TWI770692B - 雷射分析系統、用於分析與雷射源相關聯的資料之方法、微影裝置、及相關的非暫時性電腦可讀媒體 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種系統，其包括經組態以產生雷射脈衝之一或多個脈衝串的一雷射源及一資料收集與分析系統。該資料收集與分析系統經組態以自該雷射源接收與雷射脈衝之該一或多個脈衝串相關聯的資料並基於該所接收資料判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串係供外部使用。該資料收集與分析系統經進一步組態以基於該所接收資料判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串係用於一晶圓上操作抑或用於一校準操作。

Description

雷射分析系統、用於分析與雷射源相關聯的資料之方法、微影裝置、及相關的非暫時性電腦可讀媒體
本發明係關於用於分析及使用與雷射源相關聯之資料的系統及方法。
微影裝置為將所要圖案塗覆至基板上(通常塗覆至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其被替代地稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生形成於形成的IC之個別層上的電路圖案。此圖案可轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印典型地經由成像至經提供於基板上的輻射敏感材料(光阻或簡稱「抗蝕劑」)之層上。一般而言，單一基板將含有連續地經圖案化之鄰近目標部分之網路。已知的微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上通過輻射光束掃描圖案同時平行或反平行於此掃描方向來同步地掃描目標部分而輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上來將圖案自圖案化器件轉印至基板。
雷射源可與微影裝置一起使用以用於例如產生用於照明圖案化器件及曝光基板的照明輻射。雷射源及微影裝置可產生大量資料。因 此，需要用以聚集、叢集及分析與雷射源相關聯資料以理解及控制雷射源及/或微影裝置之操作的系統及方法。
本發明中描述用於聚集並分析與雷射源相關聯之資料的系統及方法之實施例。
本發明之一個態樣提供包括經組態以產生雷射脈衝之一或多個脈衝串的雷射源及資料收集與分析系統之系統。該資料收集與分析系統經組態以自該雷射源接收與雷射脈衝之該一或多個脈衝串相關聯的資料並基於該所接收資料判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串係供外部使用。該資料收集與分析系統經進一步組態以基於該所接收資料判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串係用於一晶圓上操作抑或用於一校準操作。
在一些實施例中，資料收集與分析系統經組態以自所接收資料判定與雷射脈衝之一或多個脈衝串相關聯之能量控制模式(ECM)值並比較經判定ECM值與第一ECM值。回應於判定ECM值不同於第一ECM值，資料收集與分析系統經組態以判定雷射脈衝之一或多個脈衝串係供外部使用。
在一些實施例中，資料收集與分析系統經進一步組態以判定雷射脈衝之一或多個脈衝串中之脈衝串的數目。回應於判定雷射脈衝之一或多個脈衝串包含一個脈衝串，資料收集與分析系統經組態以判定雷射脈衝之該一個脈衝串係用於校準操作。
在一些實施例中，資料收集與分析系統經進一步組態以回應於判定雷射脈衝之一或多個脈衝串包含多於一個脈衝串而不是含有恰好一個脈衝串而將校準類別測試應用於所接收資料。
在一些實施例中，回應於滿足校準類別測試，資料收集與分析系統經進一步組態以判定一或多個脈衝串之最後脈衝串係用於校準操作並判定一或多個脈衝串中之其他脈衝串係用於晶圓上操作。
在一些實施例中，回應於不滿足校準類別測試，資料收集與分析系統經進一步組態以判定一或多個脈衝串係用於晶圓上操作。
在一些實施例中，資料收集與分析系統經進一步組態以自所接收資料排除與一或多個脈衝串之第一脈衝串及最後脈衝串相關聯的資料以產生第一經修改資料。資料收集與分析系統經進一步組態以自第一經修改資料排除與具有最大脈衝串間間隔(IBI)值之脈衝串相關聯的資料以產生第二經修改資料。資料收集與分析系統經進一步組態以基於第二經修改資料中之IBI值產生平均IBI值，基於第二經修改資料中之IBI值產生標準差值，並基於平均IBI值、標準差值及IBI參數產生IBI臨限值。
在一些實施例中，資料收集與分析系統經進一步組態以回應於與最後脈衝串相關聯之IBI值大於IBI臨限值、與最後脈衝串相關聯的每脈衝串之脈衝(PPB)大於PBB臨限值或與最後脈衝串相關聯的高電壓命令偏差(HVV)大於HVV臨限值而判定滿足校準類別測試。回應於滿足校準類別測試，資料收集與分析系統經進一步組態以判定一或多個脈衝串之最後脈衝串係用於校準操作並判定一或多個脈衝串中之其他脈衝串係用於晶圓上操作。
在一些實施例中，資料收集與分析系統經進一步組態以判定一或多個脈衝串之第一部分係用於校準操作並判定一或多個脈衝串之第二部分係用於晶圓上操作。資料收集與分析系統經進一步組態以使用來自所接收資料之與一或多個脈衝串之第二部分相關聯的資料以判定一或多個 脈衝串之第二部分的一或多個度量。
在一些實施例中，一或多個脈衝串包括用於校準操作之校準脈衝串及用於晶圓上操作之一或多個晶圓上脈衝串。校準脈衝串包括區分校準脈衝串與一或多個晶圓上脈衝串的特性。資料收集與分析系統經組態以使用校準脈衝串之特性以區分校準脈衝串與晶圓上脈衝串。
在一些實施例中，資料收集與分析系統經進一步組態以指派晶圓識別符至校準脈衝串。
在一些實施例中，一或多個脈衝串包括用於校準操作之第一校準脈衝串、用於第二校準操作之第二校準脈衝串及用於晶圓上操作之一或多個晶圓上脈衝串。第一校準脈衝串包括區分第一校準脈衝串與一或多個晶圓上脈衝串之第一特性且第二校準脈衝串包括區分第二校準脈衝串與一或多個晶圓上脈衝串之第二特性。該資料收集與分析系統經組態以使用該第一校準脈衝串之該第一特性及該第二校準脈衝串之該第二特性以區分該第一校準脈衝串及該第二校準脈衝串與該一或多個晶圓上脈衝串。
本發明之另一態樣提供包括在資料收集與分析系統處及自雷射源接收與藉由雷射源產生的雷射脈衝之一或多個脈衝串相關聯之資料的方法。該方法進一步包括藉由資料收集與分析系統及基於所接收資料判定雷射脈衝之一或多個脈衝串係供外部使用。該方法亦包括藉由資料收集與分析系統基於所接收資料判定雷射脈衝之一或多個脈衝串係用於晶圓上操作抑或係用於校準操作。
本發明之另一態樣提供包括經組態以調節輻射光束之照明系統及經組態以將賦予至輻射光束之圖案投影至基板上的投影系統的微影裝置。照明系統包括經組態以產生雷射脈衝之一或多個脈衝串的一雷射源 及一資料收集與分析系統。該資料收集與分析系統經組態以自該雷射源接收與雷射脈衝之該一或多個脈衝串相關聯的資料並基於該所接收資料判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串係供外部使用。該資料收集與分析系統經進一步組態以基於該所接收資料判定雷射脈衝之一或多個脈衝串係用於晶圓上操作抑或用於校準操作。
本發明之另一態樣提供儲存在由處理器執行時使得處理器執行操作的指令之非暫時性電腦可讀媒體。操作包括自雷射源接收與藉由雷射源產生的雷射脈衝之一或多個脈衝串相關聯的資料，基於所接收資料判定雷射脈衝之一或多個脈衝串係供外部使用，及基於所接收資料判定雷射脈衝之一或多個脈衝串係用於晶圓上操作抑或係用於校準操作。
下文中參考隨附圖式來詳細地描述另外特徵以及各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的呈現此類實施例。基於本文中所含之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將為顯而易見的。
100:微影裝置
100':微影裝置
210:EUV輻射發射電漿
211:源腔室
212:收集器腔室
219:開口
220:圍封結構
221:輻射光束
222:琢面化場鏡面器件
224:琢面化光瞳鏡面器件
226:圖案化光束
228:反射元件
229:反射元件
230:污染物截留器
240:光柵光譜濾光器
251:上游輻射收集器側
252:下游輻射收集器側
253:掠入射反射器
254:掠入射反射器
255:掠入射反射器
300:微影單元
401:雷射源
403:資料收集與分析系統
405:雷射
407:資料
409:資料及/或控制資訊
420:圖形
421:能量控制模式(ECM1)
423:能量控制模式(ECM2)
425:外部使用區塊
427:內部使用區塊
430:圖形
434:區塊
436:脈衝串
440:圖形
444:區塊
445:區塊
446:脈衝串
448:脈衝串
449:脈衝串
500:系統
501:叢集控制器
502:脈衝串資料
503:校準過濾器
504:脈衝串資料區塊
505:度量產生器
506a:資料
506b:資料
506c:資料
507a:表
507b:表
507c:表
600:方法
602~618:步驟
700:方法
702~722:步驟
800:電腦系統
802:使用者輸入/輸出介面
803:使用者輸入/輸出器件
804:處理器
806:通信基礎架構
808:主記憶體
810:次要記憶體
812:硬碟機
814:抽取式儲存器件或磁碟機/抽取式儲存磁碟機
818:抽取式儲存單元
820:介面
822:抽取式儲存單元
824:通信或網路介面
826:通信路徑
828:遠端器件、遠端網路、遠端實體
AD:調整器
B:輻射光束
BD:光束遞送系統
BK:烘烤板
CH:冷卻板
CO:集光器/輻射收集器/收集器光學件
DE:顯影器
I/O1:輸入/輸出埠
I/O2:輸入/輸出埠
IF1:位置感測器
IF2:位置感測器
IL:照明系統/照明器
IN:積光器
IPU:照明系統光瞳
IVR:真空內機器人
LACU:微影控制單元
LB:裝載匣
LC:微影單元
M2:光罩對準標記
M1:光罩對準標記
MA:圖案化器件
MP:影像
MT:支撐結構/光罩台
O:光軸
P1:基板對準標記
P2:基板對準標記
PD:孔徑器件
PM:第一定位器
PPU:光瞳共軛物
PW:第二定位器
PS:投影系統
RO:機器人
SCS:監督控制系統
SC:旋塗器
SO:輻射源/源收集器裝置
TCU:塗佈顯影系統控制單元
W:基板
併入本文中且形成本說明書之一部分的隨附圖式說明本發明，且連同該描述進一步用以解釋本發明之實施例的原理且使熟習相關技術者能夠製造及使用本發明之實施例。
圖1A為根據一實施例之反射微影裝置的示意性說明。
圖1B為根據一實施例之透射微影裝置的示意性說明。
圖2為根據一實施例之反射微影裝置的更詳細示意性說明。
圖3為根據一實施例之微影製造單元的示意性說明。
圖4A說明根據本發明之一些實施例之具有資料收集與分析系統的雷射源之示意圖。
圖4B至圖4D說明根據本發明之一些實施例的描繪例示性分類之例示性圖表。
圖5說明根據本發明之一些實施例的描繪實施資料收集與分析系統之實例系統之例示性功能方塊圖。
圖6說明根據本發明之一些實施例的用於判定及分類雷射脈衝之一或多個脈衝串的實例方法。
圖7A及圖7B為根據本發明之一些實施例的說明用於判定及分類一或多個脈衝串為晶圓上或校準脈衝串的方法之流程圖。
