電吸盤發生刮擦而產生污染顆粒。
本發明的導向襯套303為無油免潤滑軸承，其材料包括塑膠、軸承青銅或石墨鑲嵌軸瓦，承載能力大、耐磨性能好、使用壽命長。
本實施例中，調節過程完成後，移除調節工具312和高度校準件311，並安裝用於支撐處理晶片的基座230，且中間法蘭盤319與基座230之間透過密封圈316實現密封。基座230和安裝板310之間設置有固定件317，固定件317的內側壓在中間法蘭盤319的上端且外側壓在安裝板310上端，以實現基座230、中間法蘭盤319和安裝板310之間緊固作用。
綜上所述，本發明可以調節頂針高度，實現複數個頂針的頂端的高齊平度，保證晶片與靜電吸盤的安全分離；本發明不用將整個下陰極從反應腔中拆出在外部調節，可以在頂針組件安裝到安裝板後在安裝板上方進行調節，大大提高安裝和工作效率，減少下陰極拆卸過程中帶來的各種風險；本發明的頂針中心軸僅在垂直方向移動，不發生傾斜，頂針不會與波紋管觸碰摩擦，也不會造成頂針與靜電吸盤發生刮擦而產生污染顆粒，不會給反應器中高純度的環境帶來污染顆粒。
儘管本發明的內容已經透過上述較佳實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的說明不應被認為是對本發明的限制。在本領域具有通常知識者閱讀了上述內容後，對於本發明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發明的保護範圍應由所附的申請專利範圍來限定。
100:反應腔 101:頂升裝置 102:基板 103:安裝板 104:波紋管 105:導向襯套 106:氣缸 110:氣體供應裝置 120:氣體噴淋裝置 200:高度調節組件 210:頂針組件 230:基座 301:密封波紋管 302:導向套筒 303:導向襯套 304:驅動組件 305:可調支架 3051:U型缺口 306:導銷 307:調節螺釘 308:鎖緊螺母 309:彈片 310:安裝板 311:高度校準件 312:調節工具 3121:調節工具外圈 3122:調節工具芯部 313:導向通道 314:升降頂針 315:導向套管 316:密封圈 317:固定件 318:頂針中心軸 3181:扁平段 319:中間法蘭盤 330:高度調節孔
圖1為先前技術的高度不可獨立調節的晶片頂升裝置結構示意圖； 圖2為本發明具有高度獨立可調地晶片頂升裝置的電漿處理器結構示意圖； 圖3為本發明的高度可調和真空密封的晶片頂升裝置結構示意圖。
301:密封波紋管
302:導向套筒
303:導向襯套
304:驅動組件
305:可調支架
3051:U型缺口
306:導銷
307:調節螺釘
308:鎖緊螺母
309:彈片
310:安裝板
311:高度校準件
312:調節工具
3121:調節工具外圈
3122:調節工具芯部
313:導向通道
314:升降頂針
315:導向套管
316:密封圈
317:固定件
318:頂針中心軸
3181:扁平段
319:中間法蘭盤
330:高度調節孔

Claims (15)

  1. 一種用於電漿處理器的晶片頂升裝置，該電漿處理器包括一反應腔，該反應腔內設置一基座，用於支撐處理晶片，該基座下方設置一安裝板，用於承載該基座，該基座和該安裝板設置複數個通孔形成對應的複數個導向通道，其中該晶片頂升裝置包含： 一頂針組件，至少部分位於該導向通道內，該頂針組件包括一升降頂針和驅動該升降頂針升降的一頂針中心軸，該頂針中心軸外設有一密封波紋管； 一驅動組件，用於驅動該頂針組件的該升降頂針在該導向通道內升降； 一高度調節組件，包括一高度可調支架，該高度可調支架的一端與該頂針中心軸相連，另一端連接一調節螺釘；貫穿該安裝板設有一高度調節孔，該高度調節孔用於容納一高度調節工具對該調節螺釘進行旋轉，實現對該高度可調支架的高度調節，該高度調節工具可拆卸地位於該高度調節孔內。
  2. 如請求項1所述的晶片頂升裝置，其中， 該高度可調支架設置在該驅動組件的上方，該高度可調支架透過該調節螺釘與該驅動組件連接。