圖8為用於實施本發明之一些實施例的實例電腦系統或其部分。
本發明之特徵將自結合圖式在下文闡述之詳細描述變得顯而易見，在圖式中，相同參考字元貫穿全文識別對應元件。在該等圖式中，除非另外指明，否則相同參考標號大體指示相同、功能上類似及/或結構上類似之元件。另外，通常，參考標號之最左側數字識別首次出現該參考標號之圖式。除非另有指示，否則貫穿本發明提供之圖式不應解釋為按比例繪製。
本說明書揭示併入本發明之特徵之一或多個實施例。所揭示之實施例僅例證本發明。本發明之範疇並不限於所揭示之該(等)實施例。本發明之寬度及範疇由隨附在此之申請專利範圍及其等效物界定。
所描述之實施例及說明書中對「一個實施例」、「一實施 例」、「一實例實施例」、「一個例示性實施例」、「一例示性實施例」等等之參考指示所描述之實施例可包括特定特徵、結構或特性，但每一實施例可未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等片語未必指代相同實施例。另外，當結合實施例來描述特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否明確地描述，結合其他實施例影響此特徵、結構或特性在熟習此項技術者之認識範圍內。
為了易於描述，空間相對術語，諸如「在……之下」、「在……下方」、「下部」、「在……上方」、「在……之上」、「上部」及其類似者，可在本文中用以描述一個元件或特徵與諸圖中所說明之另一或多個元件或特徵之關係。除圖式中所描繪之定向以外，該空間相對術語意欲涵蓋器件在使用或操作中之不同定向。裝置可以其他方式定向(旋轉90度或處於其他定向)，且本文中所使用的空間相對描述詞可同樣相應地進行解釋。
如本文中所使用之術語「約」指示可基於特定技術而變化之給定量的值。基於特定技術，術語「約」可指示例如在該值之10-30%內(例如，該值之±10%、±20%或±30%)變化之給定數量之值。
本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合予以實施。本發明之實施例亦可經實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可藉由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於以可由機器(例如，計算器件)讀取之形式儲存或傳輸資訊的任何機制。舉例而言，機器可讀媒體可包括唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體器件；電學、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外信號、數位信號等)；及其他者。另 外，韌體、軟體、常式及/或指令可在本文中被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此類描述僅僅出於方便起見，且此類動作事實上係由計算器件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等之其他器件引起。
然而，在更詳細地描述此等實施例之前，有指導性的為呈現可供實施本發明之實施例的實例環境。
實例微影系統
圖1A及圖1B分別為微影裝置100及微影裝置100'之示意性說明，其中可實施本發明之實施例。微影裝置100及微影裝置100'各自包括以下各者：一照明系統(照明器)IL，其經組態以調節一輻射光束B(例如，深紫外線(DUV)輻射或極紫外線(EUV)輻射)；；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經組態以支撐圖案化器件(例如，光罩、倍縮光罩或動態圖案化器件)MA並連接至經組態以準確地定位圖案化器件MA的第一定位器PM；及一基板固持器(諸如台(例如，晶圓台))WT，其經組態以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W並連接至經組態以準確地定位基板W的第二定位器PW。微影裝置100及100'亦具有投影系統PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分(例如包含一或多個晶粒)C上。在微影裝置100中，圖案化器件MA及投影系統PS係反射式的。在微影裝置100'中，圖案化器件MA及投影系統PS係透射式的。
照明系統IL可包括用於導向、塑形或控制輻射光束B之各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、反射折射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化器件MA相對於參考框架之定向、微影裝置100及100'中之至少一者之設計及其他條件(諸如，圖案化器 件MA是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件MA。舉例而言，支撐結構MT可為框架或台，其可視需要而固定或可移動。藉由使用感測器，支撐結構MT可確保圖案化器件MA(例如)相對於投影系統PS處於所要位置。
應將術語「圖案化器件」MA廣泛地解釋為參考任何器件，該器件可用以在其橫截面中賦予具有圖案之輻射光束B，以便在基板W之目標部分C中產生圖案。賦予至輻射光束B之圖案可對應於器件中之特定功能層，在目標部分C中產生該功能層以形成積體電路。
圖案化器件MA可為透射式的(如在圖1B之微影裝置100'中)或反射式的(如在圖1A之微影裝置100中)。圖案化器件MA之實例包括倍縮光罩、光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩在微影中已為人所熟知，且包括諸如二元、交替相移或衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由小鏡面矩陣反射之輻射光束B中賦予圖案。
術語「投影系統」PS可涵蓋如適於所使用之曝光輻射或適於諸如基板W上之浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。真空環境可用於極紫外線(EUV)或電子束輻射，此係由於其他氣體可吸收過多輻射或電子。可因此藉助於真空壁及真空泵將真空環境提供至整個光束路徑。
微影裝置100及/或微影裝置100'可屬於具有兩個(雙載物 台)或多於兩個基板台WT(及/或兩個或多於兩個光罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外基板台WT，或可對一或多個台進行預備步驟，同時將一或多個其他基板台WT用於曝光。在一些情形下，額外台可不為基板台WT。
微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中為人所熟知，用於增大投影系統之數值孔徑。本文中所使用之術語「浸潤」並不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1A及圖1B，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，在源SO為準分子雷射時，源SO及微影裝置100、100'可為單獨的物理實體。在此情況下，不認為源SO形成微影裝置100或100'之部分，且輻射光束B係憑藉包括(例如)合適導向鏡及/或光束擴展器之光束遞送系統BD(在圖1B中)而自源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，在源SO為水銀燈時，源SO可為微影裝置100、100'之整體部分。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包括用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD(在圖1B中)。一般而言，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈之至少外部及/或內部徑向範圍(通常分別稱作「σ外部」及「σ內部」)。另外，照明器IL可包含各種其他組件(在圖1B中)，諸如積光器IN及集光器CO。照明器IL可用以調節輻射光束B以在其橫截面中具有所要之均勻性及強度分佈。
參看圖1A，輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係由該圖案化器件MA圖案化。在微影裝置100中，自圖案化器件(例如，光罩)MA反射輻射光束B。在自圖案化器件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B通過投影系統PS，該投影系統PS將輻射光束B聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT(例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中)。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA與基板W。
參看圖1B，輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且係由該圖案化器件圖案化。橫越光罩MA之後，輻射光束B穿經投影系統PS，該投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。投影系統具有光瞳共軛物PPU至照明系統光瞳IPU。輻射之部分自照明系統光瞳IPU處之強度分佈發散且橫穿光罩圖案而不受光罩圖案處的繞射影響，且產生照明系統光瞳IPU處之強度分佈之影像。
投影系統PS將光罩圖案MP之影像MP'投影至塗佈於基板W上之光阻層，其中圖像MP'藉由自強度分佈之輻射來由產生自標記圖案MP的繞射光束形成。在該陣列處且不同於零階繞射之輻射之繞射產生轉向繞射光束，其在垂直於線的方向上具有方向改變。非繞射光束(亦即，所謂的零階繞射光束)橫穿圖案而不具有傳播方向之任何改變。零階繞射 光束橫穿投影系統PS之在投影系統PS之光瞳共軛物PPU上游的上部透鏡或上部透鏡群組，以到達光瞳共軛物PPU。在光瞳共軛物PPU之平面中且與零階繞射光束相關聯的強度分佈之部分為照明系統IL之照明系統光瞳IPU中之強度分佈之影像。孔徑器件PD例如在包括投影系統PS之光瞳共軛物PPU之平面處或實質上在該平面處安置。
投影系統PS經配置以藉助於透鏡或透鏡群組L不僅捕零階繞射光束，且亦捕獲一階或一階及更高階繞射光束(未圖示)。在一些實施例中，可使用用於使在垂直於線之方向上延伸之線圖案成像的偶極照明以利用偶極照明之解析度增強效應。舉例而言，一階繞射光束在晶圓W之位階處干涉對應的零階繞射光束，而以最高可能解析度及程序窗(亦即，與可容許曝光劑量偏差結合之可用聚焦深度)產生線圖案MP之影像。在一些實施例中，可藉由在照明系統光瞳IPU之相對象限中提供輻射極(圖中未示)而減小散光像差。此外，在一些實施例中，可藉由阻擋投影系統之光瞳共軛物PPU中之與相對象限中之輻射極相關聯的零階光束來減小散光像差。
憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT(例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中)。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(圖1B中未展示)可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位光罩MA(例如在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間)。
一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部分之長衝程模組及短衝程模組來實現基板 台WT的移動。在步進器(相對於掃描器)之情況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA與基板W。儘管基板對準標記(如所說明)佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在多於一個晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。
光罩台MT及圖案化器件MA可處於真空腔室V中，其中真空內機器人IVR可用於將諸如光罩之圖案化器件移入及移出真空腔室。可替代地，當光罩台MT及圖案化器件MA在真空腔室之外部時，與真空內機器人IVR相似，真空外機器人可用於各種輸送操作。需要校準真空內機器人及真空外機器人兩者以用於任何有效負載(例如光罩)至轉移台之固定運動安裝台之平滑轉移。
微影裝置100及100'可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將賦予至輻射光束B之整個圖案一次性地投影至目標部分C上(亦即，單次靜態曝光)時，支撐結構(例如光罩台)MT及基板台WT基本上保持靜止。接著使基板台WT在X方向及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上(亦即，單次動態曝光)時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持實質上靜止，從而固 持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。可使用脈衝式輻射源SO，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
在另一實施例中，微影裝置100包括極紫外線(EUV)源，該EUV源經組態以產生用於EUV微影之EUV輻射光束。一般而言，EUV源經組態於輻射系統中，且對應的照明系統經組態以調節EUV源之EUV輻射光束。
圖2更詳細地展示微影裝置100，其包括源收集器裝置SO、照明系統IL及投影系統PS。建構及配置源收集器裝置SO，使得可將真空環境維持於圍封結構220中。源收集器裝置SO包括源腔室211及收集器腔室212且經組態以產生且傳輸EUV輻射。EUV輻射可藉由例如Xe氣體、Li蒸氣或Sn蒸氣之氣體或蒸氣產生，其中產生EUV輻射發射電漿210以發射在電磁波譜之EUV範圍內的輻射。至少部分地電離之EUV輻射發射電漿210可藉由例如放電或雷射束產生。為了輻射之高效產生，可能需要分壓為例如10Pa之Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他適合氣體或蒸汽。在一實施例中，提供經激發之錫(Sn)電漿以產生EUV輻射。
由EUV輻射發射電漿210發射之輻射經由定位於源腔室211中之開口中或後方的視情況存在之氣體障壁或污染物截留器230(在一些情況下，亦被稱作污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物截留器230可包括通道結構。污染物截留器230亦可包 括氣體障壁，或氣體障壁與通道結構之組合。本文中進一步所指示之污染物截留器或污染物障壁230至少包括通道結構。
收集器腔室212可包括可為所謂掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿收集器CO之輻射可自光柵光譜濾光器240反射以聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器裝置經配置成使得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口219處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。特別地使用光柵光譜濾光器240以用於抑制紅外線(IR)輻射。
隨後，輻射橫穿照明系統IL，該照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件222及琢面化光瞳鏡面器件224，琢面化場鏡面器件222及琢面化光瞳鏡面器件224經配置以提供在圖案化器件MA處輻射光束221之所要角度分佈，以及在圖案化器件MA處之輻射強度之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處反射輻射光束221之後即形成圖案化光束226，且藉由投影系統PS將圖案化光束226經由反射元件228、229而成像至由晶圓載物台或基板台WT固持之基板W上。
比所展示之元件更多的元件通常可存在於照明光學件單元IL及投影系統PS中。取決於微影裝置之類型，光柵光譜濾光器240可視情況存在。此外，可存在比圖2中所展示之鏡面更多的鏡面，例如，與圖2中所展示相比在投影系統PS中可存在1至6個額外反射元件。
如圖2中所說明之收集器光學件CO被描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢套式收集器，僅作為收集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射器253、254及255經安置成圍繞光軸O軸向地對稱，且此 類型之收集器光學件CO係較佳地與放電產生電漿源(常常稱為DPP源)組合使用。
例示性微影單元
圖3展示微影單元300，其有時亦被稱作微影製造單元或微影製造叢集。微影裝置100或100'可形成微影單元300之部分。微影單元300亦可包括用以在基板上執行曝光前程序及曝光後程序之一或多個裝置。習知地，此等裝置包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、冷卻板CH及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板，在不同程序裝置及台之間移動基板，並遞送基板至微影裝置100或100'之裝載匣LB。此等器件(常常統稱為塗佈顯影系統)係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，該塗佈顯影系統自身由監督控制系統SCS控制，該監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU來控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出量及處理效率。
例示性資料收集與分析系統
圖4A說明根據本發明之一些實施例之具有資料收集與分析系統403的雷射源401之示意圖。在一些實施例中，雷射源401可用作微影裝置100或100'之源SO的部分，或除了該源SO之外，還可使用雷射源401。在一些實施例中，雷射源401可用作圖2之微影裝置之源SO的部分，或除了該源SO之外，還可使用雷射源401。另外或可替代地，雷射源401可用於產生DUV輻射以待在微影裝置100或100'或其他DUV微影裝置中使用。如圖4A中所說明，雷射源401可產生雷射405，其在微影裝置中使用。在雷射源401用作圖2之微影裝置之源SO的部分，或除了該源SO之外 使用雷射源401的一些實施例中，雷射源401產生可以用於將目標材料轉換成電漿的雷射405，該電漿產生被導向至微影裝置並用於該微影裝置的EUV輻射。
根據一些實施例，雷射源401可包括及/或可以通信方式耦接至資料收集與分析系統403。資料收集與分析系統403經組態以自雷射源401接收資料407。另外或可替代地，資料收集與分析系統403可將資料及/或控制資訊409發送回至雷射源401。
根據一些實施例，來自雷射源401之資料407可包括與雷射源401相關聯的原始脈衝串資料。原始脈衝串資料為藉由資料收集與分析系統403自雷射源401接收到的資料並表示存在於雷射源401上之與雷射源401相關聯的聚集脈衝間資料(例如，串流傳輸資料)。換言之，根據一些實施例，存在於雷射源401上的脈衝間資料可視為串流傳輸資料。根據一些實施例，與雷射源401相關聯之串流傳輸資料為脈衝層級資料且可包括關於與每一脈衝相關聯之能量控制模式、能量層級、波長等的資訊。此資訊經提供為實例資訊且與雷射源401相關聯的串流傳輸資料可包括與雷射脈衝相關聯之其他資料。在一些實例中，串流傳輸資料可包括每脈衝之一列資料且此一列之每一行包括與脈衝相關聯的參數。然而，串流傳輸資料可包括與雷射脈衝相關聯的資料之其他集合。
根據一些實施例，資料收集與分析系統403經組態以接收資料407(例如，原始脈衝串資料)。在一些實例中，原始脈衝串資料為脈衝串層級資料且為脈衝串中之複數個雷射脈衝的串流傳輸資料之聚集。舉例而言，原始脈衝串資料可包括聚集資料，諸如但不限於與脈衝串中之複數個雷射脈衝相關聯的串流傳輸資料之最大值、最小值、滑動窗平均值、 每脈衝串之脈衝(PPB)的數目、高電壓命令偏差(HVV)等。在一些實例中，原始脈衝串資料可包括每脈衝串脈衝之資料的一列且此一列之每一行包括與脈衝串相關聯的參數。然而，原始脈衝串資料可包括與脈衝串相關聯之資料的其他集合。
根據一些實施例，資料收集與分析系統403經組態以分析所接收資料407。此分析可包括(但不限於)將資料叢集成不同群組，產生一或多個資料子集，基於資料407及/或資料子集判定一或多個度量(例如，效能量測)，等等。此等操作經提供為資料收集與分析系統403之例示性操作。資料收集與分析系統403可經組態以對資料407執行額外或其他操作。
舉例而言，資料收集與分析系統403可經組態以自所接收資料407產生脈衝串資料。在一些實例中，脈衝串資料可包括每脈衝串之一列且可為原始脈衝串資料(例如，資料407)之子集。然而，脈衝串資料可包括與原始脈衝串資料相關聯之資料的其他集合。在另一實例中，資料收集與分析系統403可經組態以判定脈衝串統計資料。舉例而言，收集與分析系統403可自脈衝串資料產生脈衝串統計資料。在一些實例中，脈衝串統計資料可包括與脈衝串資料相關聯的一或多個度量(例如，效能度量)。度量可包括(但不限於)最小值、最大值、均值、標準差值，及/或其他度量。在一個實例中，脈衝串統計資料可包括每基板(例如，晶圓)之一列及/或每能量控制模式(ECM)之一列。
根據一些實施例，資料收集與分析系統403經組態以將資料407(或資料407之子集)分類成兩個或多於兩個類別。如上文所論述，資料407可包括與藉由雷射源401產生的雷射脈衝之一或多個脈衝串相關聯 之原始脈衝串資料。在一些實例中，資料收集與分析系統403經組態以將原始脈衝串資料分類成兩個或多於兩個類別。另外或可替代地，資料收集與分析系統403經組態以將脈衝串資料(例如，原始脈衝串資料之子集)分類成兩個或多於兩個類別。關於分類資料407論述本發明之實施例中之一些。然而，如上文所提及，分類可係關於資料407(例如，原始脈衝串資料)及/或資料407之子集(例如，脈衝串資料)。