  3. 如請求項1所述的晶片頂升裝置，其中， 該高度調節工具包含一調節工具芯部，該調節工具芯部穿過該高度調節孔與該調節螺釘接觸，用於旋轉該調節螺釘以緊固或鬆脫該調節螺釘。
  4. 如請求項3所述的晶片頂升裝置，其中， 該高度調節工具進一步包含一調節工具外圈，位於該調節工具芯部外側，該調節工具外圈用於旋轉該調節螺釘外側的一鎖緊螺母以緊固或鬆脫該鎖緊螺母。
  5. 如請求項1或請求項2所述的晶片頂升裝置，其中， 該高度可調支架和該驅動組件上下之間設有複數個導銷，防止該高度可調支架與該驅動組件發生相對滑動或傾斜。
  6. 如請求項1所述的晶片頂升裝置，其中， 該高度可調支架與該頂針中心軸的下部固定連接； 該頂針中心軸的下部選取一段加工成一扁平段，該高度可調支架設有與該扁平段相匹配的一U型缺口，該U型缺口的開口方向朝向該扁平段的一側，該U型缺口插向該扁平段並卡設在該扁平段的外側實現固定連接。
  7. 如請求項1所述的晶片頂升裝置，其中， 該升降頂針的下部嵌設在該頂針中心軸內。
  8. 如請求項1所述的晶片頂升裝置，其中， 該安裝板上方設有一高度校準件，選取該高度校準件的一定高度的水平面與各該升降頂針的目標位置進行高度比較，適應性調節對應的該高度可調支架的高度，校準所有的該升降頂針在同一高度；該高度校準件可拆卸地位於該安裝板上方。
  9. 如請求項1所述的晶片頂升裝置，其中， 該密封波紋管外側套設有一導向套筒，該導向套筒和其上方的該基座之間設有一法蘭盤，該法蘭盤位於該頂針中心軸外側； 該導向套筒和該頂針中心軸之間設有至少一導向部件； 該法蘭盤和該導向套筒，該導向套筒和該頂針中心軸外側的該導向部件之間利用過盈配合形成整體，使得該頂針中心軸沿垂直方向移動。
  10. 如請求項1所述的晶片頂升裝置，其中， 該密封波紋管下方的部分該頂針中心軸的外側連接一密封件，用以保持該升降頂針上方的真空腔體與外界其他氣體的隔離密封。
  11. 如請求項9所述的晶片頂升裝置，其中， 該導向部件為一導向襯套，該導向襯套為無油免潤滑軸承，其材料為塑膠、軸承青銅、石墨鑲嵌軸瓦中的任意一種或多種。
  12. 如請求項9所述的晶片頂升裝置，其中， 該基座與該法蘭盤之間透過一密封圈實現密封。
  13. 如請求項9所述的晶片頂升裝置，其中， 該基座和該安裝板之間設有一固定件，該固定件的內側壓在該法蘭盤的上端且外側壓在該安裝板的上端，用於緊固該基座、該法蘭盤和該安裝板。
  14. 一種採用如請求項1至請求項13中的任意一項所述的晶片頂升裝置的晶片頂升方法，該方法包含以下步驟： 選取該高度校準件的一定高度的參考水平面與各該升降頂針的目標位置比較，判斷該升降頂針是否齊平； 該高度調節組件的該高度可調支架的一端與該頂針中心軸連接，該高度可調支架的另一端與該調節螺釘連接，當存在目標位置未與該高度校準件的參考水平面平齊的待調整頂針時，利用該高度校準件下方的該安裝板上開設的該高度調節孔內容納的該高度調節工具來旋轉該調節螺釘，帶動該高度可調支架升降，進而帶動該頂針中心軸升降，待調整頂針在該導向通道內升降，使得各該升降頂針目標位置的高度與該高度校準件的參考水平面平齊，所有的該升降頂針被校準到在同一高度； 該升降頂針的高度調節過程完成後，移除該高度調節工具和該高度校準件，透過該驅動組件驅動該高度可調支架向上運動，帶動該頂針中心軸上升以及該升降頂針上升，該升降頂針的頂端接觸晶片並將晶片頂起。
  15. 一種電漿處理器，包括一反應腔，該反應腔內設置一基座，用於支撐處理晶片，該基座下方設置一安裝板，用於承載該基座，該基座和該安裝板設置複數個通孔形成對應的複數個導向通道，用於請求項1至請求項13中的任意一項所述的晶片頂升裝置中的該升降頂針在該導向通道內升降，最終將晶片頂升至設定位置。
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