根據一些實施例，分類資料407之第一步驟可包括基於與資料407相關聯之能量控制模式(ECM)分類資料407。與一或多個脈衝串相關聯的資料407可指示每一脈衝串經產生以供外部使用(例如，待與微影裝置一起使用，例如，待用以在微影裝置中照明/曝光基板(例如，晶圓))抑或該脈衝串經產生以供內部使用(例如，供在雷射源401中內部使用且不用於曝光基板)。換言之，當ECM指示內部使用時，微影裝置(例如，微影裝置之掃描器)不控制雷射源401中之雷射脈衝之能量但雷射源401控制雷射脈衝之能量。作為非限制性實例，資料407可包括ECM值。ECM值指示脈衝串經產生以供外部使用抑或內部使用。
資料收集與分析系統403經組態以判定資料407之ECM值，且使用ECM值以分類資料407。舉例而言，資料收集與分析系統403可聚集具有相同ECM值的連續脈衝串之區塊。在將資料407分類及聚集成外部使用類別或內部使用類別之後，資料收集與分析系統403可判定經聚集脈衝串之每一區塊的一或多個度量(例如，判定脈衝串統計資料。)根據一些實施例，資料收集與分析系統403經組態以判定在外部使用類別中的經聚集脈衝串之區塊的一或多個度量及/或在內部使用類別中的經聚集脈衝串之區塊的一或多個度量(例如，判定脈衝串統計資料。)
圖4B說明根據本發明之一些實施例的描繪例示性分類之例示性圖形420。如圖4B中所說明，在一個實例中，資料收集與分析系統403可使用ECM之兩個值(ECM1 421及ECM2 423)用於分類資料407。在此實例中，圖形420說明與指示在外部使用類別中分類之資料的ECM2 423之ECM值相關聯的外部使用區塊425。在此實例中，圖形420亦說明與指示在內部使用類別中分類之資料的ECM1 421之ECM值相關聯的內部使用區塊427。應注意儘管在本發明之一些實施例中論述兩個ECM值，但其他數目個ECM值可藉由資料收集與分析系統403使用以分類資料407。
根據一些實施例，當雷射脈衝之脈衝串(例如，雷射405之部分)經產生用於外部使用(例如，具有指示外部使用的資料407中之ECM值)時，脈衝串可用於晶圓上操作或用於一或多個校準操作。晶圓上操作可包括曝光操作，例如用於照明微影裝置中之圖案化器件並賦予輻射光束一圖案以便在基板(例如，晶圓)之目標部分中產生圖案之操作。一或多個校準操作可包括用以校準雷射源401及/或微影裝置的任何操作。舉例而言，一或多個校準操作可包括在晶圓上操作之前校準雷射增益。在一些實例中，一或多個校準操作可包括正弦校準(例如，使用正弦波校準)。作為另一實例，一或多個校準操作可包括使用/基於雷射之波長及/或頻寬而校準。然而，本發明之實施例可包括其他校準操作。
根據一些實施例，當雷射脈衝之脈衝串用於一或多個校準操作時，脈衝串與指示外部使用之ECM值一起使用。如在下文更詳細地論述，資料收集與分析系統403經組態以區分用於晶圓上操作之脈衝串與用於一或多個校準操作之脈衝串。因此，資料收集與分析系統403經組態以進一步將外部使用類別中之資料分類成晶圓上操作類別及校準操作類 別。換言之，資料收集與分析系統403經組態以將資料407分類成至少三個類別-(1)內部使用類別，(2)晶圓上操作類別，及(3)校準操作類別。
在一些實施例中，「晶圓上」類別係指間接及最終涉及晶圓上之曝光操作的雷射脈衝串操作。舉例而言，雷射脈衝之脈衝串可激勵目標材料以將固體目標材料轉換成產生EUV輻射之電漿。EUV輻射經導向至微影裝置中之圖案化器件，其中EUV輻射經圖案化以便在基板(例如，晶圓)之目標部分中產生圖案。
在將資料407分類及聚集成此等至少三個類別之後，資料收集與分析系統403可判定經聚集脈衝串之每一區塊的一或多個度量(例如，效能量測)(例如，判定脈衝串統計資料。)根據一些實施例，資料收集與分析系統403經組態以判定在內部使用類別中的經聚集脈衝串之區塊的一或多個度量、在校準操作類別中的經聚集脈衝串之區塊的一或多個度量，及/或在晶圓上操作類別中的經聚集脈衝串之區塊的一或多個度量(例如，判定脈衝串統計資料)。在一些實例中，脈衝串統計資料可包括每基板(例如，晶圓)之至少三個列。在此實例中，脈衝串統計資料之一列係與內部使用類別相關聯，脈衝串統計資料之另一列係與晶圓上操作類別相關聯，且脈衝串統計資料之一個或多個其他列係與一或多個校準操作相關聯。在一些實例中，每一ECM模式區塊可具有兩個列之最大值。舉例而言，與內部使用類別相關聯之ECM區塊可具有一列。替代地，與外部使用類別相關聯之ECM區塊在不存在校準操作類別中之脈衝串時可具有一列，在存在區塊中之單個脈衝串時可具有一列，或在存在校準操作類別中之晶圓上脈衝串及脈衝串時可具有兩列。在一些實例中，脈衝串統計資料可為圖5之校準過濾器503的輸出及/或圖5之度量產生器505的輸出。
根據一些實施例，藉由區別晶圓上操作類別與校準操作類別，資料收集與分析系統403能夠產生晶圓上操作類別中之所聚集脈衝串之區塊的一或多個度量。因此，資料收集與分析系統403能夠藉由濾除與校準操作類別相關聯的資料產生較佳及更準確地表示晶圓上操作類別中之所聚集脈衝串之區塊的一或多個度量。換言之，資料收集與分析系統403能夠產生更準確地表示曝光資料且可進一步由資料收集與分析系統403用於監控及控制雷射源401的效能度量。
儘管關於至少三個類別論述本發明之一些實施例，但本發明不限於此等類別。在一些實施例中，校準操作類別可進一步劃分成兩個或多於兩個子類別且資料收集與分析系統403可經組態以分析及聚集在校準操作類別之兩個或多於兩個子類別中的資料407。舉例而言，校準操作類別中之兩個或多於兩個子類別中的每一者可與一個校準操作相關聯。根據一些實施例，資料收集與分析系統403可經組態以基於與彼校準操作相關聯之一或多個參數聚集在與對應校準操作相關聯的子類別中之資料407。使用與每一校準操作相關聯之一或多個參數，資料收集與分析系統403可將資料407聚集成其相關聯校準操作子類別。
根據一些實施例，在分析、分類、聚集及/或產生用於與晶圓上操作類別相關聯之資料的一或多個度量之後，資料收集與分析系統403可經組態以使用一或多個度量用於雷射源401之進一步監控及控制(例如，資料及/或控制資訊409)。換言之，資料收集與分析系統403能夠產生及使用(例如，藉由監控及控制雷射源401)更準確地表示曝光資料的效能度量。
在一些實例中，資料收集與分析系統403可與雷射源401一 起在本端定位。另外或可替代地，資料收集與分析系統403可位於自一或多個雷射源接收資料的中心位置處。在一些實例中，資料收集與分析系統403可包括與雷射源401一起在本端定位及/或在不同地理位置處分佈且使用一或多個網路彼此通信的組件。
圖4C說明根據本發明之一些實施例的描繪另一例示性分類之例示性圖形430。如圖4C中所說明，在一個實例中，資料收集與分析系統403可使用ECM之兩個值(ECM1 421及ECM2 423)用於分類資料407。在此實例中，圖形430說明與指示晶圓上操作類別中分類之資料的ECM2 423之ECM值相關聯之一或多個脈衝串的區塊434。在此實例中，圖形430亦說明與指示在內部使用類別中分類之資料的ECM1 421之ECM值相關聯的一或多個脈衝串之內部區塊427。在此實例中，圖形430進一步說明與指示校準操作類別中分類之資料的ECM2 423之ECM值相關聯之脈衝串436。
在一些實例中，在校準操作類別中分類的脈衝串可為與ECM2 423之ECM值相關聯的區塊之最後脈衝串。換言之，在圖4C之實例中，脈衝串436為在一或多個脈衝串的區塊434之後的最後脈衝串。然而，本發明之實施例不限於此實例，且晶圓上操作類別中之脈衝串及校準類別中之脈衝串可具有其他數目及關係。
圖4D說明根據本發明之一些實施例的描繪另一例示性分類之例示性圖形440。如圖4D中所說明，在一個實例中，資料收集與分析系統403可使用ECM之兩個值(ECM1 421及ECM2 423)用於分類資料407。在此實例中，圖形440說明與指示晶圓上操作類別中分類之資料的ECM2 423之ECM值相關聯之一或多個脈衝串的區塊444。在此實例中，圖形440 亦說明與指示在內部使用類別中分類之資料的ECM1 421之ECM值相關聯的一或多個脈衝串之內部區塊427。在此實例中，圖形440進一步說明與指示校準操作類別中分類之資料的ECM2 423之ECM值相關聯之脈衝串446。
在一些實例中，在校準操作類別中分類的脈衝串可為與ECM2 423之ECM值相關聯的區塊之最後脈衝串。換言之，在圖4D之實例中，脈衝串446為在區塊444之後的最後脈衝串。然而，本發明之實施例不限於此實例，且晶圓上操作類別中之脈衝串及校準類別中之脈衝串可具有其他數目及關係。舉例而言，在圖4D之實例中，脈衝串448並非為校準脈衝串，且區塊445(一或多個脈衝串)及脈衝串448兩者可在晶圓上操作類別中分類。在此實例中，脈衝串449可為校準脈衝串。
圖5為描繪根據本發明之一些實施例的實施資料收集與分析系統403之實例系統的功能方塊圖。圖5之系統500可為資料收集與分析系統403及/或可實施於該資料收集與分析系統內。
系統500包括叢集控制器501、校準過濾器503、度量產生器505及表507a至507c。應注意組件經描繪為系統500之例示性組件，且系統500可包括較少、較多或其他組件。
根據一些實施例，叢集控制器501經組態以接收脈衝串資料502。在一些實例中，如圖4A中所說明，基於自雷射源401到達資料收集與分析系統403的資料407(例如，原始脈衝串資料)產生脈衝串資料502。舉例而言，資料407(例如，原始脈衝串資料)到達資料收集與分析系統403(例如，系統500)並聚集成脈衝串資料502。根據一些實施例，此聚集可包括丟棄資料407中之一些參數，但聚集不排除任何脈衝串。
根據一些實施例，叢集控制器501經組態以接收與雷射源401相關聯之脈衝串資料502。群集控制器501經進一步組態以分類(例如，叢集)脈衝串資料502並產生脈衝串資料區塊504。根據一些實施例，叢集控制器501經組態以基於與脈衝串資料502相關聯之ECM值分類脈衝串資料502。ECM值可指示對應於脈衝串資料502的雷射脈衝之一或多個脈衝串經產生以供外部使用抑或內部使用。叢集控制器501經組態以判定脈衝串資料502之ECM值，並使用ECM值以分類脈衝串資料502。舉例而言，若ECM值指示對應於脈衝串資料502的雷射脈衝之一或多個脈衝串供內部使用，則叢集控制器501可將脈衝串資料502分類(例如叢集)成內部類別。若ECM值指示雷射脈衝之一或多個脈衝串係供外部使用，則叢集控制器501可將脈衝串資料502分類成外部類別。
舉例而言，當雷射脈衝之連續脈衝串到達相同ECM值時，叢集控制器501可將其分類(例如，叢集)及儲存為區塊直至群集控制器501判定ECM值改變為止。在叢集控制器501判定ECM值已改變後，叢集之區塊經聚集及儲存為內部使用或經發送至校準過濾器503以用於校準類別測試。
在基於ECM值分類之後，叢集控制器501可輸出脈衝串資料區塊504。根據一些實施例，脈衝串資料區塊504為與在內部使用類別中或外部使用類別中分類的一或多個脈衝串相關聯的脈衝串資料之區塊。根據一些實施例，脈衝串資料區塊504經輸入至校準過濾器503。在一些實施例中，若脈衝串資料區塊504在內部使用類別中分類，則校準過濾器503經組態以輸出資料506a至度量產生器505。替代地，若脈衝串資料區塊504在內部使用類別中分類，則叢集控制器501可將脈衝串資料區塊504 作為資料506a直接發送至度量產生器505(例如，繞過校準過濾器503)。換言之，若叢集控制器501在內部使用類別中分類脈衝串資料502，則叢集控制器501可繞過校準過濾器503且可將脈衝串資料區塊504作為資料506a直接發送至度量產生器505。根據一些實施例，度量產生器505可產生用於資料506a之一或多個度量。在一些實例中，一或多個度量可儲存於表507a中。在一些實例中，表507a可為儲存器件中之資料庫。在一些實施例中，若叢集控制器501判定脈衝串資料502將在內部使用類別中分類，則叢集控制器501可直接發送脈衝串資料區塊504至度量產生器505(而不通過校準過濾器503)。替代地，叢集控制器501可直接發送脈衝串資料區塊504至表(圖中未示，例如不同於表507a)(例如，繞過校準過濾器503及度量產生器505)。
然而，若脈衝串資料區塊504在外部使用類別中分類，則校準過濾器503經組態以進一步分類脈衝串資料區塊504。舉例而言，校準過濾器503可判定脈衝串資料區塊504指示與脈衝串資料502相關聯之一或多個脈衝串係用於晶圓上操作及/或用於一或多個校準操作。如在下文更詳細地論述，校準過濾器503經組態以將校準類別測試應用於脈衝串資料區塊504以判定與脈衝串資料502相關聯的一或多個脈衝串待用於晶圓上操作及/或用於一或多個校準操作。
若使用脈衝串資料區塊504，校準過濾器503判定雷射脈衝之一或多個脈衝串(或一或多個脈衝串之子集)待用於晶圓上操作，則校準過濾器503在晶圓上操作類別中分類脈衝串資料區塊504(或脈衝串資料區塊504之子集)並產生資料506b。資料506b發送至度量產生器505。度量產生器505可產生用於資料506b之一或多個度量並將其儲存於例如表507b 處。在一些實例中，表507b可為儲存器件中之資料庫。在一些實施例中，校準過濾器503可直接發送脈衝串資料區塊504(或脈衝串資料區塊504之子集)至表(圖中未示，例如不同於表507b)(例如，繞過度量產生器505)。
若使用脈衝串資料區塊504，校準過濾器503判定雷射脈衝之一或多個脈衝串(或一或多個脈衝串之子集)待用於一或多個校準操作，則校準過濾器503在校準操作類別中分類脈衝串資料區塊504(或脈衝串資料區塊504之子集)並產生資料506c。在一些實施例中，資料506c可發送至度量產生器505。在此等實施例中，度量產生器505可產生用於資料506c之一或多個度量並將其儲存於例如表507c處。在一些實例中，表507c可為儲存器件中之資料庫。在一些實施例中，校準過濾器503可直接發送脈衝串資料區塊504(或脈衝串資料區塊504之子集)至表(圖中未示，例如不同於表507c)(例如，繞過度量產生器505)。
如上文所論述，在一些實施例中，校準操作類別可經進一步劃分成兩個以上子類別且校準過濾器503可經組態以分析並聚集在兩個或多於兩個子類別中之脈衝串資料區塊504(或脈衝串資料區塊504之子集)。舉例而言，校準操作類別中之兩個或多於兩個子類別中的每一者可與一個校準操作相關聯。根據一些實施例，校準過濾器503可經組態以基於與彼校準操作相關聯之一或多個參數聚集在與對應校準操作相關聯的子類別中之脈衝串資料區塊504。使用與每一校準操作相關聯之一或多個參數，校準過濾器503可將脈衝串資料區塊504聚集成其相關聯校準操作子類別。
根據一些實施例，為了將脈衝串資料區塊504分類成晶圓 上操作類別及/或校準操作類別，校準過濾器503可藉由檢查與脈衝串資料區塊504相關聯的雷射脈衝之脈衝串的數目開始。在此實例中，若校準過濾器503判定脈衝串資料區塊504係與一個脈衝串相關聯，則校準過濾器503判定此一個脈衝串用於校準操作。因此，校準過濾器503可將該一個脈衝串分類(例如，叢集)成校準操作類別。
然而，若校準過濾器503判定脈衝串資料區塊504包括多於一個脈衝串(雷射脈衝之兩個或多於兩個脈衝串)，則校準過濾器503可執行校準類別測試。下文論述之例示性校準類別測試係關於一個校準操作(例如，正弦校準操作)而論述。然而，本發明之實施例不限於此例示性校準類別測試。其他校準類別測試可用於不同校準操作。換言之，校準過濾器503可執行一或多個校準類別測試用於一或多個校準操作。在一些實例中，校準類別測試中的每一者可基於特定針對於校準操作之一或多個參數而設計。
根據一些實例，為執行校準類別測試，校準過濾器503可在脈衝串資料區塊504中考慮與每一脈衝串相關聯之三個參數。此等參數可包括每脈衝串之脈衝(PPB)的數目、高電壓命令偏差(HVV)及叢集間間隔(IBI)。然而，在其他實施例中，校準過濾器503可考慮較少或較多參數或不同參數用於校準類別測試。
對於每一脈衝串，脈衝串資料區塊504可包括脈衝串中之脈衝(PPB)的數目。校準過濾器503經組態以判定脈衝串資料區塊504中之脈衝串中之每一者的PPB之數目。在一些實施例中，雷射源401使用高電壓命令以產生脈衝串中之每一雷射脈衝。叢集之HVV為用於彼脈衝串中之雷射器脈衝的高電壓命令之間的偏差。此外，根據一些實施例，IBI可 定義為脈衝串資料區塊504中之兩個脈衝串之間的時間週期。
根據一些實施例，校準類別測試可基於脈衝串資料區塊504中之脈衝串的數目劃分成兩個區段。舉例而言，脈衝串數目臨限值可以用於將校準類別測試分成兩個區段。若脈衝串資料區塊504中之脈衝串的數目小於或等於脈衝串數目臨限值，則校準過濾器503使用PPB的數目及與脈衝串資料區塊504之最後脈衝串相關聯的HVV以執行校準類別測試。若脈衝串資料區塊504中之脈衝串的數目多於脈衝串數目臨限值，則校準過濾器503使用PPB之數目、HVV及與脈衝串資料區塊504之最後脈衝串相關聯的IBI以執行校準類別測試。下文關於圖6、圖7A及圖7B論述執行校準類別測試之方法的一些例示性實施例。
圖6說明根據本發明之一些實施例的用於判定及分類雷射脈衝之一或多個脈衝串的實例方法600。作為便利性且並不作為限制，可關於圖1至圖5之元件描述圖6。方法600可表示資料收集與分析系統403用於判定及分類雷射脈衝之一或多個脈衝串的操作。方法600可藉由圖4A之資料收集與分析系統403、叢集控制器501及校準過濾器503及/或圖8之電腦系統800執行。但方法600不限於彼等圖中描繪之特定實施例且其他系統可用以執行如將由熟習此項技術者理解的方法。應瞭解可並不需要所有操作，且操作可不以與圖6中所展示之次序相同的次序執行。
在602中，接收與雷射脈衝之一或多個脈衝串相關聯的資料。舉例而言，叢集控制器501接收脈衝串資料502。脈衝串資料502可基於與來自雷射源401之一或多個脈衝串相關聯的原始脈衝串資料。
在604中，與一或多個脈衝串相關聯的能量控制模式(ECM)值係自所接收脈衝串資料判定且該ECM值與第一ECM值相比。根 據一些實例，第一ECM值可與用於內部使用的脈衝串相關聯。舉例而言，第一ECM值可為圖4B至圖4D之ECM1 421。
若與一或多個脈衝串相關聯之經判定ECM值等於第一ECM值，則方法600移動至606。在606中，一或多個脈衝串經判定並分類為供內部使用的脈衝串。舉例而言，叢集控制器501可判定與所接收脈衝串資料相關聯之一或多個脈衝串係供內部使用。根據一些實施例，所接收脈衝串資料可經分類並儲存於例如與內部使用脈衝串相關聯的表507a處。另外或可替代地，所接收脈衝串資料可發送至度量產生器505以基於脈衝串資料產生一或多個度量。在此實例中，所產生一或多個度量可儲存於例如表507a中及/或用於監控及/或控制雷射源401。
若與一或多個脈衝串相關聯的經判定ECM值不同於第一ECM值，則方法600移動至608。在608中，與所接收脈衝串資料相關聯的脈衝串之數目係自脈衝串資料判定且與值1相比。另外或可替代地，在608中，一或多個脈衝串經判定並分類為脈衝串以供外部使用。舉例而言，叢集控制器501可判定與所接收脈衝串資料相關聯之一或多個脈衝串係供外部使用。根據一些實施例，所接收脈衝串資料經發送至校準過濾器503以進一步判定與所接收脈衝串資料相關聯的一或多個脈衝串係用於晶圓上操作及/或用於一或多個校準操作。
如上文所提及，在608中，與所接收脈衝串資料相關聯的脈衝串之數目係自脈衝串資料判定且與值1相比。若一或多個脈衝串包括一個脈衝串，則方法600移動至610，其中與所接收脈衝串資料相關聯之一個脈衝串經判定並分類為校準脈衝串。舉例而言，校準過濾器503判定一個脈衝串為校準脈衝串，分類校準操作類別中之脈衝串資料，及將脈衝 串資料儲存於例如表507c中。另外或可替代地，所接收脈衝串資料可發送至度量產生器505以基於脈衝串資料產生一或多個度量。在此實例中，所產生一或多個度量可儲存於例如表507c中及/或用於監控/控制雷射源401及/或監控/控制使用雷射源401之微影裝置。
若一或多個脈衝串包括多於一個脈衝串(兩個或多於兩個脈衝串)，則方法600移動至612，其中對所接收脈衝串資料執行校準類別測試。下文關於圖7A及圖7B進一步論述校準類別測試之應用。
在614中，判定是否滿足校準類別測試。舉例而言，校準過濾器503應用校準類別測試且基於結果分類與所接收脈衝串資料相關聯之一或多個脈衝串。若不滿足校準類別測試，則方法600移動至616，其中一或多個脈衝串經判定並分類為晶圓上脈衝串。舉例而言，校準過濾器503判定脈衝串為晶圓上脈衝串，分類晶圓上操作類別中之脈衝串資料，及將脈衝串資料儲存於例如表507b中。另外或可替代地，所接收脈衝串資料可發送至度量產生器505以基於脈衝串資料產生一或多個度量。在此實例中，所產生一或多個度量可儲存於例如表507b中及/或用於監控/控制雷射源401及/或監控/控制使用雷射源401之微影裝置。
若滿足校準類別測試，則方法600移動至618。在618中，一或多個脈衝串之最後脈衝串經判定並分類為校準脈衝串。舉例而言，校準過濾器503判定最後脈衝串為校準脈衝串，分類與校準操作類別中之最後脈衝串相關聯之脈衝串資料，並將與最後脈衝串相關聯之脈衝串資料儲存於例如表507c中。另外或可替代地，與最後脈衝串相關聯之所接收脈衝串資料可發送至度量產生器505以基於脈衝串資料產生一或多個度量。在此實例中，所產生一或多個度量可儲存於例如表507c中及/或用於監控/控 制雷射源401及/或監控/控制使用雷射源401之微影裝置。
另外，在618中，脈衝串之其餘部分(排除最後脈衝串)經判定並分類為晶圓上脈衝串。舉例而言，校準過濾器503判定脈衝串之其餘部分為晶圓上脈衝串，分類與晶圓上操作類別中的脈衝串之其餘部分相關聯的脈衝串資料，及將與脈衝串之其餘部分相關聯的脈衝串資料儲存於例如表507b中。另外或可替代地，與脈衝串之其餘部分相關聯的所接收脈衝串資料可發送至度量產生器505以基於脈衝串資料產生一或多個度量。在此實例中，所產生一或多個度量可儲存於例如表507b中及/或用於監控/控制雷射源401及/或監控/控制使用雷射源401之微影裝置。
圖7A及圖7B說明根據本發明之一些實施例的用於判定及分類一或多個脈衝串為晶圓上或校準脈衝串的實例方法700。作為便利性且並不作為限制，可關於圖1至圖6之元件描述圖7A及7B。方法700可表示資料收集與分析系統403用於將一或多個脈衝串判定及分類為晶圓上或校準脈衝串的操作。方法700可藉由圖4A之資料收集與分析系統403、校準過濾器503及/或圖8之電腦系統800執行。但方法700不限於彼等圖中描繪之特定實施例且其他系統可用以執行如將由熟習此項技術者理解的方法。應瞭解可並不需要所有操作，且操作可不以與圖7A及圖7B中所展示之次序相同的次序執行。
根據一些實施例，方法700可為圖6之方法600的步驟612、614、616及618之部分(或包括該等步驟)。換言之，根據一些實施例，校準類別測試之應用及對校準類別測試之結果的分析可藉由方法700執行。
在702中，與所接收脈衝串資料相關聯的脈衝串之數目係自脈衝串資料判定且與脈衝串數目臨限值相比。若與脈衝串資料相關聯的 脈衝串之數目小於或等於脈衝串數目臨限值(例如，並非足夠脈衝串係可用的)，則方法700移動至704。在704中，兩個臨限值用於判定及分類脈衝串。舉例而言，在704中，可(自例如所接收脈衝串資料)判定用於與脈衝串資料相關聯的一或多個脈衝串中之最後脈衝串的每脈衝串脈衝(PPB)之數目。用於最後脈衝串之PPB的數目可與PPB臨限值相比。另外或可替代地，可(自例如所接收脈衝串資料)判定用於與脈衝串資料相關聯的一或多個脈衝串中之最後脈衝串的高電壓命令偏差(HVV)。用於最後脈衝串之HVV可與HVV臨限值相比。
若與最後脈衝串相關聯之PPB的數目大於PPB臨限值或與最後脈衝串相關聯之HVV大於HVV臨限值，則判定滿足校準類別測試(圖6之614的是)。在此實例中，方法700移動至708，708類似於圖6之618。
否則(例如，若與最後脈衝串相關聯之PPB的數目小於或等於PPB臨限值且與最後脈衝串相關聯之HVV小於或等於HVV臨限值)，判定不滿足校準類別測試(圖6之614的否)。在此實例中，方法700移動至706，706類似於圖6之616。
返回至702，若與脈衝串資料相關聯的脈衝串之數目大於脈衝串數目臨限值(例如，足夠脈衝串係可用的)，則方法700移動至如圖7B中所說明之710。在710中，自脈衝串資料排除來自與第一及最後脈衝串相關聯的脈衝串資料之資料。舉例而言，校準過濾器503自與第一及最後脈衝串相關聯之脈衝串資料排除資料以產生第一經修改脈衝串資料。
在712中，與具有最大脈衝串間間隔的脈衝串相關聯之資料自第一經修改脈衝串資料排除。舉例而言，校準過濾器503排除與具有最大脈衝串間間隔(IBI)之脈衝串相關聯的資料以產生第二經修改脈衝串 資料。為因此執行，根據一些實施例，校準過濾器503可自第一經修改脈衝串資料判定及分析每一脈衝串之IBI。使用此分析，校準過濾器503可判定具有最大IBI之脈衝串。
在714中，使用第二經修改脈衝串資料中之IBI值計算平均IBI值。另外或可替代地，基於第二經修改資料中之IBI值計算IBI之標準差值。舉例而言，校準過濾器503可計算並產生平均IBI值及標準差IBI值。
在716中，基於平均IBI值、標準差IBI值及IBI參數來判定IBI臨限值。以下方程式表示一個例示性IBI臨限值：IBI臨限值=平均IBI值+(C*標準差IBI值)。
此處，C為IBI參數。在一些實例中，C可為可組態之參數。
在此實例中，基於第二經修改資料(其係基於所接收脈衝串資料)而判定IBI臨限值。換言之，動態地及基於所接收脈衝串資料判定IBI臨限值。然而，本發明之實施例不限於此實例且其他公式可用於判定IBI臨限值。替代地，IBI臨限值可為經提供至校準過濾器503之固定臨限值。
在718中，三個臨限值用於判定及分類脈衝串。舉例而言，在718中，可(自例如所接收脈衝串資料)判定用於與脈衝串資料相關聯的一或多個脈衝串中之最後脈衝串相關聯的IBI。用於最後脈衝串之IBI可與716中計算的IBI臨限值相比。另外，可(自例如所接收到脈衝串資料)判定與脈衝串資料相關聯的一或多個脈衝串中之最後脈衝串的每脈衝串脈衝(PPB)之數目。用於最後脈衝串之PPB的數目可與PPB臨限值相比。另 外或可替代地，可(自例如所接收脈衝串資料)判定用於與脈衝串資料相關聯的一或多個脈衝串中之最後脈衝串的高電壓命令偏差(HVV)。用於最後脈衝串之HVV可與HVV臨限值相比。
若與最後脈衝串相關聯的IBI大於IBI臨限值且與最後脈衝串相關聯之PPB的數目大於PPB臨限值或與最後脈衝串相關聯的HVV大於HVV臨限值，則判定滿足校準類別測試(圖6之614的是)。在此實例中，方法700移動至722，722類似於圖6之618。
否則(例如，若與最後脈衝串相關聯之IBI小於或等於IBI臨限值或與最後脈衝串相關聯之PPB的數目小於或等於PPB臨限值且與最後脈衝串相關聯之HVV小於或等於HVV臨限值)，判定不滿足校準類別測試(圖6之614的否)。在此實例中，方法700移動至720，720類似於圖6之616。
上文關於使用IBI、PPB及HVV參數以判定(及分類)脈衝串是否為校準脈衝串來論述方法600及700。然而，本發明之方法及系統不限於此等參數。本發明之實施例可經應用以對於一或多個不同校準操作區別晶圓上脈衝串與校準脈衝串。對於每一校準操作，區分校準脈衝串與晶圓上脈衝串的校準脈衝串之一或多個參數(例如，特性)可用於區別及分類脈衝串。
舉例而言，雷射脈衝之一或多個脈衝串可包括用於第一校準操作之一第一校準脈衝串、用於第二校準操作之一第二校準脈衝串及用於晶圓上操作之一或多個晶圓上脈衝串。在此實例中，第一校準脈衝串可包括區分第一校準脈衝串與晶圓上脈衝串的一第一特性。此外，第二校準脈衝串可包括區分第二校準脈衝串晶圓上脈衝串的一第二特性。在此實例 中，資料收集與分析系統403可使用第一校準脈衝串之第一特性及第二校準脈衝串之第二特性以區分第一及第二校準脈衝串與晶圓上脈衝串。另外或可替代地，資料收集與分析系統403可使用第一校準脈衝串之第一特性及第二校準脈衝串之第二特性以將第一及第二校準脈衝串彼此區分。
根據一些實施例，當藉由例如資料收集與分析系統403識別校準脈衝串時，校準脈衝串可與其對應晶圓配對。在一些實例中，此配對可藉由資料收集與分析系統403進行。舉例而言，配對可藉由校準過濾器503執行且配對可儲存於例如表507c中。
根據一些實例，對於藉由例如資料收集與分析系統403識別的每一校準脈衝串，後續晶圓(時間上)之晶圓識別符(ID)經指派(藉由例如資料收集與分析系統403)給所識別校準脈衝串。若兩個或多於兩個連續校準脈衝串被識別，則在其之間無晶圓(與晶圓相關聯的脈衝串之群組)情況下，晶圓ID經指派給最後校準脈衝串。在此實例中，前述校準脈衝串係與零晶圓ID一起儲存。在一些實例中，若所識別校準脈衝串與使用後續晶圓之間的時間大於臨限值，則晶圓ID不指派給所識別校準脈衝串。
本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合予以實施。本發明之實施例亦可經實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可藉由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於以可由機器(例如，計算器件)讀取之形式儲存或傳輸資訊的任何機制。舉例而言，機器可讀媒體可包括唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體器件；電、光學、聲學或其他形式之傳播信號，及其他者。另外，韌體、軟體、常式及/或指令可在本文中被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此類描述僅出於方便起見， 且此類動作事實上係由計算器件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式及/或指令之其他器件引起。
各個實施例可例如使用一或多個電腦系統(諸如圖8中所展示的電腦系統800)來實施。電腦系統800可為能夠執行本文中所描述之功能(諸如藉由圖4A之資料收集與分析系統403、圖5之叢集控制器501、圖5之校準過濾器503及/或圖5之度量產生器505執行的功能)的任何熟知電腦。電腦系統800包括一或多個處理器(亦稱作中央處理單元或CPU)，諸如處理器804。處理器804連接至通信基礎架構806(例如，匯流排)。電腦系統800亦包括經由使用者輸入/輸出介面802與通信基礎架構806通信的使用者輸入/輸出器件803，諸如監視器、鍵盤、指標器件等。電腦系統800亦包括主記憶體或主要記憶體808，諸如隨機存取記憶體(RAM)。主記憶體808可包括一或多個層級之快取記憶體。主記憶體808儲存有控制邏輯(例如電腦軟體)及/或資料。
電腦系統800亦可包括一或多個次要儲存器件或記憶體810。舉例而言，次要記憶體810可包括硬碟機812及/或抽取式儲存器件或磁碟機814。抽取式儲存磁碟機814可為軟碟機、磁帶機、緊密光碟機、光學儲存器件、磁帶備份器件，及/或任何其他儲存器件/磁碟機。
抽取式儲存磁碟機814可與抽取式儲存單元818互動。抽取式儲存單元818包括其上儲存有電腦軟體(控制邏輯)及/或資料的電腦可用或電腦可讀儲存器件。抽取式儲存單元818可為軟碟、磁帶、緊密光碟、DVD、光學儲存碟，及/任何其他電腦資料儲存器件。抽取式儲存磁碟機814以熟知方式自抽取式儲存單元818讀取及/或寫入至該抽取式儲存單元。
根據一些實施例，次要記憶體810可包括用於允許電腦程式及/或其他指令及/或資料由電腦系統800存取的其他構件、工具或其他方法。舉例而言，此類構件、工具或其他方法可包括抽取式儲存單元822及介面820。抽取式儲存單元822以及介面820的實例可包括程式匣及匣介面(諸如在視訊遊戲器件中發現的程式匣及匣介面)、抽取式記憶體晶片(諸如EPROM或PROM)以及相關聯插座、記憶棒以及USB埠、記憶卡以及相關聯記憶卡插槽，及/或任何其他抽取式儲存單元以及相關聯介面。
電腦系統800可進一步包括通信或網路介面824。通信介面824使得電腦系統800能夠與遠端器件、遠端網路、遠端實體等(以參考編號828個別地及共同地參考)之任何組合通信及互動。舉例而言，通信介面824可允許電腦系統800經由通信路徑826與遠端器件828通信，該通信路徑可為有線及/或無線的且可包括LAN、WAN、網際網路等之任何組合。可經由通信路徑826將控制邏輯及/或資料傳輸至電腦系統800及自電腦系統800傳輸控制邏輯及/或資料。
可將前述實施例中的操作實施於廣泛多種組態及架構中。因此，前述實施例中的操作中之一些或全部可以硬體、以軟體或以兩者來執行。在一些實施例中，有形非暫時性裝置或製品包括其上儲存有控制邏輯(軟體)之有形非暫時性電腦可使用或可讀媒體，在本文中亦稱作電腦程式產品或程式儲存器件。此有形裝置或製品包括但不限於：電腦系統800、主記憶體808、次要記憶體810以及抽取式儲存單元818及822，以及體現前述各者之任何組合的有形製品。此控制邏輯在由一或多個資料處理器件(諸如，電腦系統800)執行時使此等資料處理器件如本文中所描述進行操作。
基於本發明中所含有的教示，如何使用除圖8中所展示之資料處理器件、電腦系統及/或電腦架構之外的資料處理器件、電腦系統及/或電腦架構來製造及使用本發明之實施例將對熟習相關技術者顯而易見。詳言之，實施例可運用除本文中所描述之軟體、硬體及/或作業系統實施之外的軟體、硬體及/或作業系統實施而操作。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、LCD、薄膜磁頭等。熟習此項技術者應瞭解，在此類替代性應用之上下文中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在例如顯影系統單元(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光之抗蝕劑之工具)、度量衡單元及/或檢測單元中處理本文中所提及之基板。在適用情況下，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。此外，可將基板處理多於一次，(例如)以便產生多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指已經含有多個經處理層之基板。
應理解，本文中之措詞或術語係出於描述而非限制之目的，以使得本說明書之術語或措詞應由熟習相關技術者鑒於本文中之教示予以解譯。
如本文中所使用之術語「基板」描述材料層經添加至之材料。在一些實施例中，基板自身可經圖案化，且添加於基板之頂部上之材料亦可經圖案化，或可保持不圖案化。
以下實例說明而非限制本發明之實施例。通常在該領域中 遇到且對熟習相關技術者將顯而易見的多個條件及參數之其他合適修改及調適在本發明之精神及範疇內。
儘管可在本文中特定地參考根據實施例之裝置及/或系統在IC之製造中的使用，但應明確理解，此類裝置及/或系統具有多種其他可能的應用。舉例而言，其可用於製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、LCD面板、薄膜磁頭等中。熟習此項技術者將瞭解，在此類替代應用之上下文中，本文中之術語「倍縮光罩」、「晶圓」或「晶粒」之任何使用應被認為分別由更一般術語「光罩」、「基板」及「目標部分」替代。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐實施例。該描述不意欲限制實施例。
應瞭解，實施方式章節而非發明內容及中文發明摘要章節意欲用以解譯申請專利範圍。發明內容及中文發明摘要章節可闡述如由本發明者所涵蓋之一或多個但並非所有例示性實施例，且因此並不意欲以任何方式限制本發明實施例及所附申請專利範圍。
本文中已憑藉功能建置區塊描述一些實施例，該等功能建置區塊說明指定功能及其關係之實施。為便於描述，本文中已任意地限定此等功能建置區塊的邊界。只要適當地執行指定功能及該等功能之關係，便可界定替代邊界。
對特定實施例之前述描述將因此充分地揭示實施例之一般性質：在不偏離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者所瞭解之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及導引，此等 調適及修改意欲在所揭示之實施例之等效者的涵義及範圍內。
在以下編號條項中闡述本發明之其他態樣。
1.一種雷射分析系統，其包含：一雷射源，其經組態以產生雷射脈衝之一或多個脈衝串；及一資料收集與分析系統，其經組態以：自該雷射源接收與雷射脈衝之該一或多個脈衝串相關聯的資料；基於該所接收資料判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串係供外部使用；及基於該所接收資料判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串係用於一晶圓上操作抑或係用於一校準操作。
2.如條項1之雷射分析系統，其中為判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串係供外部使用，該資料收集與分析系統經組態以：自該所接收資料判定與雷射脈衝之該一或多個脈衝串相關聯的一能量控制模式(ECM)值；比較該經判定ECM值與一第一ECM值；及回應於該經判定ECM值不同於該第一ECM值，判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串係供外部使用。
3.如條項1之雷射分析系統，其中該資料收集與分析系統經進一步組態以：判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串中之脈衝串的一數目；及回應於判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串包含一個脈衝串，判定雷射脈衝之該一個脈衝串係用於該校準操作。
4.如條項3之雷射分析系統，其中該資料收集與分析系統經進一 步組態以：回應於判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串包含多於一個脈衝串，將一校準類別測試應用於該所接收資料。
5.如條項4之雷射分析系統，其中該資料收集與分析系統經進一步組態以：回應於滿足該校準類別測試：判定該一或多個脈衝串之一最後脈衝串係用於該校準操作；及判定該一或多個脈衝串中之其他脈衝串係用於該晶圓上操作。
6.如條項4之雷射分析系統，其中該資料收集與分析系統經進一步組態以：回應於不滿足該校準類別測試，判定該一或多個脈衝串係用於該晶圓上操作。
7.如條項4之雷射分析系統，其中該資料收集與分析系統經進一步組態以：自該所接收資料排除與該一或多個脈衝串之一第一脈衝串及一最後脈衝串相關聯的資料以產生一第一經修改資料；自該第一經修改資料排除與具有最大脈衝串間間隔(IBI)值之一脈衝串相關聯的資料以產生一第二經修改資料；基於該第二經修改資料中之IBI值產生一平均IBI值；基於該第二經修改資料中之該等IBI值產生一標準差值；及基於該平均IBI值、該標準差值及一IBI參數產生一IBI臨限值。
8.如條項7之雷射分析系統，其中該資料收集與分析系統經進一步組態以： 回應於與該最後脈衝串相關聯的一IBI值大於該IBI臨限值，及與該最後脈衝串相關聯的每脈衝串之一脈衝(PPB)大於一PBB臨限值或與該最後脈衝串相關聯的一高電壓命令偏差(HVV)大於一HVV臨限值，判定滿足該校準類別測試；及回應於滿足該校準類別測試的該判定：判定該一或多個脈衝串之該最後脈衝串係用於該校準操作；及判定該一或多個脈衝串中之其他脈衝串係用於該晶圓上操作
9.如條項1之雷射分析系統，其中該資料收集與分析系統經進一步組態以：判定該一或多個脈衝串之一第一部分係用於該校準操作；判定該一或多個脈衝串之一第二部分係用於該晶圓上操作；及使用來自該所接收資料之與該一或多個脈衝串之該第二部分相關聯的資料以判定用於該一或多個脈衝串之該第二部分的一或多個度量。
10.如條項1之雷射分析系統，其中：該一或多個脈衝串包含用於該校準操作之一校準脈衝串及用於該晶圓上操作之一或多個晶圓上脈衝串，該校準脈衝串包含區分該校準脈衝串與該一或多個晶圓上脈衝串的一特性，且該資料收集與分析系統經組態以使用該校準脈衝串之該特性以區分該校準脈衝串與該一或多個晶圓上脈衝串。
11.如條項10之雷射分析系統，其中該資料收集與分析系統經進一步組態以指派一晶圓識別符至該校準脈衝串。
12.如條項1之雷射分析系統，其中： 該一或多個脈衝串包含用於該校準操作之一第一校準脈衝串、用於一第二校準操作之一第二校準脈衝串及用於該晶圓上操作之一或多個晶圓上脈衝串，該第一校準脈衝串包含區分該第一校準脈衝串與該一或多個晶圓上脈衝串的一第一特性，該第二校準脈衝串包含區分該第二校準脈衝串與該一或多個晶圓上脈衝串的一第二特性，該資料收集與分析系統經組態以使用該第一校準脈衝串之該第一特性及該第二校準脈衝串之該第二特性以區分該第一校準脈衝串及該第二校準脈衝串與該一或多個晶圓上脈衝串。
13.一種用於分析與一雷射源相關聯的資料之方法，該方法包含：在一資料收集與分析系統處及自一雷射源接收與藉由該雷射源產生的雷射脈衝之一或多個脈衝串相關聯的資料；藉由該資料收集與分析系統及基於該所接收資料判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串係供外部使用；及藉由該資料收集與分析系統基於該所接收資料判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串係用於一晶圓上操作抑或係用於一校準操作。
14.如條項13之方法，其進一步包含：藉由該資料收集與分析系統判定該一或多個脈衝串之一第一部分係用於該校準操作；藉由該資料收集與分析系統判定該一或多個脈衝串之一第二部分係用於該晶圓上操作；及藉由該資料收集與分析系統使用與該一或多個脈衝串之該第二部分 相關聯的資料以判定用於該一或多個脈衝串之該第二部分的一或多個度量。
15.如條項13之方法，其中：該一或多個脈衝串包含用於該校準操作之一校準脈衝串及用於該晶圓上操作之一或多個晶圓上脈衝串，該校準脈衝串包含區分該校準脈衝串與該一或多個晶圓上脈衝串的一特性，且該方法進一步包含：使用該校準脈衝串之該特性以區分該校準脈衝串與該一或多個晶圓上脈衝串。
16.如條項13之方法，其中：該一或多個脈衝串包含用於該校準操作之一第一校準脈衝串、用於一第二校準操作之一第二校準脈衝串及用於該晶圓上操作之一或多個晶圓上脈衝串，該第一校準脈衝串包含區分該第一校準脈衝串與該一或多個晶圓上脈衝串的一第一特性，該第二校準脈衝串包含區分該第二校準脈衝串與該一或多個晶圓上脈衝串的一第二特性，該方法進一步包含：使用該第一校準脈衝串之該第一特性及該第二校準脈衝串之該第二特性以區分該第一校準脈衝串及該第二校準脈衝串與該一或多個晶圓上脈衝串。
17.如條項13之方法，其中雷射脈衝之該一或多個脈衝串供外部使 用的該判定包含：自該所接收資料判定與雷射脈衝之該一或多個脈衝串相關聯的一能量控制模式(ECM)值；比較該經判定ECM值與一第一ECM值；及回應於該判定ECM值不同於該第一ECM值，判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串係供外部使用。
18.如條項13之方法，其進一步包含：判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串中之脈衝串的一數目；回應於判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串包含一個脈衝串，判定雷射脈衝之該一個脈衝串係用於該校準操作；及回應於判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串包含多於一個脈衝串，將一校準類別測試應用於該所接收資料。
19.如條項13之方法，其進一步包含：回應於滿足該校準類別測試：判定該一或多個脈衝串之一最後脈衝串係用於該校準操作；及判定該一或多個脈衝串中之其他脈衝串係用於該晶圓上操作；及回應於不滿足該校準類別測試，判定該一或多個脈衝串係用於該晶圓上操作。
20.如條項19之方法，其進一步包含：自該所接收資料排除與該一或多個脈衝串之一第一脈衝串及一最後脈衝串相關聯的資料以產生一第一經修改資料；自該第一經修改資料排除與具有最大脈衝串間間隔(IBI)值之一脈衝串相關聯的資料以產生一第二經修改資料； 基於該第二經修改資料中之IBI值產生一平均IBI值；基於該第二經修改資料中之該等IBI值產生一標準差值；基於該平均IBI值、該標準差值及一IBI參數產生一IBI臨限值；及回應於與該最後脈衝串相關聯的一IBI值大於該IBI臨限值，及與該最後脈衝串相關聯的每脈衝串之一脈衝(PPB)大於一PBB臨限值或與該最後脈衝串相關聯的一高電壓命令偏差(HVV)大於一HVV臨限值，判定滿足該校準類別測試。
21.一種微影裝置，其包含：一照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一投影系統，其經組態以將賦予至該輻射光束之一圖案投影至一基板上，其中該照明系統包含：一雷射源，其經組態以產生雷射脈衝之一或多個脈衝串；及一資料收集與分析系統，其經組態以：自該雷射源接收與雷射脈衝之該一或多個脈衝串相關聯的資料；基於該所接收資料判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串係供外部使用；及基於該所接收資料判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串係用於一晶圓上操作抑或係用於一校準操作。
22.一種非暫時性電腦可讀媒體，其儲存在由一處理器執行時使該處理器執行操作之指令，該等操作包含：自一雷射源接收與藉由該雷射源產生的雷射脈衝之該一或多個脈衝串相關聯的資料； 基於該所接收資料判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串係供外部使用；及基於該所接收資料判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串係用於一晶圓上操作抑或係用於一校準操作。
本發明之廣度及範圍不應由上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。
600:方法
602~618:步驟

Claims (22)

  1. 一種雷射分析系統，其包含： 一雷射源，其經組態以產生雷射脈衝之一或多個脈衝串；及 一資料收集與分析系統，其經組態以： 自該雷射源接收與雷射脈衝之該一或多個脈衝串相關聯的資料； 基於該所接收資料判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串係供外部使用；及 基於該所接收資料判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串係用於一晶圓上操作抑或係用於一校準操作。
  2. 如請求項1之雷射分析系統，其中為判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串係供外部使用，該資料收集與分析系統經組態以： 自該所接收資料判定與雷射脈衝之該一或多個脈衝串相關聯的一能量控制模式(ECM)值； 比較該經判定ECM值與一第一ECM值；及 回應於該經判定ECM值不同於該第一ECM值，判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串係供外部使用。
  3. 如請求項1之雷射分析系統，其中該資料收集與分析系統經進一步組態以： 判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串中之脈衝串的一數目；及 回應於判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串包含一個脈衝串，判定雷射脈衝之該一個脈衝串係用於該校準操作。
  4. 如請求項3之雷射分析系統，其中該資料收集與分析系統經進一步組態以： 回應於判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串包含多於一個脈衝串，將一校準類別測試應用於該所接收資料。
  5. 如請求項4之雷射分析系統，其中該資料收集與分析系統經進一步組態以： 回應於滿足該校準類別測試： 判定該一或多個脈衝串之一最後脈衝串係用於該校準操作；及 判定該一或多個脈衝串中之其他脈衝串係用於該晶圓上操作。
  6. 如請求項4之雷射分析系統，其中該資料收集與分析系統經進一步組態以： 回應於不滿足該校準類別測試，判定該一或多個脈衝串係用於該晶圓上操作。
  7. 如請求項4之雷射分析系統，其中該資料收集與分析系統經進一步組態以： 自該所接收資料排除與該一或多個脈衝串之一第一脈衝串及一最後脈衝串相關聯的資料以產生一第一經修改資料； 自該第一經修改資料排除與具有最大脈衝串間間隔(IBI)值之一脈衝串相關聯的資料以產生一第二經修改資料； 基於該第二經修改資料中之IBI值產生一平均IBI值； 基於該第二經修改資料中之該等IBI值產生一標準差值；及 基於該平均IBI值、該標準差值及一IBI參數產生一IBI臨限值。
  8. 如請求項7之雷射分析系統，其中該資料收集與分析系統經進一步組態以： 回應於與該最後脈衝串相關聯的一IBI值大於該IBI臨限值，及與該最後脈衝串相關聯的每脈衝串之一脈衝(PPB)大於一PBB臨限值或與該最後脈衝串相關聯的一高電壓命令偏差(HVV)大於一HVV臨限值，判定滿足該校準類別測試；及 回應於滿足該校準類別測試的該判定： 判定該一或多個脈衝串之該最後脈衝串係用於該校準操作；及 判定該一或多個脈衝串中之其他脈衝串係用於該晶圓上操作。
  9. 如請求項1之雷射分析系統，其中該資料收集與分析系統經進一步組態以： 判定該一或多個脈衝串之一第一部分係用於該校準操作； 判定該一或多個脈衝串之一第二部分係用於該晶圓上操作；及 使用來自該所接收資料之與該一或多個脈衝串之該第二部分相關聯的資料以判定用於該一或多個脈衝串之該第二部分的一或多個度量。
  10. 如請求項1之雷射分析系統，其中： 該一或多個脈衝串包含用於該校準操作之一校準脈衝串及用於該晶圓上操作之一或多個晶圓上脈衝串， 該校準脈衝串包含區分該校準脈衝串與該一或多個晶圓上脈衝串的一特性，及 該資料收集與分析系統經組態以使用該校準脈衝串之該特性以區分該校準脈衝串與該一或多個晶圓上脈衝串。
  11. 如請求項10之雷射分析系統，其中該資料收集與分析系統經進一步組態以指派一晶圓識別符至該校準脈衝串。
  12. 如請求項1之雷射分析系統，其中： 該一或多個脈衝串包含用於該校準操作之一第一校準脈衝串、用於一第二校準操作之一第二校準脈衝串及用於該晶圓上操作之一或多個晶圓上脈衝串， 該第一校準脈衝串包含區分該第一校準脈衝串與該一或多個晶圓上脈衝串的一第一特性， 該第二校準脈衝串包含區分該第二校準脈衝串與該一或多個晶圓上脈衝串的一第二特性， 該資料收集與分析系統經組態以使用該第一校準脈衝串之該第一特性及該第二校準脈衝串之該第二特性以區分該第一校準脈衝串及該第二校準脈衝串與該一或多個晶圓上脈衝串。
  13. 一種用於分析與一雷射源相關聯的資料之方法，該方法包含： 在一資料收集與分析系統處及自一雷射源接收與藉由該雷射源產生的雷射脈衝之一或多個脈衝串相關聯的資料； 藉由該資料收集與分析系統及基於該所接收資料判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串係供外部使用；及 藉由該資料收集與分析系統基於該所接收資料判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串係用於一晶圓上操作抑或係用於一校準操作。
  14. 如請求項13之方法，其進一步包含： 藉由該資料收集與分析系統判定該一或多個脈衝串之一第一部分係用於該校準操作； 藉由該資料收集與分析系統判定該一或多個脈衝串之一第二部分係用於該晶圓上操作；及 藉由該資料收集與分析系統使用與該一或多個脈衝串之該第二部分相關聯的資料以判定用於該一或多個脈衝串之該第二部分的一或多個度量。
  15. 如請求項13之方法，其中： 該一或多個脈衝串包含用於該校準操作之一校準脈衝串及用於該晶圓上操作之一或多個晶圓上脈衝串， 該校準脈衝串包含區分該校準脈衝串與該一或多個晶圓上脈衝串的一特性，及 該方法進一步包含： 使用該校準脈衝串之該特性以區分該校準脈衝串與該一或多個晶圓上脈衝串。
  16. 如請求項13之方法，其中： 該一或多個脈衝串包含用於該校準操作之一第一校準脈衝串、用於一第二校準操作之一第二校準脈衝串及用於該晶圓上操作之一或多個晶圓上脈衝串， 該第一校準脈衝串包含區分該第一校準脈衝串與該一或多個晶圓上脈衝串的一第一特性， 該第二校準脈衝串包含區分該第二校準脈衝串與該一或多個晶圓上脈衝串的一第二特性， 該方法進一步包含： 使用該第一校準脈衝串之該第一特性及該第二校準脈衝串之該第二特性以區分該第一校準脈衝串及該第二校準脈衝串與該一或多個晶圓上脈衝串。
  17. 如請求項13之方法，其中雷射脈衝之該一或多個脈衝串供外部使用的該判定包含： 自該所接收資料判定與雷射脈衝之該一或多個脈衝串相關聯的一能量控制模式(ECM)值； 比較該經判定ECM值與一第一ECM值；及 回應於該判定ECM值不同於該第一ECM值，判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串係供外部使用。
  18. 如請求項13之方法，其進一步包含： 判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串中之脈衝串的一數目； 回應於判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串包含一個脈衝串，判定雷射脈衝之該一個脈衝串係用於該校準操作；及 回應於判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串包含多於一個脈衝串，將一校準類別測試應用於該所接收資料。
  19. 如請求項13之方法，其進一步包含： 回應於滿足該校準類別測試： 判定該一或多個脈衝串之一最後脈衝串係用於該校準操作；及 判定該一或多個脈衝串中之其他脈衝串係用於該晶圓上操作；及 回應於不滿足該校準類別測試，判定該一或多個脈衝串係用於該晶圓上操作。
  20. 如請求項19之方法，其進一步包含： 自該所接收資料排除與該一或多個脈衝串之一第一脈衝串及一最後脈衝串相關聯的資料以產生一第一經修改資料； 自該第一經修改資料排除與具有最大脈衝串間間隔(IBI)值之一脈衝串相關聯的資料以產生一第二經修改資料； 基於該第二經修改資料中之IBI值產生一平均IBI值； 基於該第二經修改資料中之該等IBI值產生一標準差值； 基於該平均IBI值、該標準差值及一IBI參數產生一IBI臨限值；及 回應於與該最後脈衝串相關聯的一IBI值大於該IBI臨限值，及與該最後脈衝串相關聯的每脈衝串之一脈衝(PPB)大於一PBB臨限值或與該最後脈衝串相關聯的一高電壓命令偏差(HVV)大於一HVV臨限值，判定滿足該校準類別測試。
  21. 一種微影裝置，其包含： 一照明系統，其經組態以調節一輻射光束； 一投影系統，其經組態以將賦予至該輻射光束之一圖案投影至一基板上， 其中該照明系統包含： 一雷射源，其經組態以產生雷射脈衝之一或多個脈衝串；及 一資料收集與分析系統，其經組態以： 自該雷射源接收與雷射脈衝之該一或多個脈衝串相關聯的資料； 基於該所接收資料判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串係供外部使用；及 基於該所接收資料判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串係用於一晶圓上操作抑或係用於一校準操作。
  22. 一種非暫時性電腦可讀媒體，其儲存在由一處理器執行時使該處理器執行操作之指令，該等操作包含： 自一雷射源接收與藉由該雷射源產生的雷射脈衝之該一或多個脈衝串相關聯的資料； 基於該所接收資料判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串係供外部使用；及 基於該所接收資料判定雷射脈衝之該一或多個脈衝串係用於一晶圓上操作抑或係用於一校準操作。
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